JPH0729184A - 光記録媒体及びその光記録媒体からデータを再生するデータ再生装置 - Google Patents
光記録媒体及びその光記録媒体からデータを再生するデータ再生装置Info
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- JPH0729184A JPH0729184A JP5169384A JP16938493A JPH0729184A JP H0729184 A JPH0729184 A JP H0729184A JP 5169384 A JP5169384 A JP 5169384A JP 16938493 A JP16938493 A JP 16938493A JP H0729184 A JPH0729184 A JP H0729184A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B20/12—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers
- G11B20/1217—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers on discs
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度でデータの記録がなされた光記録媒体
及び、その媒体からデータの再生が行なえるデータ再生
装置を提供することを目的としている。 【構成】 レーザビームのスポットの範囲（Ｅｓ）に複
数のピットが含まれるような密度にて、該ピットｐが記
録データに対応するように光ディスク（１０）のランド
（１１）に配置された。また、データ再生装置は、光デ
ィスク（１０）にレーザビームを照射して得られる反射
光に基づいた検出信号を出力する検出回路（３４）と、
検出回路（３４）からの検出信号の変化に基づいて記録
データを再生する信号処理回路（３５）とを備えた。
及び、その媒体からデータの再生が行なえるデータ再生
装置を提供することを目的としている。 【構成】 レーザビームのスポットの範囲（Ｅｓ）に複
数のピットが含まれるような密度にて、該ピットｐが記
録データに対応するように光ディスク（１０）のランド
（１１）に配置された。また、データ再生装置は、光デ
ィスク（１０）にレーザビームを照射して得られる反射
光に基づいた検出信号を出力する検出回路（３４）と、
検出回路（３４）からの検出信号の変化に基づいて記録
データを再生する信号処理回路（３５）とを備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク、光磁気デ
ィスク等の光記録媒体及びその光記録媒体からデータを
再生するデータ再生装置に係り、特に高密度でデータ記
録のなされる光記録媒体及びその高密度記録されたデー
タを光記録媒体から再生するデータ再生装置に関する。
ィスク等の光記録媒体及びその光記録媒体からデータを
再生するデータ再生装置に係り、特に高密度でデータ記
録のなされる光記録媒体及びその高密度記録されたデー
タを光記録媒体から再生するデータ再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ビーム（レーザビーム）を用いてデー
タの再生が行なわれる光ディスク等の光記録媒体では、
データの高密度記録が要望されており、１２８ＭＢの記
録容量を有する３．５インチの光ディスクが実現されて
いる。この種の従来の光ディスクでは、例えば、記録領
域であるランド上にピットが配列され、その配列パター
ンが記録データにおける“０”，“１”の配列パターン
に対応している。そして、ピットのある、なしを光ビー
ムにより光学的に検出し、その検出結果に基づいて、対
応するデータを再生している。
タの再生が行なわれる光ディスク等の光記録媒体では、
データの高密度記録が要望されており、１２８ＭＢの記
録容量を有する３．５インチの光ディスクが実現されて
いる。この種の従来の光ディスクでは、例えば、記録領
域であるランド上にピットが配列され、その配列パター
ンが記録データにおける“０”，“１”の配列パターン
に対応している。そして、ピットのある、なしを光ビー
ムにより光学的に検出し、その検出結果に基づいて、対
応するデータを再生している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
光記録媒体では、ピット等の光学的特異性を有するマー
クのある、なしを光ビームによって検出しているので、
データの記録密度の限界は、光ビームの波長（ビームの
スポット径）によって決まる。従って、更に短波長の光
ビームを出力することのできる光源（レーザ）が開発さ
れない限り、データの記録密度の改善が行なえない。
光記録媒体では、ピット等の光学的特異性を有するマー
クのある、なしを光ビームによって検出しているので、
データの記録密度の限界は、光ビームの波長（ビームの
スポット径）によって決まる。従って、更に短波長の光
ビームを出力することのできる光源（レーザ）が開発さ
れない限り、データの記録密度の改善が行なえない。
【０００４】そこで、高密度でデータの記録がなされた
光記録媒体と、その光記録媒体から、特に短波長の光ビ
ームを用いなくても、データの再生が行なえるデータ再
生装置を提供することを目的としている。
光記録媒体と、その光記録媒体から、特に短波長の光ビ
ームを用いなくても、データの再生が行なえるデータ再
生装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る光記録媒体は、データが記録された記
録領域上を光ビームにて走査することによりデータの読
出しが行なわれる光記録媒体であって、該光ビームのス
ポットの範囲に光学的特異性を有する複数のマークが形
成されるだけの密度にて、該マークが記録データに対応
するよう上記記録領域に配列されたものである。
め、本発明に係る光記録媒体は、データが記録された記
録領域上を光ビームにて走査することによりデータの読
出しが行なわれる光記録媒体であって、該光ビームのス
ポットの範囲に光学的特異性を有する複数のマークが形
成されるだけの密度にて、該マークが記録データに対応
するよう上記記録領域に配列されたものである。
【０００６】上記マークは、例えば、記録領域に形成さ
れた凹部（ピット）、光ビームに対して特異な吸収率を
有するドット、光ビームに対して特異な反射率を有する
ドット、また、所定の方向の磁界が形成された磁区等に
よって構成される。
れた凹部（ピット）、光ビームに対して特異な吸収率を
有するドット、光ビームに対して特異な反射率を有する
ドット、また、所定の方向の磁界が形成された磁区等に
よって構成される。
【０００７】また、上記光記録媒体からデータを再生す
るデータ再生装置は、記録領域に照射された光ビームの
反射光を受光し、該反射光に基づいて、光ビームのスポ
ット内にあるマークの数に応じた情報を含む信号を出力
する信号出力手段と、該光ビームが光記録媒体を走査す
る際、信号出力手段から出力される信号の変化に基づい
て記録データを再生する信号処理手段とを備えたもので
ある。
るデータ再生装置は、記録領域に照射された光ビームの
反射光を受光し、該反射光に基づいて、光ビームのスポ
ット内にあるマークの数に応じた情報を含む信号を出力
する信号出力手段と、該光ビームが光記録媒体を走査す
る際、信号出力手段から出力される信号の変化に基づい
て記録データを再生する信号処理手段とを備えたもので
ある。
【０００８】
【作用】本発明に係る光記録媒体では、光ビームのスポ
ットの範囲に複数のマークが形成されるだけの密度にて
該マークが記録データに対応するように配列されてい
る。従って、マークの配列密度に対応したデータの記録
密度が得られる。
ットの範囲に複数のマークが形成されるだけの密度にて
該マークが記録データに対応するように配列されてい
る。従って、マークの配列密度に対応したデータの記録
密度が得られる。
【０００９】また、当該光記録媒体の記録領域を光ビー
ムにて走査すると、光ビームのスポット内に位置するマ
ークの数は記録データに対応するように変化する。この
ため信号出力手段から出力される信号は、光ビームのス
ポット内に位置するマークの数に応じて変化する。マー
クは記録データに対応するように配列されているので、
信号出力手段からの信号の変化は、記録データの変化に
対応する。信号処理手段は、この信号出力手段から出力
される信号の変化に基づいて記録データを再生する。
ムにて走査すると、光ビームのスポット内に位置するマ
ークの数は記録データに対応するように変化する。この
ため信号出力手段から出力される信号は、光ビームのス
ポット内に位置するマークの数に応じて変化する。マー
クは記録データに対応するように配列されているので、
信号出力手段からの信号の変化は、記録データの変化に
対応する。信号処理手段は、この信号出力手段から出力
される信号の変化に基づいて記録データを再生する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１１】例えば、図１（１）に示すようなデータ １００１１００１１１１０００１０ を２ビットずつのデータブロックに分割すると、各デー
タブロックで表わされる数（＋進数）は、図１（２）に
示すように、 ２，１，２，１，３，２，０，２ となる。そして、各データブロックにて表わされる数と
同数のビット“１”を含む４ビットのビット列が図１
（３）に示すように得られる。この図１（３）に示され
るビット列に従って光ディスクに情報が記録される。即
ち、図２に示すように、ビット“１”に対応するマーク
ｐ（斜線で示す）が記録領域に配列される。図１（３）
に示す各ビット列に対応したマークｐの列によりマーク
ブロックＢm1〜Ｂm8が構成され、このマークブロックＢ
m1〜Ｂm8は記録領域において光ビームの走査方向Ｓ（相
対的にディスク回転方向と反対方向）とほぼ平行な方向
に順次配列される。各マークブロックＢm1〜Ｂm8では、
マークｐが光ビームの走査方向Ｓとほぼ垂直な方向に配
列されている。そして、マークｐの配列密度は、光ビー
ムのスポットの範囲Ｅｓ内に４つのマークブロックが位
置するだけの密度に設定される。光ビームが光ディスク
の記録領域をＳ方向に順次走査する過程で、光ビームの
スポットの位置が Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄ→Ｅ と移動すると、そのスポットの範囲Ｅｓに含まれるマー
クの数が ６→７→８→６→７ と変化する。光ビームの記録領域での反射光量はスポッ
トの範囲Ｅｓに含まれるマークの数に対応しており、こ
の反射光量の変化を検出することにより、図１（１）に
示すような記録データを再生することが可能となる。
タブロックで表わされる数（＋進数）は、図１（２）に
示すように、 ２，１，２，１，３，２，０，２ となる。そして、各データブロックにて表わされる数と
同数のビット“１”を含む４ビットのビット列が図１
（３）に示すように得られる。この図１（３）に示され
るビット列に従って光ディスクに情報が記録される。即
ち、図２に示すように、ビット“１”に対応するマーク
ｐ（斜線で示す）が記録領域に配列される。図１（３）
に示す各ビット列に対応したマークｐの列によりマーク
ブロックＢm1〜Ｂm8が構成され、このマークブロックＢ
m1〜Ｂm8は記録領域において光ビームの走査方向Ｓ（相
対的にディスク回転方向と反対方向）とほぼ平行な方向
に順次配列される。各マークブロックＢm1〜Ｂm8では、
マークｐが光ビームの走査方向Ｓとほぼ垂直な方向に配
列されている。そして、マークｐの配列密度は、光ビー
ムのスポットの範囲Ｅｓ内に４つのマークブロックが位
置するだけの密度に設定される。光ビームが光ディスク
の記録領域をＳ方向に順次走査する過程で、光ビームの
スポットの位置が Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄ→Ｅ と移動すると、そのスポットの範囲Ｅｓに含まれるマー
クの数が ６→７→８→６→７ と変化する。光ビームの記録領域での反射光量はスポッ
トの範囲Ｅｓに含まれるマークの数に対応しており、こ
の反射光量の変化を検出することにより、図１（１）に
示すような記録データを再生することが可能となる。
【００１２】上記光ディスクの具体的な構造は次のよう
になる。
になる。
【００１３】図３に示すように、光ディスク１０に、ラ
ンド１１及びグルーブ１２が半径方向に交互に配列さ
れ、例えば、ランド１１にピットｐ（孔）が上述したマ
ークとして記録データに対応するように配列されてい
る。上記ピットｐはランド１１を走査する光ビームの範
囲Ｅｓ内に複数含まれるような密度にて、ランド１１に
形成されている。各ピットｐは、断面Ａを示す図５
（ａ）及び断面Ｂを示す図５（ｂ）に示すように、凹部
である。この光ディスク１０は、図４に示すような構造
となっている。即ち、ガラス基板１００上にフォトポリ
マー層１１０が形成され、このフォトポリマー層１１０
の表面にランド１１、グルーブ１２、及び記録データに
対応した配列のピットｐが形成される。そして、フォト
ポリマー層１１０の上にアルミニウム層１２０が蒸着に
より形成されている。
ンド１１及びグルーブ１２が半径方向に交互に配列さ
れ、例えば、ランド１１にピットｐ（孔）が上述したマ
ークとして記録データに対応するように配列されてい
る。上記ピットｐはランド１１を走査する光ビームの範
囲Ｅｓ内に複数含まれるような密度にて、ランド１１に
形成されている。各ピットｐは、断面Ａを示す図５
（ａ）及び断面Ｂを示す図５（ｂ）に示すように、凹部
である。この光ディスク１０は、図４に示すような構造
となっている。即ち、ガラス基板１００上にフォトポリ
マー層１１０が形成され、このフォトポリマー層１１０
の表面にランド１１、グルーブ１２、及び記録データに
対応した配列のピットｐが形成される。そして、フォト
ポリマー層１１０の上にアルミニウム層１２０が蒸着に
より形成されている。
【００１４】上記のような光ディスク１０は次のように
作製される。
作製される。
【００１５】まず、ガラス基板（例えば、直径２０cm、
厚さ１cm）の上にレジスト（例えば厚さ０．１μｍ）を
塗付し、ランド１１、グルーブ１２の位置信号及び図１
（３）で示すようなビット列に基づいて変調されるアル
ゴンレーザ（波長３６４nm)によりレジストが露光され
る。このアルゴンレーザのビームスポットの強度はガウ
ス分布しており、上記ビット列に基づいて変調されるア
ルゴンレーザのパワーは、有効に露光できるビームスポ
ットの広さが図２に示す各マーク（ピットｐ）の広さに
対応するように設定されている。このような露光の後、
ガラス基板とレジストの積層体を１１０℃で５分間加熱
し、現像液を用いて露光されたレジストを現像する。こ
の現像工程では、該積層体を回転させながら（１００ｒ
ｐｍ）、現像液を０．０５ｌ／min の割合でレジスト上
に滴下する。そして、現像が終了した後に、２０分間純
水により積層体の洗浄を行ない、１２０℃で３０分間加
熱して水分を除去する。上記のように現像されたレジス
トの表面に真空蒸着によりニッケル（Ｎｉ）を蒸着す
る。そして、更に、６０℃に加熱されたメッキ液（スル
ファミン酸ニッケル、界面活性剤等からなる）を用い
て、ニッケルの蒸着膜の表面にニッケル（Ｎｉ）をメッ
キする。その後ガラス基板及びレジストをニッケルの蒸
着膜から剥離してスタンパ原板が完成する。スタンパ原
板の厚さは約１〜０．４cmである。このスタンパ原板の
表面にはランド１１、グルーブ１２及びピットｐに対応
した凹凸が形成されている。
厚さ１cm）の上にレジスト（例えば厚さ０．１μｍ）を
塗付し、ランド１１、グルーブ１２の位置信号及び図１
（３）で示すようなビット列に基づいて変調されるアル
ゴンレーザ（波長３６４nm)によりレジストが露光され
る。このアルゴンレーザのビームスポットの強度はガウ
ス分布しており、上記ビット列に基づいて変調されるア
ルゴンレーザのパワーは、有効に露光できるビームスポ
ットの広さが図２に示す各マーク（ピットｐ）の広さに
対応するように設定されている。このような露光の後、
ガラス基板とレジストの積層体を１１０℃で５分間加熱
し、現像液を用いて露光されたレジストを現像する。こ
の現像工程では、該積層体を回転させながら（１００ｒ
ｐｍ）、現像液を０．０５ｌ／min の割合でレジスト上
に滴下する。そして、現像が終了した後に、２０分間純
水により積層体の洗浄を行ない、１２０℃で３０分間加
熱して水分を除去する。上記のように現像されたレジス
トの表面に真空蒸着によりニッケル（Ｎｉ）を蒸着す
る。そして、更に、６０℃に加熱されたメッキ液（スル
ファミン酸ニッケル、界面活性剤等からなる）を用い
て、ニッケルの蒸着膜の表面にニッケル（Ｎｉ）をメッ
キする。その後ガラス基板及びレジストをニッケルの蒸
着膜から剥離してスタンパ原板が完成する。スタンパ原
板の厚さは約１〜０．４cmである。このスタンパ原板の
表面にはランド１１、グルーブ１２及びピットｐに対応
した凹凸が形成されている。
【００１６】ガラス基板１００（例えば、直径３．５in
ch、強化ガラス製) 表面にシランカップリング剤を塗布
し、その上にフォトポリマーを塗付する。そして、スタ
ンパ原板をガラス基板上のフォトポリマーに貼り合わせ
る。この状態で、紫外線を照射することにより、スタン
パ原板の表面の凹凸パターンがフォトポリマー転写す
る。その後、スタンパ原板をフォトポリマーから剥離さ
せる。これにより、ガラス基板１００上にフォトポリマ
ー層１１０が形成される。そして、このフォトポリマー
層１１０の表面にアルミニウム（Ａｌ）を１００nm蒸着
してアルミニウム層１２０を形成し、図４に示すような
構造の光ディスク１０が完成する。
ch、強化ガラス製) 表面にシランカップリング剤を塗布
し、その上にフォトポリマーを塗付する。そして、スタ
ンパ原板をガラス基板上のフォトポリマーに貼り合わせ
る。この状態で、紫外線を照射することにより、スタン
パ原板の表面の凹凸パターンがフォトポリマー転写す
る。その後、スタンパ原板をフォトポリマーから剥離さ
せる。これにより、ガラス基板１００上にフォトポリマ
ー層１１０が形成される。そして、このフォトポリマー
層１１０の表面にアルミニウム（Ａｌ）を１００nm蒸着
してアルミニウム層１２０を形成し、図４に示すような
構造の光ディスク１０が完成する。
【００１７】図６〜図８に本発明に係る光記録媒体の他
の実施例が示される。この例は、光磁気ディスクを示し
ている。
の実施例が示される。この例は、光磁気ディスクを示し
ている。
【００１８】図６において、ディスク上に、ランド１１
（例えば、幅が０．７μｍ）及びグルーブ１２（例え
ば、幅が０．２μｍ）が交互に形成されている。上向き
の磁界
（例えば、幅が０．７μｍ）及びグルーブ１２（例え
ば、幅が０．２μｍ）が交互に形成されている。上向き
の磁界
【００１９】
【数１】
【００２０】が形成された磁区ｐm1と下向きの磁界
【００２１】
【数２】
【００２２】が形成された磁区ｐm2がランド１１に記録
データに対応して配列されている。この場合、上向きの
磁界
データに対応して配列されている。この場合、上向きの
磁界
【００２３】
【数３】
【００２４】が形成された磁区ｐm1が例えば図１（３）
に示す各ビット列におけるビット“０”に対応し、下向
きの磁界
に示す各ビット列におけるビット“０”に対応し、下向
きの磁界
【００２５】
【数４】
【００２６】が形成された磁区ｐm2が、例えば各ビット
列におけるビット“１”に対応する。そして、磁区
ｐm1，ｐm2は、光ビームのスポットの範囲Ｅｓ内に複数
の磁区ｐm1，ｐm2が含まれるような密度にて、ランド１
１に形成される。
列におけるビット“１”に対応する。そして、磁区
ｐm1，ｐm2は、光ビームのスポットの範囲Ｅｓ内に複数
の磁区ｐm1，ｐm2が含まれるような密度にて、ランド１
１に形成される。
【００２７】上記のような光磁気ディスクは次のように
作製される。
作製される。
【００２８】図８に示すように、ランド１１及びグルー
ブ１２が形成されたプラスチック基板１００（例えば、
直径３．５inch、厚さ１mm) の当該ランド１１及びグル
ーブ１２が形成された表面にＳi Ｎx の保護層１１１
（厚さ８０nm) が形成され、更にその上に、アモルファ
ス磁性膜１２１（厚さ５０nm）がＤＣスパッタ法により
蒸着される。更にアモルファス磁性膜１２１の表面にも
Ｓi Ｎx の保護層１１１が形成される。アモルファス磁
性膜１２１は、ＴＭ−ＲＥ（遷移金属−希土類金属）ア
モルファス合金（ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ, ＤｙＦｅＣ
ｏ）の膜で、例えばＴｂ20 Ｆｅ70.5 Ｃｏ9.5 の組成
を有する。そして、このアモルファス磁性膜１２１のキ
ュリー温度が例えば１９５℃である。
ブ１２が形成されたプラスチック基板１００（例えば、
直径３．５inch、厚さ１mm) の当該ランド１１及びグル
ーブ１２が形成された表面にＳi Ｎx の保護層１１１
（厚さ８０nm) が形成され、更にその上に、アモルファ
ス磁性膜１２１（厚さ５０nm）がＤＣスパッタ法により
蒸着される。更にアモルファス磁性膜１２１の表面にも
Ｓi Ｎx の保護層１１１が形成される。アモルファス磁
性膜１２１は、ＴＭ−ＲＥ（遷移金属−希土類金属）ア
モルファス合金（ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ, ＤｙＦｅＣ
ｏ）の膜で、例えばＴｂ20 Ｆｅ70.5 Ｃｏ9.5 の組成
を有する。そして、このアモルファス磁性膜１２１のキ
ュリー温度が例えば１９５℃である。
【００２９】上記のような構造の光磁気ディスクには次
のようにして記録データに対応した磁区ｐm1，ｐm2が形
成される。
のようにして記録データに対応した磁区ｐm1，ｐm2が形
成される。
【００３０】アモルファス磁性膜１２１内に、図７に示
すように上向きに一様な磁界を形成する。その後、上記
磁界と逆方向の外部磁界Ｍをアモルファス磁性膜１２１
に印加した状態で、図１（３）に示すビット列に基づい
てＯＮ−ＯＦＦ変調されるレーザー光をアモルファス磁
性膜１２１に照射する。すると、ビット“１”に対応し
た位置で、レーザー光がＯＮされ、レーザ光が照射され
た部分の温度がキュリー温度以上になる。その温度が室
温に戻ると、レーザー光が照射された部分の磁界の方向
が外部磁界Ｍの方向に揃う。その結果、ランド１１にお
けるアモルファス磁性膜１２１に、図６に示すような上
向きの磁界
すように上向きに一様な磁界を形成する。その後、上記
磁界と逆方向の外部磁界Ｍをアモルファス磁性膜１２１
に印加した状態で、図１（３）に示すビット列に基づい
てＯＮ−ＯＦＦ変調されるレーザー光をアモルファス磁
性膜１２１に照射する。すると、ビット“１”に対応し
た位置で、レーザー光がＯＮされ、レーザ光が照射され
た部分の温度がキュリー温度以上になる。その温度が室
温に戻ると、レーザー光が照射された部分の磁界の方向
が外部磁界Ｍの方向に揃う。その結果、ランド１１にお
けるアモルファス磁性膜１２１に、図６に示すような上
向きの磁界
【００３１】
【数５】
【００３２】が形成された磁区ｐm1と、下向きの磁界
【００３３】
【数６】
【００３４】が形成された磁区ｐm2とが、記録データに
対応するように形成される。
対応するように形成される。
【００３５】上記レーザ光のパワーは、キュリー温度が
得られるビームスポットの広さが図２に示す各マークの
広さに対応するように、設定される。
得られるビームスポットの広さが図２に示す各マークの
広さに対応するように、設定される。
【００３６】上記のような構造の光磁気ディスクのラン
ド１１に光ビームを照射した場合、上向きの磁界
ド１１に光ビームを照射した場合、上向きの磁界
【００３７】
【数７】
【００３８】が形成された磁区ｐm1での反射光の偏向面
と下向きの磁界
と下向きの磁界
【００３９】
【数８】
【００４０】が形成された磁区ｐm2での反射光の偏向面
が異なる。従って、いずれかの偏向面の光のみを検出す
るように検出器を構成すれば、検出された反射光の光量
は光ビームのスポットの範囲Ｅｓに含まれる例えばビッ
ト“１”に対応した磁区ｐm2の数に対応する。
が異なる。従って、いずれかの偏向面の光のみを検出す
るように検出器を構成すれば、検出された反射光の光量
は光ビームのスポットの範囲Ｅｓに含まれる例えばビッ
ト“１”に対応した磁区ｐm2の数に対応する。
【００４１】また、上記光磁気ディスクでは、各磁区で
の磁界の方向を外部磁界及びレーザ光によって変えるこ
とが可能である。即ち情報の書き換えが可能である。
の磁界の方向を外部磁界及びレーザ光によって変えるこ
とが可能である。即ち情報の書き換えが可能である。
【００４２】図９は、いわゆるパーシャルＲＯＭ光ディ
スクを示す。
スクを示す。
【００４３】このパーシャルＲＯＭ光ディスク１０は、
記録データの書換えが可能なＲＡＭ部１５がディスクの
周辺部に位置し、記録データの読出しのみ可能なＲＯＭ
部１８がディスクの中心近傍に位置している。上記ＲＡ
Ｍ部１５の構造は、図６〜図８で示したものと同様であ
り、ＲＯＭ部１８の構造は、図３〜図５で示したものと
同様である。
記録データの書換えが可能なＲＡＭ部１５がディスクの
周辺部に位置し、記録データの読出しのみ可能なＲＯＭ
部１８がディスクの中心近傍に位置している。上記ＲＡ
Ｍ部１５の構造は、図６〜図８で示したものと同様であ
り、ＲＯＭ部１８の構造は、図３〜図５で示したものと
同様である。
【００４４】光ディスクに形成すべき記録マークの他の
例を説明する。
例を説明する。
【００４５】ランドとグルーブが形成された基板の上に
ＴｅＯx （ｘ＝１．１〜１．５）アモルファス膜を形成
する。そして、レーザ光を図１（３）に示すビット列に
基づいてＯＮ−ＯＦＦ変調し、そのレーザ光を上記Ｔｅ
Ｏx アモルファス膜に照射する。ＴｅＯx アモルファス
膜において、レーザ光が照射されて（ＯＮ）温度が上昇
した部分と、レーザ光が照射されず（ＯＦＦ）に温度が
上昇しなかった部分の光の吸収率が異なる。従って、高
吸収率のドットと低吸収率のドットが光ビームのスポッ
トの範囲Ｅｓ内に複数存在するような密度にて、ドット
を記録データに従って形成すれば、光ディスクからの反
射光の光量は、光ビームのスポットに含まれる高吸収率
及び低吸収率のドット（マーク）の数に対応する。この
種の光ディスクも、情報の書換えが可能である。
ＴｅＯx （ｘ＝１．１〜１．５）アモルファス膜を形成
する。そして、レーザ光を図１（３）に示すビット列に
基づいてＯＮ−ＯＦＦ変調し、そのレーザ光を上記Ｔｅ
Ｏx アモルファス膜に照射する。ＴｅＯx アモルファス
膜において、レーザ光が照射されて（ＯＮ）温度が上昇
した部分と、レーザ光が照射されず（ＯＦＦ）に温度が
上昇しなかった部分の光の吸収率が異なる。従って、高
吸収率のドットと低吸収率のドットが光ビームのスポッ
トの範囲Ｅｓ内に複数存在するような密度にて、ドット
を記録データに従って形成すれば、光ディスクからの反
射光の光量は、光ビームのスポットに含まれる高吸収率
及び低吸収率のドット（マーク）の数に対応する。この
種の光ディスクも、情報の書換えが可能である。
【００４６】ランドとグルーブが形成された基板上にＴ
ｅＯ2 とアモルファスＴe 粒子を含む膜が形成される。
そして、レーザ光を図１（３）に示すビット列に基づい
てＯＮ−ＯＦＦ変調し、そのレーザ光を上記膜に照射す
る。この膜において、レーザ光が照射されて（ＯＮ）結
晶化された部分と、レーザ光が照射されず（ＯＦＦ）に
結晶化されなかった部分の光の反射率が異なる。従っ
て、高反射率のドットと低反射率のドットが光ビームの
スポットの範囲Ｅｓ内に複数存在するような密度にて、
ドットを記録データに従って形成すれば、光ディスクか
らの反射光の光量は、光ビームのスポットに含まれる高
反射率及び低反射率のドット（マーク）の数に対応す
る。この種の光ディスクも情報の書換えが可能である。
ｅＯ2 とアモルファスＴe 粒子を含む膜が形成される。
そして、レーザ光を図１（３）に示すビット列に基づい
てＯＮ−ＯＦＦ変調し、そのレーザ光を上記膜に照射す
る。この膜において、レーザ光が照射されて（ＯＮ）結
晶化された部分と、レーザ光が照射されず（ＯＦＦ）に
結晶化されなかった部分の光の反射率が異なる。従っ
て、高反射率のドットと低反射率のドットが光ビームの
スポットの範囲Ｅｓ内に複数存在するような密度にて、
ドットを記録データに従って形成すれば、光ディスクか
らの反射光の光量は、光ビームのスポットに含まれる高
反射率及び低反射率のドット（マーク）の数に対応す
る。この種の光ディスクも情報の書換えが可能である。
【００４７】次に、上記のような構造の光ディスク（光
磁気ディスク）の再生装置を説明する。
磁気ディスク）の再生装置を説明する。
【００４８】再生装置の基本的な構造が、図１０に示さ
れる。図１０において、モータ３０によって回転される
光ディスク１０の記録面に対向するように光ピックアッ
プ３２が配置されている。光ピックアップ３２は、レー
ザ光源を含む光学系３２ａと光検出器３２ｂとを有して
いる。光学系３２ａから出射されるレーザ光が回転する
光ディスク１０に照射される。光ディスク１０の回転に
よりレーザ光が光ディスク１０のランドを走査する。レ
ーザ光が光ディスク１０で反射し、その反射光が光学系
３２ａを介して光検出器３２ｂに入射する。光検出器３
２ｂは入射する光の光量に応じた信号を出力する。検出
回路３４は光検出器３２ｂからの信号の増幅、波形整形
等の処理を行ない、検出信号を生成する。
れる。図１０において、モータ３０によって回転される
光ディスク１０の記録面に対向するように光ピックアッ
プ３２が配置されている。光ピックアップ３２は、レー
ザ光源を含む光学系３２ａと光検出器３２ｂとを有して
いる。光学系３２ａから出射されるレーザ光が回転する
光ディスク１０に照射される。光ディスク１０の回転に
よりレーザ光が光ディスク１０のランドを走査する。レ
ーザ光が光ディスク１０で反射し、その反射光が光学系
３２ａを介して光検出器３２ｂに入射する。光検出器３
２ｂは入射する光の光量に応じた信号を出力する。検出
回路３４は光検出器３２ｂからの信号の増幅、波形整形
等の処理を行ない、検出信号を生成する。
【００４９】例えば、図１（１）に示すデータを図１
（２）に示すようなデータブロックに分割して得られる
数値 （ｘ8 ，ｘ7 ，ｘ6 ，ｘ5 ，ｘ4 ，ｘ3 ，ｘ2 ，ｘ1 ）
＝（２，１，２，１，３，２，０，２） に対応したマークが図１１に示すように、光ディスク１
０のランドに形成された場合、レーザ光がランドを走査
する過程で、検出信号１２は次のように変化する。
（２）に示すようなデータブロックに分割して得られる
数値 （ｘ8 ，ｘ7 ，ｘ6 ，ｘ5 ，ｘ4 ，ｘ3 ，ｘ2 ，ｘ1 ）
＝（２，１，２，１，３，２，０，２） に対応したマークが図１１に示すように、光ディスク１
０のランドに形成された場合、レーザ光がランドを走査
する過程で、検出信号１２は次のように変化する。
【００５０】なお、この場合の走査方向Ｓは図２に示す
場合の走査方向と逆であり、レーザ光のスポットの範囲
Ｅｓ内にに最大４×４のマークが形成される。また、Ｉ
Ｄデータの後にデータの先頭を示すために４×４のマー
クが形成されている。
場合の走査方向と逆であり、レーザ光のスポットの範囲
Ｅｓ内にに最大４×４のマークが形成される。また、Ｉ
Ｄデータの後にデータの先頭を示すために４×４のマー
クが形成されている。
【００５１】レーザ光のスポットが位置ｐ0 に達する
と、スポット内に４×４（＝１６）のマークが含まれる
ので、検出信号のレベルＺi は例えば、Ｚ0 ＝１６とな
る。そして、スポットの位置がＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ，
Ｐ4 ，Ｐ5 ，Ｐ6 ，Ｐ7 ，Ｐ8 と変化してゆくとき、検
出信号のレベルＺi は Ｚ1 ＝１４ Ｚ2 ＝１０ Ｚ3 ＝ ８ Ｚ4 ＝ ７ Ｚ5 ＝ ６ Ｚ6 ＝ ８ Ｚ7 ＝ ７ Ｚ8 ＝ ６ のように変化する（図１２参照）。
と、スポット内に４×４（＝１６）のマークが含まれる
ので、検出信号のレベルＺi は例えば、Ｚ0 ＝１６とな
る。そして、スポットの位置がＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ，
Ｐ4 ，Ｐ5 ，Ｐ6 ，Ｐ7 ，Ｐ8 と変化してゆくとき、検
出信号のレベルＺi は Ｚ1 ＝１４ Ｚ2 ＝１０ Ｚ3 ＝ ８ Ｚ4 ＝ ７ Ｚ5 ＝ ６ Ｚ6 ＝ ８ Ｚ7 ＝ ７ Ｚ8 ＝ ６ のように変化する（図１２参照）。
【００５２】上記のように変化する検出信号は、信号処
理回路３５に供給され、信号処理回路３５がこの検出信
号の変化に基づいて記録データを再生し、その再生デー
タを出力する。図１１のように記録媒体されたデータに
おいて、各データブロックに対応した数Ｘi は ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-4 に基づいて演算される。即ち、位置Ｐi での検出信号の
レベルＺi と前の位置Ｐ i-1 での検出信号のレベルＺ
i-1 との差に４回前の演算で得られた数Ｘi-4 を加える
ことにより各データブロックに対応した数Ｘi が得られ
る。上記式に従って演算を実行するため信号処理回路３
５は例えば、図１３に示すように構成される。
理回路３５に供給され、信号処理回路３５がこの検出信
号の変化に基づいて記録データを再生し、その再生デー
タを出力する。図１１のように記録媒体されたデータに
おいて、各データブロックに対応した数Ｘi は ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-4 に基づいて演算される。即ち、位置Ｐi での検出信号の
レベルＺi と前の位置Ｐ i-1 での検出信号のレベルＺ
i-1 との差に４回前の演算で得られた数Ｘi-4 を加える
ことにより各データブロックに対応した数Ｘi が得られ
る。上記式に従って演算を実行するため信号処理回路３
５は例えば、図１３に示すように構成される。
【００５３】図１３において、信号処理回路３５は、Ａ
・Ｄ変換器３６、ラッチ回路３７、加算回路３８、ラッ
チ３９，４０，４１，４２，４３で構成されたシフトレ
ジスタ及びパラレル・シリアル変換器４４を有する。Ａ
・Ｄ変換器３６は検出信号のレベルＺi をデジタル値に
変換する。ラッチ回路３７は、Ａ・Ｄ変換器３６からの
レベル値Ｚi を格納する。加算回路３８は、Ａ・Ｄ変換
器３６からの検出信号のレベル値Ｚi からラッチ回路３
７に格納されている前回の検出信号のレベル値Ｚi を減
算し、更にシフトレジスタの更終後のラッチ４３に格納
された数値Ｄ4を加算して、その演算結果Ｄ0 を出力す
る。この演算結果は、加算回路３８の演算が終了するご
とにシフトレジスタ内でシフトされる。パラレル・シリ
アル変換器４４は加算回路３８から出力される演算結果
（デジタルデータ）をシリアルデータに変換する。
・Ｄ変換器３６、ラッチ回路３７、加算回路３８、ラッ
チ３９，４０，４１，４２，４３で構成されたシフトレ
ジスタ及びパラレル・シリアル変換器４４を有する。Ａ
・Ｄ変換器３６は検出信号のレベルＺi をデジタル値に
変換する。ラッチ回路３７は、Ａ・Ｄ変換器３６からの
レベル値Ｚi を格納する。加算回路３８は、Ａ・Ｄ変換
器３６からの検出信号のレベル値Ｚi からラッチ回路３
７に格納されている前回の検出信号のレベル値Ｚi を減
算し、更にシフトレジスタの更終後のラッチ４３に格納
された数値Ｄ4を加算して、その演算結果Ｄ0 を出力す
る。この演算結果は、加算回路３８の演算が終了するご
とにシフトレジスタ内でシフトされる。パラレル・シリ
アル変換器４４は加算回路３８から出力される演算結果
（デジタルデータ）をシリアルデータに変換する。
【００５４】ここで、レーザビームのスポットがＰi に
位置するときに得られた検出信号のレベル値Ｚi がＡ・
Ｄ変換器３６から出力されるとき、ラッチ回路３７及び
シフトレジスタ（３９〜４３）には図１４に示すような
データが格納される。即ち、ラッチ回路３７には、レー
ザビームのスポットがＰi-1 に位置するときに得られた
検出信号のレベル値Ｚi-1 が格納され、シフトレジスタ
の各ラッチ４３，４２，４１，４０，３９には夫々演算
値Ｘi-4 ，Ｘi-3 ，Ｘi-2 ，Ｘi-1 ，Ｘi が格納され
る。従って、加算回路３８から出力される演算結果Ｘi
は ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-4 で表わされる。即ち、加算回路３８からの出力値Ｘi が
各データブロックが表わわす数値になる。
位置するときに得られた検出信号のレベル値Ｚi がＡ・
Ｄ変換器３６から出力されるとき、ラッチ回路３７及び
シフトレジスタ（３９〜４３）には図１４に示すような
データが格納される。即ち、ラッチ回路３７には、レー
ザビームのスポットがＰi-1 に位置するときに得られた
検出信号のレベル値Ｚi-1 が格納され、シフトレジスタ
の各ラッチ４３，４２，４１，４０，３９には夫々演算
値Ｘi-4 ，Ｘi-3 ，Ｘi-2 ，Ｘi-1 ，Ｘi が格納され
る。従って、加算回路３８から出力される演算結果Ｘi
は ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-4 で表わされる。即ち、加算回路３８からの出力値Ｘi が
各データブロックが表わわす数値になる。
【００５５】更に具体的に説明すると、レーザビームの
スポットが位置Ｐ0 に達すると、検出信号のレベルＺ0
はＺ0 ＝１６となる。このとき、信号処理回路３５は、
データの先頭であることを認識し、図１５に示すよう
に、ラッチ回路３７がＺi-1 ＝１６に初期設定され、シ
フトレジスタ（４３，４２，４１，４０，３９）が
（４，４，４，４，４）に初期設定される。次に、レー
ザビームのスポットが位置Ｐ 1 に達すると、検出信号の
レベル値Ｚ1 ＝１４がＡ・Ｄ変換器３６から出力され、
図１６に示すように、演算出力がｘ1 ＝２（１０）とな
る（（ ）内の数は二進数表示）。また、更に、レーザ
ビームのスポットが位置Ｐ2 に達すると、図１７に示す
ように検出信号のレベル値Ｚ2 ＝１０がＡ・Ｄ変換器３
６から出力され、前回Ａ・Ｄ変換器３６から出力された
レベル値Ｚ1 ＝１４がラッチ回路３７に格納される。そ
の結果、演算出力がＸ2 ＝０（００）となる。以下、レ
ーザビームがランドを走査する過程で、Ａ・Ｄ変換器３
６、ラッチ回路３７、シフトレジスタ（４３，４２，４
１，４０，３９）及び加算回路３８の出力値は、図１８
から図２３に示すように変化する。即ち、加算回路３８
から次のような演算結果Ｘ i Ｘ1 ＝２（１０） Ｘ2 ＝０（００） Ｘ3 ＝２（１０） Ｘ4 ＝３（１１） Ｘ5 ＝１（０１） Ｘ6 ＝２（１０） Ｘ7 ＝１（０１） Ｘ8 ＝２（１０） が得られる、この演算結果Ｘi が、パラレル・シリアル
変換器４４によって順次シリアルデータ １００１１００１１１１０００１０ に変換される。このデータは、図１（１）に示す記録デ
ータと同じである。即ち、記録データが再生される。
スポットが位置Ｐ0 に達すると、検出信号のレベルＺ0
はＺ0 ＝１６となる。このとき、信号処理回路３５は、
データの先頭であることを認識し、図１５に示すよう
に、ラッチ回路３７がＺi-1 ＝１６に初期設定され、シ
フトレジスタ（４３，４２，４１，４０，３９）が
（４，４，４，４，４）に初期設定される。次に、レー
ザビームのスポットが位置Ｐ 1 に達すると、検出信号の
レベル値Ｚ1 ＝１４がＡ・Ｄ変換器３６から出力され、
図１６に示すように、演算出力がｘ1 ＝２（１０）とな
る（（ ）内の数は二進数表示）。また、更に、レーザ
ビームのスポットが位置Ｐ2 に達すると、図１７に示す
ように検出信号のレベル値Ｚ2 ＝１０がＡ・Ｄ変換器３
６から出力され、前回Ａ・Ｄ変換器３６から出力された
レベル値Ｚ1 ＝１４がラッチ回路３７に格納される。そ
の結果、演算出力がＸ2 ＝０（００）となる。以下、レ
ーザビームがランドを走査する過程で、Ａ・Ｄ変換器３
６、ラッチ回路３７、シフトレジスタ（４３，４２，４
１，４０，３９）及び加算回路３８の出力値は、図１８
から図２３に示すように変化する。即ち、加算回路３８
から次のような演算結果Ｘ i Ｘ1 ＝２（１０） Ｘ2 ＝０（００） Ｘ3 ＝２（１０） Ｘ4 ＝３（１１） Ｘ5 ＝１（０１） Ｘ6 ＝２（１０） Ｘ7 ＝１（０１） Ｘ8 ＝２（１０） が得られる、この演算結果Ｘi が、パラレル・シリアル
変換器４４によって順次シリアルデータ １００１１００１１１１０００１０ に変換される。このデータは、図１（１）に示す記録デ
ータと同じである。即ち、記録データが再生される。
【００５６】上記実施例では、演算結果ｘi が２ビット
で得られるので、Ａ・Ｄ変換器３６、ラッチ回路３７、
加算回路３８及びシフトレジスタの同期用クロックＣＬ
ＯＣＫ１の周波数はパラレル・シリアル変換器４の同期
用クロックＣＬＯＣＫ２の周期の１／２である。
で得られるので、Ａ・Ｄ変換器３６、ラッチ回路３７、
加算回路３８及びシフトレジスタの同期用クロックＣＬ
ＯＣＫ１の周波数はパラレル・シリアル変換器４の同期
用クロックＣＬＯＣＫ２の周期の１／２である。
【００５７】上記のような光ディスク及びそのデータ再
生装置によれば、レーザビームのスポットの範囲内に最
大４×４のマークが形成されるので、データの記録密度
が従来の場合に比べて８倍に向上する。
生装置によれば、レーザビームのスポットの範囲内に最
大４×４のマークが形成されるので、データの記録密度
が従来の場合に比べて８倍に向上する。
【００５８】また、図２４（１）に示すようなデータ
を、３ビットずつのデータクロックに分割すると、各デ
ータブロックで表わされる数（＋進数）は図２４（２）
に示されるようになる。そして、各データブロックにて
表わされる数と同数のビット“１”を含む８ビットのビ
ット列が図２４（３）に示すように得られる。
を、３ビットずつのデータクロックに分割すると、各デ
ータブロックで表わされる数（＋進数）は図２４（２）
に示されるようになる。そして、各データブロックにて
表わされる数と同数のビット“１”を含む８ビットのビ
ット列が図２４（３）に示すように得られる。
【００５９】この図２４（３）に示されるビット列に従
って、光ディスクに情報を記録すると、ビット“１”に
対応したマークが、例えば図２５に示すように配列され
る。図２５において、各マークブロックＢm1〜Ｂm8が図
２４（３）のビット列に対応し、光ビームのスポットの
範囲Ｅｓ内に最大８×８のマークが含まれる。この場
合、データ再生装置は、検出信号のレベル変化に基づ
き、 ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-8 に従って、各データブロックが表わす数値を演算する。
そして、その数値から、図２４（１）に示す記録データ
と再生する。
って、光ディスクに情報を記録すると、ビット“１”に
対応したマークが、例えば図２５に示すように配列され
る。図２５において、各マークブロックＢm1〜Ｂm8が図
２４（３）のビット列に対応し、光ビームのスポットの
範囲Ｅｓ内に最大８×８のマークが含まれる。この場
合、データ再生装置は、検出信号のレベル変化に基づ
き、 ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-8 に従って、各データブロックが表わす数値を演算する。
そして、その数値から、図２４（１）に示す記録データ
と再生する。
【００６０】この場合、光ビームのスポットの範囲Ｅｓ
内に最大８×８のマークが形成され、データの記録密度
が従来の場合に比べて２４倍に向上する。
内に最大８×８のマークが形成され、データの記録密度
が従来の場合に比べて２４倍に向上する。
【００６１】一般に、光ビームのスポットの範囲Ｅｓに
含まれるマークブロックの数がｋの場合、 ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-k に従って、各データブロックによって表される数値が演
算できる。
含まれるマークブロックの数がｋの場合、 ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-k に従って、各データブロックによって表される数値が演
算できる。
【００６２】上記各実施例では、ランドにマークを形成
したが、これに限定されず、グルーブあるいはランド、
グルーブの双方にマークを形成することも可能である。
したが、これに限定されず、グルーブあるいはランド、
グルーブの双方にマークを形成することも可能である。
【００６３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
光記録媒体によれば、光ビームのスポットの範囲に複数
のマークが含まれるような密度にて、該マークが形成さ
れているので、データの記録密度の向上が図られる。
光記録媒体によれば、光ビームのスポットの範囲に複数
のマークが含まれるような密度にて、該マークが形成さ
れているので、データの記録密度の向上が図られる。
【００６４】また、本発明に係るデータ再生装置によれ
ば、上記光記録媒体から読み出される情報の変化に基づ
いて記録データを再生することができる。
ば、上記光記録媒体から読み出される情報の変化に基づ
いて記録データを再生することができる。
【図１】光ディスクに記録されるデータを示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例に係る光記録媒体に形成される
記録マークを示す図である。
記録マークを示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る光ディスクの構造を示す
図である。
図である。
【図４】図３に示す光ディスクの断面構造を示す図であ
る。
る。
【図５】図３に示す断面Ａ及び断面Ｂを示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施例に係る光磁気ディスクの構造を
示す図である。
示す図である。
【図７】図６に示す光磁気ディスクに形成される磁区を
示す図である。
示す図である。
【図８】図６に示す光磁気ディスクの断面構造を示す断
面図である。
面図である。
【図９】いわゆるパーシャルＲＯＭ光ディスクを示す図
である。
である。
【図１０】本発明の実施例に係るデータ再生装置の基本
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１１】図１０に示すデータ再生装置によってデータ
の再生が行なわれる光ディスクを示す図である。
の再生が行なわれる光ディスクを示す図である。
【図１２】図１１に示す光ディスクからデータを読出す
ときの検出信号の変化を示す図である。
ときの検出信号の変化を示す図である。
【図１３】図１０に示す信号処理回路を示す図である。
【図１４】図１０に示す信号処理回路内に保持される信
号の状態を示す図である。
号の状態を示す図である。
【図１５】レーザスポットが位置Ｐ0 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図１６】レーザスポットが位置Ｐ1 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図１７】レーザスポットが位置Ｐ2 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図１８】レーザスポットが位置Ｐ3 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図１９】レーザスポットが位置Ｐ4 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図２０】レーザスポットが位置Ｐ5 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図２１】レーザスポットが位置Ｐ6 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図２２】レーザスポットが位置Ｐ7 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図２３】レーザスポットが位置Ｐ8 にあるときの信号
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
処理回路内に保持される信号の状態を示す図である。
【図２４】光ディスクに記録されるべきデータの他の例
を示す図である。
を示す図である。
【図２５】図２４に示すデータが記録される場合の、光
ディスク上の記録マークを示す図である。
ディスク上の記録マークを示す図である。
１０ 光ディスク １１ ランド １２ グルーブ ３０ モータ ３２ 光ピックアップ ３４ 検出回路 ３５ 信号処理回路
Claims (12)
- 【請求項１】 データが記録された記録領域（１１）上
を光ビームにて走査することによりデータの読出しが行
なわれる光記録媒体（１０）において、 該光ビームのスポットの範囲（Ｅｓ）に光学的特異性を
有する複数のマーク（ｐ）が含まれるような密度にて、
該マーク（ｐ）が記録データに対応するよう上記記録領
域（１１）に配列された光記録媒体（１０）。 - 【請求項２】 請求項１記載の光記録媒体において、記
録データを所定ビット数ごとに分割して得られる各デー
タブロックが表わす情報に対応した数のマークからなる
マークブロック（Ｂm ）が、記録データにおけるデータ
ブロックの配列に対応して配列された光記録媒体（１
０）。 - 【請求項３】 請求項２記載の光記録媒体において、該
マークブロック（Ｂｍ）は光ビームの走査方向とほぼ平
行な方向に配列され、各マークブロック（Ｂｍ）内のマ
ーク（ｐ）は光ビームの走査方向とは異なる方向に配列
された光磁気記録媒体（１０）。 - 【請求項４】 請求項３記載の光記録媒体において、各
マークブロック（Ｂｍ）内のマーク（ｐ）は光ビームの
走査方向とほぼ垂直な方向に配列された光記録媒体（１
０）。 - 【請求項５】 請求項１乃至４いずれか記載の光記録媒
体において、各データブロックがｎビットであり、各マ
ークブロック（Ｂm ）内のマーク（ｐ）の数がｎビット
で表わされている範囲内の数である光記録媒体（１
０）。 - 【請求項６】 請求項５記載の光記録媒体において、ｎ
＝２となる光記録媒体（１０）。 - 【請求項７】 請求項５記載の光記録媒体において、ｎ
＝３となる光記録媒体（１０）。 - 【請求項８】 光ビームのスポットの範囲（Ｅｓ）に光
学的特異性を有する複数のマーク（ｐ）が形成されるだ
けの密度にて、該マーク（ｐ）が記録領域（１１）に配
列された光記録媒体（１０）から光ビームを走査するこ
とによりデータを再生するデータ再生装置において、 記録領域（１１）に照射された光ビームの反射光を受光
し、該反射光に基づいて、光ビームのスポット内にある
マークの数に応じた情報を含む信号を出力する信号出力
手段（３２，３４）と、 該光ビームが光記録媒体（１０）を走査する際、信号出
力手段（３２，３４）から出力される信号の変化に基づ
いて記録データを再生する信号処理手段（３５）とを備
えたデータ再生装置。 - 【請求項９】 請求項８記載のデータ再生装置におい
て、上記光記録媒体（１０）は、記録データが所定のビ
ット数ごとに分割して得られる各データブロックが表わ
す情報に対応した数のマークからなるマークブロック
（Ｂm1〜Ｂm8）が記録領域（１１）にデータブロックの
配列に対応して配列された光記録媒体（１０）であり、
上記信号処理手段（３５）は、信号出力手段（３２，３
４）から出力される信号の変化に基づいて各マークブロ
ックに対応したデータブロックが表わす情報を生成する
第一の信号処理回路（３６，３７，３８，３９，４０，
４１，４２，４３）と、第一の信号処理回路（３６，３
７，３８，３９，４０，４１，４２，４３）にて得られ
た情報を順次結合して記録データを再生する第二の信号
処理回路（４４）とを有するデータ再生装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載のデータ再生装置におい
て、該光記録媒体（１０）は、マークブロックが光ビー
ムの走行方向とほぼ平行に配列され、各マークブロック
内のマークが光ビーム走査方向とほぼ垂直に配列された
光記録媒体（１０）であって、上記第一の信号処理回路
は、光ビームのスポットが各マークブロック分走査する
毎に、信号出力手段からの信号（Ｚi ）を保持するサン
プリング回路（３６）と、サンプリング回路（３６）に
信号（Ｚi ）が保持される際に、すでにサンプリング回
路（３６）に保持されていた信号（Ｚi-1 ）を格納する
ラッチ回路（３７）と、サンプリング回路（３６）に保
持された信号（Ｚi ）とラッチ回路（３７）に格納され
た信号（Ｚi-1 ）の差に基づいて各データブロックが表
わす情報（Ｘi ）を生成する演算回路（３８，３９，４
０，４１，４２，４３）とを有するデータ再生装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載のデータ再生装置にお
いて、該光記録媒体（１０）は、光ビームのスポットの
範囲（Ｅｓ）内にｋ個のマークブロックが配列されるだ
けの密度でマークが記録領域上に配列された光記録媒体
（１０）であり、上記演算回路は、ｋ回前の演算で得ら
れたデータブロックが表わす情報（Ｘ i-k ）を保持する
遅延回路（３９，４０，４１，４２，４３）と、上記信
号（Ｚ i ）及び（Ｚi-1 ）と遅延回路（３９，４０，４
１，４２，４３）に保持された情報（Ｘi-k ）を用いて Ｘi ＝Ｚi −Ｚi-1 ＋Ｘi-k に従って各データブロックが表わす情報（Ｘi ）を演算
する加減算回路（３８）を有するデータ再生装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のデータ再生装置にお
いて、上記遅延回路は、加減算回路にて順次得られた情
報、Ｘi-k ，Ｘi-k+1 ，…Ｘi を格納する（ｋ＋１）段
のシフトレジスタ（３９，４０，４１，４２，４３）を
有するデータ再生装置。
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|---|---|---|---|
| JP16938493A JP3682725B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 光記録媒体からデータを再生するデータ再生装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16938493A JP3682725B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 光記録媒体からデータを再生するデータ再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729184A true JPH0729184A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3682725B2 JP3682725B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=15885602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16938493A Expired - Fee Related JP3682725B2 (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 光記録媒体からデータを再生するデータ再生装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-07-08 JP JP16938493A patent/JP3682725B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-01 US US08/252,332 patent/US5548576A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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