JPH06223428A - 光磁気記録媒体とその記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体とその記録再生方法Info
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- JPH06223428A JPH06223428A JP2761393A JP2761393A JPH06223428A JP H06223428 A JPH06223428 A JP H06223428A JP 2761393 A JP2761393 A JP 2761393A JP 2761393 A JP2761393 A JP 2761393A JP H06223428 A JPH06223428 A JP H06223428A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体の記録・再生に際し、長期間
にわたって良好なビットエラーレイトを得ることを可能
とする。また、その記録・再生を可能にした記録再生方
法を得る。 【構成】 透明基板上に光磁気層を有し、この光磁気層
にレーザ光を集束して照射することで情報の記録・再生
を可能とした光磁気ディスク１の記録可能領域２の一部
に、ユーザ領域３と共に情報の記録・再生を行う際の基
準となる情報を記録可能な不具合検知領域４を有する。
光磁気ディスク１への情報の記録・再生に際し、不具合
検知領域４に記録されている情報を、フォーカシングサ
ーボの電気的オフセット量を変化させながら検出し、検
出された信号のビットエラーレートが最小となる電気的
オフセット量により記録可能領域への記録・再生を行
う。
にわたって良好なビットエラーレイトを得ることを可能
とする。また、その記録・再生を可能にした記録再生方
法を得る。 【構成】 透明基板上に光磁気層を有し、この光磁気層
にレーザ光を集束して照射することで情報の記録・再生
を可能とした光磁気ディスク１の記録可能領域２の一部
に、ユーザ領域３と共に情報の記録・再生を行う際の基
準となる情報を記録可能な不具合検知領域４を有する。
光磁気ディスク１への情報の記録・再生に際し、不具合
検知領域４に記録されている情報を、フォーカシングサ
ーボの電気的オフセット量を変化させながら検出し、検
出された信号のビットエラーレートが最小となる電気的
オフセット量により記録可能領域への記録・再生を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気光学効果を利用して
レーザ光により情報の記録・再生を行う光磁気記録媒体
及びその記録再生方法に関する。
レーザ光により情報の記録・再生を行う光磁気記録媒体
及びその記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光により情報の記録・再生を行う
光ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装置
として優れた特徴を有している。この種の光ディスクに
おいて、情報の書換え可能なものとして、磁気カー効果
を利用した光磁気方式のものが用いられている。この光
磁気方式の光ディスクの代表例として、エス・ピー・ア
イ・イー・プロシーディング第１３１６巻，８１〜９０
頁，１９９０年（ＳＰＩＥ）に記載されているのものを
図３に示す。この光磁気記録媒体は、透明基板２１の上
に透明干渉層２２を有し、その上にＧｄＦｅＣｏの非晶
質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の光磁気
層２３を有し、その上にＴｂＦｅの非晶質合金のフェリ
磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光磁気
層２４を有し、更にその上に誘電体保護層２５を有する
ものである。
光ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装置
として優れた特徴を有している。この種の光ディスクに
おいて、情報の書換え可能なものとして、磁気カー効果
を利用した光磁気方式のものが用いられている。この光
磁気方式の光ディスクの代表例として、エス・ピー・ア
イ・イー・プロシーディング第１３１６巻，８１〜９０
頁，１９９０年（ＳＰＩＥ）に記載されているのものを
図３に示す。この光磁気記録媒体は、透明基板２１の上
に透明干渉層２２を有し、その上にＧｄＦｅＣｏの非晶
質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の光磁気
層２３を有し、その上にＴｂＦｅの非晶質合金のフェリ
磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光磁気
層２４を有し、更にその上に誘電体保護層２５を有する
ものである。
【０００３】第１の光磁気層２３の保磁力は記録を行う
温度では比較的小さくし、第２の光磁気層２４の保磁力
は記録を行う温度では比較的大きくし、再生を行う温度
では第１の光磁気層２３と第２の光磁気層２４とは交換
結合するようにする。記録及び再生用のレーザ光は透明
基板２１を通して入射し、第１の光磁気層２３の近傍で
略１.4μｍになるようにフォーカシングサーボ（焦点制
御）により集光される。レーザ光源としては波長８３０
０Å前後の半導体レーザが用いられる。
温度では比較的小さくし、第２の光磁気層２４の保磁力
は記録を行う温度では比較的大きくし、再生を行う温度
では第１の光磁気層２３と第２の光磁気層２４とは交換
結合するようにする。記録及び再生用のレーザ光は透明
基板２１を通して入射し、第１の光磁気層２３の近傍で
略１.4μｍになるようにフォーカシングサーボ（焦点制
御）により集光される。レーザ光源としては波長８３０
０Å前後の半導体レーザが用いられる。
【０００４】情報の記録は、情報に対応させて高パワー
のレーザ光を照射することにより、少なくとも第１の光
磁気層２３にレーザ光のエネルギを吸収させ、それを熱
エネルギに変換させ、第２の光磁気層２４の温度をその
キュリー温度近傍に昇温させる。この部分を含む領域に
記録バイアス磁界をかけておくことにより、この部分の
磁化を他の部分とは逆の方向に配向させることにより情
報の記録を行う。高パワーのレーザ光の照射後の温度が
下がった状態ではこの記録された反転磁区は第１の光磁
気層２３に転写される。
のレーザ光を照射することにより、少なくとも第１の光
磁気層２３にレーザ光のエネルギを吸収させ、それを熱
エネルギに変換させ、第２の光磁気層２４の温度をその
キュリー温度近傍に昇温させる。この部分を含む領域に
記録バイアス磁界をかけておくことにより、この部分の
磁化を他の部分とは逆の方向に配向させることにより情
報の記録を行う。高パワーのレーザ光の照射後の温度が
下がった状態ではこの記録された反転磁区は第１の光磁
気層２３に転写される。
【０００５】情報の再生は、直線偏光した低いパワーの
レーザ光を第１の光磁気層２３に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。光
磁気膜は磁気カー効果により反射光の偏光面を回転させ
る効果があるので、反射光の偏光面の回転各θｋが光磁
気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、反
射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向きに
対応した情報を光量変化として読出すことができる。な
お、このように光磁気材料は非常に酸化され易いので、
透明干渉膜２２と誘電体保護層２５とで挟み込むことに
より光磁気膜が酸化されることを防止している。
レーザ光を第１の光磁気層２３に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。光
磁気膜は磁気カー効果により反射光の偏光面を回転させ
る効果があるので、反射光の偏光面の回転各θｋが光磁
気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、反
射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向きに
対応した情報を光量変化として読出すことができる。な
お、このように光磁気材料は非常に酸化され易いので、
透明干渉膜２２と誘電体保護層２５とで挟み込むことに
より光磁気膜が酸化されることを防止している。
【０００６】ここで、光磁気記録媒体の記録再生方式に
ついて説明する。図４（ａ）は記録側等化回路がない場
合のデータの変換例であり、図４（ｂ）は記録側等化回
路がある場合のデータの変換例である。図４（ａ）に見
られるように、再生データが記録再生時のノイズ等によ
って誤って再生されると、復調後にはデータの誤り伝搬
が生じる。これに対し、図４（ｂ）に見られるように、
記録側等化回路で記録データである情報系列を中間系列
データに変換することで記録再生系でのノイズ等による
ビットの読み誤りの伝搬（エラー伝搬）を大幅に改善で
きる。このときの光磁気記録媒体に記録された反転磁区
列は垂直磁化が膜面に対して上向きか下向きかの２値の
ディジタル情報列であるが、反転磁区の間隔が狭い場合
には再生用照射の反射光の干渉（符号間干渉）が再生信
号波形の歪や分解能の低下を生じさせる。
ついて説明する。図４（ａ）は記録側等化回路がない場
合のデータの変換例であり、図４（ｂ）は記録側等化回
路がある場合のデータの変換例である。図４（ａ）に見
られるように、再生データが記録再生時のノイズ等によ
って誤って再生されると、復調後にはデータの誤り伝搬
が生じる。これに対し、図４（ｂ）に見られるように、
記録側等化回路で記録データである情報系列を中間系列
データに変換することで記録再生系でのノイズ等による
ビットの読み誤りの伝搬（エラー伝搬）を大幅に改善で
きる。このときの光磁気記録媒体に記録された反転磁区
列は垂直磁化が膜面に対して上向きか下向きかの２値の
ディジタル情報列であるが、反転磁区の間隔が狭い場合
には再生用照射の反射光の干渉（符号間干渉）が再生信
号波形の歪や分解能の低下を生じさせる。
【０００７】これに対して、符号間干渉を積極的に使う
ことで高記録密度でかつビットエラーレイトを低くする
ことのできるパーシャルレスポンス方式の光磁気記録媒
体の記録再生方法（例えば、電気学会、マグネティック
ス研究会資料ＭＡＧ−９１−１８（１９９１年））につ
いて説明する。図５はこの読出し原理を説明するための
図である。（ａ）の記録データを（ｂ）の中間系列と
し、（ｃ）の記録光パワーにより光磁気ディスクに記録
する。２値情報で記録された反転磁区列からの再生信号
は符号間干渉により３値化されて読出される。読出信号
の情報識別では、（ｄ）に示すように、スライスレベル
Ｓ１及びＳ２のように、２段階にしておく。このとき、
各スライスレベルでの識別は、各々「１」，「０」，
「１」に対応することになる。同時にクロック再生系
で、読出波形の「１」，「０」，「１」に対応してピー
ク値を検出して、ビット情報と再生クロックとのタイミ
ング関係をとる。各スライスレベルでパルス化された情
報系列は、（ｅ），（ｆ），（ｇ）に示すように、デー
タ識別窓としてサンプリングクロックとのタイミングに
より、元の２値のデータ系列に変換される。この復調デ
ータから復調符号器を通して源データ系列が再生される
ことになる。
ことで高記録密度でかつビットエラーレイトを低くする
ことのできるパーシャルレスポンス方式の光磁気記録媒
体の記録再生方法（例えば、電気学会、マグネティック
ス研究会資料ＭＡＧ−９１−１８（１９９１年））につ
いて説明する。図５はこの読出し原理を説明するための
図である。（ａ）の記録データを（ｂ）の中間系列と
し、（ｃ）の記録光パワーにより光磁気ディスクに記録
する。２値情報で記録された反転磁区列からの再生信号
は符号間干渉により３値化されて読出される。読出信号
の情報識別では、（ｄ）に示すように、スライスレベル
Ｓ１及びＳ２のように、２段階にしておく。このとき、
各スライスレベルでの識別は、各々「１」，「０」，
「１」に対応することになる。同時にクロック再生系
で、読出波形の「１」，「０」，「１」に対応してピー
ク値を検出して、ビット情報と再生クロックとのタイミ
ング関係をとる。各スライスレベルでパルス化された情
報系列は、（ｅ），（ｆ），（ｇ）に示すように、デー
タ識別窓としてサンプリングクロックとのタイミングに
より、元の２値のデータ系列に変換される。この復調デ
ータから復調符号器を通して源データ系列が再生される
ことになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の高記録密度の光磁気記録媒体では、経年変化
等による光磁気層の劣化により、長期間にわたって良好
な記録・再生を確保することが難しく、記録・再生に伴
うビットエラーレイトを良好に保つことが難しいという
問題がある。本発明の目的は、長期間にわたって良好な
ビットエラーレイトを得ることができる光磁気記録媒体
を得ることにある。また、本発明の他の目的は、長期間
にわたって良好なビットエラーレイトで光磁気記録媒体
への記録・再生を可能にした記録再生方法を提供するこ
とにある。
うな従来の高記録密度の光磁気記録媒体では、経年変化
等による光磁気層の劣化により、長期間にわたって良好
な記録・再生を確保することが難しく、記録・再生に伴
うビットエラーレイトを良好に保つことが難しいという
問題がある。本発明の目的は、長期間にわたって良好な
ビットエラーレイトを得ることができる光磁気記録媒体
を得ることにある。また、本発明の他の目的は、長期間
にわたって良好なビットエラーレイトで光磁気記録媒体
への記録・再生を可能にした記録再生方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、透明基板上に第１の光磁気層と第２の光磁気層を有
し、第１の光磁気層にレーザ光を集束して照射すること
で情報を記録し、かつ情報の再生を行うようにし、その
記録可能領域の一部に情報の記録・再生を行う際の基準
となる情報を記録可能な不具合検知領域を設けている。
例えば、第１の光磁気層は、２００℃以上のキュリー温
度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で、０.5エルステ
ッド未満の低保磁力を示す鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを主成分とする非晶質合金であり、第２の光磁気層
は、１１０℃以上２００℃以下のキュリー温度を有し、
かつ１０℃以上９０℃以下で、１.0キロエルステッド以
上の高保磁力を示し、かつ膜厚は３５０Å以上で垂直磁
化可能な鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを主成分とす
る非晶質合金であり、第１の光磁気層と第２の光磁気層
とは１０℃以上９０℃以下で交換結合している構成とす
ることが好ましい。また、本発明の記録再生方法は、光
磁気層にレーザ光を集束して照射することで情報を記録
し、かつ情報の再生を行うようにし、かつその記録可能
領域の一部に情報の記録・再生を行う際の基準となる情
報を記録可能な不具合検知領域を設けた光磁気記録媒体
に対し、情報の記録・再生に際して、不具合検知領域に
記録されている情報を、フォーカシングサーボの電気的
オフセット量を変化させながら検出し、検出された信号
のビットエラーレートが最小となる電気的オフセット量
により記録可能領域への記録・再生を行う。この場合、
不具合検知領域の情報の検出を、パーシャルレスポンス
方式で行う。
は、透明基板上に第１の光磁気層と第２の光磁気層を有
し、第１の光磁気層にレーザ光を集束して照射すること
で情報を記録し、かつ情報の再生を行うようにし、その
記録可能領域の一部に情報の記録・再生を行う際の基準
となる情報を記録可能な不具合検知領域を設けている。
例えば、第１の光磁気層は、２００℃以上のキュリー温
度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で、０.5エルステ
ッド未満の低保磁力を示す鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを主成分とする非晶質合金であり、第２の光磁気層
は、１１０℃以上２００℃以下のキュリー温度を有し、
かつ１０℃以上９０℃以下で、１.0キロエルステッド以
上の高保磁力を示し、かつ膜厚は３５０Å以上で垂直磁
化可能な鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを主成分とす
る非晶質合金であり、第１の光磁気層と第２の光磁気層
とは１０℃以上９０℃以下で交換結合している構成とす
ることが好ましい。また、本発明の記録再生方法は、光
磁気層にレーザ光を集束して照射することで情報を記録
し、かつ情報の再生を行うようにし、かつその記録可能
領域の一部に情報の記録・再生を行う際の基準となる情
報を記録可能な不具合検知領域を設けた光磁気記録媒体
に対し、情報の記録・再生に際して、不具合検知領域に
記録されている情報を、フォーカシングサーボの電気的
オフセット量を変化させながら検出し、検出された信号
のビットエラーレートが最小となる電気的オフセット量
により記録可能領域への記録・再生を行う。この場合、
不具合検知領域の情報の検出を、パーシャルレスポンス
方式で行う。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の光磁気記録媒体を光磁気ディスクと
して構成した例の平面構成図、図２はその断面構成図で
ある。先ず、図２のように、円盤形状の透明基板１１の
上に透明干渉層１２を有し、この上に２００℃以上のキ
ュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で０.5キ
ロエルステッド未満の低保磁力を示す鉄族遷移金属と希
土類遷移金属とを主成分とする非晶質合金の第１の光磁
気層１３を有する。また、その上に１１０℃以上２００
℃以下のキュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以
下で１.0キロエルステッド以上の高保磁力を示し、かつ
膜厚は３５０Å以上で垂直磁化可能な鉄族遷移金属と希
土類遷移金属とを主成分とする非晶質合金の第２の光磁
気層１４を有する。更に、この上に誘電体保護層１５を
有している。前記、第１の光磁気層１３と第２の光磁気
層１４とは１０℃以上９０℃以下で交換結合しているも
のである。また、第１の光磁気層１３は１０℃以上９０
℃以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し、
かつ第２の光磁気層１４も１０℃以上９０℃以下で鉄族
遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すものである。
る。図１は本発明の光磁気記録媒体を光磁気ディスクと
して構成した例の平面構成図、図２はその断面構成図で
ある。先ず、図２のように、円盤形状の透明基板１１の
上に透明干渉層１２を有し、この上に２００℃以上のキ
ュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で０.5キ
ロエルステッド未満の低保磁力を示す鉄族遷移金属と希
土類遷移金属とを主成分とする非晶質合金の第１の光磁
気層１３を有する。また、その上に１１０℃以上２００
℃以下のキュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以
下で１.0キロエルステッド以上の高保磁力を示し、かつ
膜厚は３５０Å以上で垂直磁化可能な鉄族遷移金属と希
土類遷移金属とを主成分とする非晶質合金の第２の光磁
気層１４を有する。更に、この上に誘電体保護層１５を
有している。前記、第１の光磁気層１３と第２の光磁気
層１４とは１０℃以上９０℃以下で交換結合しているも
のである。また、第１の光磁気層１３は１０℃以上９０
℃以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し、
かつ第２の光磁気層１４も１０℃以上９０℃以下で鉄族
遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すものである。
【００１１】前記透明基板１１としては、ポリカーボネ
イト樹脂、フォトポリマーの付いたガラス板、フォトポ
リマーの付いたアクリル樹脂板を用いる。この透明基板
１には、トラッキング・サーボ用に、案内溝や案内ピッ
トを形成しておくことが望ましい。トラッキングピッチ
は略０.8〜１.6μｍである。透明干渉層１２としては、
窒化シリコン又は水素化炭化シリコンを主成分としたも
のが望ましい。第１の光磁気層１３としては、ＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＮｄ
ＤｙＦｅＣｏが望ましい。第２の光磁気層１４として
は、ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｒ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＴａ，ＴｂＧｄＦｅ
ＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＮｉＣｒ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒが望ましい。誘電体保護層１
５としては、窒化シリコン又は水素化炭化シリコンを主
成分としたものが望ましい。
イト樹脂、フォトポリマーの付いたガラス板、フォトポ
リマーの付いたアクリル樹脂板を用いる。この透明基板
１には、トラッキング・サーボ用に、案内溝や案内ピッ
トを形成しておくことが望ましい。トラッキングピッチ
は略０.8〜１.6μｍである。透明干渉層１２としては、
窒化シリコン又は水素化炭化シリコンを主成分としたも
のが望ましい。第１の光磁気層１３としては、ＧｄＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＮｄ
ＤｙＦｅＣｏが望ましい。第２の光磁気層１４として
は、ＴｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＣｏＴａ，
ＴｂＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦ
ｅＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＧｄＦｅＣｒ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＴａ，ＴｂＧｄＦｅ
ＣｏＴａ，ＴｂＧｄＦｅＮｉＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＴｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅ
Ｔａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＮｉＣｒ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒが望ましい。誘電体保護層１
５としては、窒化シリコン又は水素化炭化シリコンを主
成分としたものが望ましい。
【００１２】このような断面構成の光磁気ディスク１に
対し、図１に示すように、その記録可能領域２には、ユ
ーザ領域３と共に不具合検知領域４が設けられる。この
不具合検知領域４は、記録可能領域２の内側の１か所に
設けられているが、外側の１箇所或いは複数箇所に設け
てもよい。そして、この不具合検知領域４には、予め所
定の情報が記録されており、或いはユーザが任意の情報
を記録することができるようになっている。なお、この
ような構成の光ディスクに用いられる書込及び読出用の
レーザ光は、透明基板１１を通して入射した後、第１の
光磁気層１３の近傍で略φ１.0〜φ１.4μｍになるよう
にフォーカシングサーボにより集光する。レーザ光源と
しては、波長６５００〜８３００Å前後の半導体レーザ
を用いる。
対し、図１に示すように、その記録可能領域２には、ユ
ーザ領域３と共に不具合検知領域４が設けられる。この
不具合検知領域４は、記録可能領域２の内側の１か所に
設けられているが、外側の１箇所或いは複数箇所に設け
てもよい。そして、この不具合検知領域４には、予め所
定の情報が記録されており、或いはユーザが任意の情報
を記録することができるようになっている。なお、この
ような構成の光ディスクに用いられる書込及び読出用の
レーザ光は、透明基板１１を通して入射した後、第１の
光磁気層１３の近傍で略φ１.0〜φ１.4μｍになるよう
にフォーカシングサーボにより集光する。レーザ光源と
しては、波長６５００〜８３００Å前後の半導体レーザ
を用いる。
【００１３】また、図２において図示は省略している
が、誘電体保護層１５の上にＵＶ硬化樹脂の保護層を設
ける場合もある。また、ＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホ
ットメルト剤を塗布することにより、２つの光磁気記録
媒体を基板が外側になるように貼り合わせることもあ
る。更に、信頼性を向上させる目的で、透明干渉層１２
と反対側の透明基板１１の上にＳｉＯ2 のバックコート
層や、硬度の高い透明有機樹脂層や、導電性の高い透明
な層を設ける場合もある。
が、誘電体保護層１５の上にＵＶ硬化樹脂の保護層を設
ける場合もある。また、ＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホ
ットメルト剤を塗布することにより、２つの光磁気記録
媒体を基板が外側になるように貼り合わせることもあ
る。更に、信頼性を向上させる目的で、透明干渉層１２
と反対側の透明基板１１の上にＳｉＯ2 のバックコート
層や、硬度の高い透明有機樹脂層や、導電性の高い透明
な層を設ける場合もある。
【００１４】次に、前記した光磁気ディスクの一例をそ
の製造方法と共に説明する。フォトポリマーにより案内
溝が形成されている直径２００ｍｍ、厚さ１.18 ｍｍの
強化ガラス製透明ディスク基板１１をスパッタ装置内に
載置し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、フ
ォトポリマー層表面を略５Å程度逆スパッタし、しかる
後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との３.5ｍＴｏ
ｒｒの混合ガスでスパッタすることにより７８０Å厚の
窒化シリコンの透明干渉層１２を形成する。次に、Ｇｃ
ＦｅＣｏターゲットを６.5ｍＴｏｒｒのアルゴンガスで
スパッタすることにより、１７０Å厚のＧｄＦｅＣｏ
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２３.7：６２.6：１３.7原子％）
の非晶質の第１の光磁気層１３を形成する。続いて、Ｔ
ｂＦｅＴｉターゲットを１.0ｍＴｏｒｒのアルゴンガス
でスパッタすることにより７００Å厚のＴｂＦｅＴｉ
（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｔｉ＝１９.0：７９.6：１.4原子％）の
非晶質の第２の光磁気層１４を形成する。その上に、シ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との３.5ｍＴｏｒｒ
の混合ガスでスパッタすることにより、１５６０Å厚の
窒化シリコンの誘電体保護層１５を形成する。
の製造方法と共に説明する。フォトポリマーにより案内
溝が形成されている直径２００ｍｍ、厚さ１.18 ｍｍの
強化ガラス製透明ディスク基板１１をスパッタ装置内に
載置し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、フ
ォトポリマー層表面を略５Å程度逆スパッタし、しかる
後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との３.5ｍＴｏ
ｒｒの混合ガスでスパッタすることにより７８０Å厚の
窒化シリコンの透明干渉層１２を形成する。次に、Ｇｃ
ＦｅＣｏターゲットを６.5ｍＴｏｒｒのアルゴンガスで
スパッタすることにより、１７０Å厚のＧｄＦｅＣｏ
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２３.7：６２.6：１３.7原子％）
の非晶質の第１の光磁気層１３を形成する。続いて、Ｔ
ｂＦｅＴｉターゲットを１.0ｍＴｏｒｒのアルゴンガス
でスパッタすることにより７００Å厚のＴｂＦｅＴｉ
（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｔｉ＝１９.0：７９.6：１.4原子％）の
非晶質の第２の光磁気層１４を形成する。その上に、シ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との３.5ｍＴｏｒｒ
の混合ガスでスパッタすることにより、１５６０Å厚の
窒化シリコンの誘電体保護層１５を形成する。
【００１５】更に、図示は省略しているが、その上にＡ
ｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１.0重量％）を
１.0ｍＴｏｒｒのアルゴンガスでスパッタすることによ
り、１０５０Å厚の金属放熱層を形成する。その後、ス
パッタ装置から取り出し、金属放熱層の上にＵＶ硬化樹
脂をスピンコートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化
樹脂の１０μｍ厚の保護層を形成し、その後この保護層
の上にホットメルト剤でカバーディスクを貼り合わせて
機械的強度を補強して光磁気ディスクを作製する。ここ
で、不具合検知領域４は半径５８ｍｍから６０ｍｍと
し、ユーザ領域は半径６０ｍｍから９０ｍｍとした。
ｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１.0重量％）を
１.0ｍＴｏｒｒのアルゴンガスでスパッタすることによ
り、１０５０Å厚の金属放熱層を形成する。その後、ス
パッタ装置から取り出し、金属放熱層の上にＵＶ硬化樹
脂をスピンコートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化
樹脂の１０μｍ厚の保護層を形成し、その後この保護層
の上にホットメルト剤でカバーディスクを貼り合わせて
機械的強度を補強して光磁気ディスクを作製する。ここ
で、不具合検知領域４は半径５８ｍｍから６０ｍｍと
し、ユーザ領域は半径６０ｍｍから９０ｍｍとした。
【００１６】この光磁気ディスクに対する書込・読出し
の一例を説明する。光磁気ディスク１を３６００ｒｐｍ
で回転させ、波長７８００Åの半導体レーザ光を透明基
板１１を通して第１の光磁気層１３上で略φ１.3μｍに
絞って照射した。フォーカシングサーボ及びトラッキン
グサーボに用いる再生用レーザ光のパワーは３.0ｍＷと
した。半径８７.5ｍｍの所で記録周波数１０ＭＨｚの信
号をデューティ５０％の光変調で記録パワー９.5ｍＷ
で、記録バイアス磁界２５０エルステッドで記録を行な
う。
の一例を説明する。光磁気ディスク１を３６００ｒｐｍ
で回転させ、波長７８００Åの半導体レーザ光を透明基
板１１を通して第１の光磁気層１３上で略φ１.3μｍに
絞って照射した。フォーカシングサーボ及びトラッキン
グサーボに用いる再生用レーザ光のパワーは３.0ｍＷと
した。半径８７.5ｍｍの所で記録周波数１０ＭＨｚの信
号をデューティ５０％の光変調で記録パワー９.5ｍＷ
で、記録バイアス磁界２５０エルステッドで記録を行な
う。
【００１７】ここで、記録・再生に際しては、不具合検
知領域４に記録され、或いは先に記録した反転磁区列
を、フォーカンシグサーボの電気的オフセット量を変化
させながらパーシャルレスポンス方式で検出する。そし
て、検出した再生信号と記録されている信号とを比較し
た上で、検出した信号のビットエラーレイトが最も小さ
くなる電気的オフセット量を求める。この求められた電
気的オフセット量によりユーザ領域３でユーザ情報を再
生し、或いは記録・再生することにより、長期間にわた
って良好なビットエラーレイトで情報を記録・再生する
ことが可能となる。なお、最適な電気的オフセット量を
求める方法としては、電気的オフセット量を変化させな
がら不具合検知領域４に記録・再生を行うようにしても
よい。このような電気的オフセット量の最適化を、記録
再生装置の立上げ時、光磁気記録媒体交換時、ユーザ領
域で記録又は再生をしていない時、等に行うことによっ
て、高記録密度で低ビットエラーレイトの記録再生を長
期間にわたって安定に行うことが可能となる。
知領域４に記録され、或いは先に記録した反転磁区列
を、フォーカンシグサーボの電気的オフセット量を変化
させながらパーシャルレスポンス方式で検出する。そし
て、検出した再生信号と記録されている信号とを比較し
た上で、検出した信号のビットエラーレイトが最も小さ
くなる電気的オフセット量を求める。この求められた電
気的オフセット量によりユーザ領域３でユーザ情報を再
生し、或いは記録・再生することにより、長期間にわた
って良好なビットエラーレイトで情報を記録・再生する
ことが可能となる。なお、最適な電気的オフセット量を
求める方法としては、電気的オフセット量を変化させな
がら不具合検知領域４に記録・再生を行うようにしても
よい。このような電気的オフセット量の最適化を、記録
再生装置の立上げ時、光磁気記録媒体交換時、ユーザ領
域で記録又は再生をしていない時、等に行うことによっ
て、高記録密度で低ビットエラーレイトの記録再生を長
期間にわたって安定に行うことが可能となる。
【００１８】実際に、本発明者が前記した条件で光磁気
ディスクに対して記録・再生を行ったところ、５８ｄＢ
のＣ／Ｎが得られ、記録感度が良く、かつ信号品質も良
い光磁気記録媒体及び記録再生方法であることが確認さ
れた。また、パーシャルレスポンス方式の記録再生方法
により、最短ビット長０.46 μｍの高密度記録を行って
も実用上十分な低いビットエラーであることが確認され
た。また、この光磁気記録媒体を８０℃、８０％の高温
高湿度環境に２００時間保存した後でも、情報の記録再
生に問題はなく、十分実用になるものであることが確認
された。実験によれば、２カ月にわたっても低いビット
エラーレイトで高密度の記録が可能であった。
ディスクに対して記録・再生を行ったところ、５８ｄＢ
のＣ／Ｎが得られ、記録感度が良く、かつ信号品質も良
い光磁気記録媒体及び記録再生方法であることが確認さ
れた。また、パーシャルレスポンス方式の記録再生方法
により、最短ビット長０.46 μｍの高密度記録を行って
も実用上十分な低いビットエラーであることが確認され
た。また、この光磁気記録媒体を８０℃、８０％の高温
高湿度環境に２００時間保存した後でも、情報の記録再
生に問題はなく、十分実用になるものであることが確認
された。実験によれば、２カ月にわたっても低いビット
エラーレイトで高密度の記録が可能であった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光磁気記
録媒体の記録可能領域の一部に情報の記録・再生を行う
際の基準となる情報を記録可能な不具合検知領域を設け
ているので、この不具合検知領域に記録されている情報
に基づいて、その時における光磁気記録媒体の劣化状態
に応じた好適な条件で記録可能領域への記録・再生を行
うことができる。また、本発明は、不具合検知領域に記
録されている情報を、フォーカシングサーボの電気的オ
フセット量を変化させながら、例えばパーシャルレスポ
ンス方式により検出し、検出された信号のビットエラー
レートが最小となる電気的オフセット量を求めているの
で、その時における光磁気記録媒体の劣化状態に応じた
好適な電気的オフセット量により記録・再生を行うこと
ができる。これにより長期間にわたって高記録密度で良
好なビットエラーレイトの記録再生を行うことができる
効果がある。
録媒体の記録可能領域の一部に情報の記録・再生を行う
際の基準となる情報を記録可能な不具合検知領域を設け
ているので、この不具合検知領域に記録されている情報
に基づいて、その時における光磁気記録媒体の劣化状態
に応じた好適な条件で記録可能領域への記録・再生を行
うことができる。また、本発明は、不具合検知領域に記
録されている情報を、フォーカシングサーボの電気的オ
フセット量を変化させながら、例えばパーシャルレスポ
ンス方式により検出し、検出された信号のビットエラー
レートが最小となる電気的オフセット量を求めているの
で、その時における光磁気記録媒体の劣化状態に応じた
好適な電気的オフセット量により記録・再生を行うこと
ができる。これにより長期間にわたって高記録密度で良
好なビットエラーレイトの記録再生を行うことができる
効果がある。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一実施例の平面構成
図である。
図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の一実施例の断面構成
図である。
図である。
【図３】従来の光磁気記録媒体の一例の断面構成図であ
る。
る。
【図４】記録再生方式におけるデータの変換例を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】高密度で低ビットエラーレイトの記録再生方式
における再生原理を説明するための図である。
における再生原理を説明するための図である。
１ 光磁気ディスク ２ 記録可能領域 ３ ユーザ領域 ４ 不具合検知領域 １１ 透明基板 １２ 透明干渉層 １３ 第１の光磁気層 １４ 第２の光磁気層 １５ 誘電体保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に第１の光磁気層と第２の光
磁気層を有し、前記第１の光磁気層にレーザ光を集束し
て照射することで情報を記録し、かつ情報の再生を行う
ようにした光磁気記録媒体において、その記録可能領域
の一部に情報の記録・再生を行う際の基準となる情報を
記録可能な不具合検知領域を設けたことを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 第１の光磁気層は、２００℃以上のキュ
リー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で、０.5エ
ルステッド未満の低保磁力を示す鉄族遷移金属と希土類
遷移金属とを主成分とする非晶質合金であり、第２の光
磁気層は、１１０℃以上２００℃以下のキュリー温度を
有し、かつ１０℃以上９０℃以下で、１.0キロエルステ
ッド以上の高保磁力を示し、かつ膜厚は３５０Å以上で
垂直磁化可能な鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを主成
分とする非晶質合金であり、第１の光磁気層と第２の光
磁気層とは１０℃以上９０℃以下で交換結合している請
求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 透明基板上に第１の光磁気層と第２の光
磁気層を有し、前記第１の光磁気層にレーザ光を集束し
て照射することで情報の記録・再生を行なうようにし、
かつその記録可能領域の一部に情報の記録・再生を行う
際の基準となる情報を記録可能な不具合検知領域を設け
た光磁気記録媒体に対し、情報の記録・再生に際して、
不具合検知領域に記録されている情報を、フォーカシン
グサーボの電気的オフセット量を変化させながら検出
し、検出された信号のビットエラーレートが最小となる
電気的オフセット量により記録可能領域への記録・再生
を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の記録再生方
法。 - 【請求項４】 不具合検知領域の情報の検出を、パーシ
ャルレスポンス方式で行う請求項３の光磁気記録媒体の
記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2761393A JPH06223428A (ja) | 1993-01-23 | 1993-01-23 | 光磁気記録媒体とその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2761393A JPH06223428A (ja) | 1993-01-23 | 1993-01-23 | 光磁気記録媒体とその記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223428A true JPH06223428A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12225790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2761393A Pending JPH06223428A (ja) | 1993-01-23 | 1993-01-23 | 光磁気記録媒体とその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269767B2 (en) | 2005-06-06 | 2007-09-11 | Fujitsu Limited | Magnetic disk apparatus, preventive maintenance detection method and program therefor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437745A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Brother Ind Ltd | Magneto-optical disk device |
| JPH03250442A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気ディスク記録装置 |
| JPH0467339A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-03 | Sony Corp | 光磁気記録再生装置 |
| JPH04268225A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体とその記録再生方法 |
| JPH056619A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Sony Corp | デジタルデータ記録および再生装置 |
-
1993
- 1993-01-23 JP JP2761393A patent/JPH06223428A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437745A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Brother Ind Ltd | Magneto-optical disk device |
| JPH03250442A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気ディスク記録装置 |
| JPH0467339A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-03 | Sony Corp | 光磁気記録再生装置 |
| JPH04268225A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体とその記録再生方法 |
| JPH056619A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Sony Corp | デジタルデータ記録および再生装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269767B2 (en) | 2005-06-06 | 2007-09-11 | Fujitsu Limited | Magnetic disk apparatus, preventive maintenance detection method and program therefor |
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