CN101467210B - 具有一次写入金属反射膜的光学记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明可以确定通过物理转写在光学记录介质的基板上形成的凹坑和平面的形状而制备的盗版光盘记录介质。所述光学记录介质具有卓越的耐候性和长期存储可靠性。在通过凹坑和平面的组合记录了主数据的基板上形成由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一种元素。可以形成标记，使得在所述反射膜上一次写入的记录辅助数据的记录标记的再生信号电平升高，并且在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状而制备的光学记录介质的再生信号电平降低。以这种方式可以确定盗版光学记录介质。

Description

具有一次写入金属反射膜的光学记录介质 

技术领域

本发明涉及一种具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，具体地，涉及一种具有能够有效确定或排除非法复制拷贝的一次写入金属反射膜的光学记录介质。

背景技术

因为可以通过塑料注射成型3在短时间内由一个压模(stamper)来廉价制造大量的复制基板，所以作为光学记录介质的光盘，特别是只读ROM(只读存储器)光盘，在世界范围内被广泛地用作盒装媒体(package media)。

例如，CD(压缩光盘)和DVD(数字通用光盘)通常被用作ROM光盘，用于记录诸如音乐和图像的数据。

通常，称作盗版光盘的复制光盘通过非法拷贝作为封装介质销售的ROM光盘的记录数据来制造，因此存在侵犯版权问题。

通常，通过基于从正版光盘再生的信号的母盘处理(masteringprocess)所制造的压模来制造作为复制光盘的盗版光盘。

作为选择地，可以通过将从正版光盘所再生的信号拷贝到可记录光盘来制造盗版光盘。

已经提出并研究了多种方法来防止盗版光盘的生产。

作为其中一个方法，例如，将不同的识别信息附加至各个光盘的方法已经众所周知。使用将不同的识别信息附加至各个光盘的方法能够建立一个这样的系统，其中再生装置读取光盘的识别信息并通过网络将其传送至外部服务器。例如，因为在制造和销售盗版光盘后，通过服务器检测到大量相同的识别信息，所以可以使用这种系统来检测盗版光盘的存在。此外，通过确定已经传送了被检测的识别信息的再生装置，可以确定盗版光盘的生产商。

但是，即使在如上所述将唯一的识别信息附加至各个光盘的情况下，通过防止使用商用驱动器进行简单再生和拷贝的方法来进行记录，对于保护版权来说也是有用的。

因此，已经提出了一种记录方法，其中，在光盘的反射膜上形成上述识别信息的标记，从而提供反射率的微小变化(例如，见专利文献1)。

在专利文献1中所述的光盘中，通过凹坑(pit)和平面(land)的组合来记录主数据(诸如内容数据或管理信息的数据)，并且通过形成对预定凹坑或平面上的反射膜的反射率提供微小变化的标记来记录除主数据之外的辅助数据(识别信息)。

使用高于再生激光功率的记录功率，由激光照射来执行上述的在反射膜上记录标记。此时，由于该标记所引起的反射率的变化十分微小，以至于对通过凹坑和平面的组合所记录的主数据的再生没有影响。具体地讲，防止了在主数据的正常再生中再生辅助数据。

例如，通过提供单独的再生系统、对在主数据的再生信号中提供有这种反射率的微小变化的多个部分进行取样、并求出它们的积分值，来再生辅助数据本身。

在这种情况下，通过在辅助数据记录装置和再生装置中的预定算法来确定应该形成辅助数据标记的位置。因此，因为可以通过与记录中所使用的算法相同的算法来确定应该记录标记的位置，所以正规的再生装置可以适当地再生作为辅助数据的识别信息。

假设使用正版ROM光盘的再生信号来制备盗版光盘。另一种方法也是可能的，其中，通过直接转写ROM光盘的基板的物理形状来制备压模。

具体地讲，在该方法中，将正版光盘的覆盖层和反射膜与基板分离，以暴露形成在基板上的凹坑和平面的形状，并且物理转写所暴露的凹凸形状，从而复制光盘上所记录的内容。

在专利文献1中所描述的上述光盘中，通过在反射膜上形成标记来记录各个光盘的识别信息。据此，通过上述需要将基板与覆盖层和反射膜分离的物理转写方法不能转写在反射膜上所形成的标记(识别信息)。因此，认为能够防止制造盗版光盘。

但是，标记实际上是通过利用相对高功率的激光照射而记录在反射膜上。因此，由于在记录预定标记时加热记录部分，可能在光盘基板上发生基板本身的对应于标记的变形，例如局部热膨胀。

换句话说，应该仅形成在反射膜上的标记也可能被物理转写至基板，并且辅助数据会与主数据一起通过物理转写被复制至基板。

下面，将参照图33来描述这种转写。

图33A示出了如上所述具有在反射膜上所形成的标记的光盘100的截面结构。

光盘100包括在基板101上所形成的反射膜102和覆盖层103。在基板101与反射膜102之间所形成的凹凸截面形状为通过凹坑和平面的组合来记录主数据的部分。

如上所述，在预定凹坑或平面上的反射膜上记录了作为由符号X所表示的辅助数据的标记。图中示出了在预定平面上的反射膜102上记录标记X的实例。

在本说明书中，平面指的是在光学记录介质(例如光盘)的凹凸表面上，光学上接近于入射光光源的部分，即，具有凸向入射光一侧的形状的部分。

在这种情况下，如上所述，当记录了作为辅助数据的标记时，通过相对高功率的激光来照射反射膜102，从而在形成了标记的位置X处可能发生随着温度的升高而由热膨胀等引起的变形。

由于这种变形，凹痕被转写至与反射膜102接触的基板101的表面。具体地，当在这种情况下通过将覆盖层103与反射膜102分离来暴露基板101时，如图33B所示，相应于仅应该在反射膜102上形成的标记的凹陷形状被转写至基板101的表面。

通过这种方式所转写的凹陷部分具有与另一个平面相比被略微减小的反射率。换句话说，在通过直接转写基板101的这种凹陷形状所制备的复制基板中，直接再生了作为辅助数据的标记。

当以与典型的制造工艺相同的方式在这种复制品基板上层积反射膜和覆盖层时，可以制造出完全拷贝了在正版光盘上所记录的主数据和辅助数据的盗版光盘。

专利文献1：日本专利第3454410号

发明内容

另一方面，在日本专利申请第2005-205439号(要求基于日本专利申请第2005-30272号的优先权的申请)中，本申请人之前已经提出了一种再生装置、再生方法、记录装置、记录方法、光盘的制造方法及光盘记录介质，其中，即使如上所述地物理转写用于防止或检测复制的辅助数据时，也能在通过非法复制制造的所谓盗版光学记录介质上以诸如极性反转的方式执行与正规拷贝不同的再生。

本发明提供了一种具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其中，由于基于上述方案进行了更为广泛的研究，故可以检测盗版拷贝，可以拒绝盗版拷贝的再生，并且可以大大地劣化盗版拷贝的特性，使得所转写的辅助数据更可靠地表现出与正规拷贝中的辅助数据不同的性质。

本发明进一步提供了一种具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其中，通过大大改善其反射膜的耐候性来提高上述光学记录介质的长期存储可靠性。

根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，包括：在基板上至少有层积形成的一次写入金属反射膜和覆盖层。以凹坑和平面的组合在基板上记录主数据，一次写入金属反射膜允许通过激光照射的热记录进行一次写入记录，通过利用一次写入记录激光照射一次写入金属反射膜所形成的标记来记录辅助数据，形成标记的部分的再生信号电平在具有预定长度的平面中升高，并且在通过物理转写基板的凹坑和平面的表面形状所制备的光盘记录介质上形成标记，使得形成标记的部分的再生信号电平降低。光学记录介质的特征在于，由Ag_100-x-yX_xCu_y(x，y：at％)的Ag合金膜形成一次写入金属反射膜，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr的元素 中的至少一种元素，并且Ag合金膜中的Cu的组成y选择为2≤y≤13[at％]。

如随后所述，已经验证了再生信号电平在具有这种结构的光学记录介质中形成了被记录的辅助数据标记的部分升高，并且再生信号电平在通过物理转写上面的光学记录介质的基板形状所制备的光学记录介质中形成了标记的部分降低。

根据具有上述结构的本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的特征在于，由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜形成一次写入金属反射膜，X为Ti，Ag合金膜中Ti的组成x选择为4.5≤x≤17[at％]，并且Ag合金膜中Cu的组成y选择为2≤y≤13[at％]。

根据具有上述结构的本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的特征在于，由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜形成一次写入金属反射膜，X为W，Ag合金膜中W的组成x选择为2.5≤x≤11[at％]，并且Ag合金膜中的Cu的组成y选择为2≤y≤13[at％]。

根据具有上述结构的本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的特征在于，由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜形成一次写入金属反射膜，X为Ta，Ag合金膜中Ta的组成x选择为0.6≤x≤10.5[at％]，并且Ag合金膜中Cu的组成y选择为2≤y≤13[at％]。

根据具有上述结构的本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的特征在于，由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜形成一次写入金属反射膜，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少两种元素，Ag合金膜中X的总组成x选择为0.6≤x≤17[at％]，并且Ag合金膜中Cu的组成y选择为2≤y≤13[at％]。

已证实，由于指定了具有含Cu的Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金组成的上述一次写入金属反射膜的Ag合金中的元素X，并指定了其组成比率，所以可以确保在正版光学记录介质中的辅助数据和在盗版光学记录介质中的辅助数据彼此极性相反。

当在平面上记录了标记时，再生信号电平在根据本发明的上述正规拷贝中提高，而再生信号电平在被称作盗版拷贝的非法复制拷贝中降低。

在本发明中，“通过物理转写基板的形状所制备的光学记录介质”是指基于通过物理转写基板的形状所制备的压模，制备复制基板，并在该基板上沉积反射膜而制备的光学记录介质，或者是指在已经与反射膜分离的基板上，再次沉积反射膜而制备的光学记录介质。

根据具有本发明的一次写入金属反射膜的光学记录介质，可以在一次写入金属反射膜上形成作为所记录的辅助数据的正规拷贝的标记，并且可以形成这样的光学记录介质，使得再生信号电平在正版拷贝中形成标记的部分增加，并且再生信号电平在盗版拷贝中在形成标记的部分降低。这样能够形成一种光学记录介质，其中，在正版拷贝中所再生的辅助数据值与在盗版拷贝中所再生的辅助数据值彼此极性相反。因此，可以确定盗版拷贝。

根据具有本发明的一次写入金属反射膜的光学记录介质，可以改善用于再生主数据以及记录并再生辅助数据的反射膜的耐候性，使光学记录介质的长期存储可靠性得到提高。

根据具有本发明的一次写入金属反射膜的光学记录介质，在Ag合金反射膜中部分Ag被Cu替换。当通过2至13at％的Cu来 替换Ag时，尽管替换为Cu，但是反射率没有降低，并且可以提高耐久性。

附图说明

图1是根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例的示意性截面图。

图2是示出了根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例的制造工艺的示图。

图3是示出了根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质上所记录的主数据的示图。

图4是描述本发明的示图，示出了与在具有AgW合金反射膜的光学记录介质中的辅助数据激光记录功率相关的辅助数据记录信号电平。

图5是描述本发明的示图，示出了与添加至具有AgW合金反射膜的光学记录介质中的W量相关的适合检出辅助数据再生信号的最小激光功率。

图6是描述本发明的示图，示出了与添加至具有AgW合金反射膜的光学记录介质中的W量相关的主数据再生信号(R8H)的反射率。

图7是描述本发明的示图，示出了与在具有AgTa合金反射膜的光学记录介质中的辅助数据激光记录功率相关的辅助数据再生信号电平。

图8是描述本发明的示图，示出了与添加至具有AgTa合金反射膜的光学记录介质中的W量相关的适合检出辅助数据再生信号的最小激光功率。

图9是描述本发明的示图，示出了与添加至具有AgTa合金反射膜的光学记录介质中的W量相关的主数据再生信号(R8H)的反射率。

图10是描述本发明的示图，示出了与在具有AgTi合金反射膜的光学记录介质中的辅助数据再生信号电平相关的辅助数据激光记录功率。

图11是描述本发明的示图，示出了与添加至具有AgTi合金反射膜的光学记录介质中的W量相关的适合检出辅助数据再生信号的最小激光功率。

图12是描述本发明的示图，示出了与添加至具有AgTi合金反射膜的光学记录介质中的W量相关的主数据再生信号(R8H)的反射率。

图13是描述本发明的示图，示出了与在具有AgTiV合金反射膜的光学记录介质中的辅助数据激光记录功率相关的辅助数据再生信号电平。

图14是描述本发明的示图，对比示出了具有AgW合金反射膜的光学记录介质的正版光学记录介质的正版光盘和盗版光盘的辅助数据信号极性。

图15是描述本发明的示图，对比示出了具有AgTa合金反射膜的光学记录介质的正版光学记录介质的正版光盘和盗版光盘的辅助数据信号的极性。

图16是描述本发明的示图，对比示出了具有AgTiW合金反射膜的光学记录介质的正版光学记录介质的正版光盘和盗版光盘的辅助数据信号的极性。

图17是描述本发明的表格，示出了作为一次写入金属反射膜的AgTi合金反射膜和AgTa合金反射膜的基本组成，并示出了它们的反射率的测量结果(表1)。

图18是示出了关于辅助数据被记录的部分与辅助数据没有被记录的区域之间的差分信号的输出的、反射率与标记深度之间的关系的仿真结果的示图。

图19是示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例中的AgTaCu合金反射膜中在加速试验之前和之后，所添加的Cu量与主数据再生信号(R8H)的反射率之间的关系的测量结果的示图。

图20是示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例中，当AgTaCu合金反射膜中所添加的Cu量被改变时，辅助数据激光记录功率与辅助数据再生信号电平之间的关系的测量结果的示图。

图21是示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例中，AgTaCu合金反射膜中所添加的Cu量和适合检出辅助数据信号的最小记录功率值的示图。

图22是示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例中，AgTaCu合金反射膜中所添加的Ta量和适合检出辅助数据信号的最小记录功率值的示图。

图23是描述本发明的示图，示出了AgW合金反射膜中所添加的W量和适合检出辅助数据信号的最小记录功率值的示图。

图24是描述本发明的示图，示出了AgCu合金反射膜中所添加的Cu量和适合检出辅助数据信号的最小记录功率值的示图。

图25A和图25B示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例和对比实例中的一次写入金属反射膜的表面的SEM照片。

图26示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例和对比实例中的一次写入金属反射膜的表面的SEM照片。

图27示出了在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实例和对比实例中的一次写入金属反射膜的表面的SEM照片。

图28示出了使用根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的辅助数据记录装置的实例的结构图。

图29是用于描述在根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质上记录辅助数据的示图。

图30是使用根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的辅助数据再生装置的实例的结构图。

图31是用于描述从根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质中再生辅助数据的示图。

图32是在再生装置中存储的数据的结构图。

图33A是在反射膜上记录数据的状态下的光学记录介质的截面图，图33B示出了其基板变形的截面图。

具体实施方式

下面将说明性地描述根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的实施例；但是，根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质并不限制于此。

图1作为根据本发明的光学记录介质的实施例而示出的只读ROM光盘100的实例的示意性截面图。

具体地，例如，光盘100采用被称作蓝光(Blu-ray)光盘的光盘结构和格式。

如图所示，光盘100包括层积在基板101上的一次写入金属反射膜102和覆盖层103。

例如，基板101为由聚碳酸酯所构成的塑料基板。与一次写入金属反射膜102接触的基板101表面具有凹凸截面形状。凹陷截面部分为凹坑P，凸状截面部分为平面L。具体地，通过激光105照射覆盖层103，并且凸向激光105的入射侧的截面部分为平面L。通过凹坑P和平面L的组合(具体地，通过凹坑P的长度和平面L的长度)来记录主数据信息。

在形成了凹坑P和平面L的基板101的凹凸表面上层积一次写入金属反射膜102。在一次写入金属反射膜102上进一步层积由聚碳酸脂等所构成的覆盖层103。

在基板101上层积一次写入金属反射膜102，因此具有相应于凹坑P和平面L形状的凹凸截面形状。

当如图所示由物镜104所聚焦的激光通过覆盖层103进行照射时，一次写入金属反射膜102接收相应于凹凸形状的反射光。

由Ag_100-x-yX_xCu_y(x，y：at％)的Ag合金膜构成一次写入金属反射膜102。此处，X至少为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr的元素中的一种元素，并且Ag合金膜中的Cu组成y选择为2≤y≤13[at％]。

换句话说，当X至少为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr的元素中的一种元素时，替代Ag的Cu组成y选择为2≤y≤13[at％]。

当X为Ti时，Ag合金膜中的Ti组成x选择为4.5≤x≤17[at％]。

当X为W时，Ag合金膜中的W组成x选择为2.5≤x≤11[at％]。

当X为Ta时，Ag合金膜中的Ta组成x选择为0.6≤x≤10.5[at％]。

在作为一次写入金属反射膜的组成的Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜的组成中，当X至少为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的两种元素时，Ag合金膜中的X的总组成x选择为0.6≤x≤17[at％]。

为了在根据本发明的一次写入金属反射膜的实施例中指定光盘的结构，下面将首先描述光盘100的制造工艺。图2是用于描述光盘100的制造工艺的示图。

在这种情况下，首先执行用户数据的格式化步骤S11。例如，使用计算机来执行格式化步骤S11。

在格式化步骤S11中，转换应该被记录在光盘100上的内容数据(用户数据)，从而获取符合预定标准的格式化数据序列。具体地，在本实施例中，执行转换，从而获取符合随后在图3中所描述的蓝光光盘标准的数据序列。实际上，还执行了将误差检测码和误差校正码附加至用户数据、隔行扫描(interleave)用户数据等操作。

接下来，执行可变长度调制步骤S12。在可变长度调制步骤S12中，对在格式化步骤S11中所生成的数据序列执行可变长度调制。在本实施例中，执行RLL(1，7)PP(奇偶保留/禁止(Paritypreserve/prohibit)，RLL：游程长度受限(Run Length Limited))调制和NRZI(不归零翻转(Non Return to Zero Inverse))调制。

在可变长度调制步骤S12中所获取的数据序列的“0”/“1”图样(pattern)实际上为在光盘100上所形成的凹坑和平面的图样。

此处，通过如上所述对用户数据格式化和可变长度调制所获取的数据被称作主数据。

接下来，执行母盘制造步骤S13。使用公知的母盘制造设备来执行母盘制造步骤S13。

在母盘制造步骤S13中，首先为玻璃母盘涂抹光致抗蚀剂。随后，以这种方式涂抹了光致抗蚀剂的玻璃母盘被旋转驱动，并在这 种状态下使用根据在可变长度调制步骤S12中所生成的主数据而调制的激光来进行照射，从而显影光致抗蚀剂，使得沿记录轨道方向形成凹凸图样。换句话说，形成凹坑和平面。

接下来，形成凹坑和平面的玻璃母盘被电解电镀，并且剥离电镀金属，以制造金属母盘D14。

使用以这种方式所获取的金属母盘D14来执行光盘形成步骤S15。

在光盘形成步骤S15中，首先根据金属母盘D14来制造压模。随后，压模被放置在成型模具中，并使用注入成型机由诸如聚碳酸脂或丙烯酸树脂的透明树脂来形成基板101。在基板101上沿着记录轨道形成根据在前述调制步骤S12中所生成的主数据的凹坑和平面图样。

随后，使用用于沉积根据本发明的一次写入金属反射膜的金属合金靶，通过气相沉积、溅射等在基板101上层积一次写入金属反射膜102，并且在一次写入金属反射膜102上进一步层积覆盖层103。因此，首先形成了光盘(主数据记录光盘)D16，其上仅记录有主数据。

接下来，执行辅助数据记录步骤S17。具体地，除了记录有上述凹坑和平面图样的主数据之外，还记录了辅助数据。

在这种情况下，例如，唯一的序列号信息被记录为辅助数据，该辅助数据为在已经记录了主数据的每个光盘D16上制备的用于形成数据内容的实际数据。从而，唯一识别信息(识别码)被添加至辅助数据记录步骤S17中所制备的每个光盘100。

例如，除了作为实际数据的识别信息之外，误差校正码也被添加作为辅助数据。通过添加误差校正信号，再生时可以对识别信息执行误差校正。

如随后所述，通过使用记录功率的激光来照射反射膜102从而在由凹坑和平面所形成的主数据的指定部分中的指定位置处形成标记，以记录辅助数据。

在这种情况下，辅助数据包括识别信息和误差校正码；但是，其它数据也可以被添加至辅助数据。

图3在通过上述制造工艺所制造的光盘100上记录的主数据的数据结构的示图。

首先，在图中定义了称作RUB的一个记录单元。一个RUB包括16个扇区和2个链接帧。链接帧被用作RUB之间的缓冲区。

在这种情况下，一个扇区形成一个地址单元。

如图所示，每个扇区包括31个帧。1个帧由1932个信道位(channel bit)的数据构成。

在本实施例中示出的蓝光光盘中，由于主数据符合RLL(1，7)PP调制规则，所以序列码“0”和“1”的数目(即凹坑长度和平面长度)都被限制于2T(信道位)至8T的长度。

不符合这个调制规则的9T的序列码被插入置于每个帧的首部的sync，并用于在再生期间检测帧同步信号。

接下来，将描述具有上述所记录的主数据并用于记录辅助数据的，根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的多个实施例。但是，显然，本发明并不局限于这些实施例。

首先，将示出根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其使用具有Ag_100-x-yX_xCu_y(其中，y＝0，即，组成不包括Cu)的Ag合金膜组成的一次写入金属反射膜而形成。

(实例1)

如上所述，制备基板101，其具有在表面上所形成的主数据的凹坑和平面的凹凸图样。

通过同时溅射Ag和W，在基板101上沉积并形成由Ag_100-xW_x[at％]表示的Ag合金膜所构成的反射膜102，使得合金膜(即，反射膜102)在这种情况下具有40nm的厚度。

制备x＝3.5、x＝7及x＝10的样品，以验证在这种结构中关于W组成的特性差异。

(实例2)

通过同时溅射Ag和Ta，在与实例1相同的基板101上沉积在这个实例中作为Ag_100-xTa_x[at％]所表示的Ag合金膜的具有40nm厚度的反射膜102。

制备x＝1.8、x＝7及x＝10的样品，以验证在这种结构中关于Ta组成的特性差异。

(实例3)

通过同时溅射Ag和Ti，在与实例1相同的基板101上沉积由Ag_100-xTi_x[at％]表示的Ag合金膜所构成的反射膜。反射膜具有40nm的厚度。制备x＝7、x＝10及x＝13的样品，以验证在这种结构中关于Ti组成的特性差异。

(实例4)

通过同时溅射Ag、Ti及V，在与实例1相同的基板101上沉积由Ag₉₀Ti₅V₅[at％]表示的Ag合金膜所构成的反射膜。反射膜具有40nm的厚度。

图4是在具有由Ag_100-xW_x[at％]所构成的实例1的反射膜102的正版光盘中形成标记的部分中的再生信号电平的示图，其中，分别通过符号“○”、“□”、及“Δ”绘制了x＝3.5、x＝7及x＝10。

在图4中，沿着纵轴的振幅(Amp)表示通过对从记录了标记的部分的值中减去没有记录标记的部分的值所获取的值进行积分而获取的再生信号RF的值。所述值越高，在记录了标记的部分中的再生信号RF的值就越高。在本发明中，Amp≥300被定义为适合检出辅助数据信号的值。横轴上的Pw(mW)表示激光记录功率。

用于获取图4中所示的试验结果的记录条件设置如下。

在作为光盘100中具有预定长度的平面的6T平面上记录标记。光盘100的反射膜102为前述的具有40nm厚度的AgW合金膜。

在用于制造光盘100的辅助数据记录装置50中设置下面的条件。

数值孔径N.A.＝0.85，激光波长λ＝405nm，记录线速度＝4.9m/s，标记写入脉冲＝30ns。

光盘100(主数据记录光盘D16)具有符合实施例中示出的蓝光光盘的，并具有320nm轨道节距、78nm的1T长度、Tp/3的凹坑宽度及λ/5的凹坑深度的结构。

在W含量为3.5[at％]的正版光盘中，使用约17m以上的激光功率时，振幅值(Amp)沿着纵轴以高于零电平的值上升，使得在28mW或更高时Amp≥300。换句话说，在W含量为3.5[at％]时需要28mW或更高的记录功率来获取适当的辅助数据信号。

同样，在W含量为7[at％]时，所需最小记录功率为18mW，并且在W含量为10[at％]时，所需最小记录功率为12.5mW。图5示出了用于适合检测出关于AgW合金膜中的W含量的辅助数据信号所需的最小记录功率的绘出的值。

通过图5可以了解，随着W含量的降低，所需的记录功率值升高。记录功率不会无限制地升高，并且从正版光盘的制造中的批量生产和经济效率的观点来看，我们还期望其可以尽可能小。在这个实例中，其上限估计为30mW。通过图5可以了解，即使当使用30mW以下的激光功率来记录辅助数据时，能够检测适当信号的W含量仍可以为3[at％]或更多。

接下来，图6示出了在具有分别为3.5、7或10[at％]的W含量的三种光盘中的主数据再生信号的反射率特性。

此处，R8H为以蓝光光盘标准定义的并且相应于主数据的最长标记(8T标记)的信号的最大反射率。假设在具有单个信息层(单层光盘)的只读蓝光光盘中，这个值应当为35％或更高。

通过图6可知，随着W含量的升高，R8H降低，并且满足R8H≥35％的W的含量为11[at％]或更低。

通过上面的试验可知，具有W含量为3至11[at％]的AgW合金的光盘可以提供适当的主数据和辅助数据信号。

对于实例2(AgTa合金)和实例3(AgTi合金)，以与实例1相同的方式确定用于提供适当的主数据和辅助数据信号所添加的元素的含量。

对于实例2，检验了具有含量x＝1.8、x＝7或x＝10[at％]的光盘，并且对于实例3，检验了具有含量x＝4、x＝7或x＝10[at％]的光盘。在图7至9及图10至12中示出了这些实例2和3的数据。

通过与实例1的各个光盘相同的观点，由AgTa合金所构成的各个反射膜具有1.1至10.5[at％]的Ta含量x，而由AgTi合金所构成的各个反射膜均具有5至17[at％]的Ti含量x时，实例2和3的光盘也可以提供适当的主数据和辅助数据信号。

如图13所示，还可以提供在形成了标记的部分再生信号电平升高的实例4的光盘。当实例4中向Ag添加Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中至少两种元素时，也可以形成一种光盘，即，具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其中，形成标记，使得在具有预定长度的前述平面上形成了标记的部分中，再生信号电平升高，而在通过物理转写光盘100的基板101的形状所生成的光盘中，在形成标记的部分再生信号电平下降。

接下来，执行试验，以使用具有添加元素含量为10[at％]的实例1和2的光盘以及具有添加元素含量为7[at％]的实例3的光盘，来验证正版光盘和盗版光盘的辅助数据信号极性彼此相反。

在这种情况下，像验证了辅助数据信号被记录并再生的正规拷贝一样，从光盘100上分离反射膜102和覆盖层103。使用通过湿处理溶解反射膜102并同时除去覆盖层103的方法来执行分离。

将通过这种方式与反射膜102和覆盖层103分离的基板101充分干燥。此后，重新形成反射膜102和覆盖层103。此处，首先验证基板101的表面在预先的剥离处理中没有受到蚀变等的影响。由具有被添加至Ag的总量为1[at％]或更低的元素的Ag合金溅射膜来构成反射膜102。

图14、图15及图16均是对比示出了Ag_100-xX_x的正版光盘和盗版光盘的辅助数据信号极性的示图。

图14示出了实例1中x＝10的情况，即，Ag₉₀W₁₀的情况，图15示出了实例2中x＝10的情况，即，Ag₉₀Ta₁₀的情况，以及图16示出了实例3中x＝7的情况，即，Ag₉₃Ti₇的情况。在每个图中，实线和虚线分别示出了在正版光盘(正规拷贝)和盗版光盘(盗版拷贝)中关于激光记录功率的辅助数据再生信号的绘出的测量结果。

在任何情况下，极性均被反转。

接下来，在实例5和6中讨论了这种现象的发生。

在这些实例中，讨论了当使用Ag合金在平面上执行记录时，在记录了标记的部分中，通过物理转写(具体地，基板形状的物理转写)从正版光盘中制备的盗版光盘中的再生信号电平的特性和正版光盘中的再生信号电平的特性。

(实例5)

制备具有平滑镜面表面并且直径为120mm厚度为1.1mm的聚碳酸脂光盘基板。在其上沉积厚度为40nm的薄膜，即，由含6.8at％的Ti的Ag合金所构成的反射膜。

使用可固化树脂将厚度为0.1mm的聚碳酸脂膜粘贴至上述薄膜，随后通过UV照射使可固化树脂固化，以形成覆盖层，从而制备光盘。光盘结构与只读蓝光光盘的基本结构一样。

接下来，通过使用短轴约为1μm和长轴约为200μm的椭圆点形状并且波长为810nm的激光从覆盖层一侧照射，加热光盘。

以3m/sec的光盘旋转速度执行激光照射加热。在这种情况下，照射激光功率约为10mW/μm²。光盘上的加热区是半径约为35mm～45mm而宽度约为10mm的环形区。

(实例6)

制备与实例5中相同的聚碳酸脂基板。在这个实例中，在其上沉积由含10.0at％的Ta的Ag合金所构成的厚度为40nm的反射膜。

用UV可固化树脂使厚度为0.1mm的聚碳酸脂膜粘合至上述薄膜，随后通过UV照射使UV可固化树脂固化，以形成覆盖层，从而以与实例5中相同的方式来制备光盘。

接下来，通过使用短轴约为1μm和长轴约为200μm的椭圆点形状并且波长为810nm的激光从覆盖层一侧照射，来加热光盘。

在激光的加热过程中，光盘旋转速度为6m/sec。照射激光功率约为5mW/μm²。光盘上激光照射的加热区是半径约为35mm～45mm，宽度约为10mm的环形区。

分别测量上述实例5和6的光盘中没有被上述激光照射加热(未加热)的区域和使用激光照射(加热)的区域的反射率。图17的表1中示出了结果。在该测量中，使用光谱椭球偏光计来测量波长为410nm、670nm及790nm下的反射率。

根据图17中的表1，在实例5和6的任意光盘中，加热区(即，记录了辅助数据的部分)的反射率在任意的测量波长下都高于未加热区中的反射率。

图18是示出了在记录了辅助数据的区域与没有记录辅助数据的区域之间的差分信号的输出与记录标记的反射率和标记深度之间的关系的仿真结果的示图。

图18示出了差分等高线，而记录标记的深度沿纵轴方向表示。反射率没有改变时的值沿横轴被表示为“1”。

如最初所述，标记深度是由于例如在光学记录介质中的聚碳酸脂基板上所形成的反射膜上记录辅助数据，被加热部份的局部变形所引起的凹痕的深度。

例如，通过使用透射电子显微镜观察其截面，测量凹痕的深度约为7nm。

如图17所述，在根据本发明的具有Ag合金膜的光盘中，反射率在记录后(加热后)升高。此处，例如，通过点P1所表示的差分信号的输出极性为+(正)。

相反，当通过诸如物理转写的方法由正规拷贝制备盗版光盘时，反射率返回至初始值，并且仅有标记深度仍然改变。因此，如图18的点P2所示，差分信号的输出为-(负)。因此，可以理解，盗版光盘的输出信号极性与正规拷贝相反。

在具有上述一次写入金属反射膜的光学记录介质中，由不包含Cu的Ag_100-xX_x构成一次写入金属反射膜。

接下来，将参照实施例描述具有包含Cu的Ag_100-x-yX_xCu_y组成(即，具有包含Cu的一次写入金属反射膜)的根据本发明的光学记录介质。

通过实施例可以发现，在指定组成范围内包含Cu的一次写入金属反射膜降低了在前述不包含Cu的一次写入金属反射膜中构成元素X的优选组成范围的下限，并且拓宽了范围。在下面的实施例中，将描述原因。

[实施例1]

如前述实例1，制备基板101，其具有形成于表面上的主数据的凹坑和平面的凹凸图样。

在基板101上，制备具有形成于表面上的主数据的凹坑和平面的凹凸图样的基板101。

通过同时溅射厚度为40nm的Ag和W，在基板101上沉积并形成由X＝W的Ag_100-x-yX_xCu_y[at％]表示的Ag合金膜所构成的反射膜102。

制备y＝0、y＝8、y＝10、y＝12.7及y＝17.3的样品，以验证在这个结构中关于Cu组成的特性的差异。

[实施例2]

如实施例1，准备用于沉积一次写入金属反射膜的三种金属合金靶，各个合金靶具有Ag₉₅Ta₅、Ag_91.5Ta₅Cu_3.5或Ag_90.5Ta₅Cu_4.5的组成，通过使用薄片溅射设备的溅射方法，沉积所述三种金属合金靶，厚度约为40nm，在基板101上形成由Ag_95-yTa₅Cu_y[at％]表示的Ag合金膜所构成的反射膜102。以这种方式制备y＝0、y＝3.5及y＝4.5的样品，从而验证关于Cu组成的特性差异。

制备y＝0、y＝3.5及y＝4.5的样品，从而验证在这种结构中关于Cu组成的特性差异。

图19示出了在具有由Ag_96-yTa₄Cu_y[at％]所构成的实例1的一次写入金属反射膜102的正版光盘中的主数据再生信号的反射率特性，其中，y＝0、y＝8、y＝12.7或y＝17.3。符号“○”对应于初始特性，而符号“□”表示在80℃、85％(相对湿度)下完成200小时的加速试验后的反射率特性。此处，R8H为在蓝光光盘标准中所定义的并且相应于主数据的最长标记(8T标记)的信号的最大反射率。

Cu添加了12.7at％或更低的情况与没有添加Cu(y＝0)的情况之间在初始反射率和加速试验200小时后的反射率方面几乎没有明显差异；但是，当Cu添加到大于12.7at％时，估计可能由于Cu的原因，反射率降低。

根据图19，当Cu添加至约13at％或更低时，对于反射特性，Cu与Ag在功能上等效。

图20是示出了在具有由Ag_95-yTa₅Cu_y[at％](其中，y＝0、y＝3.5或y＝4.5)所构成的实施例2的一次写入金属反射膜102的正版光盘中的再生信号电平的示图，其中在形成了标记的部分改变记 录功率Pw，当y＝0时通过符号“□”、当y＝3.5时通过符号“Δ”、以及当y＝4.5时通过符号“◆”分别绘制再生信号电平。

图21是示出了通过从图20中确定当y＝0(约为19mW)时获取期望的Amp值(300)所需的记录功率以及以相同的方式确定当y＝3.5或y＝4.5时所需的记录功率所绘制的用于适合检测辅助数据信号所需的关于Ag_95-yTa₅Cu_y合金膜中的Cu含量的最小记录功率的值的示图。可以理解，通过用Ag替代Cu可以降低所需的记录功率，并且当y＝2.0时的降低效果与当y＝3.5或y＝4.5时的降低效果近似相同。

图22示出了Ta量x与记录功率之间的关系图(如同一次写入金属反射膜由Ag_100-xTa_x构成时的前述图8)，在如图20和图21所示的相同组成Ag_95-yTa₅Cu_y(Ta量x＝5)中，当y＝0时的功率以符号“■”绘制，当y＝3.5或4.5时的功率以符号“□”绘制。根据所述示图，在图21和图22中y＝0的组成相应于图8的曲线。在具有Cu成分y为3.5或4.5[at％]的膜中的最小记录功率小于不含Cu(y＝0)的膜中的最小记录功率。这就意味着通过添加Cu可以进一步降低在实例2中所提供的Ta添加量的下限。根据在图22中所示的沿着通过符号“□”的曲线以及通过当y＝0时的符号“■”的曲线的辅助线，通过Cu替代Ag来降低Ta添加量的下限的效果至少为0.5[at％]。换句话说，通过添加Cu，Ta添加量的优选组成范围被加宽了0.5[at％]，并且具有0.6％以上的下限。这不仅适用于元素X为Ta的情况，而且适用于元素X为Ti或W的情况。

如图8和图22之间的关系，图23和图24示出了在关于图5和图11的元素X为W或Ti的情况下由Cu替代Ag的效果。

根据实施例1和实施例2的结果，很容易发现，在对于不包含Cu的Ag_100-xX_x[at％](其中，元素X分别为Ti、Ta或W)的实例 1～4所提供的x的对应范围内，Ag_100-x-yX_xCu_y[at％]中Cu的添加量是2at％至13at％时，反射率特性没有被损害，即使x的下限被降低了0.5at％，也能保持用于生成辅助数据的特性效果。

此外，在所述膜包含Cu的情况下，在说明书26页第3、4段和图17中所描述的现象也会发生，并且盗版光盘与正规拷贝的输出信号的极性相反。

接下来，将参照下面的实施例，描述与具有包含Cu或不包含Cu的组成的上述膜相比，一次写入金属反射膜的新的被改善的特性，即，对容易在Ag合金膜中发生的粗大的Ag粒子(下文中，被称作小丘(hillock))生长的抑制效果。

[实施例3]

制备含有Ag₉₆Ta₄或Ag_96-αTa₄(Cu，Sn，Ge，Nd，Mn，Au)α薄膜并具有前述实施例的相同结构的光盘，在80℃、85％下进行96小时的环境试验(加速试验)后，评价小丘的生成活动。图25A的上下照片分别是AgTa_4.0Cu_4.0所构成的一次写入金属反射膜的5000×SEM(扫描电子显微镜)照片和200000×SEM照片。图25B的上下照片分别是AgTa_4.0所构成的一次写入金属反射膜的5000×SEM照片和200000×SEM照片。

通过照片可以了解，通过添加Cu有效地抑制了Ag₉₆Ta₄中小丘的生成。通过相同的SEM观测验证了添加除Cu之外的诸如Au、Sn、Mg、Ge、Nd及Mn的添加元素没有抑制小丘甚至增加了小丘的效果。

[实施例4]

制备具有Ag_100-x-yTa_xCu_y薄膜的样品，在80℃、85％下进行96小时的环境试验后，评价小丘的生成活动。制备4个样品，其中，x为约4at％，并且y＝1.6、y＝2.3、y＝3.3或y＝5.6at％。

在这些样品中，在聚碳酸脂基板上形成具有前述组成的40nm薄膜，并且没有在其上形成诸如覆盖物的防护层。

图26是示出了环境试验(加速试验)后这四个样品的表面的5000×SEM照片。在图26中，作为y＝1.6的对比实例的样品1的SEM照片位于左上方，y＝2.3的样品2的SEM照片位于右上方，y＝3.3的样品3的SEM照片位于左下方，y＝5.6的样品4的SEM照片位于右下方。

由此，验证了具有Cu量y为1.6at％的样品对抑制小丘无效，但是具有Cu量为2.3at％的样品对抑制小丘有效。由于诸如水的外部因素是生成小丘的触发剂，所以没有防护层(例如覆盖层)的本实施例样品的结构的耐候性低于本发明所预期的光学记录介质的结构的耐候性。因此，从图26的结果可以了解，当添加了至少为2at％的Cu时，显著地提高了具有一次写入金属反射膜的光学记录介质的耐小丘生成性能(即耐候性)。

在这些SEM照片的下方给出了通过环境试验的各个样品的反射率的变化量ΔR(％)的测量结果。

据此，在样品1中，环境试验后的反射率比初始反射率降低了24.21％，因此，再生信号的变化非常大。另一方面，在样品2至4中，由于反射率下降小于3％，所以再生信号的变化是可接受的，因而可以适当地读取再生信号。

[实施例5]

分别制备X＝Ti或X＝W的样品，作为X为Ta之外的元素的情况下的Ag_100-x-yX_xCu_y的实例，在80℃、85％下进行96小时的环境试验后，评价小丘的生成活动。X＝Ti的两个制备样品为作为在(x，y)＝(3.9，0.5)的情况下的对比实例的样品5和在(x，y)＝(5.5，5.1)的情况下的样品6。X＝W的两个制备样品为作为在(x，y)＝(7.1，0)的情况下的对比实例的样品7和在(x，y)＝(5.9，3.8)的情况下的样品8。可以对各个X，将Cu量小于2at％的样品与Cu量大于2at％的样品进行对比。

图27是示出了在上述环境试验中加速试验后的这四个样品的表面的5000×SEM照片。在左上方和右上方示出样品5和6的情况，并在左下方和右下方示出样品7和8的情况。从照片中可以了解，如同在X＝Ta的情况下的样品中，在Cu量小于2.0at％的X＝Ti或W的情况下的试样中生成小丘；而在Cu量为2.0at％或更高的X＝Ti或W的样品中，根本没有生成小丘或者小丘被有效地抑制。

同样地，在这些SEM照片的下方给出了通过环境试验的每个样品的反射率的变化量ΔR(％)的测量结果。

据此，在样品5和7中，环境试验后的反射率比初始反射率下降了大约9％，因而再生信号的变化很大；但是，在样品6和8中，由于反射率下降小于3％，所以再生信号的变化是可接受的，因而可以适当地读取再生信号。

在SEM照片的下方给出了在图26和27中所示的样品1至8经前述加速试验后反射率R的变化的测量结果。从除了作为对比实例的样品1和7之外的根据本发明的样品2至6和样品8的结果以 及在前述实施例3、4及5中的结果可以发现，仅通过添加Cu就可以控制在Ag合金膜中很容易生成的小丘，并且其添加量优选为2at％或更高。这对应于通过前述实施例1和2所提供的Cu量为2at％的下限。

接下来，将描述辅助数据记录装置的实例，通过该装置，在根据本发明的前述光学记录介质(例如光盘16)上记录前述的辅助数据。

(辅助数据记录装置)

图28是辅助数据记录装置的实例的结构图。

如上所述，在每个光盘100上记录唯一的识别信息作为辅助数据的数据内容。因此，辅助数据记录装置50记录对于每个被装载于其中的光盘100(D16)来说具有不同图样的辅助数据。

在光盘D16上预先确定记录有辅助数据的区间，并在这个区间内预先确定插入各个标记的位置。辅助数据记录装置50可以在这种预定的指定位置中记录标记。

首先，根据预定的旋转驱动系统通过主轴马达51旋转驱动在转盘(未示出)上所装载的光盘D16。光学拾取器OP从以这种方式旋转驱动的光盘D16中读取记录信号(主数据)。

光学拾取器OP包括：激光二极管LD，形成激光光源；物镜52，用于将激光汇聚并投射在光盘100的记录面上；以及光电探测器PD，用于检测在激光照射后从光盘D16所反射的光。

通过光学拾取器OP中的光电探测器PD所检测的反射光信息，在I-V转换电路53中被转换成电信号，随后被提供至矩阵电路54。 矩阵电路54根据来自I-V转换电路53的反射光信息来生成再生信号RF、跟踪误差信号TE及焦点误差信号FE。

伺服电路55根据来自矩阵电路54的跟踪误差信号TE和焦点误差信号FE来控制从二轴驱动电路56所输出的跟踪驱动信号TD和焦点驱动信号FD。跟踪驱动信号TD和焦点驱动信号FD被提供至光学拾取器OP中支撑物镜52的二轴机构(未示出)。响应于这些信号，在跟踪方向和聚焦方向上驱动物镜52。

在包括伺服电路55、二轴驱动电路56及二轴机构的跟踪伺服/聚焦伺服系统中，伺服电路55根据跟踪误差信号TE和焦点误差信号FE来执行控制，使得投射至光盘D16的激光的光束点跟踪形成在光盘D16上的凹坑序列(记录轨道)，并被保持在适当的聚焦状态。

在矩阵电路54中所生成的再生信号RF被提供至二进制化电路57，并在此处被转换成“0”/“1”的二进制数据。二进制数据被提供至同步检测电路58和PLL(锁相环路)电路59。

PLL电路59生成与所提供的二进制数据同步的时钟CLK，并且将其作为每个部分所需的工作时钟来提供。具体地，时钟CLK也被提供作为用于二进制化电路57以及随后所描述的同步检测电路58、地址检测电路60和辅助数据生成电路61的工作时钟。

同步检测电路58从所提供的二进制数据中检测出在上面图3所示的每个帧中所插入的sync图样。具体地，检测这种情况下为sync图样的9T区间，从而执行帧同步检测。

帧同步信号被提供至需要所述信号的诸如地址检测电路60的各个部分。

地址检测电路60根据帧同步信号和所提供的二进制数据来检测地址信息。所检测的地址信息被提供至在整体上控制辅助数据记录装置50并且用于寻址等的控制器(未示出)。地址信息也被提供至辅助数据生成电路61中的写入脉冲生成电路63。

如图所示，辅助数据生成电路61包括写入脉冲生成电路63和RAM(随机存取存储器)62。辅助数据生成电路61根据输入的辅助数据和从地址检测电路60提供的地址信息以及从PLL电路59提供的时钟CLK来生成写入脉冲信号Wrp，用于记录应该以随后所描述的图29的形式被记录在光盘D16上的辅助数据。

激光功率控制部64根据从辅助数据生成电路61所输出的写入脉冲信号Wrp来控制光学拾取器OP中的激光二极管LD的激光功率。具体地，在这种情况下的激光功率控制部64执行控制，使得当写入脉冲信号Wrp处于L(低)电平时，可以获取输出为再生功率的激光。执行控制，使得当写入脉冲信号Wrp处于H(高)电平时，激光输出为记录功率。

通过激光功率控制部64的控制来执行通过记录功率的激光照射，使得在经受了激光照射的部分中的反射膜102上形成标记。通过这种方式，通过在反射膜102上所形成的标记将辅助数据记录在光盘D16上。

图29是用于描述期望通过辅助数据生成电路61的操作来实现的辅助数据的记录形式的示图。

图29分别示出了作为构成辅助数据的1比特码来记录“0”的情况和作为这种1比特码来记录“1”的情况。

在代码表示方法中，首先假设具有预定长度并且在主数据中出现的相邻的单数(奇数)和双数(偶数)平面形成一对。对于每对具有预定长度的相邻的单数和双数平面，标记被记录在单数平面上的情况被定义为代码“0”，标记被记录在双数平面上的情况被定义为“1”。

图29示出了标记被记录在作为具有预定长度的平面的5T平面上的实例。此处，描述了在具有预定长度的平面上形成标记的情况；但是，可以在具有预定长度的凹坑上形成标记。

在这种情况下，一个地址单元被分配为用于记录构成辅助数据的1比特码的区间。

如图所示，标记被记录，使得在一个地址单元中，相同的代码表示各对具有预定长度的相邻的单数和双数平面。具体地，如图所示，当记录代码“0”时，仅在一个地址单元中的具有预定长度的单数平面上记录标记。

当记录代码“1”时，仅在一个地址单元中的具有预定长度的双数平面上记录标记。

在再生期间，在一个地址单元中采样各对具有预定长度的相邻的单数和双数平面的再生信号RF，并从单数平面中所采样的再生信号RF值中减去在双数平面中所采样的再生信号RF值(“奇-偶”)。

此处，将讨论记录标记的再生信号电平高于没有记录标记的部分的再生信号电平的实例。在仅在单数平面中记录了标记的代码“0”的情况下，当执行这种“奇-偶”操作时，理想地，获取每对具有预定长度的相邻平面的正值。即，当以这种方式对通过对每对具有 预定长度的相邻平面的操作所获取的“奇-偶”值进行积分时，可以确保获取并检出正值。相反，在仅在双数平面上记录了标记的代码“1”的情况下，理想地，通过对每对具有预定长度的相邻平面的操作所获取“奇-偶”值为负值。因此，当对这些值进行积分时，可以确保获取并检出负值。

在光盘100中，在形成了标记的部分，再生信号电平升高。因此，实际上，当仅在单数平面上记录了标记时，会检测到负值，而当仅在双数平面上记录了标记时，会检测到正值。

此处，如上所述，在指定区间中重复记录相同的记录图样，并且在再生期间根据多个相同的记录图样来确定一个值。因此，通过标记记录所提供的反射率的变化会非常微弱。由于如上所述通过标记记录所引起的反射率变化很微弱，所以可以防止记录标记影响主数据的二进制化。

通过与上述相同的方法来记录标记，用于构成辅助数据的其它代码。

即，在这种情况下，辅助数据被记录至与构成辅助数据的代码同数的地址单元。

在辅助数据记录装置50与再生装置之间预先确定以这种方式记录辅助数据的区间(下文中，也称作辅助数据记录区间)。因此，配置辅助数据记录装置50，以对作为先前所确定的这种辅助数据记录区间的多个地址单元执行前述标记记录。

此处，在前述记录方法中，需要注意，当在具有预定长度的平面的边缘上记录标记时，不能适当地执行主数据的二进制化。具体地，当如上所述在具有预定长度的平面的边缘上记录标记时，因为 在记录了标记的部分中反射率会变得更高，所以在二进制化中可能会检测出错误的平面长度(或凹坑长度)。

因此，在用于记录的目标平面中部记录标记。据此，由于还能像通常那样获取所产生的边缘，所以不会影响二进制化。

为了执行前述记录，图28中所示的辅助数据生成电路61中的写入脉冲生成电路63在图29所示的时刻(timing)生成写入脉冲信号Wrp。具体地，仅在具有预定长度的单数平面的中部对应于代码“0”生成处于H电平的写入脉冲信号Wrp。仅在具有预定长度的双数平面的中部对应于代码“1”生成处于H电平的写入脉冲信号Wrp。

接下来，将描述在通过在反射膜102上所形成的标记来记录辅助数据的光盘100上执行再生的再生装置的实例。

(再生装置)

图30是示出再生装置1的结构的框图。

具体地，图30主要示出用于辅助数据的再生的部分，而省略了在主数据再生系统的结构中进行二进制化后的阶段中的解调系统的结构。也省略了对反转电路15和判定电路16的描述。

在再生装置1中，根据预定的旋转驱动系统，通过主轴马达2来旋转驱动被装载在转盘(未示出)上的光盘100。而且，在这种情况下，图中所示的光学拾取器OP从以这种方式旋转驱动的光盘100中读取记录信号(主数据)。

尽管图中省略了下述部件，但是，在这种情况下的光学拾取器OP也包括：激光二极管，形成激光光源；物镜，用于将激光汇聚 并投射在光盘100的记录面上；二轴机构，用于支撑能够在跟踪方向和聚焦方向上移动的物镜；光电探测器，用于检测在激光照射后从光盘100所反射的光。

在再生装置1中，通过具有再生功率的激光来照射光盘100。

通过光学拾取器OP中的光电探测器所检测的反射光信息在I-V转换电路3中被转换成电信号，随后被提供至矩阵电路4。矩阵电路4根据从I-V转换电路3所接收的反射光信息来生成再生信号RF。

尽管图中没有示出，但是矩阵电路4也生成跟踪误差信号TE和焦点误差信号FE。它们也被提供至伺服电路(未示出)，并且被分别被用于跟踪伺服控制和焦点伺服控制。

在矩阵电路4中所生成的再生信号RF被提供至二进制化电路5，并且也被分路提供至随后所描述的A/D转换器11。二进制化电路5将所提供的再生信号RF转换成“0”/“1”的二进制数据。

二进制数据被提供至PLL电路8、同步检测电路9及地址检测电路10。

二进制数据也被提供至在随后所描述的检测脉冲生成部12中的检测脉冲生成电路12a。

PLL电路8生成与所提供的二进制数据同步的时钟CLK，并且作为各个部分所需的操作时钟提供。具体地，在这种情况下的时钟CLK也被提供至检测脉冲生成电路12a(未示出)。

同步检测电路9从所提供的二进制数据中检测出在上面图3所示的每个帧中所插入的sync部分。具体地，在这种情况下，所述电路检测作为sync图样的9T区间，从而执行帧同步检测。

帧同步信号被提供至需要所述信号的诸如地址检测电路10的各个部分。

地址检测电路10根据帧同步信号从所提供的二进制数据中检测出地址信息。所检测的地址信息被提供至在整体上控制再生装置1并被用于寻址等的控制器(未示出)。地址信息也被提供至检测脉冲生成部12中的检测脉冲生成电路12a。

应该确定的是，当再生光盘100上所记录的主数据时，也使用以下部分：光学拾取器OP、I-V转换电路3、矩阵电路4、二进制化电路5、PLL电路8、同步检测电路9及地址检测电路10。换句话说，在这些部分中，主数据再生系统的结构也被用于辅助数据的再生。

检测脉冲生成部12根据与在上述辅助数据记录装置50中相同的确定标记的记录方法，生成指示检测点的检测脉冲Dp，用于再生作为辅助数据的识别信息。

检测脉冲生成部12包括检测脉冲生成电路12a和RAM 12b。检测脉冲生成电路12a根据在RAM 12b中所存储的信息来生成检测脉冲Dp。所生成的检测脉冲Dp被提供至A/D转换器11。

在辅助数据检测电路13中所检测的辅助数据值被提供至ECC(误差校正码)电路14。

在这种情况下的辅助数据包括识别信息和误差校正码。ECC电路14根据在辅助数据中的误差校正码来执行误差校正，从而再生识别信息。

再生的识别信息被提供至图中所示的主机6。

主机6将命令传送至在整体上控制再生装置1的控制器(未示出)，从而指导各个操作。例如，传送用于指导在光盘100上所记录的主数据的再生的命令。因此，从光盘100再生的主数据在二进制化电路5中被二进制化，随后在解调系统(未示出)中解调(RLL1-7pp解调)或进行误差校正，并提供至主机6。

主机6设置有网络接口7，以执行与所需网络的数据通信。这样能够在主机6与外部设备之间执行数据通信，具体地，通过预定网络(例如互联网)与图中所示的管理服务器70进行数据通信。

参照后面的图31来描述在具有前述结构的再生装置1中所执行的辅助数据值的检测。

图31示出了在将“0”和“1”分别赋予光盘100上的一个地址单元来作为辅助数据的1比特值的情况下的标记记录状态。为了说明，这个示图示出了以相同的图样作为主数据来形成凹坑和平面的情况。

首先，如上所述，通过在光盘100的预定的辅助数据记录区间中将1比特信息赋予每个地址单元来记录辅助数据。

在这种情况下，在代码表示方法中，在具有预定长度的单数平面上记录标记的情况被定义为“0”，并且在具有预定长度的双数平面上记录标记的情况被定义为“1”。换句话说，当如图所示代码为“0”时，仅在地址单元中具有预定长度的单数平面上记录标记。当代码为“1”时，仅在地址单元中具有预定长度的双数平面上记录标记。

此处，例如，形成标记的部分为反射率略微升高的部分。因此，如图所示，在记录了标记的部分，再生信号RF的波形电平升高。

在辅助数据的再生中，根据在记录了标记的部分中的反射率的这种略微升高来确定每个值。

如上所述，当记录了辅助数据时，每个标记均被记录在具有预定长度的平面的中部。通过以这种方式在平面中部记录标记，从图中所示的再生信号RF的波形可以看出，仅在记录了标记的平面的中部电平升高，并且如常获取边缘部分的波形。因此，如上所述，可以防止主数据的二进制化受到影响。

此处，根据上面的描述，当代码为“0”时，仅在具有预定长度的单数平面上的再生信号RF值略微地升高。当代码为“1”时，仅在具有预定长度的双数平面上的再生信号RF值略微地升高。

因此，在这种情况下，为了确定分配至每个地址单元的辅助数据的各个值，只要检测在地址单元中具有预定长度的单数平面和双数平面的哪一个具有增加的再生信号RF值就可以了。

例如，可以通过确定与没有记录标记的部分中的再生信号RF值的差值来检测记录了标记的部分中的再生信号RF值的增加。

在这种情况下，如上所述，当代码为“0”时，仅在单数平面上记录标记。当代码为“1”时，仅在双数平面上记录标记。换句话说，当代码为“0”时，双数平面会形成没有记录标记的部分，并且当代码为“1”时，单数平面会形成没有记录标记的部分。

因此，当对相邻的单数(奇数)和双数(偶数)平面执行“奇-偶”操作时，能够检测出奇数和偶数的哪一个具有增加的再生信号RF值(具有所记录的标记)。

具体地，当“奇-偶”为正值时，在单数平面中的再生信号RF值会增加，因此，可以发现，标记被记录在单数平面上。相反，当“奇-偶”为负值时，双数平面上的再生信号值会增加，因此，可以发现，标记被记录在双数平面上。

但是，噪声分量实际上重叠在再生信号RF上。在记录了标记的部分中，再生信号RF值仅被略微降低，并且可能掩没在这样的噪声分量中。因此，如果仅对一对具有预定长度的相邻偶数平面执行“奇-偶”检测，则很难确保能确定出值。

因此，对于辅助数据的再生而言，如上所述对于每对相邻的单数和双数平面所计算的“奇-偶”值进行积分，并且根据积分值来确定被赋予地址单元的1比特值。这样能够更可靠地检测辅助数据的值。

为了上述“奇-偶”计算，需要采样在奇数和偶数平面(即，具有预定长度的单数和双数平面)的中部所获取的再生信号RF值。 图30中所示的检测脉冲生成部12生成检测脉冲信号Dp，作为指示用于“奇-偶”计算的采样时刻的信号。

此处，作为用于上述“奇-偶”计算的检测脉冲Dp，从图30可以了解，仅在主数据中所获取的预定长度的平面的中部生成具有H电平的信号就可以了。

为了生成这种检测脉冲Dp，与前述辅助数据记录装置50的生成写入脉冲信号Wrp的情况一样，由光盘100上的辅助数据记录区间中所记录的主数据的内容生成对应的时刻就可以了。

但是，与辅助数据记录装置50不同，由于再生装置1没有被用于光盘的制造，所以在光盘100上所记录的内容可以不预先存储在所述装置中。因此，再生装置1从被装载的光盘100中读出辅助数据记录区间中的主数据，并且主数据被存储在所述装置中，用于生成检测脉冲信号Dp。

再生装置1包括在图30所示的检测脉冲生成部12中的RAM12b，作为在以这种方式在所读取的辅助数据记录区间中存储主数据的存储器。具有如图32所示数据结构的对应于每个地址读取的主数据被存储。

在检测脉冲生成部12中的检测脉冲生成电路12a中，如在前述写入脉冲信号Wrp的生成中一样，根据在以这种方式被存储在RAM 12b中的记录区间中的主数据的内容来生成仅在相应的时刻表示为“1”并且在所有其它时刻表示为“0”的数据序列。生成根据以这种方式被生成的数据序列的检测脉冲Dp，并将其提供至A/D转换器11。通过在检测脉冲信号Dp所表示的时刻使用A/D转换器11来采样再生信号RF的值，可以在图31所示的适当时刻采样再生信号RF的值。

如上所述，根据本发明的光学记录介质，当选择其反射膜的组成时，可以确保获取这样的光学记录介质，其中，可以以高于没有记录辅助数据的部分的再生电平来执行记录了辅助数据的反射膜部分的再生。

因此，根据本发明的光学记录介质，如参照图33的初始描述一样，从该光学记录介质上剥离覆盖层和反射膜，并且从具有由于在形成辅助数据标记的过程中引起的热变形所导致的凹痕的基板101，转写包含辅助数据标记所导致的凹痕的基板的表面上的凹凸，由此制备盗版光盘时，实质上不可能读取辅助数据。

具体地，由于通过图33B所示的凹痕所形成的记录标记中的再生电平与没有记录标记的部分相比被降低了，所以不能获得如前述本发明的光学记录介质那样的、具有辅助数据的再生电平被提高的正规辅助数据的盗版光盘。或者，可以立刻确定盗版拷贝。

如上所述，根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质使通过非法拷贝的盗版拷贝中的再生信号的极性反转。因此，能够确定盗版光学记录介质，此外，例如，使其不能在盗版光学记录介质中再生，并且可以有效地防止版权的侵犯。

如上所述，根据本发明的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质使用Ag合金膜，其中，抑制了小丘生成，并且具有良好的耐候性。因此，能够显著提高长期数据存储的可靠性。

过去，已经提出了具有多种被添加至Ag合金的元素的金属合金反射膜来作为光盘记录介质中的反射膜。本发明可以提供一种这样的光学记录介质，其中，再生信号的极性可以在一次写入记录辅助数据的再生过程中、在通过非法拷贝的盗版拷贝中显著反转，并 且该光学记录介质的一次写入金属反射膜拥有卓越的长期存储可靠性和卓越的耐候性。

在上面的描述中，主要涉及光盘；但是，基板形状等并不受限。参考符号说明

1 再生装置，2 主轴马达，3 I-V转换电路，4 矩阵电路，5 二进制化电路，6 主机，7 网络接口，8 PLL电路，9 同步检测电路，10 地址检测电路，11 A/D转换器，12 检测脉冲生成部，12a 检测脉冲生成电路，12b RAM，13 辅助数据检测电路，14 ECC电路，15 反转电路，16 判定电路，70 管理服务器，100 光学记录介质(具有一次写入金属反射膜的光学记录介质(光盘))，101 基板，102 反射膜，103 覆盖层，104 物镜，105 激光。

Claims (5)

1.一种具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，包括：

在基板上至少有层积形成的一次写入金属反射膜和覆盖层，其中

主数据以凹坑和平面的组合形式记录在所述基板上，

所述一次写入金属反射膜可以通过激光照射的热记录进行一次写入记录，

通过利用一次写入记录激光照射所述一次写入金属反射膜所形成的标记来记录辅助数据，

形成所述标记的部分的再生信号电平在具有预定长度的平面中升高，并且

在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状所制备的光盘记录介质上形成所述标记，使得形成所述标记的部分的再生信号电平降低，其特征在于，

由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜形成所述一次写入金属反射膜，其中，x、y为at％，

所述X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr的元素中的至少一种元素，并且

在所述Ag合金膜中Cu的组成y选择为5.1≤y≤13at％。

2.根据权利要求1所述的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其特征在于，

由Ag_100-x-yX_xCu_y的所述Ag合金膜形成所述一次写入金属反射膜，

所述X为Ti，

所述Ag合金膜中Ti的组成x选择为4.5≤x≤17at％。

3.根据权利要求1所述的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其特征在于，

由Ag_100-x-yX_xCu_y的所述Ag合金膜形成所述一次写入金属反射膜，

所述X为W，

所述Ag合金膜中W的组成x选择为2.5≤x≤11at％。

4.根据权利要求1所述的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其特征在于，

由Ag_100-x-yX_xCu_y的所述Ag合金膜形成所述一次写入金属反射膜，

所述X为Ta，

在所述Ag合金膜中Ta的组成x选择为0.6≤x≤10.5at％。

5.根据权利要求1所述的具有一次写入金属反射膜的光学记录介质，其特征在于，

由Ag_100-x-yX_xCu_y的所述Ag合金膜形成所述一次写入金属反射膜，

所述X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少两种元素，

所述Ag合金膜中X的总组成x选择为0.6≤x≤17at％。

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