JPH07285903A - ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法 - Google Patents
ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法Info
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- JPH07285903A JPH07285903A JP6078514A JP7851494A JPH07285903A JP H07285903 A JPH07285903 A JP H07285903A JP 6078514 A JP6078514 A JP 6078514A JP 7851494 A JP7851494 A JP 7851494A JP H07285903 A JPH07285903 A JP H07285903A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ジフルオロメチル基を有する光学活性フェノー
ル誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法を
提供する。 【構成】（Ｒ）−２−ジフルオロメチル−２−（４−メ
トキシフェニル）酢酸にジアゾメタンを反応させてその
メチルエステルとし、これを三臭化ホウ素で処理して
（Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−メトキシカル
ボニルエチル）フェノールとし、次に３，４−ジヒドロ
−２Ｈ−ピランを反応させて（Ｒ）−４−（１−ジフル
オロメチル−２−メトキシカルボニルエチル）−１−テ
トラヒドロピラニルオキシベンゼンとし、水素化アルミ
ニウムリチウムで還元して（Ｒ）−４−（１−ジフルオ
ロメチル−２−ヒドロキシエチル）−１−テトラヒドロ
ピラニルオキシベンゼンとし、水素化ナトリウム及びブ
チルブロミドを反応させて（Ｒ）−４−（１−ジフルオ
ロメチル−２−ブトキシエチル）−１−テトラヒドロピ
ラニルオキシベンゼンとし、最後にピリジニウムパラト
ルエンスルホネートで処理する。
ル誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法を
提供する。 【構成】（Ｒ）−２−ジフルオロメチル−２−（４−メ
トキシフェニル）酢酸にジアゾメタンを反応させてその
メチルエステルとし、これを三臭化ホウ素で処理して
（Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−メトキシカル
ボニルエチル）フェノールとし、次に３，４−ジヒドロ
−２Ｈ−ピランを反応させて（Ｒ）−４−（１−ジフル
オロメチル−２−メトキシカルボニルエチル）−１−テ
トラヒドロピラニルオキシベンゼンとし、水素化アルミ
ニウムリチウムで還元して（Ｒ）−４−（１−ジフルオ
ロメチル−２−ヒドロキシエチル）−１−テトラヒドロ
ピラニルオキシベンゼンとし、水素化ナトリウム及びブ
チルブロミドを反応させて（Ｒ）−４−（１−ジフルオ
ロメチル−２−ブトキシエチル）−１−テトラヒドロピ
ラニルオキシベンゼンとし、最後にピリジニウムパラト
ルエンスルホネートで処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶材料とし
て有用な、ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェ
ノール誘導体、その合成中間体、及びそれらの製造法に
関する。
て有用な、ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェ
ノール誘導体、その合成中間体、及びそれらの製造法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶は高速応答性、広視野角性
及び高メモリー性の特徴を有するため、これを単純マト
リックス駆動による大画面表示可能なディスプレイ用液
晶材料へ応用する研究が進められいる。実用的な強誘電
性液晶としては、従来、低粘性でＳC相を持つベース液
晶に、目的の特性が得られるよう数種のドーパントを添
加して調製した強誘電性液晶組成物が知られている（MO
LECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS、第８９巻、３
２７〜３２８頁、１９８２年）。これらのドーパントの
うち、強誘電性を持たせるために添加される高自発分極
を有するドーパントは、光学活性であることが必要であ
る。
及び高メモリー性の特徴を有するため、これを単純マト
リックス駆動による大画面表示可能なディスプレイ用液
晶材料へ応用する研究が進められいる。実用的な強誘電
性液晶としては、従来、低粘性でＳC相を持つベース液
晶に、目的の特性が得られるよう数種のドーパントを添
加して調製した強誘電性液晶組成物が知られている（MO
LECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS、第８９巻、３
２７〜３２８頁、１９８２年）。これらのドーパントの
うち、強誘電性を持たせるために添加される高自発分極
を有するドーパントは、光学活性であることが必要であ
る。
【０００３】また最近、フッ素含有基をもつ光学活性な
芳香族化合物が高自発分極を有するドーパントの原料と
して有用であることが知られるようになった。例えば、
特開平３−２９４２４６号公報には、エステラーゼの不
斉加水分解反応を利用したβ−フェネチルアルコールエ
ステル類からのトリフルオロメチル基を有する光学活性
フェノール類の合成が開示されている。
芳香族化合物が高自発分極を有するドーパントの原料と
して有用であることが知られるようになった。例えば、
特開平３−２９４２４６号公報には、エステラーゼの不
斉加水分解反応を利用したβ−フェネチルアルコールエ
ステル類からのトリフルオロメチル基を有する光学活性
フェノール類の合成が開示されている。
【０００４】更に、日本化学会第６３春期年会要旨集１
Ｆ４３５には、ラセミ体カルボン酸のアミン誘導体から
光学活性アミンを用いて光学分割し、トリフルオロメチ
ル基を有する光学活性カルボン酸を得る方法が報告され
ている。
Ｆ４３５には、ラセミ体カルボン酸のアミン誘導体から
光学活性アミンを用いて光学分割し、トリフルオロメチ
ル基を有する光学活性カルボン酸を得る方法が報告され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】強誘電性を持たせるた
めに添加される高自発分極を有するドーパントを最適な
ものとするためには、種々の不斉構造を有する化合物を
試験し、検討する必要がある。しかし、従来、フッ素含
有基を有する芳香族化合物で光学活性な化合物は限られ
たものしか知られておらず、したがって、新規な構造の
光学活性体の開発が強く望まれていた。本発明は、新規
な構造の、ジフルオロメチル基を有する光学活性フェノ
ール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法
を提供することを目的とする。
めに添加される高自発分極を有するドーパントを最適な
ものとするためには、種々の不斉構造を有する化合物を
試験し、検討する必要がある。しかし、従来、フッ素含
有基を有する芳香族化合物で光学活性な化合物は限られ
たものしか知られておらず、したがって、新規な構造の
光学活性体の開発が強く望まれていた。本発明は、新規
な構造の、ジフルオロメチル基を有する光学活性フェノ
ール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記 〜
の、ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール
誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法に関
するものである。 一般式（Ｉ）
の、ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール
誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法に関
するものである。 一般式（Ｉ）
【化８】 〔一般式（Ｉ）中、Ｒ1はアルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、＊は不斉炭素を示す（以下、同
じ）。〕で表される、ジフルオロメチル基を有する光学
活性なフェノール誘導体。
ルキル基を示し、＊は不斉炭素を示す（以下、同
じ）。〕で表される、ジフルオロメチル基を有する光学
活性なフェノール誘導体。
【０００７】 一般式（II）
【化９】 〔一般式（II）中、Ｒ2は酸性試薬で脱離可能な有機基
を示し、Ｒ1は一般式（Ｉ）中における意味と同じ。〕
で表される、ジフルオロメチル基を有する光学活性なフ
ェニルエーテル誘導体。
を示し、Ｒ1は一般式（Ｉ）中における意味と同じ。〕
で表される、ジフルオロメチル基を有する光学活性なフ
ェニルエーテル誘導体。
【０００８】 一般式（III）
【化１０】 〔一般式（III）中、Ｒ2は一般式（II）中における意味
と同じ。〕で表される、ジフルオロメチル基を有する光
学活性なアルコール誘導体。
と同じ。〕で表される、ジフルオロメチル基を有する光
学活性なアルコール誘導体。
【０００９】 一般式（IV）
【化１１】 〔一般式（IV）中、Ｒ3はアルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、Ｒ2は一般式（III）中における意味と
同じ。〕で表される、ジフルオロメチル基を有する光学
活性なフェニル酢酸エステル誘導体。
ルキル基を示し、Ｒ2は一般式（III）中における意味と
同じ。〕で表される、ジフルオロメチル基を有する光学
活性なフェニル酢酸エステル誘導体。
【００１０】 一般式（VI）
【化１２】 〔一般式（VI）中、Ｒ3はアルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示す。〕で表される、ジフルオロメチル基を
有する光学活性な４−ヒドロキシフェニル酢酸エステル
誘導体。
ルキル基を示す。〕で表される、ジフルオロメチル基を
有する光学活性な４−ヒドロキシフェニル酢酸エステル
誘導体。
【００１１】 下記の工程（Ａ）、（７）及び（８）
の各工程を含む、前記一般式（Ｉ）のフェノール誘導体
の製造法。 工程（Ａ）：一般式（Ｖ）
の各工程を含む、前記一般式（Ｉ）のフェノール誘導体
の製造法。 工程（Ａ）：一般式（Ｖ）
【化１３】 〔一般式（Ｖ）中、Ｒ2は酸性試薬で脱離可能なアルキ
ル基を示し、＊は不斉炭素を示す。〕の化合物から、一
般式（III）の化合物を合成する。 工程（７）：一般式（III）の化合物に金属塩形成試薬
及びアルキル化試薬もしくはアルコキシアルキル化試薬
を反応させて、一般式（II）の化合物を合成する。 工程（８）：一般式（II）の化合物を酸性試薬で処理し
て、一般式（Ｉ）の化合物を合成する。
ル基を示し、＊は不斉炭素を示す。〕の化合物から、一
般式（III）の化合物を合成する。 工程（７）：一般式（III）の化合物に金属塩形成試薬
及びアルキル化試薬もしくはアルコキシアルキル化試薬
を反応させて、一般式（II）の化合物を合成する。 工程（８）：一般式（II）の化合物を酸性試薬で処理し
て、一般式（Ｉ）の化合物を合成する。
【００１２】 工程（Ａ）が、下記の（２）、
（３）、（４）及び（５）の各工程から成るものであ
る、上記のフェノール誘導体の製造法。 工程（２）：一般式（Ｖ）の化合物に、アルキル化試薬
もしくはアルコキシアルキル化試薬を反応させて、一般
式（IV）の化合物とする。 工程（３）：一般式（IV）の化合物を酸性試薬で処理し
て、一般式（VI）の化合物とする。 工程（４）：一般式（VI）の化合物に保護基形成試薬を
反応させて、一般式（IV）の化合物とする。 工程（５）：一般式（IV）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
（３）、（４）及び（５）の各工程から成るものであ
る、上記のフェノール誘導体の製造法。 工程（２）：一般式（Ｖ）の化合物に、アルキル化試薬
もしくはアルコキシアルキル化試薬を反応させて、一般
式（IV）の化合物とする。 工程（３）：一般式（IV）の化合物を酸性試薬で処理し
て、一般式（VI）の化合物とする。 工程（４）：一般式（VI）の化合物に保護基形成試薬を
反応させて、一般式（IV）の化合物とする。 工程（５）：一般式（IV）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
【００１３】 工程（Ａ）が、下記の工程（９）、
（４'）及び（５）の各工程から成るものである、上記
のフェノール誘導体の製造法。 工程（９）：一般式（Ｖ）の化合物に酸性試薬を反応さ
せて、式（VI'）
（４'）及び（５）の各工程から成るものである、上記
のフェノール誘導体の製造法。 工程（９）：一般式（Ｖ）の化合物に酸性試薬を反応さ
せて、式（VI'）
【化１４】 〔式（VI'）中、＊は不斉炭素を示す。〕の化合物とす
る。 工程（４'）：式（VI'）の化合物に保護基形成試薬を反
応させて、一般式（IV）の化合物とする。 工程（５）：一般式（IV）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
る。 工程（４'）：式（VI'）の化合物に保護基形成試薬を反
応させて、一般式（IV）の化合物とする。 工程（５）：一般式（IV）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
【００１４】 工程（Ａ）が下記の工程（８）であ
る、上記のフェノール誘導体の製造法。 工程（８）：一般式（Ｖ）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
る、上記のフェノール誘導体の製造法。 工程（８）：一般式（Ｖ）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
【００１５】原料から、本発明の一般式（Ｉ）のジフル
オロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体を得
るまでの合成経路を図１にまとめた。以下、順を追っ
て、本発明に係る化合物及びそれらの製造法について説
明する。
オロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体を得
るまでの合成経路を図１にまとめた。以下、順を追っ
て、本発明に係る化合物及びそれらの製造法について説
明する。
【００１６】反応工程（１）について（番号は図１中に
付した番号と対応する。以下、同じ。） 原料に用いられる化合物は、前記一般式（Ｖ）の化合物
である。この一般式の化合物は、一般式（VII）
付した番号と対応する。以下、同じ。） 原料に用いられる化合物は、前記一般式（Ｖ）の化合物
である。この一般式の化合物は、一般式（VII）
【化１５】 （一般式（VII）中のＲ2は、一般式（Ｖ）のＲ2と同じ
く酸性試薬で脱離可能な有機基を示す。）で表されるジ
フルオロメチル基を有するマロン酸誘導体を、不斉脱炭
酸酵素又は不斉脱炭酸酵素含有微生物で処理し、得られ
る。
く酸性試薬で脱離可能な有機基を示す。）で表されるジ
フルオロメチル基を有するマロン酸誘導体を、不斉脱炭
酸酵素又は不斉脱炭酸酵素含有微生物で処理し、得られ
る。
【００１７】一般式（Ｖ）又は（VII）のＲ2の具体的な
有機基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル（ｔ−Ｂｕ）、シクロヘ
キシル等のアルキル基、ベンジル、トリフェニルメチル
等の芳香族基置換アルキル基、アリル等のアルケニル
基、メトキシメチル、１−エトキシエチル等のアルコキ
シアルキル基、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピ
ラニル等の環状エーテル基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル等のアルコ
キシカルボニル基、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメ
チルシリル、ジフェニルメチルシリル等のシリル基等が
ある。
有機基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル（ｔ−Ｂｕ）、シクロヘ
キシル等のアルキル基、ベンジル、トリフェニルメチル
等の芳香族基置換アルキル基、アリル等のアルケニル
基、メトキシメチル、１−エトキシエチル等のアルコキ
シアルキル基、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピ
ラニル等の環状エーテル基、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル等のアルコ
キシカルボニル基、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメ
チルシリル、ジフェニルメチルシリル等のシリル基等が
ある。
【００１８】ここで用いる不斉脱炭酸酵素は、特開平５
−１７６７７８号公報に開示されている方法で製造でき
る。
−１７６７７８号公報に開示されている方法で製造でき
る。
【００１９】一般式（VII）で表される化合物の具体例
としては、下記に示すような、式（VII−ａ）〜（VII−
ｄ）等の化合物がある。
としては、下記に示すような、式（VII−ａ）〜（VII−
ｄ）等の化合物がある。
【化１６】
【００２０】また、一般式（Ｖ）で表される化合物の具
体例としては、次に示すような式（Ｖ−ａ）〜（Ｖ−
ｅ）等がある。
体例としては、次に示すような式（Ｖ−ａ）〜（Ｖ−
ｅ）等がある。
【化１７】
【００２１】反応工程（２）について 一般式（Ｖ）の化合物をアルキル化試薬又はアルコキシ
アルキル化試薬で処理すると、一般式（IV）の化合物が
得られる。ここで、一般式（IV）中のＲ3は、アルキル
基又はアルコキシアルキル基を示し、アルキルとして
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、１−メチルプロピル、イソブチル、ｔ−ブチル、
ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、イソ
ペンチル、ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチル
ペンチル、３−メチルペンチル、イソヘキシル、ヘプチ
ル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メ
チルヘキシル、４−メチルヘキシル、イソヘプチル、オ
クチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、３
−メチルヘプチル、４−メチルヘプチル、５−メチルヘ
プチル、イソオクチル、トリフェニルメチル、ジフェニ
ルメチル、フェニルメチル等がある。
アルキル化試薬で処理すると、一般式（IV）の化合物が
得られる。ここで、一般式（IV）中のＲ3は、アルキル
基又はアルコキシアルキル基を示し、アルキルとして
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、１−メチルプロピル、イソブチル、ｔ−ブチル、
ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、イソ
ペンチル、ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチル
ペンチル、３−メチルペンチル、イソヘキシル、ヘプチ
ル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メ
チルヘキシル、４−メチルヘキシル、イソヘプチル、オ
クチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、３
−メチルヘプチル、４−メチルヘプチル、５−メチルヘ
プチル、イソオクチル、トリフェニルメチル、ジフェニ
ルメチル、フェニルメチル等がある。
【００２２】また、アルコキシアルキルとしては、メト
キシメチル、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピ
ル、１−メチル−２−メトキシメチル、２−メチル−２
−メトキシメチル、４−メトキシブチル、１−メチル−
３−メトキシプロピル、２−メチル−３−メトキシプロ
ピル、３−メチル−３−メトキシプロピル、ペンチル、
１−メチル−４−メトキシブチル、２−メチル−４−メ
トキシブチル、３−メチル−４−メトキシブチル、４−
メチル−４−メトキシブチル、メトキシヘキシル、１−
メチル−５−メトキシペンチル、２−メチル−５−メト
キシペンチル、３−メチル−５−メトキシペンチル、４
−メチル−５−メトキシペンチル、５−メチル−５−メ
トキシペンチル、エトキシメチル、２−エトキシエチ
ル、３−エトキシプロピル、１−メチル−２−エトキシ
メチル、２−メチル−２−エトキシメチル、４−エトキ
シブチル、１−メチル−３−エトキシプロピル、２−メ
チル−３−エトキシプロピル、３−メチル−３−エトキ
シプロピル、ペンチル、１−メチル−４−エトキシブチ
ル、２−メチル−４−エトキシブチル、３−メチル−４
−エトキシブチル、４−メチル−４−エトキシブチル、
エトキシヘキシル、１−メチル−５−エトキシペンチ
ル、２−メチル−５−エトキシペンチル、３−メチル−
５−エトキシペンチル、４−メチル−５−エトキシペン
チル、５−メチル−５−エトキシペンチル、トリフェニ
ルメトキシメチル等がある。
キシメチル、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピ
ル、１−メチル−２−メトキシメチル、２−メチル−２
−メトキシメチル、４−メトキシブチル、１−メチル−
３−メトキシプロピル、２−メチル−３−メトキシプロ
ピル、３−メチル−３−メトキシプロピル、ペンチル、
１−メチル−４−メトキシブチル、２−メチル−４−メ
トキシブチル、３−メチル−４−メトキシブチル、４−
メチル−４−メトキシブチル、メトキシヘキシル、１−
メチル−５−メトキシペンチル、２−メチル−５−メト
キシペンチル、３−メチル−５−メトキシペンチル、４
−メチル−５−メトキシペンチル、５−メチル−５−メ
トキシペンチル、エトキシメチル、２−エトキシエチ
ル、３−エトキシプロピル、１−メチル−２−エトキシ
メチル、２−メチル−２−エトキシメチル、４−エトキ
シブチル、１−メチル−３−エトキシプロピル、２−メ
チル−３−エトキシプロピル、３−メチル−３−エトキ
シプロピル、ペンチル、１−メチル−４−エトキシブチ
ル、２−メチル−４−エトキシブチル、３−メチル−４
−エトキシブチル、４−メチル−４−エトキシブチル、
エトキシヘキシル、１−メチル−５−エトキシペンチ
ル、２−メチル−５−エトキシペンチル、３−メチル−
５−エトキシペンチル、４−メチル−５−エトキシペン
チル、５−メチル−５−エトキシペンチル、トリフェニ
ルメトキシメチル等がある。
【００２３】用いるアルキル化試薬あるいはアルコキシ
アルキル化試薬としては、ジアゾアルカン系試薬、アル
コール−酸触媒系試薬、ジアルキル硫酸試薬、金属塩形
成試薬とハロゲン化アルキル、ハロゲン化アルコキシア
ルキル、又はアルキルスルホネートとの混合試薬等があ
る。これらアルキル化試薬あるいはアルコキシアルキル
化試薬は、式（Ｖ）の化合物量の当量以上を使用するの
が好ましい。
アルキル化試薬としては、ジアゾアルカン系試薬、アル
コール−酸触媒系試薬、ジアルキル硫酸試薬、金属塩形
成試薬とハロゲン化アルキル、ハロゲン化アルコキシア
ルキル、又はアルキルスルホネートとの混合試薬等があ
る。これらアルキル化試薬あるいはアルコキシアルキル
化試薬は、式（Ｖ）の化合物量の当量以上を使用するの
が好ましい。
【００２４】上記ジアゾアルカン系試薬としては、ジア
ゾメタン、トリメチルシリルジアゾメタン等がある。ジ
アゾアルカン系試薬を用いる場合の溶媒としては、ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳
香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン
系溶媒等があり、好ましくはエーテル系溶媒である。ト
リメチルシリルジアゾメタン等のシリルジアゾメタン系
を使用する場合は、触媒量以上のアルコールを共存させ
るとよい。
ゾメタン、トリメチルシリルジアゾメタン等がある。ジ
アゾアルカン系試薬を用いる場合の溶媒としては、ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロ
フラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳
香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン
系溶媒等があり、好ましくはエーテル系溶媒である。ト
リメチルシリルジアゾメタン等のシリルジアゾメタン系
を使用する場合は、触媒量以上のアルコールを共存させ
るとよい。
【００２５】アルコール−酸触媒系試薬としては、メタ
ノール、エタノール、３−メトキシプロパノール等のア
ルコールと、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン
酸、硫酸、ピリジニウムパラトルエンスルホネート等と
の酸触媒の混合試薬がある。このとき用いる溶媒は、好
ましくは反応試薬に用いるアルコールと同じアルコール
とする。反応温度は室温以上、好ましくは５０℃以上と
する。
ノール、エタノール、３−メトキシプロパノール等のア
ルコールと、メタンスルホン酸、パラトルエンスルホン
酸、硫酸、ピリジニウムパラトルエンスルホネート等と
の酸触媒の混合試薬がある。このとき用いる溶媒は、好
ましくは反応試薬に用いるアルコールと同じアルコール
とする。反応温度は室温以上、好ましくは５０℃以上と
する。
【００２６】ジアルキル硫酸試薬としては、ジメチル硫
酸、ジエチル硫酸等があり、この場合の溶媒としては、
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等
の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアル
カン系溶媒等がある。
酸、ジエチル硫酸等があり、この場合の溶媒としては、
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等
の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアル
カン系溶媒等がある。
【００２７】金属塩形成試薬とハロゲン化アルキル、ハ
ロゲン化アルコキシアルキル、アルキルスルホネート、
あるいはアルコキシアルキルスルホネートとの混合試薬
を用いる場合の金属塩形成試薬としては、水素化リチウ
ム、水素化カリウム、水素化ナトリウム、水素化カルシ
ウム等の水素化金属、メチルリチウム、ブチルリチウ
ム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等の
アルキル金属、ソディウムアミド、リチウムジイソプロ
ピルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド等の
金属アミド等がある。これら金属塩形成試薬は、式
（Ｖ）の化合物量の当量以上を使用するのが好ましい。
ロゲン化アルコキシアルキル、アルキルスルホネート、
あるいはアルコキシアルキルスルホネートとの混合試薬
を用いる場合の金属塩形成試薬としては、水素化リチウ
ム、水素化カリウム、水素化ナトリウム、水素化カルシ
ウム等の水素化金属、メチルリチウム、ブチルリチウ
ム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等の
アルキル金属、ソディウムアミド、リチウムジイソプロ
ピルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド等の
金属アミド等がある。これら金属塩形成試薬は、式
（Ｖ）の化合物量の当量以上を使用するのが好ましい。
【００２８】上記ハロゲン化アルキルとしては、ヨウ化
アルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等、ハロゲン化
アルコキシアルキルとしては、ヨウ化アルコキシアルキ
ル、臭化アルコキシアルキル、塩化アルコキシアルキル
等、アルキルスルホネートとしてはアルキルメタンスル
ホネート、アルキルパラトルエンスルホネート等、アル
コキシアルキルスルホネートとしてはアルコキシアルキ
ルメタンスルホネート、アルコキシアルキルパラトルエ
ンスルホネート等がある。
アルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等、ハロゲン化
アルコキシアルキルとしては、ヨウ化アルコキシアルキ
ル、臭化アルコキシアルキル、塩化アルコキシアルキル
等、アルキルスルホネートとしてはアルキルメタンスル
ホネート、アルキルパラトルエンスルホネート等、アル
コキシアルキルスルホネートとしてはアルコキシアルキ
ルメタンスルホネート、アルコキシアルキルパラトルエ
ンスルホネート等がある。
【００２９】アルキル化試薬又はアルコキシアルキル化
試薬は、用いる式（Ｖ）の化合物量の当量以上を使用す
るのが好ましい。なお、アルキル化試薬又はアルコキシ
アルキル化試薬の具体的な基としては、アルキルとして
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、１−メチルプロピル、イソブチル、ｔ−ブチル、
ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、イソ
ペンチル、ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチル
ペンチル、３−メチルペンチル、イソヘキシル、ヘプチ
ル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メ
チルヘキシル、４−メチルヘキシル、イソヘプチル、オ
クチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、３
−メチルヘプチル、４−メチルヘプチル、５−メチルヘ
プチル、イソオクチル、トリフェニルメチル、ジフェニ
ルメチル、フェニルメチル等がある。
試薬は、用いる式（Ｖ）の化合物量の当量以上を使用す
るのが好ましい。なお、アルキル化試薬又はアルコキシ
アルキル化試薬の具体的な基としては、アルキルとして
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、１−メチルプロピル、イソブチル、ｔ−ブチル、
ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、イソ
ペンチル、ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチル
ペンチル、３−メチルペンチル、イソヘキシル、ヘプチ
ル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メ
チルヘキシル、４−メチルヘキシル、イソヘプチル、オ
クチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、３
−メチルヘプチル、４−メチルヘプチル、５−メチルヘ
プチル、イソオクチル、トリフェニルメチル、ジフェニ
ルメチル、フェニルメチル等がある。
【００３０】また、アルコキシアルキルとしては、メト
キシメチル、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピ
ル、１−メチル−２−メトキシメチル、２−メチル−２
−メトキシメチル、４−メトキシブチル、１−メチル−
３−メトキシプロピル、２−メチル−３−メトキシプロ
ピル、３−メチル−３−メトキシプロピル、ペンチル、
１−メチル−４−メトキシブチル、２−メチル−４−メ
トキシブチル、３−メチル−４−メトキシブチル、４−
メチル−４−メトキシブチル、メトキシヘキシル、１−
メチル−５−メトキシペンチル、２−メチル−５−メト
キシペンチル、３−メチル−５−メトキシペンチル、４
−メチル−５−メトキシペンチル、５−メチル−５−メ
トキシペンチル、エトキシメチル、２−エトキシエチ
ル、３−エトキシプロピル、１−メチル−２−エトキシ
メチル、２−メチル−２−エトキシメチル、４−エトキ
シブチル、１−メチル−３−エトキシプロピル、２−メ
チル−３−エトキシプロピル、３−メチル−３−エトキ
シプロピル、ペンチル、１−メチル−４−エトキシブチ
ル、２−メチル−４−エトキシブチル、３−メチル−４
−エトキシブチル、４−メチル−４−エトキシブチル、
エトキシヘキシル、１−メチル−５−エトキシペンチ
ル、２−メチル−５−エトキシペンチル、３−メチル−
５−エトキシペンチル、４−メチル−５−エトキシペン
チル、５−メチル−５−エトキシペンチル、トリフェニ
ルメトキシメチル等がある。
キシメチル、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピ
ル、１−メチル−２−メトキシメチル、２−メチル−２
−メトキシメチル、４−メトキシブチル、１−メチル−
３−メトキシプロピル、２−メチル−３−メトキシプロ
ピル、３−メチル−３−メトキシプロピル、ペンチル、
１−メチル−４−メトキシブチル、２−メチル−４−メ
トキシブチル、３−メチル−４−メトキシブチル、４−
メチル−４−メトキシブチル、メトキシヘキシル、１−
メチル−５−メトキシペンチル、２−メチル−５−メト
キシペンチル、３−メチル−５−メトキシペンチル、４
−メチル−５−メトキシペンチル、５−メチル−５−メ
トキシペンチル、エトキシメチル、２−エトキシエチ
ル、３−エトキシプロピル、１−メチル−２−エトキシ
メチル、２−メチル−２−エトキシメチル、４−エトキ
シブチル、１−メチル−３−エトキシプロピル、２−メ
チル−３−エトキシプロピル、３−メチル−３−エトキ
シプロピル、ペンチル、１−メチル−４−エトキシブチ
ル、２−メチル−４−エトキシブチル、３−メチル−４
−エトキシブチル、４−メチル−４−エトキシブチル、
エトキシヘキシル、１−メチル−５−エトキシペンチ
ル、２−メチル−５−エトキシペンチル、３−メチル−
５−エトキシペンチル、４−メチル−５−エトキシペン
チル、５−メチル−５−エトキシペンチル、トリフェニ
ルメトキシメチル等がある。
【００３１】金属塩形成反応の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
等のＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド溶媒、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン
等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭
化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン系溶
媒、ジメチルスルホキシド等があり、好ましくはＮ，Ｎ
−ジアルキルアシルアミド溶媒を用いる。
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
等のＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド溶媒、ジエチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン
等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭
化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン系溶
媒、ジメチルスルホキシド等があり、好ましくはＮ，Ｎ
−ジアルキルアシルアミド溶媒を用いる。
【００３２】金属塩形成反応の温度は、溶媒が液状を保
つ温度であれば特に制限しないが、好ましくは−１０℃
から３０℃の範囲である。金属塩形成反応の他の条件と
しては、遮光下、無（もしくは低）酸素、又は無水の条
件が好ましく、そうすれば分解反応による収率低下を防
止できる。
つ温度であれば特に制限しないが、好ましくは−１０℃
から３０℃の範囲である。金属塩形成反応の他の条件と
しては、遮光下、無（もしくは低）酸素、又は無水の条
件が好ましく、そうすれば分解反応による収率低下を防
止できる。
【００３３】アルキル化試薬又はアルコキシアルキル化
試薬による反応の溶媒は、上記金属塩形成反応の溶媒と
同じで、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド等のＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド
溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トル
エン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等
のアルカン系溶媒、ジメチルスルホキシド等があり、好
ましくはＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド溶媒である。
試薬による反応の溶媒は、上記金属塩形成反応の溶媒と
同じで、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド等のＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド
溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トル
エン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等
のアルカン系溶媒、ジメチルスルホキシド等があり、好
ましくはＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド溶媒である。
【００３４】反応の温度は、溶媒が液状を保つ温度であ
れば特に制限しないが、好ましくは−１０℃から３０℃
の範囲である。反応の他の条件としては、遮光下、無
（もしくは低）酸素、又は無水の条件が好ましく、そう
すれば分解反応による収率低下を防止できる。
れば特に制限しないが、好ましくは−１０℃から３０℃
の範囲である。反応の他の条件としては、遮光下、無
（もしくは低）酸素、又は無水の条件が好ましく、そう
すれば分解反応による収率低下を防止できる。
【００３５】一般式（IV）の化合物の具体例としては、
下記に示すように式（IV−ａ）〜（IV−ｇ）等の化合物
がある。
下記に示すように式（IV−ａ）〜（IV−ｇ）等の化合物
がある。
【化１８】
【００３６】反応工程（３）について 一般式（IV）の化合物中のＲ2が、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル等
のアルキル基、あるいはアリル等のアルケニル基等の場
合は、これをベンジル、トリフェニルメチル等の芳香族
基置換アルキル基、メトキシメチル、１−エトキシエチ
ル等のアルコキシアルキル基、テトラヒドロフラニル、
テトラヒドロピラニル等の環状エーテル基、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボ
ニル等のアルコキシカルボニル基、トリメチルシリル、
ｔ−ブチルジメチルシリル、ジフェニルメチルシリル等
のシリル基、又はｔ−ブチル基等に置き換える操作を行
なう。以下は、その操作についての説明である。
ロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル等
のアルキル基、あるいはアリル等のアルケニル基等の場
合は、これをベンジル、トリフェニルメチル等の芳香族
基置換アルキル基、メトキシメチル、１−エトキシエチ
ル等のアルコキシアルキル基、テトラヒドロフラニル、
テトラヒドロピラニル等の環状エーテル基、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボ
ニル等のアルコキシカルボニル基、トリメチルシリル、
ｔ−ブチルジメチルシリル、ジフェニルメチルシリル等
のシリル基、又はｔ−ブチル基等に置き換える操作を行
なう。以下は、その操作についての説明である。
【００３７】一般式（IV）の化合物を酸性試薬で処理す
ると、Ｒ2が外れ、一般式（VI）の化合物が得られる。
ここで一般式（VI）中のＲ3は、一般式（IV）中のＲ3と
同じである。
ると、Ｒ2が外れ、一般式（VI）の化合物が得られる。
ここで一般式（VI）中のＲ3は、一般式（IV）中のＲ3と
同じである。
【００３８】用いる酸性試薬としては、三ヨウ化ホウ
素、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素、三
ヨウ化アルミニウム、三臭化アルミニウム、三塩化アル
ミニウム、三ヨウ化鉄、三臭化鉄、三塩化鉄、三フッ化
鉄、二ヨウ化鉄、二臭化鉄、二塩化鉄、二フッ化鉄等の
ルイス酸性を有するハロゲン化金属、ヨウ化水素、臭化
水素、塩化水素、フッ化水素等のハロゲン化水素、ヨウ
化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、フッ化水素酸、燐
酸、ホウ酸、硫酸、硝酸、パラトルエンスルホン酸、メ
タンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、クエン酸等の無機酸又は有機酸、ピリジニウムパラ
トルエンスルホネート、ピリジニウムメタンスルホネー
ト等のアンモニウムスルホネート等がある。これら酸性
試薬の使用量は特に制限しないが、好ましくは触媒量で
使用する。
素、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素、三
ヨウ化アルミニウム、三臭化アルミニウム、三塩化アル
ミニウム、三ヨウ化鉄、三臭化鉄、三塩化鉄、三フッ化
鉄、二ヨウ化鉄、二臭化鉄、二塩化鉄、二フッ化鉄等の
ルイス酸性を有するハロゲン化金属、ヨウ化水素、臭化
水素、塩化水素、フッ化水素等のハロゲン化水素、ヨウ
化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、フッ化水素酸、燐
酸、ホウ酸、硫酸、硝酸、パラトルエンスルホン酸、メ
タンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、クエン酸等の無機酸又は有機酸、ピリジニウムパラ
トルエンスルホネート、ピリジニウムメタンスルホネー
ト等のアンモニウムスルホネート等がある。これら酸性
試薬の使用量は特に制限しないが、好ましくは触媒量で
使用する。
【００３９】この反応の溶媒としては、ハロゲン化金属
を酸性試薬として用いる場合にはジクロロメタン、クロ
ロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶
媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエ
ン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の
アルカン系溶媒等があり、好ましくはハロゲン系溶媒で
ある。無機酸または有機酸又はアンモニウムスルホネー
トを酸性試薬として用いる場合には水、アルコール等の
プロトン性溶媒を共存させることが好ましい。。
を酸性試薬として用いる場合にはジクロロメタン、クロ
ロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶
媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テト
ラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエ
ン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の
アルカン系溶媒等があり、好ましくはハロゲン系溶媒で
ある。無機酸または有機酸又はアンモニウムスルホネー
トを酸性試薬として用いる場合には水、アルコール等の
プロトン性溶媒を共存させることが好ましい。。
【００４０】上記の反応温度は溶媒が液状を保つ温度で
あればに特に制限しないが、好ましくは０℃〜１００℃
である。上記酸性試薬による反応の他の条件としては、
酸化反応等による収率低下を防ぐために、遮光下、無
（又は低）酸素の条件が好ましい。
あればに特に制限しないが、好ましくは０℃〜１００℃
である。上記酸性試薬による反応の他の条件としては、
酸化反応等による収率低下を防ぐために、遮光下、無
（又は低）酸素の条件が好ましい。
【００４１】一般式（VI）で表される化合物の具体例と
しては、下記に示すような式（VI−ａ）〜（VI−ｄ）の
化合物等がある。
しては、下記に示すような式（VI−ａ）〜（VI−ｄ）の
化合物等がある。
【化１９】
【００４２】反応工程（４）又は（４'）について 一般式（VI）の化合物又は式（VI'）の化合物を保護基
形成用試薬で処理すると、一般式（IV）の化合物が得ら
れる。上記保護基形成試薬としては、アルケン−酸触媒
混合試薬、ジアルキル硫酸試薬、金属塩形成試薬とハロ
ゲン化合物もしくはスルホネート化合物との混合試薬等
がある。これら保護基形成試薬は、一般式（IV）の化合
物量の当量以上を使用するのが好ましい。
形成用試薬で処理すると、一般式（IV）の化合物が得ら
れる。上記保護基形成試薬としては、アルケン−酸触媒
混合試薬、ジアルキル硫酸試薬、金属塩形成試薬とハロ
ゲン化合物もしくはスルホネート化合物との混合試薬等
がある。これら保護基形成試薬は、一般式（IV）の化合
物量の当量以上を使用するのが好ましい。
【００４３】上記アルケン−酸触媒混合試薬に用いるア
ルケンとしては、イソブテン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ
−ピラン、２，３−ジヒドロフラン、エチルビニルエー
テル等がある。
ルケンとしては、イソブテン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ
−ピラン、２，３−ジヒドロフラン、エチルビニルエー
テル等がある。
【００４４】このアルケン−酸触媒混合試薬に用いる酸
触媒としては、三フッ化ホウ素、三塩化アルミニウム、
四塩化チタン、二塩化錫、三塩化鉄、二塩化マグネシウ
ム等のルイス酸性を有するハロゲン化金属及びそれらの
アミン系化合物あるいはエーテル系化合物の配位錯体、
ヨウ化水素、臭化水素、塩化水素、フッ化水素等のハロ
ゲン化水素、燐酸、ホウ酸、硫酸、硝酸、パラトルエン
スルホン酸、メタンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、クエン酸等の無機酸又は有機酸、ピ
リジニウムパラトルエンスルホネート、ピリジニウムメ
タンスルホネート等のアンモニウムスルホネート等があ
る。
触媒としては、三フッ化ホウ素、三塩化アルミニウム、
四塩化チタン、二塩化錫、三塩化鉄、二塩化マグネシウ
ム等のルイス酸性を有するハロゲン化金属及びそれらの
アミン系化合物あるいはエーテル系化合物の配位錯体、
ヨウ化水素、臭化水素、塩化水素、フッ化水素等のハロ
ゲン化水素、燐酸、ホウ酸、硫酸、硝酸、パラトルエン
スルホン酸、メタンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、クエン酸等の無機酸又は有機酸、ピ
リジニウムパラトルエンスルホネート、ピリジニウムメ
タンスルホネート等のアンモニウムスルホネート等があ
る。
【００４５】アルケン−酸触媒混合試薬処理の溶媒とし
ては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トル
エンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン
等のアルカン系溶媒等があり、好ましくはエーテル系溶
媒である。
ては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トル
エンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン
等のアルカン系溶媒等があり、好ましくはエーテル系溶
媒である。
【００４６】アルケン−酸触媒混合試薬処理の温度は、
溶媒が液状を保つ温度であればに特に制限しないが、好
ましくは−１０℃〜１００℃である。
溶媒が液状を保つ温度であればに特に制限しないが、好
ましくは−１０℃〜１００℃である。
【００４７】上記ジアルキル硫酸試薬としては、ジメチ
ル硫酸、ジエチル硫酸等があり、溶媒としては、ジエチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフ
ランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタンなどのアル
カン系溶媒等がある。
ル硫酸、ジエチル硫酸等があり、溶媒としては、ジエチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフ
ランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタンなどのアル
カン系溶媒等がある。
【００４８】ジアルキル硫酸試薬処理の溶媒としては、
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等
の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアル
カン系溶媒等がある。
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等
の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアル
カン系溶媒等がある。
【００４９】ジアルキル硫酸試薬処理の温度は溶媒が液
状を保つ温度であればに特に制限しないが、好ましくは
−１０℃〜１００℃である。
状を保つ温度であればに特に制限しないが、好ましくは
−１０℃〜１００℃である。
【００５０】前記金属塩形成試薬とハロゲン化合物もし
くはスルホネート化合物との混合試薬について、金属塩
形成試薬とその量は、前記反応工程（２）で述べた試薬
とその量と同様である。
くはスルホネート化合物との混合試薬について、金属塩
形成試薬とその量は、前記反応工程（２）で述べた試薬
とその量と同様である。
【００５１】ハロゲン化合物としては、ハロゲン化アル
キル、ハロゲン化アルコキシアルキル、ハロゲン化シラ
ン、ハロゲン化アルキルオキシカルボニル等がある。
キル、ハロゲン化アルコキシアルキル、ハロゲン化シラ
ン、ハロゲン化アルキルオキシカルボニル等がある。
【００５２】ここでハロゲン化アルキルとしては、ヨウ
化アルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等があり、ハ
ロゲン化アルコキシアルキルとしては、ヨウ化アルコキ
シアルキル、臭化アルコキシアルキル、塩化アルコキシ
アルキル等があり、ハロゲン化シランとしては、ヨウ化
トリアルキルシラン、臭化トリアルキルシラン、塩化ト
リアルキルシラン、ヨウ化ジアルキルアリールシラン、
臭化ジアルキルアリールシラン、塩化ジアルキルアリー
ルシラン、ヨウ化アルキルジアリールシラン、臭化アル
キルジアリールシラン、塩化アルキルジアリールシラ
ン、ヨウ化トリアリールシラン、臭化トリアリールシラ
ン、塩化トリアリールシラン等があり、ハロゲン化アル
キルオキシカルボニルとしては、ヨウ化アルキルオキシ
カルボニル、臭化アルキルオキシカルボニル、ヨウ化ア
リールオキシカルボニル、臭化アリールオキシカルボニ
ル、塩化アリールオキシカルボニル等がある。
化アルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等があり、ハ
ロゲン化アルコキシアルキルとしては、ヨウ化アルコキ
シアルキル、臭化アルコキシアルキル、塩化アルコキシ
アルキル等があり、ハロゲン化シランとしては、ヨウ化
トリアルキルシラン、臭化トリアルキルシラン、塩化ト
リアルキルシラン、ヨウ化ジアルキルアリールシラン、
臭化ジアルキルアリールシラン、塩化ジアルキルアリー
ルシラン、ヨウ化アルキルジアリールシラン、臭化アル
キルジアリールシラン、塩化アルキルジアリールシラ
ン、ヨウ化トリアリールシラン、臭化トリアリールシラ
ン、塩化トリアリールシラン等があり、ハロゲン化アル
キルオキシカルボニルとしては、ヨウ化アルキルオキシ
カルボニル、臭化アルキルオキシカルボニル、ヨウ化ア
リールオキシカルボニル、臭化アリールオキシカルボニ
ル、塩化アリールオキシカルボニル等がある。
【００５３】また、スルホネート化合物としてはアルキ
ルスルホネート、アルコキシアルキルスルホネート等が
ある。
ルスルホネート、アルコキシアルキルスルホネート等が
ある。
【００５４】ここで、アルキルスルホネートとしては、
アルキルメタンスルホネート、アルキルパラトルエンス
ルホネート等があり、アルコキシアルキルスルホネート
としては、アルコキシアルキルメタンスルホネート、ア
ルコキシアルキルパラトルエンスルホネート等がある。
アルキルメタンスルホネート、アルキルパラトルエンス
ルホネート等があり、アルコキシアルキルスルホネート
としては、アルコキシアルキルメタンスルホネート、ア
ルコキシアルキルパラトルエンスルホネート等がある。
【００５５】なお、上記におけるアリールとしては、フ
ェニル、パラアルキルフェニル、パラアルキルオキシフ
ェニル、１−ビフェニル、２−ビフェニル、２−フリ
ル、２−ピリジル、２−チエニル等があり、また、アル
キル又はアルコキシアルキルとしては、先に反応工程
（２）で述べたアルキル試薬又はアルコキシアルキル化
試薬のアルキル又はアルコキシアルキルと同様である。
ェニル、パラアルキルフェニル、パラアルキルオキシフ
ェニル、１−ビフェニル、２−ビフェニル、２−フリ
ル、２−ピリジル、２−チエニル等があり、また、アル
キル又はアルコキシアルキルとしては、先に反応工程
（２）で述べたアルキル試薬又はアルコキシアルキル化
試薬のアルキル又はアルコキシアルキルと同様である。
【００５６】前記混合試薬処理の溶媒としては、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド等のＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド溶媒、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン系溶
媒、ジメチルスルホキシド等があり、好ましくはＮ，Ｎ
−ジアルキルアシルアミド溶媒である。
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド等のＮ，Ｎ−ジアルキルアシルアミド溶媒、ジエチル
エーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族
炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン系溶
媒、ジメチルスルホキシド等があり、好ましくはＮ，Ｎ
−ジアルキルアシルアミド溶媒である。
【００５７】上記混合試薬処理の温度は、溶媒が液状を
保つ温度であればに特に制限しないが、好ましくは−１
０℃〜３０℃である。上記混合試薬処理の他の条件とし
ては、分解反応を防ぐために、遮光下、無（又は低）酸
素及び無水の条件が好ましい。
保つ温度であればに特に制限しないが、好ましくは−１
０℃〜３０℃である。上記混合試薬処理の他の条件とし
ては、分解反応を防ぐために、遮光下、無（又は低）酸
素及び無水の条件が好ましい。
【００５８】反応工程（５）について 一般式（IV）の化合物を還元試薬で還元すると、一般式
（III）の化合物が得られる。一般式（III）中のＲ2は
一般式（IV）中のＲ2と同じである。
（III）の化合物が得られる。一般式（III）中のＲ2は
一般式（IV）中のＲ2と同じである。
【００５９】還元試薬としては、水素化アルミニウムリ
チウム、水素化トリメトキシアルミニウムリチウム、水
素化ジエチルアルミニウムナトリウム、水素化アルミニ
ウム、水素化ジクロロアルミニウム、水素化ジイソブチ
ルアルムニウム等の金属水素化物がある。これら還元試
薬は、好ましくは、一般式（IV）の化合物量の当量以上
を使用する。
チウム、水素化トリメトキシアルミニウムリチウム、水
素化ジエチルアルミニウムナトリウム、水素化アルミニ
ウム、水素化ジクロロアルミニウム、水素化ジイソブチ
ルアルムニウム等の金属水素化物がある。これら還元試
薬は、好ましくは、一般式（IV）の化合物量の当量以上
を使用する。
【００６０】還元反応の溶媒としては、ジエチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水
素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン系溶媒等が
あり、好ましくはエーテル系溶媒を使用する。
ル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水
素系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等のアルカン系溶媒等が
あり、好ましくはエーテル系溶媒を使用する。
【００６１】還元反応の温度は、溶媒が液状を保つ温度
であれば特に制限しないが、好ましくは−１０℃から３
０℃の範囲である。還元反応の他の条件としては、分解
反応による収率低下を防止するため、遮光下、無（又は
低）酸素及び無水の条件が好ましい。
であれば特に制限しないが、好ましくは−１０℃から３
０℃の範囲である。還元反応の他の条件としては、分解
反応による収率低下を防止するため、遮光下、無（又は
低）酸素及び無水の条件が好ましい。
【００６２】一般式（III）の化合物の具体例は、下記
に示すような式（III−ａ）〜（III−ｅ）等の化合物が
ある。
に示すような式（III−ａ）〜（III−ｅ）等の化合物が
ある。
【化２０】
【００６３】反応工程（８）について Ｒ2が、ベンジル、トリフェニルメチル等の芳香族基置
換アルキル基、メトキシメチル、１−エトキシエチル等
のアルコキシアルキル基、テトラヒドロフラニル、テト
ラヒドロピラニル等の環状エーテル基、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル
等のアルコキシカルボニル基、トリメチルシリル、ｔ−
ブチルジメチルシリル、ジフェニルメチルシリル等のシ
リル基、又はｔ−ブチル基であるような場合の、一般式
（III）の化合物を原料とするときは、一般式（III）の
化合物を還元試薬で処理すると、（一般式（IV）や一般
式（VI）の化合物を経由することなく）一般式（III）
の化合物が得られる。このときの還元反応の条件は、前
記反応工程（５）で述べた条件と同様である。
換アルキル基、メトキシメチル、１−エトキシエチル等
のアルコキシアルキル基、テトラヒドロフラニル、テト
ラヒドロピラニル等の環状エーテル基、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル
等のアルコキシカルボニル基、トリメチルシリル、ｔ−
ブチルジメチルシリル、ジフェニルメチルシリル等のシ
リル基、又はｔ−ブチル基であるような場合の、一般式
（III）の化合物を原料とするときは、一般式（III）の
化合物を還元試薬で処理すると、（一般式（IV）や一般
式（VI）の化合物を経由することなく）一般式（III）
の化合物が得られる。このときの還元反応の条件は、前
記反応工程（５）で述べた条件と同様である。
【００６４】反応工程（６）について 一般式（III）の化合物を金属塩形成試薬、及びアルキ
ル化試薬もしくはアルコキシアルキル化試薬で処理する
と、一般式（II）の化合物が得られる。ここで、一般式
（II）におけるＲ2は一般式（III）におけるＲ2と同じ
ものである。
ル化試薬もしくはアルコキシアルキル化試薬で処理する
と、一般式（II）の化合物が得られる。ここで、一般式
（II）におけるＲ2は一般式（III）におけるＲ2と同じ
ものである。
【００６５】用いる金属塩形成試薬は、前記反応工程
（２）で述べた金属塩形成試薬と同様であり、その使用
量は一般式（III）の化合物量の当量以上が好ましい。
（２）で述べた金属塩形成試薬と同様であり、その使用
量は一般式（III）の化合物量の当量以上が好ましい。
【００６６】用いるアルキル化試薬もしくはアルコキシ
アルキル化試薬は、アルキル化試薬としては、ヨウ化ア
ルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等のハロゲン化ア
ルキル、アルキルメタンスルホネート、アルキルパラト
ルエンスルホネート等のアルキルスルホネート、硫酸ジ
アルキル等がある。また、アルコキシアルキル化試薬と
しては、ヨウ化アルコキシアルキル、臭化アルコキシア
ルキル、塩化アルコキシアルキル等のハロゲン化アルコ
キシアルキル、アルコキシアルキルメタンスルホネー
ト、アルコキシアルキルパラトルエンスルホネート等の
アルコキシアルキルスルホネート、硫酸ジアルコキシア
ルキル等がある。
アルキル化試薬は、アルキル化試薬としては、ヨウ化ア
ルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等のハロゲン化ア
ルキル、アルキルメタンスルホネート、アルキルパラト
ルエンスルホネート等のアルキルスルホネート、硫酸ジ
アルキル等がある。また、アルコキシアルキル化試薬と
しては、ヨウ化アルコキシアルキル、臭化アルコキシア
ルキル、塩化アルコキシアルキル等のハロゲン化アルコ
キシアルキル、アルコキシアルキルメタンスルホネー
ト、アルコキシアルキルパラトルエンスルホネート等の
アルコキシアルキルスルホネート、硫酸ジアルコキシア
ルキル等がある。
【００６７】これらアルキル化試薬もしくはアルコキシ
アルキル化試薬のアルキル又はアルコキシアルキルは、
前記反応工程（２）で挙げたアルキルもしくはアルコキ
シアルキルと同様である。これらアルキル化試薬もしく
はアルコキシアルキル化試薬は、一般式（III）の化合
物量の当量以上を使用するのが好ましい。その他、金属
塩形成反応及びアルキル化もしくはアルコキシアルキル
化反応の溶媒、反応温度及びその他の反応条件は、前記
反応工程（２）で述べた条件と同様である。
アルキル化試薬のアルキル又はアルコキシアルキルは、
前記反応工程（２）で挙げたアルキルもしくはアルコキ
シアルキルと同様である。これらアルキル化試薬もしく
はアルコキシアルキル化試薬は、一般式（III）の化合
物量の当量以上を使用するのが好ましい。その他、金属
塩形成反応及びアルキル化もしくはアルコキシアルキル
化反応の溶媒、反応温度及びその他の反応条件は、前記
反応工程（２）で述べた条件と同様である。
【００６８】一般式（II）の化合物の具体例は、下記に
示すように式（II−ａ）〜（II−ｅ）等の化合物があ
る。
示すように式（II−ａ）〜（II−ｅ）等の化合物があ
る。
【化２１】
【００６９】反応工程（７）について 一般式（II）の化合物を酸性試薬で処理し、脱保護（脱
Ｒ2）すると、一般式（Ｉ）の化合物が得られる。ここ
で、一般式（Ｉ）におけるＲ1は一般式（II）における
Ｒ1と同じである。用いる酸性試薬及びその使用量は前
記反応工程（３）で述べた試薬及びその量と同様であ
る。この酸性試薬処理の反応溶媒としては種々の溶媒を
使用できるが、無機酸又は有機酸あるいはアンモニウム
スルホネートを酸性試薬として用いる場合は、水やアル
コール等のプロトン性溶媒を共存させることが好まし
い。反応温度やその他の反応条件（遮光下、無（もしく
は低）酸素の条件）も、前記反応工程（３）で記述した
条件と同様である。
Ｒ2）すると、一般式（Ｉ）の化合物が得られる。ここ
で、一般式（Ｉ）におけるＲ1は一般式（II）における
Ｒ1と同じである。用いる酸性試薬及びその使用量は前
記反応工程（３）で述べた試薬及びその量と同様であ
る。この酸性試薬処理の反応溶媒としては種々の溶媒を
使用できるが、無機酸又は有機酸あるいはアンモニウム
スルホネートを酸性試薬として用いる場合は、水やアル
コール等のプロトン性溶媒を共存させることが好まし
い。反応温度やその他の反応条件（遮光下、無（もしく
は低）酸素の条件）も、前記反応工程（３）で記述した
条件と同様である。
【００７０】一般式（Ｉ）の化合物の具体例は下記に示
すように、式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｅ）等の化合物があ
る。
すように、式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｅ）等の化合物があ
る。
【化２２】
【００７１】反応工程（９）について 一般式（Ｖ）の化合物を酸性試薬で処理すると、式（V
I'）の化合物が得られる。ここで用いる酸性試薬は前記
反応工程（４）で述べた酸性試薬と同様である。
I'）の化合物が得られる。ここで用いる酸性試薬は前記
反応工程（４）で述べた酸性試薬と同様である。
【００７２】以下、実施例により本発明を具体的に説明
する。
する。
参考例１ 光学活性な２−ジフルオロメチル（４−メト
キシフェニル）酢酸の合成……反応工程（１）による式
（VII）→式（V）の化合物 蒸留水１００ｍｌにトリプトン１％、イーストエキス
０．５％、塩化ナトリウム１％を溶解して作った培地
で、アルカリゲネス ブロンチセプティクスＫＵ１２０
１（微工研菌寄１１６７０号）から取り出したＤＮＡ断
片から調製した組替えプラスミドによって形質転換され
た不斉脱炭酸能を有する大腸菌ＤＨ５α−ＭＣＲ／ｐＡ
ＭＤ１００（微工研菌寄１２９６９号）を振蘯培養し、
遠心分離（８００Ｇ、１５分間、４℃）により菌体４ｇ
を得た。菌体を、ｐＨ７．０のリン酸緩衝溶液（１００
ｍＭ、０．５ｍＭエチレンジアミン４酢酸、５．０ｍＭ
メルカプトエタノール）に加えて、５０ｍｌの懸濁液と
した。この懸濁液を氷冷下で２０分間超音波により粉砕
した。粉砕液を遠心分離（８００Ｇ、１５分間、４℃）
し、上澄み液を採取した。沈殿は再粉砕後、同様の処理
を行った。上澄み液（５０ｍｌ）に硫酸アンモニウム１
９．５ｇを攪拌しながら加えて６０％飽和とし、１時間
攪拌した。生じた沈殿を遠心分離（８００Ｇ、１５分
間、４℃）して採取し、これをｐＨ７．０リン酸緩衝溶
液（１０ｍＭ、０．５ｍＭエチレンジアミン４酢酸、
５．０ｍＭメルカプトエタノール）２０ｍｌを用いて透
析チューブに移し、ｐＨ７．０リン酸緩衝溶液（１０ｍ
Ｍ、０．５ｍＭエチレンジアミン４酢酸、５．０ｍＭメ
ルカプトエタノール）１Ｌ中、０℃で１２時間透析して
酵素液を得た。
キシフェニル）酢酸の合成……反応工程（１）による式
（VII）→式（V）の化合物 蒸留水１００ｍｌにトリプトン１％、イーストエキス
０．５％、塩化ナトリウム１％を溶解して作った培地
で、アルカリゲネス ブロンチセプティクスＫＵ１２０
１（微工研菌寄１１６７０号）から取り出したＤＮＡ断
片から調製した組替えプラスミドによって形質転換され
た不斉脱炭酸能を有する大腸菌ＤＨ５α−ＭＣＲ／ｐＡ
ＭＤ１００（微工研菌寄１２９６９号）を振蘯培養し、
遠心分離（８００Ｇ、１５分間、４℃）により菌体４ｇ
を得た。菌体を、ｐＨ７．０のリン酸緩衝溶液（１００
ｍＭ、０．５ｍＭエチレンジアミン４酢酸、５．０ｍＭ
メルカプトエタノール）に加えて、５０ｍｌの懸濁液と
した。この懸濁液を氷冷下で２０分間超音波により粉砕
した。粉砕液を遠心分離（８００Ｇ、１５分間、４℃）
し、上澄み液を採取した。沈殿は再粉砕後、同様の処理
を行った。上澄み液（５０ｍｌ）に硫酸アンモニウム１
９．５ｇを攪拌しながら加えて６０％飽和とし、１時間
攪拌した。生じた沈殿を遠心分離（８００Ｇ、１５分
間、４℃）して採取し、これをｐＨ７．０リン酸緩衝溶
液（１０ｍＭ、０．５ｍＭエチレンジアミン４酢酸、
５．０ｍＭメルカプトエタノール）２０ｍｌを用いて透
析チューブに移し、ｐＨ７．０リン酸緩衝溶液（１０ｍ
Ｍ、０．５ｍＭエチレンジアミン４酢酸、５．０ｍＭメ
ルカプトエタノール）１Ｌ中、０℃で１２時間透析して
酵素液を得た。
【００７３】１Ｌ三角フラスコに２−ジフルオロメチル
−２−（４−メトキシフェニル）マロン酸３．００ｇ
（１１．５ｍｍｏｌ）を量り取り、ｐＨ７．０リン酸緩
衝溶液２８８．３ｍｌで溶解した。これに２−メルカプ
トエタノール（０．０１ｍｏｌ／Ｌ水溶液）５６．２ｍ
ｌと 上記酵素液４．４ｍｌを加え、反応容器に綿栓を
して２０℃で放置した。１８時間後反応容器を氷冷し、
溶液を塩酸酸性（ｐＨ３）にした後ジエチルエーテルで
抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、氷冷下で減圧乾燥した。得られた結晶の光学純度を
光学活性カラムchiralcelＯＪ（ダイセル化学製）を用
いた液体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロ
パノール＝７／３、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温
度３０℃）で測定したところ９２．４％ｅｅであった。
これをヘキサン／ジエチルエーテル＝８／１混合液で再
結晶し、光学純度９８．０％ｅｅ以上の光学活性２−ジ
フルオロメチル（４−メトキシフェニル）酢酸１．８２
ｇ（７３．１％）を得た。
−２−（４−メトキシフェニル）マロン酸３．００ｇ
（１１．５ｍｍｏｌ）を量り取り、ｐＨ７．０リン酸緩
衝溶液２８８．３ｍｌで溶解した。これに２−メルカプ
トエタノール（０．０１ｍｏｌ／Ｌ水溶液）５６．２ｍ
ｌと 上記酵素液４．４ｍｌを加え、反応容器に綿栓を
して２０℃で放置した。１８時間後反応容器を氷冷し、
溶液を塩酸酸性（ｐＨ３）にした後ジエチルエーテルで
抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、氷冷下で減圧乾燥した。得られた結晶の光学純度を
光学活性カラムchiralcelＯＪ（ダイセル化学製）を用
いた液体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロ
パノール＝７／３、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温
度３０℃）で測定したところ９２．４％ｅｅであった。
これをヘキサン／ジエチルエーテル＝８／１混合液で再
結晶し、光学純度９８．０％ｅｅ以上の光学活性２−ジ
フルオロメチル（４−メトキシフェニル）酢酸１．８２
ｇ（７３．１％）を得た。
【００７４】［α］D 22： −８１．６０°（ｃ１．０
２，ＣＨＣｌ3） 赤外線吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３１６０，２９６８，２８４４，１７２８，１６７４，
１６１４，１５２０，１４６２，１４１６，１３２４，
１３０８，１２６４，１２５０，１２０２，１１８０，
１１３４，１１１２，１０８０，１０３０，９６４，９
２８，８８８，８３４，８１６，７９６，７７８，７３
２，６７６1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ３．８１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3 Ｏ），３．８〜４．１
（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ），５．９〜６．５（ｄｔ，
１Ｈ，ＣＦ2 Ｈ），６．９１（ｄ，２Ｈ，Ｐｈ，Ｊ＝
８．７Ｈｚ），７．２５（ｄ，２Ｈ，Ｐｈ，Ｊ＝８．７
Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５８．０３（ｄｄｄｄ，ＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝１６５３．４
Ｈｚ，Ｊ＝３００．９Ｈｚ，Ｊ＝５９．７Ｈｚ，Ｊ＝１
３．７Ｈｚ）
２，ＣＨＣｌ3） 赤外線吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３１６０，２９６８，２８４４，１７２８，１６７４，
１６１４，１５２０，１４６２，１４１６，１３２４，
１３０８，１２６４，１２５０，１２０２，１１８０，
１１３４，１１１２，１０８０，１０３０，９６４，９
２８，８８８，８３４，８１６，７９６，７７８，７３
２，６７６1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ３．８１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3 Ｏ），３．８〜４．１
（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ），５．９〜６．５（ｄｔ，
１Ｈ，ＣＦ2 Ｈ），６．９１（ｄ，２Ｈ，Ｐｈ，Ｊ＝
８．７Ｈｚ），７．２５（ｄ，２Ｈ，Ｐｈ，Ｊ＝８．７
Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５８．０３（ｄｄｄｄ，ＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝１６５３．４
Ｈｚ，Ｊ＝３００．９Ｈｚ，Ｊ＝５９．７Ｈｚ，Ｊ＝１
３．７Ｈｚ）
【００７５】実施例１ （Ｒ）−４−（２，２−ジフル
オロ−１−メトキシカルボニルエチル）メチルエーテル
の合成……反応工程（２）による式（V）→式（IV）の
化合物 １５０ｍｌ平底フラスコにエタノール１５ｍｌ、水１５
ｍｌ、水酸化カリウム７．５ｇ（２５倍当量）を量り取
り、分岐アダプタと２００ｍｌ滴下ロートを取付けた。
平底フラスコは７８℃以下の温水につけ、ｐ−トルエン
スルホニル−Ｎ−メチル−Ｎ−ニトロソアミド４．９６
ｇ（５倍当量）のジエチルエーテル２５ｍｌ溶液を滴下
ロートから少量ずつ滴下した。発生したジアゾメタンの
ジエチルエーテル蒸気をドライアイスとアセトンで冷却
したフィンガートラップで凝縮させて１５０ｍｌ平底フ
ラスコで受けた。調製したジアゾメタン溶液に（Ｒ）−
２−ジフルオロメチル−２−（４−メトキシフェニル）
酢酸１．０１ｇを加え、室温で放置した。２時間後、反
応液を４０℃で減圧濃縮し（Ｒ）−４−（２，２−ジフ
ルオロ−１−メトキシカルボニルエチル）メチルエーテ
ル１．０４ｇ（９６．９％）を得た。
オロ−１−メトキシカルボニルエチル）メチルエーテル
の合成……反応工程（２）による式（V）→式（IV）の
化合物 １５０ｍｌ平底フラスコにエタノール１５ｍｌ、水１５
ｍｌ、水酸化カリウム７．５ｇ（２５倍当量）を量り取
り、分岐アダプタと２００ｍｌ滴下ロートを取付けた。
平底フラスコは７８℃以下の温水につけ、ｐ−トルエン
スルホニル−Ｎ−メチル−Ｎ−ニトロソアミド４．９６
ｇ（５倍当量）のジエチルエーテル２５ｍｌ溶液を滴下
ロートから少量ずつ滴下した。発生したジアゾメタンの
ジエチルエーテル蒸気をドライアイスとアセトンで冷却
したフィンガートラップで凝縮させて１５０ｍｌ平底フ
ラスコで受けた。調製したジアゾメタン溶液に（Ｒ）−
２−ジフルオロメチル−２−（４−メトキシフェニル）
酢酸１．０１ｇを加え、室温で放置した。２時間後、反
応液を４０℃で減圧濃縮し（Ｒ）−４−（２，２−ジフ
ルオロ−１−メトキシカルボニルエチル）メチルエーテ
ル１．０４ｇ（９６．９％）を得た。
【００７６】［α］D 27： −９４．２１°（ｃ１．０
０，ＣＨＣｌ3） 赤外線吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３０１２，２９６４，２８４８，２０６０，１９０２，
１７４０，１６１６，１５８８，１５１６，１４６６，
１４４２，１３８８，１３５４，１３３２，１３０８，
１２５２，１２１２，１１８２，１１７０，１１３０，
１１１０，１０７０，１０３２，９９２，９１６，８７
８，８３２，７９６，７７２，７６０，６８２，６３
６，５８２，５４０1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ３．７４（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＣＨ3 ），３．８０（ｓ，
３Ｈ，ＯＣＨ3 ），３．９５（ｄｄｄ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2
Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ， Ｊ＝１７．
０Ｈｚ），６．２０（ｄｔ，１Ｈ，ＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．
７Ｈｚ，Ｊ＝５５．６Ｈｚ），６．９０（ｄ，２Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．２６（ｄ，２Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５７．９７（ｄｄｄ，１Ｆ，ＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝１１．５
Ｈｚ，Ｊ＝５５．６，Ｊ＝２９８．７）
０，ＣＨＣｌ3） 赤外線吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３０１２，２９６４，２８４８，２０６０，１９０２，
１７４０，１６１６，１５８８，１５１６，１４６６，
１４４２，１３８８，１３５４，１３３２，１３０８，
１２５２，１２１２，１１８２，１１７０，１１３０，
１１１０，１０７０，１０３２，９９２，９１６，８７
８，８３２，７９６，７７２，７６０，６８２，６３
６，５８２，５４０1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ３．７４（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＣＨ3 ），３．８０（ｓ，
３Ｈ，ＯＣＨ3 ），３．９５（ｄｄｄ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2
Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ， Ｊ＝１７．
０Ｈｚ），６．２０（ｄｔ，１Ｈ，ＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．
７Ｈｚ，Ｊ＝５５．６Ｈｚ），６．９０（ｄ，２Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．２６（ｄ，２Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５７．９７（ｄｄｄ，１Ｆ，ＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝１１．５
Ｈｚ，Ｊ＝５５．６，Ｊ＝２９８．７）
【００７７】実施例２ （Ｒ）−４−（２，２−ジフル
オロ−１−メトキシカルボニルエチル）フェノールの合
成……反応工程（３）による式（IV）→式（VI）の化合
物 窒素置換した７０ｍｌ封管に（Ｒ）−４−（２，２−ジ
フルオロ−１−メトキシカルボニルエチル）メチルエー
テル２．１３ｇ（９．２５ｍｍｏｌ）を精製クロロホル
ム４６ｍｌで移し、食塩−氷で冷却下、三臭化ホウ素
４．３ｍｌ（５．０倍当量）を滴下した。０℃で２０時
間撹拌後、反応液を氷冷した燐酸緩衝液中に注加して撹
拌した。２．５時間後、これを酢酸エチル１００ｍｌで
抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、４０
℃で減圧濃縮した。得られたオイル状残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル
＝３／１）で精製し、無色オイルとして（Ｒ）−４−
（２，２−ジフルオロ−１−メトキシカルボニルエチ
ル）フェノール１．２９ｇ（６４％）を得た。少量を液
体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロパノー
ル＝７／３、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温度３０
℃、ＲＴS＝１８．５４分、ＲＴR＝１９．９１分）で光
学純度を測定したところ９８％ｅｅ以上であった。
オロ−１−メトキシカルボニルエチル）フェノールの合
成……反応工程（３）による式（IV）→式（VI）の化合
物 窒素置換した７０ｍｌ封管に（Ｒ）−４−（２，２−ジ
フルオロ−１−メトキシカルボニルエチル）メチルエー
テル２．１３ｇ（９．２５ｍｍｏｌ）を精製クロロホル
ム４６ｍｌで移し、食塩−氷で冷却下、三臭化ホウ素
４．３ｍｌ（５．０倍当量）を滴下した。０℃で２０時
間撹拌後、反応液を氷冷した燐酸緩衝液中に注加して撹
拌した。２．５時間後、これを酢酸エチル１００ｍｌで
抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、４０
℃で減圧濃縮した。得られたオイル状残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル
＝３／１）で精製し、無色オイルとして（Ｒ）−４−
（２，２−ジフルオロ−１−メトキシカルボニルエチ
ル）フェノール１．２９ｇ（６４％）を得た。少量を液
体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロパノー
ル＝７／３、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温度３０
℃、ＲＴS＝１８．５４分、ＲＴR＝１９．９１分）で光
学純度を測定したところ９８％ｅｅ以上であった。
【００７８】［α］D 26： −９１．０°（ｃ１．１
６，ＣＨＣｌ3） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３４１６，３０３６，２９６４，２９２８，２８５６，
１７４０，１６１８，１６００，１５２０，１４４０，
１３８８，１３６２，１３１０，１２５８，１２１４，
１１７８，１１２８，１１０６，１０７０，１０１４，
９９４，９１６，８７８，８３４，８１６，７６６，７
３０，７１８，６８４，６４０，５８０，５５０，５４
０，４９８，４００1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ３．７５（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＣＨ3 ），３．９６（１
Ｈ，ｄｄｄ，ＣＨＣＦ2Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，Ｊ＝１
０．３Ｈｚ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ），５．１７（ｂｒｏａ
ｄ ｓ，１Ｈ，ＨＯ），６．１９（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣ
Ｆ2 Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，Ｊ＝５５．５Ｈｚ），６．８
３（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．２１
（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）ｐｐｍ19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．５９（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，Ｊ＝
５５．５Ｈｚ，Ｊ＝２７８．２Ｈｚ），−６１．３３
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，Ｊ＝５５．５Ｈ
ｚ，Ｊ＝２７８．２Ｈｚ）
６，ＣＨＣｌ3） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３４１６，３０３６，２９６４，２９２８，２８５６，
１７４０，１６１８，１６００，１５２０，１４４０，
１３８８，１３６２，１３１０，１２５８，１２１４，
１１７８，１１２８，１１０６，１０７０，１０１４，
９９４，９１６，８７８，８３４，８１６，７６６，７
３０，７１８，６８４，６４０，５８０，５５０，５４
０，４９８，４００1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ３．７５（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＣＨ3 ），３．９６（１
Ｈ，ｄｄｄ，ＣＨＣＦ2Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，Ｊ＝１
０．３Ｈｚ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ），５．１７（ｂｒｏａ
ｄ ｓ，１Ｈ，ＨＯ），６．１９（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣ
Ｆ2 Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，Ｊ＝５５．５Ｈｚ），６．８
３（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．２１
（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）ｐｐｍ19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．５９（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，Ｊ＝
５５．５Ｈｚ，Ｊ＝２７８．２Ｈｚ），−６１．３３
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，Ｊ＝５５．５Ｈ
ｚ，Ｊ＝２７８．２Ｈｚ）
【００７９】実施例３ （Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−メトキシカルボニルエチル）−１−テトラ
ヒドロピラニルオキシベンゼンの合成……反応工程
（４）による式（VI）→式（IV）の化合物 （Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−メトキシカル
ボニルエチル）フェノール８７８．９ｍｇ（４．０７ｍ
ｍｏｌ）を蒸留クロロホルム２０ｍｌに溶解し、３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン０．７４ｍｌ（２倍当量）を
加えた。２時間後、薄層シリカゲルクロマトグラフ（展
開系：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で、原料（Ｒｆ
＝０．７９）の消失と目的物（Ｒｆ＝０．４７）の生成
を確認した。反応液にピリジン０．５ｍｌを添加し減圧
濃縮して無色粗オイル状残渣として（Ｒ）−４−（１−
ジフルオロメチル−２−メトキシカルボニルエチル）−
１−テトラヒドロピラニルオキシベンゼン１．６９ｇを
得た。
メチル−２−メトキシカルボニルエチル）−１−テトラ
ヒドロピラニルオキシベンゼンの合成……反応工程
（４）による式（VI）→式（IV）の化合物 （Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−メトキシカル
ボニルエチル）フェノール８７８．９ｍｇ（４．０７ｍ
ｍｏｌ）を蒸留クロロホルム２０ｍｌに溶解し、３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン０．７４ｍｌ（２倍当量）を
加えた。２時間後、薄層シリカゲルクロマトグラフ（展
開系：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で、原料（Ｒｆ
＝０．７９）の消失と目的物（Ｒｆ＝０．４７）の生成
を確認した。反応液にピリジン０．５ｍｌを添加し減圧
濃縮して無色粗オイル状残渣として（Ｒ）−４−（１−
ジフルオロメチル−２−メトキシカルボニルエチル）−
１−テトラヒドロピラニルオキシベンゼン１．６９ｇを
得た。
【００８０】1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐ
ｍ，ＣＤＣｌ3，内部標準テトラメチルシラン） １．０〜２．０（ｍ，６Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃ
Ｈ），３．３〜３．９（ｍ，２Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ），３．７５（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），
３．９６（１Ｈ，ｄｄｄ，ＣＨＣＦ2Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈ
ｚ，Ｊ＝１０．３Ｈｚ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），５．０９
（ｂｒｏａｄ ｓ，１Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ），６．１９（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．
７Ｈｚ，Ｊ＝５５．６Ｈｚ），６．８３（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．２１（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．５８（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，Ｊ＝
５５．６Ｈｚ，Ｊ＝２７９．８Ｈｚ），−６１．３５
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，Ｊ＝５５．６Ｈ
ｚ，Ｊ＝２７９．８Ｈｚ）
ｍ，ＣＤＣｌ3，内部標準テトラメチルシラン） １．０〜２．０（ｍ，６Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃ
Ｈ），３．３〜３．９（ｍ，２Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ），３．７５（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），
３．９６（１Ｈ，ｄｄｄ，ＣＨＣＦ2Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈ
ｚ，Ｊ＝１０．３Ｈｚ，Ｊ＝１２．２Ｈｚ），５．０９
（ｂｒｏａｄ ｓ，１Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ），６．１９（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．
７Ｈｚ，Ｊ＝５５．６Ｈｚ），６．８３（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．２１（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．５８（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，Ｊ＝
５５．６Ｈｚ，Ｊ＝２７９．８Ｈｚ），−６１．３５
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，Ｊ＝５５．６Ｈ
ｚ，Ｊ＝２７９．８Ｈｚ）
【００８１】実施例４ （Ｒ）−４−（２，２−ジフル
オロ−１−ヒドロキシカルボニルエチル）フェノールの
合成……反応工程（９）による式（V）→式（VI'）の化
合物 窒素置換した７０ｍｌ封管に（Ｒ）−４−（２，２−ジ
フルオロ−１−ヒドロキシカルボニルエチル）−１−メ
トキシベンゼン５００．８ｍｇ（２．３１７ｍｍｏｌ）
を精製クロロホルム２３ｍｌで移し、食塩−氷で冷却
下、三臭化ホウ素１．７ｍｌ（８．０倍当量）を滴下し
た。０℃で２３時間撹拌後反応液を氷冷し、２Ｎ塩酸で
ｐＨ３に調整した。室温で１時間攪拌後、これをジエチ
ルエーテル１００ｍｌで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後４０℃で減圧濃縮し、無色粗オイルと
して（Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−ヒドロキ
シカルボニルエチル）フェノール５５１．４ｍｇ（６４
％）を得た。少量を混合溶媒（ジエチルエーテル／メタ
ノール＝１０／１）０．２ｍｌに溶解してトリメチルシ
リルジアゾメタン２滴を加え、３０分後に減圧濃縮して
光学活性カラムchiralcelＯＪ（ダイセル化学製）を用
いた液体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロ
パノール＝７／３、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温
度３０℃、ＲＴS＝１８．５４分、ＲＴR＝１９．９１
分）で光学純度を測定したところ６３．６％ｅｅであっ
た。
オロ−１−ヒドロキシカルボニルエチル）フェノールの
合成……反応工程（９）による式（V）→式（VI'）の化
合物 窒素置換した７０ｍｌ封管に（Ｒ）−４−（２，２−ジ
フルオロ−１−ヒドロキシカルボニルエチル）−１−メ
トキシベンゼン５００．８ｍｇ（２．３１７ｍｍｏｌ）
を精製クロロホルム２３ｍｌで移し、食塩−氷で冷却
下、三臭化ホウ素１．７ｍｌ（８．０倍当量）を滴下し
た。０℃で２３時間撹拌後反応液を氷冷し、２Ｎ塩酸で
ｐＨ３に調整した。室温で１時間攪拌後、これをジエチ
ルエーテル１００ｍｌで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後４０℃で減圧濃縮し、無色粗オイルと
して（Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−ヒドロキ
シカルボニルエチル）フェノール５５１．４ｍｇ（６４
％）を得た。少量を混合溶媒（ジエチルエーテル／メタ
ノール＝１０／１）０．２ｍｌに溶解してトリメチルシ
リルジアゾメタン２滴を加え、３０分後に減圧濃縮して
光学活性カラムchiralcelＯＪ（ダイセル化学製）を用
いた液体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロ
パノール＝７／３、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温
度３０℃、ＲＴS＝１８．５４分、ＲＴR＝１９．９１
分）で光学純度を測定したところ６３．６％ｅｅであっ
た。
【００８２】赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３３７６，３０９２，３０４４，２９９２，１７１６，
１６１６，１６００，１５１６，１４４８，１３８８，
１３２２，１２２４，１１７６，１１３０，１１０６，
１０７０，１０１８，９７８，９６０，８８０，８３
２，７９６，７３２，６８０，６３８1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ２．４（ｂｒｏａｄ ｓ，ＯＨ），３．９〜４．１
（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ），６．１９（ｄｔ，１Ｈ，
ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，Ｊ＝５５．３Ｈｚ），
６．８５（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．
２５（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．７４（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，Ｊ＝５
５．３Ｈｚ，Ｊ＝２８３．３Ｈｚ），−６１．３７（ｄ
ｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ，Ｊ＝５５．３Ｈｚ，Ｊ
＝２８３．３Ｈｚ）
１６１６，１６００，１５１６，１４４８，１３８８，
１３２２，１２２４，１１７６，１１３０，１１０６，
１０７０，１０１８，９７８，９６０，８８０，８３
２，７９６，７３２，６８０，６３８1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ２．４（ｂｒｏａｄ ｓ，ＯＨ），３．９〜４．１
（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ），６．１９（ｄｔ，１Ｈ，
ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，Ｊ＝５５．３Ｈｚ），
６．８５（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），７．
２５（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．７４（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，Ｊ＝５
５．３Ｈｚ，Ｊ＝２８３．３Ｈｚ），−６１．３７（ｄ
ｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ，Ｊ＝５５．３Ｈｚ，Ｊ
＝２８３．３Ｈｚ）
【００８３】実施例５ （Ｒ）−４−（２，２−ジフル
オロ−１−ターシャリーブトキシカルボニルエチル）−
１−ターシャリーブトキシベンゼンの合成……反応工程
（４'）による式（VI'）→式（IV）の化合物 ７０ｍｌ封管をドライアイス−アセトンで冷却し、イソ
ブテン０．３８ｍｌ（１０倍当量）を量り取った。これ
に（Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−ヒドロキシ
カルボニルエチル）フェノール８５．０ｍｇ（０．４２
ｍｍｏｌ）を精製クロロホルム２ｍｌで移し、パラトル
エンスルホニックアシッド１４．０ｍｇ（０．２倍当
量）を加えて密閉した。反応容器を６０℃で１９時間撹
拌後、氷冷燐酸緩衝液１００ｍｌに注加して酢酸エチル
５０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後減圧濃縮して得た粗オイル状残渣として（Ｒ）−
４−（２，２−ジフルオロ−１−ターシャリーブトキシ
カルボニルエチル）−１−ターシャリーブトキシベンゼ
ン１２２．９ｍｇ（粗収率９１％）を得た。
オロ−１−ターシャリーブトキシカルボニルエチル）−
１−ターシャリーブトキシベンゼンの合成……反応工程
（４'）による式（VI'）→式（IV）の化合物 ７０ｍｌ封管をドライアイス−アセトンで冷却し、イソ
ブテン０．３８ｍｌ（１０倍当量）を量り取った。これ
に（Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロ−１−ヒドロキシ
カルボニルエチル）フェノール８５．０ｍｇ（０．４２
ｍｍｏｌ）を精製クロロホルム２ｍｌで移し、パラトル
エンスルホニックアシッド１４．０ｍｇ（０．２倍当
量）を加えて密閉した。反応容器を６０℃で１９時間撹
拌後、氷冷燐酸緩衝液１００ｍｌに注加して酢酸エチル
５０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後減圧濃縮して得た粗オイル状残渣として（Ｒ）−
４−（２，２−ジフルオロ−１−ターシャリーブトキシ
カルボニルエチル）−１−ターシャリーブトキシベンゼ
ン１２２．９ｍｇ（粗収率９１％）を得た。
【００８４】1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐ
ｍ，ＣＤＣｌ3，内部標準テトラメチルシラン） １．２〜１．５（ｍ，１８Ｈ，ＣＭｅ3 ），３．８６
（ｄｄｄ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，Ｊ＝
１０．１Ｈｚ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ），６．１４（ｄｔ，
１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，Ｊ＝５５．９Ｈ
ｚ）， ６．９７（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈ
ｚ），７．２０（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．６７（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，Ｊ＝
５５．９Ｈｚ，Ｊ＝２８１．２Ｈｚ），−６１．３７
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，Ｊ＝５５．９Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８１．２Ｈｚ）
ｍ，ＣＤＣｌ3，内部標準テトラメチルシラン） １．２〜１．５（ｍ，１８Ｈ，ＣＭｅ3 ），３．８６
（ｄｄｄ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，Ｊ＝
１０．１Ｈｚ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ），６．１４（ｄｔ，
１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，Ｊ＝５５．９Ｈ
ｚ）， ６．９７（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈ
ｚ），７．２０（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５４．６７（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，Ｊ＝
５５．９Ｈｚ，Ｊ＝２８１．２Ｈｚ），−６１．３７
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１２．３Ｈｚ，Ｊ＝５５．９Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８１．２Ｈｚ）
【００８５】実施例６ （Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−ヒドロキシエチル）−１−ターシャリーブ
トキシベンゼンの合成……反応工程（５）による式（I
V）→式（III）の化合物 水素化アルミニウムリチウム４７．９ｍｇ（５倍当量）
を蒸留ジエチルエーテル１２．６ｍｌに懸濁し、（Ｒ）
−４−（２，２−ジフルオロ−１−ターシャリーブトキ
シカルボニルエチル）−１−ターシャリーブトキシベン
ゼン８１．２ｍｇののジエチルエーテル５ｍｌ溶液を氷
冷攪拌下で滴下した。さらに室温で３日１６時間攪拌
後、薄層シリカゲルクロマトグラフ（クロロホルム３重
展開）で、原料の消失と目的物（Ｒf＝０．２５）の生
成を確認した。反応液を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ０．７
４）に氷冷攪拌下で少量ずつ滴下し、ジエチルエーテル
５０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、減圧濃縮して得たオイル状残渣６６．８ｍｇ
を、分取薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：クロ
ロホルム）で精製し（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシエチル）−１−ターシャリーブトキ
シベンゼン５２．０ｍｇ（収率８４％）を無色オイルと
して得た。
メチル−２−ヒドロキシエチル）−１−ターシャリーブ
トキシベンゼンの合成……反応工程（５）による式（I
V）→式（III）の化合物 水素化アルミニウムリチウム４７．９ｍｇ（５倍当量）
を蒸留ジエチルエーテル１２．６ｍｌに懸濁し、（Ｒ）
−４−（２，２−ジフルオロ−１−ターシャリーブトキ
シカルボニルエチル）−１−ターシャリーブトキシベン
ゼン８１．２ｍｇののジエチルエーテル５ｍｌ溶液を氷
冷攪拌下で滴下した。さらに室温で３日１６時間攪拌
後、薄層シリカゲルクロマトグラフ（クロロホルム３重
展開）で、原料の消失と目的物（Ｒf＝０．２５）の生
成を確認した。反応液を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ０．７
４）に氷冷攪拌下で少量ずつ滴下し、ジエチルエーテル
５０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、減圧濃縮して得たオイル状残渣６６．８ｍｇ
を、分取薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：クロ
ロホルム）で精製し（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシエチル）−１−ターシャリーブトキ
シベンゼン５２．０ｍｇ（収率８４％）を無色オイルと
して得た。
【００８６】［α］D 22 ３．２゜（ｃ０．４４，クロ
ロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３４３２，３０４４，２９８４，２９３６，１６１０，
１５８０，１５１０，１４６８，１３９２，１３７０，
１３４０，１２６２，１２３２，１１６２，１１２８，
１１０８，１０８０，１０５２，１０３２，１０１６，
９７２，９４８，９２６，８９０，８５２，８１４，７
９８，７７４，７５８，７０８，６９０，６４０，５８
０，５４６，４８２1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） １．２〜１．５（ｍ，１８Ｈ，ＣＭｅ3 ），３．１〜
３．４（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ），３．９〜４．２
（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 ＯＨ），６．０６（ｄ
ｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．
２Ｈｚ），６．９８（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈ
ｚ），７．１８（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５７．６８（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，Ｊ＝
５６．２Ｈｚ，Ｊ＝２８２．８Ｈｚ），−６０．４５
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．２Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８２．８Ｈｚ）
ロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３４３２，３０４４，２９８４，２９３６，１６１０，
１５８０，１５１０，１４６８，１３９２，１３７０，
１３４０，１２６２，１２３２，１１６２，１１２８，
１１０８，１０８０，１０５２，１０３２，１０１６，
９７２，９４８，９２６，８９０，８５２，８１４，７
９８，７７４，７５８，７０８，６９０，６４０，５８
０，５４６，４８２1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） １．２〜１．５（ｍ，１８Ｈ，ＣＭｅ3 ），３．１〜
３．４（ｍ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2Ｈ），３．９〜４．２
（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 ＯＨ），６．０６（ｄ
ｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．
２Ｈｚ），６．９８（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈ
ｚ），７．１８（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５７．６８（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ，Ｊ＝
５６．２Ｈｚ，Ｊ＝２８２．８Ｈｚ），−６０．４５
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１５．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．２Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８２．８Ｈｚ）
【００８７】実施例７ （Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−ヒドロキシエチル）−１−テトラヒドロピ
ラニルオキシベンゼンの合成……反応工程（５）による
式（IV）→式（III）の化合物 水素化アルミニウムリチウム７７１ｍｇ（５倍当量）を
蒸留ジエチルエーテル３５ｍｌに懸濁し、（Ｒ）−４−
（１−ジフルオロメチル−２−メトキシカルボニルエチ
ル）−１−テトラヒドロピラニルオキシベンゼンの粗オ
イル状残渣１．６９ｇのジエチルエーテル１０ｍｌ溶液
を氷冷攪拌下で滴下した。さらに室温で１時間攪拌後、
薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）で、原料（Ｒｆ＝０．４７）の消失
と目的物（Ｒｆ＝０．２５）の生成を確認した。反応液
を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ０．７４）に氷冷攪拌下で少
量ずつ滴下し、酢酸エチル３００ｍｌで抽出した。有機
層にピリジン少量を滴下後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。有機層にピリジン少量を滴下後減圧濃縮して得
たオイル状残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフ
（展開系：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１：ピリジン少
量添加）で精製し、（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシエチル）−１−テトラヒドロピラニ
ルオキシベンゼン１．０６ｇ（収率９８％）を無色オイ
ルとして得た。
メチル−２−ヒドロキシエチル）−１−テトラヒドロピ
ラニルオキシベンゼンの合成……反応工程（５）による
式（IV）→式（III）の化合物 水素化アルミニウムリチウム７７１ｍｇ（５倍当量）を
蒸留ジエチルエーテル３５ｍｌに懸濁し、（Ｒ）−４−
（１−ジフルオロメチル−２−メトキシカルボニルエチ
ル）−１−テトラヒドロピラニルオキシベンゼンの粗オ
イル状残渣１．６９ｇのジエチルエーテル１０ｍｌ溶液
を氷冷攪拌下で滴下した。さらに室温で１時間攪拌後、
薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢
酸エチル＝３／１）で、原料（Ｒｆ＝０．４７）の消失
と目的物（Ｒｆ＝０．２５）の生成を確認した。反応液
を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ０．７４）に氷冷攪拌下で少
量ずつ滴下し、酢酸エチル３００ｍｌで抽出した。有機
層にピリジン少量を滴下後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。有機層にピリジン少量を滴下後減圧濃縮して得
たオイル状残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフ
（展開系：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１：ピリジン少
量添加）で精製し、（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシエチル）−１−テトラヒドロピラニ
ルオキシベンゼン１．０６ｇ（収率９８％）を無色オイ
ルとして得た。
【００８８】［α］D 28 ９．５゜（ｃ１．００，クロ
ロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３４３６，３０４８，２９５２，２８８４，１６１６，
１５８６，１５１６，１４７０，１４５６，１４４４，
１３９２，１３６０，１３２８，１２８４，１２４０，
１２０４，１１８０，１１２６，１１１０，１０８０，
１０３４，９６８，９２２，８８８，８７２，８３４，
８１６，７８８，７６４，７３０，７００，６４０，６
００，５５０，４９８，４００1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） １．５〜２．１（ｍ，７Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃ
Ｈ，ＣＨ2ＯＨ），３．２４（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ
2Ｈ），３．６（ｍ，１Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ），３．８〜４．２（ｍ，３Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ，ＣＨ2 ＯＨ），５．４２（ｔ，１Ｈ，ＯＣＨ
2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ，Ｊ＝３．０Ｈｚ），６．０５
（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．１Ｈｚ，Ｊ＝５
６．２Ｈｚ），７．０５（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．
８Ｈｚ），７．２０（ｄ，１Ｈ，Ｃ6Ｈ4，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ）
ロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３４３６，３０４８，２９５２，２８８４，１６１６，
１５８６，１５１６，１４７０，１４５６，１４４４，
１３９２，１３６０，１３２８，１２８４，１２４０，
１２０４，１１８０，１１２６，１１１０，１０８０，
１０３４，９６８，９２２，８８８，８７２，８３４，
８１６，７８８，７６４，７３０，７００，６４０，６
００，５５０，４９８，４００1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） １．５〜２．１（ｍ，７Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｃ
Ｈ，ＣＨ2ＯＨ），３．２４（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ
2Ｈ），３．６（ｍ，１Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ），３．８〜４．２（ｍ，３Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ，ＣＨ2 ＯＨ），５．４２（ｔ，１Ｈ，ＯＣＨ
2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ，Ｊ＝３．０Ｈｚ），６．０５
（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．１Ｈｚ，Ｊ＝５
６．２Ｈｚ），７．０５（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．
８Ｈｚ），７．２０（ｄ，１Ｈ，Ｃ6Ｈ4，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ）
【００８９】実施例８ （Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−ブトキシエチル）−１−ターシャリーブト
キシベンゼンの合成……反応工程（６）による式（II
I）→式（II）の化合物 １０ｍｌ反応容器に水素化ナトリウム５．４ｍｇ（１．
５倍当量）を量り取り、ゴム栓と風船を装着して、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを氷冷下で加えて攪拌
した。懸濁液にブチルブロミド１９．２μｌ（２倍当
量）を加え、４−（１−ジフルオロメチル−２−ヒドロ
キシエチル）−１−ターシャリーブトキシベンゼン２
１．８ｍｇ（０．０８９ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド１ｍｌ溶液を両切り針を用いて滴下して１
８時間攪拌した。薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開
系：ヘキサン／クロロホルム＝１／２）で、原料の消失
と目的物（Ｒｆ＝０．３２）の生成を確認した。反応液
を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ０．７４）に氷冷攪拌下で注
加し、酢酸エチル３０ｍｌで注出した。有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、ピリジン少量を滴下後減圧濃
縮し、さらに１ｔｏｒｒでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドをトルエン共沸除去して得たオイル状残渣９０．１ｍ
ｇを、薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：ヘキサ
ン／クロロホルム＝１／２：ピリジン少量添加）で精製
し（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシ
エチル）−１−ターシャリーブトキシベンゼン２０．０
ｍｇ（収率７５％）を無色オイルとして得た。
メチル−２−ブトキシエチル）−１−ターシャリーブト
キシベンゼンの合成……反応工程（６）による式（II
I）→式（II）の化合物 １０ｍｌ反応容器に水素化ナトリウム５．４ｍｇ（１．
５倍当量）を量り取り、ゴム栓と風船を装着して、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍｌを氷冷下で加えて攪拌
した。懸濁液にブチルブロミド１９．２μｌ（２倍当
量）を加え、４−（１−ジフルオロメチル−２−ヒドロ
キシエチル）−１−ターシャリーブトキシベンゼン２
１．８ｍｇ（０．０８９ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド１ｍｌ溶液を両切り針を用いて滴下して１
８時間攪拌した。薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開
系：ヘキサン／クロロホルム＝１／２）で、原料の消失
と目的物（Ｒｆ＝０．３２）の生成を確認した。反応液
を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ０．７４）に氷冷攪拌下で注
加し、酢酸エチル３０ｍｌで注出した。有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、ピリジン少量を滴下後減圧濃
縮し、さらに１ｔｏｒｒでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドをトルエン共沸除去して得たオイル状残渣９０．１ｍ
ｇを、薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：ヘキサ
ン／クロロホルム＝１／２：ピリジン少量添加）で精製
し（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシ
エチル）−１−ターシャリーブトキシベンゼン２０．０
ｍｇ（収率７５％）を無色オイルとして得た。
【００９０】［α］D 25： −０．５゜（ｃ０．４０，
クロロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３０４８，２９４８，２８７６，２７４４，１６１６，
１５８６，１５１６，１４８６，１４７０，１４５６，
１４４４，１３７２，１３６０，１３２６，１２９６，
１２８６，１２４０，１２０２，１１８０，１１２４，
１０７８，１０３８，１０２２，９６８，９２２，８８
８，８７２，８３４，８１８，７６６，７３６，６９
６，６３４，５９８，５４０，４９６1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９１（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．２〜２．
１（ｍ，１０Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ，ＯＣＨ
2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3），３．２４（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2
Ｈ），３．４３（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ3），３．５〜４．０（ｍ，４Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ），５．４１（ｔ，１
Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ，Ｊ＝３．１Ｈｚ），
６．０８（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝３．８Ｈ
ｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ）， ７．０２（ｄ，１Ｈ，Ｃ6
Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．２１（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４・−５９．９０（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝９．
７Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ），−
６２．１４・−６２．２３（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝７．６
Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
クロロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３０４８，２９４８，２８７６，２７４４，１６１６，
１５８６，１５１６，１４８６，１４７０，１４５６，
１４４４，１３７２，１３６０，１３２６，１２９６，
１２８６，１２４０，１２０２，１１８０，１１２４，
１０７８，１０３８，１０２２，９６８，９２２，８８
８，８７２，８３４，８１８，７６６，７３６，６９
６，６３４，５９８，５４０，４９６1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９１（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．２〜２．
１（ｍ，１０Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ，ＯＣＨ
2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3），３．２４（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2
Ｈ），３．４３（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ3），３．５〜４．０（ｍ，４Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ），５．４１（ｔ，１
Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ，Ｊ＝３．１Ｈｚ），
６．０８（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝３．８Ｈ
ｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ）， ７．０２（ｄ，１Ｈ，Ｃ6
Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．２１（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４・−５９．９０（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝９．
７Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ），−
６２．１４・−６２．２３（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝７．６
Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
【００９１】実施例９ （Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−ブトキシエチル）−１−テトラヒドロピラ
ニルオキシベンゼンの合成……反応工程（６）による式
（III）→式（II）の化合物 １０ｍｌ反応容器に水素化ナトリウム２３２ｍｇ（１．
５倍当量）を量り取り、ゴム栓と風船を装着して、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｍｌを氷冷下で加えて攪拌
した。懸濁液にブチルブロミド８３２ｍｇ（２倍当量）
を加え、（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ヒ
ドロキシエチル）−１−テトラヒドロピラニルオキシベ
ンゼン１．０６ｇ（３．８７５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド３５ｍｌ溶液を両切り針を用いて滴
下して１８時間攪拌した。薄層シリカゲルクロマトグラ
フ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で、原料
（Ｒｆ＝０．２５）の消失と目的物（Ｒｆ＝０．７４）
の生成を確認した。反応液を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ
０．７４）に氷冷攪拌下で注加し、酢酸エチル１００ｍ
ｌで注出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、ピリジン少量を滴下後減圧濃縮し、さらに１ｔｏｒ
ｒでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドをトルエン共沸除去
して得たオイル状残渣１．４２ｇを、シリカゲルカラム
クロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル＝１０
／１：ピリジン少量添加）で精製し（Ｒ）−４−（１−
ジフルオロメチル−２−ブトキシエチル）−１−テトラ
ヒドロピラニルオキシベンゼン１．０３ｇ（収率８１
％）を無色オイルとして得た。
メチル−２−ブトキシエチル）−１−テトラヒドロピラ
ニルオキシベンゼンの合成……反応工程（６）による式
（III）→式（II）の化合物 １０ｍｌ反応容器に水素化ナトリウム２３２ｍｇ（１．
５倍当量）を量り取り、ゴム栓と風船を装着して、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｍｌを氷冷下で加えて攪拌
した。懸濁液にブチルブロミド８３２ｍｇ（２倍当量）
を加え、（Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ヒ
ドロキシエチル）−１−テトラヒドロピラニルオキシベ
ンゼン１．０６ｇ（３．８７５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド３５ｍｌ溶液を両切り針を用いて滴
下して１８時間攪拌した。薄層シリカゲルクロマトグラ
フ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で、原料
（Ｒｆ＝０．２５）の消失と目的物（Ｒｆ＝０．７４）
の生成を確認した。反応液を２Ｍリン酸緩衝液（ｐＨ
０．７４）に氷冷攪拌下で注加し、酢酸エチル１００ｍ
ｌで注出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、ピリジン少量を滴下後減圧濃縮し、さらに１ｔｏｒ
ｒでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドをトルエン共沸除去
して得たオイル状残渣１．４２ｇを、シリカゲルカラム
クロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル＝１０
／１：ピリジン少量添加）で精製し（Ｒ）−４−（１−
ジフルオロメチル−２−ブトキシエチル）−１−テトラ
ヒドロピラニルオキシベンゼン１．０３ｇ（収率８１
％）を無色オイルとして得た。
【００９２】［α］D 24 −１２．２゜（ｃ１．００，
クロロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３０４８，２９４８，２８７６，２７４４，１６１６，
１５８６，１５１６，１４８６，１４７０，１４５６，
１４４４，１３７２，１３６０，１３２６，１２９６，
１２８６，１２４０，１２０２，１１８０，１１２４，
１０７８，１０３８，１０２２，９６８，９２２，８８
８，８７２，８３４，８１８，７６６，７３６，６９
６，６３４，５９８，５４０，４９６1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９１（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．２〜２．
１（ｍ，１０Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ，ＯＣＨ
2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3），３．２４（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2
Ｈ），３．４３（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ3），３．５〜４．０（ｍ，４Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ）， ５．４１（ｔ，
１Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ，Ｊ＝３．１Ｈ
ｚ），６．０８（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝３．
８Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ），７．０２（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．２１（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４・−５９．９０（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝９．
７Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ），−
６２．１４・−６２．２３（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝７．６
Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
クロロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３０４８，２９４８，２８７６，２７４４，１６１６，
１５８６，１５１６，１４８６，１４７０，１４５６，
１４４４，１３７２，１３６０，１３２６，１２９６，
１２８６，１２４０，１２０２，１１８０，１１２４，
１０７８，１０３８，１０２２，９６８，９２２，８８
８，８７２，８３４，８１８，７６６，７３６，６９
６，６３４，５９８，５４０，４９６1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９１（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．２〜２．
１（ｍ，１０Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ，ＯＣＨ
2ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3），３．２４（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2
Ｈ），３．４３（ｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2Ｃ
Ｈ3），３．５〜４．０（ｍ，４Ｈ，ＯＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ）， ５．４１（ｔ，
１Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ，Ｊ＝３．１Ｈ
ｚ），６．０８（ｄｔ，１Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝３．
８Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ），７．０２（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．２１（ｄ，１Ｈ，Ｃ
6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４・−５９．９０（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝９．
７Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ），−
６２．１４・−６２．２３（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝７．６
Ｈｚ，Ｊ＝５６．６Ｈｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
【００９３】実施例１０ （Ｒ）−４−（１−ジフルオ
ロメチル−２−ブトキシエチル）−フェノールの合成…
…反応工程（７）による式（II）→式（Ｉ）の化合物 （Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシエ
チル）−１−ターシャリーブトキシベンゼン２０．０ｍ
ｇ（０．０６７ｍｍｏｌ）をエタノールに溶解し、パラ
トルエンスルホニックアシッド１１．５ｍｇ（等倍当
量）を加えて６０℃で２時間加熱撹拌した。薄層シリカ
ゲルクロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル／
＝４／１）で、原料の消失と目的物（Ｒｆ＝０．２８）
の生成を確認した。反応液を蒸留水３０ｍｌに注加し、
酢酸エチル３０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧濃縮して得たオイル状残渣６
８．９ｍｇを薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：
ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で精製し、（Ｒ）−４
−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシエチル）−フ
ェノール５．９ｍｇ（３６％）を無色オイルとして得
た。光学活性カラムchiralcelＯＪ（ダイセル化学製）
を用いた液体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソ
プロパノール＝９／１、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラ
ム温度３０℃）において光学純度は３２．５％ｅｅであ
った。
ロメチル−２−ブトキシエチル）−フェノールの合成…
…反応工程（７）による式（II）→式（Ｉ）の化合物 （Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシエ
チル）−１−ターシャリーブトキシベンゼン２０．０ｍ
ｇ（０．０６７ｍｍｏｌ）をエタノールに溶解し、パラ
トルエンスルホニックアシッド１１．５ｍｇ（等倍当
量）を加えて６０℃で２時間加熱撹拌した。薄層シリカ
ゲルクロマトグラフ（展開系：ヘキサン／酢酸エチル／
＝４／１）で、原料の消失と目的物（Ｒｆ＝０．２８）
の生成を確認した。反応液を蒸留水３０ｍｌに注加し、
酢酸エチル３０ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧濃縮して得たオイル状残渣６
８．９ｍｇを薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開系：
ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で精製し、（Ｒ）−４
−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシエチル）−フ
ェノール５．９ｍｇ（３６％）を無色オイルとして得
た。光学活性カラムchiralcelＯＪ（ダイセル化学製）
を用いた液体クロマトグラフ（溶出系：ヘキサン／イソ
プロパノール＝９／１、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラ
ム温度３０℃）において光学純度は３２．５％ｅｅであ
った。
【００９４】赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３６３０，３３７６，３０３４，２９６８，２８７８，
２７３４，１７７０，１６２０，１６０２，１５１８，
１４５５，１３８０，１３０８，１２３３，１１７９，
１１２２，９８７，９２１，８９４，８３１，７８３，
７５６，７２６，６８１，６４２，６１２，５７３，５
３７1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９３（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．３５（ｈ
ｅｘａｔｅｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ3，Ｊ＝
７．１Ｈｚ），１．５５（ｐｅｎｔａｔｅｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝７．１Ｈｚ），３．２４
（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2Ｈ），３．４４（ｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝６．１Ｈｚ），３．６〜
３．９（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ），５．３０
（ｂｒｏａｄ ｓ，ＨＯＰｈ），６．０７（ｄｔ，１
Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ），６．７９（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈ
ｚ），７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，Ｊ＝
５６．７Ｈｚ，Ｊ＝２８０．５Ｈｚ），−６２．２２
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝２０．９Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
２７３４，１７７０，１６２０，１６０２，１５１８，
１４５５，１３８０，１３０８，１２３３，１１７９，
１１２２，９８７，９２１，８９４，８３１，７８３，
７５６，７２６，６８１，６４２，６１２，５７３，５
３７1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９３（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．３５（ｈ
ｅｘａｔｅｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ3，Ｊ＝
７．１Ｈｚ），１．５５（ｐｅｎｔａｔｅｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝７．１Ｈｚ），３．２４
（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2Ｈ），３．４４（ｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝６．１Ｈｚ），３．６〜
３．９（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ），５．３０
（ｂｒｏａｄ ｓ，ＨＯＰｈ），６．０７（ｄｔ，１
Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ），６．７９（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈ
ｚ），７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，Ｊ＝
５６．７Ｈｚ，Ｊ＝２８０．５Ｈｚ），−６２．２２
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝２０．９Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
【００９５】実施例１１ （Ｒ）−４−（１−ジフルオ
ロメチル−２−ブトキシエチル）−フェノールの合成…
…反応工程（７）による式（II）→式（Ｉ）の化合物 （Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシエ
チル）−１−テトラヒロロピラニルオキシベンゼン１７
６ｍｇ（０．５３６ｍｍｏｌ）をエタノール６ｍｌに溶
解し、ピリジニウムパラトルエンスルホネート１３．４
ｍｇ（０．１倍当量）を加えて窒素置換下６５℃で１時
間加熱撹拌した。薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開
系：ヘキサン／酢酸エチル／＝１０／１）で、原料の消
失と目的物（Ｒｆ＝０．０３）の生成を確認した。反応
液を蒸留水５０ｍｌに注加し、酢酸エチル５０ｍｌで抽
出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮して得たオイル状残渣１．０５ｇをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフ（展開系：塩化メチレン／酢酸エチル
＝５０／１）で精製し、（Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−ブトキシエチル）−フェノール９９．８ｍ
ｇ（７６％）を無色オイルとして得た。光学活性カラム
chiralcelＯＪ（ダイセル化学製）を用いた液体クロマ
トグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロパノール＝９／
１、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温度３０℃）にお
いて光学純度は９８％ｅｅ以上であった。
ロメチル−２−ブトキシエチル）−フェノールの合成…
…反応工程（７）による式（II）→式（Ｉ）の化合物 （Ｒ）−４−（１−ジフルオロメチル−２−ブトキシエ
チル）−１−テトラヒロロピラニルオキシベンゼン１７
６ｍｇ（０．５３６ｍｍｏｌ）をエタノール６ｍｌに溶
解し、ピリジニウムパラトルエンスルホネート１３．４
ｍｇ（０．１倍当量）を加えて窒素置換下６５℃で１時
間加熱撹拌した。薄層シリカゲルクロマトグラフ（展開
系：ヘキサン／酢酸エチル／＝１０／１）で、原料の消
失と目的物（Ｒｆ＝０．０３）の生成を確認した。反応
液を蒸留水５０ｍｌに注加し、酢酸エチル５０ｍｌで抽
出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
濃縮して得たオイル状残渣１．０５ｇをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフ（展開系：塩化メチレン／酢酸エチル
＝５０／１）で精製し、（Ｒ）−４−（１−ジフルオロ
メチル−２−ブトキシエチル）−フェノール９９．８ｍ
ｇ（７６％）を無色オイルとして得た。光学活性カラム
chiralcelＯＪ（ダイセル化学製）を用いた液体クロマ
トグラフ（溶出系：ヘキサン／イソプロパノール＝９／
１、溶出速度０．５ｍｌ／分、カラム温度３０℃）にお
いて光学純度は９８％ｅｅ以上であった。
【００９６】［α］D 24： −１３．６゜（ｃ１．０
０，クロロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３６７０，３３７６，３０３４，２９６８，２８７８，
２７３４，１７７０，１６２０，１６０２，１５１８，
１４５５，１３８０，１３０８，１２３３，１１７９，
１１２２，９８７，９２１，８９４，８３１，７８３，
７５６，７２６，６８１，６４２，６１２，５７３，５
３７1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９３（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．３５（ｈ
ｅｘａｔｅｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ3，Ｊ＝
７．１Ｈｚ），１．５５（ｐｅｎｔａｔｅｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝７．１Ｈｚ），３．２４
（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2Ｈ），３．４４（ｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝６．１Ｈｚ），３．６〜
３．９（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ），５．３０
（ｂｒｏａｄ ｓ，ＨＯＰｈ），６．０７（ｄｔ，１
Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ），６．７９（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈ
ｚ），７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，Ｊ＝
５６．７Ｈｚ，Ｊ＝２８０．５Ｈｚ），−６２．２２
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝２０．９Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
０，クロロホルム） 赤外吸収スペクトル：ν（ｃｍ-1） ３６７０，３３７６，３０３４，２９６８，２８７８，
２７３４，１７７０，１６２０，１６０２，１５１８，
１４５５，１３８０，１３０８，１２３３，１１７９，
１１２２，９８７，９２１，８９４，８３１，７８３，
７５６，７２６，６８１，６４２，６１２，５７３，５
３７1 Ｈ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ3，
内部標準テトラメチルシラン） ０．９３（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．３５（ｈ
ｅｘａｔｅｔ，２Ｈ，ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ3，Ｊ＝
７．１Ｈｚ），１．５５（ｐｅｎｔａｔｅｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝７．１Ｈｚ），３．２４
（１Ｈ，ｍ，ＣＨＣＦ2Ｈ），３．４４（ｔ，２Ｈ，Ｏ
ＣＨ2 ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3，Ｊ＝６．１Ｈｚ），３．６〜
３．９（ｍ，２Ｈ，ＣＨＣＦ2ＨＣＨ2 Ｏ），５．３０
（ｂｒｏａｄ ｓ，ＨＯＰｈ），６．０７（ｄｔ，１
Ｈ，ＣＨＣＦ2 Ｈ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ），６．７９（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈ
ｚ），７．１７（ｄ，１Ｈ，Ｃ6 Ｈ4 ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）19 Ｆ−核磁気共鳴スペクトル：δ（ｐｐｍ，ＣＤＣ
ｌ3，外部標準トリフルオロメチルベンゼン） −５９．８４（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，Ｊ＝
５６．７Ｈｚ，Ｊ＝２８０．５Ｈｚ），−６２．２２
（ｄｄｄ，１Ｆ，Ｊ＝２０．９Ｈｚ，Ｊ＝５６．７Ｈ
ｚ，Ｊ＝２８０．６Ｈｚ）
【００９７】
【発明の効果】請求項１のフェノール誘導体は新規化合
物で、低粘性でＳC相を持つベース液晶に強誘電性を付
与するドーパントとして有用である。請求項２〜５の化
合物はいずれも新規化合物で、請求項１のフェノール誘
導体の合成中間体である。請求項６〜９の製造法によ
り、請求項１のフェノール誘導体を製造できる。
物で、低粘性でＳC相を持つベース液晶に強誘電性を付
与するドーパントとして有用である。請求項２〜５の化
合物はいずれも新規化合物で、請求項１のフェノール誘
導体の合成中間体である。請求項６〜９の製造法によ
り、請求項１のフェノール誘導体を製造できる。
【図１】本発明に係る光学活性なフェノール誘導体の合
成経路図である。
成経路図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 67/10 67/317 69/734 Ｂ 9279−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 309/12 Ｃ０７Ｆ 7/18 Ａ // Ｃ０７Ｍ 7:00
Claims (9)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）〔化１〕 【化１】 〔一般式（Ｉ）中、Ｒ1はアルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、＊は不斉炭素を示す。〕で表される、
ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導
体。 - 【請求項２】一般式（II）〔化２〕 【化２】 〔一般式（IＩ）中、Ｒ1はアルキル基又はアルコキシア
ルキル基を示し、Ｒ2は酸性試薬で脱離可能な有機基を
示し、＊は不斉炭素を示す。〕で表される、ジフルオロ
メチル基を有する光学活性なフェニルエーテル誘導体。 - 【請求項３】一般式（III）〔化３〕 【化３】 〔一般式（III）中、Ｒ2は酸性試薬で脱離可能な有機基
を示し、＊は不斉炭素を示す。〕で表される、ジフルオ
ロメチル基を有する光学活性なアルコール誘導体。 - 【請求項４】一般式（IV）〔化４〕 【化４】 〔一般式（IV）中、Ｒ2は酸性試薬で脱離可能な有機基
を示し、Ｒ3はアルキル基又はアルコキシアルキル基を
示し、＊は不斉炭素を示す。〕で表される、ジフルオロ
メチル基を有する光学活性なフェニル酢酸エステル誘導
体。 - 【請求項５】一般式（VI）〔化５〕 【化５】 〔一般式（VI）中、Ｒ3は、アルキル基又はアルコキシ
アルキル基を示し、＊は不斉炭素を示す。〕で表され
る、ジフルオロメチル基を有する光学活性な４−ヒドロ
キシフェニル酢酸エステル誘導体。 - 【請求項６】下記の工程（Ａ）、（７）及び（８）の各
工程を含む、一般式（Ｉ）のフェノール誘導体の製造
法。 工程（Ａ）：一般式（Ｖ）〔化６〕 【化６】 〔一般式（Ｖ）中、Ｒ2は酸性試薬で脱離可能なアルキ
ル基を示し、＊は不斉炭素を示す。〕の化合物から、一
般式（III）の化合物を合成する。 工程（７）：一般式（III）の化合物に金属塩形成試薬
及びアルキル化試薬もしくはアルコキシアルキル化試薬
を反応させて、一般式（II）の化合物を合成する。 工程（８）：一般式（II）の化合物を酸性試薬で処理し
て、一般式（Ｉ）の化合物を合成する。 - 【請求項７】工程（Ａ）が、下記の（２）、（３）、
（４）及び（５）の各工程から成るものである、請求項
６の製造法。 工程（２）：一般式（Ｖ）の化合物に、アルキル化試薬
もしくはアルコキシアルキル化試薬を反応させて、一般
式（IV）の化合物とする。 工程（３）：一般式（IV）の化合物を酸性試薬で処理し
て、一般式（VI）の化合物とする。 工程（４）：一般式（VI）の化合物に保護基形成試薬を
反応させて、一般式（IV）の化合物とする。 工程（５）：一般式（IV）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。 - 【請求項８】工程（Ａ）が、下記の工程（９）、
（４'）及び（５）の各工程から成るものである、請求
項６の製造法。 工程（９）：一般式（Ｖ）の化合物に酸性試薬を反応さ
せて、式（VI'）〔化７〕 【化７】 〔式（VI'）中、＊は不斉炭素を示す。〕の化合物とす
る。 工程（４'）：式（VI'）の化合物に保護基形成試薬を反
応させて、一般式（IV）の化合物とする。 工程（５）：一般式（IV）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。 - 【請求項９】工程（Ａ）が下記の工程（８）である、請
求項６の製造法。 工程（８）：一般式（Ｖ）の化合物を還元して、一般式
（III）の化合物とする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6078514A JPH07285903A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6078514A JPH07285903A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07285903A true JPH07285903A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13664052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6078514A Pending JPH07285903A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | ジフルオロメチル基を有する光学活性なフェノール誘導体及びその合成中間体、並びにそれらの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07285903A (ja) |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP6078514A patent/JPH07285903A/ja active Pending
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