JPH07283268A - 配線基板とその製造方法 - Google Patents
配線基板とその製造方法Info
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- JPH07283268A JPH07283268A JP6578594A JP6578594A JPH07283268A JP H07283268 A JPH07283268 A JP H07283268A JP 6578594 A JP6578594 A JP 6578594A JP 6578594 A JP6578594 A JP 6578594A JP H07283268 A JPH07283268 A JP H07283268A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプと電極との電気的接続を良好にした配
線基板とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子１２を実装するためのガラス基板
１には、電極１６とメッキ層１７とを設けている。ま
た、メッキ層１７はアルミナ微粉末９を有し、かつアル
ミナ微粉末９の一部をメッキ層１７上に突出させ、バン
プ１４に食い込ませている。
線基板とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体素子１２を実装するためのガラス基板
１には、電極１６とメッキ層１７とを設けている。ま
た、メッキ層１７はアルミナ微粉末９を有し、かつアル
ミナ微粉末９の一部をメッキ層１７上に突出させ、バン
プ１４に食い込ませている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に半導体素子を
樹脂製接着剤で接着した配線基板とその製造方法に関す
るものである。
樹脂製接着剤で接着した配線基板とその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３において１はガラス基板で２、３、
１０、１１は電極を構成する金属層でそれぞれＣｒ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ａｕよりなる。１２は半導体ＩＣ、１３は半
導体ＩＣのＡｌからなる配線、１４は半導体ＩＣ１２に
Ａｕによって形成されたバンプである。１５および１６
は紫外線硬化樹脂である。
１０、１１は電極を構成する金属層でそれぞれＣｒ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ａｕよりなる。１２は半導体ＩＣ、１３は半
導体ＩＣのＡｌからなる配線、１４は半導体ＩＣ１２に
Ａｕによって形成されたバンプである。１５および１６
は紫外線硬化樹脂である。
【０００３】上記構成において半導体ＩＣ１２の実装は
次のようにして行われる。先ずガラス基板１上に紫外線
硬化樹脂１５を塗布し、次に半導体ＩＣ１２表面の配線
１３上に形成されたバンプ１４とガラス基板１上のＡｕ
１１／Ｎｉ１０／Ｃｕ３／Ｃｒ２によって構成された電
極とを位置合わせし、半導体ＩＣ１２をガラス基板１に
押しつけるように加圧しながら紫外線を照射することに
よって、半導体ＩＣ１２とガラス基板１との間の紫外線
硬化樹脂１５を硬化する。このとき、硬化によって紫外
線硬化樹脂１５は収縮する。この収縮力によって半導体
ＩＣ１２はガラス基板１に常時押しつけられる。これに
よってバンプ１４とガラス基板１の電極とが圧接され、
電気的に接続される。
次のようにして行われる。先ずガラス基板１上に紫外線
硬化樹脂１５を塗布し、次に半導体ＩＣ１２表面の配線
１３上に形成されたバンプ１４とガラス基板１上のＡｕ
１１／Ｎｉ１０／Ｃｕ３／Ｃｒ２によって構成された電
極とを位置合わせし、半導体ＩＣ１２をガラス基板１に
押しつけるように加圧しながら紫外線を照射することに
よって、半導体ＩＣ１２とガラス基板１との間の紫外線
硬化樹脂１５を硬化する。このとき、硬化によって紫外
線硬化樹脂１５は収縮する。この収縮力によって半導体
ＩＣ１２はガラス基板１に常時押しつけられる。これに
よってバンプ１４とガラス基板１の電極とが圧接され、
電気的に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
ガラス基板１上の電極表面は、ガラス基板１の表面の良
好な平面度に影響されて鏡面になる。このため、紫外線
硬化樹脂１５の硬化作業前に、この鏡面となった電極上
で半導体ＩＣ１２のバンプ１４に滑りが生じると、半導
体ＩＣ１２のバンプ１４とガラス基板１の電極との間に
形成される微小な隙間に紫外線硬化樹脂１５が入り込
み、この入り込んだ紫外線硬化樹脂１６によってバンプ
１４と電極との密着性が悪化して、電気的接続の信頼性
を悪くするという問題点を有していた。
ガラス基板１上の電極表面は、ガラス基板１の表面の良
好な平面度に影響されて鏡面になる。このため、紫外線
硬化樹脂１５の硬化作業前に、この鏡面となった電極上
で半導体ＩＣ１２のバンプ１４に滑りが生じると、半導
体ＩＣ１２のバンプ１４とガラス基板１の電極との間に
形成される微小な隙間に紫外線硬化樹脂１５が入り込
み、この入り込んだ紫外線硬化樹脂１６によってバンプ
１４と電極との密着性が悪化して、電気的接続の信頼性
を悪くするという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、電気的接続の信頼性の高い配線基板とその製造方法
を提供するものである。
で、電気的接続の信頼性の高い配線基板とその製造方法
を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の配線基板は、基板と、前記基板上に積層し
た電極と、前記電極上に積層したメッキ層と、前記基板
上に樹脂製接着剤にて接着されるとともに、前記電極上
に積層した前記メッキ層上にバンプを介して電気的接続
をされた半導体素子とを備えており、前記メッキ層は微
粉末を有し、かつ前記微粉末の一部を前記メッキ層上に
突出させた構成とした。
めに本発明の配線基板は、基板と、前記基板上に積層し
た電極と、前記電極上に積層したメッキ層と、前記基板
上に樹脂製接着剤にて接着されるとともに、前記電極上
に積層した前記メッキ層上にバンプを介して電気的接続
をされた半導体素子とを備えており、前記メッキ層は微
粉末を有し、かつ前記微粉末の一部を前記メッキ層上に
突出させた構成とした。
【０００７】また、その製造方法は、基板に電極を薄膜
形成する第１工程と、微粉末を混入したメッキ液に電極
を薄膜形成した前記基板を浸し、前記基板の電極上に微
粉末を含んだメッキ層を形成する第２工程と、メッキ層
を形成した前記基板と半導体素子とを前記メッキ層上に
バンプを介することにより電気的に接続する第３工程
と、前記基板と前記半導体素子とを樹脂製接着剤により
接着する第４工程とを有した構成とした。
形成する第１工程と、微粉末を混入したメッキ液に電極
を薄膜形成した前記基板を浸し、前記基板の電極上に微
粉末を含んだメッキ層を形成する第２工程と、メッキ層
を形成した前記基板と半導体素子とを前記メッキ層上に
バンプを介することにより電気的に接続する第３工程
と、前記基板と前記半導体素子とを樹脂製接着剤により
接着する第４工程とを有した構成とした。
【０００８】
【作用】上記構成により、表面の平面度が良好な基板を
用いて、電極を積層し電極表面が基板の表面に影響され
て鏡面になっても、電極上に形成するメッキ層が微粉末
を有し、かつ微粉末の一部がメッキ層上に突出している
ので、メッキ層の表面が粗面化されるとともに、このメ
ッキ層上に突出した微粉末の一部がバンプに食い込むの
で、電極上に形成したメッキ層と半導体素子のバンプと
の接触部における滑りを防止することができる。これに
より、電極と半導体素子のバンプとの間に微小な隙間を
生じることもなく、樹脂の流入もなく、電気的接続を良
好にすることができる。
用いて、電極を積層し電極表面が基板の表面に影響され
て鏡面になっても、電極上に形成するメッキ層が微粉末
を有し、かつ微粉末の一部がメッキ層上に突出している
ので、メッキ層の表面が粗面化されるとともに、このメ
ッキ層上に突出した微粉末の一部がバンプに食い込むの
で、電極上に形成したメッキ層と半導体素子のバンプと
の接触部における滑りを防止することができる。これに
より、電極と半導体素子のバンプとの間に微小な隙間を
生じることもなく、樹脂の流入もなく、電気的接続を良
好にすることができる。
【０００９】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１０】図１は、第１の実施例における配線基板の
断面図である。図１に示すように、第１の実施例におけ
る配線基板は、ガラス基板１と、このガラス基板１上に
ガラス基板１側から順にＣｒ層２、Ｃｕ層３を積層、薄
膜形成してなる電極１６と、この電極１６上に電極１６
側から順にＮｉ層１０、Ａｕ層１１を積層、薄膜形成し
てなるメッキ層１７と、紫外線硬化樹脂１５によりガラ
ス基板１と接着されたＡｌ配線１３を備えた半導体素子
１２とを有している。また、半導体素子１２のＡｌ配線
１３と電極１６とを電気的に接続するように、Ａｌ配線
１３と電極１６上に形成したメッキ層１７とを、Ａｌ配
線１３上のバンプ１４を介して電気的接続をしている。
さらに、メッキ層１７はアルミナ微粉末９を有し、かつ
アルミナ微粉末９の一部をメッキ層１７上に突出させて
いる。このとき、アルミナ微粉末９はメッキ層１７中の
Ｎｉ層１０中に含有され、Ａｕ層１１を貫通して突出し
た構成である。
断面図である。図１に示すように、第１の実施例におけ
る配線基板は、ガラス基板１と、このガラス基板１上に
ガラス基板１側から順にＣｒ層２、Ｃｕ層３を積層、薄
膜形成してなる電極１６と、この電極１６上に電極１６
側から順にＮｉ層１０、Ａｕ層１１を積層、薄膜形成し
てなるメッキ層１７と、紫外線硬化樹脂１５によりガラ
ス基板１と接着されたＡｌ配線１３を備えた半導体素子
１２とを有している。また、半導体素子１２のＡｌ配線
１３と電極１６とを電気的に接続するように、Ａｌ配線
１３と電極１６上に形成したメッキ層１７とを、Ａｌ配
線１３上のバンプ１４を介して電気的接続をしている。
さらに、メッキ層１７はアルミナ微粉末９を有し、かつ
アルミナ微粉末９の一部をメッキ層１７上に突出させて
いる。このとき、アルミナ微粉末９はメッキ層１７中の
Ｎｉ層１０中に含有され、Ａｕ層１１を貫通して突出し
た構成である。
【００１１】上記構成について、以下その特性について
説明する。表面の平面度が良好なガラス基板１を用い
て、電極１６を薄膜形成する。電極１６表面はガラス基
板１の表面に影響されて鏡面になる。しかし、電極１６
を形成するメッキ層１７がアルミナ微粉末９を有し、か
つアルミナ微粉末９の一部がメッキ層１７上に突出して
いるので、電極１６表面が粗面化される。
説明する。表面の平面度が良好なガラス基板１を用い
て、電極１６を薄膜形成する。電極１６表面はガラス基
板１の表面に影響されて鏡面になる。しかし、電極１６
を形成するメッキ層１７がアルミナ微粉末９を有し、か
つアルミナ微粉末９の一部がメッキ層１７上に突出して
いるので、電極１６表面が粗面化される。
【００１２】また、バンプ１４と電極１６とを圧接して
接触させる際、メッキ層１７上に突出したアルミナ微粉
末９の一部がバンプ１４に食い込むので、電極１６表面
と半導体素子１２のバンプ１４との接触部における滑り
を防止することができる。これにより、電極１６と半導
体素子１２のバンプ１４との間に微小な隙間を生じるこ
ともなく、紫外線硬化樹脂１５の流入もなく、電気的接
続を良好にすることができる。
接触させる際、メッキ層１７上に突出したアルミナ微粉
末９の一部がバンプ１４に食い込むので、電極１６表面
と半導体素子１２のバンプ１４との接触部における滑り
を防止することができる。これにより、電極１６と半導
体素子１２のバンプ１４との間に微小な隙間を生じるこ
ともなく、紫外線硬化樹脂１５の流入もなく、電気的接
続を良好にすることができる。
【００１３】さらに、薄膜形成してなるメッキ層１７は
ガラス基板１側から順にＣｒ層２、Ｃｕ層３、Ｎｉ層１
０、Ａｕ層１１を積層してなり、特にＮｉ層１０はＣｕ
層３、Ａｕ層１１との間に積層しているので、反応防止
層として効果がある。
ガラス基板１側から順にＣｒ層２、Ｃｕ層３、Ｎｉ層１
０、Ａｕ層１１を積層してなり、特にＮｉ層１０はＣｕ
層３、Ａｕ層１１との間に積層しているので、反応防止
層として効果がある。
【００１４】このように本実施例によれば、電極１６を
形成するメッキ層１７がアルミナ微粉末９を有し、かつ
アルミナ微粉末９の一部がメッキ層上に突出しているの
で、電極１６表面が粗面化されるとともに、アルミナ微
粉末９がバンプ１４に食い込むので、両者間で滑りは生
じず、その結果として紫外線硬化樹脂１５の流入もな
く、電気的接続を良好にすることができる。
形成するメッキ層１７がアルミナ微粉末９を有し、かつ
アルミナ微粉末９の一部がメッキ層上に突出しているの
で、電極１６表面が粗面化されるとともに、アルミナ微
粉末９がバンプ１４に食い込むので、両者間で滑りは生
じず、その結果として紫外線硬化樹脂１５の流入もな
く、電気的接続を良好にすることができる。
【００１５】なお、薄膜形成してなるメッキ層１７はガ
ラス基板１側から順にＣｒ層２、Ｃｕ層３、Ｎｉ層１
０、Ａｕ層１１を積層してなるが、Ｎｉ層１０に変えて
Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等の金属でもよい。
ラス基板１側から順にＣｒ層２、Ｃｕ層３、Ｎｉ層１
０、Ａｕ層１１を積層してなるが、Ｎｉ層１０に変えて
Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等の金属でもよい。
【００１６】また、本実施例では微粉末としてアルミナ
を用いたが、Ｔａ２０５などの金属酸化物やガラス、ポ
リエチレンなどの樹脂、窒化ホウ素等の絶縁物でもよ
い。特に、金属酸化物は紫外線硬化樹脂との接着力がよ
く、絶縁物は樹脂全般との接着力がよい。
を用いたが、Ｔａ２０５などの金属酸化物やガラス、ポ
リエチレンなどの樹脂、窒化ホウ素等の絶縁物でもよ
い。特に、金属酸化物は紫外線硬化樹脂との接着力がよ
く、絶縁物は樹脂全般との接着力がよい。
【００１７】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１８】図２（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施例で述
べた本発明における配線基板の製造工程を示す工程図で
ある。
べた本発明における配線基板の製造工程を示す工程図で
ある。
【００１９】図２（ａ）に示すように、ガラス基板１に
スパッタや電子ビーム蒸着によってＣｒ層２を０．０５
μｍ、Ｃｕ層３を１μｍ順次薄膜形成して、次に図２
（ｂ）のごとくＣｒ層２およびＣｕ層３をフォトエッチ
ングにより所望のパターンに形成する。
スパッタや電子ビーム蒸着によってＣｒ層２を０．０５
μｍ、Ｃｕ層３を１μｍ順次薄膜形成して、次に図２
（ｂ）のごとくＣｒ層２およびＣｕ層３をフォトエッチ
ングにより所望のパターンに形成する。
【００２０】次に、図２（ｃ）に示すように、粒径１μ
ｍ程度のアルミナ微粉末９を混入したＮｉメッキ液８に
電極１６を積層したガラス基板１を浸す。その後、前記
Ｎｉメッキ液８中に空気、窒素またはアルゴン等のガス
を導入管５から流入して、穴６より噴出させて泡７を形
成する。そして、この泡７によって、Ｎｉメッキ液８を
攪拌しながら、ガラス基板１の電極１６上にアルミナ微
粉末９を含んだＮｉ層１０をメッキ形成する。このと
き、アルミナ微粉末９は１リットルのＮｉメッキ液８に
対して１０〜１５０ｇ含有させるのが望ましい。また、
アルミナ微粉末９の粒径は０．１μｍ〜３μｍ程度が望
ましい。
ｍ程度のアルミナ微粉末９を混入したＮｉメッキ液８に
電極１６を積層したガラス基板１を浸す。その後、前記
Ｎｉメッキ液８中に空気、窒素またはアルゴン等のガス
を導入管５から流入して、穴６より噴出させて泡７を形
成する。そして、この泡７によって、Ｎｉメッキ液８を
攪拌しながら、ガラス基板１の電極１６上にアルミナ微
粉末９を含んだＮｉ層１０をメッキ形成する。このと
き、アルミナ微粉末９は１リットルのＮｉメッキ液８に
対して１０〜１５０ｇ含有させるのが望ましい。また、
アルミナ微粉末９の粒径は０．１μｍ〜３μｍ程度が望
ましい。
【００２１】その後、メッキ形成したＮｉ層１０上に、
Ａｕ層１１等の金属を無電解メッキ等によって０．１μ
ｍ程度形成する。このときＡｕ層１１の厚さはＮｉ層１
０中に含有するアルミナ微粉末９の一部がメッキ形成し
たＡｕ層１１上に突出する程度の厚さである。
Ａｕ層１１等の金属を無電解メッキ等によって０．１μ
ｍ程度形成する。このときＡｕ層１１の厚さはＮｉ層１
０中に含有するアルミナ微粉末９の一部がメッキ形成し
たＡｕ層１１上に突出する程度の厚さである。
【００２２】このようにして、図２（ｄ）に示すよう
に、ガラス基板１上にＣｒ層２及びＣｕ層３からなる電
極１６を、この電極１６上にアルミナ微粉末９を含有し
たＮｉ層１０を、このＮｉ層１０上にＡｕ層１１をそれ
ぞれ積層し、かつＮｉ層１０に含有したアルミナ微粉末
９の一部はＡｕ層１１を介して突出させている。
に、ガラス基板１上にＣｒ層２及びＣｕ層３からなる電
極１６を、この電極１６上にアルミナ微粉末９を含有し
たＮｉ層１０を、このＮｉ層１０上にＡｕ層１１をそれ
ぞれ積層し、かつＮｉ層１０に含有したアルミナ微粉末
９の一部はＡｕ層１１を介して突出させている。
【００２３】この後、図２（ｅ）に示すように、メッキ
層１７を形成したガラス基板１と、Ａｌ配線１３を備え
た半導体素子１２のバンプ１４とを電気的に接続する。
層１７を形成したガラス基板１と、Ａｌ配線１３を備え
た半導体素子１２のバンプ１４とを電気的に接続する。
【００２４】そして、ガラス基板１に紫外線硬化樹脂１
５を塗布し、バンプ１４と電極１６上のメッキ層１７と
を位置合わせして、Ａｌ配線１３を備えた半導体素子１
２をガラス基板１に押しつけるように加圧しながら紫外
線を照射する。これにより、塗布された紫外線硬化樹脂
１５は硬化しつつ収縮して、この収縮力によって、半導
体素子１２はガラス基板１に常時押しつけられ、ガラス
基板１と半導体素子１２とが接着される。
５を塗布し、バンプ１４と電極１６上のメッキ層１７と
を位置合わせして、Ａｌ配線１３を備えた半導体素子１
２をガラス基板１に押しつけるように加圧しながら紫外
線を照射する。これにより、塗布された紫外線硬化樹脂
１５は硬化しつつ収縮して、この収縮力によって、半導
体素子１２はガラス基板１に常時押しつけられ、ガラス
基板１と半導体素子１２とが接着される。
【００２５】上記構成によって、Ｎｉ層１０に含有した
アルミナ微粉末９の一部がメッキ層１７上に突出してい
るので、バンプ１４に食い込み、良好な接続を行うこと
のできる配線基板を得ることができる。
アルミナ微粉末９の一部がメッキ層１７上に突出してい
るので、バンプ１４に食い込み、良好な接続を行うこと
のできる配線基板を得ることができる。
【００２６】また、アルミナ微粉末９は１リットルのＮ
ｉメッキ液８中に１０〜１５０ｇ含有させるのが望まし
い。これは、Ｎｉメッキ液８中のアルミナ微粉末９の量
が少ない場合は、アルミナ微粉末９の一部がメッキ層１
７上に突出する割合は少なくなり、メッキ層１７とバン
プ１４との滑りが生じやすくなるからである。一方、Ｎ
ｉメッキ液８中のアルミナ微粉末９の量が多すぎる場合
は、アルミナ微粉末９の一部がメッキ層１７上に突出す
る割合は多くなり、絶縁物であるアルミナによってメッ
キ層１７とバンプ１４間における接続抵抗が大きくなる
からである。
ｉメッキ液８中に１０〜１５０ｇ含有させるのが望まし
い。これは、Ｎｉメッキ液８中のアルミナ微粉末９の量
が少ない場合は、アルミナ微粉末９の一部がメッキ層１
７上に突出する割合は少なくなり、メッキ層１７とバン
プ１４との滑りが生じやすくなるからである。一方、Ｎ
ｉメッキ液８中のアルミナ微粉末９の量が多すぎる場合
は、アルミナ微粉末９の一部がメッキ層１７上に突出す
る割合は多くなり、絶縁物であるアルミナによってメッ
キ層１７とバンプ１４間における接続抵抗が大きくなる
からである。
【００２７】さらに、アルミナ微粉末９の粒径は、０．
１μｍ〜３μｍが望ましい。これは、アルミナ微粉末９
はその粒径が０．１μｍより小さい場合、アルミナの活
性度が上がりメッキ液の分解が促進され寿命が極端に短
くなり、３μｍより大きい場合、メッキ層１７上に突出
するアルミナ微粉末９のサイズが大きくなりすぎ、接続
抵抗が大きくなるからである。
１μｍ〜３μｍが望ましい。これは、アルミナ微粉末９
はその粒径が０．１μｍより小さい場合、アルミナの活
性度が上がりメッキ液の分解が促進され寿命が極端に短
くなり、３μｍより大きい場合、メッキ層１７上に突出
するアルミナ微粉末９のサイズが大きくなりすぎ、接続
抵抗が大きくなるからである。
【００２８】また、空気や窒素等のガスによる攪拌はＮ
ｉメッキ液８中のＮｉがアルミナに付着することによる
メッキ液の劣化を防止する効果がある。
ｉメッキ液８中のＮｉがアルミナに付着することによる
メッキ液の劣化を防止する効果がある。
【００２９】なお、本実施例では、電極１６を形成する
金属として、Ｃｕ／Ｃｒを用いたが、Ａｌ、Ａｕ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｐｄ／Ａｕ等の蒸着プロセスや
スパッタによって形成できる材料であれば、特にその層
数や材料とその組合せについて制約がなく、あるいはそ
れらの厚さについても限定するものではない。
金属として、Ｃｕ／Ｃｒを用いたが、Ａｌ、Ａｕ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｐｄ／Ａｕ等の蒸着プロセスや
スパッタによって形成できる材料であれば、特にその層
数や材料とその組合せについて制約がなく、あるいはそ
れらの厚さについても限定するものではない。
【００３０】このように本実施例によれば、実施例１に
おける配線基板の製造方法を提供できるものである。
おける配線基板の製造方法を提供できるものである。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、表面の平
面度が良好な基板を用いて、電極を積層し電極表面が基
板の表面に影響されて鏡面になっても、電極上に形成す
るメッキ層が微粉末を有し、かつ微粉末の一部がメッキ
層上に突出しているので、メッキ層の表面が粗面化され
るとともに、メッキ層上に突出した微粉末の一部がバン
プに食い込むので、電極上に形成したメッキ層と半導体
素子のバンプとの接触部における滑りを防止することが
できる。これにより、電極と半導体素子との間に微小な
隙間を生じることもなく、樹脂の流入もなく、電気的接
続を良好にすることもできるものである。
面度が良好な基板を用いて、電極を積層し電極表面が基
板の表面に影響されて鏡面になっても、電極上に形成す
るメッキ層が微粉末を有し、かつ微粉末の一部がメッキ
層上に突出しているので、メッキ層の表面が粗面化され
るとともに、メッキ層上に突出した微粉末の一部がバン
プに食い込むので、電極上に形成したメッキ層と半導体
素子のバンプとの接触部における滑りを防止することが
できる。これにより、電極と半導体素子との間に微小な
隙間を生じることもなく、樹脂の流入もなく、電気的接
続を良好にすることもできるものである。
【図１】本発明の配線基板の断面図
【図２】本発明の配線基板の製造工程を示す工程図
【図３】従来の配線基板の断面図
１ ガラス基板 ２ Ｃｒ層 ３ Ｃｕ層 ９ アルミナ微粉末 １０ Ｎｉ層 １１ Ａｕ層 １２ 半導体素子 １３ Ａｌ配線 １４ バンプ １５ 紫外線硬化樹脂 １６ 電極 １７ メッキ層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に積層した電極と、
前記電極上に積層したメッキ層と、前記基板上に樹脂製
接着剤にて接着されるとともに、前記電極上に積層した
前記メッキ層上にバンプを介して電気的接続をされた半
導体素子とを備えており、前記メッキ層は微粉末を有
し、かつ前記微粉末の一部を前記メッキ層上に突出させ
た配線基板。 - 【請求項２】 微粉末をアルミナとした請求項１記載の
配線基板。 - 【請求項３】 メッキ層を上層と下層の２層とし、下層
をＮｉからなるメッキ層、上層をＡｕからなるメッキ層
とした請求項１または請求項２記載の配線基板。 - 【請求項４】 基板に電極を積層する第１工程と、微粉
末を混入したメッキ液に電極を積層した前記基板を浸
し、前記基板の電極上に微粉末を含んだメッキ層を形成
する第２工程と、前記電極上に形成した前記メッキ層と
半導体素子とを前記メッキ層上にバンプを介することに
より電気的に接続する第３工程と、前記基板と前記半導
体素子とを樹脂製接着剤により接着する第４工程とを有
した配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 第２工程を、微粉末を混入したメッキ液
に電極を積層した基板を浸した後、前記メッキ液中にガ
スを流入させて、前記メッキ液を攪拌しながら、前記基
板の電極上に微粉末を含んだメッキ層を形成する工程と
した請求項４記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 メッキ液をＮｉメッキ液とし、かつ前記
メッキ液に混入した微粉末をアルミナとした請求項４ま
たは請求項５記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項７】 Ｎｉメッキ液中に混入するアルミナから
なる微粉末の重量を、Ｎｉメッキ液１リットルに対して
１０〜１５０ｇとした請求項６記載の配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6578594A JP2830734B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6578594A JP2830734B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 配線基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283268A true JPH07283268A (ja) | 1995-10-27 |
| JP2830734B2 JP2830734B2 (ja) | 1998-12-02 |
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ID=13297043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6578594A Expired - Fee Related JP2830734B2 (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | 配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830734B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003526937A (ja) * | 2000-03-10 | 2003-09-09 | チップパック，インク． | フリップチップ接合構造 |
| JP4768188B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2011-09-07 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法および装置 |
| US10388626B2 (en) | 2000-03-10 | 2019-08-20 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6578594A patent/JP2830734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JP4768188B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2011-09-07 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法および装置 |
| JP2003526937A (ja) * | 2000-03-10 | 2003-09-09 | チップパック，インク． | フリップチップ接合構造 |
| US7994636B2 (en) | 2000-03-10 | 2011-08-09 | Stats Chippac, Ltd. | Flip chip interconnection structure |
| JP4903966B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2012-03-28 | スタッツ・チップパック・インコーポレイテッド | フリップチップ接合構造及びフリップチップ接合構造を形成する方法 |
| US8697490B2 (en) | 2000-03-10 | 2014-04-15 | Stats Chippac, Ltd. | Flip chip interconnection structure |
| US10388626B2 (en) | 2000-03-10 | 2019-08-20 | STATS ChipPAC Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830734B2 (ja) | 1998-12-02 |
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