JPH07283250A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH07283250A JPH07283250A JP7312894A JP7312894A JPH07283250A JP H07283250 A JPH07283250 A JP H07283250A JP 7312894 A JP7312894 A JP 7312894A JP 7312894 A JP7312894 A JP 7312894A JP H07283250 A JPH07283250 A JP H07283250A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アロイフリー構造において半導体基板および
熱補償板を固定する。 【構成】 半導体基板１の外周に固着された側壁保設用
の絶縁樹脂２３と、絶縁筒内部の突起６ａを接着剤２４
で固着することによって半導体基板１の半径方向の動き
が拘束されている。熱補償板３と主電極５とは、ねじピ
ン３２によって互いに定位されている。主電極４の外周
側面と、熱補償板２の外周側面および上主面の外縁部分
とに嵌合する樹脂もしくはアルミなどの金属を有する固
定リング３０によって、熱補償板２の半径方向の動きが
拘束されている。また主電極４のフランジ部４ｃと固定
リング３０との間に介挿されるバネ３１によって、熱補
償板２、３と半導体基板１とが、主電極５へ押圧付勢さ
れる。 【効果】 半導体基板、熱補償板等の自由な動きが拘束
されるので、半導体基板の損傷を防止し得る。
熱補償板を固定する。 【構成】 半導体基板１の外周に固着された側壁保設用
の絶縁樹脂２３と、絶縁筒内部の突起６ａを接着剤２４
で固着することによって半導体基板１の半径方向の動き
が拘束されている。熱補償板３と主電極５とは、ねじピ
ン３２によって互いに定位されている。主電極４の外周
側面と、熱補償板２の外周側面および上主面の外縁部分
とに嵌合する樹脂もしくはアルミなどの金属を有する固
定リング３０によって、熱補償板２の半径方向の動きが
拘束されている。また主電極４のフランジ部４ｃと固定
リング３０との間に介挿されるバネ３１によって、熱補
償板２、３と半導体基板１とが、主電極５へ押圧付勢さ
れる。 【効果】 半導体基板、熱補償板等の自由な動きが拘束
されるので、半導体基板の損傷を防止し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に関し、特
に半導体基板の位置決め構造、およびトリガ信号として
機能する光信号の伝送を行う部品の位置決め構造の改良
に関する。
に半導体基板の位置決め構造、およびトリガ信号として
機能する光信号の伝送を行う部品の位置決め構造の改良
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の圧接型半導体装置の一つ
である光トリガ型の圧接型サイリスタの一例を示す正面
断面図である。図９に示すように、この圧接型サイリス
タでは、サイリスタ素子が作り込まれた半導体基板１の
下主面に、この半導体基板１と熱膨張係数が近似した材
料で構成される熱補償板３が取り付けられている。この
熱補償板３と半導体基板１とは、アルミニウムあるいは
アルミニウム−シリコン等のろう材によって、互いにろ
う付けされている。
である光トリガ型の圧接型サイリスタの一例を示す正面
断面図である。図９に示すように、この圧接型サイリス
タでは、サイリスタ素子が作り込まれた半導体基板１の
下主面に、この半導体基板１と熱膨張係数が近似した材
料で構成される熱補償板３が取り付けられている。この
熱補償板３と半導体基板１とは、アルミニウムあるいは
アルミニウム−シリコン等のろう材によって、互いにろ
う付けされている。
【０００３】熱補償板３には、その端面において整形加
工が施されるとともに、化学処理が施されており、さら
に表面処理剤が塗布されている。また、熱補償板３の下
主面には、銅で構成される主電極５が当接している。こ
の主電極５は、金属板８を介して、セラミックで構成さ
れる絶縁筒６と、銀ろう付けされている。
工が施されるとともに、化学処理が施されており、さら
に表面処理剤が塗布されている。また、熱補償板３の下
主面には、銅で構成される主電極５が当接している。こ
の主電極５は、金属板８を介して、セラミックで構成さ
れる絶縁筒６と、銀ろう付けされている。
【０００４】半導体基板１の上主面には、もう一つの熱
補償板２が設置されている。この熱補償板２は、半導体
基板１の上主面にシリコーンゴム等で貼着されている。
熱補償板２の上主面には、銅で構成される主電極４が当
接している。主電極４は、金属板７を介して、セラミッ
クで構成される絶縁筒６と、銀ろう付けされている。
補償板２が設置されている。この熱補償板２は、半導体
基板１の上主面にシリコーンゴム等で貼着されている。
熱補償板２の上主面には、銅で構成される主電極４が当
接している。主電極４は、金属板７を介して、セラミッ
クで構成される絶縁筒６と、銀ろう付けされている。
【０００５】絶縁筒６は、２つの主電極間の絶縁を行う
とともに、主電極４、５、および金属板７、８ととも
に、半導体基板１等を内部に収納するハウジングを構成
する。絶縁筒６には、光信号を導くための金属管１１ａ
および排気栓として機能する金属管１１ｂが銀ろう付け
によって取付られている。
とともに、主電極４、５、および金属板７、８ととも
に、半導体基板１等を内部に収納するハウジングを構成
する。絶縁筒６には、光信号を導くための金属管１１ａ
および排気栓として機能する金属管１１ｂが銀ろう付け
によって取付られている。
【０００６】金属管１１ａには、外部から入力される光
信号を受光部へ導くライトガイド１０が挿入されてい
る。このライトガイド１０は、ハンダあるいは低融点ガ
ラス等の接着剤によって金属管１１ａに気密に固着され
ている。半導体基板１の中央には受光部１ａが設けられ
ており、ライトガイド１０の出光端面は、この受光部１
ａに固定的に結合している。
信号を受光部へ導くライトガイド１０が挿入されてい
る。このライトガイド１０は、ハンダあるいは低融点ガ
ラス等の接着剤によって金属管１１ａに気密に固着され
ている。半導体基板１の中央には受光部１ａが設けられ
ており、ライトガイド１０の出光端面は、この受光部１
ａに固定的に結合している。
【０００７】ライトガイド１０と受光部１ａとの結合
は、光学的透過性があり屈折率がライトガイド１０のそ
れと近似し、かつ緩衝作用のあるシリコーンゴム等の光
結合剤２１によって行われている。ライトガイド１０が
固定されるのは、光伝送系の結合効率の低下を防いで、
できるだけ大きな光パワーを受光部１ａへ伝達するため
である。
は、光学的透過性があり屈折率がライトガイド１０のそ
れと近似し、かつ緩衝作用のあるシリコーンゴム等の光
結合剤２１によって行われている。ライトガイド１０が
固定されるのは、光伝送系の結合効率の低下を防いで、
できるだけ大きな光パワーを受光部１ａへ伝達するため
である。
【０００８】上述したハウジングの内部は、気密となっ
ており、しかも不活性ガスが封入されている。ハウジン
グの中に、半導体基板１、熱補償板２、および熱補償板
３が収納された状態で、主電極５に銀ろう付けされた金
属板８の端面と絶縁筒６とを最後に溶接した後、内部に
残留するガスを金属管１１ｂを通して排気ししかも不活
性ガスで置換し、その後、金属管１１ｂの端部をアーク
溶接することによって、ハウジングの気密性と不活性ガ
スの封入とが実現されている。
ており、しかも不活性ガスが封入されている。ハウジン
グの中に、半導体基板１、熱補償板２、および熱補償板
３が収納された状態で、主電極５に銀ろう付けされた金
属板８の端面と絶縁筒６とを最後に溶接した後、内部に
残留するガスを金属管１１ｂを通して排気ししかも不活
性ガスで置換し、その後、金属管１１ｂの端部をアーク
溶接することによって、ハウジングの気密性と不活性ガ
スの封入とが実現されている。
【０００９】光信号は、光源となる外部のＬＥＤもしく
はＬＤ等（図示せず）から、外部の光ファイバー（図示
せず）を通して伝達され、外部のコネクタ（図示せず）
を介してライトガイド１０の入光端面へと導かれる。ラ
イトガイド１０は、入射された光信号の進行方向を９０
゜変えて、半導体基板１の受光部１ａに対向する出光端
面より受光部１ａへ照射する。
はＬＤ等（図示せず）から、外部の光ファイバー（図示
せず）を通して伝達され、外部のコネクタ（図示せず）
を介してライトガイド１０の入光端面へと導かれる。ラ
イトガイド１０は、入射された光信号の進行方向を９０
゜変えて、半導体基板１の受光部１ａに対向する出光端
面より受光部１ａへ照射する。
【００１０】半導体基板１は、この光信号を受光部１ａ
の付近で光電流に転換し、この光電流を増幅することに
よって、２つの主電極４、５の間を導通状態とする。す
なわち、この装置は光信号をトリガとしてスイッチング
動作を行う。
の付近で光電流に転換し、この光電流を増幅することに
よって、２つの主電極４、５の間を導通状態とする。す
なわち、この装置は光信号をトリガとしてスイッチング
動作を行う。
【００１１】図１０は、特開平４−１２０７７２号公報
に開示されるもう１つの従来の圧接型サイリスタの正面
断面図である。この装置は、半導体基板１と熱補償板
２、３との間がろう付けされない、いわゆるアロイフリ
ー構造を有する電気トリガ型のＧＴＯ（ゲートターンオ
フ）サイリスタである。
に開示されるもう１つの従来の圧接型サイリスタの正面
断面図である。この装置は、半導体基板１と熱補償板
２、３との間がろう付けされない、いわゆるアロイフリ
ー構造を有する電気トリガ型のＧＴＯ（ゲートターンオ
フ）サイリスタである。
【００１２】この装置は、図９に示した装置とは異な
り、半導体導体１と熱補償板２、３との間がろう付けさ
れないので、これらの部材間の熱膨張係数の相違に起因
して発生する熱変形、すなわち温度変化に伴う反り変形
が数μｍ程度に小さく抑えられる。このため、熱補償板
２、３、と主電極４、５との間に均一な圧接が実現する
ので、加圧接触時の熱的及び電気的接触抵抗が低いとい
う利点がある。
り、半導体導体１と熱補償板２、３との間がろう付けさ
れないので、これらの部材間の熱膨張係数の相違に起因
して発生する熱変形、すなわち温度変化に伴う反り変形
が数μｍ程度に小さく抑えられる。このため、熱補償板
２、３、と主電極４、５との間に均一な圧接が実現する
ので、加圧接触時の熱的及び電気的接触抵抗が低いとい
う利点がある。
【００１３】図１０において、図９に示した装置と同一
部分には同一の符号を付し、その詳細な説明を略する。
図１０に示される装置では、半導体基板１に対して、そ
の端面が整形加工された後、化学処理が施され、さらに
表面処理剤が塗布されている。熱補償板３の端面には段
付け加工が施されており、この段差部にシリコーンゴム
２３等によって半導体基板１が接着されている。接着は
端面でのみ行われているので、上述したように熱補償板
３には熱変形が発生しない。
部分には同一の符号を付し、その詳細な説明を略する。
図１０に示される装置では、半導体基板１に対して、そ
の端面が整形加工された後、化学処理が施され、さらに
表面処理剤が塗布されている。熱補償板３の端面には段
付け加工が施されており、この段差部にシリコーンゴム
２３等によって半導体基板１が接着されている。接着は
端面でのみ行われているので、上述したように熱補償板
３には熱変形が発生しない。
【００１４】また、図９の装置と同様に、セラミックか
らなる絶縁筒６に、主電極４、金属板７、金属管１１が
銀ろう付けされており、これらによってハウジングが構
成されている。熱補償板２に当接する主電極４の底面中
央部には溝が形成されており、この溝には絶縁材で構成
される案内環５０が挿入されている。電気的なトリガ信
号を伝達するゲートリード線６０の出力端部が、この案
内環５０に組込まれており、一方の入力端部は金属管１
１を貫通している。
らなる絶縁筒６に、主電極４、金属板７、金属管１１が
銀ろう付けされており、これらによってハウジングが構
成されている。熱補償板２に当接する主電極４の底面中
央部には溝が形成されており、この溝には絶縁材で構成
される案内環５０が挿入されている。電気的なトリガ信
号を伝達するゲートリード線６０の出力端部が、この案
内環５０に組込まれており、一方の入力端部は金属管１
１を貫通している。
【００１５】案内環５０は、バネ３１の弾性力によっ
て、ゲートリード線６０の出力端面を半導体基板１の上
主面に押圧付勢する。ゲートリード線６０の入力端部と
出力端部との間の部分は、絶縁チューブ６１で被覆され
ている。絶縁チューブ６１は、ゲートリード線６０が主
電極４と電気的に接触することを防止する目的で設けら
れている。
て、ゲートリード線６０の出力端面を半導体基板１の上
主面に押圧付勢する。ゲートリード線６０の入力端部と
出力端部との間の部分は、絶縁チューブ６１で被覆され
ている。絶縁チューブ６１は、ゲートリード線６０が主
電極４と電気的に接触することを防止する目的で設けら
れている。
【００１６】図９の装置と同様に、ハウジングの内部
は、気密となっており、しかも不活性ガスが封入されて
いる。ハウジングの中に、半導体基板１、熱補償板２、
および熱補償板３が収納された状態で、主電極５に銀ろ
う付けされた金属板８の端面と絶縁筒６とを最後に溶接
した後、内部に残留するガスを金属管１１ｂを通して排
気ししかも不活性ガスで置換し、その後、金属管１１ｂ
の端部をアーク溶接することによって、ハウジングの気
密性と不活性ガスの封入とが実現されている。
は、気密となっており、しかも不活性ガスが封入されて
いる。ハウジングの中に、半導体基板１、熱補償板２、
および熱補償板３が収納された状態で、主電極５に銀ろ
う付けされた金属板８の端面と絶縁筒６とを最後に溶接
した後、内部に残留するガスを金属管１１ｂを通して排
気ししかも不活性ガスで置換し、その後、金属管１１ｂ
の端部をアーク溶接することによって、ハウジングの気
密性と不活性ガスの封入とが実現されている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、以下に列挙するような
問題点を有していた。
上のように構成されているので、以下に列挙するような
問題点を有していた。
【００１８】第１に従来の圧接型半導体装置では、半導
体基板１と熱補償板３とがろう材によって合金固着され
ていたため、合金工程後の冷却時に双方の熱膨張係数の
差異に起因して生じる熱収縮差によって、半導体基板１
と熱補償板３の結合体に反り変形が生じ、その結果、半
導体基板１と主電極４、５との接触面が不均一となり、
装置の歩留が低下するという問題があった。特に最近の
装置の大口径化にともなって、この問題は一層顕著とな
りつつある。
体基板１と熱補償板３とがろう材によって合金固着され
ていたため、合金工程後の冷却時に双方の熱膨張係数の
差異に起因して生じる熱収縮差によって、半導体基板１
と熱補償板３の結合体に反り変形が生じ、その結果、半
導体基板１と主電極４、５との接触面が不均一となり、
装置の歩留が低下するという問題があった。特に最近の
装置の大口径化にともなって、この問題は一層顕著とな
りつつある。
【００１９】その対策として、上述のように半導体基板
１と熱補償板３を合金しないアロイフリーの構造を有す
る装置が出現している。しかしながら、このアロイフリ
ータイプの従来装置においては、半導体基板１と熱補償
板３が固着されていないために、組立てや輸送の際にそ
れらが半径方向や軸方向に動き、その結果、半導体基板
１を破損するという問題点があった。特に光トリガ型の
装置では、ライトガイド１０が破損したり、半導体基板
１の受光部１ａとライトガイド１０の出光端面との相対
位置が偏位することによって半導体基板１に光信号が伝
わらず、その結果、装置が適切に動作しなくなるといっ
た問題点があった。
１と熱補償板３を合金しないアロイフリーの構造を有す
る装置が出現している。しかしながら、このアロイフリ
ータイプの従来装置においては、半導体基板１と熱補償
板３が固着されていないために、組立てや輸送の際にそ
れらが半径方向や軸方向に動き、その結果、半導体基板
１を破損するという問題点があった。特に光トリガ型の
装置では、ライトガイド１０が破損したり、半導体基板
１の受光部１ａとライトガイド１０の出光端面との相対
位置が偏位することによって半導体基板１に光信号が伝
わらず、その結果、装置が適切に動作しなくなるといっ
た問題点があった。
【００２０】第２に、従来の光トリガ半導体装置は、通
電によって半導体基板１で発生する損失熱を熱補償板
２、３および電極４、５を通して外部へ伝達し、半導体
基板１が過熱するのを防いでいる。しかしながら、光信
号を伝達するためのライトガイド１０を導入するため
に、主電極４に切欠き４ａが形成されており、しかも、
半導体基板１の受光部１ａにライトガイド１０の出力端
部の定位を行う案内環等を用いる場合には、主電極４の
底面の中央部に一定の容積の溝が設けられる。従来の装
置では、これらの切り欠き４ａおよび溝の容積が大きい
ほど、損失熱の伝達効率が低下するという問題点があっ
た。
電によって半導体基板１で発生する損失熱を熱補償板
２、３および電極４、５を通して外部へ伝達し、半導体
基板１が過熱するのを防いでいる。しかしながら、光信
号を伝達するためのライトガイド１０を導入するため
に、主電極４に切欠き４ａが形成されており、しかも、
半導体基板１の受光部１ａにライトガイド１０の出力端
部の定位を行う案内環等を用いる場合には、主電極４の
底面の中央部に一定の容積の溝が設けられる。従来の装
置では、これらの切り欠き４ａおよび溝の容積が大きい
ほど、損失熱の伝達効率が低下するという問題点があっ
た。
【００２１】第３に、従来の光トリガ半導体装置の組立
てを行う際には、ライトガイド１０を組込んだ後に、主
電極４の外周に予め固着されている金属板７と絶縁筒６
との間に溶接を行うことにより、主電極４が絶縁筒６に
固着される。このため、溶接完了までの工程において、
仮組みされた状態で主電極４が回転し、その結果、切欠
き４ａがライトガイド１０に接触することにより、ライ
トガイド１０が破損するという問題点があった。
てを行う際には、ライトガイド１０を組込んだ後に、主
電極４の外周に予め固着されている金属板７と絶縁筒６
との間に溶接を行うことにより、主電極４が絶縁筒６に
固着される。このため、溶接完了までの工程において、
仮組みされた状態で主電極４が回転し、その結果、切欠
き４ａがライトガイド１０に接触することにより、ライ
トガイド１０が破損するという問題点があった。
【００２２】第４に、従来の光トリガ半導体装置では、
ライトガイド１０の入光端部および出光端部の双方が固
着されているために、温度変化の繰返しによる部材の伸
縮によってライトガイド１０が破損する恐れがあった。
これに加えて、ライトガイド１０を装置へ組込む際の作
業、すなわちハンダを用いて固着を行い、さらに気密を
実現する工程において、装置の歩留りが低下するという
問題点があった。
ライトガイド１０の入光端部および出光端部の双方が固
着されているために、温度変化の繰返しによる部材の伸
縮によってライトガイド１０が破損する恐れがあった。
これに加えて、ライトガイド１０を装置へ組込む際の作
業、すなわちハンダを用いて固着を行い、さらに気密を
実現する工程において、装置の歩留りが低下するという
問題点があった。
【００２３】第５に、従来のアロイフリー構造の圧接型
半導体装置は、図１０に示す様に構成されているので、
半導体基板１と熱補償板３とが、所定の相対位置から互
いにずれないように半導体基板１の端面を熱補償板３へ
接着する必要があったが、この作業は容易ではないとい
う問題点があった。また、接着に用いられるシリコーン
ゴム等は、流動性を有するので、半導体基板１と熱補償
板３の間に流れ込む危険性があった。
半導体装置は、図１０に示す様に構成されているので、
半導体基板１と熱補償板３とが、所定の相対位置から互
いにずれないように半導体基板１の端面を熱補償板３へ
接着する必要があったが、この作業は容易ではないとい
う問題点があった。また、接着に用いられるシリコーン
ゴム等は、流動性を有するので、半導体基板１と熱補償
板３の間に流れ込む危険性があった。
【００２４】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、半導体基板および熱補償板を
固定するとともに、装置内部で発生する熱を効率よく外
部へ伝達し、ライトガイドが破損することを防止し、し
かも、ライトガイドの装置への組込み作業が容易な半導
体装置を提供することを目的とする。
るためになされたもので、半導体基板および熱補償板を
固定するとともに、装置内部で発生する熱を効率よく外
部へ伝達し、ライトガイドが破損することを防止し、し
かも、ライトガイドの装置への組込み作業が容易な半導
体装置を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１記載の圧接型半導体装置は、半導体基板と、当該半導
体基板にアロイフリーで接触する熱補償板と、当該熱補
償板に接触する主電極と、を備え、前記熱補償板と前記
主電極とが、ピンの相異なる端部に嵌合することによっ
て互いに位置決めされている。
１記載の圧接型半導体装置は、半導体基板と、当該半導
体基板にアロイフリーで接触する熱補償板と、当該熱補
償板に接触する主電極と、を備え、前記熱補償板と前記
主電極とが、ピンの相異なる端部に嵌合することによっ
て互いに位置決めされている。
【００２６】この発明にかかる請求項２記載の圧接型半
導体装置は、請求項１記載の装置であって、前記熱補償
板と前記主電極とが、それぞれの接触面の略中央位置に
おいてのみ前記ピンに嵌合している。
導体装置は、請求項１記載の装置であって、前記熱補償
板と前記主電極とが、それぞれの接触面の略中央位置に
おいてのみ前記ピンに嵌合している。
【００２７】この発明にかかる請求項３記載の圧接型半
導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周囲を囲
む絶縁筒とを備え、前記半導体基板が、前記絶縁筒の内
壁に固定されている。
導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周囲を囲
む絶縁筒とを備え、前記半導体基板が、前記絶縁筒の内
壁に固定されている。
【００２８】この発明にかかる請求項４記載の圧接型半
導体装置は、請求項３記載の装置であって、前記絶縁筒
の前記内壁に内方へ張り出す突起部が形成されており、
前記半導体基板が当該突起部に固定されている。
導体装置は、請求項３記載の装置であって、前記絶縁筒
の前記内壁に内方へ張り出す突起部が形成されており、
前記半導体基板が当該突起部に固定されている。
【００２９】この発明にかかる請求項５記載の圧接型半
導体装置は、請求項４記載の装置であって、前記半導体
基板が前記突起部に接着剤を用いて固定されている。
導体装置は、請求項４記載の装置であって、前記半導体
基板が前記突起部に接着剤を用いて固定されている。
【００３０】この発明にかかる請求項６記載の圧接型半
導体装置は、請求項４記載の装置であって、前記半導体
基板が、当該基板の外周に設けられた保護用樹脂を介し
て前記突起部に固定されている。
導体装置は、請求項４記載の装置であって、前記半導体
基板が、当該基板の外周に設けられた保護用樹脂を介し
て前記突起部に固定されている。
【００３１】この発明にかかる請求項７記載の圧接型半
導体装置は、請求項４記載の装置であって、前記突起部
が前記内壁の全周にわたって形成されている。
導体装置は、請求項４記載の装置であって、前記突起部
が前記内壁の全周にわたって形成されている。
【００３２】この発明にかかる請求項８記載の圧接型半
導体装置は、請求項７記載の装置であって、前記半導体
基板を収納する前記絶縁筒の内部が外部と気密になって
おり、前記突起部に貫通孔が形成されている。
導体装置は、請求項７記載の装置であって、前記半導体
基板を収納する前記絶縁筒の内部が外部と気密になって
おり、前記突起部に貫通孔が形成されている。
【００３３】この発明にかかる請求項９記載の圧接型半
導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周囲を囲
む絶縁筒と、を備え、前記半導体基板が前記絶縁筒の内
壁に保護用樹脂を介して固定されている。
導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周囲を囲
む絶縁筒と、を備え、前記半導体基板が前記絶縁筒の内
壁に保護用樹脂を介して固定されている。
【００３４】この発明にかかる請求項１０記載の圧接型
半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板に圧接さ
れた主電極と、前記半導体基板に制御信号を伝達する制
御信号伝達経路と、を備え、前記主電極は前記制御信号
伝達経路を収納する溝部を規定し、当該溝部が深部から
開口部に向かって開口幅が拡大する形状を有する。
半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板に圧接さ
れた主電極と、前記半導体基板に制御信号を伝達する制
御信号伝達経路と、を備え、前記主電極は前記制御信号
伝達経路を収納する溝部を規定し、当該溝部が深部から
開口部に向かって開口幅が拡大する形状を有する。
【００３５】この発明にかかる請求項１１記載の光トリ
ガ型半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周
囲を囲む絶縁筒と、前記半導体基板に光信号を伝達する
ライトガイドと、を備え、前記ライトガイドの一部が筒
体に収容されて前記絶縁筒に装着されている。
ガ型半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周
囲を囲む絶縁筒と、前記半導体基板に光信号を伝達する
ライトガイドと、を備え、前記ライトガイドの一部が筒
体に収容されて前記絶縁筒に装着されている。
【００３６】この発明にかかる請求項１２記載の光トリ
ガ型半導体装置は、請求項１１記載の装置であって、前
記筒体が前記絶縁筒の内側に突出しており、前記ライト
ガイドが当該筒体に遊挿されている。
ガ型半導体装置は、請求項１１記載の装置であって、前
記筒体が前記絶縁筒の内側に突出しており、前記ライト
ガイドが当該筒体に遊挿されている。
【００３７】この発明にかかる請求項１３記載の光トリ
ガ型半導体装置は、請求項１１記載の装置であって、前
記ライトガイドの一部が弾性筒体を介して前記筒体へ挿
入されている。
ガ型半導体装置は、請求項１１記載の装置であって、前
記ライトガイドの一部が弾性筒体を介して前記筒体へ挿
入されている。
【００３８】この発明にかかる請求項１４記載の光トリ
ガ型半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周
囲を囲む絶縁筒と、前記半導体基板に光信号を伝達する
ライトガイドと、を備え、前記ライトガイドの一部が弾
性筒体を介して前記絶縁筒に装着されている。
ガ型半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の周
囲を囲む絶縁筒と、前記半導体基板に光信号を伝達する
ライトガイドと、を備え、前記ライトガイドの一部が弾
性筒体を介して前記絶縁筒に装着されている。
【００３９】この発明にかかる請求項１５記載の光トリ
ガ型半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の受
光面に光信号を伝達するライトガイドと、前記受光面を
包囲するように前記半導体基板上に固定された案内環
と、を備え、前記ライトガイドの出光端部が、前記案内
環に挿入されている。
ガ型半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板の受
光面に光信号を伝達するライトガイドと、前記受光面を
包囲するように前記半導体基板上に固定された案内環
と、を備え、前記ライトガイドの出光端部が、前記案内
環に挿入されている。
【００４０】この発明にかかる請求項１６記載の光トリ
ガ型半導体装置は、請求項１５記載の装置であって、前
記案内環を第１の案内環とし、前記ライトガイドの出光
端部が嵌挿された第２の案内環を更に備え、前記第１の
案内環は前記ライトガイドの出光端部が遊挿されてお
り、前記第２の案内環は前記第１の案内環の外周に嵌合
する。
ガ型半導体装置は、請求項１５記載の装置であって、前
記案内環を第１の案内環とし、前記ライトガイドの出光
端部が嵌挿された第２の案内環を更に備え、前記第１の
案内環は前記ライトガイドの出光端部が遊挿されてお
り、前記第２の案内環は前記第１の案内環の外周に嵌合
する。
【００４１】この発明にかかる請求項１７記載の光トリ
ガ型半導体装置は、請求項１５記載の装置であって、前
記ライトガイドの出光端部が前記案内環の内部に充填さ
れた接着性の光結合剤によって、当該案内環の内部に固
定されている。
ガ型半導体装置は、請求項１５記載の装置であって、前
記ライトガイドの出光端部が前記案内環の内部に充填さ
れた接着性の光結合剤によって、当該案内環の内部に固
定されている。
【００４２】この発明にかかる請求項１８記載の圧接型
半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板に接触す
る熱補償板と、当該熱補償板に接触する主電極とを備
え、前記熱補償板と前記主電極の双方の外周に嵌合する
リングを更に備えることを特徴とする。
半導体装置は、半導体基板と、当該半導体基板に接触す
る熱補償板と、当該熱補償板に接触する主電極とを備
え、前記熱補償板と前記主電極の双方の外周に嵌合する
リングを更に備えることを特徴とする。
【００４３】この発明にかかる請求項１９記載の圧接型
半導体装置は、請求項１８記載の装置であって、前記主
電極と前記リングの間に介挿される弾性体を更に備え、
当該リングは前記熱補償板の前記主電極と当接する面の
外縁部分に係合しており、前記弾性体の弾性力によって
前記リングが前記熱補償板に押圧付勢されていることを
特徴とする。
半導体装置は、請求項１８記載の装置であって、前記主
電極と前記リングの間に介挿される弾性体を更に備え、
当該リングは前記熱補償板の前記主電極と当接する面の
外縁部分に係合しており、前記弾性体の弾性力によって
前記リングが前記熱補償板に押圧付勢されていることを
特徴とする。
【００４４】
＜請求項１記載の発明の作用＞この発明の圧接型半導体
装置では、互いに接触し合う主電極と熱補償板とが共通
のピンに嵌合することによって固定されているので、移
動中など装置の使用前においてこれらが変位することに
起因する半導体基板の破損を防止することができる。
装置では、互いに接触し合う主電極と熱補償板とが共通
のピンに嵌合することによって固定されているので、移
動中など装置の使用前においてこれらが変位することに
起因する半導体基板の破損を防止することができる。
【００４５】＜請求項２記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、熱補償板と主電極とが、それぞ
れの略中央の一箇所でのみ共通のピンに嵌合しているの
で、最も簡単な構造で径方向の位置ずれを防止すること
ができる。
圧接型半導体装置では、熱補償板と主電極とが、それぞ
れの略中央の一箇所でのみ共通のピンに嵌合しているの
で、最も簡単な構造で径方向の位置ずれを防止すること
ができる。
【００４６】＜請求項３記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒に固定され
ているので、半導体基板が移動することにより絶縁筒の
内壁などに当接して損傷する恐れがない。
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒に固定され
ているので、半導体基板が移動することにより絶縁筒の
内壁などに当接して損傷する恐れがない。
【００４７】＜請求項４記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内壁に形成された突起
部に半導体基板が固定されるので、半導体基板の固定が
容易に行い得る。
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内壁に形成された突起
部に半導体基板が固定されるので、半導体基板の固定が
容易に行い得る。
【００４８】＜請求項５記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が接着剤を用いて突
起部へ固定されるので、半導体基板の固定が一層容易に
行い得る。
圧接型半導体装置では、半導体基板が接着剤を用いて突
起部へ固定されるので、半導体基板の固定が一層容易に
行い得る。
【００４９】＜請求項６記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が保護用樹脂を介し
て突起部に固定されているので、外部から付与される振
動、衝撃等による半導体基板への損傷を防止し得る。
圧接型半導体装置では、半導体基板が保護用樹脂を介し
て突起部に固定されているので、外部から付与される振
動、衝撃等による半導体基板への損傷を防止し得る。
【００５０】＜請求項７記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、突起部が絶縁筒の内壁の全周に
わたって形成されているので、半導体基板が安定して固
定される。
圧接型半導体装置では、突起部が絶縁筒の内壁の全周に
わたって形成されているので、半導体基板が安定して固
定される。
【００５１】＜請求項８記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内部が外部から気密に
なっているために、内部に不活性ガスを充填することに
よって半導体基板等の動作の安定性、高寿命化を図るこ
とが可能である。しかも、突起部に貫通孔が形成されて
いるので、半導体基板が突起部に接着されたときに、半
導体基板で隔てられる絶縁筒の内部の２つの領域が貫通
孔を介して互いに連通する。このため、装置の組立終了
前に、絶縁筒の１箇所にのみ設けられた排気栓から、内
部に残留する不要なガスを２つの領域のいずれからも排
気し、さらに不活性ガスで置換することができる。
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内部が外部から気密に
なっているために、内部に不活性ガスを充填することに
よって半導体基板等の動作の安定性、高寿命化を図るこ
とが可能である。しかも、突起部に貫通孔が形成されて
いるので、半導体基板が突起部に接着されたときに、半
導体基板で隔てられる絶縁筒の内部の２つの領域が貫通
孔を介して互いに連通する。このため、装置の組立終了
前に、絶縁筒の１箇所にのみ設けられた排気栓から、内
部に残留する不要なガスを２つの領域のいずれからも排
気し、さらに不活性ガスで置換することができる。
【００５２】＜請求項９記載の発明の作用＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒の内壁に保
護用樹脂を介して固定されるので、半導体基板が移動す
ることにより絶縁筒の内壁などに当接して損傷する恐れ
がない。また、外部から付与される振動、衝撃等による
半導体基板への損傷を防止し得る。
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒の内壁に保
護用樹脂を介して固定されるので、半導体基板が移動す
ることにより絶縁筒の内壁などに当接して損傷する恐れ
がない。また、外部から付与される振動、衝撃等による
半導体基板への損傷を防止し得る。
【００５３】＜請求項１０記載の発明の作用＞この発明
の圧接型半導体装置では、制御信号伝達経路を収納する
溝部が、例えばテーパ状などの深部から開口部に向かっ
て開口幅が拡大する形状を有するので、制御信号伝達経
路の収納が容易であると共に、溝部の容積を低く抑える
ことができる。このため、半導体基板で発生する損失熱
が主電極を通じて効率よく外部へ放散される。
の圧接型半導体装置では、制御信号伝達経路を収納する
溝部が、例えばテーパ状などの深部から開口部に向かっ
て開口幅が拡大する形状を有するので、制御信号伝達経
路の収納が容易であると共に、溝部の容積を低く抑える
ことができる。このため、半導体基板で発生する損失熱
が主電極を通じて効率よく外部へ放散される。
【００５４】＜請求項１１記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、破損し易いライトガイ
ドの一部が筒体に収容されて絶縁筒に装着されているの
で、ライトガイドの破損が発生し難い。
の光トリガ型の半導体装置では、破損し易いライトガイ
ドの一部が筒体に収容されて絶縁筒に装着されているの
で、ライトガイドの破損が発生し難い。
【００５５】＜請求項１２記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
絶縁筒の内側へ突出する筒体に挿入されているので、絶
縁筒の内側に配置される例えば主電極等の他の部品がラ
イトガイドに直接当接することを防止できる。さらに、
ライトガイドは筒体に遊挿されているので、他の部品が
筒体に当接しても衝撃がライトガイドに伝わることがな
い。このため、特に装置の組立の際などにおけるライト
ガイドの破損を防止することができる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
絶縁筒の内側へ突出する筒体に挿入されているので、絶
縁筒の内側に配置される例えば主電極等の他の部品がラ
イトガイドに直接当接することを防止できる。さらに、
ライトガイドは筒体に遊挿されているので、他の部品が
筒体に当接しても衝撃がライトガイドに伝わることがな
い。このため、特に装置の組立の際などにおけるライト
ガイドの破損を防止することができる。
【００５６】＜請求項１３記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して筒体へ挿入されているので、外部から
装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わる
ことに起因するライトガイドの破損を防止することがで
きる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して筒体へ挿入されているので、外部から
装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わる
ことに起因するライトガイドの破損を防止することがで
きる。
【００５７】＜請求項１４記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して絶縁筒に装着されているので、外部か
ら装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わ
ることに起因するライトガイドの破損を防止することが
できる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して絶縁筒に装着されているので、外部か
ら装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わ
ることに起因するライトガイドの破損を防止することが
できる。
【００５８】＜請求項１５記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が案内環に挿入されるので、ライトガイドの出光端部
を受光面に対して適切な位置に容易に位置決めすること
が可能である。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が案内環に挿入されるので、ライトガイドの出光端部
を受光面に対して適切な位置に容易に位置決めすること
が可能である。
【００５９】＜請求項１６記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、２種類の案内環が用い
られるので、これらの案内環同士を嵌合させることによ
って、出光端部の位置決めを容易に行い得る。
の光トリガ型の半導体装置では、２種類の案内環が用い
られるので、これらの案内環同士を嵌合させることによ
って、出光端部の位置決めを容易に行い得る。
【００６０】＜請求項１７記載の発明の作用＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が接着性を有する光結合剤で案内環の中に固定されて
いるので、熱応力が光結合剤に吸収される。また、ライ
トガイドの出光端面から半導体基板の受光面への光信号
の伝達が効率よく行われる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が接着性を有する光結合剤で案内環の中に固定されて
いるので、熱応力が光結合剤に吸収される。また、ライ
トガイドの出光端面から半導体基板の受光面への光信号
の伝達が効率よく行われる。
【００６１】＜請求項１８記載の発明の作用＞この発明
の圧接型半導体装置では、リングによって熱補償板が主
電極に拘束される。このため、熱補償板が半導体基板に
沿って滑動することよって半導体基板に損傷を与える恐
れがない。
の圧接型半導体装置では、リングによって熱補償板が主
電極に拘束される。このため、熱補償板が半導体基板に
沿って滑動することよって半導体基板に損傷を与える恐
れがない。
【００６２】＜請求項１９記載の発明の作用＞この発明
の圧接型半導体装置では、リングが熱補償板の前記主電
極と当接する面の外縁部分に係合しており、弾性体の作
用でリングが熱補償板に押圧付勢されているので、外部
から付加される衝撃等によって半導体基板および熱補償
板が個別に振動することによる半導体基板の破損が防止
される。
の圧接型半導体装置では、リングが熱補償板の前記主電
極と当接する面の外縁部分に係合しており、弾性体の作
用でリングが熱補償板に押圧付勢されているので、外部
から付加される衝撃等によって半導体基板および熱補償
板が個別に振動することによる半導体基板の破損が防止
される。
【００６３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図に沿って説明
する。図１はこの実施例における光トリガ型の圧接型サ
イリスタの正面断面図である。この装置では、半導体基
板１の上主面の中央部に受光部１ａが設けられている。
この受光部１ａには、外部より入力される光信号（制御
信号）を伝達するライトガイド（制御信号伝達経路）１
０の出光端面が対向している。
する。図１はこの実施例における光トリガ型の圧接型サ
イリスタの正面断面図である。この装置では、半導体基
板１の上主面の中央部に受光部１ａが設けられている。
この受光部１ａには、外部より入力される光信号（制御
信号）を伝達するライトガイド（制御信号伝達経路）１
０の出光端面が対向している。
【００６４】半導体基板１の上主面および下主面には、
それぞれ熱補償板２および熱補償板３が当接している。
これらの熱補償板２、３は、いずれも半導体基板１には
ろう付けなどによって合金されることなく、いわゆるア
ロイフリーで半導体基板１の両主面に圧接される。
それぞれ熱補償板２および熱補償板３が当接している。
これらの熱補償板２、３は、いずれも半導体基板１には
ろう付けなどによって合金されることなく、いわゆるア
ロイフリーで半導体基板１の両主面に圧接される。
【００６５】熱補償板２、３は、それぞれ主電極４、５
によって挟持されている。これらの主電極４、５は、そ
れぞれ円環状の金属板７、８を介して、例えばセラミク
スで構成される絶縁筒６に固着されている。絶縁筒６
は、沿面放電を抑えるための外方突出部、あるいは凹凸
部を外周に有する。また、絶縁筒６はその内周に沿って
内方へ突出した突起部６ａを有する。
によって挟持されている。これらの主電極４、５は、そ
れぞれ円環状の金属板７、８を介して、例えばセラミク
スで構成される絶縁筒６に固着されている。絶縁筒６
は、沿面放電を抑えるための外方突出部、あるいは凹凸
部を外周に有する。また、絶縁筒６はその内周に沿って
内方へ突出した突起部６ａを有する。
【００６６】熱補償板３と主電極５とは、ねじピン（ピ
ン）３２によって定位されている。すなわち、熱補償板
３の中央に貫通孔が設けられるとともに、対応する主電
極５の中央にネジ孔が設けられており、ネジ孔に螺合す
るネジ３２が熱補償板３の貫通孔に嵌合することによっ
て、熱補償板３の半径方向の動きが拘束されている。熱
補償板３が半径方向に移動しないので、半導体基体１を
破損する恐れがない。また、半導体基板１の外周に取り
付けられた後述する絶縁樹脂（保護用樹脂）２３を破損
したり移動させる恐れもない。
ン）３２によって定位されている。すなわち、熱補償板
３の中央に貫通孔が設けられるとともに、対応する主電
極５の中央にネジ孔が設けられており、ネジ孔に螺合す
るネジ３２が熱補償板３の貫通孔に嵌合することによっ
て、熱補償板３の半径方向の動きが拘束されている。熱
補償板３が半径方向に移動しないので、半導体基体１を
破損する恐れがない。また、半導体基板１の外周に取り
付けられた後述する絶縁樹脂（保護用樹脂）２３を破損
したり移動させる恐れもない。
【００６７】また、ねじピン３２は、主電極５のネジ孔
に螺合することによって貫通孔の軸方向へは動かないの
で、半導体基板１に衝突して半導体基板１を破損させる
恐れがない。さらに、ねじピン３２は、熱補償板３と主
電極５の中央の一箇所のみで係合するという、最も簡単
な構造で熱補償板３における半径方向の移動を阻止して
いる。
に螺合することによって貫通孔の軸方向へは動かないの
で、半導体基板１に衝突して半導体基板１を破損させる
恐れがない。さらに、ねじピン３２は、熱補償板３と主
電極５の中央の一箇所のみで係合するという、最も簡単
な構造で熱補償板３における半径方向の移動を阻止して
いる。
【００６８】ねじピン３２の代わりに、ネジを有しない
ピンを用いることも可能である。図２および図３にその
例を示す。これらの図２、図３は、図１に示した熱補償
板３の中央付近の部分拡大断面図である。
ピンを用いることも可能である。図２および図３にその
例を示す。これらの図２、図３は、図１に示した熱補償
板３の中央付近の部分拡大断面図である。
【００６９】図２に示す例では、熱補償板３の中央には
貫通孔の代わりに有底孔が設けられ、対応する主電極５
の中央にはネジ孔の代わりに熱補償板３と同様の有底孔
が設けられている。そして、ねじピン３２の代わりにネ
ジを有しないピン３３が用いられ、このピン３３が双方
の有底孔に嵌合することによって熱補償板３と主電極５
との定位が実現されている。
貫通孔の代わりに有底孔が設けられ、対応する主電極５
の中央にはネジ孔の代わりに熱補償板３と同様の有底孔
が設けられている。そして、ねじピン３２の代わりにネ
ジを有しないピン３３が用いられ、このピン３３が双方
の有底孔に嵌合することによって熱補償板３と主電極５
との定位が実現されている。
【００７０】この例においても、熱補償板３の半径方向
の動きが拘束されるので、半導体基板１の外周に取り付
けられた絶縁樹脂２３を破損したり移動させる恐れがな
い。また、熱補償板３に設けられる孔が貫通孔ではなく
有底孔であるので、ピン３３が半導体基板１に衝突して
半導体基板１を破損させる恐れがない。
の動きが拘束されるので、半導体基板１の外周に取り付
けられた絶縁樹脂２３を破損したり移動させる恐れがな
い。また、熱補償板３に設けられる孔が貫通孔ではなく
有底孔であるので、ピン３３が半導体基板１に衝突して
半導体基板１を破損させる恐れがない。
【００７１】図３に示す例では、ピン３３は主電極５の
有底孔に単に嵌合するだけでなく、ろう材２５によって
ろう付けされている。このため、ピン３３は孔の軸方向
に移動することがないので、熱補償板３に設けられる孔
は、図２に示すように貫通孔であってもよい。また、ピ
ン３３を主電極５へろう付けする代わりに、熱補償板３
へろう付けしてもよい。これらのいずれの構成によって
も、ねじピン３２を用いた構成と同様の効果が得られ
る。
有底孔に単に嵌合するだけでなく、ろう材２５によって
ろう付けされている。このため、ピン３３は孔の軸方向
に移動することがないので、熱補償板３に設けられる孔
は、図２に示すように貫通孔であってもよい。また、ピ
ン３３を主電極５へろう付けする代わりに、熱補償板３
へろう付けしてもよい。これらのいずれの構成によって
も、ねじピン３２を用いた構成と同様の効果が得られ
る。
【００７２】図１に戻って、主電極４の外周側面と、熱
補償板２の外周側面および上主面の外縁部分とに嵌合す
る固定リング３０によって、熱補償板２の半径方向の動
きが拘束されている。このため、熱補償板２が半導体基
体１に沿って滑動することによって半導体基体１に損傷
を与えたり、絶縁樹脂２３を破損したりする恐れがな
い。なお、固定リング３０は、樹脂もしくはアルミなど
の金属で構成される。
補償板２の外周側面および上主面の外縁部分とに嵌合す
る固定リング３０によって、熱補償板２の半径方向の動
きが拘束されている。このため、熱補償板２が半導体基
体１に沿って滑動することによって半導体基体１に損傷
を与えたり、絶縁樹脂２３を破損したりする恐れがな
い。なお、固定リング３０は、樹脂もしくはアルミなど
の金属で構成される。
【００７３】また主電極４は、その外周側面の上端部
に、外側へ張り出したフランジ部４ｃを備えている。こ
のフランジ部４ｃの下面と固定リング３０の上端面との
間にスプリングコイル、波状リングバネ、あるいは皿バ
ネなどのバネ（弾性体）３１が介挿されている。
に、外側へ張り出したフランジ部４ｃを備えている。こ
のフランジ部４ｃの下面と固定リング３０の上端面との
間にスプリングコイル、波状リングバネ、あるいは皿バ
ネなどのバネ（弾性体）３１が介挿されている。
【００７４】このバネ３１の弾性力によって、固定リン
グ３０は熱補償板２、３と半導体基板１とを、主電極５
へ押圧付勢している。このため、金属板７および８のバ
ネ作用が引き起こす振動に起因して、半導体基板１や熱
補償板２、３が軸方向に個別に動き、その結果、半導体
基板１およびライトガイド１０を破損するという恐れが
ない。また、ライトガイド１０の出光端面と、半導体基
板の受光部１ａの結合を損なうなどの障害も防止され、
装置の歩留りの低下が抑えられる。また同時に、バネ３
１の作用によって熱補償板２、３と半導体基板１の面接
触が均一となり、放熱特性等が改善される。
グ３０は熱補償板２、３と半導体基板１とを、主電極５
へ押圧付勢している。このため、金属板７および８のバ
ネ作用が引き起こす振動に起因して、半導体基板１や熱
補償板２、３が軸方向に個別に動き、その結果、半導体
基板１およびライトガイド１０を破損するという恐れが
ない。また、ライトガイド１０の出光端面と、半導体基
板の受光部１ａの結合を損なうなどの障害も防止され、
装置の歩留りの低下が抑えられる。また同時に、バネ３
１の作用によって熱補償板２、３と半導体基板１の面接
触が均一となり、放熱特性等が改善される。
【００７５】半導体基板１の半径方向の動きは、半導体
基板１の外周に固着された側壁保護用の絶縁樹脂２３
と、絶縁筒内部の突起６ａを接着剤２４で固着すること
によって拘束されている。半導体基体１の半径方向の動
きが拘束されるので、半導体基体１が熱補償板２、３の
間で滑動することによる損傷、あるいは絶縁筒６の内壁
に当接することによる損傷が防止される。さらに、絶縁
樹脂２を介して固着されているので、外部から付与され
る振動、衝撃が、この絶縁樹脂２３によって吸収され
る。このため、これらの振動、衝撃による半導体基板１
の破損も抑制される。
基板１の外周に固着された側壁保護用の絶縁樹脂２３
と、絶縁筒内部の突起６ａを接着剤２４で固着すること
によって拘束されている。半導体基体１の半径方向の動
きが拘束されるので、半導体基体１が熱補償板２、３の
間で滑動することによる損傷、あるいは絶縁筒６の内壁
に当接することによる損傷が防止される。さらに、絶縁
樹脂２を介して固着されているので、外部から付与され
る振動、衝撃が、この絶縁樹脂２３によって吸収され
る。このため、これらの振動、衝撃による半導体基板１
の破損も抑制される。
【００７６】また、半導体基板１の半径方向の動きが拘
束されていることは、同時にライトガイド１０の出光端
面と半導体基板の受光部１ａとの位置決めにも役立って
いる。すなわち、ライトガイド１０の出光端面と受光部
１ａとの位置を合わせておき、その後、接着剤２４によ
る固着を行うならば、ライトガイド１０の寸法公差等に
よる部品間の寸法上の誤差を調整して正確な位置決めを
行うことができる。
束されていることは、同時にライトガイド１０の出光端
面と半導体基板の受光部１ａとの位置決めにも役立って
いる。すなわち、ライトガイド１０の出光端面と受光部
１ａとの位置を合わせておき、その後、接着剤２４によ
る固着を行うならば、ライトガイド１０の寸法公差等に
よる部品間の寸法上の誤差を調整して正確な位置決めを
行うことができる。
【００７７】図４は、半導体基体１が突起部６ａへ固定
される様子を示す平面図である。図４に示すように、接
着剤２４は、半導体基体１の周囲に間隔をおいて塗布さ
れている。そして、突起部６ａには、それらの接着剤２
４が塗布されない部分に、突起部６ａの上面と下面との
間を貫通する貫通孔６ｂが設けられている。図１に戻っ
て、このことにより、半導体基板１の上方と下方とが互
いに連通する。その結果、半導体基体１の上方に設けら
れた排気栓１１ｂを通じて、ハウジング内で発生した酸
化性ガス、水蒸気等のガスを排出し、さらにハウジング
内のガスを不活性ガスと置換することが可能である。
される様子を示す平面図である。図４に示すように、接
着剤２４は、半導体基体１の周囲に間隔をおいて塗布さ
れている。そして、突起部６ａには、それらの接着剤２
４が塗布されない部分に、突起部６ａの上面と下面との
間を貫通する貫通孔６ｂが設けられている。図１に戻っ
て、このことにより、半導体基板１の上方と下方とが互
いに連通する。その結果、半導体基体１の上方に設けら
れた排気栓１１ｂを通じて、ハウジング内で発生した酸
化性ガス、水蒸気等のガスを排出し、さらにハウジング
内のガスを不活性ガスと置換することが可能である。
【００７８】図１に示すように、主電極４にはライトガ
イド１０を導入するための切欠き（溝部）４ａ、４ｂが
形成されている。ところで、半導体基板１で発生する損
失熱は主電極４、５を伝導することによって装置の外部
へ放散される。損失熱を効率よく伝導するためには、切
欠き４ａ、４ｂによって主電極４に形成される空洞の容
積は小さい方が望ましい。この要請に沿うために、主電
極４の断面図である図５および底面図である図６に示す
ように、主電極４の中央部の切欠き４ｂの形状は円筒形
ではなく円錐台形、すなわちテーパ状となっている。
イド１０を導入するための切欠き（溝部）４ａ、４ｂが
形成されている。ところで、半導体基板１で発生する損
失熱は主電極４、５を伝導することによって装置の外部
へ放散される。損失熱を効率よく伝導するためには、切
欠き４ａ、４ｂによって主電極４に形成される空洞の容
積は小さい方が望ましい。この要請に沿うために、主電
極４の断面図である図５および底面図である図６に示す
ように、主電極４の中央部の切欠き４ｂの形状は円筒形
ではなく円錐台形、すなわちテーパ状となっている。
【００７９】このことによって、ライトガイド１０の出
光端部およびその付属部材の挿入を容易としつつ、しか
も主電極４の金属部分の体積を増すことによって損失熱
の伝達効率を改善している。切欠き４ｂの形状は、円錐
台形である代わりに、半球であってもよく、また開口面
積が底面に至るほど大きくなるその他の形状であっても
よい。また図示を略するが、切欠き４ａの形状も同様
に、溝の底部から開口部に至るほど広くなるように設定
されるのが望ましい。
光端部およびその付属部材の挿入を容易としつつ、しか
も主電極４の金属部分の体積を増すことによって損失熱
の伝達効率を改善している。切欠き４ｂの形状は、円錐
台形である代わりに、半球であってもよく、また開口面
積が底面に至るほど大きくなるその他の形状であっても
よい。また図示を略するが、切欠き４ａの形状も同様
に、溝の底部から開口部に至るほど広くなるように設定
されるのが望ましい。
【００８０】図７は、Ｌ字型に屈曲したライトガイド１
０における水平な入光端部付近の拡大正面断面図であ
る。絶縁筒６には、光信号を伝達するための貫通孔が水
平方向に形成されている。この貫通孔には金属管４０が
固定的に嵌挿されている。金属管４０には、外部からの
光信号が通過する光透過性の光導入窓４２が円環状の固
定治具４１を介して気密に固着されている。金属管４０
の内側面には、筒体４３が螺合することによって固定的
に貫挿されている。
０における水平な入光端部付近の拡大正面断面図であ
る。絶縁筒６には、光信号を伝達するための貫通孔が水
平方向に形成されている。この貫通孔には金属管４０が
固定的に嵌挿されている。金属管４０には、外部からの
光信号が通過する光透過性の光導入窓４２が円環状の固
定治具４１を介して気密に固着されている。金属管４０
の内側面には、筒体４３が螺合することによって固定的
に貫挿されている。
【００８１】筒体４３は、例えば樹脂または金属等で構
成され、その内径はライトガイド１０の直径より幾分大
きく、互いに接触しないように構成される。筒体４３
は、絶縁筒６の内側面よりもさらに内方へ向かって突出
している。図１における主電極４が、例えば溶接前の組
立作業中に回転することがあっても、筒体４３が備わる
ために、切欠き４ａはライトガイド１０に直接には当接
しない。すなわち、筒体４３はライトガイド１０を保護
する保護部材として機能する。ライトガイド１０と切欠
き４ａとが当接しないので、当接にともなうライトガイ
ド１０の破損が防止されるとともに、半導体基板１の受
光部１ａからのライトガイド１０の出光端面の変位（位
置ずれ）が生じない。
成され、その内径はライトガイド１０の直径より幾分大
きく、互いに接触しないように構成される。筒体４３
は、絶縁筒６の内側面よりもさらに内方へ向かって突出
している。図１における主電極４が、例えば溶接前の組
立作業中に回転することがあっても、筒体４３が備わる
ために、切欠き４ａはライトガイド１０に直接には当接
しない。すなわち、筒体４３はライトガイド１０を保護
する保護部材として機能する。ライトガイド１０と切欠
き４ａとが当接しないので、当接にともなうライトガイ
ド１０の破損が防止されるとともに、半導体基板１の受
光部１ａからのライトガイド１０の出光端面の変位（位
置ずれ）が生じない。
【００８２】また、図７に示すように、筒体４３とライ
トガイド１０の間には、シリコーンゴム系などの柔軟性
のある弾性筒体４４が介挿されている。この弾性筒体４
４を間に挟むことによって、ライトガイド１０は金属管
４０に柔軟に支持されている。このため、例えば外部か
ら付加される振動、衝撃等が弾性筒体４４によって吸収
されるので、これらの振動、衝撃等によるライトガイド
１０の破損が防止される。
トガイド１０の間には、シリコーンゴム系などの柔軟性
のある弾性筒体４４が介挿されている。この弾性筒体４
４を間に挟むことによって、ライトガイド１０は金属管
４０に柔軟に支持されている。このため、例えば外部か
ら付加される振動、衝撃等が弾性筒体４４によって吸収
されるので、これらの振動、衝撃等によるライトガイド
１０の破損が防止される。
【００８３】また、温度変化の繰返しすなわち温度サイ
クルにともなうライトガイド１０等の部材の伸縮が弾性
筒体４４によって吸収される。このため、温度サイクル
にともなって発生する熱応力に起因する破損、疲労等も
防止できる。さらに、ライトガイド１０の出光端部の位
置決めが容易であるという利点も得られる。
クルにともなうライトガイド１０等の部材の伸縮が弾性
筒体４４によって吸収される。このため、温度サイクル
にともなって発生する熱応力に起因する破損、疲労等も
防止できる。さらに、ライトガイド１０の出光端部の位
置決めが容易であるという利点も得られる。
【００８４】光導入窓４２の両表面には、１層ないし多
層からなる二酸化シリコンなどの反射防止膜が蒸着など
の方法によって形成されている。このことによって、光
信号の伝達損失の原因となる光信号の反射を抑え、伝達
効率を向上させている。反射防止膜の形成は、光導入窓
４２を固定治具４１にろう付けなどの方法で固着する前
に行われるので、光防止膜にはろう付けの際の高温に十
分耐え得る材料が選択される。また同様の反射防止膜
が、ライトガイド１０の入光端面、出光端面の両方、ま
たは一方に生成されており、光信号の伝達効率の向上を
図っている。
層からなる二酸化シリコンなどの反射防止膜が蒸着など
の方法によって形成されている。このことによって、光
信号の伝達損失の原因となる光信号の反射を抑え、伝達
効率を向上させている。反射防止膜の形成は、光導入窓
４２を固定治具４１にろう付けなどの方法で固着する前
に行われるので、光防止膜にはろう付けの際の高温に十
分耐え得る材料が選択される。また同様の反射防止膜
が、ライトガイド１０の入光端面、出光端面の両方、ま
たは一方に生成されており、光信号の伝達効率の向上を
図っている。
【００８５】図８は、ライトガイド１０の出光端部付近
の拡大正面断面図である。ライトガイド１０の出光端面
を半導体基板１の受光部１ａに定位するために、２つの
案内環５０、５１が用いられている。案内環５０、５１
は樹脂等で構成されている。案内環５０には、その中央
部に貫通孔が形成されており、この貫通孔にライトガイ
ド１０が嵌挿されている。案内環５０は更に案内環５１
の外周に嵌合し得るように構成されている。
の拡大正面断面図である。ライトガイド１０の出光端面
を半導体基板１の受光部１ａに定位するために、２つの
案内環５０、５１が用いられている。案内環５０、５１
は樹脂等で構成されている。案内環５０には、その中央
部に貫通孔が形成されており、この貫通孔にライトガイ
ド１０が嵌挿されている。案内環５０は更に案内環５１
の外周に嵌合し得るように構成されている。
【００８６】ライトガイド１０の出光端部を固定するに
は、まず案内環５１を半導体基板１の受光部１ａと同心
円となる位置に載置した後、接着剤５２で固着する。そ
の後、案内環５１の内部に光結合剤２０を充填する。固
化する前にはある程度の流動性があり、熱処理もしくは
常温放置によって固化した後もある程度の柔軟性を保持
し、しかも光学的透過性を有し、さらに屈折率が１．３
〜１．５程度の樹脂が光結合剤２０に選ばれる。これに
は、例えばシリコーンゴム系などが適する。
は、まず案内環５１を半導体基板１の受光部１ａと同心
円となる位置に載置した後、接着剤５２で固着する。そ
の後、案内環５１の内部に光結合剤２０を充填する。固
化する前にはある程度の流動性があり、熱処理もしくは
常温放置によって固化した後もある程度の柔軟性を保持
し、しかも光学的透過性を有し、さらに屈折率が１．３
〜１．５程度の樹脂が光結合剤２０に選ばれる。これに
は、例えばシリコーンゴム系などが適する。
【００８７】光結合剤が固化しないうちに、ライトガイ
ド１０の出光端部を光結合剤２０の中に挿入し、予めラ
イトガイド１０に挿入されている案内環５０を案内環５
１に嵌合させる。すでに案内環５１が所定の位置に固定
されているので、案内環５０、５１同士の嵌合によっ
て、ライトガイド１０の出光端部は必然的に受光部１ａ
の上方に定位される。このことによって、光信号が半導
体基板１の受光部１ａへ確実に伝達される。
ド１０の出光端部を光結合剤２０の中に挿入し、予めラ
イトガイド１０に挿入されている案内環５０を案内環５
１に嵌合させる。すでに案内環５１が所定の位置に固定
されているので、案内環５０、５１同士の嵌合によっ
て、ライトガイド１０の出光端部は必然的に受光部１ａ
の上方に定位される。このことによって、光信号が半導
体基板１の受光部１ａへ確実に伝達される。
【００８８】また、光結合剤２０には柔軟性があるの
で、温度サイクルによるライトガイド１０等の部材の伸
縮が光結合剤２０によって吸収される。このことによっ
て、温度サイクルにともなう熱応力に起因するライトガ
イド１０の破損等が防止される。
で、温度サイクルによるライトガイド１０等の部材の伸
縮が光結合剤２０によって吸収される。このことによっ
て、温度サイクルにともなう熱応力に起因するライトガ
イド１０の破損等が防止される。
【００８９】＜変形例＞ （１）上述の実施例では、熱補償板３と主電極５とが中
央に位置する１本のピンを介して結合していた。１本の
ピンの代わりに、複数のピンを用いて熱補償板３と主電
極５とが複数箇所で結合していても良い。このとき、熱
補償板３と主電極５との間の熱膨張係数の差異に起因す
る熱変形を吸収し得るように、これらの熱補償板３また
は主電極５の少なくとも一方は、幾分かの遊びをもって
ピン結合されるのが望ましい。
央に位置する１本のピンを介して結合していた。１本の
ピンの代わりに、複数のピンを用いて熱補償板３と主電
極５とが複数箇所で結合していても良い。このとき、熱
補償板３と主電極５との間の熱膨張係数の差異に起因す
る熱変形を吸収し得るように、これらの熱補償板３また
は主電極５の少なくとも一方は、幾分かの遊びをもって
ピン結合されるのが望ましい。
【００９０】（２）突起部６ａは、絶縁筒６の内壁の全
周にわたって形成されていなくても良い。例えば、全周
に沿った４箇所に等間隔に形成されていてもよい。この
構成によっても、半導体基板１を安定して支持すること
が可能である。しかし、より安定した支持を行う上で
は、全周にわたって突起部６ａが形成されている方が望
ましい。
周にわたって形成されていなくても良い。例えば、全周
に沿った４箇所に等間隔に形成されていてもよい。この
構成によっても、半導体基板１を安定して支持すること
が可能である。しかし、より安定した支持を行う上で
は、全周にわたって突起部６ａが形成されている方が望
ましい。
【００９１】（３）絶縁筒６の内壁には突起部６ａが設
けられず、半導体基板１が絶縁樹脂（保護用樹脂）２３
を介して絶縁筒６の内壁に固定されても良い。このと
き、絶縁樹脂２３は接着等を施されることなく、絶縁樹
脂２３自身の弾性復元力をもって絶縁筒６の内壁に当接
することによって絶縁筒６に支持されるように構成して
も良い。あるいは、絶縁樹脂２３が絶縁筒６の軸方向に
ずれないように、接着を施しても良い。
けられず、半導体基板１が絶縁樹脂（保護用樹脂）２３
を介して絶縁筒６の内壁に固定されても良い。このと
き、絶縁樹脂２３は接着等を施されることなく、絶縁樹
脂２３自身の弾性復元力をもって絶縁筒６の内壁に当接
することによって絶縁筒６に支持されるように構成して
も良い。あるいは、絶縁樹脂２３が絶縁筒６の軸方向に
ずれないように、接着を施しても良い。
【００９２】更に、絶縁樹脂２３は、半導体基板１の全
周にわたって取り付けられていなくてもよい。例えば、
全周に沿った４箇所に等間隔に取り付けられていても良
い。しかし、より安定した支持を行う上では、全周にわ
たって絶縁樹脂２３が形成されている方が望ましい。
周にわたって取り付けられていなくてもよい。例えば、
全周に沿った４箇所に等間隔に取り付けられていても良
い。しかし、より安定した支持を行う上では、全周にわ
たって絶縁樹脂２３が形成されている方が望ましい。
【００９３】（４）ライトガイド１０の入力端部は、金
属管４０および筒体４３を介することなく、弾性筒体４
４のみを介して絶縁筒６に形成された貫通孔へ直接装着
しても良い。この構成によっても、外部から付加される
振動、衝撃等がライトガイド１０へ伝わることによるラ
イトガイド１０の破損を防止することができる。
属管４０および筒体４３を介することなく、弾性筒体４
４のみを介して絶縁筒６に形成された貫通孔へ直接装着
しても良い。この構成によっても、外部から付加される
振動、衝撃等がライトガイド１０へ伝わることによるラ
イトガイド１０の破損を防止することができる。
【００９４】（５）上述の実施例では２つの案内環５
０、５１が用いられているが、１つの案内環５１のみを
用いてライトガイドの出光端部を固定してもよい。この
構成の装置では、案内環５１の中に光結合剤を充填し、
これが固化する以前にライトガイド１０の出光端部が光
結合剤の中に挿入される。このとき、案内環５１に案内
されて、ライトガイド１０は最適な位置に固定される。
０、５１が用いられているが、１つの案内環５１のみを
用いてライトガイドの出光端部を固定してもよい。この
構成の装置では、案内環５１の中に光結合剤を充填し、
これが固化する以前にライトガイド１０の出光端部が光
結合剤の中に挿入される。このとき、案内環５１に案内
されて、ライトガイド１０は最適な位置に固定される。
【００９５】（６）また、熱補償板の位置決め構造等
は、光トリガ型サイリスタに限らず、ＧＴＯサイリスタ
などの電気トリガ型サイリスタ、あるいはダイオードな
どの半導体装置に実施しても、同様の効果を奏する。電
気トリガ型サイリスタでは、ライトガイド１０の代わり
に、電気的な制御信号を伝達する信号伝達経路が設置さ
れるので、切欠き４ａ、４ｂ、筒体４３なども上述の実
施例と同様の効果を奏する。
は、光トリガ型サイリスタに限らず、ＧＴＯサイリスタ
などの電気トリガ型サイリスタ、あるいはダイオードな
どの半導体装置に実施しても、同様の効果を奏する。電
気トリガ型サイリスタでは、ライトガイド１０の代わり
に、電気的な制御信号を伝達する信号伝達経路が設置さ
れるので、切欠き４ａ、４ｂ、筒体４３なども上述の実
施例と同様の効果を奏する。
【００９６】
＜請求項１記載の発明の効果＞この発明の圧接型半導体
装置では、互いに接触し合う主電極と熱補償板とが共通
のピンに嵌合することによって固定されているので、移
動中など装置の使用前においてこれらが変位することに
起因する半導体基板の破損を防止することができる。
装置では、互いに接触し合う主電極と熱補償板とが共通
のピンに嵌合することによって固定されているので、移
動中など装置の使用前においてこれらが変位することに
起因する半導体基板の破損を防止することができる。
【００９７】＜請求項２記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、熱補償板と主電極とが、それぞ
れの略中央の一箇所でのみ共通のピンに嵌合しているの
で、最も簡単な構造で径方向の位置ずれを防止すること
ができる。
圧接型半導体装置では、熱補償板と主電極とが、それぞ
れの略中央の一箇所でのみ共通のピンに嵌合しているの
で、最も簡単な構造で径方向の位置ずれを防止すること
ができる。
【００９８】＜請求項３記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒に固定され
ているので、半導体基板が移動することにより絶縁筒の
内壁などに当接して損傷する恐れがない。
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒に固定され
ているので、半導体基板が移動することにより絶縁筒の
内壁などに当接して損傷する恐れがない。
【００９９】＜請求項４記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内壁に形成された突起
部に半導体基板が固定されるので、半導体基板の固定が
容易に行い得る。
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内壁に形成された突起
部に半導体基板が固定されるので、半導体基板の固定が
容易に行い得る。
【０１００】＜請求項５記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が接着剤を用いて突
起部へ固定されるので、半導体基板の固定が一層容易に
行い得る。
圧接型半導体装置では、半導体基板が接着剤を用いて突
起部へ固定されるので、半導体基板の固定が一層容易に
行い得る。
【０１０１】＜請求項６記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が保護用樹脂を介し
て突起部に固定されているので、外部から付与される振
動、衝撃等による半導体基板への損傷を防止し得る。
圧接型半導体装置では、半導体基板が保護用樹脂を介し
て突起部に固定されているので、外部から付与される振
動、衝撃等による半導体基板への損傷を防止し得る。
【０１０２】＜請求項７記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、突起部が絶縁筒の内壁の全周に
わたって形成されているので、半導体基板が安定して固
定される。
圧接型半導体装置では、突起部が絶縁筒の内壁の全周に
わたって形成されているので、半導体基板が安定して固
定される。
【０１０３】＜請求項８記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内部が外部から気密に
なっているために、内部に不活性ガスを充填することに
よって半導体基板等の動作の安定性、高寿命化を図るこ
とが可能である。しかも、突起部に貫通孔が形成されて
いるので、半導体基板が突起部に接着されたときに、半
導体基板で隔てられる絶縁筒の内部の２つの領域が貫通
孔を介して互いに連通する。このため、装置の組立終了
前に、絶縁筒の１箇所にのみ設けられた排気栓から、内
部に残留する不要なガスを２つの領域のいずれからも排
気し、さらに不活性ガスで置換し得るという効果が得ら
れる。
圧接型半導体装置では、絶縁筒の内部が外部から気密に
なっているために、内部に不活性ガスを充填することに
よって半導体基板等の動作の安定性、高寿命化を図るこ
とが可能である。しかも、突起部に貫通孔が形成されて
いるので、半導体基板が突起部に接着されたときに、半
導体基板で隔てられる絶縁筒の内部の２つの領域が貫通
孔を介して互いに連通する。このため、装置の組立終了
前に、絶縁筒の１箇所にのみ設けられた排気栓から、内
部に残留する不要なガスを２つの領域のいずれからも排
気し、さらに不活性ガスで置換し得るという効果が得ら
れる。
【０１０４】＜請求項９記載の発明の効果＞この発明の
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒の内壁に保
護用樹脂を介して固定されるので、半導体基板が移動す
ることにより絶縁筒の内壁などに当接して損傷する恐れ
がない。また、外部から付与される振動、衝撃等による
半導体基板への損傷を防止し得る。
圧接型半導体装置では、半導体基板が絶縁筒の内壁に保
護用樹脂を介して固定されるので、半導体基板が移動す
ることにより絶縁筒の内壁などに当接して損傷する恐れ
がない。また、外部から付与される振動、衝撃等による
半導体基板への損傷を防止し得る。
【０１０５】＜請求項１０記載の発明の効果＞この発明
の圧接型半導体装置では、制御信号伝達経路を収納する
溝部が、例えばテーパ状などの深部から開口部に向かっ
て開口幅が拡大する形状を有するので、制御信号伝達経
路の収納が容易であると共に、溝部の容積を低く抑える
ことができる。このため、半導体基板で発生する損失熱
が主電極を通じて効率よく外部へ放散されるという効果
が得られる。
の圧接型半導体装置では、制御信号伝達経路を収納する
溝部が、例えばテーパ状などの深部から開口部に向かっ
て開口幅が拡大する形状を有するので、制御信号伝達経
路の収納が容易であると共に、溝部の容積を低く抑える
ことができる。このため、半導体基板で発生する損失熱
が主電極を通じて効率よく外部へ放散されるという効果
が得られる。
【０１０６】＜請求項１１記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、破損し易いライトガイ
ドの一部が筒体に収容されて絶縁筒に装着されているの
で、ライトガイドの破損が発生し難い。
の光トリガ型の半導体装置では、破損し易いライトガイ
ドの一部が筒体に収容されて絶縁筒に装着されているの
で、ライトガイドの破損が発生し難い。
【０１０７】＜請求項１２記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
絶縁筒の内側へ突出する筒体に挿入されているので、絶
縁筒の内側に配置される例えば主電極等の他の部品がラ
イトガイドに直接当接することを防止できる。さらに、
ライトガイドは筒体に遊挿されているので、他の部品が
筒体に当接しても衝撃がライトガイドに伝わることがな
い。このため、特に装置の組立の際などにおけるライト
ガイドの破損を防止することができる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
絶縁筒の内側へ突出する筒体に挿入されているので、絶
縁筒の内側に配置される例えば主電極等の他の部品がラ
イトガイドに直接当接することを防止できる。さらに、
ライトガイドは筒体に遊挿されているので、他の部品が
筒体に当接しても衝撃がライトガイドに伝わることがな
い。このため、特に装置の組立の際などにおけるライト
ガイドの破損を防止することができる。
【０１０８】＜請求項１３記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して筒体へ挿入されているので、外部から
装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わる
ことに起因するライトガイドの破損を防止することがで
きる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して筒体へ挿入されているので、外部から
装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わる
ことに起因するライトガイドの破損を防止することがで
きる。
【０１０９】＜請求項１４記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して絶縁筒に装着されているので、外部か
ら装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わ
ることに起因するライトガイドの破損を防止することが
できる。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの一部が
弾性筒体を介して絶縁筒に装着されているので、外部か
ら装置へ付加される振動、衝撃等がライトガイドへ伝わ
ることに起因するライトガイドの破損を防止することが
できる。
【０１１０】＜請求項１５記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が案内環に挿入されるので、ライトガイドの出光端部
を受光面に対して適切な位置に容易に位置決めすること
が可能である。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が案内環に挿入されるので、ライトガイドの出光端部
を受光面に対して適切な位置に容易に位置決めすること
が可能である。
【０１１１】＜請求項１６記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、２種類の案内環が用い
られるので、これらの案内環同士を嵌合させることによ
って、出光端部の位置決めを容易に行うことが可能であ
る。
の光トリガ型の半導体装置では、２種類の案内環が用い
られるので、これらの案内環同士を嵌合させることによ
って、出光端部の位置決めを容易に行うことが可能であ
る。
【０１１２】＜請求項１７記載の発明の効果＞この発明
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が接着性を有する光結合剤で案内環の中に固定されて
いるので、温度サイクル等による熱応力に起因するライ
トガイドの破損が防止されるとともに、ライトガイドの
出光端面から半導体基板の受光面に光信号が効率よく伝
達される。
の光トリガ型の半導体装置では、ライトガイドの出光端
部が接着性を有する光結合剤で案内環の中に固定されて
いるので、温度サイクル等による熱応力に起因するライ
トガイドの破損が防止されるとともに、ライトガイドの
出光端面から半導体基板の受光面に光信号が効率よく伝
達される。
【０１１３】＜請求項１８記載の発明の効果＞この発明
の圧接型半導体装置では、リングによって熱補償板が主
電極に拘束される。このため、熱補償板が半導体基板に
沿って滑動することよって半導体基板に損傷を与える恐
れがない。
の圧接型半導体装置では、リングによって熱補償板が主
電極に拘束される。このため、熱補償板が半導体基板に
沿って滑動することよって半導体基板に損傷を与える恐
れがない。
【０１１４】＜請求項１９記載の発明の効果＞この発明
の圧接型半導体装置では、リングが熱補償板の前記主電
極と当接する面の外縁部分に係合しており、弾性体の作
用でリングが熱補償板に押圧付勢されているので、外部
から付加される衝撃等によって半導体基板および熱補償
板が個別に振動することによる半導体基板の破損が防止
される。
の圧接型半導体装置では、リングが熱補償板の前記主電
極と当接する面の外縁部分に係合しており、弾性体の作
用でリングが熱補償板に押圧付勢されているので、外部
から付加される衝撃等によって半導体基板および熱補償
板が個別に振動することによる半導体基板の破損が防止
される。
【図１】 実施例おける圧接型半導体装置の正面断面図
である。
である。
【図２】 実施例における装置の部分拡大正面断面図で
ある。
ある。
【図３】 実施例における装置の部分拡大正面断面図で
ある。
ある。
【図４】 実施例における装置の部分平面図である。
【図５】 実施例における主電極の正面断面図である。
【図６】 実施例における主電極の底面図である。
【図７】 実施例における光導入窓付近の拡大正面断面
図である。
図である。
【図８】 実施例における受光面付近の拡大正面断面図
である。
である。
【図９】 従来の圧接型半導体装置の正面断面図であ
る。
る。
【図１０】 もう一つの従来の圧接型半導体装置の正面
断面図である。
断面図である。
１ 半導体基板、１ａ 受光部、２ 熱補償板（第１の
熱補償板）、３ 熱補償板（第２の熱補償板）、４ 主
電極（第１の主電極）、４ａ 切欠き（溝部）、４ｂ
切欠き（溝部）、４ｃ フランジ部、５ 主電極（第２
の主電極）、６ 絶縁筒、６ａ 突起部、６ｂ 貫通
孔、７，８ 円環状の金属板、１０ ライトガイド（制
御信号伝達経路）、１１ 金属環、１１ｂ 排気栓、１
２ 貫通孔、２０、２１ 光結合剤、２３ 絶縁樹脂
（保護用樹脂）、２４ 接着剤、２５ ろう材、３０
固定リング、３１ バネ、３２ ねじピン（ピン）、３
３ ピン、４０ 金属管、４１ 固定治具、４２ 光導
入窓、４３ 筒体、４４ 弾性筒体、５０ 案内環（第
２の案内環）、５１ 案内環（第１の案内環）、５２
接着剤、６０ ゲートリード線、６１ 絶縁チューブ。
熱補償板）、３ 熱補償板（第２の熱補償板）、４ 主
電極（第１の主電極）、４ａ 切欠き（溝部）、４ｂ
切欠き（溝部）、４ｃ フランジ部、５ 主電極（第２
の主電極）、６ 絶縁筒、６ａ 突起部、６ｂ 貫通
孔、７，８ 円環状の金属板、１０ ライトガイド（制
御信号伝達経路）、１１ 金属環、１１ｂ 排気栓、１
２ 貫通孔、２０、２１ 光結合剤、２３ 絶縁樹脂
（保護用樹脂）、２４ 接着剤、２５ ろう材、３０
固定リング、３１ バネ、３２ ねじピン（ピン）、３
３ ピン、４０ 金属管、４１ 固定治具、４２ 光導
入窓、４３ 筒体、４４ 弾性筒体、５０ 案内環（第
２の案内環）、５１ 案内環（第１の案内環）、５２
接着剤、６０ ゲートリード線、６１ 絶縁チューブ。
Claims (19)
- 【請求項１】 圧接型半導体装置であって、半導体基板
と、当該半導体基板にアロイフリーで接触する熱補償板
と、当該熱補償板に接触する主電極と、を備え、前記熱
補償板と前記主電極とが、ピンの相異なる端部に嵌合す
ることによって互いに位置決めされている圧接型半導体
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の圧接型半導体装置であっ
て、前記熱補償板と前記主電極とが、それぞれの接触面
の略中央位置においてのみ前記ピンに嵌合している圧接
型半導体装置。 - 【請求項３】 圧接型半導体装置であって、半導体基板
と、当該半導体基板の周囲を囲む絶縁筒とを備え、前記
半導体基板が、前記絶縁筒の内壁に固定された圧接型半
導体装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の圧接型半導体装置であっ
て、前記絶縁筒の前記内壁に内方へ張り出す突起部が形
成されており、前記半導体基板が当該突起部に固定され
た圧接型半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の圧接型半導体装置であっ
て、前記半導体基板が前記突起部に接着剤を用いて固定
されている圧接型半導体装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の圧接型半導体装置であっ
て、前記半導体基板が、当該基板の外周に設けられた保
護用樹脂を介して前記突起部に固定されている圧接型半
導体装置。 - 【請求項７】 請求項４記載の圧接型半導体装置であっ
て、前記突起部が前記内壁の全周にわたって形成されて
いる圧接型半導体装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の圧接型半導体装置であっ
て、前記半導体基板を収納する前記絶縁筒の内部が外部
と気密になっており、前記突起部に貫通孔が形成されて
いる圧接型半導体装置。 - 【請求項９】 圧接型半導体装置であって、半導体基板
と、当該半導体基板の周囲を囲む絶縁筒と、を備え、前
記半導体基板が前記絶縁筒の内壁に保護用樹脂を介して
固定された圧接型半導体装置。 - 【請求項１０】 圧接型半導体装置であって、半導体基
板と、当該半導体基板に圧接された主電極と、前記半導
体基板に制御信号を伝達する制御信号伝達経路と、を備
え、前記主電極は前記制御信号伝達経路を収納する溝部
を規定し、当該溝部が深部から開口部に向かって開口幅
が拡大する形状を有する圧接型半導体装置。 - 【請求項１１】 光トリガ型半導体装置であって、半導
体基板と、当該半導体基板の周囲を囲む絶縁筒と、前記
半導体基板に光信号を伝達するライトガイドと、を備
え、前記ライトガイドの一部が筒体に収容されて前記絶
縁筒に装着された光トリガ型半導体装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の光トリガ型半導体装
置であって、前記筒体が前記絶縁筒の内側に突出してお
り、前記ライトガイドが当該筒体に遊挿されている光ト
リガ型半導体装置。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の光トリガ型半導体装
置であって、前記ライトガイドの一部が弾性筒体を介し
て前記筒体へ挿入されている光トリガ型半導体装置。 - 【請求項１４】 光トリガ型半導体装置であって、半導
体基板と、当該半導体基板の周囲を囲む絶縁筒と、前記
半導体基板に光信号を伝達するライトガイドと、を備
え、前記ライトガイドの一部が弾性筒体を介して前記絶
縁筒に装着された光トリガ型半導体装置。 - 【請求項１５】 光トリガ型半導体装置であって、半導
体基板と、当該半導体基板の受光面に光信号を伝達する
ライトガイドと、前記受光面を包囲するように前記半導
体基板上に固定された案内環と、を備え、前記ライトガ
イドの出光端部が、前記案内環に挿入されている光トリ
ガ型半導体装置。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の光トリガ型半導体装
置であって、前記案内環を第１の案内環とし、前記ライ
トガイドの出光端部が嵌挿された第２の案内環を更に備
え、前記第１の案内環は前記ライトガイドの出光端部が
遊挿されており、前記第２の案内環は前記第１の案内環
の外周に嵌合する光トリガ型半導体装置。 - 【請求項１７】 請求項１５記載の光トリガ型半導体装
置であって、前記ライトガイドの出光端部が前記案内環
の内部に充填された接着性の光結合剤によって、当該案
内環の内部に固定されている光トリガ型半導体装置。 - 【請求項１８】 圧接型半導体装置であって、半導体基
板と、当該半導体基板に接触する熱補償板と、当該熱補
償板に接触する主電極とを備え、前記熱補償板と前記主
電極の双方の外周に嵌合するリングを更に備えることを
特徴とする圧接型半導体装置。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の圧接型半導体装置で
あって、前記主電極と前記リングの間に介挿される弾性
体を更に備え、当該リングは前記熱補償板の前記主電極
と当接する面の外縁部分に係合しており、前記弾性体の
弾性力によって前記リングが前記熱補償板に押圧付勢さ
れていることを特徴とする圧接型半導体装置。
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