JPS63289940A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63289940A JPS63289940A JP12551087A JP12551087A JPS63289940A JP S63289940 A JPS63289940 A JP S63289940A JP 12551087 A JP12551087 A JP 12551087A JP 12551087 A JP12551087 A JP 12551087A JP S63289940 A JPS63289940 A JP S63289940A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- holes
- contact
- electrodes
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板が絶縁物からなる側壁に可撓的に
連結された両面電極体を有する平形容器中に収容され、
容器外からの圧力により電極体の内面と半導体材料と近
似した熱膨脹係数をもつ接触板を介して接触する半導体
装置に関する。
連結された両面電極体を有する平形容器中に収容され、
容器外からの圧力により電極体の内面と半導体材料と近
似した熱膨脹係数をもつ接触板を介して接触する半導体
装置に関する。
内部に接合が形成された半導体基板を平形容器に収容し
た半導体装置は、電力用ダイオードあるいはサイリスタ
において公知である。このような半導体装置においては
、半導体基板に不純物拡散などによって接合を形成後、
Ｍなどの合金化により基板を半導体材料と近似した熱膨
脹係数をもつＭｏ、 Ｗなどの支持板に固着したのち、
容器内に商用する。しかしシッソトキー・バリア・ダイ
オードの場合には、障壁形成後合金化のための加熱を行
うことができず、また予め支持板を合金化すると障壁形
成面が汚染されるおそれがあるため、第２図（ａｌ、（
ｂｌに示すように一面にＭＯなどの金属を被着して障壁
を形成した半導体基板１をそのままＭ。
た半導体装置は、電力用ダイオードあるいはサイリスタ
において公知である。このような半導体装置においては
、半導体基板に不純物拡散などによって接合を形成後、
Ｍなどの合金化により基板を半導体材料と近似した熱膨
脹係数をもつＭｏ、 Ｗなどの支持板に固着したのち、
容器内に商用する。しかしシッソトキー・バリア・ダイ
オードの場合には、障壁形成後合金化のための加熱を行
うことができず、また予め支持板を合金化すると障壁形
成面が汚染されるおそれがあるため、第２図（ａｌ、（
ｂｌに示すように一面にＭＯなどの金属を被着して障壁
を形成した半導体基板１をそのままＭ。
などの接触板２を介して平形容器の両電極体３゜４間に
挿入する方法がとられている。一方の電極体３は薄い金
属フランジ５１によりセラミック環６に固着されている
。他方の電極体４に結合された薄いフランジ５２を、絶
縁環５の端面に固着されたフランジ５３と縁部で溶接す
ることにより平形容器が閉塞され、その後管７を通じて
容器内を排気後不活性ガスを封入し、管７をつぶすこと
により封止される。この平形容器の電極体３，４を外部
より押圧することにより、基板１．接触１２．電極体３
，４が相互に加圧接触する。
挿入する方法がとられている。一方の電極体３は薄い金
属フランジ５１によりセラミック環６に固着されている
。他方の電極体４に結合された薄いフランジ５２を、絶
縁環５の端面に固着されたフランジ５３と縁部で溶接す
ることにより平形容器が閉塞され、その後管７を通じて
容器内を排気後不活性ガスを封入し、管７をつぶすこと
により封止される。この平形容器の電極体３，４を外部
より押圧することにより、基板１．接触１２．電極体３
，４が相互に加圧接触する。
このような半導体装置においては、半導体基板１および
接触板２の外径を絶縁環６の内径に合わせることによっ
て容器内での位置決めが行われるが、半導体基板１が接
触板２と固定されていないため、容器の外側より加わる
機械的衝撃により、半導体基板１０周縁が絶縁環５に接
触して割れたり欠けたりしてしまい、特性不良となる欠
点があった。
接触板２の外径を絶縁環６の内径に合わせることによっ
て容器内での位置決めが行われるが、半導体基板１が接
触板２と固定されていないため、容器の外側より加わる
機械的衝撃により、半導体基板１０周縁が絶縁環５に接
触して割れたり欠けたりしてしまい、特性不良となる欠
点があった。
本発明の目的は、そのような欠点を除去して平形容器内
に収容された半導体基板の接触板および容器に対する位
置が固定され、容器外より衝撃が加わっても基板が損傷
を受けることのない半導体装置を提供することにある。
に収容された半導体基板の接触板および容器に対する位
置が固定され、容器外より衝撃が加わっても基板が損傷
を受けることのない半導体装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために本発明は、最初に述べた半
導体装置において、半導体基板および接触板にそれぞれ
貫通孔、両電極体の内面側にそれぞれ有底孔が設けられ
、一つの絶縁棒がそれらの貫通孔および有底孔に嵌入し
ているものとする。
導体装置において、半導体基板および接触板にそれぞれ
貫通孔、両電極体の内面側にそれぞれ有底孔が設けられ
、一つの絶縁棒がそれらの貫通孔および有底孔に嵌入し
ているものとする。
半導体基板および接触板の貫通孔に嵌入する絶縁棒が平
形容器の両電極体の内面側からられた有底孔に嵌入する
ことにより、半導体基板、接触板および容器の横方向の
相対位置が固定され、容器の外側からの衝撃によっても
基板の外周と容器とψ の接触が起きることがなく、基板の割れ、欠は等による
特性劣化が防止される。
形容器の両電極体の内面側からられた有底孔に嵌入する
ことにより、半導体基板、接触板および容器の横方向の
相対位置が固定され、容器の外側からの衝撃によっても
基板の外周と容器とψ の接触が起きることがなく、基板の割れ、欠は等による
特性劣化が防止される。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の一実施例を示し、第２
図と共通の部分には同一の符号が付されている。
図と共通の部分には同一の符号が付されている。
ショットキー・バリア・ダイオードの半導体基板ｌの中
心部には、レーザ加工あるいは超音波加工により貫通孔
８１が明けられ、隣接するＭｏなどの接触板２にも同じ
径の貫通孔８２がそれぞれ明けられている。さらに、平
形容器の両面の電極体３，４の内面からも、同じ直径の
有底孔８３が堀られている。そして、それらの直径より
０．１〜０．２鶴程度細い径の絶縁棒９が各貫通孔８１
．８２を貫通し、両有底孔８３に挿入されている。この
ような平形容器を従来と同様に封止すれば、半導体基板
１および接触板２の位置合わせと、電極体３．４に対す
る横方向の相対位置の固定が行われる。
心部には、レーザ加工あるいは超音波加工により貫通孔
８１が明けられ、隣接するＭｏなどの接触板２にも同じ
径の貫通孔８２がそれぞれ明けられている。さらに、平
形容器の両面の電極体３，４の内面からも、同じ直径の
有底孔８３が堀られている。そして、それらの直径より
０．１〜０．２鶴程度細い径の絶縁棒９が各貫通孔８１
．８２を貫通し、両有底孔８３に挿入されている。この
ような平形容器を従来と同様に封止すれば、半導体基板
１および接触板２の位置合わせと、電極体３．４に対す
る横方向の相対位置の固定が行われる。
本発明によれば、絶縁棒を平形容器内の半導体基板およ
びその両面に隣接する接触板の中心部に貫通させ、さら
に両電極体の有底孔内に嵌入させることにより、半導体
基板、接触板の容器内での横方向における位置が固定さ
れ、容器側壁との間の間隙が保持されるため、容器外側
より機械的衝撃が加わっても半導体基板の外周が容器側
壁と接触することがなく、半導体基板の損傷による特性
劣化のおそれのない、信頼性の高い半導体装置、例えば
電力用のショットキー・バリア・ダイオードを得ること
ができる。
びその両面に隣接する接触板の中心部に貫通させ、さら
に両電極体の有底孔内に嵌入させることにより、半導体
基板、接触板の容器内での横方向における位置が固定さ
れ、容器側壁との間の間隙が保持されるため、容器外側
より機械的衝撃が加わっても半導体基板の外周が容器側
壁と接触することがなく、半導体基板の損傷による特性
劣化のおそれのない、信頼性の高い半導体装置、例えば
電力用のショットキー・バリア・ダイオードを得ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示し、［ａ）は断面図。
つ）は下面図、第２図は従来のショットキー・バリア・
断面図を示し、同様にＩＡＩは断面図、偽）は下面図で
ある。 １：半導体基板、２：接触板、３，４：電極体、６：絶
縁環、８１，８２：貫通孔、８３：有底孔、９：絶縁棒
。
断面図を示し、同様にＩＡＩは断面図、偽）は下面図で
ある。 １：半導体基板、２：接触板、３，４：電極体、６：絶
縁環、８１，８２：貫通孔、８３：有底孔、９：絶縁棒
。
Claims (1)
- １）半導体基板が絶縁物からなる側壁に可撓的に連結さ
れた両面電極体を有する平形容器中に収容され、容器外
からの圧力により電極体の内面と半導体材料と近似した
熱膨脹係数をもつ接触板を介して接触するものにおいて
、半導体基板および接触板にそれぞれ貫通孔、両電極体
の内面側にそれぞれ有底孔が設けられ、一つの絶縁棒が
それらの貫通孔および有底孔に嵌入していることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551087A JPS63289940A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12551087A JPS63289940A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289940A true JPS63289940A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14911917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12551087A Pending JPS63289940A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621237A (en) * | 1994-04-12 | 1997-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US5641976A (en) * | 1994-02-23 | 1997-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure contact type semiconductor device with axial bias and radial restraint between a distortion buffer plate and a semiconductor body |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP12551087A patent/JPS63289940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641976A (en) * | 1994-02-23 | 1997-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure contact type semiconductor device with axial bias and radial restraint between a distortion buffer plate and a semiconductor body |
| US5621237A (en) * | 1994-04-12 | 1997-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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