JPS5949708B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5949708B2 JPS5949708B2 JP54075846A JP7584679A JPS5949708B2 JP S5949708 B2 JPS5949708 B2 JP S5949708B2 JP 54075846 A JP54075846 A JP 54075846A JP 7584679 A JP7584679 A JP 7584679A JP S5949708 B2 JPS5949708 B2 JP S5949708B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass fiber
- light
- optical
- receiving surface
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はケースにガラスのごとき光ファイバを設けこの
光ファイバを受光素子と光結合させた光ファイバ付き光
半導体装置に関するものである。
光ファイバを受光素子と光結合させた光ファイバ付き光
半導体装置に関するものである。
最近、半導体を使用した発光、受光素子及びガラスファ
イバの技術的進歩により電力制御の分野にも光を信号伝
送あるいはエネルギー伝送の手段として使用する例が増
えてきた。特に直流送電等の高電圧変換装置のように多
数のサイリスタを直並列接続して使用する場合には、ゲ
ート電源と高圧回路の絶縁の問題、耐ノイズ性、同時ト
リガ動作の確保の点からガラスファイバを使用した光ト
リガシステムがクローズアップされてきた。
イバの技術的進歩により電力制御の分野にも光を信号伝
送あるいはエネルギー伝送の手段として使用する例が増
えてきた。特に直流送電等の高電圧変換装置のように多
数のサイリスタを直並列接続して使用する場合には、ゲ
ート電源と高圧回路の絶縁の問題、耐ノイズ性、同時ト
リガ動作の確保の点からガラスファイバを使用した光ト
リガシステムがクローズアップされてきた。
このような電力制御用の光サイリスタではガラスファイ
バを受光ゲート領域に直接光結合させる必要がある。し
かし、ガラスファイバを光結合するに当つては光サイリ
スタのケースの気密性や熱放散能力を損なうことなくケ
ース内に導入できることおよび激しい温度サイクルに対
しても光結合が劣化しないようにすることが重要である
が、従来ではこれらの要件を十分に満足できるものはな
かつた。本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
であり、構造を簡単にしてケースの気密性や熱放散性の
向上をはかるとともに、温度サイクルに対して光結合の
劣化を防止するようにした光半導体装置を提供するもの
である。
バを受光ゲート領域に直接光結合させる必要がある。し
かし、ガラスファイバを光結合するに当つては光サイリ
スタのケースの気密性や熱放散能力を損なうことなくケ
ース内に導入できることおよび激しい温度サイクルに対
しても光結合が劣化しないようにすることが重要である
が、従来ではこれらの要件を十分に満足できるものはな
かつた。本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
であり、構造を簡単にしてケースの気密性や熱放散性の
向上をはかるとともに、温度サイクルに対して光結合の
劣化を防止するようにした光半導体装置を提供するもの
である。
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すガラスファイバ付電力
用光サイリスタの断面構造図であり、第２図は第１図Ａ
部の拡大図である。これらの図において、１０はｐｎｐ
ｎ四層構造を有してシリコンよりなる光サイリスタエレ
メントであり、この光サイリスタエレメント１０はその
感光ゲート領域Ｔにガラスファイバ３０を通して外部か
ら光が入射されてトリガするように平形圧接構造をもつ
ケース５０によつて収容されている。前記光サイリスタ
エレメント１０は、例えば高比抵抗（３００Ωｃ！ｎ）
のｎ形シリコン円板（直径５０１１１１）を基材にして
ｐ形不純物を両面に全面拡散しその後片面にｎ形不純物
を環状に選択拡散して形成されたｐｎｐｎ四層構造を有
し、ｐ形エミツ夕層１と、ｎ形ベース層２と、ｐ形ベー
ス層３及び環状のｎ形エミツタ層４とからなる。
用光サイリスタの断面構造図であり、第２図は第１図Ａ
部の拡大図である。これらの図において、１０はｐｎｐ
ｎ四層構造を有してシリコンよりなる光サイリスタエレ
メントであり、この光サイリスタエレメント１０はその
感光ゲート領域Ｔにガラスファイバ３０を通して外部か
ら光が入射されてトリガするように平形圧接構造をもつ
ケース５０によつて収容されている。前記光サイリスタ
エレメント１０は、例えば高比抵抗（３００Ωｃ！ｎ）
のｎ形シリコン円板（直径５０１１１１）を基材にして
ｐ形不純物を両面に全面拡散しその後片面にｎ形不純物
を環状に選択拡散して形成されたｐｎｐｎ四層構造を有
し、ｐ形エミツ夕層１と、ｎ形ベース層２と、ｐ形ベー
ス層３及び環状のｎ形エミツタ層４とからなる。
この場合、ｐ形エミツタ層１は表面がアルミニウム層５
によつて円形のモリブデン支持板８に合金されてオーミ
ツクコンタクトされる。またｎ形エミツタ層４の表面は
アルミニウム層６が蒸着、ジッターされオーミツクコン
タクトが形成されており、その中心部分には表面より皿
状に１０〜３０ミクロン程度エツチングして光トリガす
るための受光ゲート領域Ｔが形成されている。ケース５
０は光サイリスタエレメント１０をその両面から押圧し
て電気的、熱的に接続するように形成された導電部材と
しての陽極銅プロツク１３と陰極銅プロツク２１および
中空のセラミツク包囲器ＩＴとからなり、陰極銅プロツ
ク２１には後述するガラスフアイバ気密端子４０が一体
的に組込まれる。
によつて円形のモリブデン支持板８に合金されてオーミ
ツクコンタクトされる。またｎ形エミツタ層４の表面は
アルミニウム層６が蒸着、ジッターされオーミツクコン
タクトが形成されており、その中心部分には表面より皿
状に１０〜３０ミクロン程度エツチングして光トリガす
るための受光ゲート領域Ｔが形成されている。ケース５
０は光サイリスタエレメント１０をその両面から押圧し
て電気的、熱的に接続するように形成された導電部材と
しての陽極銅プロツク１３と陰極銅プロツク２１および
中空のセラミツク包囲器ＩＴとからなり、陰極銅プロツ
ク２１には後述するガラスフアイバ気密端子４０が一体
的に組込まれる。
前記陽極銅プロツク１３は、周側面に段部１３ａが形成
されており、その下面中心部分に外部との圧接組立を行
なう際に用いる位置決め用の小穴１４が穿設されている
。そして、前記段部１３ａはコバールのような合金を使
用した段付リング１５の一端が銀鑞１６などによつて気
密鑞付されている。また、陽極銅プロツク１３の周面は
アルミナで形成されたヒダ付きのセラミツク包囲器ＩＴ
が取り付けられ、この包囲器ＩＴはその下部面がマンガ
ン−モリブデンのような金属でメタライズされた層を介
して銀鑞１８により前記段付きリング１５の他端と気密
鑞付されている。さらに、前記包囲器１？の上部面はコ
バールなどによつて形成されたフランジ１９が銀鑞２０
によ ．り気密鑞付されている。陰極銅プロツク２１は
、その周側面に段部２１ａを有し、中心部に段付き貫通
穴２６ａが軸方向に沿つて形成されるとともに、その貫
通穴２６ａの上部から円周方向に延びる溝２６ｂが形成
されている。前記段部２１ａは ，銅製のくぼみ付きリ
ング２２の一端と銀鑞２３によつて気密鑞付され、この
リング２２の他端はコバールのような材料よりなるフラ
ンジ２４の端面に銀鑞２５により気密鑞付されている。
４０は金属製のベローズ２Ｔとスリーブ２８お一よびガ
ラスフアイバ３０から構成されるガラスフアイバ気密端
子であり、このベローズ２Ｔとスリーブ２８は共にガラ
スフアイバ３０と熱膨脹係数が近似した材料よりなり、
例えば０．１〜５×１０−゜／℃の熱膨脹係数をもつガ
ラスフアイバ３０の場合コバールが使用される。
されており、その下面中心部分に外部との圧接組立を行
なう際に用いる位置決め用の小穴１４が穿設されている
。そして、前記段部１３ａはコバールのような合金を使
用した段付リング１５の一端が銀鑞１６などによつて気
密鑞付されている。また、陽極銅プロツク１３の周面は
アルミナで形成されたヒダ付きのセラミツク包囲器ＩＴ
が取り付けられ、この包囲器ＩＴはその下部面がマンガ
ン−モリブデンのような金属でメタライズされた層を介
して銀鑞１８により前記段付きリング１５の他端と気密
鑞付されている。さらに、前記包囲器１？の上部面はコ
バールなどによつて形成されたフランジ１９が銀鑞２０
によ ．り気密鑞付されている。陰極銅プロツク２１は
、その周側面に段部２１ａを有し、中心部に段付き貫通
穴２６ａが軸方向に沿つて形成されるとともに、その貫
通穴２６ａの上部から円周方向に延びる溝２６ｂが形成
されている。前記段部２１ａは ，銅製のくぼみ付きリ
ング２２の一端と銀鑞２３によつて気密鑞付され、この
リング２２の他端はコバールのような材料よりなるフラ
ンジ２４の端面に銀鑞２５により気密鑞付されている。
４０は金属製のベローズ２Ｔとスリーブ２８お一よびガ
ラスフアイバ３０から構成されるガラスフアイバ気密端
子であり、このベローズ２Ｔとスリーブ２８は共にガラ
スフアイバ３０と熱膨脹係数が近似した材料よりなり、
例えば０．１〜５×１０−゜／℃の熱膨脹係数をもつガ
ラスフアイバ３０の場合コバールが使用される。
ガラスフアイバ３０は例えば０．５〜 ２．５ｎの外径
を有し、その中心部分に光の透過率の高いコアガラスと
その外側に低屈折率のクラッドガラスが同心状に取り巻
いた構造を有する。このガラスフアイバ３０は、その一
端を筒状のスリーブ２８内に挿入して先端部分をスリー
ブ２８の開口端より突出させるとともに、スリーブ２８
との間隔部分にエポキシ３４が充填されている。そして
、ガラスフアイバ３０の突出部分とスリーブ２８の開口
部がＩＰ５４Ｏ（米国、イノテツク社製）のフリツトガ
ラス３１によつて加熱融着されている。また、前記スリ
ーブ２８は両端に開口部を有するベローズ２Ｔ内に嵌入
されており、このスリーブ２８の先端部分において前記
ベローズ２７との間が銀鑞２９によつて気密鑞付されて
いる。このようにして形成されたガラスフアイバ気密端
子４０は、ベローズ２Ｔを陰極銅プロツク２１に形成さ
れた貫通穴２６ａ内に嵌入してこのベローズ２Ｔの一端
と前記陰極銅プロツク２１の段部２１ａとの接合部分を
例えば鉛−錫−銀からなる半田３２によつて気密鑞付け
して取付けられる。そして、この取付け後、ケース５０
を構成する陽極銅プロツク１３とともに光サイリスタエ
レメント１０を次のようにして気密封止して組立てる。
すなわち、まずシリコーンゴムのような絶縁物で形成さ
れた断面Ｌ字状の位置決めリング１２を陽極銅ブ頭ノク
１３の段部外周にはめ込む。
を有し、その中心部分に光の透過率の高いコアガラスと
その外側に低屈折率のクラッドガラスが同心状に取り巻
いた構造を有する。このガラスフアイバ３０は、その一
端を筒状のスリーブ２８内に挿入して先端部分をスリー
ブ２８の開口端より突出させるとともに、スリーブ２８
との間隔部分にエポキシ３４が充填されている。そして
、ガラスフアイバ３０の突出部分とスリーブ２８の開口
部がＩＰ５４Ｏ（米国、イノテツク社製）のフリツトガ
ラス３１によつて加熱融着されている。また、前記スリ
ーブ２８は両端に開口部を有するベローズ２Ｔ内に嵌入
されており、このスリーブ２８の先端部分において前記
ベローズ２７との間が銀鑞２９によつて気密鑞付されて
いる。このようにして形成されたガラスフアイバ気密端
子４０は、ベローズ２Ｔを陰極銅プロツク２１に形成さ
れた貫通穴２６ａ内に嵌入してこのベローズ２Ｔの一端
と前記陰極銅プロツク２１の段部２１ａとの接合部分を
例えば鉛−錫−銀からなる半田３２によつて気密鑞付け
して取付けられる。そして、この取付け後、ケース５０
を構成する陽極銅プロツク１３とともに光サイリスタエ
レメント１０を次のようにして気密封止して組立てる。
すなわち、まずシリコーンゴムのような絶縁物で形成さ
れた断面Ｌ字状の位置決めリング１２を陽極銅ブ頭ノク
１３の段部外周にはめ込む。
この場合、位置決めリング１２はモリブデン支持板８を
スムーズに嵌合可能な内径を有している。前記位置決め
リング１２のはめ込み後、その内部に厚さ０．２Ｕ程度
の銀板１１を陽極銅プロツク１３上に載置し、そして位
置決めリング１２内にモリブデン支持板８を収容し、こ
のモリブデン支持板８上に受光ゲート領域７を上にして
光サイリスタエレメント１０を前記支持板８を介在させ
て銀板１１に面接触するように載置する。次に、厚さ０
．５〜 １．０１程度のモリブデンリング９を陰極側の
アルミニウム蒸着層６上に位置決めして載置する。この
場合、モリブデンリング９は位置ずれを防止するために
アルミニウム蒸着層６と合金接合してもよい。次いで、
光サイリスタエレメント１０に形成された受光ゲート領
域Ｔの受光面及びガラスフアイバ気密端子４０のガラス
フアイバ３０の先端にそれぞれ透明でかつ弾力性に富む
シリコーンゴム３３を付着させた後、これが固まらない
内にケース５０の陰極側を光サイリスタエレメント１０
上に載置し、両方をシリコーンゴムで結合させてそれを
加熱または常温で加硫して固着する。これによつて、前
記ガラスフアイバ３０と光サイリスタエレメント１０の
受光面との光結合を増進できる。しかる後、前記陰極側
を光サイリスタエレメント１０上にかぶせた状態でフラ
ンジ１９と２４との外周部を揃えて窒素ガス中でアーク
熔接することにより、光サイリスタエレメント１０がケ
ース５内に収容されて気密封止され、組立が完丁する。
以上のように、本発明による光サイリスタによると、ガ
ラスフアイバ３０の入射端から導入される光はフアイバ
中のコアとクラッドガラスの界面を全反射しながら進行
してその出射面より光サイリスタエレメント１０の受光
面に直接照射できるので、制御電源と電気的に絶縁しな
がら遠隔制御ができる。
スムーズに嵌合可能な内径を有している。前記位置決め
リング１２のはめ込み後、その内部に厚さ０．２Ｕ程度
の銀板１１を陽極銅プロツク１３上に載置し、そして位
置決めリング１２内にモリブデン支持板８を収容し、こ
のモリブデン支持板８上に受光ゲート領域７を上にして
光サイリスタエレメント１０を前記支持板８を介在させ
て銀板１１に面接触するように載置する。次に、厚さ０
．５〜 １．０１程度のモリブデンリング９を陰極側の
アルミニウム蒸着層６上に位置決めして載置する。この
場合、モリブデンリング９は位置ずれを防止するために
アルミニウム蒸着層６と合金接合してもよい。次いで、
光サイリスタエレメント１０に形成された受光ゲート領
域Ｔの受光面及びガラスフアイバ気密端子４０のガラス
フアイバ３０の先端にそれぞれ透明でかつ弾力性に富む
シリコーンゴム３３を付着させた後、これが固まらない
内にケース５０の陰極側を光サイリスタエレメント１０
上に載置し、両方をシリコーンゴムで結合させてそれを
加熱または常温で加硫して固着する。これによつて、前
記ガラスフアイバ３０と光サイリスタエレメント１０の
受光面との光結合を増進できる。しかる後、前記陰極側
を光サイリスタエレメント１０上にかぶせた状態でフラ
ンジ１９と２４との外周部を揃えて窒素ガス中でアーク
熔接することにより、光サイリスタエレメント１０がケ
ース５内に収容されて気密封止され、組立が完丁する。
以上のように、本発明による光サイリスタによると、ガ
ラスフアイバ３０の入射端から導入される光はフアイバ
中のコアとクラッドガラスの界面を全反射しながら進行
してその出射面より光サイリスタエレメント１０の受光
面に直接照射できるので、制御電源と電気的に絶縁しな
がら遠隔制御ができる。
そして、ガラスフアイバ３０をその熱膨脹係数に近似し
た金属製のベローズ２７とスリーブ２８によつて気密鑞
付けしかつ前記ベローズ２７と陰極銅プロツク２１とを
気密鑞付けしているので、ガラスフアイバ３０とケース
５０との気密性を効果的に保持できる。また、前記ベロ
ーズ２７のバネ作用を利用してガラスフアイバ３０を所
定の圧力で光サイリスタエレメント１０の受光面に接触
させることにより、このベローズ２７は温度サイクルに
よる各部分の熱膨脹収縮差を吸収し、これによつて、ガ
ラスフアイバ３０と前記受光領域７との接触を常に一定
に保持できる。さらに、ガラスフアイバ３０は陰極銅プ
ロツク２１の中心部で強く固定されしかも前記受光面と
の距離を非常に短かくでき、ガラスフアイバ３０と受光
面との間が振動や衝撃によつて外れるのを防止できる。
さらにまた、ガラスフアイバ３０を陰極銅プロツク２１
を貫通する穴２６ａを通じて設けているので、従来の光
サイリスタのように高価なセラミツクよりなる包囲器に
穴をあけなくてもすみ、穴あけに伴なうペースやメタラ
イズが不要となり、コストの低減がはかれる。
た金属製のベローズ２７とスリーブ２８によつて気密鑞
付けしかつ前記ベローズ２７と陰極銅プロツク２１とを
気密鑞付けしているので、ガラスフアイバ３０とケース
５０との気密性を効果的に保持できる。また、前記ベロ
ーズ２７のバネ作用を利用してガラスフアイバ３０を所
定の圧力で光サイリスタエレメント１０の受光面に接触
させることにより、このベローズ２７は温度サイクルに
よる各部分の熱膨脹収縮差を吸収し、これによつて、ガ
ラスフアイバ３０と前記受光領域７との接触を常に一定
に保持できる。さらに、ガラスフアイバ３０は陰極銅プ
ロツク２１の中心部で強く固定されしかも前記受光面と
の距離を非常に短かくでき、ガラスフアイバ３０と受光
面との間が振動や衝撃によつて外れるのを防止できる。
さらにまた、ガラスフアイバ３０を陰極銅プロツク２１
を貫通する穴２６ａを通じて設けているので、従来の光
サイリスタのように高価なセラミツクよりなる包囲器に
穴をあけなくてもすみ、穴あけに伴なうペースやメタラ
イズが不要となり、コストの低減がはかれる。
また、従来のように光サイリスタエレメントと接触する
陰極銅プロツク面にゲートリードやガラスフアイバを通
すための横溝がないため、熱的接触が良好となり、接触
圧のアンバランスに伴なうストレスなどもない等の優れ
た効果がある。なお、上記実施例では光サイリスタの場
合について示したが、本発明は、これに限定されるもの
ではなく、光トライアツクや光トランジスタなどのよう
に光によつて制御可能な機能をもつ光半導体装置のすべ
てに適用できることは勿論である。
陰極銅プロツク面にゲートリードやガラスフアイバを通
すための横溝がないため、熱的接触が良好となり、接触
圧のアンバランスに伴なうストレスなどもない等の優れ
た効果がある。なお、上記実施例では光サイリスタの場
合について示したが、本発明は、これに限定されるもの
ではなく、光トライアツクや光トランジスタなどのよう
に光によつて制御可能な機能をもつ光半導体装置のすべ
てに適用できることは勿論である。
第１図は本発明の一実施例を示す電力用光サイリスタの
断面構造図、第２図は第１図Ａ部の拡大図である。 １０・・・・・・光サイリスタエレメント、生』・・・
・・・ガラスフアイバ気密端子、鈍・・・・・・平形圧
接構造のケース、１・・・・・・ｐ型エミツタ層、２・
・・・・・ｎ形ベース層、３・・・・・・ｐ形ベース層
、４・・・・・・ｎ形エミツタ層、５・・・・・・アル
ミニウム層、６・・・・・・アルミニウム蒸着層、７・
・・・・・受光ゲート領域、８・・・・・・モリブデン
支持板、９・・・・・・モリブデンリング、１１・・・
・・・銀板、１２・・・・・・位置決めリング、１３・
・・・・・陽極銅プロツク、１４・・・・・・小穴、１
５・・・・・・リング、１６，１８，２０，２３，２５
，２９・・・・・・銀鑞、１７・・・・・・セラミツク
包囲器、１９・・・・・・フランジ、２１・・・・・・
陰極銅プロツク、２２・・一・・リング、２４・・・・
・・フランジ、２６ａ・・・・・・貫通穴、２６ｂ・・
・・・・溝、２７・・・・・・金属製ベローズ、２８・
・・・・・金属製スリーブ、３０・・・・・・ガラスフ
アイバ、３１・・・・・・フリツトガラス、３２・・・
・・・半田、３３・・・・・・シリコーンゴム、３４・
・・・・・エポキシ。
断面構造図、第２図は第１図Ａ部の拡大図である。 １０・・・・・・光サイリスタエレメント、生』・・・
・・・ガラスフアイバ気密端子、鈍・・・・・・平形圧
接構造のケース、１・・・・・・ｐ型エミツタ層、２・
・・・・・ｎ形ベース層、３・・・・・・ｐ形ベース層
、４・・・・・・ｎ形エミツタ層、５・・・・・・アル
ミニウム層、６・・・・・・アルミニウム蒸着層、７・
・・・・・受光ゲート領域、８・・・・・・モリブデン
支持板、９・・・・・・モリブデンリング、１１・・・
・・・銀板、１２・・・・・・位置決めリング、１３・
・・・・・陽極銅プロツク、１４・・・・・・小穴、１
５・・・・・・リング、１６，１８，２０，２３，２５
，２９・・・・・・銀鑞、１７・・・・・・セラミツク
包囲器、１９・・・・・・フランジ、２１・・・・・・
陰極銅プロツク、２２・・一・・リング、２４・・・・
・・フランジ、２６ａ・・・・・・貫通穴、２６ｂ・・
・・・・溝、２７・・・・・・金属製ベローズ、２８・
・・・・・金属製スリーブ、３０・・・・・・ガラスフ
アイバ、３１・・・・・・フリツトガラス、３２・・・
・・・半田、３３・・・・・・シリコーンゴム、３４・
・・・・・エポキシ。
Claims (1)
- １ 互いに対向する一対の導電部材と中空の包囲器とを
備えたケース内に受光面を有する光半導体エレメントを
収容するに当り、上記一方の導電部材の中心に上記受光
面に向つて貫通する穴を設け、かつ上記受光面にガラス
ファイバの一方の端面を固着させるように上記貫通穴に
嵌入して上記一方の導電部材に気密固着されたガラスフ
ァイバ気密端子を設け、上記ガラスファイバ気密端子は
ガラスファイバの先端外周に該ガラスファイバと熱膨脹
係数が近似する金属製スリーブを被せて気密固着すると
ともに該金属製スリーブの外周に両端に開口部を有する
金属製ベローズの一端を気密固着し、かつ上記金属製ベ
ローズの他端を上記貫通穴と対応する導電部材に気密固
着することにより、上記ガラスファイバの他方の端面よ
り導入される光を該ガラスファイバを通して上記受光面
に入射させるようにしたことを特徴とする光半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54075846A JPS5949708B2 (ja) | 1979-06-13 | 1979-06-13 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54075846A JPS5949708B2 (ja) | 1979-06-13 | 1979-06-13 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55166972A JPS55166972A (en) | 1980-12-26 |
| JPS5949708B2 true JPS5949708B2 (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13587975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54075846A Expired JPS5949708B2 (ja) | 1979-06-13 | 1979-06-13 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949708B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58157160A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Toshiba Corp | 光駆動型半導体装置 |
| JPS58215071A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-14 | Hitachi Ltd | 光駆動半導体装置 |
| JPS60241263A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-11-30 | Toshiba Corp | 光駆動形半導体装置 |
| GB0118963D0 (en) * | 2001-08-03 | 2001-09-26 | Kymata Ltd | An optical waveguide feedthrough |
| EP1308761B1 (en) * | 2001-10-31 | 2005-03-16 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Optical fibre alignment device |
| RU2562744C2 (ru) * | 2014-01-14 | 2015-09-10 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" | Светотиристор |
-
1979
- 1979-06-13 JP JP54075846A patent/JPS5949708B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55166972A (en) | 1980-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4131905A (en) | Light-triggered thyristor and package therefore | |
| US4466009A (en) | Light-activated semiconductor device with optic fiber moveable azimuthally and transversely | |
| JPS6220716B2 (ja) | ||
| US4131911A (en) | Hermetically sealed opto-electrical semiconductor device | |
| JPH0481348B2 (ja) | ||
| GB1579619A (en) | Package for light-triggered thryistor | |
| JPS5949708B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| US4349831A (en) | Semiconductor device having glass and metal package | |
| JP3469304B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP0677879A1 (en) | Light trigger type semiconductor device | |
| JPS583281A (ja) | 光駆動形半導体装置 | |
| JPS6223288B2 (ja) | ||
| JPS584836B2 (ja) | 光半導体素子パッケ−ジ | |
| JPH05157622A (ja) | 熱型赤外線センサ | |
| JP3560571B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6145394B2 (ja) | ||
| JPS6018850Y2 (ja) | ホト・カプラ | |
| JPH0142508B2 (ja) | ||
| JP2002313973A (ja) | 光通信用パッケージ | |
| JPS6210028B2 (ja) | ||
| JPS60107859A (ja) | 光駆動半導体装置 | |
| JPS5842286A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS63133671A (ja) | 光制御サイリスタ | |
| JPS62176137A (ja) | 加圧圧接型半導体装置 | |
| JPS5818369Y2 (ja) | 固体撮像装置 |