RU2562744C2 - Светотиристор - Google Patents
Светотиристор Download PDFInfo
- Publication number
- RU2562744C2 RU2562744C2 RU2014101079/28A RU2014101079A RU2562744C2 RU 2562744 C2 RU2562744 C2 RU 2562744C2 RU 2014101079/28 A RU2014101079/28 A RU 2014101079/28A RU 2014101079 A RU2014101079 A RU 2014101079A RU 2562744 C2 RU2562744 C2 RU 2562744C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thyristor
- junctions
- junction
- emission
- emitting
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к активным электронным компонентам. Согласно изобретению в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре в открытом состоянии два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. При этом происходит уменьшение тепловыделений в двух открытых р-n-переходах за счет излучения, что позволяет изготавливать тиристоры большей мощности за счет уменьшения риска теплового пробоя. Причем, чем выше частота излучения переходов, тем больше энергии уйдет в виде излучения и тем больше холода создаст закрытый переход светотиристора, т.о. использование устройства согласно изобретению позволит повысить эффективность теплопереноса с одновременным уменьшением весогабаритных параметров теплоотвода. 1 ил.
Description
Изобретение относится к активным электронным компонентам.
Известен способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения [1], в котором используется светотранзистор с одним излучающим переходом, предназначенным для преобразования в излучение избыточной энергии электронов при прохождении р-n-переходов. Также известны светотиристоры [2], в которых фотоны используются в оптоэлектронной паре для управления открыванием тиристора. Сами же р-n-переходы тиристора не являются излучающими.
Цель изобретения - уменьшение тепловыделений активных электронных компонентов.
Это достигается тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим р-n-переходом в светотиристоре в открытом состоянии два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. Таким образом, в два раза возрастает эффект охлаждения.
На фиг. 1 изображен полупроводниковый светотирисгор.
Уменьшение тепловыделений в двух открытых р-n-переходах за счет излучения позволяет изготавливать тиристоры большей мощности за счет уменьшения риска теплового пробоя. По сравнению с обычными светодиодами имеется возможность сделать частоту излучения обоих переходов как одинаковой, так и разной, что расширяет функциональные возможности светотиристора в области повышения интенсивности излучения и охвата спектрального диапазона. Причем, чем выше частота излучения переходов, тем больше энергии уйдет в виде излучения и тем больше холода создаст закрытый переход светотиристора.
Светотиристор изготавливается из фосфида галлия (GaP), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) или других подобных материалов.
Использование представленного устройства позволит повысить эффективность теплопереноса с одновременным уменьшением весогабаритных параметров теплоотвода.
Литература
1. Светотранзистор: пат. 2487436 Рос. Федерация: МПК H01L 29/70 / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет». - № 2012103813/28; заявл. 03.02.2012, опубл. 10.07.2013, Бюл. № 19.
2. Устройство для переключения нагрузки: пат. 1015468 СССР: МПК H02J 9/06 / Вохмянин В.Г., опубл. 30.04.1983, Бюл. №16.
Claims (1)
- Светотиристор, выполненный в виде полупроводникового прибора, отличающийся тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014101079/28A RU2562744C2 (ru) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | Светотиристор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014101079/28A RU2562744C2 (ru) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | Светотиристор |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014101079A RU2014101079A (ru) | 2015-07-20 |
| RU2562744C2 true RU2562744C2 (ru) | 2015-09-10 |
Family
ID=53611464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014101079/28A RU2562744C2 (ru) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | Светотиристор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2562744C2 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2673987C1 (ru) * | 2018-02-06 | 2018-12-03 | Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура" | Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами |
| RU2693834C1 (ru) * | 2018-12-17 | 2019-07-05 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" | Полупроводниковое устройство усиления потока фотонов с фоточувствительными и светоизлучающими p-n-переходами |
| RU2693839C1 (ru) * | 2018-12-17 | 2019-07-05 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" | Полевой тиристор с неизолированным фоточувствительным оптическим затвором и светоизлучающим p-n-переходом |
| RU2701184C1 (ru) * | 2018-12-17 | 2019-09-25 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" | Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166972A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | Light semiconductor device |
| SU1015468A1 (ru) * | 1981-12-08 | 1983-04-30 | Vokhmyanin Vladislav G | Устройство дл переключени нагрузки |
| JPS58212174A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | 光点弧型サイリスタ |
| RU2405230C1 (ru) * | 2009-06-01 | 2010-11-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения |
-
2014
- 2014-01-14 RU RU2014101079/28A patent/RU2562744C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166972A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | Light semiconductor device |
| SU1015468A1 (ru) * | 1981-12-08 | 1983-04-30 | Vokhmyanin Vladislav G | Устройство дл переключени нагрузки |
| JPS58212174A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | 光点弧型サイリスタ |
| RU2405230C1 (ru) * | 2009-06-01 | 2010-11-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2673987C1 (ru) * | 2018-02-06 | 2018-12-03 | Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура" | Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами |
| RU2693834C1 (ru) * | 2018-12-17 | 2019-07-05 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" | Полупроводниковое устройство усиления потока фотонов с фоточувствительными и светоизлучающими p-n-переходами |
| RU2693839C1 (ru) * | 2018-12-17 | 2019-07-05 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" | Полевой тиристор с неизолированным фоточувствительным оптическим затвором и светоизлучающим p-n-переходом |
| RU2701184C1 (ru) * | 2018-12-17 | 2019-09-25 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" | Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2014101079A (ru) | 2015-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2562744C2 (ru) | Светотиристор | |
| RU2405230C1 (ru) | Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения | |
| TW200629522A (en) | Light emitting device having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same | |
| EA201071073A1 (ru) | Устройство на солнечных элементах с высокой эффективностью теплорассеивания | |
| Chen et al. | Effect of the thermal characteristics of phosphor for the conformal and remote structures in white light-emitting diodes | |
| RU2487436C1 (ru) | Светотранзистор | |
| RU2673987C1 (ru) | Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами | |
| RU2416841C1 (ru) | Конструкция светодиода с люминофором | |
| Tian et al. | Effects of unit size on current density and illuminance of micro-LED-array | |
| Ye et al. | Thermal analysis of phosphor in high brightness LED | |
| CN203656870U (zh) | Led灯太阳花散热器 | |
| EA200970511A1 (ru) | Устройство для преобразования энергии и оборудование для преобразования энергии | |
| EP3301354A3 (en) | Led lamp | |
| RU2507632C2 (ru) | Светотранзистор с высоким быстродействием | |
| RU2562742C2 (ru) | Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров | |
| RU2542887C2 (ru) | Энергоэффективное охлаждающее устройство | |
| RU2587534C1 (ru) | Экономичный световой транзистор | |
| RU2593443C2 (ru) | Светотранзистор с двумя излучающими переходами | |
| RU2565523C2 (ru) | Устройство охлаждения на основе нанопленочных термомодулей | |
| RU2562746C2 (ru) | Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде электромагнитной энергии на основе туннельных диодов | |
| Islam et al. | Deep-UV LEDs using polarization-induced doping: Electroluminescence at cryogenic temperatures | |
| Dobrinsky et al. | Physics of visible and UV LED devices | |
| RU56558U1 (ru) | Устройство охлаждения светодиодной матрицы | |
| RU2693834C1 (ru) | Полупроводниковое устройство усиления потока фотонов с фоточувствительными и светоизлучающими p-n-переходами | |
| CN202091861U (zh) | 一种使用陶瓷散热的led发光模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160115 |