RU2487436C1 - Светотранзистор - Google Patents

Светотранзистор Download PDF

Info

Publication number
RU2487436C1
RU2487436C1 RU2012103813/28A RU2012103813A RU2487436C1 RU 2487436 C1 RU2487436 C1 RU 2487436C1 RU 2012103813/28 A RU2012103813/28 A RU 2012103813/28A RU 2012103813 A RU2012103813 A RU 2012103813A RU 2487436 C1 RU2487436 C1 RU 2487436C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
junction
transistor
heat
energy
emitting
Prior art date
Application number
RU2012103813/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Хаджимурат Магомедович Гаджиев
Солтанат Магомедовна Гаджиева
Тимур Декартович Нежведилов
Татьяна Алексеевна Челушкина
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2012103813/28A priority Critical patent/RU2487436C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2487436C1 publication Critical patent/RU2487436C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. В отличие от обычного биполярного транзистора, согласно изобретению, один p-n-переход транзистора сформирован в виде светоизлучающего. Для р-n-р-транзистора излучающим переходом является переход база-эмиттер, а для n-p-n-транзистора - база-коллектор. Если электрон перемещается через переход с потерей энергии, то эта энергия выделяется в виде тепла или излучения, а если с приобретением энергии, то теплота поглощается на этом переходе. Использование представленного устройства позволит уменьшить тепловыделения биполярных транзисторов, повысить эффективность теплопередачи, уменьшить габариты теплоотвода и тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. 1 ил.

Description

Известен способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения [1], в котором используются светодиодные излучатели, предназначенные для преобразования тепловой энергии, поступившей с холодных спаев термомодуля в виде электрического тока в энергию излучения.
Цель изобретения - уменьшение тепловыделений биполярных транзисторов.
Это достигается тем, что в отличие от обычного биполярного транзистора один p-n-переход сформирован в виде светоизлучающего. Для p-n-p-транзистора излучающим переходом является база-эмиттер, для n-p-n-транзистора - база-коллектор. Если электрон перемещается через переход с потерей энергии, то эта энергия выделяется в виде тепла или излучения, а если с приобретением энергии, то теплота поглощается на этом переходе. В обычных транзисторах количество выделяемого тепла превышает количество поглощаемого, поэтому в процессе работы транзисторы нагреваются и чем больше ток, тем больше нагрев. В светоизлучающем переходе можно подобрать ток таким образом, что джоулевые тепловыделения оказываются меньше термоэффекта и часть энергии превратится в излучение. В этом случае в транзисторе вместо выделения тепла в переходе часть энергии будет превращена в излучение и уйдет в окружающую среду, а второй переход транзистора поглотит такое количество тепла, что общая температура транзистора станет меньше и вместо нагрева транзистор будет охлажден. Это особенно важно для интегральных схем с высокой степенью интеграции, так как позволяет разместить большее число компонентов на единицу площади. Кроме того, дополнительным преимуществом является полное отсутствие тепловых пробоев. Уменьшение тепловых выделений позволяет исключить вероятность теплового пробоя транзистора. Таким образом, система охлаждения транзистора оказывается неотъемлемой составной частью самого транзистора, причем отвод тепла происходит практически безынерционно со скоростью света. Оптические свойства транзистора позволяют интегрировать его в оптронные схемы. Недостатком транзистора являются ограниченные режимы оптимальных токов. Однако это практически не мешает использовать его в дискретных схемах для цифровой электроники.
На фиг.1 изображены биполярные транзисторы с p-n-p- и n-p-n-структурами. Для p-n-p-транзистора излучающим переходом является переход база-эмиттер, для n-p-n-транзистора - база-коллектор.
В качестве материалов для изготовления светотранзистора могут быть использованы любые материалы, традиционно используемые при изготовлении светодиодов, а именно фосфид галлия (GaP), нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC).
Разработанный светотранзистор является логическим продолжением развития светодиодных компонентов и имеет широкие перспективы для применения в сверхбольших интегральных схемах.
Литература
1. Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения: пат. РФ 2405230 МПК G06F 1/20 / Исмаилов ТА., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина ТА.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет». - №2009120686/09; заявл. 01.06.2009, опубл. 27.11.2010, Бюл. №33.

Claims (1)

  1. Светотранзистор, выполненный в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-p-n-структурой, отличающийся тем, что p-n-переход, переход, на котором электроны из р зоны переходят в n зону, сформирован в виде светоизлучающего.
RU2012103813/28A 2012-02-03 2012-02-03 Светотранзистор RU2487436C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012103813/28A RU2487436C1 (ru) 2012-02-03 2012-02-03 Светотранзистор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012103813/28A RU2487436C1 (ru) 2012-02-03 2012-02-03 Светотранзистор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2487436C1 true RU2487436C1 (ru) 2013-07-10

Family

ID=48788356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012103813/28A RU2487436C1 (ru) 2012-02-03 2012-02-03 Светотранзистор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2487436C1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2565523C2 (ru) * 2014-01-14 2015-10-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Устройство охлаждения на основе нанопленочных термомодулей
RU2587534C1 (ru) * 2014-12-08 2016-06-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" Экономичный световой транзистор
RU2593443C2 (ru) * 2014-01-14 2016-08-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" Светотранзистор с двумя излучающими переходами
RU2673424C1 (ru) * 2018-02-06 2018-11-26 Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура" Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами
RU2701184C1 (ru) * 2018-12-17 2019-09-25 Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2169363C2 (ru) * 1998-11-02 2001-06-20 Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина Газочувствительный датчик на основе полевого транзистора и способ определения концентрации газов.
RU2405230C1 (ru) * 2009-06-01 2010-11-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения
CN202084527U (zh) * 2011-06-10 2011-12-21 佛山市南海码金投资咨询有限公司 一种新型晶体管构造

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2169363C2 (ru) * 1998-11-02 2001-06-20 Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина Газочувствительный датчик на основе полевого транзистора и способ определения концентрации газов.
RU2405230C1 (ru) * 2009-06-01 2010-11-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения
CN202084527U (zh) * 2011-06-10 2011-12-21 佛山市南海码金投资咨询有限公司 一种新型晶体管构造

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2565523C2 (ru) * 2014-01-14 2015-10-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Устройство охлаждения на основе нанопленочных термомодулей
RU2593443C2 (ru) * 2014-01-14 2016-08-10 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" Светотранзистор с двумя излучающими переходами
RU2587534C1 (ru) * 2014-12-08 2016-06-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" Экономичный световой транзистор
RU2673424C1 (ru) * 2018-02-06 2018-11-26 Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура" Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами
RU2701184C1 (ru) * 2018-12-17 2019-09-25 Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций" Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2487436C1 (ru) Светотранзистор
KR100972975B1 (ko) Led 조명장치
RU2405230C1 (ru) Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения
JP3170681U (ja) 照明の放熱補助装置
RU2562744C2 (ru) Светотиристор
Tsai et al. High thermal stability and wide angle of white light chip-on-board package using a remote phosphor structure
EP1178538A3 (en) Heterojunction bipolar transistor with reduced thermal resistance
RU2507632C2 (ru) Светотранзистор с высоким быстродействием
RU2593443C2 (ru) Светотранзистор с двумя излучающими переходами
CN202091990U (zh) Led路灯
CN202955526U (zh) 一种led灯
KR101349907B1 (ko) 히트파이프 제조방법 및 이를 이용한 방열모듈
CN205877739U (zh) 一种led灯组件
RU2587534C1 (ru) Экономичный световой транзистор
CN202674884U (zh) 一种led灯结构
CN205746120U (zh) 一种led日光灯
CN207394402U (zh) 一种led节能灯装置
CN219017694U (zh) 二极管和光伏组件
CN206504303U (zh) 一种用于led灯的散热器
KR101844361B1 (ko) 비상 조명 장치
CN205782085U (zh) 一种led灯组件
CN205782753U (zh) 一种便于散热的照明灯
CN202091861U (zh) 一种使用陶瓷散热的led发光模块
Peng et al. Simulation of heat radiation for high-power LED liquid packaging
CN205782117U (zh) 一种工业led灯组件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150204