JPS60107859A - 光駆動半導体装置 - Google Patents
光駆動半導体装置Info
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- JPS60107859A JPS60107859A JP58215364A JP21536483A JPS60107859A JP S60107859 A JPS60107859 A JP S60107859A JP 58215364 A JP58215364 A JP 58215364A JP 21536483 A JP21536483 A JP 21536483A JP S60107859 A JPS60107859 A JP S60107859A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
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- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は外部光源からの光信号がライトガイドを介して
気密容器内に収納された半導体素体の受光部へ導かれる
光点弧サイリスタなどの光駆動半導体装置に関する。
気密容器内に収納された半導体素体の受光部へ導かれる
光点弧サイリスタなどの光駆動半導体装置に関する。
この種の光駆動半導体装置の気密容器としては、例えば
特開昭５６−６４４７９号公報で第１図に示すような構
造が知られている。第１図に示す平形構造の光点弧サイ
リスタはシリコン板１か絶縁リング２および端板３から
なる容器の両面にあるアノード電極４およびカソード電
極５の間に挾まれ、カソード電極５には接触電極６を介
して接触しでいる。カソード電極５に設けられた貫通孔
７には透光窓８が存在し、透光窓８からシリコン板１の
受光部９への光の伝送は、貫通孔７内の内部ライトガイ
ド１０によって行われ、この内部ライトガイド１０は透
光窓８および受光部９に、例えはゲル状シリコーン樹脂
からなる伸縮自在の光結合材１１．１２を介して保持さ
れている。外部光源と接続する外部ライトガイド１３は
その端部に取り付けられた接続治具１４を貫通孔７に挿
入し、端面を透光窓８と光結合材１５を介して接触させ
る。
特開昭５６−６４４７９号公報で第１図に示すような構
造が知られている。第１図に示す平形構造の光点弧サイ
リスタはシリコン板１か絶縁リング２および端板３から
なる容器の両面にあるアノード電極４およびカソード電
極５の間に挾まれ、カソード電極５には接触電極６を介
して接触しでいる。カソード電極５に設けられた貫通孔
７には透光窓８が存在し、透光窓８からシリコン板１の
受光部９への光の伝送は、貫通孔７内の内部ライトガイ
ド１０によって行われ、この内部ライトガイド１０は透
光窓８および受光部９に、例えはゲル状シリコーン樹脂
からなる伸縮自在の光結合材１１．１２を介して保持さ
れている。外部光源と接続する外部ライトガイド１３は
その端部に取り付けられた接続治具１４を貫通孔７に挿
入し、端面を透光窓８と光結合材１５を介して接触させ
る。
しかしこのような構造の場合、透光窓８がカソード電＆
５の端面より引り込んでいるため、透光窓の清掃が困難
で、その清浄度が確保できず、透光窓８の面で光の散乱
が起こり、光エネルギーの伝搬が妨げられ、点弧特性が
低下する。さらに伸縮自在な光結合材１１，１２．１５
は耐熱性が低く、特に１００℃を超える使用の際には硬
化、含有溶剤の蒸発その他による変質が起こり、益々元
エネルギーの伝搬が妨げられる。光点弧サイリスクの点
弧感度は相反する特性で・あるｄ ｖ ／ ｄ を耐量
との協調を必要とするため無制限に点弧感度を高めるこ
とができない。従って外部光源からの光エネルギーの光
伝搬過程での損失を極力少なくする構造とする事が重要
である。
５の端面より引り込んでいるため、透光窓の清掃が困難
で、その清浄度が確保できず、透光窓８の面で光の散乱
が起こり、光エネルギーの伝搬が妨げられ、点弧特性が
低下する。さらに伸縮自在な光結合材１１，１２．１５
は耐熱性が低く、特に１００℃を超える使用の際には硬
化、含有溶剤の蒸発その他による変質が起こり、益々元
エネルギーの伝搬が妨げられる。光点弧サイリスクの点
弧感度は相反する特性で・あるｄ ｖ ／ ｄ を耐量
との協調を必要とするため無制限に点弧感度を高めるこ
とができない。従って外部光源からの光エネルギーの光
伝搬過程での損失を極力少なくする構造とする事が重要
である。
従って本発明は光伝搬過程での光エネルギーの損失が少
なく、かつ高気密で保守容易な構造を有する光駆動半導
体装置を提供することを目的とする０ 〔発明の要点〕 本発明は光駆動半導体装置が容器を気密に貫通する内部
ライトガイドを備え、そのライトガイドの一端の端面は
受光部に近接して対向し、他端の外面は、容器に固定さ
れ、端部が外部ライトガイドの端部に備えられた接続治
具に嵌着可能の管状接続体の内面に気密に結合され、端
面がその接続体の端面と同一平面にあることにより上述
の目的を達成する。
なく、かつ高気密で保守容易な構造を有する光駆動半導
体装置を提供することを目的とする０ 〔発明の要点〕 本発明は光駆動半導体装置が容器を気密に貫通する内部
ライトガイドを備え、そのライトガイドの一端の端面は
受光部に近接して対向し、他端の外面は、容器に固定さ
れ、端部が外部ライトガイドの端部に備えられた接続治
具に嵌着可能の管状接続体の内面に気密に結合され、端
面がその接続体の端面と同一平面にあることにより上述
の目的を達成する。
第２図は本発明の一実施例を示し、第１図と共通の部分
には同一の符号が付されている。第１図と異なる点は内
部ライトガイド１０がカソード電極５にろう付けされた
。例えばコバール合金よりなる管状接続体１６に気密部
材１７によって固着されている点である。気密部材１７
としては、低温融着ガラス、高分子化合物あるいはろう
材などを用いることが出来る。内部ライトガイド１０の
上端はカソード電極５の上面より突出し、端面が接続体
１６の端面と同一平面にある。ライトガイド１０の下端
もカソード電極５の下面より突出しているのでその端面
を研摩することができる。シリコン板１を絶縁リング２
．端板３．アノード電極４からなる容器下部に収容し、
位置決めのための内部絶縁リング１８を挿入後、シリコ
ン板上面に接触電極６を置き、内部ライトガイド１０．
接続体１６および端板３と結合されたカソード電極５を
この上に載せて端板３を絶縁リング２とを固着すること
により組立てが完了する。この際内部ライトガイド１０
の端面が受光部９に近接、対向するような寸法にしてお
く。この光点弧サイリスタへ外部ライトガイド１３を接
続するのは、外部ライトガイド１３の端部の治具１４と
接続体１６の端部とを嵌合することにより簡単に行うこ
とができる。従って内部ライトガイド１０と外部ライト
ガイド１３の間、あるいは内部ライトガイド１０と受光
部９の間には光結合材を用いる必要がなく、才たライト
ガイド各端面の清掃作業も容易で界面での光散乱を防止
することができる。
には同一の符号が付されている。第１図と異なる点は内
部ライトガイド１０がカソード電極５にろう付けされた
。例えばコバール合金よりなる管状接続体１６に気密部
材１７によって固着されている点である。気密部材１７
としては、低温融着ガラス、高分子化合物あるいはろう
材などを用いることが出来る。内部ライトガイド１０の
上端はカソード電極５の上面より突出し、端面が接続体
１６の端面と同一平面にある。ライトガイド１０の下端
もカソード電極５の下面より突出しているのでその端面
を研摩することができる。シリコン板１を絶縁リング２
．端板３．アノード電極４からなる容器下部に収容し、
位置決めのための内部絶縁リング１８を挿入後、シリコ
ン板上面に接触電極６を置き、内部ライトガイド１０．
接続体１６および端板３と結合されたカソード電極５を
この上に載せて端板３を絶縁リング２とを固着すること
により組立てが完了する。この際内部ライトガイド１０
の端面が受光部９に近接、対向するような寸法にしてお
く。この光点弧サイリスタへ外部ライトガイド１３を接
続するのは、外部ライトガイド１３の端部の治具１４と
接続体１６の端部とを嵌合することにより簡単に行うこ
とができる。従って内部ライトガイド１０と外部ライト
ガイド１３の間、あるいは内部ライトガイド１０と受光
部９の間には光結合材を用いる必要がなく、才たライト
ガイド各端面の清掃作業も容易で界面での光散乱を防止
することができる。
第３図に示す実施例では、内部ライトガイド１０が絶縁
リング２に接続体１６を介して固定され、横方向より光
エネルギーを伝搬する構造である。
リング２に接続体１６を介して固定され、横方向より光
エネルギーを伝搬する構造である。
ライトガイド１０はカソード電極５に設けられた切込み
部１９を経て受光部９に対向している０この実施例は、
素子の熱的特性がより向上することおよび取扱いがより
簡単になるなどの利点がある。
部１９を経て受光部９に対向している０この実施例は、
素子の熱的特性がより向上することおよび取扱いがより
簡単になるなどの利点がある。
第４図に示す実施例は特に取扱いを容易にするための改
良ｌこ重点がある。すなわち内部ライトガイド１０の端
面はカソード電極５の外面よりやや内側になっており、
運搬等で内部ライトガイド１゜の端面に損傷を受ける事
を防止できる効果がある。
良ｌこ重点がある。すなわち内部ライトガイド１０の端
面はカソード電極５の外面よりやや内側になっており、
運搬等で内部ライトガイド１゜の端面に損傷を受ける事
を防止できる効果がある。
しかし接続体１６の外側には電極５が空所２ｏを有する
ので内部ライトガイド１ｏの端面の清掃には支障がない
。
ので内部ライトガイド１ｏの端面の清掃には支障がない
。
本発明は光駆動半導体装置の内部ライトガイドを気密容
器を貫通して設けその端面を露出させ、端部に備えた接
続体を用いて外部ライトガイドを接続可能にしたもので
、内部ライトガイドの接続端面の清浄度を維持させる作
業が容易にできることにより端面における光エネルギー
の損失が軽減でき、また容器に内部ライトガイドが固定
されているため、耐熱性に問題のある光結合剤を用いる
必要がない。さらに本発明によれば接触端面数を低減さ
せることができる。光伝送過程における接触端面数と光
伝送効率の関係を示す第５図から明らかなように、接触
端面数が増加すると光伝送効率が低下する。本発明によ
る構造では外部ライトガイドと内部ライトガイドの間の
接触端面数は２であり、第１図に示した構造における接
触端面数４に比して半減していて、それだけ光伝送効率
の低下が避けられる。
器を貫通して設けその端面を露出させ、端部に備えた接
続体を用いて外部ライトガイドを接続可能にしたもので
、内部ライトガイドの接続端面の清浄度を維持させる作
業が容易にできることにより端面における光エネルギー
の損失が軽減でき、また容器に内部ライトガイドが固定
されているため、耐熱性に問題のある光結合剤を用いる
必要がない。さらに本発明によれば接触端面数を低減さ
せることができる。光伝送過程における接触端面数と光
伝送効率の関係を示す第５図から明らかなように、接触
端面数が増加すると光伝送効率が低下する。本発明によ
る構造では外部ライトガイドと内部ライトガイドの間の
接触端面数は２であり、第１図に示した構造における接
触端面数４に比して半減していて、それだけ光伝送効率
の低下が避けられる。
なお上述では平形構造の光点弧サイリスタを例に挙げて
説明したが、スタッド形の光点弧サイリスタの場合にも
、また光信号によって動作する他の半導体菓子にもすべ
て同様に適用できる。
説明したが、スタッド形の光点弧サイリスタの場合にも
、また光信号によって動作する他の半導体菓子にもすべ
て同様に適用できる。
第１図は従来技術における光点弧サイリスタの断面図、
第２図は本発明の一実施例の光点弧サイリスタの断面図
、第３図、第４図はそれぞれ異なる実施例の断面図、第
５図は接触端面数と光伝送効率の関係を示した線図であ
る。 １・・・シリコン板、２・・・絶縁リング、３・・・端
板、４・・・アノード電極、５・・・カソード電極、９
・・・受光部、１０・・・内部ライトガイド、１３・・
・外部ライトガイド、１４・・・接続治具、１６・・・
接続体、１７・気密部材。 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｓ触痛面数 第５図
第２図は本発明の一実施例の光点弧サイリスタの断面図
、第３図、第４図はそれぞれ異なる実施例の断面図、第
５図は接触端面数と光伝送効率の関係を示した線図であ
る。 １・・・シリコン板、２・・・絶縁リング、３・・・端
板、４・・・アノード電極、５・・・カソード電極、９
・・・受光部、１０・・・内部ライトガイド、１３・・
・外部ライトガイド、１４・・・接続治具、１６・・・
接続体、１７・気密部材。 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｓ触痛面数 第５図
Claims (1)
- １）容器を気密に貫通する内部ライトガイドを備え、該
内部ライトガイドの一端の端面ば半導体素体の受光部に
近接して対向し、他端の外面は、容器に固定され、端部
が外部ライトガイドの端部に備えられた接続治具に嵌着
可能の管状接続体の内面に気密に結合され、端面が該接
続体の端面と同一平面にあることを特徴とする光駆動半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215364A JPS60107859A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 光駆動半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58215364A JPS60107859A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 光駆動半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107859A true JPS60107859A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16671064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58215364A Pending JPS60107859A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 光駆動半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107859A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2398391A (en) * | 2003-02-15 | 2004-08-18 | Agilent Technologies Inc | Connecting optic fibre to active component using two plates |
| US6793411B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-09-21 | Nufern | Method and apparatus for communicating signals with an optical fiber |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53147489A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-22 | Electric Power Res Inst | Light trigger thyristor package |
| JPS54979A (en) * | 1977-05-26 | 1979-01-06 | Electric Power Res Inst | Optical trigger thyristor package |
| JPS54136283A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-23 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor photo detector |
| JPS55157273A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-06 | Toshiba Corp | Photo-driven semiconductor device |
| JPS5788770A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-02 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
| JPS5853166B2 (ja) * | 1975-12-26 | 1983-11-28 | トヨタ自動車株式会社 | シヨクバイキコウコウドホシヨウソウチ |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP58215364A patent/JPS60107859A/ja active Pending
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| GB2398391A (en) * | 2003-02-15 | 2004-08-18 | Agilent Technologies Inc | Connecting optic fibre to active component using two plates |
| US7093986B2 (en) | 2003-02-15 | 2006-08-22 | Marco Scofet | Low cost optical module |
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