JPH07283152A - 半導体製造装置、ガス供給装置及び排ガス処理装置並びに空圧機器の大気開放方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ハロゲン間化合物ガスを用いて、エッチン
グ，ＣＶＤ，クリーニング等を行なう半導体製造装置や
その周辺装置等の空圧機器の内部を開放する際の空圧機
器の内壁の腐食及び人体への悪影響を防止する。 【構成】 ハロゲン間化合物ガスが流通するチャンバ，
配管等の空圧機器の内部に不活性ガスを導入した後排出
し、その後、１％を越える湿度を有する気体をチャンバ
等に導入する。１％を越える湿度を有する気体をチャン
バ等に導入する前に、チャンバ等の内部のハロゲン間化
合物ガスの濃度がチャンバ等の内壁が腐食されない程度
に低減される。その後、１％を越える湿度を有する気体
が導入されると、ハロゲン間化合物（例えばＣｌＦ3 ガ
ス）がＨＦ等の毒性の低いかつチャンバ等の内壁への吸
着力の小さい物質に分解される。その後、チャンバ等の
内部を大気に開放することで、チャンバ等の腐食や人体
への悪影響が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＣｌＦ3 ガス等のハロ
ゲン間化合物ガスを用いる装置のメンテナンス時におけ
る安全性を確保するための空圧機器の大気開放方法及び
この大気開放方法を実施し得る各種装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスを製造する分野に
おいて、ＣｌＦ3 ガス等のハロゲン間化合物ガスは、半
導体ウエハのエッチング，ＣＶＤを行なったり、チャン
バ等の内部をクリーニングするためのガスとして注目を
浴びているが、その取扱い上、下記のような注意すべき
性質を有する。

【０００３】例えばハロゲン間化合物であるＣｌＦ3 分
子はＣｌ−Ｆの結合エネルギーが２５３. ６ＫＪ／ｍｏ
ｌと非常に小さく、結合を切り離し他の物質をフッ素化
する性質を強く有する。このような性質を利用して、Ｃ
ＶＤ装置において反応室を構成するチャンバ等の内壁に
形成されたポリシリコン膜，シリコンカーバイト膜等の
膜を定期的に除去する際のクリーニングガス（ＵＳＰ
４, ９９８, ９７９）や、ポリシリコン膜，シリコン窒
化膜等のエッチングガス（特開平２ー６６９４３号公
報）としてＣｌＦ3 ガスが提案されている。特に、Ｃｌ
Ｆ3 ガス等のハロゲン間化合物ガスは、プラズマ化しな
くとも常温でシリコンと反応するという強い反応性を有
することから、エッチングプロセス等で極めて優れた機
能を発揮し得るが、このような強い反応性は同時に強い
毒性を有することを意味する。エッチングガスとして現
在汎用されている塩素・ＨＦ・ＨＣｌ・ＨＢｒ等のエッ
チングガスの毒性の基準となるＴＬＶ値（当該環境下で
８時間以上の作業が危険なガス濃度）が１ｐｐｍである
のに対し、ＣｌＦ3 ガスのＴＬＶ値は０. １ｐｐｍであ
り、塩素ガス等の１０倍以上の毒性を有している。

【０００４】従って、ＣｌＦ3 ガスを用いる反応室内の
部品あるいはポンプ等の空圧機器の交換時・ＣｌＦ3 ガ
スボンベの交換時・排ガス処理装置の薬剤の交換時に
は、残留ＣｌＦ3 ガスの濃度を低減し作業者の安全を確
保する必要がある。そこで、従来、残留する反応性ガス
濃度の低減には、ＳＦ6 等の他の安全なガスでプラズマ
を発生させたり乾燥窒素等の不活性ガスで置換させる手
段がとられていた。なお、従来大気開放のためのリーク
ガスとして、湿度１％以下の乾燥窒素を用いていた理由
は、水分と反応性ガス特に塩素系ガスとの反応生成物で
ある塩酸が金属を腐食させやすかったからである。

【０００５】一方、ハロゲン元素を含むガスが導入され
ていたチャンバに残留するハロゲン元素を含むガスを除
去する方法として、下記の技術がある。

【０００６】例えば特開平４−３２３３８９号公報に開
示される方法では、チャンバに所定値以上の水分を含有
する空気又は不活性ガスを通過させて、残留ハロゲンガ
スを除去するようにしている。

【０００７】また、特開平５−２４３１６３に開示され
る方法では、ハロゲン元素を含むガスが導入されていた
チャンバに、５０℃以上に加熱した空気又は不活性ガス
を通過させて、残留するハロゲン元素を含むガスを除去
するようにしている。

【０００８】そして、上記各公報の技術では、残留する
ハロゲン元素を含むガスを除去することで、反応室を形
成するチャンバの腐食を防止するようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ハロゲ
ン元素を含むガスのうちでも、ハロゲン間化合物ガスは
非常に反応性が強い。したがって、上記各公報の技術の
ようにハロゲン間化合物ガスが残留したチャンバに水分
を含む空気や水分を含む不活性ガスを導入すると、ただ
ちにチャンバの内壁を構成するアルミニウム・ＳＵＳ等
の金属が腐食されることが判明した。そして、金属の腐
食により例えば酸化鉄等が発生すると、例えその量がわ
ずかでも、ＣＶＤ処理等を行なう際に酸化鉄等がプラズ
マ中で分解して生じた金属イオンが半導体材料中に混入
して、半導体装置に重大な悪影響を及ぼす。したがっ
て、上記公報の技術では、ＳＦ6 ガス，ＮＦ3 ガスやＣ
Ｆ4 ガスに対しては、反応室を形成するチャンバの腐食
を防止する効果があるものの、ＣｌＦ3 ガス等のハロゲ
ン間化合物ガスに対しては、かえって、腐食を促進する
ことになる。

【００１０】そこで、実用上、チャンバ等に残留するハ
ロゲン間化合物ガスを除去するには、ＳＦ6 プラズマの
発生を利用したりチャンバ内を窒素ガス等の不活性ガス
で置換するという一般的な従来の方法を用いるしかなか
った。

【００１１】しかし、ＣｌＦ3 ガス等のハロゲン間化合
物ガスは強い毒性を持つとともにＳＵＳ・アルミニウム
等の金属に対する吸着力が高い。従って、例えばＳＦ6
プラズマの発生を利用したり窒素ガスによる雰囲気の置
換を行なったりすることで、真空系あるいはポンプ部に
残留するハロゲン間化合物ガスの濃度を低減させようと
しても、チャンバの内壁に吸着したＣｌＦ3 ガスの濃度
をＴＬＶ値以下とするには、非常に長い時間をかけなけ
ればならなかった。例えば、窒素ガスによる雰囲気の置
換を行なう場合、２４時間の乾燥窒素による雰囲気の置
換でも配管内のＣｌＦ3 ガスの濃度を０．１ｐｐｍ以下
にすることはできなかった。

【００１２】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、以下に述べるような目的を有する。

【００１３】第１の目的は、短時間で残留するハロゲン
間化合物ガスの濃度をＴＬＶ値以下に低減することがで
き、安全で迅速な装置のメンテナンス作業を可能とする
空圧機器の大気開放方法を提供することにある。

【００１４】第２の目的は、ハロゲン間化合物ガスを使
用するチャンバを備えた半導体製造装置として、上記の
ような大気開放方法を実施し得る半導体製造装置を提供
することにある。

【００１５】第３の目的は、ハロゲン間化合物ガスをチ
ャンバ等に供給する装置として、上記のような大気開放
方法を実施し得るガス供給装置を提供することにある。

【００１６】第４の目的は、チャンバ等から排出される
ガスを分解等するための装置として、上記のような大気
開放方法を実施し得る排ガス処理装置を提供することに
ある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、空圧機器の大気開放方法として、上記請求項
１〜１０に記載される手段を講じている。

【００１８】具体的に請求項１の発明が講じた手段は、
密封状態でハロゲン間化合物ガスが流通するチャンバ，
配管，バルブ，ポンプ等の空圧機器の内部を大気に開放
する方法として、上記空圧機器内に不活性ガスを導入す
るステップと、上記不活性ガスを空圧機器から排出する
ステップと、上記不活性ガスが排出された空圧機器内に
１％を越える湿度を有する気体を導入して上記ハロゲン
間化合物ガスを分解するステップと、上記ハロゲン間化
合物が分解されて生じた物質を排出するステップと、上
記物質が排出された上記空圧機器内を大気に開放するス
テップとを設ける方法である。

【００１９】請求項２の発明が講じた手段は、請求項１
の発明において、上記ハロゲン間化合物ガスを、ＣｌＦ
3 ガス，ＢｒＦ3 ガス，ＢｒＦ5 ガス，ＢｒＣｌガス及
びＩＦ3 ガスのうち少なくとも１つとする方法である。

【００２０】請求項３の発明が講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、上記不活性ガスを導入するステ
ップと不活性ガスを排出するステップとを、交互に複数
回繰り返す方法である。

【００２１】請求項４の発明が講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、上記不活性ガスを導入するステ
ップと不活性ガスを排出するステップとを、同時に行な
う方法である。

【００２２】請求項５の発明が講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、上記１％を越える湿度を有する
気体を導入するステップと該気体を排出するステップと
を、交互に複数回繰り返す方法である。

【００２３】請求項６の発明が講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、上記不活性ガスを導入するステ
ップでは、不活性ガスの圧力を高くして空圧機器内の不
活性ガスを押し出すことにより上記不活性ガスを排出す
るステップを同時に行ない、上記１％を越える湿度を有
する気体を導入するステップでは、上記気体の圧力を高
くして空圧機器内の上記不活性ガス及び気体を押し出す
ことにより上記不活性ガスを排出するステップ及び気体
を排出するステップと同時に行なう方法である。

【００２４】請求項７の発明が講じた手段は、請求項６
の発明において、不活性ガスの導入と排出とを同時に行
なうステップと、上記１％を越える湿度を有する気体の
導入と排出とを同時に行なうステップとを、交互に複数
回繰り返す方法である。

【００２５】請求項８の発明が講じた手段は、請求項
１，２，３，４又は５の発明において、上記不活性ガス
を導入するステップの前に、上記空圧機器内を減圧状態
にするよう吸引して、空圧機器内からハロゲン間化合物
ガスを排出するステップをさらに設ける方法である。

【００２６】請求項９の発明が講じた手段は、請求項
１，２，３，４，５，６，７又は８の発明において、上
記１％を越える湿度を有する気体を導入するステップ
を、空圧機器内のハロゲン間化合物ガスの濃度が１００
ｐｐｍ以下の状態で開始する方法である。

【００２７】請求項１０の発明が講じた手段は、請求項
１，２，３，４，５，６，７，８又は９の発明におい
て、上記１％を越える湿度を有する気体を、大気とする
方法である。

【００２８】上記第２の目的を達成するために、半導体
製造装置として、上記請求項１１〜１４に記載される手
段を講じている。

【００２９】具体的に請求項１１の発明が講じた手段
は、ハロゲン間化合物供給源から供給されるハロゲン間
化合物ガスをウエハ処理室に導入して半導体ウエハのエ
ッチング，ＣＶＤ等の処理やウエハ処理室のクリーニン
グ等の処理を行なうように構成された半導体製造装置に
おいて、上記ウエハ処理室を構成するチャンバと、上記
ハロゲン間化合物ガスをチャンバ内に導入するための手
段と、上記１％を越える湿度を有する気体を上記チャン
バ内に導入するための手段と、上記不活性ガスをチャン
バ内に導入するための手段と、上記チャンバ内のガスを
その外部に排出するための手段とを設ける構成としたも
のである。

【００３０】請求項１２の発明が講じた手段は、請求項
１１の発明において、上記ハロゲン間化合物ガスをチャ
ンバ内に導入する手段を、ＣｌＦ3 ガス，ＢｒＦ3 ガ
ス，ＢｒＦ5 ガス，ＢｒＣｌガス及びＩＦ3 ガスのうち
少なくとも１つを導入するもので構成したものである。

【００３１】請求項１３の発明が講じた手段は、請求項
１１又は１２の発明において、上記１％を越える湿度を
有する気体を導入する手段を、大気を導入するもので構
成したものである。

【００３２】請求項１４の発明が講じた手段は、請求項
１１の発明において、上記チャンバに、不活性ガス及び
１％を越える湿度を有する気体を自動的に導入・排出す
るように、上記各手段を制御する手段をさらに設けたも
のである。

【００３３】上記第３の目的を達成するために、ガス供
給装置として、上記請求項１５，１６に記載される手段
を講じている。

【００３４】具体的に、請求項１５の発明が講じた手段
は、ハロゲン間化合物ガスの供給源からハロゲン間化合
物ガスを空圧機器に供給するためのガス供給装置とし
て、上記ハロゲン間化合物ガスの供給源と上記空圧機器
との間を接続するガス供給用配管と、上記ガス供給用配
管内に１％を越える湿度を有する気体を導入するための
手段と、上記ガス供給用配管内に不活性ガスを導入する
ための手段とを設ける構成としたものである。

【００３５】請求項１６の発明が講じた手段は、請求項
１５の発明において、上記１％を越える湿度を有する気
体を導入する手段を、大気を導入するもので構成したも
のである。

【００３６】上記第４の目的を達成するために、排ガス
処理装置として、請求項１７，１８に記載される手段を
講じている。

【００３７】具体的に請求項１７の発明が講じた手段
は、ハロゲン間化合物ガスが導入された空圧機器から排
出されるハロゲン間化合物ガスを処理するための排ガス
処理装置として、上記空圧機器に接続されるガス排出用
配管と、上記ガス排出用配管に不活性ガスを導入するた
めの手段と、上記ガス排出用配管に１％を越える湿度を
有する気体を導入するための手段とを設ける構成とした
ものである。

【００３８】請求項１８の発明が講じた手段は、請求項
１７の発明において、上記１％を越える湿度を有する気
体を導入する手段を、大気を導入するもので構成したも
のである。

【００３９】

【作用】以上の装置又は方法により各請求項の発明で
は、以下の作用が奏される。

【００４０】請求項１の発明では、空圧機器内に不活性
ガスが導入されさらに排出されると、空圧機器の内壁に
吸着されたハロゲン間化合物ガスの分子と不活性ガスの
分子との置換により空圧機器内のハロゲン間化合物ガス
の濃度が、空圧機器を腐食させない程度にまで減少す
る。そして、この状態で１％を越える湿度を有する気体
が導入されると、比較的結合エネルギーの小さいハロゲ
ン間化合物の分子が水分との反応により分解し、空圧機
器の内壁への吸着力が低減する。したがって、ハロゲン
間化合物の分子の分解により生じた物質は容易に排出さ
れ、空圧機器内を大気に開放したときには、人体への悪
影響がない濃度まで低減しており、作業の安全性が確保
されることになる。

【００４１】請求項２の発明では、ハロゲン間化合物の
中でも、ＣｌＦ3 ガス，ＢｒＦ3 ガス，ＢｒＦ5 ガス，
ＢｒＣｌガス及びＩＦ3 ガスは、クリーニング用ガス，
ＣＶＤ用ガス，エッチング用ガスとして高い機能を有す
るとともに、毒性及び腐食性が極めて大きい。例えばＣ
ｌＦ3 分子のＣｌ−Ｆ間の結合エネルギーが２５４ＫＪ
／ｍｏｌと非常に小さいのに対し、Ｈ−Ｆ間の結合エネ
ルギーは５６６ＫＪ／ｍｏｌと高く、下記化学式１に示
すように、ＣｌＦ3 分子は水分の存在によりＨＦ等へと
容易に分解される。

【００４２】 ＣｌＦ3 ＋２Ｈ2 Ｏ→３ＨＦ＋ＨＣｌ＋Ｏ2 （１） ＣｌＦ3 分子及びＨＦ分子のアルミニウム等の金属に対
する吸着力は定量化されていないが、ＨＦ分子はＣｌＦ
3 分子に比べアルミニウム・ＳＵＳ等の金属に対する吸
着力がかなり弱いことが経験的に知られている。また、
不活性ガスとの置換によって、アルミニウム・ＳＵＳ等
の金属に腐食を生ぜしめない程度にまでＣｌＦ3 ガス等
の濃度が低減することも実験により確認されている。従
って、ＣｌＦ3 ガス等を使用する空圧機器に対して、請
求項１の発明の作用が確実に得られることになる。

【００４３】請求項３又は４の発明では、空圧機器内に
１％を越える湿度を有する気体を導入する前に、空圧機
器内のハロゲン間化合物ガスの濃度が極めて小さくなっ
ているので、空圧機器の内壁の腐食がより確実に防止さ
れる。

【００４４】請求項５の発明では、空圧機器の内部を大
気に開放する前に、空圧機器内のハロゲン間化合物ガス
の濃度がＴＬＶ値以下に確実に低減されることになる。

【００４５】請求項６又は７の発明では、空圧機器内を
減圧状態に排出する手段を有しない場合にも、空圧機器
内のハロゲン間化合物ガスの濃度を確実に低減すること
が可能となる。

【００４６】請求項８の発明では、空圧機器内に不活性
ガスを導入する前にすでに空圧機器内のハロゲン化合物
ガスの濃度が低くなっているので、空圧機器内の雰囲気
を不活性ガスで置換する時間が短縮されることになる。

【００４７】請求項９の発明では、空圧機器内に残留す
るハロゲン間化合物ガスの濃度が１００ｐｐｍ以下と低
い状態で、空圧機器内に１％を越える湿度を有する気体
が導入されるので、空圧機器の内壁の腐食が確実に防止
されることになる。

【００４８】請求項１０の発明では、大気を利用して容
易に空圧機器内のハロゲン間化合物ガスの残留濃度を低
減することが可能となる。

【００４９】請求項１１，１２又は１３の発明では、上
記各請求項の空圧機器の大気開放方法が実施可能な半導
体製造装置が構成される。

【００５０】請求項１４の発明では、チャンバ内のハロ
ゲン間化合物ガスの濃度が自動的に低減され、所望のメ
ンテナンスが可能となる。

【００５１】請求項１５又は１６の発明では、上記各請
求項の空圧機器の大気開放方法が実施可能なガス供給装
置が構成される。

【００５２】請求項１７又は１８の発明では、上記請求
項６又は７の空圧機器の大気開放方法が実施可能な排ガ
ス処理装置が構成される。

【００５３】

【実施例】以下、本発明の各実施例について、図面を参
照しながら説明する。

【００５４】（第１実施例）図１は第１〜第３実施例に
共通するＣＶＤ装置の構造及びその周辺装置の構成を示
す配管系統図である。図１において、符号１はウエハ処
理室を示し、符号１ａはウエハ処理室１を形成するチャ
ンバ本体を示し、符号１ｂはチャンバ本体１ａの上面を
覆うチャンバ蓋を示す。このチャンバ本体１ａ及びチャ
ンバ蓋１ｂは、湿度６０％に保たれたクリーンルーム
（図示せず）内に設置され、かつ接地されている。上記
ウエハ処理室１内の下方には、アース電極を兼ねた平板
状の試料台２が水平方向に配設され、ウエハ処理室１内
の上方には、試料台２に対向する対向電極３が配設され
ている。この対向電極３には、ＲＦ電源４により、１
３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。また、ウエ
ハ処理室１のチャンバ本体１ａには、プロセスガス導入
口８と、処理室排気口１３と、大気導入口１４とが付設
されている。後述のように、この大気導入口１４がウエ
ハ処理室１のチャンバ本体１ａに付設されている点が本
実施例の特徴である。つまり、従来のＣＶＤ装置のごと
くプロセスガスと大気とを共通の導入口からチャンバ内
に導入するようにすると、配管，バルブ等が腐食する。
それに対し、本実施例のごとく、プロセスガス導入口８
と、大気導入口１４とを個別に設けることにより、Ｃｌ
Ｆ3 ガス等のハロゲン間化合物ガスと大気とがチャンバ
内で初めて接触するようにしている。なお、本実施例で
は、大気導入口１４が窒素ガス導入口を兼ねているが、
大気導入口と窒素ガス導入口とを個別に設けてもよい。

【００５５】また、上記ウエハ処理室１にシリコン酸化
膜を形成する為のプロセスガスとしてのＳｉＦ4 ガス及
びＯ2 ガスやクリーニングガスとしてのＣｌＦ3 ガス等
の反応ガスを供給するためのガス供給装置５と、マスフ
ローコントローラ（図示せず）等を含むガス制御部７と
が配設されている。ガス供給装置５とガス制御部７との
間は３本の第１〜第３プロセスガス配管６ａ〜６ｃによ
り接続され、ガス制御部７とウエハ処理室１のプロセス
ガス導入口８との間は１本の第４プロセスガス配管６ｄ
により接続されている。すなわち、ガス制御部７によ
り、ガス供給装置５から３本の第１〜第３プロセスガス
配管６ａ〜６ｃを介して供給される３種類のガスのうち
いずれかを選択し、その流量を調節しながら、第４プロ
セスガス共通配管６ｄを介してウエハ処理室１に所望の
プロセスガスを導入するようになされている。

【００５６】符号９はウエハ処理室１から排出される各
種ガスを無毒化する処理を行なう排ガス処理装置を示
す。この排ガス処理装置９と、ウエハ処理室１のチャン
バ本体１ａに設けられた処理室排気口１３との間は、処
理室排気配管１２により接続されている。この処理室排
気配管１２には、管路を開閉するための排気バルブ１０
と、ウエハ処理室１内の圧力を調節するためのロータリ
ーポンプ１１とが介設されている。ウエハ処理室１内で
消費されずに排出されたプロセスガスは、処理室排気配
管１２を介して周辺装置である排ガス処理装置９に送ら
れ、安全なガスのみが排ガス処理装置９から外部に排出
される。

【００５７】符号１９ａはウエハ処理室１に大気を供給
するための配管を示し、符号１９ｂはウエハ処理室１に
不活性ガスである窒素ガスを供給するための配管を示
し、上記大気供給用配管１９ａと窒素ガス供給用配管１
９ｂとは、大気導入口１４に直接接続された共通配管１
９ｃから互いに分岐して、それぞれクリーンルーム内か
つウエハ処理室１外の大気状態にある部位と窒素ガスボ
ンベ（図示せず）とにそれぞれ延びている。上記窒素ガ
ス供給用配管１９ｂには、窒素リークバルブ１５が介設
されている。上記大気供給用配管１９ａには、大気リー
クバルブ１６と、大気からのパーティクルを捕獲するた
めのフィルタ１７とが介設されている。また、共通配管
１９ｃには圧力センサ１８が取り付けられている。

【００５８】上記のように構成されたＣＶＤ装置では、
ウエハ処理室１を形成するチャンバ内の各種メンテナン
スを行なう必要が生じ、その際には、チャンバ蓋１ｂを
開けてメンテナンスを行なう。また、周辺装置であるガ
ス供給装置５・排ガス処理装置９においても、それぞれ
ボンベ交換や、薬剤交換等のメンテナンスを行なう必要
が生じる。

【００５９】次に、図２のフローチャートに基づき、図
１を参照しながらウエハ処理室１のメンテナンス時にお
ける大気開放方法の手順について説明する。

【００６０】まず、初期状態であるステップＳＴ１１で
は、ロータリーポンプ１１よるウエハ処理室１の真空引
きが継続中で、ウエハ処理室１はほぼ真空状態に保たれ
ているが、ウエハ処理室１のチャンバ本体１ａやチャン
バ蓋１ｂの内壁には、微量（１００ｐｐｍ以下）のＣｌ
Ｆ3 ガスが吸着している。

【００６１】ステップＳＴ１２では、排気バルブ１０を
閉じ、窒素リークバルブ１５を開けて、ウエハ処理室１
に窒素ガスを導入する。そして、圧力センサ１８により
ウエハ処理室１の圧力が１気圧以上になったことが検出
されると、排気バルブ１０を開けて、窒素ガスの導入を
継続しながらロータリーポンプ１１でウエハ処理室１の
窒素ガスを排出する。つまり、所定時間（本実施例では
約３０分間）の間、ウエハ処理室１への窒素ガスの導入
とウエハ処理室１の排気とを同時に行なって、窒素ガス
による雰囲気の置換を行なう。ただし、ウエハ処理室１
が１気圧付近になるまで窒素ガスを導入するステップ
と、窒素ガスで満たされたウエハ処理室１をロータリー
ポンプ１１により真空にするステップとを、複数回（例
えば３回程度）繰り返してもよい。

【００６２】ステップＳＴ１３では、排気バルブ１０を
閉じ、大気リークバルブ１６を開けて、フィルタ１７に
よってパーティクルが取り除かれた大気を大気導入口１
４からウエハ処理室１に導入する。そして、圧力センサ
１８により、ウエハ処理室１が大気圧以上になったこと
が検出されると、大気リークバルブ１６を閉じる。この
時点で、上記化学式ｌに示す反応が生じ、チャンバ本体
１ａやチャンバ蓋１ｂの内壁に吸着していたＣｌＦ3 ガ
スは大気中の水分と反応してＨＦガス等へと分解され
る。

【００６３】次に、ステップＳＴ１４では、排気バルブ
１０を開けて、ロータリーポンプ１１によりウエハ処理
室１の大気を処理室排気口１３から排出する。この時点
で、ＨＦ等の分解生成物は大気と同時に排出される。

【００６４】ステップＳＴ１５では、ウエハ処理室１の
圧力が十分低くなった時点で、上記ステップＳＴ１３と
同様に、排気バルブ１０を閉じ、大気リークバルブ１６
を開けて、フィルタ１７によりパーティクルが取り除か
れた大気を大気導入口１４からウエハ処理室１に導入
し、圧力センサ１８でウエハ処理室１が大気圧になった
ことが確認されると、大気リークバルブ１６を閉じる。

【００６５】この後、ステップＳＴ１６では、チャンバ
蓋１ｂを開け、ステップＳＴ１７で、所定のメンテナン
スを行う。

【００６６】このような大気開放方法を行なうことで、
以下のような効果が得られる。一般に、ＣｌＦ3 ガスの
分圧が高いプロセス条件を使用した直後はウエハ処理室
１に残留するＣｌＦ3 ガスの濃度が高いため、いきなり
ステップＳＴ１３による大気導入を行なった場合、ウエ
ハ処理室１を構成するチャンバ本体１ａやチャンバ蓋１
ｂの内壁を腐食させる虞れがある。それに対し、本実施
例では、いったんウエハ処理室１に窒素ガスを導入し
て、ＣｌＦ3 ガスを窒素ガスで置換することにより、ウ
エハ処理室１のＣｌＦ3 ガスの濃度をｐｐｍオーダーに
低減してから、１％を越える湿度を有する気体（本実施
例では大気）をウエハ処理室１内に導入するので、チャ
ンバ本体１ａやチャンバ蓋１ｂの内壁の腐食を招くこと
がなく、かつ有害なＣｌＦ3 ガスを人体に影響がない濃
度にまで低減することができるのである。

【００６７】図９は、図２のステップＳＴ１２及びステ
ップＳＴ１３〜１５における残留ＣｌＦ3 ガスの濃度の
低減効果を示すデータである。曲線Ｃｆｎは、窒素ガス
の導入−排出（つまり窒素ガスによるウエハ処理室１の
雰囲気の置換）の繰り返し回数に対するＣｌＦ3 ガスの
濃度の低減特性を示し、曲線Ｃｆａは大気の導入−排出
の繰り返し回数に対するＣｌＦ3 ガスの濃度の低減特性
を示す。ただし、図９の横軸は、いずれも窒素ガスによ
るウエハ処理室１の雰囲気の置換を３回行なった後、窒
素ガス又は大気による雰囲気の置換を行なったときの合
計の回数を示す。例えば、曲線Ｃｆａ上における合計置
換回数が５回の点は、窒素ガスによる雰囲気の置換を３
回行なった後、大気による雰囲気の置換を２回行なった
ときの残留ＣｌＦ3 ガスの濃度を示す。曲線Ｃｆｎ上に
おける合計置換回数が５回の点は、窒素ガスによる雰囲
気の置換を５回行なったときの残留ＣｌＦ3 ガスの濃度
を示す。

【００６８】同図に示すように、窒素ガスによるウエハ
処理室の雰囲気の置換を合計３回行なうことで、ＣｌＦ
3 ガスの濃度を１０ｐｐｍ程度に低減し得る。このよう
にＣｌＦ3 ガスの濃度が１０ｐｐｍ程度になると、その
後１％を越える湿度を有する気体をウエハ処理室１に導
入しても、チャンバ本体１ａやチャンバ蓋１ｂの内壁は
ほとんど腐食されないことが確認された。一方、窒素ガ
スによるウエハ処理室１の雰囲気の置換だけでは、Ｃｌ
Ｆ3 ガスの濃度を１ｐｐｍ以下に低減しようとすると、
非常に長時間の窒素ガスによる置換作業を要することに
なる。本実験におけるウエハ処理室１の雰囲気の置換に
要する時間は、１０分程度であるので、窒素ガスによる
雰囲気の置換だけでは、５０分程度（５回の置換回数）
の雰囲気の置換を行なっても、ＣｌＦ3 ガスの濃度は飽
和し、これ以上低減することが困難となることがわかっ
た。例えば、窒素ガスによる雰囲気の置換を行なう場
合、２４時間の乾燥窒素による雰囲気の置換でも配管内
のＣｌＦ3 ガスの濃度を０．１ｐｐｍ以下にすることは
できなかった。それに対し、３回の窒素ガスによる雰囲
気の置換を行なった後、大気によるウエハ処理室１内の
雰囲気の置換を行なうことで、ＣｌＦ3 ガスの濃度をＴ
ＬＶ値０．１ｐｐｍ以下に速やかに低減することができ
る。

【００６９】（第２実施例）次に、第２実施例に係るガ
ス供給装置５の詳細な構造及びメンテナンス方法につい
て、図３及び図４を参照しながら説明する。本実施例に
おいても、半導体製造装置の全体構成は、上記図１に示
す通りである。図３は、ＣｌＦ3 等のガス供給装置５の
内部の構成を概略的に示す断面図である。図３に示すよ
うに、ガス供給装置５は、全体を区画するケーシング５
０を備えている。ケーシング５０内には、クリーニング
用ガスであるＣｌＦ3 ガスを供給する第１ボンベ５１ａ
と、ＳｉＦ4 ガス，Ｏ2 ガス等のＣＶＤ用ガスを供給す
る第２，第３ボンベ５１ｂ，５１ｃとが配設されてい
る。各ボンベ５１ａ〜５１ｃと図１に示すガス制御部７
との間が、それぞれ前述したプロセスガス配管６ａ〜６
ｃにより接続されている。そして、各プロセスガス配管
６ａ〜６ｃには、それぞれ第１〜第３窒素リークバルブ
５５ａ〜５５ｃを介して窒素ガス供給配管１９ｂの分岐
配管が接続されている。また、第１プロセス配管６ａに
は、大気リークバルブ５６及びフィルター５７を介して
大気供給用配管５９ａが接続されている。さらに、大気
供給用配管５９ａには第１プロセス配管６ａ内の圧力状
態を検出するための圧力センサ５８が配設されている。
そして、万一ケーシング５０内に有毒ガスが漏れた場合
に備えて、ケーシング５０には有毒ガス排気配管５２が
取り付けられている。

【００７０】図４は、図３に示すガス供給装置５内のＣ
ｌＦ3 ガス供給用の第１ボンベ５１ａを交換する際に第
１プロセスガス配管６ａを大気に開放する方法を示すフ
ローチャートである。

【００７１】まず、初期状態であるステップＳＴ２１で
は、第１プロセスガス配管６ａにはＣｌＦ3 ガスが充填
されている。

【００７２】ステップＳＴ２２では、第１ボンベ５１ａ
のバルブを閉じ、ロータリーポンプ１１により、別の図
示しない配管を介して第１プロセスガス配管６ａ内の真
空引きを行なう。次に、ステップＳＴ２３では、第１プ
ロセスガス配管６ａに接続される第１窒素リークバルブ
５５ａを開けて配管内に窒素を導入する。また、ステッ
プＳＴ２４では、再び第１プロセス配管６ａ内の真空引
きを行なう。このステップＳＴ２３及びＳＴ２４は交互
に３回繰り返される。

【００７３】その後、ステップＳＴ２５で、第１窒素リ
ークバルブ５５ａを閉じ、大気リークバルブ５６を開い
て、フィルタ５７によりパーティクルが取り除かれた大
気を第１プロセス配管６ａ内に導入する。そして、第１
プロセス配管６ａ内が大気圧になったことが圧力センサ
５８で確認されると、大気リークバルブ５６を閉じる。
この時点で、上記化学式ｌに示す反応が生じ、第１プロ
セスガス配管６ａの内壁に吸着していたＣｌＦ3 ガス
が、大気中の水分との反応によりＨＦガス等へと分解さ
れる。

【００７４】次に、ステップＳＴ２６，２７で、第１プ
ロセスガス配管６ａの真空引きと大気の導入とを繰り返
す。

【００７５】この後、ステップＳＴ２８では、既知の方
法でＣｌＦ3 ガス供給用の第１ボンベ５１ａを交換す
る。

【００７６】本実施例でも、上記第１実施例と同様に、
ＣｌＦ3 ガスによる配管等の内壁の腐食を防止しながら
人体の安全を図ることができる。

【００７７】（第３実施例）次に、第３実施例につい
て、図５及び図６を参照しながら説明する。本実施例に
おいても、半導体製造装置の全体構成は図１に示すとお
りである。図５は排ガス処理装置９の内部の構成を示す
図である。図５に示すように、排ガス処理装置９は、全
体がケーシング９０により囲まれている。そして、ケー
シング９０内には、各種有毒ガスを除害するための薬剤
が充填された処理筒９１が配設されており、この処理筒
９１は、上述の処理室排気配管１２を介して図１に示す
ウエハ処理室１に接続されている。さらに、処理筒９１
には、有毒ガスが除去された後の安全なガスを外部に排
出するための外部排出管１００が接続されている。そし
て、上記処理室排気配管１２には、共通配管９９ｃを介
して大気供給用配管９９ａと窒素ガス供給配管９９ｂと
が接続されている。また、大気供給用配管９９ａには大
気リークバルブ９６が介設され、窒素ガス供給用配管９
９ｂには窒素リークバルブ９５が介設されている。ま
た、ケーシング９０内に、万一排気ガスが漏れた場合に
備え、ケーシング９０から有毒ガスを排出するための有
毒ガス排気配管９２が付設されている。

【００７８】以上のように、本実施例の排ガス処理装置
９には、真空引きによりハロゲン間化合物ガスを排出す
る手段は設けられていない点が、上記第１，第２実施例
と異なる。

【００７９】次に、排ガス処理装置９内の処理筒９１を
交換する時の処理室排気配管１２の大気開放方法につい
て、図６のフローチャートに基づき図５を参照しながら
説明する。

【００８０】まず、初期状態であるステップＳＴ３１で
は、ロータリポンプ１１から処理室排気配管１２に排出
される未反応のＣｌＦ3 ガスは、排ガス処理装置９内の
処理筒９１で薬剤に吸着されるか、薬剤と反応している
かの状態であって、外部排出管１００からは安全なガス
のみが排出されている。

【００８１】次に、処理筒９１の薬剤が交換時期となる
と、プロセス処理を中断し、ステップＳＴ３２で、処理
室排気配管１２内の雰囲気を窒素ガスにより置換する。
上記第１，第２実施例におけるウエハ処理室１や第１プ
ロセスガス配管６ａの大気開放の場合は、大気開放する
部位を真空引きすることができたが、今回の場合は構造
上真空引きをすることはできない。従って、この場合の
窒素ガスによる雰囲気の置換は、３０分間程度の間、１
０リットル／分の窒素ガスを処理室排気配管１２に流し
続ける。この窒素ガスによる雰囲気の置換により、次の
ステップＳＴ３３における大気導入時に配管の腐食が生
じない程度にＣｌＦ3 ガスの濃度を低下させる。

【００８２】次に、窒素リークバルブ９５を閉じた後、
ステップＳＴ３３では、大気リークバルブ９６を開けて
大気を処理室排気配管１２に導入する。この時点で、化
学式１に示す反応が生じ、処理室排気配管１２の内壁に
吸着していたＣｌＦ3 ガスは大気中の水分と反応してＨ
Ｆ等へと分解される。

【００８３】次に、ステップＳＴ３４で、上記ステップ
ＳＴ３２と同様の操作で、窒素ガスによる処理室排気配
管１２内の雰囲気の置換を行なう。このステップでは、
ＨＦ等の分解生成物を大気と同時に排出することが目的
である。

【００８４】次に、ステップＳＴ３５では、上記ステッ
プＳＴ３３と同様の操作で、処理室排気配管１２内に大
気を導入する。

【００８５】この後、ステップＳＴ３６では、既知の方
法で処理筒９１を交換する。

【００８６】なお、上記各実施例では、各種装置が湿度
６０％に保たれたクリーンルーム内に設置されているた
め、直接大気をウエハ処理室内に導入する構成を採用し
ている。湿度と除去能力の関係を下記表１に示す。

【００８７】

【表１】 上記各実施例における大気の代りに湿度１％を越える湿
度を有する気体例えば窒素ガスを取り入れる構成とすれ
ば、各実施例と同様の実施方法で同等の効果を得ること
ができる。しかし、ｐｐｍオーダーに湿度を一般的に抑
えられているＳｉＦ4 ガスやＯ2 ガス等のプロセスガス
あるいはリーク用に用いられているドライエアー・乾燥
窒素では、ハロゲン間化合物ガスを分解するのが困難で
ある。

【００８８】（第４実施例）次に、量産用の設備に係る
第４実施例について、図７及び図８を参照しながら説明
する。量産用の設備は、図７に示すように、ガスライン
引き・ウエハ回収等、装置のメンテナンスやエラー復帰
の為のシーケンスを自動的に行なうための「サービスシ
ーケンス」を有している。また、図８は、一般的な量産
用の設備の命令信号系統を示すブロック図である。図８
において、ＣＲＴと一体化され命令を入力・実行するた
めのパソコン７１が配設され、該パソコン７１には信号
線７３ａを介して制御ラック７２が接続されている。Ｉ
／Ｏボードが設置された制御ラック７２には、バルブ７
４、ポンプ７５、センサー７６、マスフロー７７、電源
７８、モーター７９等が信号線７３ｂを介して接続され
ている。プロセス条件やウエハ処理時のバルブ開閉手順
等はパソコン７１内の記憶装置（図示せず）に記憶され
ており、ウエハ処理は自動的に行なわれる。また、ウエ
ハ処理に加え、ガスライン引き・ウエハ回収等手順が決
っている命令群にも「サービスシーケンス」として自動
的に行えるようパソコン内に命令が用意されている。

【００８９】図７は、サービスシーケンスのＣＲＴ画面
の一例を示す。ガスライン引き・ウエハ回収等に加えウ
エハ処理室を構成するチャンバ内の大気開放の項目が用
意されている。チャンバ内の大気開放には、上記第１実
施例で説明した図２のフローチャートの作業ルーチンの
うち、ステップＳＴ１２からＳＴ１７のルーチンがプロ
グラム化されており、このサービスシーケンスを選択・
実行すればステップＳＴ１２からＳＴ１７のルーチンが
自動的に実行され、安全な大気開放を確実に行なうこと
ができる。

【００９０】なお、上記各実施例では、半導体製造装置
のウエハ処理室１やガス供給装置５，排ガス処理装置９
等のメンテナンスを行なう際の手順を示したが、例えば
排気バルブ１０やロータリポンプ１１等の各種空圧機器
の内部を大気に開放する際にも、上記各実施例の手順を
用いることで、残留するＣｌＦ3 ガス等のハロゲン間化
合物ガスの濃度を低減することができ、安全で迅速な部
品交換作業等が可能となる。

【００９１】また、上記各実施例では、半導体製造装置
として平行平板型プラズマＣＶＤ装置の場合を示した
が、ＥＣＲプラズマ・ヘリコンプラズマ・インダクティ
ブカップルドプラズマを用いたプラズマＣＶＤ装置、あ
るいはハロゲン間化合物ガスを用いるエッチング装置等
への適用が可能なことは言うまでもない。

【００９２】さらに、上記各実施例では、ハロゲン間化
合物ガスとしてＣｌＦ3 ガスを使用する例を説明した
が、ハロゲン間化合物ガスとしては、ＣｌＦ3 ガス以外
に、ＢｒＦ5 ガス（あるいはＢｒＦ3 ガス），ＢｒＣｌ
ガス，ＩＦ3 ガス等のフッ素（Ｆ），臭素（Ｂｒ），塩
素（Ｃｌ），よう素（Ｉ）間の化合物があり、これらは
いずれも毒性が強く、かつ金属を腐食させる作用も大き
い。したがって、上記各実施例のような空圧機器の大気
開放方法を、これらのハロゲン間化合物ガスに適用する
ことで、上記各実施例と同様の効果を発揮することがで
きる。

【００９３】

【発明の効果】請求項１の発明では、ハロゲン化合物ガ
スが流通していた空圧機器の内部を大気に開放する際
に、ハロゲン化合物ガスによる空圧機器の内部の腐食と
ハロゲン間化合物ガスによる人体への悪影響とを防止し
ながら、空圧機器の内部を迅速に大気に開放することが
できる。

【００９４】請求項２の発明によれば、クリーニング用
ガス，ＣＶＤ用ガス，エッチング用ガスとして高い機能
を有する各種ハロゲン間化合物について、請求項１の発
明の効果を得ることができる。

【００９５】請求項３，４又は５の発明では、空圧機器
の内壁の腐食や人体への悪影響をより確実に防止するこ
とができる。

【００９６】請求項６又は７の発明では、空圧機器内を
減圧状態に排出する手段を有しない場合にも、空圧機器
内のハロゲン間化合物ガスの濃度を確実に低減すること
ができる。

【００９７】請求項８の発明では、空圧機器内の雰囲気
を不活性ガスで置換する時間の短縮を図ることができ
る。

【００９８】請求項９の発明では、空圧機器の内壁のよ
り確実に腐食の防止を図ることができる。

【００９９】請求項１０の発明では、大気を利用して簡
便に空圧機器内のハロゲン間化合物ガスの残留濃度の低
減を図ることができる。

【０１００】請求項１１，１２又は１３の発明では、上
記各請求項の空圧機器の大気開放方法を実施し得る半導
体製造装置の提供を図ることができる。

【０１０１】請求項１４の発明では、半導体製造装置に
おけるチャンバ内のハロゲン間化合物ガスの濃度低減作
業の自動化を図ることができる。

【０１０２】請求項１５又は１６の発明では、上記各請
求項の空圧機器の大気開放方法を実施し得るガス供給装
置の提供を図ることができる。

【０１０３】請求項１５又は１６の発明では、上記請求
項６又は７の空圧機器の大気開放方法を実施し得る排ガ
ス処理装置の提供を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体製造装置の実施例であるＣＶＤ装置の概
略的な構成を示すブロック図である。

【図２】第１実施例に係るウエハ処理室をメンテナンス
する際のウエハ処理室を大気開放する手順を示すフロー
図である。

【図３】第２実施例に係るガス供給装置の構成を概略的
に示す断面図である。

【図４】第２実施例に係るガス供給装置のＣｌＦ3 供給
用ボンベの交換時におけるプロセスガス配管の大気開放
手順を示すフロー図である。

【図５】第３実施例に係る排ガス処理装置の構成を概略
的に示す断面図である。

【図６】第３実施例における処理筒の交換時における処
理室排気配管の大気開放手順を示すフロー図である。

【図７】第４実施例に係る一般的量産半導体製造装置の
命令信号系統図を示すブロック図である。

【図８】第４実施例に係るサービスシーケンスの画面の
一例を示す図である。

【図９】実験により求められた雰囲気の置換回数と残留
するＣｌＦ3 ガスの濃度との関係を示す図である。

【符号の説明】

１ ウエハ処理室 １ａ チャンバ本体 １ｂ チャンバ蓋 ５ ガス供給装置 ７ ガス制御部 ８ プロセスガス導入口 ９ 該ガス処理装置 １０ 排気バルブ １１ ロータリーポンプ １２ 処理室排気配管 １３ 処理室排気口 １４ 大気導入口 １６ 大気リークバルブ １９ａ 大気供給用配管 １９ｂ 窒素ガス供給用配管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 密封状態でハロゲン間化合物ガスが流通
   するチャンバ，配管，バルブ，ポンプ等の空圧機器の内
   部を大気に開放する方法であって、 上記空圧機器内に不活性ガスを導入するステップと、 上記不活性ガスを空圧機器から排出するステップと、 上記不活性ガスが排出された空圧機器内に１％を越える
   湿度を有する気体を導入して上記ハロゲン間化合物ガス
   を分解するステップと、 上記ハロゲン間化合物が分解されて生じた物質を排出す
   るステップと、 上記物質が排出された上記空圧機器内を大気に開放する
   ステップとを備えたこと特徴とする空圧機器の大気開放
   方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の空圧機器の大気開放方法
   において、 上記ハロゲン間化合物ガスは、ＣｌＦ3 ガス，ＢｒＦ3
   ガス，ＢｒＦ5 ガス，ＢｒＣｌガス及びＩＦ3 ガスのう
   ち少なくとも１つであることを特徴とする空圧機器の大
   気開放方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の空圧機器の大気開
   放方法において、 上記不活性ガスを導入するステップと不活性ガスを排出
   するステップとは、交互に複数回繰り返されることを特
   徴とする空圧機器の大気開放方法。
4. 【請求項４】 請求項１又は２記載の空圧機器の大気開
   放方法において、 上記不活性ガスを導入するステップと不活性ガスを排出
   するステップとは、同時に行なわれることを特徴とする
   空圧機器の大気開放方法。
5. 【請求項５】 請求項１又は２記載の空圧機器の大気開
   放方法において、 上記１％を越える湿度を有する気体を導入するステップ
   と該気体を排出するステップとは、交互に複数回繰り返
   されることを特徴とする空圧機器の大気開放方法。
6. 【請求項６】 請求項１又は２記載の空圧機器の大気開
   放方法において、 上記不活性ガスを導入するステップでは、不活性ガスの
   圧力を高くして空圧機器内の不活性ガスを押し出すこと
   により、上記不活性ガスを排出するステップを同時に行
   ない、 上記１％を越える湿度を有する気体を導入するステップ
   では、上記気体の圧力を高くして空圧機器内の上記不活
   性ガス及び気体を押し出すことにより、上記不活性ガス
   を排出するステップ及び気体を排出するステップと同時
   に行なうことを特徴とする空圧機器の大気開放方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の空圧機器の大気開放方法
   において、 上記不活性ガスの導入と排出とを同時に行なうステップ
   と、上記１％を越える湿度を有する気体の導入と排出と
   を同時に行なうステップとは、交互に複数回繰り返され
   ることを特徴とする空圧機器の大気開放方法。
8. 【請求項８】 請求項１，２，３，４又は５記載の空圧
   機器の大気開放方法において、 上記不活性ガスを導入するステップの前に、上記空圧機
   器内を減圧状態にするよう吸引して、空圧機器内からハ
   ロゲン間化合物ガスを排出するステップをさらに備えた
   ことを特徴とする空圧機器の大気開放方法。
9. 【請求項９】 請求項１，２，３，４，５，６，７又は
   ８記載の空圧機器の大気開放方法において、 上記１％を越える湿度を有する気体を導入するステップ
   は、空圧機器内のハロゲン間化合物ガスの濃度が１００
   ｐｐｍ以下の状態で開始されることを特徴とする空圧機
   器の大気開放方法。
10. 【請求項１０】 請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８又は９記載の空圧機器の大気開放方法において、 上記１％を越える湿度を有する気体は、大気であること
    を特徴とする空圧機器の大気開放方法。
11. 【請求項１１】 ハロゲン間化合物供給源から供給され
    るハロゲン間化合物ガスをウエハ処理室に導入して半導
    体ウエハのエッチング，ＣＶＤ等の処理やウエハ処理室
    のクリーニング等の処理を行なうように構成された半導
    体製造装置において、 上記ウエハ処理室を構成するチャンバと、 上記ハロゲン間化合物ガスをチャンバ内に導入するため
    の手段と、 上記１％を越える湿度を有する気体を上記チャンバ内に
    導入するための手段と、 上記不活性ガスをチャンバ内に導入するための手段と、 上記チャンバ内のガスをその外部に排出するための手段
    とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体製造装置にお
    いて、 上記ハロゲン間化合物ガスをチャンバ内に導入する手段
    は、ＣｌＦ3 ガス，ＢｒＦ3 ガス，ＢｒＦ5 ガス，Ｂｒ
    Ｃｌガス及びＩＦ3 ガスのうち少なくとも１つを導入す
    るものであることを特徴とする半導体製造装置。
13. 【請求項１３】 請求項１１又は１２記載の半導体製造
    装置において、 上記１％を越える湿度を有する気体を導入する手段は、
    大気を導入するものであることを特徴とする半導体製造
    装置。
14. 【請求項１４】 請求項１１記載の半導体製造装置にお
    いて、 上記チャンバに、不活性ガス及び１％を越える湿度を有
    する気体を自動的に導入・排出するように、上記各手段
    を制御する手段をさらに備えたことを特徴とする半導体
    製造装置。
15. 【請求項１５】 ハロゲン間化合物ガスの供給源からハ
    ロゲン間化合物ガスを空圧機器に供給するためのガス供
    給装置であって、 上記ハロゲン間化合物ガスの供給源と上記空圧機器との
    間を接続するガス供給用配管と、 上記ガス供給用配管内に１％を越える湿度を有する気体
    を導入するための手段と、 上記ガス供給用配管内に不活性ガスを導入するための手
    段とを備えたことを特徴とするガス供給装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載のガス供給装置におい
    て、 上記１％を越える湿度を有する気体を導入する手段は、
    大気を導入するものであることを特徴とするガス供給装
    置。
17. 【請求項１７】 ハロゲン間化合物ガスが導入された空
    圧機器から排出されるハロゲン間化合物ガスを処理する
    ための排ガス処理装置であって、 上記空圧機器に接続されるガス排出用配管と、 上記ガス排出用配管に不活性ガスを導入するための手段
    と、 上記ガス排出用配管に１％を越える湿度を有する気体を
    導入するための手段とを備えたことを特徴とする排ガス
    処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載の排ガス処理装置にお
    いて、 上記１％を越える湿度を有する気体を導入する手段は、
    大気を導入するものであることを特徴とするガス供給装
    置。