JPH07265673A - 金属被覆セラミックスと金属との接合体およびそれを用いた水素ガス分離装置 - Google Patents
金属被覆セラミックスと金属との接合体およびそれを用いた水素ガス分離装置Info
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- JPH07265673A JPH07265673A JP5718194A JP5718194A JPH07265673A JP H07265673 A JPH07265673 A JP H07265673A JP 5718194 A JP5718194 A JP 5718194A JP 5718194 A JP5718194 A JP 5718194A JP H07265673 A JPH07265673 A JP H07265673A
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Abstract
る金属から成るガス分離膜2が被覆された金属被覆セラ
ミックスと金属部材4との接合体であって、当該金属被
覆セラミックスの当該金属部材4との接合に関与する表
面にさらに金属層3が設けられ、当該金属層3と当該金
属部材4とがろう付け接合されていることを特徴とする
金属被覆セラミックスと金属との接合体。 【効果】 本発明の金属被覆セラミックスと金属との接
合体、およびそれを用いた水素ガス分離装置は、水素ガ
スを分離する高温、高圧下において、接合部での気密性
に優れる。
Description
と金属との接合体およびそのような接合体を用いた水素
ガス分離装置に関する。
して大量に使用され、またクリーンなエネルギー源とし
て大きな期待が寄せられている。純度の高い水素ガス
は、天然ガス、ナフサ等を原料として触媒により水素を
含有するガスに変換し、その水素含有ガスから更に水素
ガスを分離して得られる。
ムを含有する合金に溶解する性質を利用して分離でき
る。水素ガスのみがこれらの金属に溶解するため、水素
ガスを選択的に分離できるのである。パラジウムは通
常、膜状にしてセラミックスなどの多孔質基体に被覆し
て使用する。ガス分離膜を使用してガスを効率良く分離
するには、ガス分離膜中でガスが拡散する速度を速くす
るため、5〜10気圧で300℃以上、好ましくは50
0℃以上という高温、高圧で分離することが有利であ
る。そこで問題となるのがガス分離体と支持体との結合
部の気密性、および耐久性である。すなわち、高温、高
圧の条件下においても水素ガス分離膜の支持部が耐久性
を有し、かつ、当該支持部から被処理ガス、分離された
水素ガスなどが漏洩しないことが必要となるのである。
‐リングを用いてガス分離体を支持体に接合する装置が
ある。しかし200℃以上では、ガス分離体と支持体と
の接合部を気密にすることは容易ではなく、500℃以
上で使用できるような接合部は未だ開発されていない。
例えば、ガス分離膜を形成する前に、セラミックスから
成る基体と支持体とをガラスで接合し、その後にガス分
離体の表面及び接合部の表面に化学メッキを行って、ガ
ス分離膜を形成すると、ガラスとガス分離膜とが十分に
密着せず、ガラス接合部でガス分離膜が剥離し、被処理
ガスが精製ガス側に漏洩することがある。
ガス分離膜を形成しガス分離体を調製した後に、ガス分
離体と支持体とを、適度な熱膨張係数及びガス分離膜と
の接触角を有するガラスにて接合した場合には、熱サイ
クルを繰り返した後の気密性及び強度に問題がある。
を、Agろう等でろう付けする場合には、パラジウム合
金層がろう材に溶解し、基体として用いる多孔質セラミ
ックス管が露出してしまうという問題がある。
被処理ガスが200℃以上で分離されるときでもガス分
離体と支持体の結合部が気密であり、被処理ガスが精製
ガス側に漏洩し難いような金属被覆セラミックスと金属
との接合体、およびそれを用いた水素ガス分離装置を提
供することを目的とする。
ば、多孔質セラミックス上にガス分離能を有する金属が
被覆された金属被覆セラミックスと金属部材との接合体
であって、当該金属被覆セラミックスの当該金属部材と
の接合に関与する表面にさらに金属層が設けられ、当該
金属層と当該金属部材とがろう付け接合されていること
を特徴とする金属被覆セラミックスと金属との接合体が
提供される。なお、本発明においてガス分離能を有する
金属は、パラジウムまたはパラジウムを含有する合金で
あることが好ましく、またその膜厚は50μm以下さら
に好ましくは20μm以下であることが望ましい。ま
た、金属被覆セラミックスの表面に設けられる金属層
は、ニッケル等のろう材よりも融点が高い化合物により
形成されており、金属被覆セラミックスの表面に設けら
れる金属層の厚さは1μm以上であることが好ましい。
いて、筒状の水素ガス分離体が、その上端においては、
金属製支持体に、当該水素ガス分離体の外径よりわずか
に大きい直径を有する貫通孔を介して、その内部が当該
金属製支持体で画定される高圧容器の上部空間と連通す
るように固定され、下端においては、金属製支持体に、
貫通していない孔により、その端部が封孔して固定され
て構成される水素ガス分離装置であって、当該水素ガス
分離体が多孔質セラミックスから構成される基体と、当
該基体に被覆する、水素ガスを選択的に透過させる金属
より成るガス分離膜とから構成されており、当該ガス分
離膜の当該金属部材との接合に関与する表面にさらに金
属層が設けられ、当該金属層と当該金属部材とがろう付
け接合されていることを特徴とする水素ガス分離装置が
提供される。
ラミックス管を金属製の支持体に貫通し、接着固定し支
持する構造に関し、種々の角度から検討した。
覆した多孔質セラミックス管を金属部材と直接にろう付
けするのでは無く、セラミックス表面のガス分離膜上に
さらに金属層を設け、その金属層と金属部材をろう付け
することにより、前記した不具合を解消することができ
ることを見い出したのである。
する。図1は本発明の接合体の一例の断面図である。図
中1は多孔質セラミックス管であり、その表面にガス分
離膜2が被覆されている。さらにガス分離膜の表面の一
部に金属層3が設けられ、金属部材4が金属層3とろう
5を介して接合している。
あるいはパラジウム合金を用いるが、ガス分離膜2上に
金属層3を設けることにより、パラジウムあるいはパラ
ジウム合金層がろう材に溶解し多孔質セラミックス管1
が露出するのを防ぐのである。ガス分離膜2上に設けら
れる金属層3には、ニッケル等の、ろう材より融点が高
い金属が用いられる。金属層3を設ける方法としては、
従来公知の方法が使用でき、例えば、化学メッキ法、真
空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。
また、金属層の厚さは1μm以上であることが好ましい
が、より好ましくは3μm〜100μmであり、さらに
好ましくは5μm〜50μmである。ろう材としては例
えばAgろうが用いられる。
ル、コバール等の金属が用いられる。また、前記したよ
うに、ガス分離膜2としてはパラジウムあるいはパラジ
ウムを含有する合金が好適に用いられるが、被覆処理の
方法としては、ガス分離膜上に設けられる金属層同様、
化学メッキ法、真空蒸着法、スパッタリング法等を用い
ることができる。ガス分離膜の膜厚は50μm以下であ
ることが好ましいが、20μm以下であることがさらに
好ましい。膜厚が大きすぎると、水素ガス分離の際、水
素ガスがガス分離膜中を拡散する時間が長くなるため、
処理時間が長時間となり好ましくない。
シリカ―アルミナ、ムライト、コージェライト、ジルコ
ニア等の材質から成るもので、例えば、セラミック質の
粉末材料を混練してパイプ状に押出成形後、焼成して製
造される。なお、本発明の接合体を水素ガス分離装置に
用いる場合には、同一の金属支持体に複数の金属被覆セ
ラミックス管を接合することにより、多管式の水素ガス
分離装置としてもよい。
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。まず、次のようにして金属被覆セラミック
ス管を調製した。多孔質セラミックス管としては、外径
10mm、内径7mm、長さ300mmの円筒形状を有
し、微細孔径が0.1μmの多孔質α―アルミナ管を用
いた。この多孔質セラミックス管を活性化処理するため
に、外表面をSnCl2・2H2Oを0.1重量%含有す
る0.1%塩酸水溶液に1分間浸漬させ、次に、PdC
l2を0.01重量%含有する0.1%塩酸水溶液に1
分間浸漬させた。この浸漬処理を各塩酸水溶液で交互に
10回ずつ行った。
オン水1l中に、[Pd(NH3)4 ]Cl2・H2O
(5.4g)、2Na・EDTA(67.2g)、28
%のアンモニア水(651.3ml)、H2NNH2・H
2O(0.46ml)を加えた水溶液を準備し、上記活
性化処理を行った多孔質アルミナ管の外表面を、50℃
に温度制御したこの水溶液に浸漬した。浸漬時間を変化
させることにより、被覆する金属の膜厚、多孔質セラミ
ックス管内部への浸入深さを調節した。次に、銀を化学
メッキした。脱イオン水1l中に、[Pd(NH3)
4 ]Cl2・H2O(0.54g)、AgNO3(4.8
6g)、2Na・EDTA(33.6g)、28%のア
ンモニア水(651.3ml)、H2NNH2・H2O
(0.46ml)を加えた水溶液を準備し、上記活性化
処理を行った多孔質アルミナ管の外表面を、50℃に温
度制御したこの水溶液に浸漬した。浸漬時間を変化させ
ることにより、パラジウムと銀との重量比が80:20
となるように調節した。最後に、アルゴン雰囲気下で9
00℃で12時間保持することにより熱処理を行い、パ
ラジウムと銀とを相互拡散させて合金化し、ガス分離体
を得た。
合した。図2はガス分離体とコバール製支持体との接合
体の断面図である。まず、ガス分離体6の側面上の、コ
バール製支持体7、8との接合部に25mm幅でニッケ
ルをメッキし、ニッケル層9を設けた。次にガス分離体
6の一端を、コバール製の支持体7に、水素ガス分離体
6の外径よりわずかに大きい直径を有する貫通孔7aを
介して取り付け、また、ガス分離体6の他端を、コバー
ル製支持体8に、貫通していない孔8aを介して取り付
けた。ガス分離体6とコバール製の支持体7、8との隙
間10にろう材Ag−28Cu(BAg−8)を充填
し、真空中において820℃でろう付けを行った。
7、8との接合体を用い、水素ガス分離装置を作成し
た。図3にその一実施例の断面図を示す。高圧容器11
内に、複数本の筒状の水素ガス分離体6が収納されてい
る。各水素ガス分離体6は、コバール製の支持体7に、
水素ガス分離体6の内部がコバール製支持体7の上部空
間と連通するように支持されており、また、コバール製
支持体8に、貫通していない孔8aにより、その端部が
封孔して支持されている。
4を夾んで固定し、コバール製支持体7が支持プレート
14により固定され、水素ガス分離体6およびコバール
製支持体8が吊り下げられている。図3において第1パ
イプ15から、被精製ガスが高圧容器11内に供給され
る。筒状の水素ガス分離体6を透過して、筒内部に精製
された水素ガスが移動し、この精製水素ガスは、第3パ
イプ16に導かれる。一方、精製されなかったガスは、
第2パイプ17から流出する。
るニッケル層の厚さを変えて、上記のように構成した水
素ガス分離装置を用いて気密試験を行った。まず、気密
試験として、非処理ガス側にアルゴンガスで8Kg/c
m2導入し、透過ガス側に漏れるアルゴンガスの流量を
測定した。結果を表1に示す。
素ガス分離体を、ニッケル層を設けずにコバール製支持
体に直接ろう付け接合し、図3に示す水素ガス分離装置
を作成した後、実施例1〜5と同様に気密試験を行っ
た。結果を表1に示す。上記の試験の結果、ニッケル層
の厚さは1μm以上であることが好ましいことがわかっ
た。
との接合体、およびそれを用いた水素ガス分離装置は、
水素ガスを分離する高温、高圧下において、接合部での
気密性に優れる。
発明の接合体の断面図である。
の断面図である。
・水素分離膜、3・・・金属層、4・・・金属部材、5・・・ろ
う、6・・・ガス分離体、7・・・支持プレート、8・・・コバ
ール製支持体、9・・・ニッケル層、10・・・隙間、11・・
・高圧容器、12・・・フランジ、13・・・フランジ、14・
・・支持プレート、15・・・第1パイプ、16・・・第3パイ
プ、17・・・第2パイプ
Claims (5)
- 【請求項1】 多孔質セラミックス上にガス分離能を有
する金属が被覆された金属被覆セラミックスと金属部材
との接合体であって、当該金属被覆セラミックスの当該
金属部材との接合に関与する表面にさらに金属層が設け
られ、当該金属層と当該金属部材とがろう付け接合され
ていることを特徴とする金属被覆セラミックスと金属と
の接合体。 - 【請求項2】 ガス分離能を有する金属がパラジウムま
たはパラジウムを含有する合金である請求項1記載の接
合体。 - 【請求項3】 金属被覆セラミックスの表面に設けられ
る金属層がろう材より融点が高い金属より成る請求項1
記載の接合体。 - 【請求項4】 金属被覆セラミックスの表面に設けられ
る金属層の厚さが1μm以上である請求項1記載の接合
体。 - 【請求項5】 高圧容器内において、筒状の水素ガス分
離体が、その上端においては、金属製支持体に、当該水
素ガス分離体の外径よりわずかに大きい直径を有する貫
通孔を介して、その内部が当該金属製支持体で画定され
る高圧容器の上部空間と連通するように固定され、下端
においては、金属製支持体に、貫通していない孔によ
り、その端部が封孔して固定されて構成される水素ガス
分離装置であって、当該水素ガス分離体が多孔質セラミ
ックスから構成される基体と、当該基体に被覆する、水
素ガスを選択的に透過させる金属より成るガス分離膜と
から構成されており、当該ガス分離膜の当該金属部材と
の接合に関与する表面にさらに金属層が設けられ、当該
金属層と当該金属部材とがろう付け接合されていること
を特徴とする水素ガス分離装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05718194A JP3305484B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 金属被覆セラミックスと金属との接合体およびそれを用いた水素ガス分離装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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JPH07265673A true JPH07265673A (ja) | 1995-10-17 |
JP3305484B2 JP3305484B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=13048349
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP05718194A Expired - Lifetime JP3305484B2 (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 金属被覆セラミックスと金属との接合体およびそれを用いた水素ガス分離装置 |
Country Status (1)
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- 1994-03-28 JP JP05718194A patent/JP3305484B2/ja not_active Expired - Lifetime
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