JPH07263622A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH07263622A JPH07263622A JP6055961A JP5596194A JPH07263622A JP H07263622 A JPH07263622 A JP H07263622A JP 6055961 A JP6055961 A JP 6055961A JP 5596194 A JP5596194 A JP 5596194A JP H07263622 A JPH07263622 A JP H07263622A
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- semiconductor element
- power semiconductor
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- power
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 制御回路が着脱自在で、容易に交換可能な半
導体モジュールを提供する。 【構成】 電力用半導体素子２０と、前記電力用半導体
素子２０を搭載するとともに外部接続用の端子２９ｂを
導出した支持体２４と、前記電力用半導体素子２０を制
御する制御部２３を搭載した制御ブロック２６とを具備
し、前記制御ブロック２６が前記支持体２４に対して着
脱自在に装着せしめられている。
導体モジュールを提供する。 【構成】 電力用半導体素子２０と、前記電力用半導体
素子２０を搭載するとともに外部接続用の端子２９ｂを
導出した支持体２４と、前記電力用半導体素子２０を制
御する制御部２３を搭載した制御ブロック２６とを具備
し、前記制御ブロック２６が前記支持体２４に対して着
脱自在に装着せしめられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特
にケース端子一体型の半導体モジュールに関する。
にケース端子一体型の半導体モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、パワートランジスタなどの電力
用半導体素子は、大量の熱を発生するとともに高電力を
供給して用いられるため、その実装には放熱性と信頼性
が必要とされる。また、少量多品種化の傾向から、同じ
電力用半導体素子でも複数種の制御回路に用いられるこ
とが多い。
用半導体素子は、大量の熱を発生するとともに高電力を
供給して用いられるため、その実装には放熱性と信頼性
が必要とされる。また、少量多品種化の傾向から、同じ
電力用半導体素子でも複数種の制御回路に用いられるこ
とが多い。
【０００３】従来の電力用素子は図５に一例を示すよう
に、ケース端子一体型の半導体モジュールとして実装さ
れる。例えば、ヒートシンクの役目を果たすＣｕベース
１１と、両面にＣｕパターン（図示せず）の形成された
アルミナセラミック板などの第１の実装基板１２と、駆
動回路を含む制御回路の搭載された第２の実装基板１３
とが、ケース１５に装着され、これら第１および第２の
実装基板間が信号端子１４で接続されるとともに、外部
接続用の信号端子１９が外部に導出せしめられて構成さ
れている。なお第１および第２の実装基板１２，１３の
間はポッティング樹脂１６が充填され、またこのポッテ
ィング樹脂１６の上層はキャスティング樹脂１７で封止
されている。
に、ケース端子一体型の半導体モジュールとして実装さ
れる。例えば、ヒートシンクの役目を果たすＣｕベース
１１と、両面にＣｕパターン（図示せず）の形成された
アルミナセラミック板などの第１の実装基板１２と、駆
動回路を含む制御回路の搭載された第２の実装基板１３
とが、ケース１５に装着され、これら第１および第２の
実装基板間が信号端子１４で接続されるとともに、外部
接続用の信号端子１９が外部に導出せしめられて構成さ
れている。なお第１および第２の実装基板１２，１３の
間はポッティング樹脂１６が充填され、またこのポッテ
ィング樹脂１６の上層はキャスティング樹脂１７で封止
されている。
【０００４】この半導体モジュールの製造に際しては、
次のような方法がとられる。まず、第１の実装基板１２
上に半導体素子チップをマウントし、これをＣｕベース
１１上に半田付けしたのち、このＣｕベース１１をケー
ス１５に接着し、さらに半導体素子と電力端子および信
号端子１４をボンディングワイヤ１８を介して接続す
る。
次のような方法がとられる。まず、第１の実装基板１２
上に半導体素子チップをマウントし、これをＣｕベース
１１上に半田付けしたのち、このＣｕベース１１をケー
ス１５に接着し、さらに半導体素子と電力端子および信
号端子１４をボンディングワイヤ１８を介して接続す
る。
【０００５】さらにこの信号端子１４を第２の実装基板
１３の接続孔（図示せず）にはめこみ半田付けし、ポッ
ティング樹脂１６を滴下したのち、キャスティング樹脂
１７を注入して、硬化せしめこの半導体モジュールが完
成する。なおここで外部接続用の信号端子１９の接続
は、第２の実装基板１３に直接半田付けを行うことによ
り達成される。
１３の接続孔（図示せず）にはめこみ半田付けし、ポッ
ティング樹脂１６を滴下したのち、キャスティング樹脂
１７を注入して、硬化せしめこの半導体モジュールが完
成する。なおここで外部接続用の信号端子１９の接続
は、第２の実装基板１３に直接半田付けを行うことによ
り達成される。
【０００６】
【発明を解決しようとする課題】このように従来の半導
体装置では、ケースの内部に半導体素子のみならず制御
回路が組み込まれた第２の実装基板があり、この第２の
実装基板を絶縁膜であるポッティング樹脂で埋めたの
ち、キャスティング樹脂で封止しており、制御回路の組
込まれた第２の実装基板はケースの内部で樹脂に埋め込
まれているため、装置完成後、制御回路を交換すること
はできないという問題があった。
体装置では、ケースの内部に半導体素子のみならず制御
回路が組み込まれた第２の実装基板があり、この第２の
実装基板を絶縁膜であるポッティング樹脂で埋めたの
ち、キャスティング樹脂で封止しており、制御回路の組
込まれた第２の実装基板はケースの内部で樹脂に埋め込
まれているため、装置完成後、制御回路を交換すること
はできないという問題があった。
【０００７】また、さらにポッティング樹脂の上に蓋若
しくはキャスティング樹脂がくるため、高さが高くなり
外形が大きくなるという問題があった。
しくはキャスティング樹脂がくるため、高さが高くなり
外形が大きくなるという問題があった。
【０００８】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、制御回路が着脱自在で、容易に交換可能な半導体装
置を提供することを目的とする。
で、制御回路が着脱自在で、容易に交換可能な半導体装
置を提供することを目的とする。
【０００９】本発明の他の目的は、小形化が可能で、制
御回路の着脱および交換が、さらに容易な半導体装置を
提供することにある。
御回路の着脱および交換が、さらに容易な半導体装置を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特徴は、
半導体装置において、電力用半導体素子と、前記電力用
半導体素子を搭載するとともに外部接続用の端子を導出
した支持体と、前記電力用半導体素子を制御する制御部
を搭載した制御ブロックとを具備し、前記制御ブロック
が前記支持体に対して着脱自在に装着せしめられている
ことにある。
半導体装置において、電力用半導体素子と、前記電力用
半導体素子を搭載するとともに外部接続用の端子を導出
した支持体と、前記電力用半導体素子を制御する制御部
を搭載した制御ブロックとを具備し、前記制御ブロック
が前記支持体に対して着脱自在に装着せしめられている
ことにある。
【００１１】また本発明の第２の特徴は、半導体装置に
おいて、電力用半導体素子と、前記電力用半導体素子を
搭載するとともに外部接続用の端子を導出した支持容器
と、前記電力用半導体素子を制御する制御部を搭載した
制御ブロックとを具備し、前記制御ブロックが前記支持
容器に係合し、電気的および機械的に着脱自在に装着せ
しめられる蓋体を構成していることにある。
おいて、電力用半導体素子と、前記電力用半導体素子を
搭載するとともに外部接続用の端子を導出した支持容器
と、前記電力用半導体素子を制御する制御部を搭載した
制御ブロックとを具備し、前記制御ブロックが前記支持
容器に係合し、電気的および機械的に着脱自在に装着せ
しめられる蓋体を構成していることにある。
【００１２】
【作用】本発明によれば、制御回路の組み込まれた制御
ブロックが着脱自在に装着されているため、容易に制御
回路を変更することができ、少量多品種生産に有効であ
る。またポッティング樹脂層が不要となるため、装置の
小形化をはかることができる。
ブロックが着脱自在に装着されているため、容易に制御
回路を変更することができ、少量多品種生産に有効であ
る。またポッティング樹脂層が不要となるため、装置の
小形化をはかることができる。
【００１３】また、制御ブロックが、支持容器に係合し
着脱自在に装着せしめられる蓋体をなすように構成する
ことにより、蓋体を交換するのみで制御回路の変更が可
能であり、また装置全体としての薄形化をはかることが
できる。
着脱自在に装着せしめられる蓋体をなすように構成する
ことにより、蓋体を交換するのみで制御回路の変更が可
能であり、また装置全体としての薄形化をはかることが
できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１５】実施例１ 図１は本発明を実施した半導体モジュールの一部断面を
示す図である。
示す図である。
【００１６】この半導体モジュールは、電力用半導体素
子２０が第１の実装基板２２を介してＣｕベース２１に
搭載せしめられ、このＣｕベース２１が外部接続用の信
号端子２９ｂを導出したケース２４に一体化せしめら
れ、さらにこのケース２４に、制御回路の組み込まれた
第２の実装基板２３を備えた樹脂製の蓋体２６が、ソケ
ット２８ａ，２８ｂを介して着脱自在に装着せしめられ
たことを特徴とする。
子２０が第１の実装基板２２を介してＣｕベース２１に
搭載せしめられ、このＣｕベース２１が外部接続用の信
号端子２９ｂを導出したケース２４に一体化せしめら
れ、さらにこのケース２４に、制御回路の組み込まれた
第２の実装基板２３を備えた樹脂製の蓋体２６が、ソケ
ット２８ａ，２８ｂを介して着脱自在に装着せしめられ
たことを特徴とする。
【００１７】すなわち、ヒートシンクの役目を果たすＣ
ｕベース２１上に、両面にＣｕパターン（図示せず）の
形成されたアルミナセラミック板などの絶縁性基板から
なる第１の実装基板２２が固着され、この第１の実装基
板２２に半導体素子２０が実装される。そしてこの半導
体素子２０は、ケース２４内に埋め込まれた信号端子２
９ａにボンディングワイヤ２７を介して接続されてい
る。また、このケース２４には一端を外部に導出された
外部接続用の信号端子２９ｂと第１の実装基板２２の近
傍に導出された信号端子２９ａとが埋め込まれ、いずれ
も他端がソケット２８ａ内に導出されている。一方制御
回路が形成された第２の実装基板２３もソケット２８ｂ
を介して外部に導出され、ソケット２８ａを介して半導
体素子２０に接続された信号端子２９ａおよび外部接続
用の信号端子２９ｂに接続され、半導体素子と制御回路
との接続および外部回路との接続が達成される。また、
Ｃｕベース２１上に実装された半導体素子２０はケース
２４内に充填されるポッティング樹脂２５によって封止
されている。なお、この第２の実装基板２３を備えた蓋
体２６とケース２４との電気的および機械的接続は図１
(b) および(c) にソケット２８ａおよび２８ｂの要部拡
大図を示すように、ソケット２８ａのピンｐをソケット
２８ｂの孔ｈに嵌挿することにより、達成される。
ｕベース２１上に、両面にＣｕパターン（図示せず）の
形成されたアルミナセラミック板などの絶縁性基板から
なる第１の実装基板２２が固着され、この第１の実装基
板２２に半導体素子２０が実装される。そしてこの半導
体素子２０は、ケース２４内に埋め込まれた信号端子２
９ａにボンディングワイヤ２７を介して接続されてい
る。また、このケース２４には一端を外部に導出された
外部接続用の信号端子２９ｂと第１の実装基板２２の近
傍に導出された信号端子２９ａとが埋め込まれ、いずれ
も他端がソケット２８ａ内に導出されている。一方制御
回路が形成された第２の実装基板２３もソケット２８ｂ
を介して外部に導出され、ソケット２８ａを介して半導
体素子２０に接続された信号端子２９ａおよび外部接続
用の信号端子２９ｂに接続され、半導体素子と制御回路
との接続および外部回路との接続が達成される。また、
Ｃｕベース２１上に実装された半導体素子２０はケース
２４内に充填されるポッティング樹脂２５によって封止
されている。なお、この第２の実装基板２３を備えた蓋
体２６とケース２４との電気的および機械的接続は図１
(b) および(c) にソケット２８ａおよび２８ｂの要部拡
大図を示すように、ソケット２８ａのピンｐをソケット
２８ｂの孔ｈに嵌挿することにより、達成される。
【００１８】かかる構造によれば、制御回路の組み込ま
れた第２の実装基板を樹脂封止し、これをソケット２８
ａ付きの蓋体２６にすることによって、本体であるケー
ス２４との接続が極めて容易となり、また、組み立てに
要する時間も極めて短縮される。さらにまた制御回路を
交換する場合にはこの蓋を取り替えるのみでよいため、
極めて作業性が良い。さらに、制御回路は樹脂封止され
ているため、半導体素子との短絡のおそれはなく、ポッ
ティング樹脂の厚みも小さくてすみ、装置の薄型化およ
び小型化をはかることができる。
れた第２の実装基板を樹脂封止し、これをソケット２８
ａ付きの蓋体２６にすることによって、本体であるケー
ス２４との接続が極めて容易となり、また、組み立てに
要する時間も極めて短縮される。さらにまた制御回路を
交換する場合にはこの蓋を取り替えるのみでよいため、
極めて作業性が良い。さらに、制御回路は樹脂封止され
ているため、半導体素子との短絡のおそれはなく、ポッ
ティング樹脂の厚みも小さくてすみ、装置の薄型化およ
び小型化をはかることができる。
【００１９】実施例２ 次に本発明の第２の実施例について説明する。
【００２０】この半導体モジュールは、図２(a) 乃至
(c) に示すように電力素子部ａと制御回路部ｂとがコネ
クタ３４ａ，３４ｂを介して着脱自在に接続されている
ことを特徴とする。図２(a) は電力素子部ａ，図２(b)
は制御回路部ｂ，図２(c) はこれらを接続して形成した
半導体モジュールを示す図である。
(c) に示すように電力素子部ａと制御回路部ｂとがコネ
クタ３４ａ，３４ｂを介して着脱自在に接続されている
ことを特徴とする。図２(a) は電力素子部ａ，図２(b)
は制御回路部ｂ，図２(c) はこれらを接続して形成した
半導体モジュールを示す図である。
【００２１】すなわち電力素子部ａは、ヒートシンクの
役目を果たすＣｕベース３１上に、制御回路部ｂ取り付
け用に形成した凹部にコネクタ３４ａを形成してなるア
ルミナセラミック板などの第１の実装基板３２を固着
し、かつ、この第１の実装基板３２に両面にＣｕパター
ン（図示せず）を形成しこれに接続するように半導体素
子３３を実装してなるものである。
役目を果たすＣｕベース３１上に、制御回路部ｂ取り付
け用に形成した凹部にコネクタ３４ａを形成してなるア
ルミナセラミック板などの第１の実装基板３２を固着
し、かつ、この第１の実装基板３２に両面にＣｕパター
ン（図示せず）を形成しこれに接続するように半導体素
子３３を実装してなるものである。
【００２２】また制御回路部ｂは、制御回路（図示せ
ず）を封止してなる樹脂ブロック３５から構成されてお
り、裏面に形成されたコネクタ３４ｂを介して電力素子
部ａに固着接続される。ここで３６は外部接続用端子で
ある。
ず）を封止してなる樹脂ブロック３５から構成されてお
り、裏面に形成されたコネクタ３４ｂを介して電力素子
部ａに固着接続される。ここで３６は外部接続用端子で
ある。
【００２３】かかる構成によれば、制御回路を交換する
場合には樹脂ブロックを取り替えるのみでよいため、極
めて作業性が良い。さらに、制御回路は樹脂封止されて
いるため、半導体素子との短絡のおそれはなく、また電
力素子部ａと制御回路部ｂとが完全に分離されているた
め両者の電磁気カップリングが低減され誤動作の発生を
防止することができる。また電力素子部ａと制御回路部
ｂが熱的に分離されているため、制御回路部ｂが電力素
子部ａで発生した熱の影響を受けないようにすることが
でき、信頼性が向上する。
場合には樹脂ブロックを取り替えるのみでよいため、極
めて作業性が良い。さらに、制御回路は樹脂封止されて
いるため、半導体素子との短絡のおそれはなく、また電
力素子部ａと制御回路部ｂとが完全に分離されているた
め両者の電磁気カップリングが低減され誤動作の発生を
防止することができる。また電力素子部ａと制御回路部
ｂが熱的に分離されているため、制御回路部ｂが電力素
子部ａで発生した熱の影響を受けないようにすることが
でき、信頼性が向上する。
【００２４】なお、前記第２の実施例の構造では制御回
路を不要とする場合には、コネクタに直接信号入力端子
を接続するようにしてもよい。さらにまた、電力素子部
ａと制御回路部ｂとの熱的分離を良好にするために、コ
ネクタ接続時に電気的接続部以外の領域に絶縁性部材を
介在させて接続するようにしてもよい。また制御回路部
ｂを熱伝導性の悪い材料で構成し、電力素子部からの熱
的影響をうけないようにすると、なお信頼性が向上す
る。
路を不要とする場合には、コネクタに直接信号入力端子
を接続するようにしてもよい。さらにまた、電力素子部
ａと制御回路部ｂとの熱的分離を良好にするために、コ
ネクタ接続時に電気的接続部以外の領域に絶縁性部材を
介在させて接続するようにしてもよい。また制御回路部
ｂを熱伝導性の悪い材料で構成し、電力素子部からの熱
的影響をうけないようにすると、なお信頼性が向上す
る。
【００２５】また、異方性導電シートを挾んで、制御回
路部ｂと電力素子部ａの電気的接続を達成し、さらにこ
れらの外側からコの字状の接続治具で機械的に固定する
ようにしてもよい。また、コの字状の接続治具により機
械的強度を持たせるようにしてもよい。
路部ｂと電力素子部ａの電気的接続を達成し、さらにこ
れらの外側からコの字状の接続治具で機械的に固定する
ようにしてもよい。また、コの字状の接続治具により機
械的強度を持たせるようにしてもよい。
【００２６】実施例３ 次に、本発明の第３の実施例について説明する。
【００２７】この半導体モジュールは、図３に示すよう
に、第１の実装基板４２と第２の実装基板４３とが異方
性導電ゴムからなるコネクタ４８を介して接合され、蓋
体４６とＣｕベース４１と共に外側をコの字状の治具４
５で嵌合したことを特徴とするものである。この半導体
モジュールでは、電力用半導体素子４０が、第１の実装
基板４２上に形成された配線パターン４７にフェイスダ
ウンで接続されている。また同様に制御回路チップ（図
示せず）は、第２の実装基板４３にフェイスダウンで接
続され、さらにこの第２の実装基板４３がセラミック製
の蓋体４６に配線パターン４４を介して接続されてい
る。そして、この第１の実装基板４２と第２の実装基板
４３が、異方性導電ゴムを用いたコネクタ４８を介して
接合され、ヒートシンクとしてのＣｕベース４１ととも
に、この外側をコの字状の治具４５で嵌合せしめられて
いる。
に、第１の実装基板４２と第２の実装基板４３とが異方
性導電ゴムからなるコネクタ４８を介して接合され、蓋
体４６とＣｕベース４１と共に外側をコの字状の治具４
５で嵌合したことを特徴とするものである。この半導体
モジュールでは、電力用半導体素子４０が、第１の実装
基板４２上に形成された配線パターン４７にフェイスダ
ウンで接続されている。また同様に制御回路チップ（図
示せず）は、第２の実装基板４３にフェイスダウンで接
続され、さらにこの第２の実装基板４３がセラミック製
の蓋体４６に配線パターン４４を介して接続されてい
る。そして、この第１の実装基板４２と第２の実装基板
４３が、異方性導電ゴムを用いたコネクタ４８を介して
接合され、ヒートシンクとしてのＣｕベース４１ととも
に、この外側をコの字状の治具４５で嵌合せしめられて
いる。
【００２８】なおセラミック製の蓋体４６の表面には外
部端子４９が形成されこの外部端子はスルーホールＨを
介して、蓋体４６の裏面に形成した配線パターン４４に
接続されている。４７ｓは第１の実装基板４２の裏面に
形成された銅膜である。
部端子４９が形成されこの外部端子はスルーホールＨを
介して、蓋体４６の裏面に形成した配線パターン４４に
接続されている。４７ｓは第１の実装基板４２の裏面に
形成された銅膜である。
【００２９】この異方性導電ゴムは、図３(b) にこの拡
大説明図を示すように、弾性を有するゴムベース４８ｇ
内に、導電性の針状体４８ｃが埋め込まれて構成され、
加圧により矢印ａの方向の導電のみが達成されるように
なっている。
大説明図を示すように、弾性を有するゴムベース４８ｇ
内に、導電性の針状体４８ｃが埋め込まれて構成され、
加圧により矢印ａの方向の導電のみが達成されるように
なっている。
【００３０】かかる構成によれば、配線が高密度である
場合にも信頼性の高い接続が達成される。また、フェイ
スダウンで半導体素子が基板に接続されているため、よ
り薄型化・小型化をはかることができる。さらに接続が
極めて容易となり、また、組み立てに要する時間も大幅
に短縮される。
場合にも信頼性の高い接続が達成される。また、フェイ
スダウンで半導体素子が基板に接続されているため、よ
り薄型化・小型化をはかることができる。さらに接続が
極めて容易となり、また、組み立てに要する時間も大幅
に短縮される。
【００３１】なお前記実施例では第２の実装基板４３を
接続した蓋体４６はセラミックで構成したがセラミック
に限定されることなく樹脂等他の材料で構成しても良
い。
接続した蓋体４６はセラミックで構成したがセラミック
に限定されることなく樹脂等他の材料で構成しても良
い。
【００３２】また、図４に示すように、このコの字状の
治具４５に代えて少なくとも下面を放熱性の良好な部材
で構成したケース５１とし、これに、半導体素子５０を
搭載した第１の実装基板５２を嵌挿し、異方性導電ゴム
を用いたコネクタ５８を介して制御回路の組み込まれた
蓋体５６を加圧状態で固着するようにしてもよい。な
お、ここで外部信号端子５９は蓋体５６から導出してい
るが、この外部信号端子５９は蓋体５６の裏面に形成し
た厚膜配線パターンおよび異方性導電ゴム５８を介して
制御ブロックとしての第２の実装基板５３にも半導体素
子５０にも接続されている。
治具４５に代えて少なくとも下面を放熱性の良好な部材
で構成したケース５１とし、これに、半導体素子５０を
搭載した第１の実装基板５２を嵌挿し、異方性導電ゴム
を用いたコネクタ５８を介して制御回路の組み込まれた
蓋体５６を加圧状態で固着するようにしてもよい。な
お、ここで外部信号端子５９は蓋体５６から導出してい
るが、この外部信号端子５９は蓋体５６の裏面に形成し
た厚膜配線パターンおよび異方性導電ゴム５８を介して
制御ブロックとしての第２の実装基板５３にも半導体素
子５０にも接続されている。
【００３３】かかる構造によればより組み立てが容易と
なる。
なる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、制御回路の組み込まれた制御ブロックが着脱自在に
装着されているため、容易に制御回路を変更することが
でき、少量多品種生産に有効である。
ば、制御回路の組み込まれた制御ブロックが着脱自在に
装着されているため、容易に制御回路を変更することが
でき、少量多品種生産に有効である。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の第２の実施例の半導体装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の第３の実施例の半導体装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明の第４の実施例の半導体装置の構成を示
す図である。
す図である。
【図５】従来例の半導体装置の構成を示す図である。
１１ Ｃｕベース １２ 第１の実装基板 １３ 第２の実装基板 １４ 信号端子 １５ ケース １６ ポッティング樹脂 １７ キャスティング樹脂１７ １８ ボンディングワイヤ １９ 信号端子 ２０ 電力用半導体素子 ２１ Ｃｕベース ２２ 第１の実装基板 ２３ 第２の実装基板 ２４ ケース ２６ 蓋体 ２７ ボンディングワイヤ ２８ａ，２８ｂ ソケット ２９ａ，２９ｂ 信号端子 ａ 電力素子部 ｂ 制御回路部 ３１ Ｃｕベース ３２ 第１の実装基板 ３４ａ，３４ｂ コネクタ ３５ 樹脂ブロック ３６ 外部接続用端子 ４０ 電力用半導体素子 ４１ Ｃｕベース ４２ 第１の実装基板 ４３ 第２の実装基板 ４４ 配線パターン ４５ 治具 ４６ 蓋体 ４７ 配線パターン ４７ｓ 銅膜 ４８ コネクタ ４８ｇ コムベース ４８ｃ 導電性の針状体 ４９ 外部端子
フロントページの続き (72)発明者 太田 錦弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝多摩川工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 電力用半導体素子と、 前記電力用半導体素子を搭載するとともに外部接続用の
端子を導出した支持体と、 前記電力用半導体素子を制御する制御部を搭載した制御
ブロックとを具備し、 前記制御ブロックが前記支持体に電気的および機械的に
着脱自在に装着せしめられていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 電力用半導体素子と、 前記電力用半導体素子を搭載するとともに外部接続用の
端子を導出した支持容器と、 前記電力用半導体素子を制御する制御部を搭載した制御
ブロックとを具備し、 前記制御ブロックが前記支持容器に係合し、電気的およ
び機械的に着脱自在に装着せしめられる蓋体を構成して
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055961A JPH07263622A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055961A JPH07263622A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263622A true JPH07263622A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13013685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6055961A Pending JPH07263622A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263622A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1174454A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-03-16 | Asea Brown Boveri Ag | 封じられたサブモジュールを備える電力用半導体モジュール |
| JP2000307056A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 車載用半導体装置 |
| JP2001144249A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Nippon Inter Electronics Corp | 複合半導体装置 |
| JP2008187145A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2008235417A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2009224534A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Yaskawa Electric Corp | パワーモジュール |
| CN102569286A (zh) * | 2010-12-24 | 2012-07-11 | 三星电机株式会社 | 3d功率模块封装 |
| JP2017123358A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645515A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JPH0645721A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP6055961A patent/JPH07263622A/ja active Pending
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| JP2012138559A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | ３ｄパワーモジュールパッケージ |
| JP2017123358A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール |
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