JPH07263277A

JPH07263277A - コンデンサアレイ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07263277A
Application number: JP6050383A
Authority: JP
Inventors: Masa Yonezawa; 政米澤; Takeshi Sasaki; 剛佐々木; Nobuyuki Soyama; 信幸曽山; Tsutomu Atsugi; 勉厚木; Katsumi Ogi; 勝実小木
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1994-03-22
Filing date: 1994-03-22
Publication date: 1995-10-13
Anticipated expiration: 2015-10-10
Also published as: JP3097441B2

Abstract

(57)【要約】【構成】コンデンサアレイ１は、基板２と、この基板
２の一方の板面に形成された共通電極３と、この共通電
極３上に形成された複数個の誘電体薄膜４と、この誘電
体薄膜４上に形成された個別電極５と、該個別電極５に
接続されたリード端子６と、共通電極３に接続されたリ
ード端子７と、モールド樹脂８とからなる。【効果】基板として従来の誘電体よりも機械的強度の
大きい材料を用いることでコンデンサアレイ素子として
の強度も向上する。また、誘電体として薄膜を用いてい
ることから膜厚制御が容易であり静電容量のばらつきを
抑えられ、さらに、誘電体薄膜をパターニングしている
ことから隣接するコンデンサによる浮遊容量が無視でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に複数個のコン
デンサが形成されたコンデンサアレイ及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンデンサアレイとしては、第３
〜１０図に示したようなものが知られている。第３，４
図に示したコンデンサアレイ２０は、対向電極として誘
電体磁器基板２１の一面に複数個の個別電極２３が形成
され、また他面に共通電極２４が形成されている。これ
ら個別電極２３及び共通電極２４にはそれぞれリード端
子２５が半田付けされ、これら全体が絶縁性樹脂からな
る外装２６で被覆された構造となっている。

【０００３】第５〜７図に示したコンデンサアレイ３０
は、共通電極３４が誘電体磁器基板３１中に埋没され、
他方、個別電極３３が誘電体磁器基板３１表面に複数個
形成された構造となっている。

【０００４】第８〜１０図に示したコンデンサアレイ４
０は、対向電極として誘電体磁器基板４１の一面に共通
電極４２が形成され、他面にＸ−Ｙ方向に互いに分離し
た複数個の個別電極１３が形成された構造となってい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のコンデンサアレ
イは誘電体磁器基板をコンデンサとして使うため静電容
量のばらつきが大きく歩留まりが悪い、あるいは、トリ
ミング加工をしなければならないなどの問題があった。
さらに、隣同士の浮遊容量も無視できずクロストークの
問題もあった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のコンデンサアレ
イは、基板と、該基板に形成された薄膜状の共通電極
と、該共通電極上に形成された複数個の誘電体薄膜と、
各誘電体薄膜上に形成された個別電極とを有するもので
ある。

【０００７】本発明のコンデンサアレイの製造方法は、
基板上に薄膜状の共通電極を形成する工程と、該共通電
極上の複数箇所に誘電体薄膜を、各誘電体薄膜が互いに
不連続となるように形成する工程と、各誘電体薄膜上に
個別電極を形成する工程と、を備えてなるものである。

【０００８】本発明方法において、前記誘電体薄膜は金
属酸化物の薄膜よりなり、この誘電体薄膜を形成するに
際し、加水分解性金属化合物と、活性線の照射により水
を遊離する感光剤とを含有する組成物を用いるのが好ま
しい。

【０００９】即ち、この組成物を、前記共通電極全体を
覆うように基板の全面にわたって塗布し、得られた塗膜
を活性線で画像形成露光し、溶媒で現像して未露光部を
除去した後、熱処理して露光部の膜を金属酸化物に変換
させることにより、所定パターンの金属酸化物薄膜より
なる誘電体薄膜を形成する。

【００１０】以下、図面に示す好ましい態様と共に本発
明についてさらに詳細に説明する。

【００１１】第１図は本発明の実施例に係るコンデンサ
アレイの平面図、第２図（ａ），（ｂ）は第１図のIIａ
−IIａ線及びIIｂ−IIｂ線に沿う断面図である。

【００１２】このコンデンサアレイ１は、基板２と、こ
の基板２の一方の板面に形成された共通電極３と、この
共通電極３上に形成された複数個の誘電体薄膜４と、こ
の誘電体薄膜４上に形成された個別電極５と、該個別電
極５に接続されたリード端子６と、共通電極３に接続さ
れたリード端子７と、モールド樹脂８とからなる。

【００１３】本発明において、基板１としてはセラミッ
ク板や、シリコンやガリウムひ素などの半導体基板等が
好適である。基板の形状及び大きさは任意である。基板
の厚さも、十分な強度を有している限り、任意である
が、通常は０．０５〜３ｍｍとりわけ０．１〜１ｍｍ程
度が好適である。

【００１４】共通電極３は、第１図の如く、基板１の外
縁から少し（好ましくは０．１〜１ｍｍ）後退するよう
に設けるのが好ましい。

【００１５】この共通電極３上に形成される誘電体薄膜
としては、高誘電率のセラミック薄膜が好適であり、具
体的にはチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ランタン含
有チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸バリウム（ＢＴＯ）、チ
タン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴＯ）といった金
属酸化物が例示される。

【００１６】このセラミック薄膜の厚さは、０．０１〜
２μｍとりわけ０．０５〜０．５μｍが好適である。

【００１７】このセラミック薄膜は、面積が０．１〜２
５ｍｍ² とりわけ１．２〜１２ｍｍ² 程度の正方形又は
長方形状とするのが好適である。

【００１８】この誘電体薄膜４は、第１図の如く、一部
が共通電極３から外にはみ出し、基板２を覆うようにす
るのが好ましい。このようにすることにより、リード端
子６と共通電極３との接触を防止できる。

【００１９】この誘電体薄膜４上に形成される個別電極
５は、第１図に示されるように、個別電極５の共通電極
３上への投影面が共通電極３の範囲内に納まるようにす
るのが好適である。

【００２０】この個別電極５の大きさは、形成されるコ
ンデンサの容量に応じて決定されるが、通常は０．０５
〜２０ｍｍ² とりわけ１〜１０ｍｍ² 程度が好ましい。

【００２１】なお、共通電極３及び個別電極５の材質と
しては、パラジウム、金、銀、ニッケル、アルミニウム
などの金属や、ＩＴＯ、ＲｕＯ₂ などの酸化物導電体な
どが好適である。

【００２２】共通電極３及び個別電極５は、印刷及び焼
き付けによる薄膜形成法が好適であるが、気相プロセス
によって形成しても良い。

【００２３】セラミックよりなる誘電体薄膜４を形成す
るには、加水分解性金属化合物と、活性線の照射により
水を遊離する感光剤とを含有する組成物を前記共通電極
の全面にわたって塗布し、得られた塗膜を活性線で画像
形成露光し、溶媒で現像して未露光部を除去した後、熱
処理して露光部の膜を金属酸化物に変換させることによ
り、所定パターンの金属酸化物薄膜よりなる誘電体薄膜
を形成するのが好ましい。

【００２４】この加水分解性金属化合物としては、加水
分解性有機金属化合物又は金属ハロゲン化物が好適であ
る。

【００２５】加水分解性有機金属化合物は、加水分解に
より金属水酸化物を形成することができるものであれば
特に制限されないが、その代表例としては、金属アルコ
キシド、金属アセチルアセトナート錯体、および金属カ
ルボン酸塩を挙げることができる。金属アルコキシド
は、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブ
トキシド、イソブトキシドなどの低級アルコキシドが好
ましい。同様に、金属カルボン酸塩も、酢酸塩、プロピ
オン酸塩などの低級脂肪酸塩が好ましい。

【００２６】金属ハロゲン化物としては、塩化物などの
使用が可能である。

【００２７】各金属元素について、１種もしくは２種以
上の加水分解性金属化合物を原料として使用できる。

【００２８】この加水分解性金属化合物を加水分解反応
させる水を発生する水発生剤としては、ｏ−ニトロベン
ジルアルコール、１−ヒドロキシメチル−２−ニトロナ
フタレン、２−ニトロエタノール、ホルムアルデヒド、
酒石酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、２−カル
ボキシベンジルアルコール、２−カルボキシベンズアル
デヒド、２−ニトロベンズアルデヒド及びフタル酸より
なる群から選ばれる１種又は２種以上が例示される。

【００２９】この水発生剤は、活性線の照射を受けて脱
水反応して水を発生する。

【００３０】上記の組成物では、この水発生剤による加
水分解性金属化合物の加水分解反応をさらに促進させる
ため、水発生剤に加えて、活性線の照射により酸を遊離
する感光剤（以下、酸発生剤という）を併用してもよ
い。酸発生剤が共存すると、露光部で活性線の照射を受
けて発生した酸が、加水分解性金属化合物の硬化反応の
触媒として作用し、硬化がさらに一層促進され、従っ
て、露光部と未露光部との溶解度差の一層の増大および
照射量の一層の低減が可能となる。

【００３１】酸発生剤としては、従来よりフォトレジス
トの分野で知られているものを使用することができる。
例としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩などのオ
ニウム塩；ハロゲン含有ベンゼン誘導体、ハロゲン置換
アルカンおよびシクロアルカン、ハロゲン含有ｓ−トリ
アジンもしくはイソシアヌレート誘導体などの有機ハロ
ゲン化物；さらにはｏ−もしくはｐ−ニトロベンジルエ
ステル、ベンゼンポリスルホン酸エステル、ビスアリー
ルスルホニルジアゾメタン、２−フェニルスルホニルア
セトフェノンなどの芳香族スルホン酸エステルまたはス
ルホニル化合物等が挙げられる。

【００３２】水発生剤と酸発生剤はいずれも１種もしく
は２種以上使用できる。

【００３３】この金属酸化物薄膜パターン形成用組成物
は、原料の加水分解性金属化合物を適当な有機溶媒
（例、エタノール、イソプロパノール、２−メトキシエ
タノールなどのアルコール類；酢酸、プロピオン酸など
の低級脂肪族カルボン酸類など）に溶解した後、得られ
た溶液に水発生剤（または水発生剤と酸発生剤）を添加
し、溶解させることにより調製できる。目的物が複合酸
化物薄膜パターンである場合には、原料となる２種以上
の加水分解性金属化合物を、目的物中における各金属の
存在比に一致した割合で使用する。

【００３４】組成物中の加水分解性金属化合物の濃度は
１〜２０重量％の範囲内が好ましい。水発生剤の添加量
は、組成物合計重量に対して、０．００１〜２０重量
％、好ましくは０．１〜１０重量％の範囲内である。

【００３５】水発生剤の添加量が少なすぎると、露光部
と未露光部との溶解度差が大きくならず、鮮明なパター
ンが形成できない。水発生剤の添加量が多すぎると、照
射により周囲の未露光部の塗膜まで変性してしまい、や
はり鮮明なパターンが得られなくなる。酸発生剤も併用
添加する場合、酸発生剤の添加量も、組成物合計重量に
対して０．００１〜２０重量％、好ましくは０．１〜１
０重量％の範囲内である。この場合、水発生剤と酸発生
剤の合計量が組成物全重量の２０重量％以下であること
が好ましい。

【００３６】得られた溶液には、貯蔵時のゲル化を防止
する安定化剤として、アセチルアセトン、エタノールア
ミン、オキソブタン酸エチルなどのキレート形成化合物
を、加水分解性金属化合物１モルに対して０．０５〜１
０モルの割合で添加してもよい。

【００３７】この組成物の基板への塗布は、均一な膜厚
の塗膜が形成される塗布法であれば特に制限されない
が、工業的にはスピンコート法が採用されることが多
い。必要であれば、塗膜がゲル化した後、塗布操作を繰
り返して所望の塗膜厚みを得ることもできる。水発生剤
の添加により少ないエネルギーで照射することができる
ため、塗膜を厚くすることも可能である。本発明の組成
物を用いて形成する金属酸化物薄膜の膜厚は、一般的に
０．０１〜２μｍの範囲内が好ましい。

【００３８】得られた塗膜は、短時間の放置で流動性を
失い、露光が可能となる。放置時間は、画像形成のため
の活性線照射が可能な程度に塗膜が乾く（流動性を喪失
する）ように決めればよく、通常は数秒〜数分の範囲内
でよい。

【００３９】次いで、所望パターンに対応する画像を形
成するために活性線により画像形成露光を行う。活性線
としては、感光剤（水発生剤、酸発生剤）によっても異
なるが、紫外線、電子線、イオンビームまたはＸ線等が
一般的である。紫外線源は、例えば、低圧水銀灯、エキ
シマレーザー等でよい。画像形成露光は、常法により、
マスクを通して活性線を照射するか、或いは活性線源が
レーザーの場合にはパターン化されたレーザー光を照射
する直描法によって行うことができる。照射エネルギー
量は特に制限されず、膜厚や感光剤の種類によっても変
動するが、通常は１００ｍＪ／ｃｍ² 以上であればよ
い。

【００４０】この活性線の照射により、露光部では前述
した塗膜の硬化反応加水分解反応及び重合反応が進行
し、塗膜が硬く、緻密になって、アルコールなどの溶媒
への溶解度が低下する。本発明では、水発生剤が存在し
ているので、少ない活性線照射エネルギーで、露光部の
硬化反応を選択的に促進することができる。そのため、
電子線などのエネルギー量密度が著しく高いものだけで
なく、それらよりもエネルギー密度が低い紫外線でも十
分に照射の目的を達成できる。塗膜に酸発生剤が共存す
る場合には、露光部で発生した酸によっても塗膜の硬化
反応がさらに促進される。

【００４１】所望により、この照射後、乾燥不活性ガス
（Ｎ₂ ，Ａｒ等）雰囲気中で４０〜１００℃に１〜１０
分間程度放置してもよい。こうして空気中の水分を遮断
して温度保持することにより、未露光部の塗膜成分の加
水分解を抑制したまま、露光部の塗膜の硬化反応を選択
的にさらに進めることができるので、露光部と未露光部
との溶解度差が一層大きくなる。

【００４２】照射後、必要に応じて、基板を全面的に加
熱することにより塗膜を乾燥してもよい。これにより、
パターンとして残る露光部に残留している水分や有機溶
媒が除去される。この全面的な加熱は、例えば、１００
〜１５０℃で５〜１０分間程度行えばよい。

【００４３】その後、適当な溶媒を用いて現像すること
により、未露光部にある未硬化の塗膜を除去すると、露
光部からなるネガ型のパターンが基板上に形成される。
現像剤として用いる溶媒は、未露光部の材料を溶解で
き、露光部の硬化膜に対する溶解性の小さい溶媒であれ
ばよい。水またはアルコール類を使用することが好まし
い。適当なアルコールとしては、２−メトキシエタノー
ル、２−エトキシエタノールなどのアルコキシアルコー
ルがある。これでは溶解力が高すぎ、露光部の溶解が起
こりうる場合には、上記アルコールにエチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などのアルキル
アルコールを添加することにより、溶解力を調整するこ
とができる。このように、現像にフッ酸／塩酸の混酸と
いった腐食性に強い酸を使用する必要はなく、腐食性の
ない、安全で安価なアルコール等の溶媒で現像を行うこ
とができることも、本発明の大きな利点の１つである。

【００４４】現像は、例えば、常温の溶媒に１０秒〜１
０分間程度浸漬することにより実施できる。現像条件
は、未露光部が完全に除去され、露光部は実質的に除去
されないように設定する。従って、現像条件は、活性線
の照射量、その後の熱処理の有無、現像に用いる溶媒の
種類に応じて変動する。

【００４５】現像により未露光部を除去した後、必要以
上の塗膜溶解を阻止するために、露光部の塗膜の溶解能
がないか溶解能が小さい、適当な有機溶媒によってリン
スを行うことが好ましい。このリンス液としては、例え
ば、エステル類（例、酢酸エチル）、ケトン類（例、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン）、炭化水
素類（例、トルエン、ｎ−ヘキサン）などが使用でき
る。また、イソプロピルアルコールのように、極性が比
較的小さいアルコールもリンス液として使用できる。

【００４６】こうして露光部が残留したネガ型の塗膜パ
ターンが基板上に形成される。その後、基板を熱処理し
て塗膜中の金属化合物を完全に金属酸化物に変換させる
と、所望組成の金属酸化物からなる薄膜パターンが得ら
れる。この熱処理は、通常は大気雰囲気中３００〜８０
０℃で１秒〜２時間の焼成により行うことが好ましい。

【００４７】必要であれば、こうして形成された金属酸
化物薄膜パターンの上に、同じ方法で異種または同種の
金属酸化物薄膜パターンを重ねて形成してもよい。

【００４８】

【作用】本発明のコンデンサアレイにおいては、基板と
して従来の誘電体よりも機械的強度の大きい材料を用い
ることでコンデンサアレイ素子としての強度も向上す
る。

【００４９】また、誘電体として薄膜を用いていること
から膜厚制御が容易であり静電容量のばらつきを抑えら
れ、さらに、誘電体薄膜をパターニングしていることか
ら隣接するコンデンサによる浮遊容量が無視できる。

【００５０】本発明のコンデンサアレイの製造方法によ
れば、かかるコンデンサアレイを製造できる。

【００５１】請求項３の方法においては、上記組成物中
の加水分解性金属化合物は、水と反応して加水分解し、
含水金属酸化物のゾルを経てゲル化し、さらに反応が進
むと金属−酸素の結合により三次元架橋する重合反応が
起こって膜が硬化する。

【００５２】この組成物は、活性線照射により水を遊離
する感光剤を含有しており、活性線の照射によりこの水
発生剤から水が発生し、加水分解性金属化合物の加水分
解反応が促進される。そのため、露光部では膜の硬化反
応が著しく進み、露光部と未露光部との溶解度差が非常
に大きくなる。

【００５３】なお、この組成物が酸発生剤を含む場合に
は、活性線の照射により酸が発生し、酸の触媒作用によ
り上記の加水分解反応及び重合反応が著しく促進され
る。

【００５４】請求項３の方法においては、この組成物の
塗膜を形成し、画像形成露光した後、溶媒と接触させる
が、これにより未露光部が除去される。その後、熱処理
することにより、露光部の生成物が金属酸化物の薄膜と
なる。

【００５５】なお、加水分解性有機金属化合物として、
活性線により重合する特性を有する化合物を用いた場合
には、上記の加水分解反応と共に重合反応が進行し、こ
れによっても溶媒に対する溶解度が（未照射のものに比
べ）小さくなる。

【００５６】

【実施例】以下に具体的な実施例を示すが、これらは本
発明を限定するものではない。

【００５７】（実施例１）大きさが５×２０ｍｍで厚さ
が０．５ｍｍのアルミナ製の基板２上に、スパッタリン
グ法により共通電極３を厚さ０．２μｍに形成した。

【００５８】次に、この共通電極３の上に、３×４ｍｍ
の大きさで厚さ０．３μｍの誘電体薄膜４を後述の方法
により形成した。

【００５９】次に、この誘電体薄膜上に、大きさが２×
３ｍｍで厚さが０．２μｍの個別電極５をスパッタリン
グ法により形成した。

【００６０】なお、共通電極３及び個別電極５の材料は
Ｐｔである。

【００６１】次いで、リード端子６，７を半田付けし、
エポキシ樹脂にてモールディングした。

【００６２】ところで、誘電体薄膜４の形成方法は、次
の通りである。

【００６３】本実験は、ＰｂＺｒ_0.52Ｔｉ_0.48Ｏ₃ なる
組成のＰＺＴ誘電体薄膜パターンの形成を例示するもの
である。

【００６４】酢酸鉛［Ｐｂ（ＣＨ₃ ＣＯＯ）₂ ・３Ｈ₂
Ｏ］１１．８４ｇを２−メトキシエタノール７０ｇに溶
解し、１４０℃に加熱して十分に脱水した。この溶液
に、市販のジルコニウムｎ−ブトキシド［Ｚｒ（Ｏ（Ｃ
Ｈ₂ ）₃ ＣＨ₃ ）₄ ］６．８７ｇとチタンイソプロポキ
シド［Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ₃ ）₂ ）₄ ］４．０９ｇとを
加えた。その後、全体の質量が１００ｇとなるように２
−メトキシエタノールで希釈し、水発生剤として２−ニ
トロエタノール（Ｃ₂ Ｈ₅ ＮＯ₃ ）１ｇを加えた。こう
して調製した金属酸化物薄膜パターン形成用組成物（以
下、塗布液という）の各金属の原子比率はＰｂ：Ｚｒ：
Ｔｉ＝１：０．５２：０．４８であった。

【００６５】この塗布液をスピンコート法で白金基板上
に３０００ｒｐｍ、１５秒の条件で塗布し、塗膜を作製
した。この塗膜を室温で１分間放置した後、低圧水銀灯
を光源とする遠紫外線（中心波長２５４ｎｍ）をマスク
パターンを通して塗膜に照射した。照射量は１２００ｍ
Ｊ／ｃｍ² であり、使用したマスクは第１図の誘電体薄
膜４ａ〜４ｃに対応する光透過窓を有するものである。

【００６６】紫外線照射後、基板を乾燥機中で１００℃
に１分間加熱して乾燥した。次いで、現像のために基板
を室温のエッチング液（２−メトキシエタノール）に１
分間浸漬して、塗膜の未露光部を完全に溶解除去した。
次いで、基板をリンス液のＩＰＡ（イソプロピルアルコ
ール）中に室温で５秒間浸漬した。その後、大気雰囲気
中４００℃に１０分間、更に大気雰囲気中６００℃に６
０分間の焼成を行って、膜厚約０．１μｍのＰＺＴの薄
膜パターンを形成した。

【００６７】得られたＰＺＴ薄膜はＸ線回折により、ペ
ロブスカイト型構造であることが、また、ＥＰＭＡおよ
びＸＰＳ分析により、ＰｂＺｒ_0.52Ｔｉ_0.48Ｏ₃ の組成
を有することが確認された。また、得られた薄膜パター
ンは良好であった。

【００６８】なお、紫外線源として２４９ｎｍの単一波
長を発生するＫｒＦエキシマレーザーを同じ線量で照射
した場合にも、同様の結果が得られた。また、本例で
は、紫外線照射エネルギーが１００ｍＪ／ｃｍ² 以上
（より好ましくは５００ｍＪ／ｃｍ² 以上）で、良好な
ネガ型のＰＺＴ薄膜パターンを形成することができた。

【００６９】さらに、現像に用いた溶媒を２−メトキシ
エタノールとＩＰＡとの混合溶液（混合割合は体積比で
１：１）に変えた場合でも、同様の良好なネガ型パター
ンが得られた。

【００７０】（実施例２〜９）水発生剤として表１のも
のを用い、紫外線照射量、エッチング液及びエッチング
時間を表１の通りとしたほかは実施例１と同様にしてＰ
ＺＴ薄膜を形成した。この結果、いずれも良好な薄膜パ
ターンが得られた。この薄膜もペロブスカイト型構造で
あり、ＰｂＺｒ_0.52Ｔｉ_0.48Ｏ₃ の組成を有することが
認められた。

【００７１】

【表１】

【００７２】（比較例１）組成物に水発生剤の２−ニト
ロエタノールを添加しなかったこと以外は、実施例１と
同様にＰＺＴ薄膜パターンの形成を試みたところ、紫外
線照射後の露光部と未露光部とで溶解度の差がほとんど
なく、加熱乾燥後に水、２−メトキシエタノール、また
は２−メトキシエタノールとＩＰＡとの混合溶媒を用い
て現像しても、未露光部の選択的な除去はできなかっ
た。

【００７３】（実施例１０）（酸発生剤を併用した実施
例）溶媒である２−メトキシエタノールに［Ｐｂ（ＣＨ₃ Ｃ
ＯＯ）₂ ・３Ｈ₂ Ｏ］１１．８４ｇを溶かし、加熱脱水
した。これに［Ｚｒ（Ｏ（ＣＨ₂ ）₃ ＣＨ₃ ）₄ ］６．
８７ｇ、［Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ₃ ）₂ ）₄ ］４．０９ｇ
を加え、２−メトキシエタノールで希釈して溶液全体の
質量を１００ｇとした。この溶液に水発生剤の２−ニト
ロエタノール２ｇと酸発生剤の２−フェニルスルホニル
アセトフェノン［Ｃ₆ Ｈ₅ ＳＯ₂ ＣＨ₂ ＣＯＣ₆ Ｈ₅ ］
０．５ｇとを加えて溶かし、塗布液を調製した。この塗
布液を用いて実施例１と同様に塗布および紫外線照射を
行った。紫外線照射量は７００ｍＪ／ｃｍ² であった。
紫外線照射および乾燥後、２−メトキシエタノールに１
分間浸漬して現像した。その後、リンス液としてＩＰＡ
に浸漬し、実施例１と同様に焼成して、膜厚約６００Å
の酸化物薄膜（ＰＺＴ薄膜）からなるネガ型の良好なパ
ターンを得た。Ｘ線回折分析によりペロブスカイト型Ｐ
ＺＴを確認した。

【００７４】尚、紫外線源をＫｒＦレーザーに代えた場
合、或いは現像に用いた溶媒を２−メトキシエタノール
とＩＰＡとの混合溶媒に代えた場合にも、同様の良好な
ネガ型パターンが得られた。

【００７５】上記実施例１〜１０により得られたコンデ
ンサアレイは、いずれも、静電容量のばらつきが小さ
く、しかも隣接するコンデンサの浮遊容量は無視できる
ものであった。

【００７６】

【発明の効果】本発明のコンデンサアレイは、基板の強
度を高くすることができる。また、本発明のコンデンサ
アレイは、静電容量のばらつきが小さく、しかも隣接す
るコンデンサの浮遊容量も無視できる。

【００７７】本発明方法によれば、かかるコンデンサア
レイを容易に製造できる。

【００７８】なお、請求項３の方法によれば、ゾル−ゲ
ル法を利用して、レジストを使用せずに金属酸化物薄膜
パターンを形成することができるので、デバイス製造工
程の短縮化と高能率化が図れる。また、ゾル−ゲル法を
利用することから、ＣＶＤやスパッタリングなどの気相
法に比べて、膜形成が低コストで効率よく実施でき、大
面積化も容易であり、組成のずれもほとんどない。

【００７９】さらに、請求項３の方法では、塗膜中に水
発生剤を存在させておくので、少ない照射エネルギーで
パターン形成が可能となり、産業用の紫外線照射装置を
用いて鮮明なパターンを得ることができる。また、現像
はアルコールなどの腐食性のない比較的安全かつ安価な
液体で行うことができるので、廃液処理も簡単である。

【００８０】水発生剤のほかに、さらに酸発生剤を存在
させておくことにより、さらに少ない照射エネルギーで
パターン形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るコンデンサアレイの平面図であ
る。

【図２】実施例に係るコンデンサアレイの断面図であ
る。

【図３】従来のコンデンサアレイ２０の平面図である。

【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。

【図５】従来のコンデンサアレイ３０の平面図である。

【図６】図５のVI−VI線に沿う断面図である。

【図７】図５のVII-VII 線に沿う断面図である。

【図８】従来のコンデンサアレイ４０の平面図である。

【図９】図８のIX−IX線に沿う断面図である。

【図１０】図８のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。

【符号の説明】

１コンデンサアレイ２基板３共通電極４誘電体薄膜５個別電極６，７リード端子

フロントページの続き (72)発明者厚木勉埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地三菱マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者小木勝実埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地三菱マテリアル株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板に形成された薄膜状の共通電極と、該共通電極上に形成された複数個の誘電体薄膜と、各誘電体薄膜上に形成された個別電極と、を有するコン
デンサアレイ。
【請求項２】基板上に薄膜状の共通電極を形成する工
程と、該共通電極上の複数箇所に誘電体薄膜を、各誘電体薄膜
が互いに不連続となるように形成する工程と、各誘電体薄膜上に個別電極を形成する工程と、を備えて
なるコンデンサアレイの製造方法。
【請求項３】請求項２において、前記誘電体薄膜は金
属酸化物の薄膜よりなり、この誘電体薄膜を形成するに
際し、加水分解性金属化合物と、活性線の照射により水を遊離
する感光剤とを含有する組成物を前記共通電極の全面に
わたって塗布し、得られた塗膜を活性線で画像形成露光し、溶媒で現像し
て未露光部を除去した後、熱処理して露光部の膜を金属
酸化物に変換させることにより、所定パターンの金属酸
化物薄膜よりなる誘電体薄膜を形成するようにしたこと
を特徴とするコンデンサアレイの製造方法。