JPH07253683A - 電子写真画像形成部材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 最終画像の背景領域内での濃度の増大、輸送
層の製造の間の、発生層中への添加物の移送、及びサイ
クルの不安定性なしに、コロナ発出により誘導されるデ
レーションに対する抵抗性の改良されたフォトレセプタ
が継続的に要求されている。 【構成】 基体と；電荷発生層と；電荷輸送層と；少な
くとも２つのヒドロキシ官能基を有する正孔輸送ヒドロ
キシアリールアミンと、少なくとも１つのヒドロキシ官
能基を有するヒドロキシトリフェニルメタン化合物と、
前記ヒドロキシアリールアミン化合物と前記ヒドロキシ
トリフェニルメタン化合物との前記ヒドロキシ官能基と
水素結合を形成することができるポリアミドフィルム形
成バインダーとを含有してなるオーバーコート層と；を
有してなる電子写真画像形成部材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、一般に、水素結合し
た材料を含有するオーバーコーティングを有する層構成
のフォトレセプタ（受光体）構造、並びにこのフォトレ
セプタの製造方法及び使用方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】２種類のフォトレセプタ構造が使用され
てきている。つまり、別の層が電荷の発生と電荷の輸送
の機能を別々に実行する多層構造と、両方の機能を実行
する単一層のフォトレセプタとである。

【０００３】電荷発生層用の光増感顔料と、輸送層用の
電荷輸送分子とを選択する着想基準の１つは、光子が顔
料中で正孔を光学発生させるとき、その正孔が輸送層中
の電荷輸送分子に効率的に注入されることである。より
具体的には、顔料から輸送層への注入効率を、高くすべ
きである。第２の着想基準は、注入された正孔が、短時
間、つまり、像形成デバイス内の露光ステーションと現
像ステーションとの間の持続時間よりも短い間に電荷輸
送層を横切って輸送されることである。輸送層を通過す
る通過時間は、輸送層中の電荷キャリヤ可動性によって
決定される。電荷キャリヤ可動性は、単位場についての
速度であり、ｃｍ２／ボルト秒の次元を有する。電荷キ
ャリヤ可動性は、電荷輸送部位の構造と、輸送層中での
電荷輸送部位の濃度と、電荷輸送分子が分散している電
気的「不活性」バインダーポリマーとに依存する（輸送
層がバインダー中に分散した電荷輸送分子からなる場
合）。（電荷輸送キャリヤが正孔ならば）注入効率は、
イオン化ポテンシャルが顔料のイオン化ポテンシャルよ
り低い輸送部位を選択することによって最大化されうる
と信じられている。しかし、低イオン化ポテンシャル分
子は他の欠点を有しうる。その一つは、コロナが発出し
た大気中で不安定性であることである。コロナ発出によ
る、輸送層表面の化学的相互作用から生じるコピー品質
の不備は、以下で詳細に記載するように「パーキングデ
リーション（parking deletion）」と称される。

【０００４】フォトレセプタは、自動コピー、複製機、
印刷機中で何千回も輪回（サイクル）する。このサイク
ルは、フォトレセプタ、特に、電荷輸送層中で小分子低
イオン化ドナー材料と有機フィルム形成用ポリマーとを
利用する多層有機ホトコンダクタの、画像形成特性の劣
化を引き起こす。

【０００５】このような磨滅は、フォトレセプタが単一
成分現像システムのような磨耗現像システムを使用した
システム中で利用されるとき、加速される。磨滅は、
８．５インチｘ１１インチの汎用のサイズの各書類に画
像を単に形成するために何度も回転する必要があるよう
な小さな直径を有するドラムが使用された場合には、ず
っと大きな問題である。フォトレセプタの磨滅は電荷輸
送層の厚みを増加することによって補償しうる。しか
し、電荷輸送層の厚みを大きくすると、フォトレセプタ
が高速画像形成プロセスで動作しなくなる。汎用の電荷
輸送層材料の大変長い通過時間のためである。また、磨
滅のため厚みが大幅に減少すると、２、３千サイクルの
みだけで、精巧にコンピュータ化された制御装置でさ
え、たやすき補償できない、電気特性の劇的な変化が起
きうる。

【０００６】電子写真画像形成部材が液体インク現像シ
ステム中で利用された場合に、電荷輸送層から液体現像
剤に小分子の侵出が起きうる。侵出による小分子材料の
損失によって、フォトレセプタの電子特性に非所望の劣
化が起きる。また、電荷輸送層中での小分子の非所望の
結晶化は、フォトレセプタの電気的画像形成特性に悪影
響を及ぼしうる。

【０００７】複数層の有機光導電体を使用したリプログ
ラフィック機（Reprographic machine）はコロトロン
（corotron）またはスコロトロン（scorotron ）を利用
して、画像形成露光の前に光導電体を帯電する。これら
の光導電体の動作寿命の間に、光導電体はオゾンや、い
ろいろな窒素の酸化物などを含むコロナ発出を受ける。
窒素のこれらの酸化物の幾らかは、周囲の作用大気中に
存在する水分子の存在下、硝酸に変わると信じられてい
る。光導電体のトップ表面は、機械の動作の間、硝酸に
晒され、輸送層の表面の最頂部の電荷輸送部位が分子の
硝化物種と信じられるものに変換する。遷移状態の化学
的種は、電導性フィルムを形成しうるであろうと信じら
れている。しかし、機械の動作の間、クリーニングサブ
システムは連続的にトップ表面領域を（磨滅によって）
除去し、それによって電導性種の蓄積を防止する。不幸
にも、このようなことは、複写機が２つの長大なコピー
走行の間に、動作しないとき（アイドル状態）では、当
てはまらない。長いコピー走行同士の間のアイドルモー
ドの際は、フォトレセプタの特定のセグメントは、長期
のコピー走行の間に作動していたコロトロン下で停止す
る（止まる）ようになる。コロトロンへの高い電圧はフ
ォトレセプタが止まっている間に切られるけれども、幾
つかの発出物（硝酸等）がコロトロンシールド、コロト
ロンハウジング等から放出され続ける。この発出放射
が、コロトロンの直接下に止まり静止しているフォトレ
セプタ領域内で濃縮される。この発出は、表面領域を電
導性とする。機械操作が次のコピー走行の為に再び開始
されると、像の広がりと解像の損失とが表面導電性が増
加した光導電体の領域で発生する。デレーションも、最
終プリント内で微細線と詳細部の損失として観察されう
る。かくして、コロナで誘導された変化が電荷輸送層の
表面領域で主に起きる。これらの変化は、最終トナー像
の解像損失を招く導電性増加の形態で明らかとなる。導
電性が激しく増加した場合、像中にひどいデレーション
領域が生じうる。この問題は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−
ビフェニル）−４，４’−ジアミンのようなアリールア
ミン電荷輸送分子と、ジアミン輸送部位を含む電荷輸送
ポリマーとを使用したデバイス中で特に激しい。

【０００８】「パーキングデレーション」は上のように
記載されるけれども、あるケースでは、デレーションは
フォトレセプタの全ての部分で起きるかもしれない。こ
れは、使用したクロトロンの数及び種類と、フォトレセ
プタのキャビティの設計と、フォトレセプタ周りの空気
のフローパターンとに依存する。

【０００９】このように、電荷輸送部位又は種は、トラ
ップを避けること、多くの顔料からの高い注入効率を有
すること、合成の容易さ、安価さのような他の電子写真
の基準の多くを満足するけれども、アイドルモードが長
いサイクリング走行の間に介在したとき、重大なパーキ
ングデレーションと他のデレーションの問題に遭遇す
る。

【００１０】エレクトロスティイトグラフィック（elec
trostatographic ）画像形成部材が米国特許第４，８７
１，６３４号に開示されている。それは、１以上の電子
写真導電性層と、光発生材料を含む画像形成部材と、あ
る式で表されるヒドロキシアリールアミン化合物とを含
む。ヒドロキシアリール化合物は、アルコール溶解性を
有するポリアミドのような、水素結合能を有する樹脂と
結合したヒドロキシアリールアミンによるオーバーコー
ティング中に利用され得る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】化学活性なトリフェニ
ルメタンが電荷輸送層のバルク内に混入されたとき、許
容可能な画像が得られうるけれども、フォトレセプタは
長いサイクルを受けたとき少なくも２つの欠点を呈しう
る。１つは、電荷輸送層のバルク中のトリフェニルメタ
ンの存在が、発生層から輸送層へ光注入した正孔のトラ
ップを引き起こすことである。このことは、残留電位が
複数回のサイクル動作で増加しつづけるサイクルアップ
として公知である条件を引き起こし、より高い残留電位
を発生させる。これは、最終画像の背景領域内の濃度を
増加させうる。輸送層のバルク中でのトリフェニルメタ
ンの添加による第２の非所望の影響は、これらの分子の
幾らかが輸送層の形成のプロセス中に発生層に移動する
ことである。発生層内の顔料の表面上での、これら分子
の存在によって、特に長い画像のサイクリング走行中
で、サイクルの不安定性を招くであろう。これら２つの
欠点が輸送層中に添加されうるトリフェニルメタンの濃
度を制限する。

【００１２】フォトレセプタがオーバーコーティングさ
れた場合、オーバーコーティングを大変非効果的とし
る、オーバーコートと輸送層との相互混合が起きる。こ
の相互混合は、輸送層のバルク中にヒドロキシトリフェ
ニルメタンの混入を招き、サイクルアップを引き起こ
す。また、この相互混合は、フォトレセプタの外表面上
でトリフェニルメタンの濃度の減少を起こす。フォトレ
セプタの外表面領域内でのトリフェニルメタンの濃縮は
前記のデレーションを防止する。

【００１３】かくして、最終画像の背景領域内での濃度
の増大、輸送層の製造の間の、発生層中への添加物の移
送、及びサイクルの不安定性なしに、コロナ発出により
誘導されるデレーションに対する抵抗性の改良されたフ
ォトレセプタが継続的に要求されている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的及び他の目的
は、基体と；電荷発生層と；電荷輸層と；少なくとも２
つのヒドロキシ官能基を有する小分子正孔輸送アリール
アミンと、ヒドロキシ又はマルチヒドロキシ（つまり、
１つ又は複数のヒドロキシ官能基を有する）トリフェニ
ルメタン化合物と、ヒドロキシアリールアミン化合物と
ヒドロキシ又はマルチヒドロキシトリフェニルメタン化
合物とのヒドロキシ官能基と水素結合を形成することが
できるポリアミドフィルム形成バインダーとを含有して
なるオーバーコート層と；を有する電子写真画像形成部
材を本発明によって提供することによって達成される。
このオーバーコート層は、アルコールを使用して製造し
うる。この電子写真画像形成部材は電子写真画像プロセ
ス中で利用しうる。

【００１５】また、電子写真画像形成部材の製造方法で
あって、アルコール不溶性ポリマーバインダーの溶液中
に分散した電荷輸送分子を有する電荷輸送層と電荷発生
層とでコーティングされた基体を提供する工程、電荷輸
送層の上に、少なくとも２つのヒドロキシ官能基を有す
るヒドロキシアリールアミンと、少なくとも１つのヒド
ロキシ官能基を有すヒドロキシトリフェニルメタン化合
物と、前記ヒドロキシアリールアミン化合物と前記ヒド
ロキシトリフェニルメタン化合物との前記ヒドロキシ官
能基と水素結合を形成することができるポリアミドフィ
ルム形成バインダーとを含有してなり、それらを溶解し
ている溶媒がアルコールである溶液のコーティングを形
成する工程と、当該コーティングを乾燥して、前記アル
コール溶媒を除去し、実質的に乾燥したオーバーコート
層を形成する工程を有する電子写真画像形成部材の製造
方法である。

【００１６】電子光写真画像形成部材は、当業界で周知
である。基体は、不透明または実質的に透明であってよ
く、また、要求される機械特性を有する任意の適切な材
料からなっていてもよい。したがって、基体は、無機又
は有機組成の様な非導電性又は導電性材料の層を有して
もよい。電気絶縁性又は導電性基体は、エンドレス可撓
性ベルト、ウェブ、剛性のシリンダ、シートのような形
態であってよい。

【００１７】基体層の厚みは、所望の強さと、経済的な
条件を含む多くの要因とに依存する。したがって、ドラ
ムにとって、この層は、例えば、大きなｃｍ値のかなり
の厚みであってもよいし、またはｍｍよりも小さい最小
厚みであってもよい。同様に、可撓性ベルトは、例え
ば、約２５０マイクロメーターのようなかなりの厚みを
有してもよい。ただし、最終的な電子写真デバイスに悪
影響がない限りの範囲である。

【００１８】基体の層が導電性でない態様では、その表
面に、導電性コーティングによって導電性を付与しても
よい。導電性コーティングの厚みは、光学的透明性や、
所望のフレキシビリティー、経済的な要因に依存してか
なり広い範囲にわたって変えてよい。

【００１９】必要に応じて、正孔（を）ブロック（す
る）層を基体に設けてもよい。必要に応じて、付着層を
正孔ブロック層に設けてもよい。

【００２０】電荷発生層は、セレンのアモルファスフィ
ルム、セレンと砒素、テルル、ゲルマニウム等とのアロ
イのアモルファスフィルム、水素化アモルファスシリコ
ン、シリコンとゲルマニウム、炭素、酸素、窒素との化
合物、真空蒸発や真空蒸着によって製造される同様なも
のからなっていてもよい。電荷発生層は、結晶セレン及
びそのアロイの無機化合物顔料；ＩＩ−ＶＩ化合物；キ
ナクリドン、ジブロモアンサンスロン顔料、ペリレン、
ペリノンジアミン、多核芳香族キノンのようなポリサイ
クリック顔料、並びにビス−、トリス−及びテトラキス
−アゾ等のアゾ顔料のような有機顔料、フタロシアニ
ン、フィルム形成重合性バインダー中に分散し溶媒コー
ティング技術によって製造される同様なものからなって
いてもよい。

【００２１】任意の適切なポリマーフィルム形成用バイ
ンダー材料は、電荷発生用（光発生用）バインダ層中
で、マトリックスとして使用してもよい。

【００２２】光発生用組成物または顔料は、いろいろな
量で樹脂製のバインダー組成物中に存在する。しかし、
一般に、約５〜約９０容量％の光発生用顔料を約１０〜
約９５％の樹脂製バインダー中に分散する。

【００２３】電荷輸送層は、ポリカーボネートのような
フィルム形成用電気的不活性ポリマー中に溶解又は分子
レベルで分散した電荷輸送（用）小分子を有してもよ
い。任意の適切な電荷輸送又は電気活性小分子が本発明
の電荷輸送層中で使用しうる。電荷輸送「小分子」とい
う表現は、本明細書では、輸送層中にて光で発生した自
由電荷を輸送層を横切って輸送しうるモノマーと定義す
る。典型的な電荷輸送小分子は、例えば、１−フェニル
−３−（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４”
−ジエチルアミノ フェニル）ピラゾリンのようなピラ
ゾリン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−
メチルフェニル）−（１，１’−ジフェニル）−４，
４’−ジアミンのようなジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−
メチル−３−（９−エチル）カルバジルヒドラゾン、及
び４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，２−ジフ
ェニルヒドラゾンのようなヒドラゾン、及び２，５−ビ
ス−（４−Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノフェニル）−１，
２，４−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール、
スチルベン等である。しかし、高い処理量（スループッ
ト）を伴う機械中でのサイクルアップを避けるために、
電荷輸送層は、トリフェニルメタンを（約２％未満と小
さく）実質的になくすべきである。上記したように、適
切な電気活性小分子電荷輸送化合物は、電気不活性重合
性フィルム形成材料中に溶解又は分子レベルで分散す
る。顔料から電荷発生層への正孔の高い効率での注入を
可能とし、且つ大変短い通過時間で正孔を電荷輸送層を
横切って輸送する小分子電荷輸送化合物は、図１の式で
示されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−
メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミンである。

【００２４】電荷輸送層中で電気的活性分子を分散する
ために一般に利用される電気不活性ポリマーバインダー
は、図２によって示される式によって表現されるポリ
（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン）カーボ
ネート（ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートとして
も表現される）である。また、電気不活性ポリマーバイ
ンダーーは、図２３で示される式によって表現されるポ
リ（４，４’−シクロヘキシリデンージフェニレン）カ
ーボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートと
しても表現される）である。

【００２５】オーバーコート層を塗工するために使用さ
れるアルコール溶媒に不溶の任意の適切な電気的に不活
性な樹脂バインダーを、本発明の電荷輸送層に使用して
もよい。典型的な不活性樹脂バインダーは、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエステル、ポリアリーレイト、ポリア
クリレート、ポリエーテル、ポリスルフォン等である。
分子量は、例えば、約２０，０００から約１５０，００
０のように、いろいろ変えうる。任意の適切な電荷輸送
ポリマーも、本発明の電荷輸送層中で使用してもよい。

【００２６】一般に、電荷輸送層の厚みは、約１０〜約
５０マイクロメーターであるが、この範囲外の厚みも利
用できる。一般に、正孔輸送層の厚み：電荷発生層の厚
みは、好ましくは、約２：１から２００：１に維持す
る。幾つかの例では、４００：１ほどの大きさである。
電荷輸送層は、可視光、又は意図される使用の領域での
放射を実質的に非吸収である。しかし、光発生した正孔
の光導電層からの注入を許容する電気的な「活性」であ
る。

【００２７】所望ならば、本発明の電子写真画像形成部
材は、支持部材、電荷発生層、電荷輸送層及びオーバー
コーティング層の代わりに、支持部材、電荷輸送層、電
荷発生層、及びオーバーコート層を有してもよい。電荷
発生層は、電荷輸送層の上に配す場合、電荷発生層の成
分は、本発明のオーバーコート層を塗工するために使用
するアルコール溶媒に不溶であるべきである。

【００２８】本発明のオーバーコート層は、アルコール
に溶けそれからコーティングされる少なくとも１種のポ
リアミドフィルム形成バインダーと、ポリヒドロキシア
リールアミン電荷輸送分子と、安定剤及び電荷輸送分子
としての両方の機能を発揮するヒドロキシトリフェニル
メタン分子とを少なくとも含むべきである。本発明で使
用される全ての成分は、ありふれたアルコール中に溶解
すべきである。オーバーコーティング用混合物中の少な
くとも一成分が、利用される溶媒に不溶であるとき、オ
ーバーコーティングの透明性と、最終フォトレセプタの
電気性能とに悪影響を及ぼすであろう相分離が発生しう
る。

【００２９】ヒドロキシ官能性物質と水素結合を形成す
ることができる、任意の適切なアルコール溶解性ポリア
ミドフィルム形成バインダーが、本発明のオーバコーテ
ィング中で使用しうる。「水素結合」という表現は、分
極したヒドロキシ含有アリールアミン及び水素結合用樹
脂との間で発生する引力又は架橋であって、その中で、
分極したヒドロキシアリールアミンの水素原子が、分極
可能な基を含有する樹脂の２つの対電子に引きつけられ
ているものと定義する。水素原子は、１つの分極分子の
陽極端であり、他の分極分子の電気陰性端と連結する。
本発明のオーバーコーティングに利用されるポリアミド
は、溶媒の除去によってフィルムを形成するに十分な分
子量も有し、またアルコールにも溶けるべきである。一
般に、ポリアミドは、重量平均分子量は、約５，０００
〜約１，０００，０００でありうる。幾つかの種類のポ
リアミドは大気から水を吸収するので、その電気特性
は、ポリヒドロキシアリールアミン電荷輸送モノマーの
不存在下、湿気の変化によって幾らか変わりうる。ポリ
ヒドロキシアリールアミン電荷輸送モノマーの添加によ
って、これらの変動が最小化する。アルコール溶解ポリ
アミドは、複数のヒドロキシ官能基を有する正孔輸送小
分子も溶かすアルコール溶媒中に溶ける能力を有するべ
きである。本発明のポリアミドポリマーは、アミド基Ｃ
ＯＮＨの存在によって特徴付けられる。典型的なポリア
ミドは、アルコール溶解エルヴァミド（Elvamide）及び
エルヴァミドＴＨ樹脂のようなナイロンマルチポリマー
樹脂である色々なエルヴァミドを包含する。エルヴァミ
ド樹脂は、Ｅ．Ｉ．デュポンNemours and Company によ
って入手可能である。他のポリアミド樹脂は、エルヴァ
ミド８０６１、エルヴァミド８０６４、エルヴァミド８
０２３等である。

【００３０】オーバーコート層がポリアミド樹脂バイン
ダー材料のみを含有する場合、その層は、大気中から湿
気を吸収しがちであり、軟化しまたくもるようになる。
これは、オーバコートされたフォトレセプタの電気特
性、サイクル寿命、及び感受性に悪影響を及ぼす。

【００３１】少なくとも２つのヒドロキシ官能基を有す
る、任意の適切なポリヒドロキシジアリールアミン小分
子電荷輸送材料は、本発明のオーバコーティング中で利
用されてよい。好ましい小分子正孔輸送材料は、図３中
に示される次の式によって表しうる。

【００３２】［式中で、ｍは０又は１、Ｚは図４によっ
て示される基からなる群から選ばれ、ｎは０又は１であ
り、Ａｒは図５によって示される基からなる群から選ば
れ、ＲはＣＨ₃ 、Ｃ₂ Ｈ₅ 、Ｃ₃ Ｈ₇ 、Ｃ₄ Ｈ₉ からな
る群から選択され、Ａｒ’は図６によって示された基か
らなる群から選択され、Ｘは図７によって示された基か
らなる群から選択され、ｓは０、１又は２であり、ジヒ
ドロキシアリールアミン化合物では、ＯＨ基と、１以上
の芳香族を介した最も近い窒素原子との間にどのような
直接共役（接合）もない。］ 「直接共役」という表現は、ＯＨ基と、最も近い窒素原
子とのまさに間に存在する１以上の芳香族環中におい
て、図８に示される式を有するセグメントの存在と定義
される。１以上の芳香族を介した、ＯＨ基と、最も近い
窒素原子との間の直接共役の例は、フェニレン基に結合
した窒素原子に関して、フェニレン基上でオルト又はパ
ラ位置（２又は４位置）にＯＨ基を有するフェニレン基
を含有する化合物、または、関連したフェニレン基に結
合した窒素原子に関して、末端のフェニレン基上でオル
ト又はパラ位中に、ＯＨ基を有するポリフェニレン基を
含有する化合物等である。

【００３３】図９に示される２つの構造は、フェニレン
環系を介した窒素との直接共役中にヒドロキシ基がある
具体的な化合物の例示である。

【００３４】本発明のオーバーコート中で利用される典
型的なポリヒドロキシアリールアミン化合物は、例え
ば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒド
ロキシフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，
４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３−ヒ
ドロキシフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，
４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（３−ヒドロキフェニル）
−ｍ−トルイジン、１，１−ビス−［４−（ジ−Ｎ，Ｎ
−ｍ−ヒドロキシフェニル）−アミノフェニル］−シク
ロヘキサン、１，１−ビス−［４−（Ｎ−ｍ−ヒドロキ
シフェニル）−４−（Ｎ−フェニル）−アミノフェニ
ル］−シクロヘキサン、ビス−［（Ｎ−（３−ヒドロキ
シフェニル）−Ｎ−フェニル］−４−アミノフェニル］
−メタン、ビス−（Ｎ−（３−ヒドロキシフェニル）−
Ｎ−フェニル−４−アミノフェニル］−イソプロピリデ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒド
ロキシフェニル）−［１，１’：４’，１”−ターフェ
ニル］−４，４”−ジアミン、９−エチル−３，６−ビ
ス［Ｎ−フェニル−Ｎ−３（３−ヒドロキシフェニル）
−アミノ］−カルバゾール、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ
（３−ヒドロキシフェニル）−アミノ］−フルオレン、
１，６−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（３−ヒドロシフェニル）−
アミノ］−ピレン、１，４−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−
（３−ヒドロシフェニル）］−フェニレンジアミン、こ
れらのポリヒドロキシアリールアミン化合物の幾つかの
構造式は、図１０と１１とに示されている。

【００３５】１以上の芳香族環を介して、ＯＨ基と最も
近い窒素原子との直接共役を含む典型的なヒドロキアリ
ールアミン化合物は、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）［１，１’
−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラ（４−ヒドロキシフェニル）−［１，１’
−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（４
−ヒドロキフェニル）−ｍ−トルイジン、１，１−ビス
−［４−（ジ−Ｎ，Ｎ−ｐ−ヒドロキシフェニル）−ア
ミノフェニル］−シクロヘキサン、１，１−ビス−［４
−（Ｎ−ｏ−ヒドロキシフェニル）−４−（Ｎ−フェニ
ル）−アミノフェニル］−シクロヘキサン、ビス−（Ｎ
−（４−ヒドロキシフェニル）−Ｎ−フェニル−４−ア
ミノフェニル］−メタン、ビス−［（Ｎ−（４−ヒドロ
キシフェニル）−Ｎ−フェニル−４−アミノフェニル］
−イソプロピリデン、ビス−Ｎ，Ｎ−［４’−ヒドロキ
シ−４−（１，１’−ビフェニル）］−アニリン、ビス
−Ｎ，Ｎ−［２’−ヒドロキシ−４−（１，１’−ビフ
ェニル）］−アニリン等である。

【００３６】電荷輸送ポリヒドロキシアリールアミン化
合物は、公知であり、例えば、米国特許第４，８７１，
６３４号中に記載されている。

【００３７】本発明のオーバーコーティング層は、ま
た、少なくとも１種のヒドロキシトリフェニルメタン安
定化材料も含有する。ヒドロキシトリフェニルメタン安
定化剤は少なくとも１つのヒドロキシ官能基、好ましく
は少なくも２つのヒドロキシ官能基を含有すべきであ
る。ヒドロキシトリフェニルメタン安定化分子に結合し
たヒドロキシ官能基の最大数に関してどのような制限も
ないように考えられる。分子のトリフェニルメタン族に
結合したヒドロキシ基は水素結合を形成する能力を持っ
たポリアミドバインダーと非常に強く相互作用するの
で、それらは分離することができない。更に、これらヒ
ドロキシトリフェニルメタン分子は、ポリアミドバイン
ダーとヒドロキシアリールアミンのための溶媒として利
用もしなければならないアルコールに溶解する。オーバ
ーコート中のヒドロキシトリフェニルメタンの存在は、
ヒドロキシアリールアミンとポリアミドバインダーのみ
を含有するオーバーコートに比べて、デレーションに対
してその安定性が増大する。ポリヒドロキシアリールア
ミン小分子輸送分子と、ヒドロキシトリフェニルメタン
と、ポリアミドとのオーバーコート組成物は、残留ビル
ドアップを防止するためオーバーコートに十分な電荷輸
送能力を付与し、また、コロナ誘導化学変化に対する改
善された安定性を付与する。コロナの酸化環境への正確
な安定のための特徴はわからないけれども、安定化機構
は、本明細書ではＯｘとして示される酸化剤への、安定
剤からの電子移送と、続くトリフェニルメタン部分の不
均化反応とが初期に関与するかもしれないと思われる。
図１２にこの例が示される。

【００３８】本発明のヒドロキシトリフェニルメタン安
定化剤分子は、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ が互いに独立
に、次の群から選択される図１３に示される一般式によ
って表される。 −ＣＨ₃ ，−Ｈ，−ＯＨ，−Ｎ（ＣＨ₂ ＣＨ₃ ），

【００３９】

【化１】

【００４０】［式中、Ｒ₈ 、Ｒ₉ 、及びＲ₁₀は 互いに
独立して、Ｈ、−（ＣＨ₂ ）ｎ”’ＣＨ₃ （ｎ”’は０
〜６の整数である）である。］

【００４１】

【化２】

【００４２】［式中、Ｒ₅ 及びＲ₆ は、互いに独立に、
Ｈ、−（ＣＨ₂ ）ｎ””ＣＨ₃ （ｎ””は０〜６の整数
である）である。］

【００４３】

【化３】

【００４４】［式中、Ｒ₇ は、独立に、Ｈ、−（Ｃ
Ｈ₂ ）ｎ””’ＣＨ₃ （ｎ””’及びｍは０〜６の整数
である）である。］ −Ｎ（ＣＨ₃ ）ＣＨ₂ ＣＨ₂ ＯＨ，−Ｎ（ＣＨ₂ ）n Ｃ
Ｈ₃ （ＣＨ₂ ）n ’ＯＨ ［式中、ｎは、０〜６の整
数であり、ｎ’は、０〜６の整数である。］ −Ｎ［（ＣＨ₂ ）ｎ" ＣＨ₂ ＯＨ］₂ ［式中、ｎ"
は、０〜６の整数である。］ これらの中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ の１以上は、少な
くとも１つのヒドロキシ基を含まなければならない。ま
た、 Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ の１以上は、少なくとも
１つのアミノ基を含まなければならない。

【００４５】典型的なヒドロキシトリフェニルメタン安
定剤分子は、図１４〜図２１中の式によって示される。

【００４６】図２２は、ポリヒドロキシアリールアミン
正孔輸送分子と、ヒドロキシトリフェニルアミン電荷輸
送分子と、正孔輸送分子のヒドロキシ官能基と水素結合
を形成する能力があるポリアミドバインダー分子のアミ
ド結合との間の水素結合形成の代表例を示す。

【００４７】本発明のコーティング組成物を塗工するた
めに任意の適切なアルコールが使用されてもよい。選択
するアルコールは、オーバーコーティング層中に使用さ
れるポリヒドロキシアリールアミン、ヒドロキシトリフ
ェニルメタン、及びポリアミドを溶解すべきである。ア
ルコール溶媒は、下塗り層中のどのようなバインダーに
も溶解すべきではない。アルコール溶媒を使用すること
によって、環境ヘのコーティングプロセスの影響が最小
限化される。アルコールは、１分子につき少なくとも１
つのヒドロキシ官能基を含有すべきである。１分子につ
き少なくとも１つのヒドロキシ官能性基を含有する典型
的なアルコールは、例えば、イソプロパノール、メタノ
ール、エタノール、ブタノール、ｎ−プロパノール等で
ある。１分子につき２以上のヒドロキシ基を有するアル
コールは、例えば、グリコール等である。利用されるア
ルコールの量がコーティング組成物の全量の約９９重量
％〜約７０重量％である場合、満足した結果が得られ
る。一般に、利用されるアルコールの最適な量は、オー
バーコーティング材料の塗工に利用されるコーティング
プロセスの種類の個々に依存する。

【００４８】本発明のオーバコート層中のポリアミドポ
リマーセグメントに水素結合したヒドロキシトリフェニ
ルアミン電荷輸送分子とポリヒドロキシアリールアミン
の簡単な記述が、図２２に示されている。その中で、
「ＡＡ」は、ポリヒドロキシアリールアミン分子であ
り、「ＴＰ」はポリヒドロキシトリフェニルメタン分子
を示す。

【００４９】オーバーコート中のポリヒドロキシアリー
ルアミン電荷輸送分子の濃度は、乾燥したオーバーコー
トの全量基準で２０〜約５０重量％としうる。オーバー
コーティング中のポリヒドロキシアリールアミン小分子
正孔輸送分子の割合は、約２０重量％未満である場合、
残留電圧は、サイクルに伴って増大されてバックグラウ
ンドの問題を生じるかもしれない。オーバーコーティン
グ層中のポリヒドロキシアリールアミン小分子電荷輸送
材料の割合が、オーバーコーティング層の全量の約５０
重量％を越える場合、結晶化が起き、結果的に残留サイ
クルアップが生じうる。更に、機械的な特性、磨耗磨滅
特性が否定的に影響を受ける。過剰のポリヒドロキシア
リールアミン材料の存在は、層の、コロナ誘導されたデ
レーションへの感受性を増加しうる。オーバーコート層
中のヒドロキシトリフェニルメタン分子の濃度は、乾燥
したオーバーコートの全量の約０．５重量％〜５０重量
％である。約０．５重量％未満のヒドロキシトリフェニ
ルメタン分子がオーバーコート中に存在するとき、プリ
ントデレーションへの抵抗性という有益な結果が減少す
る。オーバーコーティング層中のヒドロキシトリフェニ
ルメタン小分子電荷輸送材料の割合が、オーバーコーテ
ィング層の全量の約２０重量％よりも多い場合、残留電
圧の増加が、長期のサイクルに伴って見い出されうる。
更に、機械的特性また磨耗磨滅特性が否定的に影響を受
けうる。ヒドロキシアリールアミン及びヒドロキシトリ
アリールメタンの全合計量は、乾燥オーバーコートの全
量の約５〜５０重量％とすべきである。残りは、通常、
ポリアミドバインダーである。

【００５０】任意のコーティング技術を利用して、オー
バーコーティング層を形成してもよい。典型的なコーテ
ィング技術は、スプレー、押し出しコーティング、ロー
ルコーティング、ベニアコーティング、ディップコーテ
ィング、スライドコーティング、スロットコーティン
グ、ワイヤ巻回ロッドコーティング等である。

【００５１】任意の適切な技術を利用してオーバーコー
ティングを乾燥してよい。典型的な乾燥技術は、オーブ
ン乾燥、強制空気オーブン乾燥、放射熱乾燥等である。

【００５２】乾燥オーバーコート層の厚みは、均一且つ
連続とすべきである。それは、単分子の厚みから約１０
マイクロメーターの最大厚さまでの範囲としうる。一般
に、より厚いコーティングは、よりゆっくりとした電子
写真複写機と印刷機のために利用しうる。

【００５３】所望ならば、オーバーコーティング層の外
表面に、うつぼ状パターンの形成を最小化するための組
織又は構造（テキスチャ）を付与してもよい。そのテキ
スチャは、エンボス、乾燥状態の調整などのような任意
の適切な手段によって達成してよい。

【００５４】一般に、電荷輸送分子材料の多量がオーバ
ーコーティング層に添加されたとき、オーバーコーティ
ング層の強度が減少する。意外にも、本発明のオーバー
コーティング層は、少なくとも２つのヒドロキシ官能基
を有するトリフェニルメタン電荷輸送材料及び小分子ア
リールアミンの多量が、本発明のコーティング層に混入
されたとき、より強固になる。２以上のヒドロキシ官能
基を有するアリールアミン電荷輸送材料と、１以上のヒ
ドロキシ官能基を有するトリフェニルメタン電荷輸送材
料と水素結合を達成するために水素結合能を有するポリ
アミドバインダーとブレンドするとき、材料の組み合わ
せが、大気中の湿気のポリアミドポリマーへの吸収を制
限し、それによって水の可塑化効果を低減させる。湿気
は、オーバーコーティングがポリアミドのみを含有する
時、オーバーコーティング磨滅と耐水性を減少する傾向
にある。ポリカーボネートバインダー中に溶解又は分子
レベルで分散する小分子電荷輸送材料を含有するコーテ
ィングとは違って、水素結合したオーバーコート層は組
成的に安定であり、液体インク媒体に晒した場合に相分
離しない。

【００５５】輸送層のためのフィルム形成バインダー
は、オーバーコーティング層のために選択されたアルコ
ール溶媒に溶解すべきでない。例えば、ポリカーボネー
トのような電荷輸送層バインダーはアルコールには溶解
しない。したがって、例えば、図２によって示される式
によって表される構造を有する、ポリ（４，４’−イソ
プロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（つまり、
ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネート）又はポリ
（４，４’−シクロヘキシリデン−ジフェニレン）カー
ボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートとも
称される）は、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプ
ロパノール、メタノール、ブタノール、等のようなアル
コールには溶解しない。ビスフェノール−Ａ−ポリカー
ボネートは、塩化メチレンには溶解し、ビスフェノール
−Ｚ−ポリカーボネートは、トルエンには溶解する。ア
ルコールに不溶な他のポリマーは、例えば、ポリスチレ
ン、ポリエチレンカーボネート、ポリエステル等であ
る。本明細書で使用する「溶解又は溶ける」という表現
は、表面に塗工できるフィルムを形成し、乾燥すると連
続的コーティングを形成する能力と定義する。本明細書
で使用する「不溶または溶けない」という表現は、溶液
を形成する能力がなく、従って、溶媒及び固体が２つの
分離した層中に存在し、連続コーティングが形成できな
いことを定義する。ポリマーの分子量は、例えば、約２
０，０００〜約１５０，０００に変わりうる。

【００５６】オーバーコート層に使用される組成と材料
は、幾つかの要件を満たす必要がある。つまり、（１）
それは、電荷を輸送し、オーバーコートにわたる残留ビ
ルドアップを防止すべきである。（２）それは、オーバ
ーコートを形成するプロセスの間、電荷輸送層にまざる
べきでない。第２の要件は、電荷輸送層とオーバーコー
ト層とのためのバインダーの賢明な選択によって満たす
ことができる。それによって、オーバーコート用のポリ
マーバインダーは、電荷輸送層用のポリマーバインダー
が不溶である溶媒に溶解する。

【００５７】汎用の、電導性接地ストライプのような、
他の適切な層を設けてもよい。 後述の実施例で利用されたテスト手順 磨滅特性 ターンテーブルデバイスに、調整可能なポリウレンタン
ブレードと計量デスペンサとを取付け、５０１２、５０
１４及び１０１２電子写真画像形成機（研磨剤）から、
単一成分現像剤の特定量を、所定の間隔をあけて、回転
するサンプルプラテンに移送した。

【００５８】タコメータとタイマとを使用して、時間経
過したサンプルの回転数を計算した。磨滅は、ナノメー
ター／１キロサイクルの回転（nm/Kc ）で，計算した。
調整標準の再現性は、約＋２nm/Kc であった。サンプル
磨滅は、インターフェランス（干渉）測定デヴァイス、
オオツカゲージによって測定した。 走査特性 各光導電性デバイスを、軸回転するシリンダ状アルミニ
ウドラム基体上に搭載した。このデバイスは、ドラムの
周辺に沿って設けられたクロトロンによって帯電され
る。表面電位は、軸の周りのいろいろな位置に配置され
た容量的に結合した電圧プローブによって時間の関数と
して測定した。これらのプローブは、ドラム基体に既知
の電位を印加することによって調整される。ドラム上の
デバイスは、クロトロンからドラム下流近くの位置に配
置された光源にさらされる。ドラムが回転するに連れ
て、初期（プレ露光）帯電電位は、電圧プルーブ１によ
って測定される。更に回転すると、光導電性デバイスが
既知の強さの単色の放射にさらされる露光ステーション
に導かれる。このデバイスは、帯電の上流位置に配置さ
れた光源によって消去される。なされた測定は、一定の
電流または電位モード中に光導電性デバイスの荷電を含
んでいる。このデバイスは、帯電されて、負の極性コロ
ナになる。ドラムが回転するに連れて、初期帯電電位は
電圧プローブ１によって測定される。更に回転すると、
光導電性デバイスが既知の強さの単色放射にさらされる
露光ステーションに進む。露光後の表面電位は、プロー
ブ２と３とで測定される。このデバイスは、最終的に適
切な強度の消去ランプで露光される。任意の残留電位
は、電圧プローブ４によって測定される。このプロセス
は、次のサイクル中に自動的に変えられる露光量の大き
さを伴って繰り返される。光放散特性は、露光量の関数
として電圧プルーブ２及び３での電位をプロットするこ
とによって得られる。電荷受容と暗色化衰退もスキャナ
によって測定できる。 パーキングデレーション試験 負のクロトロンが、数時間接地された電極に対して（ク
ロトロンワイヤに通じた高い電圧で）動作された。高電
圧は切られ、クロトロンは、３０分間、テストを受ける
光電導性デバイスのセグメント上に置かれた。そうし
て、デバイスのたった１つの短い中央セグメントはクロ
トロンの発出に晒された。露光領域のどちらかの側上の
非露光領域は、対照として利用した。その後、光導電性
デバイスを、ドナータイプ分子を使用するシステム用の
正帯電特性について、スキャナ中でテストした。潜像形
成ステップ中での負に分極したクロトロンを伴うこれら
のシステムを動作した。（過剰な正孔濃度の）電導性表
面領域は、（短い中央セグメントの一方の側の非露光対
照領域に比較して）、露光領域中に、正電荷受容損失ま
たは暗色化衰退の増加として現れた。導電性領域は、デ
バイスの表面上に配置されているので、負の電荷受容ス
キャンは、クロトロン発出露光によって影響を受けない
（負の電荷は、ドナー分子からなる電荷輸送層を通して
移動しない）。しかし、表面上の過剰キャリヤは、表面
導電性を誘導し、像解像の損失をまねく。過酷なときに
は、デレーションを引き起こす。

【００５９】

【実施例】

実施例１ ２０ｃｍ（８インチ）ｘ２０ｃｍ（８インチ）のアルミ
ニウム板磨滅プレートを、９０：１０重量比のイソプロ
ピルアルコールと水との中、０．１重量％のエルバサイ
ト（Elvacite）２００８によって、＃３マイヤー（Maye
r ）ロッドを使用して下塗りした。その後、フード中で
空気乾燥した。８０：２０重量比のメタノール／プロパ
ノール溶液中、１０重量％のポリアミド（エルヴァミド
8061、Ｅ．Ｉ．デュポンNemours ＆ Co．から入手可
能）の１０ｇと、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−ヒドロキシフェニル）−［１，１’−ビフェニ
ル］−４，４’−ジアミン（ジヒドロキシアリールアミ
ンの一種）の１．０ｇを約２時間ロールミル粉砕した。
その後、使用の前に数時間放置した。このコーティング
溶液を＃７５メイヤーロッドを使用して、下塗りされた
プレートに塗工した。この塗工されたフィルムを、約３
０分〜１時間の間、（ファン動作なく）フード中、カバ
ーをした下で乾燥した。このカバーを除去して、サンプ
ルを７０℃、１時間で乾燥した。その後、２時間１２５
℃で乾燥した。乾燥したコーティングの厚みは、２５．
０マイクロメータであった。磨滅特性テストにかけたと
ころ、磨耗データはｋサイクロ当たり８ナノメータの磨
耗であった。 実施例２ 実施例１に記載した操作を、９０：１０重量比のメタノ
ール／プロパノール溶液中、０．１重量％のポリアミド
溶液（エルヴァミド8061、Ｅ．Ｉ．デュポンNemours ＆
Co．から入手可能）の８．０ｇと、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシフェニル）−
［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ジヒ
ドロキシアリールアミンの１種）の０．８ｇとをロール
ミル粉砕したこと以外は、同じ材料及び条件とで繰り返
した。その後、実施例１中でのように放置した。このコ
ーティング溶液を＃６０メイヤーロッドを使用して、下
塗りされたプレートに塗布した。この塗布されたフィル
ムを約１時間フード中で（ファンを作動せず）カバーの
下で乾燥した。このカバーを除去して、サンプルを４５
分間、１２５℃でオーブン乾燥した。乾燥したコーティ
ング厚みは９．５マイクロメーターであった。磨滅特性
テストにかけると磨滅データはｋサイクル当たり６ナノ
メーターあった。 実施例３ ９０：１０重量比のメタノール／１，１，２−トリクロ
ロエタン溶液中、１０重量％のポリアミド溶液（エルヴ
ァミド8061、Ｅ．Ｉ．デュポンNemours ＆ Co．から入
手可能）の７．０ｇと、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシフェニル）−［１，１’−
ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ジヒドロキシアリ
ールアミンの１種）の０．７ｇとをロールミルで約１時
間粉砕し、その後、２時間放置した以外は、同じ材料及
び条件とで実施例１に記載した操作を、繰り返した。こ
のコーティング溶液を＃７５メイヤーロッドを使用して
下塗りされた板に塗布した。この塗布されたフィルム
を、約３０分間開放フード中で（ファンを作動せずに）
カバーをした下、乾燥し、その後、約３０分間ファンを
作動してそのフード中で乾燥した。これを１時間、５０
℃°のオーブンの中で乾燥し、更に２時間、１２５°℃
のオーブンで乾燥した。乾燥したコーティング厚みは２
０．５マイクロメーターであった。磨滅特性テストにか
けると磨滅データはｋサイクル当たり７ナノメーターあ
った。 実施例４ 実施例１で記載したような下塗りされたサンプルプレー
トを調製した。１０重量％のポリカーボネート（Makrol
on、マクロロン）溶液の１０ｇと、Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチル−フェニル）−［１，１’−ビフェニル］−
４，４’−ジアミンの１ｇとを約２４時間混合した。こ
のコーティング溶液を＃５０マイヤーロッドを使用し
て、下塗りされたプレートに塗布した。この塗布された
フィルムを約３０分間、８０℃で強制的に空気を送った
オーブン中で乾燥した。乾燥したコーティングの厚みは
１５マイクロメーターであった。磨滅特性テストにかけ
ると、磨滅データはｋサイクルにつき２７ナノメーター
であった。 実施例５ フォトレセプタサンプルを汎用の技術を利用してコーテ
ィングを形成することによって調製した。このサンプル
は、バインダー中に分散した導電性粒子を含有する電荷
発生層と、６０重量％のポリカーボネート樹脂［ポリ
（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレンカーボネ
ート、ファーベンファブリッケンバイヤー・アー・ゲー
からマクロロンとして入手可能］中、４０重量％のＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェ
ニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ンを含有する電荷輸送層とを有していた。Ｎ，Ｎ’−ジ
フニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）−
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンは、電
荷活性芳香族ジアミン電荷輸送小分子であり、一方、当
該ポリカーボネート樹脂は電気不活性フィルム形成バイ
ンダーである。サンプルの長さの半分を、１：１のメタ
ノール／ｎ−プロパノール中に２０重量％の固体溶液を
形成するために溶かした、５０重量％のポリアミド（エ
ルヴァミド8061、Ｅ．Ｉ．デュポンNemours ＆ Co．か
ら入手可能）、４５重量％のＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシフェニル）−［１，
１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ジヒドロキ
シアリールアミンの１種）、５重量％のトリフェニルメ
タン（図１８に示されている式）のオーバーコートでコ
ートした。コートされたサンプルは空気を強制的に送っ
たオーブン中で乾燥して、オーバーコート層を形成し
た。ＰＩＤＣ特性の電気テストをオーバーコートのある
領域とない領域とで実施した。オーバーコート側の残留
物は、多くのサイクルの後でさえ、オーバーコートのな
い側で測定したものと均等であった。このプリント品質
は、等価であった。 実施例６ 本発明のオーバーコートでコートされた半分が、高いＲ
Ｈ（相対湿度）大気中で問題を起こすかどうかを決定す
るために、ドラムを２７℃（８０°Ｆ）、８０％ＲＨ雰
囲気の状態とした後、プリントテストを実施した。プリ
ントの品質は、コートされていない半分と等価であっ
た。 実施例７ 磨滅テストを、４０重量％のＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）−（１，１’
−ビフェニル）−４，４’−ジアミンと、６０重量％の
ポリカーボネートとを含有する電荷輸送層でコートされ
たサンプルで実施した。メタノール／ｎ−プロパノール
（１：１）中に溶けた、５０重量％のポリアミド（エル
ヴァミド8061、Ｅ．Ｉ．デュポンNemours ＆ Co．から
入手可能）と、４５重量％のＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシフェニル）−［１，
１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（１つのジヒ
ドロキシアリールアミン）と、５重量％のトリフェニル
メタン（図１８に示された式）とのオーバーコートで、
サンプルの電荷輸送層の半分と他の半分とをコートし
た。コーティングと乾燥の後、磨滅率は上記したテスト
を利用して測定した。オーバーコートされた領域中の磨
滅はオーバーコートされていない領域と比較して１／３
〜１／４倍であった。 実施例８ コロナ誘導デレーション特性テストを実施例７に記載し
た物と同一のドラムで実施した。このテストは、実施例
の導入部に記載した。劇的な改良がオーバーコートされ
た側で観察できた。 実施例９ 実施例７に記載したのと同じドラムの液体インク親和性
を、ドラムをイソパー（Isopar）に浸すことによってテ
ストした。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミンの分子は、オーバーコートなしの領域で
は、幾分かの内に侵出が始まったが、オーバーコートの
ある側では吸収の数日後でさえ、安定なままであった。 実施例１０ バインダー中に分散した光導性電分子の電荷発生層と、
ポリカーボネート中にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミンを含有する電荷輸送層とを有
する有機フォトレセプタドラムを、５０重量％のＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシフ
ェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジア
ミン５０重量％と、ポリアミド（エルヴァミド８０６
１）５０重量％を含有し最終乾燥厚みが３．０ミクロン
であるオーバーコートで、ドラムの表面の半分の上に、
オーバーコートした。数千回の連続的な長期プリントテ
ストによれば、ドラム表面のオーバーコートされた部分
のみに微細線デレーションの形跡が観られた。 実施例１１ バインダー中に分散した光導性電分子の電荷発生層と、
ポリカーボネート中にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミンを含有する電荷輸送層とを有
する有機フォトレセプタドラムを、４０重量％のＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−ヒドロキシフ
ェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジア
ミン、１０重量％のジヒドロキシトリフェニルメタン、
及び、５０重量％のポリアミド（エルヴァミド８０６
１）を含有し、最終乾燥厚みが３．０マイクロメーター
であるオーバーコートで、ドラムの表面の半分上に、オ
ーバーコートした。数千回の連続的な長期プリントテス
トでは、オーバーコートされていないコロナ領域と同等
に、ドラムのオーバーコートされた部分上で、デレーシ
ョンは認められなかった。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、最終画像の背景領域内
での濃度の増大やサイクルの不安定性等がなく、コロナ
発出により誘導されるデレーションに対する抵抗性の改
良された電子写真画像形成部材が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】芳香族ジアミン分子の構造式を示す図である。

【図２】ポリカーボネートバインダーセグメントの構造
式を示す図である。

【図３】小分子正孔輸送ヒドロキシアリールアミンの一
般的な構造式を示す図である。

【図４】小分子正孔輸送ヒドロキシアリールアミンの一
般的な構造式、特にその中の置換基を示す図である。

【図５】小分子正孔輸送ヒドロキシアリールアミンの一
般的な構造式、特にその中の置換基を示す図である。

【図６】小分子正孔輸送ヒドロキシアリールアミンの一
般的な構造式、特にその中の置換基を示す図である。

【図７】小分子正孔輸送ヒドロキシアリールアミンの一
般的な構造式、特にその中の置換基を示す図である。

【図８】直接共役セグメントの構造式を示す図である。

【図９】ヒドロキシ基がフェニレン環系を介して窒素と
直接共役している化合物の、特にその中の置換の構造式
を示す図である。

【図１０】ヒドロキシアリールアミンの構造式を示す図
である。

【図１１】ヒドロキシアリールアミンの構造式を示す図
である。

【図１２】安定剤から酸化剤への電子遷移を示す図であ
る。

【図１３】ヒドロキシトリフェニルメタンの一般的な構
造式を示す図である。

【図１４】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図１５】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図１６】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図１７】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図１８】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図１９】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図２０】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図２１】ヒドロキシトリフェニルメタンの構造式を示
す図である。

【図２２】本発明のオーバーコート層中でポリアミドポ
リマーセグメントと水素結合したヒドロキシトリフェニ
ルアミン電荷輸送分子とヒドロキシアリールアミンの簡
略図である。

【図２３】ポリカーボネートバインダーの構造式を示す
図である。

フロントページの続き (72)発明者 ダモダー エム．パイ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14450 フェアポート シャグバーク ウェイ 72 (72)発明者 ジョン エフ．ヤヌス アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター リトル バードフィール ド ロード 924 (72)発明者 デイル エス．レンファー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター カントリー メノア ウ ェイ 192 ナンバー 19 (72)発明者 ポール ジェイ．デフェオ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14555 ソダス ポイント ノース フィッツー ストリート 7538 (72)発明者 ウィリアム ダブリュ．リンバーグ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14526 ペンフィールド クリアービュー ドラ イヴ 66

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体と；電荷発生層と；電荷輸送層と；
   少なくとも２つのヒドロキシ官能基を有する正孔輸送ヒ
   ドロキシアリールアミンと、少なくとも１つのヒドロキ
   シ官能基を有するヒドロキシトリフェニルメタン化合物
   と、前記ヒドロキシアリールアミン化合物と前記ヒドロ
   キシトリフェニルメタン化合物との前記ヒドロキシ官能
   基と水素結合を形成することができるポリアミドフィル
   ム形成バインダーとを含有してなるオーバーコート層
   と；を有してなる電子写真画像形成部材。
2. 【請求項２】 電子写真画像形成部材の製造方法であっ
   て、アルコール不溶性ポリマーバインダーの溶液中に分
   散した電荷輸送分子を有する電荷輸送層と電荷発生層と
   でコーティングされた基体を提供する工程、電荷輸送層
   の上に、少なくとも２つのヒドロキシ官能基を有するヒ
   ドロキシアリールアミンと、少なくとも１つのヒドロキ
   シ官能基を有すヒドロキシトリフェニルメタン化合物
   と、前記ヒドロキシアリールアミン化合物と前記ヒドロ
   キシトリフェニルメタン化合物との前記ヒドロキシ官能
   基と水素結合を形成することができるポリアミドフィル
   ム形成バインダーとを含有してなり、それらを溶解して
   いる溶媒がアルコールである溶液のコーティングを形成
   する工程と、当該コーティングを乾燥して、前記アルコ
   ール溶媒を除去し、実質的に乾燥したオーバーコート層
   を形成する工程を有する電子写真画像形成部材の製造方
   法。