JPH07249712A - 窒化アルミニウム基板上に抵抗性導電パターンを形成する方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板上に抵抗性導電パターンを形成する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＲＦ半導体デバイス等の高周波半導体デバイ
スに用いられる窒化アルミニウム基板に抵抗性の導電パ
ターンを形成する方法を得る。 【構成】 窒化アルミニウム基板に抵抗性の接着促進膜
を形成する方法は、窒化アルミニウム基板を準備し、次
にその上に抵抗性のクロムを含有する膜を形成する段階
を含む。次に、前記抵抗性の膜に耐熱性の金属層を形成
する。耐熱金属層がひとたび形成されると、耐熱金属層
および抵抗性膜は所望の形状にパターン化される。１以
上の導電層が前記パターン化された耐熱金属層に形成さ
れて、半導体ダイが電気的に接続される導電パターンと
して機能する。抵抗は導電パターンのラインの間に形成
される。抵抗は抵抗性膜から形成される。
スに用いられる窒化アルミニウム基板に抵抗性の導電パ
ターンを形成する方法を得る。 【構成】 窒化アルミニウム基板に抵抗性の接着促進膜
を形成する方法は、窒化アルミニウム基板を準備し、次
にその上に抵抗性のクロムを含有する膜を形成する段階
を含む。次に、前記抵抗性の膜に耐熱性の金属層を形成
する。耐熱金属層がひとたび形成されると、耐熱金属層
および抵抗性膜は所望の形状にパターン化される。１以
上の導電層が前記パターン化された耐熱金属層に形成さ
れて、半導体ダイが電気的に接続される導電パターンと
して機能する。抵抗は導電パターンのラインの間に形成
される。抵抗は抵抗性膜から形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体装置に関
し、さらに詳細には窒化アルミニウム基板上に導電パタ
ーンを形成する方法に関する。
し、さらに詳細には窒化アルミニウム基板上に導電パタ
ーンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＲＦデバイスのような高周波半導体デバ
イスは従来技術としてよく知られている。多くの高周波
パッケージには、通常、半導体を実際に取付けるための
絶縁基板が用いられている。この絶縁基板には半導体ダ
イを電気的に、通常はワイヤボンディングの方法によっ
て接続するための導電パターンがよく設けられている。
イスは従来技術としてよく知られている。多くの高周波
パッケージには、通常、半導体を実際に取付けるための
絶縁基板が用いられている。この絶縁基板には半導体ダ
イを電気的に、通常はワイヤボンディングの方法によっ
て接続するための導電パターンがよく設けられている。
【０００３】酸化ベリリウム（BeO）はＲＦデバイスの
絶縁基板にしばしば用いられるセラミック材料としてよ
く知られている。酸化ベリリウムは非常によい熱伝導性
を有する点で好ましい材料である。しかしながら、酸化
ベリリウムは非常に高価であり、使いづらいという欠点
がある。さらに、酸化ベリリウムは粉末状態では有毒で
あり、この問題からその使用に関して政府による規制が
厳しくなっている。酸化ベリリウム等のセラミックスを
用いたＲＦパッケージは周波数調整が比較的困難である
という欠点がある。これらの酸化ベリリウムに関する問
題点から、当該技術分野においては高周波デバイスの基
板として用いることのできるその他の絶縁材料が研究さ
れてきた。
絶縁基板にしばしば用いられるセラミック材料としてよ
く知られている。酸化ベリリウムは非常によい熱伝導性
を有する点で好ましい材料である。しかしながら、酸化
ベリリウムは非常に高価であり、使いづらいという欠点
がある。さらに、酸化ベリリウムは粉末状態では有毒で
あり、この問題からその使用に関して政府による規制が
厳しくなっている。酸化ベリリウム等のセラミックスを
用いたＲＦパッケージは周波数調整が比較的困難である
という欠点がある。これらの酸化ベリリウムに関する問
題点から、当該技術分野においては高周波デバイスの基
板として用いることのできるその他の絶縁材料が研究さ
れてきた。
【０００４】酸化アルミニウム（Al2O3）がＲＦパッケ
ージの基板材料として研究されている。酸化アルミニウ
ムハ数多くのよい特性を持ってはいるが、その熱伝導性
がよくないので高周波におけるさまざまな応用において
は不適当である。
ージの基板材料として研究されている。酸化アルミニウ
ムハ数多くのよい特性を持ってはいるが、その熱伝導性
がよくないので高周波におけるさまざまな応用において
は不適当である。
【０００５】窒化アルミニウム基板はこれまでにも使用
されている。歴史的には窒化アルミニウム基板は厚膜プ
ロセスとともに用いられている。そのような厚膜プロセ
スの１つではモリブデン／マンガン・フィルムの転写
（スクリーニング）そして接着のための燃焼を用いる。
このフィルムは通常１ミル以上の厚みを持つ。モリブデ
ン／マンガン転写膜が形成されると、ニッケル／金のよ
うな金属化組織がモリブデン／マンガン転写膜の上に形
成される。窒化アルミニウムは金属に対する接着性が非
常にわるいので、この転写膜は厚膜プロセスにおいては
欠かせないものである。この厚い転写膜の必要性は、そ
れによって半導体パッケージの大きさを肥大化し、また
電気特性に深刻な問題を引き起こすことから、望ましい
ことではない。さらに、モリブデン／マンガン転写膜は
抵抗性のものではないので、抵抗特性をこれから得るこ
とはできない。
されている。歴史的には窒化アルミニウム基板は厚膜プ
ロセスとともに用いられている。そのような厚膜プロセ
スの１つではモリブデン／マンガン・フィルムの転写
（スクリーニング）そして接着のための燃焼を用いる。
このフィルムは通常１ミル以上の厚みを持つ。モリブデ
ン／マンガン転写膜が形成されると、ニッケル／金のよ
うな金属化組織がモリブデン／マンガン転写膜の上に形
成される。窒化アルミニウムは金属に対する接着性が非
常にわるいので、この転写膜は厚膜プロセスにおいては
欠かせないものである。この厚い転写膜の必要性は、そ
れによって半導体パッケージの大きさを肥大化し、また
電気特性に深刻な問題を引き起こすことから、望ましい
ことではない。さらに、モリブデン／マンガン転写膜は
抵抗性のものではないので、抵抗特性をこれから得るこ
とはできない。
【０００６】窒化アルミニウムを用いた様々な薄膜プロ
セスが研究されている。そのような薄膜プロセスの１つ
ではチタンまたはタングステンの膜を窒化アルミニウム
基板上にスパッタリングし、続けてこの膜を焼き付け
る。チタンまたはタングステンのスパッタリングには反
応性スパッタリングが使用できる。この反応性スパッタ
リングは、窒化アルミニウム基板と金属膜との間に窒化
物が形成されるように温度およびガスが制御される制御
容器内で通常実行される。この窒化物の働きによって基
板と金属膜は接着される。この方法における欠点はチタ
ンもタングステンも抵抗性の材料でないので、多くの所
望の抵抗特性が得られないということである。
セスが研究されている。そのような薄膜プロセスの１つ
ではチタンまたはタングステンの膜を窒化アルミニウム
基板上にスパッタリングし、続けてこの膜を焼き付け
る。チタンまたはタングステンのスパッタリングには反
応性スパッタリングが使用できる。この反応性スパッタ
リングは、窒化アルミニウム基板と金属膜との間に窒化
物が形成されるように温度およびガスが制御される制御
容器内で通常実行される。この窒化物の働きによって基
板と金属膜は接着される。この方法における欠点はチタ
ンもタングステンも抵抗性の材料でないので、多くの所
望の抵抗特性が得られないということである。
【０００７】
【解決すべき課題】したがって、これら従来技術の制限
を克服する、窒化アルミニウム基板に抵抗性の導電パタ
ーンを形成する手法を得ることは非常に望ましいことで
ある。
を克服する、窒化アルミニウム基板に抵抗性の導電パタ
ーンを形成する手法を得ることは非常に望ましいことで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】窒化アルミニウム基板に
抵抗性の接着促進膜を形成する方法であって、窒化アル
ミニウム基板を準備し、次にその上に抵抗性のクロムを
含有する膜を形成する段階を含む。次に、前記抵抗性の
膜に耐熱性の金属層を形成する。耐熱金属層がひとたび
形成されると、耐熱金属層および抵抗性膜は所望の形状
にパターン化される。１以上の導電層が前記パターン化
された耐熱金属層に形成されて、半導体ダイが電気的に
接続される導電パターンとして機能する。抵抗は導電パ
ターンのラインの間に形成される。抵抗は抵抗性膜から
形成される。
抵抗性の接着促進膜を形成する方法であって、窒化アル
ミニウム基板を準備し、次にその上に抵抗性のクロムを
含有する膜を形成する段階を含む。次に、前記抵抗性の
膜に耐熱性の金属層を形成する。耐熱金属層がひとたび
形成されると、耐熱金属層および抵抗性膜は所望の形状
にパターン化される。１以上の導電層が前記パターン化
された耐熱金属層に形成されて、半導体ダイが電気的に
接続される導電パターンとして機能する。抵抗は導電パ
ターンのラインの間に形成される。抵抗は抵抗性膜から
形成される。
【０００９】
【実施例】図１は半導体パッケージ１０の一部を拡大平
面図で示したものである。半導体パッケージ１０は半導
体ダイ１４がその上に配置された窒化アルミニウム基板
を含む。さらにこの図において基板１２上にパターン化
された導電ライン１６およびこれら様々な導電ライン１
６の間に設けられた薄膜抵抗１８が示されている。
面図で示したものである。半導体パッケージ１０は半導
体ダイ１４がその上に配置された窒化アルミニウム基板
を含む。さらにこの図において基板１２上にパターン化
された導電ライン１６およびこれら様々な導電ライン１
６の間に設けられた薄膜抵抗１８が示されている。
【００１０】図示された半導体パッケージ１０の一部分
は、一般的にはＲＦパッケージのような高周波パッケー
ジの一部である。基板１２は典型的には金属頭部（ヘッ
ダー）またはヒートシンクに取付けられ、リードはこれ
らの部材から伸びるように設けられる。導電ライン１６
は導電ライン１６はこれらのリードに電気的に、通常は
ワイヤボンディングで結合される。次に、導電ライン１
６は半導体ダイ１４に電気的に結合される。半導体ダイ
全体が組み立てられると、蓋部が半導体ダイ１４、導電
ライン１６および抵抗器１８を含む基板１２を覆うよう
に配置される。窒化アルミニウムは高周波パッケージの
基板１２として用いるのに非常に好適な材料である。窒
化アルミニウムはこの型のパッケージに必要な好適な熱
伝導特性を有している。さらに、窒化アルミニウムは比
較的安価であり、取り扱いが容易で、有毒でも危険物で
もない。しかしながら、窒化アルミニウムは一般に金属
に対しての接着性が貧弱であり、様々な厚膜や反応性ス
パッタリングプロセスを利用しなければならない。
は、一般的にはＲＦパッケージのような高周波パッケー
ジの一部である。基板１２は典型的には金属頭部（ヘッ
ダー）またはヒートシンクに取付けられ、リードはこれ
らの部材から伸びるように設けられる。導電ライン１６
は導電ライン１６はこれらのリードに電気的に、通常は
ワイヤボンディングで結合される。次に、導電ライン１
６は半導体ダイ１４に電気的に結合される。半導体ダイ
全体が組み立てられると、蓋部が半導体ダイ１４、導電
ライン１６および抵抗器１８を含む基板１２を覆うよう
に配置される。窒化アルミニウムは高周波パッケージの
基板１２として用いるのに非常に好適な材料である。窒
化アルミニウムはこの型のパッケージに必要な好適な熱
伝導特性を有している。さらに、窒化アルミニウムは比
較的安価であり、取り扱いが容易で、有毒でも危険物で
もない。しかしながら、窒化アルミニウムは一般に金属
に対しての接着性が貧弱であり、様々な厚膜や反応性ス
パッタリングプロセスを利用しなければならない。
【００１１】図示された半導体パッケージ１０の一部分
の製造方法を以下で詳説する。まず最初に、窒化アルミ
ニウム基板１２が用意される。窒化アルミニウム基板１
２は清浄されて、表面には不純物は残っていない状態で
ある。一般的な清浄プロセスは基板１２をアセトンで洗
浄し、次にＤＩ水の中でスピンリンスドライを実行す
る。前記スピンリンスドライに続いて、基板１２は摂氏
３００度で３０分間ベークされる。このベークによって
基板１２は完全に乾燥する。
の製造方法を以下で詳説する。まず最初に、窒化アルミ
ニウム基板１２が用意される。窒化アルミニウム基板１
２は清浄されて、表面には不純物は残っていない状態で
ある。一般的な清浄プロセスは基板１２をアセトンで洗
浄し、次にＤＩ水の中でスピンリンスドライを実行す
る。前記スピンリンスドライに続いて、基板１２は摂氏
３００度で３０分間ベークされる。このベークによって
基板１２は完全に乾燥する。
【００１２】清浄工程に続いて、抵抗性のクロムを含む
膜が窒化アルミニウム基板１２上に形成される。一酸化
硅素クロム（CrSiO）が好適な膜である。この一酸化硅
素クロム膜はアルゴン雰囲気中ＲＦスパッタリングの方
法で基板１２に形成される。これは当該技術分野におい
ては周知の方法である。好適には、一酸化硅素クロムを
デポジションするのには、９０％のクロムと１０％の一
酸化硅素との組み合わせがターゲットとして用いられ
る。この一酸化硅素クロム膜は１５００オングストロー
ム以下の厚さであるべきであり、さらに３００から６０
０オングストローム程度の範囲の厚さであるのが望まし
い。さらにより好適には４００から５００オングストロ
ームの厚さが得られるのがよい。一酸化硅素クロム膜は
単位面積当り１００から１５０オームの範囲の面抵抗率
を有し、さらに好適には単位面積につき１２７オームの
面抵抗率を有する。ここで理解されるべきは、この一酸
化硅素クロム膜の抵抗率は特定の用途に対応して変化さ
せうるということである。
膜が窒化アルミニウム基板１２上に形成される。一酸化
硅素クロム（CrSiO）が好適な膜である。この一酸化硅
素クロム膜はアルゴン雰囲気中ＲＦスパッタリングの方
法で基板１２に形成される。これは当該技術分野におい
ては周知の方法である。好適には、一酸化硅素クロムを
デポジションするのには、９０％のクロムと１０％の一
酸化硅素との組み合わせがターゲットとして用いられ
る。この一酸化硅素クロム膜は１５００オングストロー
ム以下の厚さであるべきであり、さらに３００から６０
０オングストローム程度の範囲の厚さであるのが望まし
い。さらにより好適には４００から５００オングストロ
ームの厚さが得られるのがよい。一酸化硅素クロム膜は
単位面積当り１００から１５０オームの範囲の面抵抗率
を有し、さらに好適には単位面積につき１２７オームの
面抵抗率を有する。ここで理解されるべきは、この一酸
化硅素クロム膜の抵抗率は特定の用途に対応して変化さ
せうるということである。
【００１３】一酸化硅素クロムは窒化アルミニウム基板
１２に対して非常によい接着性を持っている。窒化アル
ミニウム上に一酸化硅素クロムがデポジションされる
と、それはCr2O3-Siとなって堆積する。つまり、オキシ
窒化アルミナが形成されるために窒化アルミニウム表面
への粘着性が非常に優れているのである。この抵抗性の
クロム含有膜によって、基板１２上に直接に薄膜抵抗１
８を形成することが可能になる。抵抗１８は所望の電気
的特性を得るためにパッケージ１０のような高周波半導
体パッケージには非常に望ましいものである。
１２に対して非常によい接着性を持っている。窒化アル
ミニウム上に一酸化硅素クロムがデポジションされる
と、それはCr2O3-Siとなって堆積する。つまり、オキシ
窒化アルミナが形成されるために窒化アルミニウム表面
への粘着性が非常に優れているのである。この抵抗性の
クロム含有膜によって、基板１２上に直接に薄膜抵抗１
８を形成することが可能になる。抵抗１８は所望の電気
的特性を得るためにパッケージ１０のような高周波半導
体パッケージには非常に望ましいものである。
【００１４】抵抗性のクロム含有膜の形成に続いて、耐
熱性の金属層が抵抗膜の上に形成される。この耐熱金属
膜は好適には金を含んで成るが、その他の耐熱金属も使
用可能である。この耐熱金属層は好適には２００から２
０００オングストローム程度の厚さを持つが、もっとも
好適には１０００オングストロームのオーダーである。
この耐熱金属層の抵抗膜へのデポジションは、抵抗膜が
デポジションされた際の真空状態を維持したまま行うの
が望ましい。これにより予測しうる汚染による問題を避
けることができる。この耐熱金属層はこれから述べる導
電層のための接着促進層として働く。しかしながら、理
解されるべきは、抵抗膜の上に形成された耐熱金属層を
単独で導電ライン１６として用いることが可能であると
いうことである。
熱性の金属層が抵抗膜の上に形成される。この耐熱金属
膜は好適には金を含んで成るが、その他の耐熱金属も使
用可能である。この耐熱金属層は好適には２００から２
０００オングストローム程度の厚さを持つが、もっとも
好適には１０００オングストロームのオーダーである。
この耐熱金属層の抵抗膜へのデポジションは、抵抗膜が
デポジションされた際の真空状態を維持したまま行うの
が望ましい。これにより予測しうる汚染による問題を避
けることができる。この耐熱金属層はこれから述べる導
電層のための接着促進層として働く。しかしながら、理
解されるべきは、抵抗膜の上に形成された耐熱金属層を
単独で導電ライン１６として用いることが可能であると
いうことである。
【００１５】耐熱金属層の形成に続いて、耐熱金属層お
よび抵抗膜はともに導電ライン１６のパターンを定義す
るためにフォトレジストでパターン化される。次に１つ
またはそれ以上の導電層がパターン化された耐熱金属層
の上に形成される。好適には、この１またはそれ以上の
導電層は金属または金属組織から構成される。好適実施
例においては、銅の層が耐熱金属層上に形成され、ニッ
ケル層がこの銅の層上に形成され、さらに金の層がこの
ニッケル層上に形成される。これら導電層は好適にはパ
ターン化された耐熱金属層の上にめっきされる。ここで
理解されるべきは、めっきの際にフォトレジストのパタ
ーンによって窒化アルミニウム基板にはめっきが行われ
ず、めっきがおこなわれるのは耐熱金属層のパターン化
された部分だけであるということである。ここでは金属
導電層について説明しているが、その他の導電材料も使
用可能であることは理解されるであろう。導電ライン１
６は抵抗膜、耐熱性金属層、およびパターン化された導
電層を含んで構成されている。
よび抵抗膜はともに導電ライン１６のパターンを定義す
るためにフォトレジストでパターン化される。次に１つ
またはそれ以上の導電層がパターン化された耐熱金属層
の上に形成される。好適には、この１またはそれ以上の
導電層は金属または金属組織から構成される。好適実施
例においては、銅の層が耐熱金属層上に形成され、ニッ
ケル層がこの銅の層上に形成され、さらに金の層がこの
ニッケル層上に形成される。これら導電層は好適にはパ
ターン化された耐熱金属層の上にめっきされる。ここで
理解されるべきは、めっきの際にフォトレジストのパタ
ーンによって窒化アルミニウム基板にはめっきが行われ
ず、めっきがおこなわれるのは耐熱金属層のパターン化
された部分だけであるということである。ここでは金属
導電層について説明しているが、その他の導電材料も使
用可能であることは理解されるであろう。導電ライン１
６は抵抗膜、耐熱性金属層、およびパターン化された導
電層を含んで構成されている。
【００１６】導電ライン１６の形成に続いて、抵抗１８
が形成される。導電ライン１６をパターン化するのに用
いたフォトレジスト層を取り除いた後、第２フォトレジ
ストパターンを用いて抵抗１８が定義される。耐熱金属
層および抵抗膜のパターン化もめっきもされていない部
分は取り除かれて、導電ライン１６も抵抗１８も形成さ
れない部分については基板１２が露出させる。この第２
のフォトレジスト層は取り除かれ、抵抗パターン１８に
配置された耐熱金属層の部分は取り除かれてクロム含有
膜からなる抵抗１８が残される。抵抗１８はそれらの大
きさや抵抗膜の面抵抗を変えることによって、所望の値
を得るように製造可能である。さらに、抵抗１８はある
特定の値にレーザーを用いて調整可能である。
が形成される。導電ライン１６をパターン化するのに用
いたフォトレジスト層を取り除いた後、第２フォトレジ
ストパターンを用いて抵抗１８が定義される。耐熱金属
層および抵抗膜のパターン化もめっきもされていない部
分は取り除かれて、導電ライン１６も抵抗１８も形成さ
れない部分については基板１２が露出させる。この第２
のフォトレジスト層は取り除かれ、抵抗パターン１８に
配置された耐熱金属層の部分は取り除かれてクロム含有
膜からなる抵抗１８が残される。抵抗１８はそれらの大
きさや抵抗膜の面抵抗を変えることによって、所望の値
を得るように製造可能である。さらに、抵抗１８はある
特定の値にレーザーを用いて調整可能である。
【００１７】次に、半導体ダイ１４は窒化アルミニウム
基板１２に取付けられ、導電ライン１６に電気的に結合
される。半導体１４は不導電性のダイ取付用材料を用い
て取付け可能であり、次に導電ライン１６にワイヤボン
ディングされる。これとは逆に、接着パッドまたはそれ
に類似した半導体１４の裏側に設置されるものによって
導電ライン１６に直接結合することもできる。ボールボ
ンディング技術およびそれらに類似したこの種の電気的
結合を可能にする技術はすでによく知られているもので
ある。
基板１２に取付けられ、導電ライン１６に電気的に結合
される。半導体１４は不導電性のダイ取付用材料を用い
て取付け可能であり、次に導電ライン１６にワイヤボン
ディングされる。これとは逆に、接着パッドまたはそれ
に類似した半導体１４の裏側に設置されるものによって
導電ライン１６に直接結合することもできる。ボールボ
ンディング技術およびそれらに類似したこの種の電気的
結合を可能にする技術はすでによく知られているもので
ある。
【００１８】ここで説明した発明によって導電ライン１
６および抵抗１８を窒化アルミニウム基板１２上に形成
することが可能になる。クロムを含む抵抗膜はさらに窒
化アルミニウム基板１２に対して非常によく接着する。
耐熱金属層は抵抗膜に対して非常によく接着し、その上
にさらに耐熱金属層に接着する追加の導電層を形成する
ことを可能にする。さらに、耐熱金属層の形成によって
その上にさらに追加の金属導電層をめっきすることが可
能になる。ここで説明した種類のパッケージはＲＦデバ
イスパッケージのような高周波応用製品においては非常
に有用である。
６および抵抗１８を窒化アルミニウム基板１２上に形成
することが可能になる。クロムを含む抵抗膜はさらに窒
化アルミニウム基板１２に対して非常によく接着する。
耐熱金属層は抵抗膜に対して非常によく接着し、その上
にさらに耐熱金属層に接着する追加の導電層を形成する
ことを可能にする。さらに、耐熱金属層の形成によって
その上にさらに追加の金属導電層をめっきすることが可
能になる。ここで説明した種類のパッケージはＲＦデバ
イスパッケージのような高周波応用製品においては非常
に有用である。
【図１】図１は導電パターンを表面上に持つ窒化アルミ
ニウム基板の上に配置された半導体ダイを拡大平面図で
示したものである。
ニウム基板の上に配置された半導体ダイを拡大平面図で
示したものである。
１２ 窒化アルミニウム基板 １４ 半導体ダイ １６ 導電ライン １８ 抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム基板に抵抗性の接着促
進膜を形成する方法であって：窒化アルミニウム基板を
準備する段階；前記基板に抵抗性のクロムを含有する膜
を形成する段階；および前記抵抗性の膜に耐熱性の金属
層を形成する段階；からなることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 窒化アルミニウム基板に導電パターンを
形成する方法であって：窒化アルミニウム基板を準備す
る段階；前記基板に抵抗性のクロムを含有する膜を形成
する段階；前記抵抗性の膜に耐熱性の金属層を形成する
段階；前記抵抗性膜および前記耐熱金属層をパターン化
する段階；および前記パターン化された耐熱金属層に１
以上の導電層を形成する段階；からなることを特徴とす
る方法。 - 【請求項３】 窒化アルミニウム基板の上に半導体デバ
イスを製造する方法であって：窒化アルミニウム基板を
準備する段階；前記基板を清浄する段階；１５００オン
グストローム以下の厚みを持ち抵抗性を有する一酸化硅
素クロム層を前記基板に形成する段階；２００から２０
００オングストローム程度の厚みを持つ金の層を前記抵
抗性層に形成する段階；前記抵抗性層および金の層をパ
ターン化する段階；１以上の導電層を前記金の層に形成
する段階；前記パターン化された層の間に前記抵抗性層
において抵抗を形成する段階；および前記基板に半導体
ダイを配置し、前記ダイを前記１以上の導電層に対して
電気的に結合する段階；からなることを特徴とする方
法。 - 【請求項４】 半導体パッケージであって：窒化アルミ
ニウム基板；前記基板に配置される複数の導電ラインで
あって、前記ラインは、前記基板に配置される抵抗性ク
ロム含有層、前記抵抗性層に配置される耐熱金属層およ
び前記耐熱金属層に配置される１以上の導電層から構成
される導電ライン；前記基板上前記ラインの間に配置さ
れる抵抗であって、前記抵抗性層から形成される抵抗；
および前記基板上に配置され、前記導電ラインに電気的
に結合される半導体ダイ；から構成されることを特徴と
する半導体パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/811,272 US5221639A (en) | 1991-10-20 | 1991-10-20 | Method of fabricating resistive conductive patterns on aluminum nitride substrates |
| US811272 | 1991-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249712A true JPH07249712A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=25206082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352402A Pending JPH07249712A (ja) | 1991-10-20 | 1992-12-11 | 窒化アルミニウム基板上に抵抗性導電パターンを形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5221639A (ja) |
| EP (1) | EP0548652A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07249712A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254869A (en) * | 1991-06-28 | 1993-10-19 | Linear Technology Corporation | Aluminum alloy/silicon chromium sandwich schottky diode |
| US5494845A (en) * | 1993-08-17 | 1996-02-27 | Raytheon Company | Method of fabrication of bilayer thin film resistor |
| JP3845925B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2006-11-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法 |
| US5976392A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Yageo Corporation | Method for fabrication of thin film resistor |
| US6023086A (en) * | 1997-09-02 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor transistor with stabilizing gate electrode |
| JP2003023239A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 回路基板とその製造方法及び高出力モジュール |
| JP2003023224A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 回路基板とその製造方法及び高出力モジュール |
| JP2003124590A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 回路基板とその製造方法及び高出力モジュール |
| US7106167B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-12 | Heetronix | Stable high temperature sensor system with tungsten on AlN |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2532472B1 (fr) * | 1982-08-31 | 1985-12-20 | Lignes Telegraph Telephon | Procede de fabrication de connexions electriques pour circuit hybride et circuit hybride comportant de telles connexions |
| JPS61107542U (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-08 | ||
| JPS63317357A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド |
| DE68922118T2 (de) * | 1988-01-25 | 1995-10-12 | Toshiba Kawasaki Kk | Schaltungsplatte. |
| DD283755A7 (de) * | 1988-11-22 | 1990-10-24 | Akademie Der Wissenschaften Der Ddr,Dd | Praezisions-widerstands-duennschicht |
| JP2772001B2 (ja) * | 1988-11-28 | 1998-07-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| US4951014A (en) * | 1989-05-26 | 1990-08-21 | Raytheon Company | High power microwave circuit packages |
| EP0421680B1 (en) * | 1989-09-27 | 1994-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminium nitride circuit board |
| US5028306A (en) * | 1990-09-04 | 1991-07-02 | Motorola, Inc. | Process for forming a ceramic-metal adduct |
-
1991
- 1991-10-20 US US07/811,272 patent/US5221639A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-12-07 EP EP92120828A patent/EP0548652A1/en not_active Withdrawn
- 1992-12-11 JP JP4352402A patent/JPH07249712A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5221639A (en) | 1993-06-22 |
| EP0548652A1 (en) | 1993-06-30 |
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