JPH07249090A - 識別コードパターン形成用ガラスの構造および識別コードパターンの形成方法 - Google Patents
識別コードパターン形成用ガラスの構造および識別コードパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH07249090A JPH07249090A JP6065683A JP6568394A JPH07249090A JP H07249090 A JPH07249090 A JP H07249090A JP 6065683 A JP6065683 A JP 6065683A JP 6568394 A JP6568394 A JP 6568394A JP H07249090 A JPH07249090 A JP H07249090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- glass layer
- code pattern
- identification code
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製品等の完成後等にて識別コードパターンを
正確に形成でき、小ロット品に適用できてコストダウン
を達成できる識別コードパターン形成用ガラスおよびそ
の形成方法を提供する。 【構成】 アルミナ基板１１にＴｉＯ4+を含むガラス１
２を積層し、この上にＳｉＯ2のバリア層１３を積層す
る。バリア層１３上にＴｉ4+を還元する成分を含むガラ
ス１４を積層し、レーザ光を照射する。この結果、レー
ザ光照射部分のガラス１２，１４が溶融混合して、暗色
に変化する。暗色変化部分１５をバーコードとして使用
する。
正確に形成でき、小ロット品に適用できてコストダウン
を達成できる識別コードパターン形成用ガラスおよびそ
の形成方法を提供する。 【構成】 アルミナ基板１１にＴｉＯ4+を含むガラス１
２を積層し、この上にＳｉＯ2のバリア層１３を積層す
る。バリア層１３上にＴｉ4+を還元する成分を含むガラ
ス１４を積層し、レーザ光を照射する。この結果、レー
ザ光照射部分のガラス１２，１４が溶融混合して、暗色
に変化する。暗色変化部分１５をバーコードとして使用
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高耐熱性製品への識別
コードパターン形成技術、例えば半導体装置実装用基板
の情報管理用等の識別コードパターンの形成方法および
識別コードパターン形成用のガラス構造に関する。
コードパターン形成技術、例えば半導体装置実装用基板
の情報管理用等の識別コードパターンの形成方法および
識別コードパターン形成用のガラス構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の多種多様化に伴って、
半導体装置実装用部品（ＩＣ、抵抗器、コンデンサ等の
電子部品）の品種も増大の傾向にある。半導体素子等を
搭載する基板材料においても同様であり、それにともな
って、各用途に用いる基板の回路パターン等の情報ある
いは製造上の条件等の管理も重要となっている。
半導体装置実装用部品（ＩＣ、抵抗器、コンデンサ等の
電子部品）の品種も増大の傾向にある。半導体素子等を
搭載する基板材料においても同様であり、それにともな
って、各用途に用いる基板の回路パターン等の情報ある
いは製造上の条件等の管理も重要となっている。
【０００３】従来より、半導体実装用基板に関する情報
管理については、製品識別コードパターン（バーコード
等）を基板上に形成し、そのパターンに含まれる情報を
バーコードリーダ等により読み取る方法が用いられてい
る。このパターンの形成方法としては、セラミック成形
体にバーコードを焼付け等により形成する方法（特開昭
６１−２６３５１５号公報）や、焼成用インクを用いて
バーコードパターンを印刷したセラミックスシートを、
粘着層を介して、金属基板上に接着・焼成し、基板上に
固着する方法（特開平２−２８３６７６号公報）が提案
されている。
管理については、製品識別コードパターン（バーコード
等）を基板上に形成し、そのパターンに含まれる情報を
バーコードリーダ等により読み取る方法が用いられてい
る。このパターンの形成方法としては、セラミック成形
体にバーコードを焼付け等により形成する方法（特開昭
６１−２６３５１５号公報）や、焼成用インクを用いて
バーコードパターンを印刷したセラミックスシートを、
粘着層を介して、金属基板上に接着・焼成し、基板上に
固着する方法（特開平２−２８３６７６号公報）が提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法のうち前者では、セラミックス成形体の製造段階
において加工を施す必要があり、このことが工程の増加
あるいは金型等の設備投資のコスト高に及ぼす要因とな
っている。後者では、バーコードパターン用のスクリー
ンを用いねばならず、スクリーンの製造等を行う時間、
工程が必要であり（例えば小ロット製品を多く印刷する
場合各ロット毎にスクリーンが必要）、さらに、印刷時
のペーストのわずかな広がりあるいはダレがあった場
合、正確な情報を記録することができない等の問題があ
った。また、両方法ともいったん形成したバーコードの
追記、または、書き直しを行うことができないため、製
造プロセスの管理をコード入力することはできなかっ
た。また、小ロット品、例えば製品個別に番号をつける
ことも困難であった。
の方法のうち前者では、セラミックス成形体の製造段階
において加工を施す必要があり、このことが工程の増加
あるいは金型等の設備投資のコスト高に及ぼす要因とな
っている。後者では、バーコードパターン用のスクリー
ンを用いねばならず、スクリーンの製造等を行う時間、
工程が必要であり（例えば小ロット製品を多く印刷する
場合各ロット毎にスクリーンが必要）、さらに、印刷時
のペーストのわずかな広がりあるいはダレがあった場
合、正確な情報を記録することができない等の問題があ
った。また、両方法ともいったん形成したバーコードの
追記、または、書き直しを行うことができないため、製
造プロセスの管理をコード入力することはできなかっ
た。また、小ロット品、例えば製品個別に番号をつける
ことも困難であった。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、製品等の完成後等任意
の工程において識別コードパターンを正確に形成するこ
とができ、かつ、小ロット品にも適用することができる
結果その場合のコストダウンを達成することができる等
半導体装置実装用基板等の情報管理に好適な識別コード
パターン形成用ガラス構造およびこれを用いた識別コー
ドパターンの形成方法を提供することである。
の工程において識別コードパターンを正確に形成するこ
とができ、かつ、小ロット品にも適用することができる
結果その場合のコストダウンを達成することができる等
半導体装置実装用基板等の情報管理に好適な識別コード
パターン形成用ガラス構造およびこれを用いた識別コー
ドパターンの形成方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、Ｔｉ4+を含有する第１のガラス層と、Ｔｉ4+を還元
する成分を含む第２のガラス層とを積層した識別コード
パターン形成用ガラスの構造である。
は、Ｔｉ4+を含有する第１のガラス層と、Ｔｉ4+を還元
する成分を含む第２のガラス層とを積層した識別コード
パターン形成用ガラスの構造である。
【０００７】請求項２に記載した発明は、上記第１のガ
ラス層と第２のガラス層との間に設けられ、これらのガ
ラス層よりも軟化点の高いバリア層を含む請求項１に記
載の識別コードパターン形成用ガラスの構造である。
ラス層と第２のガラス層との間に設けられ、これらのガ
ラス層よりも軟化点の高いバリア層を含む請求項１に記
載の識別コードパターン形成用ガラスの構造である。
【０００８】請求項３に記載した発明は、上記第１のガ
ラス層は、ＴｉＯ2を含むガラスまたはＴｉＯ2−ＳｉＯ
2系ガラスからなる請求項１または請求項２に記載の識
別コードパターン形成用ガラスの構造である。
ラス層は、ＴｉＯ2を含むガラスまたはＴｉＯ2−ＳｉＯ
2系ガラスからなる請求項１または請求項２に記載の識
別コードパターン形成用ガラスの構造である。
【０００９】請求項４に記載の発明は、上記第２のガラ
ス層は、４０〜９０ｍｏｌ％のＳｉＯ2と、１０〜６０
ｍｏｌ％のＬｉ2Ｏとからなる請求項１〜請求項３のい
ずれか１項に記載の識別コードパターン形成用ガラスの
構造である。
ス層は、４０〜９０ｍｏｌ％のＳｉＯ2と、１０〜６０
ｍｏｌ％のＬｉ2Ｏとからなる請求項１〜請求項３のい
ずれか１項に記載の識別コードパターン形成用ガラスの
構造である。
【００１０】請求項５に記載の発明は、上記第２のガラ
ス層は、４０〜８５ｍｏｌ％のＳｉＯ2と、１０〜４０
ｍｏｌ％のＬｉ2Ｏと、１〜４０ｍｏｌ％のアルカリ土
類酸化物とからなる請求項１〜請求項３のいずれか１項
に記載の識別コードパターン形成用ガラスの構造であ
る。
ス層は、４０〜８５ｍｏｌ％のＳｉＯ2と、１０〜４０
ｍｏｌ％のＬｉ2Ｏと、１〜４０ｍｏｌ％のアルカリ土
類酸化物とからなる請求項１〜請求項３のいずれか１項
に記載の識別コードパターン形成用ガラスの構造であ
る。
【００１１】請求項６に記載の発明は、Ｔｉ4+を含有す
る第１のガラス層を形成した後、Ｔｉ4+を還元する成分
を含む第２のガラス層を第１のガラス層に積層し、これ
らのガラス層上にあって任意の位置に所定のエネルギを
付与して識別コードパターンを形成する識別コードパタ
ーンの形成方法である。
る第１のガラス層を形成した後、Ｔｉ4+を還元する成分
を含む第２のガラス層を第１のガラス層に積層し、これ
らのガラス層上にあって任意の位置に所定のエネルギを
付与して識別コードパターンを形成する識別コードパタ
ーンの形成方法である。
【００１２】請求項７に記載の発明は、基板に、Ｔｉ4+
を含有する第１のガラス層、および、Ｔｉ4+を還元する
成分を含む第２のガラス層のいずれか一方を、形成し、
これらの第１のガラス層および第２ガラス層の残りの他
方を、その上に設け、これらのガラス層上にあって任意
の位置に所定のエネルギを付与して識別コードパターン
を形成する識別コードパターンの形成方法である。
を含有する第１のガラス層、および、Ｔｉ4+を還元する
成分を含む第２のガラス層のいずれか一方を、形成し、
これらの第１のガラス層および第２ガラス層の残りの他
方を、その上に設け、これらのガラス層上にあって任意
の位置に所定のエネルギを付与して識別コードパターン
を形成する識別コードパターンの形成方法である。
【００１３】請求項８の発明は、上記第１のガラス層と
第２のガラス層との間に、これらのガラス層よりも軟化
点の高い層をバリア層として設けた請求項６または請求
項７に記載の識別コードパターンの形成方法である。
第２のガラス層との間に、これらのガラス層よりも軟化
点の高い層をバリア層として設けた請求項６または請求
項７に記載の識別コードパターンの形成方法である。
【００１４】請求項９に記載の発明は、上記第１のガラ
ス層は、ＴｉＯ2を含むガラスまたはＴｉＯ2−ＳｉＯ2
系ガラスからなる請求項６〜請求項８のいずれか１項に
記載の識別コードパターンの形成方法である。
ス層は、ＴｉＯ2を含むガラスまたはＴｉＯ2−ＳｉＯ2
系ガラスからなる請求項６〜請求項８のいずれか１項に
記載の識別コードパターンの形成方法である。
【００１５】請求項１０に記載の発明は、上記基板は、
セラミックス基板、金属基板または第１のガラス層、第
２のガラス層、バリア層よりも高い軟化点を有するガラ
ス基板のいずれかである請求項７〜請求項９のいずれか
１項に記載の識別コードパターンの形成方法である。
セラミックス基板、金属基板または第１のガラス層、第
２のガラス層、バリア層よりも高い軟化点を有するガラ
ス基板のいずれかである請求項７〜請求項９のいずれか
１項に記載の識別コードパターンの形成方法である。
【００１６】請求項１１に記載した発明は、積層された
上記第１のガラス層および第２のガラス層の任意の位置
に所定エネルギのレーザ光または電子ビームを照射する
請求項６〜請求項１０のいずれか１項に記載の識別コー
ドパターンの形成方法である。
上記第１のガラス層および第２のガラス層の任意の位置
に所定エネルギのレーザ光または電子ビームを照射する
請求項６〜請求項１０のいずれか１項に記載の識別コー
ドパターンの形成方法である。
【００１７】
【作用】請求項１〜請求項１１に係る発明にあっては、
例えばＴｉＯ2ガラス層あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガ
ラス層等のＴｉ4+を含有する第１のガラス層上に、Ｔｉ
4+を還元する成分を含む第２のガラス層を設けている。
この２層のガラス層上にあって任意の場所または位置に
レーザ等を照射すると、その照射部分が溶融する。よっ
て、ＴｉＯ2あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラスとＴｉ
4+を還元する成分を含むガラスとが混合される。この結
果、ＴｉＯ2あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス中のＴ
ｉ4+がＴｉ3+に還元され、溶融した部分のガラスの色が
透明から黒色あるいは暗色に変化する。レーザの照射が
終わると溶融部分は速やかに冷却され、ガラス状態に戻
る。以上により、任意の時期に、ガラス層上の任意の位
置に所望の線幅および間隔を持つ識別コードパターンの
形成を行うことができる。
例えばＴｉＯ2ガラス層あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガ
ラス層等のＴｉ4+を含有する第１のガラス層上に、Ｔｉ
4+を還元する成分を含む第２のガラス層を設けている。
この２層のガラス層上にあって任意の場所または位置に
レーザ等を照射すると、その照射部分が溶融する。よっ
て、ＴｉＯ2あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラスとＴｉ
4+を還元する成分を含むガラスとが混合される。この結
果、ＴｉＯ2あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス中のＴ
ｉ4+がＴｉ3+に還元され、溶融した部分のガラスの色が
透明から黒色あるいは暗色に変化する。レーザの照射が
終わると溶融部分は速やかに冷却され、ガラス状態に戻
る。以上により、任意の時期に、ガラス層上の任意の位
置に所望の線幅および間隔を持つ識別コードパターンの
形成を行うことができる。
【００１８】請求項２〜請求項５および請求項８〜請求
項１１に係る発明にあっては、第１のガラス層と第２の
ガラス層とを積層して形成する。ところが、上記２層の
ガラス層を形成する工程で、その形成条件によっては両
者が軟化混合する場合がある。また、上記２層上へのレ
ーザ等照射時にレーザの出力が大きい場合には、所望の
パターン部の周辺部分も溶融し、両ガラス層が混合する
ことがある。すなわち、前者ではガラス層全体が黒色あ
るいは暗色に変化し、後者では所望の線幅以上のパター
ンが形成されるため、識別コードパターンの形成上問題
となる。そこで、ＴｉＯ2系ガラス層（第１のガラス
層）と、その上の還元ガラス層（第２のガラス層）との
間に、軟化点の高いガラス層、例えばＳｉＯ2層をバリ
ア層として設ける。この結果、第２のガラス層積層時の
変色を防止することができる。また、レーザ照射時のパ
ターン周辺部の溶融を防止してパターンの線幅を正確に
形成することができる。
項１１に係る発明にあっては、第１のガラス層と第２の
ガラス層とを積層して形成する。ところが、上記２層の
ガラス層を形成する工程で、その形成条件によっては両
者が軟化混合する場合がある。また、上記２層上へのレ
ーザ等照射時にレーザの出力が大きい場合には、所望の
パターン部の周辺部分も溶融し、両ガラス層が混合する
ことがある。すなわち、前者ではガラス層全体が黒色あ
るいは暗色に変化し、後者では所望の線幅以上のパター
ンが形成されるため、識別コードパターンの形成上問題
となる。そこで、ＴｉＯ2系ガラス層（第１のガラス
層）と、その上の還元ガラス層（第２のガラス層）との
間に、軟化点の高いガラス層、例えばＳｉＯ2層をバリ
ア層として設ける。この結果、第２のガラス層積層時の
変色を防止することができる。また、レーザ照射時のパ
ターン周辺部の溶融を防止してパターンの線幅を正確に
形成することができる。
【００１９】請求項４、請求項５に係る識別コードパタ
ーン形成用ガラス構造にあっては、上記還元成分を含む
第２のガラス層の組成を、ＳｉＯ2を４０〜９０ｍｏｌ
％、Ｌｉ2Ｏを１０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ土類酸化
物を０〜３０ｍｏｌ％の範囲にすることにより、ガラス
中の酸性度を高くしている。酸性度の高いガラス中では
ＴｉイオンはＴｉ3+として存在し、ガラスは黒色あるい
は暗色を呈する。したがって、上記ガラス層表面にレー
ザが照射され、下層のガラス層と共に溶融すると、この
ガラス中にＴｉ4+が導入され、Ｔｉ4+はガラス自身の還
元作用によりＴｉ3+の形態をとる。この結果、レーザ照
射部が変色し、識別コードパターンが形成される。
ーン形成用ガラス構造にあっては、上記還元成分を含む
第２のガラス層の組成を、ＳｉＯ2を４０〜９０ｍｏｌ
％、Ｌｉ2Ｏを１０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ土類酸化
物を０〜３０ｍｏｌ％の範囲にすることにより、ガラス
中の酸性度を高くしている。酸性度の高いガラス中では
ＴｉイオンはＴｉ3+として存在し、ガラスは黒色あるい
は暗色を呈する。したがって、上記ガラス層表面にレー
ザが照射され、下層のガラス層と共に溶融すると、この
ガラス中にＴｉ4+が導入され、Ｔｉ4+はガラス自身の還
元作用によりＴｉ3+の形態をとる。この結果、レーザ照
射部が変色し、識別コードパターンが形成される。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例について詳述する。図
１は本発明の第１実施例に係る識別コードパターンの形
成方法を示す模式図である。この図に示すように、第１
実施例に係る識別コード（バーコード）パターン形成用
ガラスはＡｌ2Ｏ3等のセラミックス基板あるいはＳＵＳ
等の金属基板１１上に形成する。この基板１１上に、Ｔ
ｉ4+を含有する、ＴｉＯ2層あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2
系ガラス層（第１のガラス層）１２を形成した後、その
上にＳｉＯ2層（バリア層）１３を形成する。そして、
さらにこのＳｉＯ2層１３の上に、Ｔｉ4+を還元する成
分を含むガラス層（第２のガラス層）１４を設ける。
１は本発明の第１実施例に係る識別コードパターンの形
成方法を示す模式図である。この図に示すように、第１
実施例に係る識別コード（バーコード）パターン形成用
ガラスはＡｌ2Ｏ3等のセラミックス基板あるいはＳＵＳ
等の金属基板１１上に形成する。この基板１１上に、Ｔ
ｉ4+を含有する、ＴｉＯ2層あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2
系ガラス層（第１のガラス層）１２を形成した後、その
上にＳｉＯ2層（バリア層）１３を形成する。そして、
さらにこのＳｉＯ2層１３の上に、Ｔｉ4+を還元する成
分を含むガラス層（第２のガラス層）１４を設ける。
【００２１】これらのガラス層の形成方法は、通常のグ
レーズド基板の製造方法に準ずればよい。例えば、アル
コキシド溶液中あるいはガラスの乳濁液中に基板１１を
ディップする方法、ガラスペーストを基板１１上にスク
リーン印刷する方法、プラスチックフィルム上にガラス
を塗布したシートを基板１１上に重ねる方法等によれば
よい。
レーズド基板の製造方法に準ずればよい。例えば、アル
コキシド溶液中あるいはガラスの乳濁液中に基板１１を
ディップする方法、ガラスペーストを基板１１上にスク
リーン印刷する方法、プラスチックフィルム上にガラス
を塗布したシートを基板１１上に重ねる方法等によれば
よい。
【００２２】そして、これらの方法を用いてガラス層１
２，１３，１４を塗布した基板１１を８００から１４０
０℃で焼成する。この結果、基板１１表面とガラス層１
２およびガラス層１２，１３，１４同士の各界面が相溶
し、基板１１と強固に接着したガラス層が得られる。
２，１３，１４を塗布した基板１１を８００から１４０
０℃で焼成する。この結果、基板１１表面とガラス層１
２およびガラス層１２，１３，１４同士の各界面が相溶
し、基板１１と強固に接着したガラス層が得られる。
【００２３】さらに、このガラス層表面に、識別コード
パターンの線幅、間隔等のデータを入力したレーザマー
カ等の装置を用いて、ＹＡＧレーザを照射し、ガラス層
上に例えば１００μｍ程度の線幅の識別コード（バーコ
ード）パターン１５を形成する。
パターンの線幅、間隔等のデータを入力したレーザマー
カ等の装置を用いて、ＹＡＧレーザを照射し、ガラス層
上に例えば１００μｍ程度の線幅の識別コード（バーコ
ード）パターン１５を形成する。
【００２４】以上において、Ｔｉ4+を含有するＴｉＯ2
層あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス層１２と、その上
部のＴｉ4+を還元する成分を含むガラス層１４との間
に、ＳｉＯ2層１３を形成しているため、ガラス層１４
形成時でのガラス層全体が黒色あるいは暗色に変化、あ
るいは、レーザ照射時の所望の線幅以上のパターンの形
成を防止できる。
層あるいはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス層１２と、その上
部のＴｉ4+を還元する成分を含むガラス層１４との間
に、ＳｉＯ2層１３を形成しているため、ガラス層１４
形成時でのガラス層全体が黒色あるいは暗色に変化、あ
るいは、レーザ照射時の所望の線幅以上のパターンの形
成を防止できる。
【００２５】また、Ｔｉ4+を還元する成分を含むガラス
層１４の組成を、ＳｉＯ2を４０〜９０ｍｏｌ％、Ｌｉ2
Ｏを１０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ土類酸化物を０〜３
０ｍｏｌ％の範囲にすることもできる。これにより、レ
ーザを照射し、下部層のガラス層１２と共に、ガラス層
１４を溶融した際に、Ｔｉ4+がガラス自身の還元作用に
よりＴｉ3+の形態をとることができる。この結果、レー
ザ照射部がコード読取機に感知可能な暗色に変わり、識
別コードパターンを形成することができる。
層１４の組成を、ＳｉＯ2を４０〜９０ｍｏｌ％、Ｌｉ2
Ｏを１０〜４０ｍｏｌ％、アルカリ土類酸化物を０〜３
０ｍｏｌ％の範囲にすることもできる。これにより、レ
ーザを照射し、下部層のガラス層１２と共に、ガラス層
１４を溶融した際に、Ｔｉ4+がガラス自身の還元作用に
よりＴｉ3+の形態をとることができる。この結果、レー
ザ照射部がコード読取機に感知可能な暗色に変わり、識
別コードパターンを形成することができる。
【００２６】なお、上記ガラスの組成において、ＳｉＯ
2が４０ｍｏｌ％未満の場合あるいはＬｉ2Ｏが４０ｍｏ
ｌ％あるいはアルカリ土類酸化物が３０ｍｏｌ％を越え
る場合では、ガラスの酸性度が低くなる。このため、Ｔ
ｉ4+がレーザ照射時に溶融混合されても、還元されな
い。よって、ガラスの黒色化あるいは暗色化は起こらな
い。一方、ＳｉＯ2が９０ｍｏｌ％を越える場合では、
ガラスの酸性度が過剰に高いために、Ｔｉ3+の酸化が起
こり、レーザを照射してもガラス層は変色しない。
2が４０ｍｏｌ％未満の場合あるいはＬｉ2Ｏが４０ｍｏ
ｌ％あるいはアルカリ土類酸化物が３０ｍｏｌ％を越え
る場合では、ガラスの酸性度が低くなる。このため、Ｔ
ｉ4+がレーザ照射時に溶融混合されても、還元されな
い。よって、ガラスの黒色化あるいは暗色化は起こらな
い。一方、ＳｉＯ2が９０ｍｏｌ％を越える場合では、
ガラスの酸性度が過剰に高いために、Ｔｉ3+の酸化が起
こり、レーザを照射してもガラス層は変色しない。
【００２７】本実施例の第１具体例を説明する。この具
体例は、まず、市販の９６％アルミナ基板（形状：５
０．８×５０．８×０．６３５ｍｍ）を準備する。次
に、シリコンテトラエトキシド、エタノール、チタンテ
トライソプロポキシド及びイソプロパノールからなる第
１の混合溶液を用意する。この混合溶液を用いて上記基
板にディップコーティングを行った後、大気雰囲気中に
て１０００℃、３０分間焼成することにより、層厚：２
μｍの２０ｍｏｌ％ＴｉＯ2−８０ｍｏｌ％ＳｉＯ2系ガ
ラス層を形成する。
体例は、まず、市販の９６％アルミナ基板（形状：５
０．８×５０．８×０．６３５ｍｍ）を準備する。次
に、シリコンテトラエトキシド、エタノール、チタンテ
トライソプロポキシド及びイソプロパノールからなる第
１の混合溶液を用意する。この混合溶液を用いて上記基
板にディップコーティングを行った後、大気雰囲気中に
て１０００℃、３０分間焼成することにより、層厚：２
μｍの２０ｍｏｌ％ＴｉＯ2−８０ｍｏｌ％ＳｉＯ2系ガ
ラス層を形成する。
【００２８】次いで、上記焼成後の基板に、シリコンテ
トラエトキシド、エタノールおよび０．３％ＨＣｌ水溶
液からなる第２の混合溶液を用いてディップコーティン
グを行い、大気雰囲気中にて１０００℃、３０分間焼成
することにより、層厚：２μｍのＳｉＯ2層を形成す
る。
トラエトキシド、エタノールおよび０．３％ＨＣｌ水溶
液からなる第２の混合溶液を用いてディップコーティン
グを行い、大気雰囲気中にて１０００℃、３０分間焼成
することにより、層厚：２μｍのＳｉＯ2層を形成す
る。
【００２９】次に、この焼成後の基板に、シリコンテト
ラメトキシド、リチウムメトキシド、エタノールおよび
０．３％ＨＣｌ水溶液からなる第３の混合溶液を用いて
ディップコーティングを行った後、大気雰囲気中にて６
５０〜１０００℃、３０分間焼成することにより、層
厚：２μｍのＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス層を形成する。
なお、表１には上記Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス層の化学
組成とその焼成温度を示している。
ラメトキシド、リチウムメトキシド、エタノールおよび
０．３％ＨＣｌ水溶液からなる第３の混合溶液を用いて
ディップコーティングを行った後、大気雰囲気中にて６
５０〜１０００℃、３０分間焼成することにより、層
厚：２μｍのＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス層を形成する。
なお、表１には上記Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス層の化学
組成とその焼成温度を示している。
【００３０】
【表１】
【００３１】以上のようにして得られる３層構造のガラ
ス層表面に、出力：１０Ｗ、走査速度：１００ｍｍ／
ｓ、ビーム幅：０．５ｍｍの条件でレーザ光を照射し、
識別コードパターンの形成を行った。レーザ光を照射後
のガラス層表面について、その色調を観察した。その結
果、上記の表１に示すように、ガラス１−１およびガラ
ス１−５を除く全てのガラスを用いた場合において、レ
ーザ光を照射した部分のみガラス層の色が暗色に変化し
ており、その他の部分は、無色透明で下地のアルミナ基
板の色である白色を呈していた。
ス層表面に、出力：１０Ｗ、走査速度：１００ｍｍ／
ｓ、ビーム幅：０．５ｍｍの条件でレーザ光を照射し、
識別コードパターンの形成を行った。レーザ光を照射後
のガラス層表面について、その色調を観察した。その結
果、上記の表１に示すように、ガラス１−１およびガラ
ス１−５を除く全てのガラスを用いた場合において、レ
ーザ光を照射した部分のみガラス層の色が暗色に変化し
ており、その他の部分は、無色透明で下地のアルミナ基
板の色である白色を呈していた。
【００３２】また、上記具体例とは逆に、まずＬｉ2Ｏ
−ＳｉＯ2系ガラス層を形成し、次いでＳｉＯ2層に、最
後にＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス層を形成した場合につい
ても、レーザ光の照射を行った。その結果、Ｌｉ2Ｏ−
ＳｉＯ2系ガラスが表１中の１−１および１−５を除く
全ての組成において、レーザ光が照射された部分のみ暗
色に変化した。
−ＳｉＯ2系ガラス層を形成し、次いでＳｉＯ2層に、最
後にＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス層を形成した場合につい
ても、レーザ光の照射を行った。その結果、Ｌｉ2Ｏ−
ＳｉＯ2系ガラスが表１中の１−１および１−５を除く
全ての組成において、レーザ光が照射された部分のみ暗
色に変化した。
【００３３】次に、本実施例の第２具体例を説明する。
この具体例は、まず、市販の９６％アルミナ基板（形
状：５０．８×５０．８×０．６３５ｍｍ）を準備す
る。次に、シリコンテトラエトキシド、エチルアルコー
ル、チタニウムテトライソプロポキシド及びイソプロピ
ルアルコールからなる第１の混合溶液を用意する。この
混合溶液を用いて上記基板にディップコーティングを行
った後、大気雰囲気中にて１０００℃、３０分間焼成す
ることにより、層厚：２μｍの２０ｍｏｌ％ＴｉＯ2−
８０ｍｏｌ％ＳｉＯ2系ガラス層を形成する。
この具体例は、まず、市販の９６％アルミナ基板（形
状：５０．８×５０．８×０．６３５ｍｍ）を準備す
る。次に、シリコンテトラエトキシド、エチルアルコー
ル、チタニウムテトライソプロポキシド及びイソプロピ
ルアルコールからなる第１の混合溶液を用意する。この
混合溶液を用いて上記基板にディップコーティングを行
った後、大気雰囲気中にて１０００℃、３０分間焼成す
ることにより、層厚：２μｍの２０ｍｏｌ％ＴｉＯ2−
８０ｍｏｌ％ＳｉＯ2系ガラス層を形成する。
【００３４】次いで、上記焼成後の基板に、シリコンテ
トラエトキシド、エチルアルコールおよび０．３％ＨＣ
ｌ水溶液からなる第２の混合溶液を用いてディップコー
ティングを行い、大気雰囲気中にて１０００℃、３０分
間焼成することにより、層厚：２μｍのＳｉＯ2層を形
成する。
トラエトキシド、エチルアルコールおよび０．３％ＨＣ
ｌ水溶液からなる第２の混合溶液を用いてディップコー
ティングを行い、大気雰囲気中にて１０００℃、３０分
間焼成することにより、層厚：２μｍのＳｉＯ2層を形
成する。
【００３５】次に、この焼成後の基板に、シリコンテト
ラメトキシド、リチウムメトキシド、マグネシウムジメ
トキシド、カルシウムジメトキシド、バリウムジエトキ
シドおよび０．３％ＨＣｌ水溶液からなる第３の混合溶
液を用いてディップコーティングを行った後、大気雰囲
気中にて９００〜１０００℃、３０分間焼成することに
より、層厚：２μｍのＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＲＯ（Ｒ＝Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｂａ）系ガラス層を形成する。なお、表２に
は上記Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＲＯ系ガラス層の化学組成と
その焼成温度を示している。
ラメトキシド、リチウムメトキシド、マグネシウムジメ
トキシド、カルシウムジメトキシド、バリウムジエトキ
シドおよび０．３％ＨＣｌ水溶液からなる第３の混合溶
液を用いてディップコーティングを行った後、大気雰囲
気中にて９００〜１０００℃、３０分間焼成することに
より、層厚：２μｍのＬｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＲＯ（Ｒ＝Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｂａ）系ガラス層を形成する。なお、表２に
は上記Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＲＯ系ガラス層の化学組成と
その焼成温度を示している。
【００３６】
【表２】
【００３７】以上のようにして得られる３層構造のガラ
ス層表面に、出力：１０Ｗ、走査速度：１００ｍｍ／
ｓ、ビーム幅：０．５ｍｍの条件でレーザ光を照射し、
識別コードパターンの形成を行った。レーザ光を照射後
のガラス層表面について、その色調を観察した。その結
果、上記の表２に示すように、ガラス２−４、ガラス２
−５、ガラス２−７及びガラス２−９を除く全てのガラ
スを用いた場合において、レーザ光を照射した部分のみ
ガラス層の色が暗色に変化しており、その他の部分は、
無色透明で下地のアルミナ基板の色である白色を呈して
いた。
ス層表面に、出力：１０Ｗ、走査速度：１００ｍｍ／
ｓ、ビーム幅：０．５ｍｍの条件でレーザ光を照射し、
識別コードパターンの形成を行った。レーザ光を照射後
のガラス層表面について、その色調を観察した。その結
果、上記の表２に示すように、ガラス２−４、ガラス２
−５、ガラス２−７及びガラス２−９を除く全てのガラ
スを用いた場合において、レーザ光を照射した部分のみ
ガラス層の色が暗色に変化しており、その他の部分は、
無色透明で下地のアルミナ基板の色である白色を呈して
いた。
【００３８】また、上記具体例とは逆に、まずＬｉ2Ｏ
−ＳｉＯ2−ＲＯ（Ｒ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ）系ガラス層
を形成し、次いでＳｉＯ2層に、最後にＴｉＯ2−ＳｉＯ
2系ガラス層を形成した場合についても、レーザ光を照
射を行った。その結果、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスが表
２中の２−４、２−５、２−７および２−９を除く全て
の組成において、レーザ光が照射された部分のみ暗色に
変化した。
−ＳｉＯ2−ＲＯ（Ｒ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ）系ガラス層
を形成し、次いでＳｉＯ2層に、最後にＴｉＯ2−ＳｉＯ
2系ガラス層を形成した場合についても、レーザ光を照
射を行った。その結果、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスが表
２中の２−４、２−５、２−７および２−９を除く全て
の組成において、レーザ光が照射された部分のみ暗色に
変化した。
【００３９】なお、ガラス層表面には、レーザ光以外に
も電子ビーム（ＥＢ）等を用いてガラスを溶融させるだ
けの温度上昇（加熱）用エネルギを付与してもよい。例
えば出力：１００Ｗ、走査速度：２００ｍｍ／ｓ、ビー
ム幅：０．１ｍｍの条件でＥＢを照射した場合でも、上
記実施例と同様に照射後のガラス層表面の色の変色が認
められた。
も電子ビーム（ＥＢ）等を用いてガラスを溶融させるだ
けの温度上昇（加熱）用エネルギを付与してもよい。例
えば出力：１００Ｗ、走査速度：２００ｍｍ／ｓ、ビー
ム幅：０．１ｍｍの条件でＥＢを照射した場合でも、上
記実施例と同様に照射後のガラス層表面の色の変色が認
められた。
【００４０】さらに、上記各実施例はＴｉ4+を還元する
ことにより変色させて識別コードを形成していたが、こ
の他にも、ＣｄＳを還元することにより無色から黄色
に、Ｓを還元すると無色から褐色に、ＭｎＯ2を還元す
ると紫色から無色に変化する性質を用いて、識別コード
を形成することが考えられる。
ことにより変色させて識別コードを形成していたが、こ
の他にも、ＣｄＳを還元することにより無色から黄色
に、Ｓを還元すると無色から褐色に、ＭｎＯ2を還元す
ると紫色から無色に変化する性質を用いて、識別コード
を形成することが考えられる。
【００４１】
【発明の効果】本発明の識別コードパターン用ガラス層
の形成方法は、Ｔｉ4+を含むガラス層と、Ｔｉ4+を還元
する成分を含むガラス層とを積層しているので、これに
レーザ光を照射し、その部分のガラスの色を暗色に変え
ることにより、所望の線幅及び間隔を持つ識別コードパ
ターンを形成できる。また、Ｔｉ4+を還元する成分を含
むガラスの組成を限定しているので、レーザ光照射後の
ガラスの色が識別コード読取機で感知可能な暗色を呈す
ることができる。この結果、半導体装置実装用基板の情
報管理用に好適な識別コードパターン用ガラス層を形成
することが可能となった。
の形成方法は、Ｔｉ4+を含むガラス層と、Ｔｉ4+を還元
する成分を含むガラス層とを積層しているので、これに
レーザ光を照射し、その部分のガラスの色を暗色に変え
ることにより、所望の線幅及び間隔を持つ識別コードパ
ターンを形成できる。また、Ｔｉ4+を還元する成分を含
むガラスの組成を限定しているので、レーザ光照射後の
ガラスの色が識別コード読取機で感知可能な暗色を呈す
ることができる。この結果、半導体装置実装用基板の情
報管理用に好適な識別コードパターン用ガラス層を形成
することが可能となった。
【００４２】また、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラスを使用し
た結果、その組成を幅広く選択することができ、ガラス
層を基板の熱膨張係数に近づけることができる。よっ
て、このＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス層の割れを防止する
ことができる。また、レーザ光の照射は電子ビームのそ
れよりもビームコントロールが容易であり、パターン精
度を良くすることができる。また、パターン形成速度が
速いため、効率が良い。さらに、セラミックス基板はガ
ラスとの反応性が金属基板のそれに比較して小さく、か
つ、ガラスに対する濡れ性（なじみ）が良いため、ガラ
ス層を形成し易いという利点がある。
た結果、その組成を幅広く選択することができ、ガラス
層を基板の熱膨張係数に近づけることができる。よっ
て、このＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラス層の割れを防止する
ことができる。また、レーザ光の照射は電子ビームのそ
れよりもビームコントロールが容易であり、パターン精
度を良くすることができる。また、パターン形成速度が
速いため、効率が良い。さらに、セラミックス基板はガ
ラスとの反応性が金属基板のそれに比較して小さく、か
つ、ガラスに対する濡れ性（なじみ）が良いため、ガラ
ス層を形成し易いという利点がある。
【図１】本発明の第１実施例に係るガラス構造を用いた
識別コードパターン形成方法を説明するための斜視図で
ある。
識別コードパターン形成方法を説明するための斜視図で
ある。
１１ 基板 １２ 第１のガラス層 １３ バリア層 １４ 第２のガラス層 １５ バーコード（識別コード）
Claims (11)
- 【請求項１】 Ｔｉ4+を含有する第１のガラス層と、 Ｔｉ4+を還元する成分を含む第２のガラス層とを積層し
たことを特徴とする識別コードパターン形成用ガラスの
構造。 - 【請求項２】 上記第１のガラス層と第２のガラス層と
の間に設けられ、これらのガラス層よりも軟化点の高い
バリア層を含む請求項１に記載の識別コードパターン形
成用ガラスの構造。 - 【請求項３】 上記第１のガラス層は、ＴｉＯ2を含む
ガラスまたはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラスからなる請求項
１または請求項２に記載の識別コードパターン形成用ガ
ラスの構造。 - 【請求項４】 上記第２のガラス層は、４０〜９０ｍｏ
ｌ％のＳｉＯ2と、１０〜６０ｍｏｌ％のＬｉ2Ｏとから
なる請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の識別コ
ードパターン形成用ガラスの構造。 - 【請求項５】 上記第２のガラス層は、４０〜８５ｍｏ
ｌ％のＳｉＯ2と、１０〜４０ｍｏｌ％のＬｉ2Ｏと、１
〜４０ｍｏｌ％のアルカリ土類酸化物とからなる請求項
１〜請求項３のいずれか１項に記載の識別コードパター
ン形成用ガラスの構造。 - 【請求項６】 Ｔｉ4+を含有する第１のガラス層を形成
した後、 Ｔｉ4+を還元する成分を含む第２のガラス層を第１のガ
ラス層に積層し、 これらのガラス層上にあって任意の位置に所定のエネル
ギを付与して識別コードパターンを形成する識別コード
パターンの形成方法。 - 【請求項７】 基板に、Ｔｉ4+を含有する第１のガラス
層、および、Ｔｉ4+を還元する成分を含む第２のガラス
層のいずれか一方を、形成し、 これらの第１のガラス層および第２ガラス層の残りの他
方を、その上に設け、 これらのガラス層上にあって任意の位置に所定のエネル
ギを付与して識別コードパターンを形成する識別コード
パターンの形成方法。 - 【請求項８】 上記第１のガラス層と第２のガラス層と
の間に、これらのガラス層よりも軟化点の高い層をバリ
ア層として設けた請求項６または請求項７に記載の識別
コードパターンの形成方法。 - 【請求項９】 上記第１のガラス層は、ＴｉＯ2を含む
ガラスまたはＴｉＯ2−ＳｉＯ2系ガラスからなる請求項
６〜請求項８のいずれか１項に記載の識別コードパター
ンの形成方法。 - 【請求項１０】 上記基板は、セラミックス基板、金属
基板または第１のガラス層、第２のガラス層、バリア層
よりも高い軟化点を有するガラス基板のいずれかである
請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の識別コード
パターンの形成方法。 - 【請求項１１】 積層された上記第１のガラス層および
第２のガラス層の任意の位置に所定エネルギのレーザ光
または電子ビームを照射する請求項６〜請求項１０のい
ずれか１項に記載の識別コードパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065683A JPH07249090A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 識別コードパターン形成用ガラスの構造および識別コードパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6065683A JPH07249090A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 識別コードパターン形成用ガラスの構造および識別コードパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249090A true JPH07249090A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13294060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6065683A Pending JPH07249090A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 識別コードパターン形成用ガラスの構造および識別コードパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249090A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165594A (en) * | 1998-01-15 | 2000-12-26 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer, temperature resistant, composite label |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP6065683A patent/JPH07249090A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165594A (en) * | 1998-01-15 | 2000-12-26 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer, temperature resistant, composite label |
| US6214250B1 (en) | 1998-01-15 | 2001-04-10 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer, temperature resistant, composite label |
| US6251212B1 (en) | 1998-01-15 | 2001-06-26 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer, temperature resistant, composite label |
| US6455998B1 (en) | 1998-01-15 | 2002-09-24 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer temperature resistant composite label for a cathode ray tube |
| US6582805B1 (en) | 1998-01-15 | 2003-06-24 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer, temperature resistant, composite label |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8490434B2 (en) | Process and apparatus for producing glass member provided with sealing material layer and process for producing electronic device | |
| US20140023803A1 (en) | Airtight member and its production process | |
| JPH0761551B2 (ja) | セラミツク材料、釉薬、ガラスセラミツク及びガラスのレ−ザ−マ−キング方法 | |
| WO2003087001A1 (fr) | Composition de verre de bismuth, et tete magnetique et ecran a plasma contenant ladite composition sous forme d'element d'obturation | |
| TW201635603A (zh) | 氣密封裝及其製造方法 | |
| WO2016190149A1 (ja) | 気密パッケージの製造方法 | |
| JP6260770B2 (ja) | ガラス、ガラス粉末、複合粉末及び着色層付きガラス板 | |
| JPH07249090A (ja) | 識別コードパターン形成用ガラスの構造および識別コードパターンの形成方法 | |
| JPH01220402A (ja) | 抵抗体及びその製造方法ならびにその抵抗体を用いたサーマルヘッド | |
| JP2013119501A (ja) | 封着材料層付きガラス部材および気密部材の製造方法 | |
| JP4370686B2 (ja) | バリウムホウケイ酸ガラスおよびガラスセラミックス組成物 | |
| JP2000095544A (ja) | ガラス組成物、それを用いたペ−スト、絶縁体、ｆｐｄ用隔壁および絶縁層 | |
| US5466488A (en) | Method of making glazed AlN substrate with an Al2 O3 -SiO2 interfacial layer | |
| JP2005022962A (ja) | ガラス組成物、混合体、ペースト、グリーンシートおよびｐｄｐ | |
| JP3898489B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH06340487A (ja) | 複合酸化物薄膜の形成方法 | |
| JP2004175645A (ja) | ガラスフリット混合物、電子回路基板製造方法および電子回路基板 | |
| JP3193413B2 (ja) | 着色パターンの形成方法 | |
| JP2002173629A (ja) | マーキングペースト及び電子部品の製造方法 | |
| JPH0577136B2 (ja) | ||
| JPH0768817A (ja) | グレーズドＡｌＮ基板およびその製造方法 | |
| JPH08213495A (ja) | 半導体用パッケージ用セラミック板へのマーク表示方法及び半導体用パッケージ用セラミック板 | |
| JP2023028281A (ja) | 粉末材料、粉末材料ペースト及び焼成膜 | |
| JP2021012962A (ja) | パッケージ基材、パッケージ、及びパッケージ基材の製造方法 | |
| JPH01154430A (ja) | 陰極線管の符号形成方法 |