JPH07240359A - Ｘ線マスク及びｘ線マスクブランクス並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｘ線透過膜の面精度を良好に維持できるＸ線
マスク材料を提供する。 【構成】 マスク支持体１のガラス支持枠６に対する固
定部を、マスク支持体１とガラス支持枠６との互いに対
向する表面のうちの一部であって、ガラス支持枠６にマ
スク支持体１を保持できる強度を確保可能な大きさを有
する領域に導電性膜４を形成してこの部部のみを接合領
域にして陽極接合した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＸ線リソグラフィー法に
用いられるＸ線マスク及びその素材たるＸ線マスクブラ
ンクス並びにそれらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、大規模集積回路（ＬＳＩ）等を製
造する工程において、シリコン基板等に微細パターンを
転写する方法として、露光用の光として可視光や紫外光
を用いたフォトリソグラフィー法が用いられるのが一般
的である。しかし、近年、半導体技術の進歩とともに、
超ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化が著しく進み、この
ような背景にともない、フォトリソグラフィー法に用い
てきた可視光や紫外光での転写限界を越えた高精度の微
細パターンの転写技術が要請され、これに対応可能な方
法として、より波長の短いＸ線を露光用電磁波として用
いるＸ線リソグラフィー法が提案されている。このＸ線
リソグラフィー法を実施するためにパターン転写のマス
クとしていわゆるＸ線マスクが用いられる。

【０００３】このＸ線マスクは、基本的考え方としてみ
ると、露光用光がＸ線になっただけで従来のフォトリソ
グラフィー法に用いるフォトマスクと同じであって、要
するに、露光用電磁波たるＸ線を通過させる部分と遮断
する部分とで構成される微細パターンを設けたものとい
うことができる。しかしながら、光（可視光、紫外光）
とＸ線とは、特に、物質に対する吸収・透過特性が著し
く異なるために、フォトマスクに比較してそのマスク材
料の選定等が著しく困難であるという問題を有してい
る。すなわち、例えば、フォトマスクであれば、十分に
光を透過しかつ十分な機械的強度を備えたガラス基板に
光を遮断する薄膜パターンを形成させればよいが、Ｘ線
マスクでは、フォトマスクにおける場合のガラス基板に
相当する部材を担う適当な材料がない。すなわち、十分
な機械的強度を保持できる厚さを備えつつ十分にＸ線を
透過させる材料がない。勿論、波長の短いＸ線を用いれ
ばほとんどの材料が透明となるが、そうすると今度はＸ
線を遮断することが不可能になる。このような事情か
ら、現在提案されているＸ線マスクは、シリコンウエハ
等を枠状に形成したマスク支持体に薄膜状のＸ線透過膜
を張り渡すようにして支持し、このＸ線透過膜の上にパ
ターン化されたＸ線吸収膜を形成した構成を基本とした
ものが採用されている。

【０００４】図３はＸ線リソグラフィー用Ｘ線マスクの
平面図、図４はＸ線リソグラフィー用Ｘ線マスクのＩＩ
ＩーＩＩＩ線断面図である。

【０００５】これらの図において、Ｘ線マスク１０は、
シリコンウエハを枠状に形成したマスク支持体１と、該
マスク支持体１に張り渡すようにして支持されたＸ線透
過膜２と、このＸ線透過膜２の上に形成されたＸ線吸収
膜パターン３とを有したものであり、さらに、このＸ線
マスク１０は、通常、ガラス支持枠６に固定される。す
なわち、マスク支持体１とガラス支持枠６との接着部１
６に接着剤が塗布されて接着固定される。

【０００６】ここで、Ｘ線マスク１０をガラス支持枠６
に固定するのは次の理由による。

【０００７】すなわち、Ｘ線マスクにおいても、フォト
リソグラフィー法におけるフォトマスクと同様に、ステ
ッパーへの装着などの様々な取扱いをうけるが、シリコ
ンウエハからなるマスク支持体１は、このような取扱に
十分に耐えるだけの機械的強度をもっていない。それゆ
え、このような取扱いの際のマスク破損の危険性を減少
させ、取扱い上の安全性を確保するために、マスク支持
体１をガラス支持枠６に固定して保護することがなされ
るものである。

【０００８】なお、通常、Ｘ線マスクとしての完成品
は、マスク支持体に支持されたＸ線透過膜と、このＸ線
透過膜の上に形成されたＸ線吸収膜パターンと、ガラス
支持枠６とを備えたものであるが、Ｘ線吸収膜パターン
が形成されていない非完成品、あるいは、Ｘ線吸収膜は
形成されているがそれがパターン化されていない非完成
品も、Ｘ線マスクを製造するための部品（材料、ブラン
クス）として取り引きの対象となっている。このような
非完成品は、通常、「Ｘ線マスクブランクス」、あるい
は、「Ｘ線マスク材料」と称されているが、本願では、
「Ｘ線マスクブランクス」と称することにする。

【０００９】ところで、Ｘ線リソグラフィー法における
Ｘ線マスクは、感光面に対して１０〜５０μｍの微少な
間隔でパターン露光する近接露光法で使用されるため、
Ｘ線透過膜２上で高い平面度（面精度）が必要とされて
いる。ところが、マスク支持体１をガラス支持枠６に固
定する方法として、通常の接着剤を用いる方法による
と、どうしても接着剤の厚みばらつきが生じてしまうた
めにマスク支持体を歪ませてＸ透過膜の面の均一性を損
なうおそれがあると共に、生産のロット間の再現性を確
保することも困難であるという問題があった。しかも、
接着剤は、耐熱性、耐久性などの経時劣化があるという
欠点も有する。

【００１０】このような問題を解決する方法として、陽
極接合法を用いて、マスク支持体１をガラス支持枠６に
固定する試みがなされている。陽極接合法は、加熱固着
の１種であって、接合部を接触させ、かつ、所定の温度
に維持し、接合部間に所定の電圧を印加することによっ
て接合部間で大きな静電引力が働くようにして界面で化
学的結合を行なわせて両者を接合するものである。この
陽極接合は、接着剤層が存在せず接着剤の厚みばらつき
のような問題がないためにＸ線透過膜の面の均一性を維
持できると共に、再現性に優れ、経時的にも安定である
という利点がある。一方、この陽極接合では、接合時の
熱プロセスによりマスク支持体（例えばシリコンウエ
ハ）とガラス支持枠との熱膨張率の差が大きいと、これ
による歪み（熱歪み）が生じてマスク支持体を変形させ
るおそれがあるが、ガラス支持枠としてマスク支持体
（シリコン）と比較的熱膨張係数の近いガラスを用いる
ことにより、接合時に生じる熱歪みを抑えることが可能
である。したがって、このような事情を総合すると、理
論的にはＸ線透過膜上で３μｍ程度の高い平面度を得る
ことも可能であると考えられる。このようなマスク支持
体とガラス支持枠との陽極接合としては、例えば、特公
平４−６６０９６号公報に開示されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特公平４−
６６０９６号公報に記載の方法によって多数のＸ線マス
クを製造し、そのＸ線透過膜の面精度を調査したとこ
ろ、必ずしも上記理論的に予想した面精度が得られない
場合が少なからずあることが判明した。

【００１２】この原因を究明する過程において、各工程
が手筈どうりに行われている否かを厳重に吟味したが、
そのなかで、陽極接合が完全になされているか否かのチ
ェックも当然行った。このチェックにおいては、所定の
面精度が得られていないものの多くが、陽極接合につい
ては完全になされているものがほとんどあった。したが
って、当初は、面精度が得られない原因が他の工程によ
るものとの想定で原因を究明したがその原因を解明する
ことはできなかった。そこで、面精度が得られているも
のと得られていないものとの間で、各工程で比較できる
ものをリストアップして可能な限り両者の相違点を洗い
出す作業を行った。

【００１３】その結果、有意に判別できる相違点とし
て、面精度が得られているもののなかに、上記陽極接合
がむしろ完全でないものが多く含まれていることが判明
した。そこで、この点に着目し、逆に積極的に陽極接合
を一部分にのみ施したものを製造して面精度を調べたと
ころ、極めて良好な結果が得られることが判明した。

【００１４】本発明は上述の解明結果に基いてなされた
ものであり、Ｘ線透過膜の面精度を良好に維持できるＸ
線マスク及びＸ線マスクブランクス並びにそれらの製造
方法を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にかかるＸ線マスクは、（構成１） 枠状
に形成されたマスク支持体と、このマスク支持体に張り
渡すようにして支持されたＸ線透過膜と、このＸ線透過
膜の上に形成されたＸ線吸収膜パターンと、前記マスク
支持体が固定されたガラス支持枠とを有し、前記マスク
支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前記マスク支
持体とガラス支持枠との互いに対向する表面のうちの一
部であって、前記ガラス支持枠にマスク支持体を保持で
きる強度を確保可能な大きさを有する領域のみを接合領
域にして加熱固着したものであることを特徴とした構成
とし、この構成１の態様として、（構成２） 構成１の
Ｘ線マスクにおいて、前記マスク支持体のガラス支持枠
に対する固定部は、前記マスク支持体又はガラス支持枠
の接合領域となる領域のいずれか一方又は双方を凸部に
形成して加熱固着したものであることを特徴とした構成
とし、上記構成１又は２の態様として、（構成３） 構
成１又は２のＸ線マスクにおいて、前記加熱固着は、陽
極接合によるものであることを特徴とした構成とし、こ
の構成３の態様として、（構成４） 構成３のＸ線マス
クにおいて、前記マスク支持体のガラス支持枠に対する
固定部は、前記マスク支持体の接合領域となる領域に導
電性薄膜を形成して陽極接合したものであることを特徴
とした構成とし、また、本発明にかかるＸ線マスクブラ
ンクスは、（構成５） Ｘ線マスクの素材として用いら
れるＸ線マスクブランクスであって、枠状に形成された
マスク支持体と、このマスク支持体に張り渡すようにし
て支持されたＸ線透過膜と、前記マスク支持体が固定さ
れたガラス支持枠とを有し、前記マスク支持体のガラス
支持枠に対する固定部は、前記マスク支持体とガラス支
持枠との互いに対向する表面うちの一部であって、前記
ガラス支持枠にマスク支持体を保持できる強度を確保可
能な大きさを有する領域のみを加熱固着したものである
ことを特徴とした構成とし、この構成５の態様として、
（構成６） 構成５のＸ線マスクブランクスにおいて、
前記マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前
記マスク支持体又はガラス支持枠の接合領域となる領域
のいずれか一方又は双方を凸部に形成して加熱固着した
ものであることを特徴とした構成とし、上記構成５及び
６の態様として、（構成７） 構成５又は６のＸ線マス
クブランクスにおいて、前記加熱固着は、陽極接合によ
るものであることを特徴とした構成とし、さらに、本発
明にかかるＸ線マスクの製造方法は、（構成８） 基板
部材表面にＸ線透過膜を形成する工程と、前記基板部材
における前記Ｘ線透過膜を形成した面側と反対側の面か
ら該基板部材の周辺部を残して中央部を除去することに
よって基板部材を枠状のマスク支持体に形成する工程
と、前記Ｘ線透過膜上にＸ線吸収膜を形成する工程と、
前記Ｘ線吸収膜にパターンを形成する工程と、前記マス
ク支持体をガラス支持枠に固定する接合工程とを有し、
前記接合工程は、前記マスク支持体とガラス支持枠との
互いに対向する表面のうちの一部であって、前記ガラス
支持枠にマスク支持体を保持できる強度を確保可能な大
きさを有する領域のみを接合領域にして加熱固着するも
のであることを特徴とした構成とし、，この構成８の態
様として、（構成９） 構成８のＸ線マスクの製造方法
において、前記加熱固着が、陽極接合によるものである
ことを特徴とした構成とし、そして、本発明にかかるＸ
線マスクブランクスの製造方法は、（構成１０） 基板
部材表面にＸ線透過膜を形成する工程と、前記基板部材
における前記Ｘ線透過膜を形成した面側と反対側の面か
ら該基板部材の周辺部を残して中央部を除去することに
よって基板部材を枠状のマスク支持体に形成する工程
と、前記マスク支持体をガラス支持枠に固定する接合工
程とを有し、前記接合工程は、前記マスク支持体とガラ
ス支持枠との互いに対向する表面のうちの一部であっ
て、前記ガラス支持枠にマスク支持体を保持できる強度
を確保可能な大きさを有する領域のみを接合領域にして
加熱固着するものであることを特徴とした構成とし、こ
の構成１０の態様として、（構成１１） 構成１０のＸ
線マスクブランクスの製造方法において、前記加熱固着
が、陽極接合によるものであることを特徴とした構成と
したものである。

【００１６】

【作用】上述の構成１によれば、マスク支持体のガラス
支持枠に対する固定部を、前記マスク支持体とガラス支
持枠との互いに対向する表面のうちの一部であって、前
記ガラス支持枠にマスク支持体を保持できる強度を確保
可能な大きさを有する領域のみを接合領域にして加熱固
着したものとすることによって、強固な固定を確保しつ
つＸ線透過膜の面精度をより良好な状態に維持すること
が可能になった。これは、接合領域を小さくすることに
よって、接合領域（面積）が大きい場合に比較して接合
の際の熱歪等の不自然な力がＸ線透過膜に作用する度合
いが著しく軽減されるためであると推定される。すなわ
ち、接合による熱歪みは、接合された領域の長さの２乗
に比例すると考えられるため、例えば、従来の３インチ
ウエハ（直径３インチのマスク支持体）全面での接合
（７６ｍｍ）に対して、接合領域を１／１０（７．６ｍ
ｍ）にすることにより、歪みは１／１００に大幅に低減
できることになると考えられる。なお、好ましい接合領
域の面積の範囲は、３インチφサイズのシリコンのマス
ク支持体と４インチ角サイズ（穴径５５ｍｍφ）のガラ
ス支持枠を用いた場合では、０．７〜２００ｍｍ2 で、
望ましくは７〜６４ｍｍ2 であると考えられる。

【００１７】また、構成２及び４によれば、比較的簡単
に接合領域を小さくすることができ、構成３によれば、
加熱を最小に押さえつつ強固な固定が可能となり、本発
明の特徴をより生かすことが可能となる。

【００１８】構成５ないし７によれば、構成１ないし４
のＸ線マスク製造の際の素材としてのＸ線マスクブラン
クスを得ることができる。

【００１９】さらに構成８及び９によれば、構成１ない
し４のＸ線マスクを製造することができ、構成１０及び
１１によれば、構成５ないし７のＸ線マスクブランクス
を製造することができる。

【００２０】

【実施例】実施例１ 図１は本発明の実施例１にかかかるＸ線マスクの製造工
程説明図である。以下、図１を参照にしながら実施例１
のＸ線マスクの製造方法を説明する。なお、実施例１に
かかるＸ線マスク及びＸ線マスクブランクス並びにＸ線
マスクブランクスの製造方法は、実施例１のＸ線マスク
の製造方法と共通する部分が多いのでＸ線マスクの製造
方法の説明と併せて説明する。

【００２１】まず、シリコン（Ｓｉ）基板１ａの両面に
Ｘ線透過膜２及び２１ａとして炭化ケイ素膜をそれぞれ
成膜する（図２（Ａ）参照）。なお、シリコン基板１ａ
としては、直径が３インチφ、厚さが２ｍｍで、結晶方
位（１００）のシリコン基板を用いた。またＸ線透過膜
としての炭化ケイ素は、ジクロロシランとアセチレンを
用いてＣＶＤ法により１μｍの厚みに成膜されたもので
ある。

【００２２】次に、Ｘ線透過膜２の上にＸ線吸収膜３ａ
を構成するＴａ膜をＲＦマグネトロンスパッタ法によっ
て０．８μｍの厚さに形成する（図２（Ｂ））。

【００２３】次に、Ｘ線吸収膜３ａの上に電子線レジス
トを塗布して電子線により線幅０．２５μｍ以下のレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
にして反応性イオンビームエッチングを施し、Ｘ線吸収
膜パターン３を形成する（図２（Ｃ））。

【００２４】次に、基板１ａのもう一方の側（裏面）に
形成されたＸ線透過膜２１ａをＣＦ4 等のフッ素系ガス
と酸素ガスとの混合ガスを用いる反応性イオンエッチン
グによりその中央部の２５ｍｍ角の領域をエッチング除
去し、次に、裏面に残ったＸ線透過膜２１をマスクとし
て、８０−１００℃に加熱した１０−５０ｗｔ％ＮａＯ
Ｈ水溶液に浸せきすることにより中央部のシリコンを除
去し、２５ｍｍ角の自立したＸ線透過膜２（メンブレ
ン）を有するマスク支持体１を形成する（図２
（Ｄ））。

【００２５】次に、マスク支持体１の裏面に形成されて
いるシリコン基板１ａ上のＸ線透過膜２１の円周方向の
ある特定の部分に７ｍｍφの面積でＴａ（タンタル）膜
をＲＦマグネトロンスパッタ法により１．５μｍの厚み
に形成して導電性膜４を形成する（図２（Ｅ））。この
導電性膜４は、マスク支持体１の裏面に形成された凸部
と見ることもできる。

【００２６】次に、大きさ１００ｍｍ角で厚さ４ｍｍで
中心に直径５５ｍｍの孔径をもつアルミノケイ酸塩ガラ
スの支持枠６に、上記マスク支持体１を重ね合わせ、図
示しないが上下（正負）電極で挾みこみ、さらに、全体
を均一に加熱する。その場合、マスク支持体１側の電極
板を正極に、ガラス支持枠６側の電極が負極になるよう
に配線して直流電圧を印加して陽極接合を行って、Ｘ線
マスク１０を得る。このときの印加電圧としては、例え
ば、５００〜１５００Ｖとすることが出来る。また、接
合温度としては、例えば、１００〜４００℃とすること
ができ、接合時間としては、１分〜２時間とすることが
できる。しかし、これらの印加電圧、接合温度、接合時
間等はこれらに限定されるものではない。これにより重
ね合わせ時に接触している７ｍｍφのＴａ膜である導電
性膜４とガラス支持枠６の部分のみが接合される（図２
（Ｆ））。

【００２７】なお、Ｘ線マスクブランクス及びその製造
方法は、上記Ｘ線マスクにおけるＸ線吸収膜３ａ、ある
いは、Ｘ線吸収膜パターン３がないものである。

【００２８】ここで、部分接合のためにマスク支持体に
形成する導電性膜４は、Ｔａに限定されるものではな
く、陽極接合可能な導電性を有する金属及び半導体の膜
であればよい。例えば、Ｗ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｆｅ，
Ｃｕ，Ｃｒ，Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ等が使用できる。
またマスク支持体の部分段差は、膜形成以外にエッチン
グにより作製してもよい。

【００２９】またタンタル膜からなる導電性膜４の形状
は、円形でなくても四角形や長方形でもよい。また膜の
面積は、使用する接合体の形状により異なる。本実施例
の材料では、好ましい面積は、０．７〜２００ｍｍ2 で
望ましくは、７〜６４ｍｍ2である。

【００３０】またタンタルからなる導電性膜４の膜厚
は、シリコン支持体１の他の部位が接合されない程度厚
ければよく、望ましくは１μｍ以上がよい。

【００３１】本実施例で作製したＸ線マスク材料の平面
度を、フィゾー干渉計により評価してみると、接合前後
で測定精度以下（０．３１μｍ）の平面度変化に抑えら
れていることが確認された。さらに、Ｘ線透過膜２のＸ
線透過領域の面内歪みをレーザ測長機（光波３ｉ）にて
測定し、十分な面内歪みを保っていることを確認した。
なお、実施例１にかかるＸ線マスク及びＸ線マスクブ
ランクス並びにＸ線マスクブランクスの製造方法は、実
施例１のＸ線マスクの製造方法と共通する部分が多いの
でＸ線マスクの製造方法の説明と併せて説明する。

【００３２】実施例２ 図２は本発明の実施例２にかかかるＸ線マスクの製造工
程説明図である。以下、図２を参照にしながら実施例２
のＸ線マスクの製造方法を説明する。なお、この実施例
は、上記実施例１における導電性膜４の代わりに、ガラ
ス支持枠６に凸部５を形成した外は実施例１と同じであ
る。したがって、以下では、同一の部分の説明を省略
し、主としてこの実施例に特有の部分を中心に説明す
る。

【００３３】まず、図３（Ａ）に示す両面が高精度に研
磨されたガラス支持枠６に対して、片面（マスク支持体
１を接合させる面）の一部分に７ｍｍφの石英製のエッ
チングマスクをのせ、ＣＦ4 等のフッ素系ガスと酸素ガ
スとの混合ガスを用いる反応性イオンエッチングにより
設置したマスク以外の全面部を１．５μｍの深さにエッ
チング除去し、７ｍｍφの凸部５を形成する（図３
（Ｂ））。

【００３４】次に、このガラス支持枠６を、実施例１に
示した工程により作製したマスク支持体１に重ね合わ
せ、実施例１と同様な方法で陽極接合することによりマ
スク支持体１がガラス支持枠６の一部である７ｍｍφの
凸部５に接合される。

【００３５】なおガラス支持枠６への凸部５の形成のた
めの加工は、ドライエッチングに限定されるものではな
く、ウエットエッチングや機械加工により行ってもよ
い。また、加工形状は、円形でなくても四角形や長方形
でもよい。さらに、ガラスへのエッチング深さは、１．
５μｍに限定されず凸部以外の部分（エッチング面）に
接合されなければよく、望ましくは１μｍ以上であれば
よい。

【００３６】本実施例で作製したＸ線マスク材料の平面
度を、フイゾー干渉計により評価してみると、接合前後
で測定精度以下（０．３１μｍ）の平面度変化に抑えら
れていることを確認した。さらに、Ｘ線透過膜のＸ線等
化領域の面内歪みをレーザ測長機（光波３ｉ）にて測定
し、十分な面内歪みを保っていることを確認した。

【００３７】実施例３ この実施例は、実施例１で得られたマスク支持体１と実
施例２で得られたガラス支持枠６とを用いて、前記マス
ク支持体１の一部分に形成されたタンタル金属膜の導電
性膜４と前記ガラス支持枠に形成した凸部５の部分を重
ね合わせて、実施例１と同様な方法で陽極接合すること
により、マスク支持体とガラス支持枠とを部分接合した
例である。

【００３８】本実施例で作製したＸ線マスク材料の平面
度を、フイゾー干渉計により評価してみると、接合前後
で測定精度以下（０．３１μｍ）の平面度変化に抑えら
れていることが確認された。さらに、Ｘ線透過膜のＸ線
等化領域の面内歪みをレーザ測長機（光波３ｉ）にて測
定したところ、十分な面内歪みを保っていることが確認
された。

【００３９】以上の実施例ではガラス支持枠を構成する
ガラスとして、Ｎａ2 Ｏを含有したアルミノシリケート
ガラスを用いたが、これに限定されるものではなく、陽
極接合が可能な様々な組成をもつガラス材料を用いるこ
とが可能である。一般に好適なガラスとしては、ホウケ
イ酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、ケイ
酸塩ガラスが上げられる。そして望ましくは、ガラスの
熱膨張係数がシリコンに近いものがよい。

【００４０】また、本実施例ではＸ線透過膜を自立させ
る方法としてＮａＯＨによるシリコンのエッチングを行
ったが、エッチングの方法はこの方法に限るものではな
く、フッ硝酸（ＨＦとＨＮＯ3 の混合液）等も用いるこ
とができる。

【００４１】シリコン基板は、面方位（１００）で大き
さ３インチφ、厚み２ｍｍのものを用いたが、これに限
定されず、面方位は（１１１）等でもよく、一般に好適
な大きさは３インチφと４インチφが厚みは０．３８〜
２ｍｍが挙げられる。またガラス支持枠の大きさ、厚み
についても限定されるものではない。

【００４２】また、Ｘ線透過膜としては、タンタルを用
いたが、タングステン、金などやこれらを含んだ合金で
もよい。

【００４３】さらに、加熱固着の方法としては、陽極接
合の外に、マスク支持体（Ｓｉウエハ）とガラス支持枠
（ガラス板）の各接触面を精度研磨した上で重ね合わせ
て加熱する熱融着でもよい。

【００４４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部を、前記マ
スク支持体とガラス支持枠との互いに対向する表面のう
ちの一部であって、前記ガラス支持枠にマスク支持体を
保持できる強度を確保可能な大きさを有する領域のみを
接合領域にして陽極接合したものにしたことにより、強
固な固定を確保しつつＸ線透過膜の面精度をより良好な
状態に維持できるとともに、耐環境性（経時的安定性）
に優れかつロット間の再現性に優れたＸ線マスク及びＸ
線マスクブランクス並びにそれらの製造方法を得ている
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１にかかかるＸ線マスクの製造
工程説明図である。

【図２】本発明の実施例２にかかかるＸ線マスクの製造
工程説明図である。

【図３】従来のＸ線マスクの平面図である。

【図４】従来のＸ線マスクのＩＩＩーＩＩＩ線断面図で
ある。

【符号の説明】

１…マスク支持体、２…Ｘ線透過膜、３…Ｘ線吸収膜、
４…導電性膜、５…凸部、６…ガラス支持枠。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 枠状に形成されたマスク支持体と、この
   マスク支持体に張り渡すようにして支持されたＸ線透過
   膜と、このＸ線透過膜の上に形成されたＸ線吸収膜パタ
   ーンと、前記マスク支持体が固定されたガラス支持枠と
   を有し、 前記マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前
   記マスク支持体とガラス支持枠との互いに対向する表面
   のうちの一部であって、前記ガラス支持枠にマスク支持
   体を保持できる強度を確保可能な大きさを有する領域の
   みを接合領域にして加熱固着したものであることを特徴
   としたＸ線マスク。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のＸ線マスクにおいて、 前記マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前
   記マスク支持体又はガラス支持枠の接合領域となる領域
   のいずれか一方又は双方を凸部に形成して加熱固着した
   ものであることを特徴としたＸ線マスク。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のＸ線マスクにお
   いて、 前記加熱固着は、陽極接合によるものであることを特徴
   としたＸ線マスク。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のＸ線マスクにおいて、 前記マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前
   記マスク支持体の接合領域となる領域に導電性薄膜を形
   成して陽極接合したものであることを特徴としたＸ線マ
   スク。
5. 【請求項５】 Ｘ線マスクの素材として用いられるＸ線
   マスクブランクスであって、 枠状に形成されたマスク支持体と、このマスク支持体に
   張り渡すようにして支持されたＸ線透過膜と、前記マス
   ク支持体が固定されたガラス支持枠とを有し、 前記マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前
   記マスク支持体とガラス支持枠との互いに対向する表面
   うちの一部であって、前記ガラス支持枠にマスク支持体
   を保持できる強度を確保可能な大きさを有する領域のみ
   を加熱固着したものであることを特徴としたＸ線マスク
   ブランクス。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のＸ線マスクブランクス
   において、 前記マスク支持体のガラス支持枠に対する固定部は、前
   記マスク支持体又はガラス支持枠の接合領域となる領域
   のいずれか一方又は双方を凸部に形成して加熱固着した
   ものであることを特徴としたＸ線マスクブランクス。
7. 【請求項７】 請求項５又は６に記載のＸ線マスクブラ
   ンクスにおいて、 前記加熱固着は、陽極接合によるものであるあることを
   特徴としたＸ線マスクブランクス。
8. 【請求項８】 基板部材表面にＸ線透過膜を形成する工
   程と、 前記基板部材における前記Ｘ線透過膜を形成した面側と
   反対側の面から該基板部材の周辺部を残して中央部を除
   去することによって基板部材を枠状のマスク支持体に形
   成する工程と、 前記Ｘ線透過膜上にＸ線吸収膜を形成する工程と、 前記Ｘ線吸収膜にパターンを形成する工程と、 前記マスク支持体をガラス支持枠に固定する接合工程と
   を有し、 前記接合工程は、前記マスク支持体とガラス支持枠との
   互いに対向する表面のうちの一部であって、前記ガラス
   支持枠にマスク支持体を保持できる強度を確保可能な大
   きさを有する領域のみを接合領域にして加熱固着するも
   のであることを特徴としたＸ線マスクの製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載のＸ線マスクの製造方法
   において、 前記加熱固着が、陽極接合によるものであることを特徴
   としたＸ線マスクの製造方法。
10. 【請求項１０】 基板部材表面にＸ線透過膜を形成する
    工程と、 前記基板部材における前記Ｘ線透過膜を形成した面側と
    反対側の面から該基板部材の周辺部を残して中央部を除
    去することによって基板部材を枠状のマスク支持体に形
    成する工程と、 前記マスク支持体をガラス支持枠に固定する接合工程と
    を有し、 前記接合工程は、前記マスク支持体とガラス支持枠との
    互いに対向する表面のうちの一部であって、前記ガラス
    支持枠にマスク支持体を保持できる強度を確保可能な大
    きさを有する領域のみを接合領域にして加熱固着するも
    のであることを特徴としたＸ線マスクブランクスの製造
    方法。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載のＸ線マスクブラン
    クスの製造方法において、 前記加熱固着が、陽極接合によるものであることを特徴
    としたＸ線マスクブランクスの製造方法。