JPH07233132A - ヒドロキシルアミン化合物 - Google Patents
ヒドロキシルアミン化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保護されたヒドロキサム酸誘導体を得る試薬
として有用な新規化合物並びに保護されたヒドロキサム
酸誘導体およびその製造法を提供すること。 【構成】 式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは２−ピ
リジル基または２−トリアルキルシリル基である。）で
表されるヒドロキシルアミン化合物。式ＡＣＯＮＨＯＣ
Ｈ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａは任意の有機残基であり、Ｒは２
−ピリジル基または２−トリアルキルシリル基であ
る。）で表されるヒドロキサム酸誘導体およびその製造
法。
として有用な新規化合物並びに保護されたヒドロキサム
酸誘導体およびその製造法を提供すること。 【構成】 式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは２−ピ
リジル基または２−トリアルキルシリル基である。）で
表されるヒドロキシルアミン化合物。式ＡＣＯＮＨＯＣ
Ｈ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａは任意の有機残基であり、Ｒは２
−ピリジル基または２−トリアルキルシリル基であ
る。）で表されるヒドロキサム酸誘導体およびその製造
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、保護されたヒドロキサ
ム酸誘導体を得る試薬として有用な新規ヒドロキシルア
ミン化合物並びに保護されたヒドロキサム酸誘導体およ
びその製造法に関する。
ム酸誘導体を得る試薬として有用な新規ヒドロキシルア
ミン化合物並びに保護されたヒドロキサム酸誘導体およ
びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、２−（２−ピリジル）エチル基、
２−トリメチルシリルエチル基が有機化合物中のカルボ
キシル基およびその他の官能基の保護基として開発され
ている［T.W.Green et al.，Protective Groups in Org
anic Synthesys 2nd Edition，第２４２および第２４４
頁，J.Wiley & Sons Inc.，New York（１９９１
年）］。
２−トリメチルシリルエチル基が有機化合物中のカルボ
キシル基およびその他の官能基の保護基として開発され
ている［T.W.Green et al.，Protective Groups in Org
anic Synthesys 2nd Edition，第２４２および第２４４
頁，J.Wiley & Sons Inc.，New York（１９９１
年）］。
【０００３】しかしながら、ヒドロキサム酸誘導体の保
護基としてはこれまでに用いられたことはない。
護基としてはこれまでに用いられたことはない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、保護された
ヒドロキサム酸誘導体を得る試薬として有用な新規化合
物並びに保護されたヒドロキサム酸誘導体およびその製
造法を提供することを目的とする。
ヒドロキサム酸誘導体を得る試薬として有用な新規化合
物並びに保護されたヒドロキサム酸誘導体およびその製
造法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、式Ｈ2ＮＯＣ
Ｈ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは２−ピリジル基または２−トリ
アルキルシリル基である。）で表されるヒドロキシルア
ミン化合物である。また他の本発明は、式ＡＣＯＮＨＯ
ＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａは任意の有機残基であり、Ｒは
前記と同意義である。）で表されるヒドロキサム酸誘導
体である。更に他の本発明は、式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｒ（式中、ＡおよびＲは前記と同意義である。）で
表されるヒドロキサム酸誘導体を製造するにあたり、式
ＡＣＯＯＨ（式中、Ａは前記と同意義である。）で表さ
れるカルボン酸化合物またはその反応性誘導体と式Ｈ2
ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは前記と同意義である。）
で表されるヒドロキシルアミン化合物を反応させること
を特徴とする式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａお
よびＲは前記と同意義である。）で表されるヒドロキサ
ム酸誘導体の製造法である。
Ｈ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは２−ピリジル基または２−トリ
アルキルシリル基である。）で表されるヒドロキシルア
ミン化合物である。また他の本発明は、式ＡＣＯＮＨＯ
ＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａは任意の有機残基であり、Ｒは
前記と同意義である。）で表されるヒドロキサム酸誘導
体である。更に他の本発明は、式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｒ（式中、ＡおよびＲは前記と同意義である。）で
表されるヒドロキサム酸誘導体を製造するにあたり、式
ＡＣＯＯＨ（式中、Ａは前記と同意義である。）で表さ
れるカルボン酸化合物またはその反応性誘導体と式Ｈ2
ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは前記と同意義である。）
で表されるヒドロキシルアミン化合物を反応させること
を特徴とする式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａお
よびＲは前記と同意義である。）で表されるヒドロキサ
ム酸誘導体の製造法である。
【０００６】本発明のトリアルキルシリル基中のアルキ
ル基とは炭素原子数１〜５のアルキル基であり、好まし
くはメチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基な
どである。中でも、メチル基は取扱い上最も好ましい。
また、Ａで表される任意の有機残基は、後記するように
式ＡＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物またはその反
応性誘導体と本発明の式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒで表され
る化合物の反応においてＡは何ら影響されるものではな
いので、式ＡＣＯＯＨで表される有機カルボン酸におけ
る有機残基であればいずれであってもよい。当該有機残
基は、たとえば、アルキル基、アルケニル基などのよう
な脂肪族炭化水素基、フェニル基、ピリジル基、ピリミ
ジル基などのような芳香族炭化水素基、アミノ酸残基な
どであり、それらは更に任意の官能基で置換されていて
もよい。式ＡＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物の反
応性誘導体とは該カルボン酸化合物の酸ハライドまたは
エステル誘導体であり、たとえば酸クロライド、酸ブロ
マイド、パラトルエンスルホン酸エステル、メタンスル
ホン酸エステルなどである。
ル基とは炭素原子数１〜５のアルキル基であり、好まし
くはメチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基な
どである。中でも、メチル基は取扱い上最も好ましい。
また、Ａで表される任意の有機残基は、後記するように
式ＡＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物またはその反
応性誘導体と本発明の式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒで表され
る化合物の反応においてＡは何ら影響されるものではな
いので、式ＡＣＯＯＨで表される有機カルボン酸におけ
る有機残基であればいずれであってもよい。当該有機残
基は、たとえば、アルキル基、アルケニル基などのよう
な脂肪族炭化水素基、フェニル基、ピリジル基、ピリミ
ジル基などのような芳香族炭化水素基、アミノ酸残基な
どであり、それらは更に任意の官能基で置換されていて
もよい。式ＡＣＯＯＨで表されるカルボン酸化合物の反
応性誘導体とは該カルボン酸化合物の酸ハライドまたは
エステル誘導体であり、たとえば酸クロライド、酸ブロ
マイド、パラトルエンスルホン酸エステル、メタンスル
ホン酸エステルなどである。
【０００７】本発明の式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒで表され
る化合物は、既知の方法［E.Grochow ski et al.，Synt
hesys，６８２，（１９７６年）］を応用することによ
って製造することができる。
る化合物は、既知の方法［E.Grochow ski et al.，Synt
hesys，６８２，（１９７６年）］を応用することによ
って製造することができる。
【０００８】すなわち、まず、Ｍｉｔｓｕｎｏｂｕ反応
を用い、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドと式ＲＣＨ2ＣＨ2
ＯＨ（式中、Ｒは前記と同意義である。）で表されるア
ルコール化合物とを、有機溶媒中、トリフェニルホスフ
ィンおよびジエチルアゾジカルボキシレートの存在下反
応させることにより、式［１］
を用い、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドと式ＲＣＨ2ＣＨ2
ＯＨ（式中、Ｒは前記と同意義である。）で表されるア
ルコール化合物とを、有機溶媒中、トリフェニルホスフ
ィンおよびジエチルアゾジカルボキシレートの存在下反
応させることにより、式［１］
【化１】
【０００９】
【００１０】（式中、Ｒは前記と同意義である。）で表
されるＮ−アルコキシフタルイミド化合物を得る。本反
応における有機溶媒はジクロロメタン、クロロホルムな
どの塩素系溶媒、エーテル、テトラヒドロフラン、ジエ
トキシエタンなどのエーテル系溶媒などが用いられる
が、好ましくはクロロホルムが用いられる。反応時間は
３０分間〜数１０時間であるが、有機溶媒としてクロロ
ホルムを用いた場合は１時間で充分であり極めて好適で
ある。反応は室温で充分進行し、場合により冷却または
加温することができる。
されるＮ−アルコキシフタルイミド化合物を得る。本反
応における有機溶媒はジクロロメタン、クロロホルムな
どの塩素系溶媒、エーテル、テトラヒドロフラン、ジエ
トキシエタンなどのエーテル系溶媒などが用いられる
が、好ましくはクロロホルムが用いられる。反応時間は
３０分間〜数１０時間であるが、有機溶媒としてクロロ
ホルムを用いた場合は１時間で充分であり極めて好適で
ある。反応は室温で充分進行し、場合により冷却または
加温することができる。
【００１１】次いで、上記式［１］の化合物をヒドラジ
ンと反応させることにより、本発明の式Ｈ2ＮＯＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｒで表される化合物を得ることができる。本反応に
おける溶媒はエタノールなどのアルコール系溶媒が好ま
しく、反応時間は１時間前後で充分であり、反応温度は
氷冷〜室温である。
ンと反応させることにより、本発明の式Ｈ2ＮＯＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｒで表される化合物を得ることができる。本反応に
おける溶媒はエタノールなどのアルコール系溶媒が好ま
しく、反応時間は１時間前後で充分であり、反応温度は
氷冷〜室温である。
【００１２】また、式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｒで表さ
れる本発明のヒドロキサム酸誘導体は、式ＡＣＯＯＨで
表される有機カルボン酸またはその反応性誘導体と式Ｈ
2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒで表される本発明化合物とを反応さ
せることによって得ることができる。有機カルボン酸を
用いる場合、脱水剤としては通常有機カルボン酸とアミ
ンとの脱水縮合に用いられるものであればよいが、たと
えばジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、ＷＳ
Ｃが好適である。
れる本発明のヒドロキサム酸誘導体は、式ＡＣＯＯＨで
表される有機カルボン酸またはその反応性誘導体と式Ｈ
2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒで表される本発明化合物とを反応さ
せることによって得ることができる。有機カルボン酸を
用いる場合、脱水剤としては通常有機カルボン酸とアミ
ンとの脱水縮合に用いられるものであればよいが、たと
えばジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、ＷＳ
Ｃが好適である。
【００１３】
【発明の効果】本発明により、２−（２−ピリジル）エ
チル基または２−トリメチルシリルエチル基で保護され
たヒドロキサム酸誘導体、当該ヒドロキサム酸誘導体を
得る試薬として有用な新規ヒドロキシルアミン化合物お
よび当該ヒドロキサム酸誘導体を得る方法が提供され
た。
チル基または２−トリメチルシリルエチル基で保護され
たヒドロキサム酸誘導体、当該ヒドロキサム酸誘導体を
得る試薬として有用な新規ヒドロキシルアミン化合物お
よび当該ヒドロキサム酸誘導体を得る方法が提供され
た。
【００１４】２−（２−ピリジル）エチル基または２−
トリメチルシリルエチル基はヒドロキサム酸誘導体の保
護基としてはこれまでに用いられたことはなく、本発明
のヒドロキシルアミン化合物を用いて合成すると便利で
ある。保護されたヒドロキサム酸誘導体は、いくつかの
反応を行い、最後にこの保護基を除き目的とするヒドロ
キサム酸を得たい場合、またヒドロキサム酸自体を変換
したい場合、たとえば還元してヒドロキシルアミノ基
（−ＮＨＯＨ）を持つヒドロキシルアミン誘導体を得た
い場合に重要である。すなわち反応の中に、接触還元反
応、酸または塩基による加水分解反応などが含まれてい
る場合、保護基はそれらの反応に安定である。しかも、
基−ＣＨ2ＣＨ2Ｒは、緩和な条件下特異的に切断される
ので、大変有用である。
トリメチルシリルエチル基はヒドロキサム酸誘導体の保
護基としてはこれまでに用いられたことはなく、本発明
のヒドロキシルアミン化合物を用いて合成すると便利で
ある。保護されたヒドロキサム酸誘導体は、いくつかの
反応を行い、最後にこの保護基を除き目的とするヒドロ
キサム酸を得たい場合、またヒドロキサム酸自体を変換
したい場合、たとえば還元してヒドロキシルアミノ基
（−ＮＨＯＨ）を持つヒドロキシルアミン誘導体を得た
い場合に重要である。すなわち反応の中に、接触還元反
応、酸または塩基による加水分解反応などが含まれてい
る場合、保護基はそれらの反応に安定である。しかも、
基−ＣＨ2ＣＨ2Ｒは、緩和な条件下特異的に切断される
ので、大変有用である。
【００１５】現在市販されているＰｈＣＨ2ＯＮＨ2を保
護基として用いた場合は接触還元で脱ベンジル化されて
しまい、ＣＨ3ＯＮＨ2を用いた場合は脱メチル化が困難
である点などを考慮すると、当該保護基の有用性が認識
できる。
護基として用いた場合は接触還元で脱ベンジル化されて
しまい、ＣＨ3ＯＮＨ2を用いた場合は脱メチル化が困難
である点などを考慮すると、当該保護基の有用性が認識
できる。
【００１６】本発明化合物の使用方法の一例をＯ−（２
−トリメチルシリルエチル）ヒドロキシルアミンを用い
た場合の反応式で示すと、以下のようになる。（式中、
Ａは任意の有機残基である。）
−トリメチルシリルエチル）ヒドロキシルアミンを用い
た場合の反応式で示すと、以下のようになる。（式中、
Ａは任意の有機残基である。）
【化２】
【００１７】
【００１８】上記反応において、保護されたヒドロキサ
ム酸誘導体［２］または保護されたヒドロキシルアミン
誘導体［３］の有機残基Ａは種々の化学修飾が可能であ
る。たとえば、上記反応式において、酸に弱い保護基
（たとえば基−ＯＢｕ−ｔ）ではＰＯＣｌ3は使用でき
ない。また、ベンジル基やベンジルオキシカルボニル基
はＰｄ／Ｃで切断されるので使用できない。
ム酸誘導体［２］または保護されたヒドロキシルアミン
誘導体［３］の有機残基Ａは種々の化学修飾が可能であ
る。たとえば、上記反応式において、酸に弱い保護基
（たとえば基−ＯＢｕ−ｔ）ではＰＯＣｌ3は使用でき
ない。また、ベンジル基やベンジルオキシカルボニル基
はＰｄ／Ｃで切断されるので使用できない。
【００１９】本発明化合物の使用はアミノ酸化学の分野
においても有用である。具体的には実施例３以降におい
て示すが、ω−ヒドロキシアミノ−α−アミノ酸の合成
に際し、上記の反応式に示される反応を行えば目的物が
合成できる。従来よく用いられるベンジル基やメチル基
で保護されたヒドロキサム酸を用いると、前者は接触還
元に弱く、後者は最後の脱メチル化反応が困難である欠
点を有する。
においても有用である。具体的には実施例３以降におい
て示すが、ω−ヒドロキシアミノ−α−アミノ酸の合成
に際し、上記の反応式に示される反応を行えば目的物が
合成できる。従来よく用いられるベンジル基やメチル基
で保護されたヒドロキサム酸を用いると、前者は接触還
元に弱く、後者は最後の脱メチル化反応が困難である欠
点を有する。
【００２０】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ Ｏ−［２−（２−ピリジル）エチル］ヒドロキシルアミ
ンの製造 （１）氷冷下、ジエチルアゾジカルボキシレート（１．
９４ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を２−（２−ピリジル）エ
タノール（１．１４ｇ，９．３ｍｍｏｌ）、Ｎ−ヒドロ
キシフタルイミド（１．５１ｇ，９．３ｍｍｏｌ）およ
びトリフェニルホスフィン（２．４５ｇ，９．３ｍｍｏ
ｌ）のクロロホルム（３０ｍｌ）溶液中に加え、反応液
を室温に上げた。１時間後、減圧下溶媒を留去し、残渣
に酢酸エチルを加え、これを１０％塩酸（１０ｍｌ×
２）で抽出した。水層を１０％炭酸ナトリウム（３０ｍ
ｌ）で塩基性にした後、酢酸エチルで（８０ｍｌ×２）
で抽出した。有機層を飽和食塩水（４０ｍｌ）で洗浄
後、硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下溶媒を濃縮し、
粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；ベンゼン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、Ｎ−
［２−（２−ピリジル）エトキシ］フタルイミド（１．
８８ｇ，７５．５％）を得た。 ｍ．ｐ． ７５〜７６℃（ベンゼン−ヘキサンで再結
晶）
する。 実施例１ Ｏ−［２−（２−ピリジル）エチル］ヒドロキシルアミ
ンの製造 （１）氷冷下、ジエチルアゾジカルボキシレート（１．
９４ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を２−（２−ピリジル）エ
タノール（１．１４ｇ，９．３ｍｍｏｌ）、Ｎ−ヒドロ
キシフタルイミド（１．５１ｇ，９．３ｍｍｏｌ）およ
びトリフェニルホスフィン（２．４５ｇ，９．３ｍｍｏ
ｌ）のクロロホルム（３０ｍｌ）溶液中に加え、反応液
を室温に上げた。１時間後、減圧下溶媒を留去し、残渣
に酢酸エチルを加え、これを１０％塩酸（１０ｍｌ×
２）で抽出した。水層を１０％炭酸ナトリウム（３０ｍ
ｌ）で塩基性にした後、酢酸エチルで（８０ｍｌ×２）
で抽出した。有機層を飽和食塩水（４０ｍｌ）で洗浄
後、硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下溶媒を濃縮し、
粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；ベンゼン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、Ｎ−
［２−（２−ピリジル）エトキシ］フタルイミド（１．
８８ｇ，７５．５％）を得た。 ｍ．ｐ． ７５〜７６℃（ベンゼン−ヘキサンで再結
晶）
【００２１】（２）上記（１）で得たＮ−［２−（２−
ピリジル）エトキシ］フタルイミド（３８８ｍｇ，１．
４５ｍｍｏｌ）と無水ヒドラジン（５０ｍｇ，２．８９
ｍｍｏｌ）のエタノール（１０ｍｌ）溶液を室温下４５
分間攪拌した。反応後、不溶物を濾過して除き、濾液を
濃縮した。残渣にエーテル（１０ｍｌ）を加え、不溶物
を濾過して除き、濾液を濃縮した。粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル）
で精製し、表記化合物（１８１ｍｇ，９０．６％）を得
た。
ピリジル）エトキシ］フタルイミド（３８８ｍｇ，１．
４５ｍｍｏｌ）と無水ヒドラジン（５０ｍｇ，２．８９
ｍｍｏｌ）のエタノール（１０ｍｌ）溶液を室温下４５
分間攪拌した。反応後、不溶物を濾過して除き、濾液を
濃縮した。残渣にエーテル（１０ｍｌ）を加え、不溶物
を濾過して除き、濾液を濃縮した。粗生成物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル）
で精製し、表記化合物（１８１ｍｇ，９０．６％）を得
た。
【００２２】ｍ．ｐ． １７０〜１７２℃（２塩酸塩と
して、メタノールで再結晶）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）；３．０７
（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），４．０３（２Ｈ，ｔ，
Ｊ＝６．０Ｈｚ），４．０３（２Ｈ，ｓ），６．９３〜
７．７３（３Ｈ，ｍ），８．４３〜８．６７（１Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） （ｃｍ-1）；３４００〜３２００，
１５９０，１４７５，１４３０，１０５０，１０２０
して、メタノールで再結晶）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）；３．０７
（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），４．０３（２Ｈ，ｔ，
Ｊ＝６．０Ｈｚ），４．０３（２Ｈ，ｓ），６．９３〜
７．７３（３Ｈ，ｍ），８．４３〜８．６７（１Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） （ｃｍ-1）；３４００〜３２００，
１５９０，１４７５，１４３０，１０５０，１０２０
【００２３】実施例２ Ｏ−（２−トリメチルシリルエチル）ヒドロキシルアミ
ン塩酸塩の製造 （１）２−（２−ピリジル）エタノールの代わりに２−
トリメチルシリルエタノールを用い、実施例１（１）と
ほぼ同様にして、Ｎ−（２−トリメチルシリルエトキ
シ）フタルイミドを得た。ジエチルアゾジカルボキシレ
ートをゆっくり加えることによって収率が向上した。 ｍ．ｐ． ７５〜７６℃（ヘキサンで再結晶）
ン塩酸塩の製造 （１）２−（２−ピリジル）エタノールの代わりに２−
トリメチルシリルエタノールを用い、実施例１（１）と
ほぼ同様にして、Ｎ−（２−トリメチルシリルエトキ
シ）フタルイミドを得た。ジエチルアゾジカルボキシレ
ートをゆっくり加えることによって収率が向上した。 ｍ．ｐ． ７５〜７６℃（ヘキサンで再結晶）
【００２４】（２）上記（１）で得たＮ−（２−トリメ
チルシリルエトキシ）フタルイミド（４．１２ｇ，１
５．７ｍｍｏｌ）、８０％ヒドラジン・水和物（１．０
ｍｌ，１６．４ｍｍｏｌ）およびエタノール（４５ｍ
ｌ）を室温下一夜攪拌した。冷却下、反応液に濃塩酸
（３．９ｍｌ）を加え、不溶物を濾過して除き、濾液を
濃縮乾固した。残渣をイソプロピルエーテルで再結晶し
て表記化合物（２．１５ｇ，８１．０％）を得た。 ｍ．ｐ． １３８〜１４０℃
チルシリルエトキシ）フタルイミド（４．１２ｇ，１
５．７ｍｍｏｌ）、８０％ヒドラジン・水和物（１．０
ｍｌ，１６．４ｍｍｏｌ）およびエタノール（４５ｍ
ｌ）を室温下一夜攪拌した。冷却下、反応液に濃塩酸
（３．９ｍｌ）を加え、不溶物を濾過して除き、濾液を
濃縮乾固した。残渣をイソプロピルエーテルで再結晶し
て表記化合物（２．１５ｇ，８１．０％）を得た。 ｍ．ｐ． １３８〜１４０℃
【００２５】実施例３ Ｎ−［（２−トリメチルシリル）エトキシ］フェニルア
セタミドの製造 炭酸ナトリウム（０．２ｇ）を入れたベンゼン（２０ｍ
ｌ）−水（１０ｍｌ）溶液に氷冷下Ｏ−（２−トリメチ
ルシリルエチル）ヒドロキシルアミン塩酸塩（１．６６
ｇ，０．７５ｍｍｏｌ）を加え、次いでフェニル酢酸ク
ロリド（１．４ｍｌ，１．１倍モル）を滴下し２０分後
室温にて１２時間攪拌した。反応後、水（２０ｍｌ）を
加え、ベンゼンで抽出した。ベンゼン溶液は飽和食塩水
で洗浄し、芒硝乾燥した。ベンゼンを減圧留去し、表記
化合物（２．３６ｇ，９６％）を得た。 ｍ．ｐ． ９２〜９３℃
セタミドの製造 炭酸ナトリウム（０．２ｇ）を入れたベンゼン（２０ｍ
ｌ）−水（１０ｍｌ）溶液に氷冷下Ｏ−（２−トリメチ
ルシリルエチル）ヒドロキシルアミン塩酸塩（１．６６
ｇ，０．７５ｍｍｏｌ）を加え、次いでフェニル酢酸ク
ロリド（１．４ｍｌ，１．１倍モル）を滴下し２０分後
室温にて１２時間攪拌した。反応後、水（２０ｍｌ）を
加え、ベンゼンで抽出した。ベンゼン溶液は飽和食塩水
で洗浄し、芒硝乾燥した。ベンゼンを減圧留去し、表記
化合物（２．３６ｇ，９６％）を得た。 ｍ．ｐ． ９２〜９３℃
【００２６】以下、下記スキームに従って製造した。
【化３】
【００２７】
【００２８】実施例４ Ｌ−グルタミン酸 α−Ｎ−（９−フルオレニルメトキ
シカルボニル）−γ−Ｎ−［２−（トリメチルシリル）
エトキシ］アミド ベンジルエステル［７］の製造 （１）ＤＣＣ（４．８６ｇ，２３．５ｍｍｏｌ）を
［４］（９．４８ｇ，２１．４ｍｍｏｌ）、ベンジルア
ルコール（２．２１ｍｌ，２１．４ｍｍｏｌ）、４−ジ
メチルアミノピリジン（２６１ｍｇ，２．１４ｍｍｏ
ｌ）および塩化メチレン（１００ｍｌ）の混合物に加
え、室温で攪拌した。一夜攪拌後、酢酸（１ｍｌ）を加
えて過剰のＤＣＣを分解し、さらに反応液を３０分間攪
拌した。沈澱物を濾過して除き塩化メチレンで洗浄後、
濾液を減圧下濃縮した。残渣を酢酸エチル−ヘキサンで
再結晶して［５］（９．４６ｇ，８６％）を得た。母液
を減圧下濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（展開溶媒；ベンゼン：酢酸エチル＝２０：１）に付
し、溶出物を酢酸エチル−ヘキサンで再結晶して更に無
色結晶のＬ−グルタミン酸 α−Ｎ−（９−フルオレニ
ルメトキシカルボニル）−γ−ｔ−ブチルエステル ベ
ンジルエステル［５］（８４８ｍｇ，トータル収率９４
％）を得た。 ｍ．ｐ． １３８〜１４０℃
シカルボニル）−γ−Ｎ−［２−（トリメチルシリル）
エトキシ］アミド ベンジルエステル［７］の製造 （１）ＤＣＣ（４．８６ｇ，２３．５ｍｍｏｌ）を
［４］（９．４８ｇ，２１．４ｍｍｏｌ）、ベンジルア
ルコール（２．２１ｍｌ，２１．４ｍｍｏｌ）、４−ジ
メチルアミノピリジン（２６１ｍｇ，２．１４ｍｍｏ
ｌ）および塩化メチレン（１００ｍｌ）の混合物に加
え、室温で攪拌した。一夜攪拌後、酢酸（１ｍｌ）を加
えて過剰のＤＣＣを分解し、さらに反応液を３０分間攪
拌した。沈澱物を濾過して除き塩化メチレンで洗浄後、
濾液を減圧下濃縮した。残渣を酢酸エチル−ヘキサンで
再結晶して［５］（９．４６ｇ，８６％）を得た。母液
を減圧下濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（展開溶媒；ベンゼン：酢酸エチル＝２０：１）に付
し、溶出物を酢酸エチル−ヘキサンで再結晶して更に無
色結晶のＬ−グルタミン酸 α−Ｎ−（９−フルオレニ
ルメトキシカルボニル）−γ−ｔ−ブチルエステル ベ
ンジルエステル［５］（８４８ｍｇ，トータル収率９４
％）を得た。 ｍ．ｐ． １３８〜１４０℃
【００２９】（２）［５］（３．７７ｇ，７．３１ｍｍ
ｏｌ）、トリフルオロ酢酸（１０ｍｌ）および塩化メチ
レン（１０ｍｌ）の混合物を氷冷下３．５時間攪拌し
た。反応後、減圧下４０℃以下で溶媒を留去し、残渣を
塩化メチレン（６０ｍｌ）で希釈した。これを飽和食塩
水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過後濃縮し
た。粗生成物を酢酸エチル−ヘキサンより再結晶してα
−Ｎ−（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｌ−
グルタミン酸ベンジルエステル（２．６０ｇ，７７％）
を得た。母液を減圧下濃縮してシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１
０：１）に付し、［６］（４４４ｍｇ，トータル収率９
１％）を得た。 ｍ．ｐ． １１６〜１１８℃（酢酸エチル−ヘキサンよ
り再結晶）
ｏｌ）、トリフルオロ酢酸（１０ｍｌ）および塩化メチ
レン（１０ｍｌ）の混合物を氷冷下３．５時間攪拌し
た。反応後、減圧下４０℃以下で溶媒を留去し、残渣を
塩化メチレン（６０ｍｌ）で希釈した。これを飽和食塩
水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過後濃縮し
た。粗生成物を酢酸エチル−ヘキサンより再結晶してα
−Ｎ−（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−Ｌ−
グルタミン酸ベンジルエステル（２．６０ｇ，７７％）
を得た。母液を減圧下濃縮してシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１
０：１）に付し、［６］（４４４ｍｇ，トータル収率９
１％）を得た。 ｍ．ｐ． １１６〜１１８℃（酢酸エチル−ヘキサンよ
り再結晶）
【００３０】（３）［６］（２．７１ｇ，５．８９ｍｍ
ｏｌ）、Ｏ−（２−トリメチルシリルエチル）ヒドロキ
シルアミン塩酸塩（１．０ｇ，５．８９ｍｍｏｌ）、ト
リエチルアミン（１．６３ｍｌ，１１．８ｍｍｏｌ）、
１−ヒドロキシ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール１水和物
（８７６ｍｇ，６．４８ｍｍｏｌ）および塩化エチレン
（６０ｍｌ）の混合物にＷＳＣ塩酸塩（１．２４ｇ，
６．４８ｍｍｏｌ）を攪拌下加え、一夜放置した。反応
液を１０％塩酸水溶液（２０ｍｌ）、次いで飽和食塩水
で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過後濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）に付して表記化
合物［７］（２．５７ｇ，９５％）を得た。 ｍ．ｐ． １２３〜１２４℃（酢酸エチル−ヘキサンよ
り再結晶）
ｏｌ）、Ｏ−（２−トリメチルシリルエチル）ヒドロキ
シルアミン塩酸塩（１．０ｇ，５．８９ｍｍｏｌ）、ト
リエチルアミン（１．６３ｍｌ，１１．８ｍｍｏｌ）、
１−ヒドロキシ−１Ｈ−ベンゾトリアゾール１水和物
（８７６ｍｇ，６．４８ｍｍｏｌ）および塩化エチレン
（６０ｍｌ）の混合物にＷＳＣ塩酸塩（１．２４ｇ，
６．４８ｍｍｏｌ）を攪拌下加え、一夜放置した。反応
液を１０％塩酸水溶液（２０ｍｌ）、次いで飽和食塩水
で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過後濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）に付して表記化
合物［７］（２．５７ｇ，９５％）を得た。 ｍ．ｐ． １２３〜１２４℃（酢酸エチル−ヘキサンよ
り再結晶）
【００３１】実施例５ Ｌ−グルタミン酸 α−Ｎ−（９−フルオレニルメトキ
シカルボニル）−γ−Ｎ−［２−（トリメチルシリル）
エトキシ］イミドイルブロミド ベンジルエステル
［８］の製造 四臭化炭素（２．２３ｇ，６．１８ｍｍｏｌ）を、
［７］（２．３７ｇ，４．１２ｍｍｏｌ）、トリフェニ
ルホスフィン（１．６２ｇ，６．１８ｍｍｏｌ）および
アセトニトリル（２０ｍｌ）の混合物に室温で攪拌しな
がら加え、２時間半還流した。溶媒を減圧下濃縮して、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：７）に付し、［８］の
無色油状物（２．３１ｇ，８８％）を得た。
シカルボニル）−γ−Ｎ−［２−（トリメチルシリル）
エトキシ］イミドイルブロミド ベンジルエステル
［８］の製造 四臭化炭素（２．２３ｇ，６．１８ｍｍｏｌ）を、
［７］（２．３７ｇ，４．１２ｍｍｏｌ）、トリフェニ
ルホスフィン（１．６２ｇ，６．１８ｍｍｏｌ）および
アセトニトリル（２０ｍｌ）の混合物に室温で攪拌しな
がら加え、２時間半還流した。溶媒を減圧下濃縮して、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：７）に付し、［８］の
無色油状物（２．３１ｇ，８８％）を得た。
【００３２】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐ
ｍ）；０．０３（９Ｈ，ｓ），１．０２（２Ｈ，ｔ，Ｊ
＝８Ｈｚ），１．９１〜２．１０（２Ｈ，ｍ），２．１
３〜２．３３（１Ｈ，ｍ），２．４１〜２．７２（２
Ｈ，ｍ），４．１８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ），４．３
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），４．４２〜４．５０（２
Ｈ，ｍ），５．３０（２Ｈ，ｓ），５．３３（１Ｈ，ｂ
ｒｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．２７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），７．３２（５Ｈ，ｓ），７．７３（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７Ｈｚ）ＩＲ（ｎｅａｔ） （ｃｍ-1）； ３３２５，１７２５，１２５０ ［α］D 25 ＋６．７゜（ｃ＝４．１８，塩化メチレ
ン） ＭＳ（ＥＩ） ｍ／ｅ；５５７（Ｍ+−７９），１９
６，１７８，１６５ ＨＲＭＳ ｍ／ｅ；計算値［Ｃ32Ｈ37Ｎ2Ｏ5Ｓｉ（Ｍ+
−７９）として］：５５７．２４７２ 実測値：５５７．２４７６
ｍ）；０．０３（９Ｈ，ｓ），１．０２（２Ｈ，ｔ，Ｊ
＝８Ｈｚ），１．９１〜２．１０（２Ｈ，ｍ），２．１
３〜２．３３（１Ｈ，ｍ），２．４１〜２．７２（２
Ｈ，ｍ），４．１８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ），４．３
８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），４．４２〜４．５０（２
Ｈ，ｍ），５．３０（２Ｈ，ｓ），５．３３（１Ｈ，ｂ
ｒｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．２７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），７．３２（５Ｈ，ｓ），７．７３（２Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７Ｈｚ）ＩＲ（ｎｅａｔ） （ｃｍ-1）； ３３２５，１７２５，１２５０ ［α］D 25 ＋６．７゜（ｃ＝４．１８，塩化メチレ
ン） ＭＳ（ＥＩ） ｍ／ｅ；５５７（Ｍ+−７９），１９
６，１７８，１６５ ＨＲＭＳ ｍ／ｅ；計算値［Ｃ32Ｈ37Ｎ2Ｏ5Ｓｉ（Ｍ+
−７９）として］：５５７．２４７２ 実測値：５５７．２４７６
【００３３】実施例６ Ｌ−グルタミン酸 α−Ｎ−（９−フルオレニルメトキ
シカルボニル）−γ−Ｏ−［２−（トリメチルシリル）
エチル］オキシム［９］の製造 化合物［８］（１．３６ｇ，２．１４ｍｍｏｌ）、トリ
エチルアミン（０．５９ｍｌ，４．２８ｍｍｏｌ）、ブ
タノール（２１ｍｌ）および１０％パラジウム炭素（１
３６ｍｇ）の混合物を水素雰囲気下１時間半攪拌した。
反応後、触媒を濾過して除き、濾液を酢酸エチル（６０
ｍｌ）で希釈した。これを１０％塩酸、次いで飽和食塩
水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過後濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：２、次いで酢酸エチ
ル：クロロホルム＝１０：１）に付し、Ｅ体とＺ体の混
合物として表記化合物［９］（６４６ｍｇ，８０％）を
得た。
シカルボニル）−γ−Ｏ−［２−（トリメチルシリル）
エチル］オキシム［９］の製造 化合物［８］（１．３６ｇ，２．１４ｍｍｏｌ）、トリ
エチルアミン（０．５９ｍｌ，４．２８ｍｍｏｌ）、ブ
タノール（２１ｍｌ）および１０％パラジウム炭素（１
３６ｍｇ）の混合物を水素雰囲気下１時間半攪拌した。
反応後、触媒を濾過して除き、濾液を酢酸エチル（６０
ｍｌ）で希釈した。これを１０％塩酸、次いで飽和食塩
水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過後濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：２、次いで酢酸エチ
ル：クロロホルム＝１０：１）に付し、Ｅ体とＺ体の混
合物として表記化合物［９］（６４６ｍｇ，８０％）を
得た。
【００３４】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐ
ｍ）；０．０１（９Ｈ，ｓ），０．９１〜１．７（２
Ｈ，ｍ），１．８１〜１．９８（１Ｈ，ｍ），１．９９
〜２．１９（１Ｈ，ｍ），２．２０〜２．４５（２Ｈ，
ｍ），４．０３〜４．１６（２Ｈ，ｍ），４．２０（１
Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），４．３８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ），４．４４〜４．３８（１Ｈ，ｍ），４．８４（１
Ｈ，ｂｒｓ），５．５２ａｎｄ５．６５（１Ｈ，２ｂｒ
ｓ），６．６８（０．３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），７．２
８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．３８（２Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７Ｈｚ），７．４７〜７．６２（２．７Ｈ，ｍ），
７．７４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ） ＩＲ（ｎｅａｔ） （ｃｍ-1）；３４５０，１７２０ ［α］D 24 ＋３．８５゜（ｃ＝４．９，塩化メチレ
ン） ＭＳ（ＣＩ，イソブタン） ｍ／ｅ；４６９（Ｍ+＋
１），４５１，４３９，４０８，３３６，２４５，１７
９
ｍ）；０．０１（９Ｈ，ｓ），０．９１〜１．７（２
Ｈ，ｍ），１．８１〜１．９８（１Ｈ，ｍ），１．９９
〜２．１９（１Ｈ，ｍ），２．２０〜２．４５（２Ｈ，
ｍ），４．０３〜４．１６（２Ｈ，ｍ），４．２０（１
Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），４．３８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ），４．４４〜４．３８（１Ｈ，ｍ），４．８４（１
Ｈ，ｂｒｓ），５．５２ａｎｄ５．６５（１Ｈ，２ｂｒ
ｓ），６．６８（０．３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ），７．２
８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．３８（２Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７Ｈｚ），７．４７〜７．６２（２．７Ｈ，ｍ），
７．７４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ） ＩＲ（ｎｅａｔ） （ｃｍ-1）；３４５０，１７２０ ［α］D 24 ＋３．８５゜（ｃ＝４．９，塩化メチレ
ン） ＭＳ（ＣＩ，イソブタン） ｍ／ｅ；４６９（Ｍ+＋
１），４５１，４３９，４０８，３３６，２４５，１７
９
【００３５】実施例７ α−Ｎ−（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−δ
−Ｎ−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］−Ｌ−シ
クロオルニチン［１０］の製造 化合物［９］（６３７ｍｇ，１．３６ｍｍｏｌ）、Ｎ−
ヒドロキシコハク酸イミド（１８８ｍｇ，１．６３ｍｍ
ｏｌ）および塩化メチレン（１５ｍｌ）の混合液に氷冷
下ＤＣＣ（３６４ｍｇ，１．６３ｍｍｏｌ）を加え、室
温で６時間攪拌した。反応後沈澱物（ジシクロヘキシル
ウレア）を濾過して除き、濾液を減圧下濃縮し、これを
エタノール−１０％塩酸（５：１，１２ｍｌ）に溶解し
た。この溶液にピリジン−ボラン（２７４ｍｇ，２．９
５ｍｍｏｌ）を氷冷下加え、室温で１時間半攪拌後、反
応液を減圧下濃縮した。残渣を酢酸エチル（５０ｍｌ）
で希釈し、飽和食塩水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウ
ム）し、濾過後濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（展開溶媒；ベンゼン：酢酸エチル
＝１０：１）に付し、表記化合物［１０］（４８３ｍ
ｇ，７９％）を得た。 ｍ．ｐ． １３８〜１４０℃（ペンタンより再結晶）
−Ｎ−［２−（トリメチルシリル）エトキシ］−Ｌ−シ
クロオルニチン［１０］の製造 化合物［９］（６３７ｍｇ，１．３６ｍｍｏｌ）、Ｎ−
ヒドロキシコハク酸イミド（１８８ｍｇ，１．６３ｍｍ
ｏｌ）および塩化メチレン（１５ｍｌ）の混合液に氷冷
下ＤＣＣ（３６４ｍｇ，１．６３ｍｍｏｌ）を加え、室
温で６時間攪拌した。反応後沈澱物（ジシクロヘキシル
ウレア）を濾過して除き、濾液を減圧下濃縮し、これを
エタノール−１０％塩酸（５：１，１２ｍｌ）に溶解し
た。この溶液にピリジン−ボラン（２７４ｍｇ，２．９
５ｍｍｏｌ）を氷冷下加え、室温で１時間半攪拌後、反
応液を減圧下濃縮した。残渣を酢酸エチル（５０ｍｌ）
で希釈し、飽和食塩水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウ
ム）し、濾過後濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（展開溶媒；ベンゼン：酢酸エチル
＝１０：１）に付し、表記化合物［１０］（４８３ｍ
ｇ，７９％）を得た。 ｍ．ｐ． １３８〜１４０℃（ペンタンより再結晶）
【００３６】実施例８ α−Ｎ−（９−フルオレニルメトキシカルボニル）−δ
−Ｎ−ヒドロキシ−Ｌ−シクロオルニチン［１１］の製
造 ボロントリフルオライド・エーテラート（０．０５２ｍ
ｌ，０．４２ｍｍｏｌ）を化合物［１０］（９４ｍｇ，
０．２１ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３ｍｌ）溶液に
室温攪拌下加えた。３０分間攪拌後、溶媒を減圧下留去
し、残渣を酢酸エチル（４０ｍｌ）で希釈した。これを
飽和食塩水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過
後濃縮した。粗生成物（７３ｍｇ，９９％，ｍ．ｐ．１
５５〜１５８℃）をメタノールから再結晶し、表記化合
物［１１］（６３ｍｇ，７９％）を得た。 ｍ．ｐ． １５７〜１５８℃
−Ｎ−ヒドロキシ−Ｌ−シクロオルニチン［１１］の製
造 ボロントリフルオライド・エーテラート（０．０５２ｍ
ｌ，０．４２ｍｍｏｌ）を化合物［１０］（９４ｍｇ，
０．２１ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３ｍｌ）溶液に
室温攪拌下加えた。３０分間攪拌後、溶媒を減圧下留去
し、残渣を酢酸エチル（４０ｍｌ）で希釈した。これを
飽和食塩水で洗浄し、乾燥（硫酸ナトリウム）し、濾過
後濃縮した。粗生成物（７３ｍｇ，９９％，ｍ．ｐ．１
５５〜１５８℃）をメタノールから再結晶し、表記化合
物［１１］（６３ｍｇ，７９％）を得た。 ｍ．ｐ． １５７〜１５８℃
Claims (4)
- 【請求項１】 式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ｒは２
−ピリジル基または２−トリアルキルシリル基であ
る。）で表されるヒドロキシルアミン化合物。 - 【請求項２】 式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａ
は任意の有機残基であり、Ｒは２−ピリジル基または２
−トリアルキルシリル基である。）で表されるヒドロキ
サム酸誘導体。 - 【請求項３】 式ＡＣＯＮＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、Ａ
は任意の有機残基であり、Ｒは２−ピリジル基または２
−トリアルキルシリル基である。）で表されるヒドロキ
サム酸誘導体を製造するにあたり、式ＡＣＯＯＨ（式
中、Ａは前記と同意義である。）で表されるカルボン酸
化合物またはその反応性誘導体と式Ｈ2ＮＯＣＨ2ＣＨ2
Ｒ（式中、Ｒは前記と同意義である。）で表されるヒド
ロキシルアミン化合物を反応させることを特徴とする式
ＡＣＯＮＨＯＣＨ2ＣＨ2Ｒ（式中、ＡおよびＲは前記と
同意義である。）で表されるヒドロキサム酸誘導体の製
造法。 - 【請求項４】 ジシクロヘキシルカルボジイミドの存在
下反応させる請求項３記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24464194A JP3821863B2 (ja) | 1993-09-22 | 1994-09-13 | ヒドロキシルアミン化合物 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25930993 | 1993-09-22 | ||
| JP5-354279 | 1993-12-28 | ||
| JP35427993 | 1993-12-28 | ||
| JP5-259309 | 1993-12-28 | ||
| JP24464194A JP3821863B2 (ja) | 1993-09-22 | 1994-09-13 | ヒドロキシルアミン化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07233132A true JPH07233132A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3821863B2 JP3821863B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=27333268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24464194A Expired - Fee Related JP3821863B2 (ja) | 1993-09-22 | 1994-09-13 | ヒドロキシルアミン化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3821863B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014507507A (ja) * | 2010-12-21 | 2014-03-27 | サイテク・テクノロジー・コーポレーシヨン | ヒドロキサメート化ポリマーの微粒分散系ならびにそれらの製造及び使用方法 |
| WO2022202984A1 (ja) | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 東ソー株式会社 | 消臭性組成物及び消臭性構造物 |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP24464194A patent/JP3821863B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014507507A (ja) * | 2010-12-21 | 2014-03-27 | サイテク・テクノロジー・コーポレーシヨン | ヒドロキサメート化ポリマーの微粒分散系ならびにそれらの製造及び使用方法 |
| WO2022202984A1 (ja) | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 東ソー株式会社 | 消臭性組成物及び消臭性構造物 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3821863B2 (ja) | 2006-09-13 |
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