JPH0722872A - 電力増幅器 - Google Patents
電力増幅器Info
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- JPH0722872A JPH0722872A JP4336349A JP33634992A JPH0722872A JP H0722872 A JPH0722872 A JP H0722872A JP 4336349 A JP4336349 A JP 4336349A JP 33634992 A JP33634992 A JP 33634992A JP H0722872 A JPH0722872 A JP H0722872A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Nonlinear Science (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高効率のマイクロ波電力増幅器を得る。
【構成】 固定された周波数または狭いバンド幅で動作
し、非線形利得要素をベースにした電力増幅器が提供さ
れる。本電力増幅器は前記非線形利得要素と動作的に接
続された共振回路を含み、前記回路は前記非線形利得要
素の本質的にバンド中心周波数の高調波に共振するよう
になっており、信号増幅の間に前記非線形利得要素によ
る高調波発生の結果のエネルギーを放散させるように配
置されている。本電力増幅器の特定の実施例では、異な
る高調波に同調したインダクタとコンデンサの高調波ト
ラップ回路を含む共振回路が、非線形利得要素を提供す
るガリウム砒素ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢ
Ｔの入力と出力の両方に配置されている。
し、非線形利得要素をベースにした電力増幅器が提供さ
れる。本電力増幅器は前記非線形利得要素と動作的に接
続された共振回路を含み、前記回路は前記非線形利得要
素の本質的にバンド中心周波数の高調波に共振するよう
になっており、信号増幅の間に前記非線形利得要素によ
る高調波発生の結果のエネルギーを放散させるように配
置されている。本電力増幅器の特定の実施例では、異な
る高調波に同調したインダクタとコンデンサの高調波ト
ラップ回路を含む共振回路が、非線形利得要素を提供す
るガリウム砒素ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢ
Ｔの入力と出力の両方に配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は増幅器に関するものであ
り、更に詳細には、固定された周波数または狭いバンド
幅において、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）ヘテロ接
合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のような非線形利
得要素をベースにして動作する電力増幅器に関するもの
である。
り、更に詳細には、固定された周波数または狭いバンド
幅において、例えばガリウム砒素（ＧａＡｓ）ヘテロ接
合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のような非線形利
得要素をベースにして動作する電力増幅器に関するもの
である。
【０００２】ＧａＡｓＨＢＴはよく知られているよう
に、マイクロ波電力増幅器として使用された時に高い効
率を有する。これについては例えば、１９９０年のモノ
リシックＧａＡｓ ＩＣシンポジウムにおいてＢ．ベイ
ラクタログル（B.Bayraktaroglu ）、Ｍ．Ａ．カチブザ
デー（M.A.Khatibzadeh ）、とＲ．Ｄ．フジェンズ（R.
D.Hudgens ）によって発表された”広帯域Ｘバンド応用
の５ＷモノリシックＨＢＴ増幅器（5W Monolithic HBT
amplifier for Broadband X-Band Applications）”を
参照されたい。従ってＧａＡｓ ＨＢＴは携帯式の移動
（セルラー）電話のトランスミッタ電力増幅器に使用で
きる優れた能力を秘めている。特に、現代のアナログ式
の移動電話（ＴＡＣＳ、ＡＭＰＳ、ＮＭＴ）は、使用者
が話している間じゅうずっとトランスミッタはオン状態
にあることから超高効率の電力増幅器を必要とする。Ｆ
Ｍ変調方式のために非線形の増幅器設計が許容されるの
で、携帯式の移動電話機の電力増幅器は通常、高度な調
整をされた非線形性の高い（すなわち、Ｃ級）の狭帯域
（＜１０％ ＢＷ）設計のものとなっている。
に、マイクロ波電力増幅器として使用された時に高い効
率を有する。これについては例えば、１９９０年のモノ
リシックＧａＡｓ ＩＣシンポジウムにおいてＢ．ベイ
ラクタログル（B.Bayraktaroglu ）、Ｍ．Ａ．カチブザ
デー（M.A.Khatibzadeh ）、とＲ．Ｄ．フジェンズ（R.
D.Hudgens ）によって発表された”広帯域Ｘバンド応用
の５ＷモノリシックＨＢＴ増幅器（5W Monolithic HBT
amplifier for Broadband X-Band Applications）”を
参照されたい。従ってＧａＡｓ ＨＢＴは携帯式の移動
（セルラー）電話のトランスミッタ電力増幅器に使用で
きる優れた能力を秘めている。特に、現代のアナログ式
の移動電話（ＴＡＣＳ、ＡＭＰＳ、ＮＭＴ）は、使用者
が話している間じゅうずっとトランスミッタはオン状態
にあることから超高効率の電力増幅器を必要とする。Ｆ
Ｍ変調方式のために非線形の増幅器設計が許容されるの
で、携帯式の移動電話機の電力増幅器は通常、高度な調
整をされた非線形性の高い（すなわち、Ｃ級）の狭帯域
（＜１０％ ＢＷ）設計のものとなっている。
【０００３】残念なことに、そのような用途に対するＨ
ＢＴの適応能力は、要求されるバンド幅内で負荷に消費
される電力の効率化を実現する設計が困難であるという
ことで制約を受けている。本発明はそのような非効率性
を研究することのなかから考案された。
ＢＴの適応能力は、要求されるバンド幅内で負荷に消費
される電力の効率化を実現する設計が困難であるという
ことで制約を受けている。本発明はそのような非効率性
を研究することのなかから考案された。
【０００４】本発明に従えば、次のものを含む増幅器が
提供される：非線形利得を提供する要素、それに付随す
る共振回路であって、本質的にバンドの中心周波数にお
いて共振を起こす回路、前記回路が増幅動作中に前記要
素によって発せられる高調波から生ずるエネルギーを放
散するように配置されている、
提供される：非線形利得を提供する要素、それに付随す
る共振回路であって、本質的にバンドの中心周波数にお
いて共振を起こす回路、前記回路が増幅動作中に前記要
素によって発せられる高調波から生ずるエネルギーを放
散するように配置されている、
【０００５】本発明は、約０．８ＧＨｚの周波数より上
で動作する効率的な電力増幅器を実現する場合に特に有
効であると期待される。
で動作する効率的な電力増幅器を実現する場合に特に有
効であると期待される。
【０００６】ＨＢＴの入力または出力に高調波共振回路
（トラップ）を配置することは、例えば、偶数調波に対
しては回路短絡位相角（＋／−１８０度）があり、奇数
調波に対しては回路開放位相角（０度）があるように、
高調波周波数の反射係数の位相角がデバイスの基準面に
おいて設定された時に特にその電力増幅器の効率を増大
させる。トラップは高調波特性を改善する目的で電力増
幅器に用いられているが、本発明では効率の改善が可能
であり、トラップ無しの同じＨＢＴをベースにした増幅
器と比較して４０％の向上が測定されている。トラップ
は特に、高調波の補正に対して効果が見いだせなかった
ＨＢＴ要素の入力に配置した場合に、この目的に対し有
効である。
（トラップ）を配置することは、例えば、偶数調波に対
しては回路短絡位相角（＋／−１８０度）があり、奇数
調波に対しては回路開放位相角（０度）があるように、
高調波周波数の反射係数の位相角がデバイスの基準面に
おいて設定された時に特にその電力増幅器の効率を増大
させる。トラップは高調波特性を改善する目的で電力増
幅器に用いられているが、本発明では効率の改善が可能
であり、トラップ無しの同じＨＢＴをベースにした増幅
器と比較して４０％の向上が測定されている。トラップ
は特に、高調波の補正に対して効果が見いだせなかった
ＨＢＴ要素の入力に配置した場合に、この目的に対し有
効である。
【０００７】本発明の特徴や利点を更に理解するため
に、ここで実施例を取り上げて図面を参照しながら説明
する。
に、ここで実施例を取り上げて図面を参照しながら説明
する。
【０００８】図１は、単一周波数または０．８ないし１
０ＧＨｚの周波数範囲内の狭いバンド幅で動作するＧａ
Ａｓ ＨＢＴ電力増幅器のための本発明の１つの実施例
であって、入力と出力との両方に第２および第３調波の
トラップ回路を備えたものを示している。デバイス基準
面に対して０度の第２調波反射係数位相角を備えた第２
調波トラップはデバイスの入力とアースとの間、および
デバイスの出力とアースとの間につながれたインダクタ
−コンデンサ直列共振回路として組み込まれている。デ
バイス基準面に対して＋／−１８０度の第３調波反射係
数位相角を備えた第３調波トラップは入力と出力に直列
につながれたインダクタ−コンデンサ並列共振回路とし
て組み込まれている。この構成は個別的ＨＢＴ要素を含
むハイブリッド（混成）式の回路を実現するのに適して
いる。この回路をＧａＡｓモノリシックＩＣとして実現
する場合は、インダクタはスパイラル形またはリボン状
（meander ）線路で、コンデンサは金属−絶縁体−金属
（ＭＩＭ）構造のもので作られよう。
０ＧＨｚの周波数範囲内の狭いバンド幅で動作するＧａ
Ａｓ ＨＢＴ電力増幅器のための本発明の１つの実施例
であって、入力と出力との両方に第２および第３調波の
トラップ回路を備えたものを示している。デバイス基準
面に対して０度の第２調波反射係数位相角を備えた第２
調波トラップはデバイスの入力とアースとの間、および
デバイスの出力とアースとの間につながれたインダクタ
−コンデンサ直列共振回路として組み込まれている。デ
バイス基準面に対して＋／−１８０度の第３調波反射係
数位相角を備えた第３調波トラップは入力と出力に直列
につながれたインダクタ−コンデンサ並列共振回路とし
て組み込まれている。この構成は個別的ＨＢＴ要素を含
むハイブリッド（混成）式の回路を実現するのに適して
いる。この回路をＧａＡｓモノリシックＩＣとして実現
する場合は、インダクタはスパイラル形またはリボン状
（meander ）線路で、コンデンサは金属−絶縁体−金属
（ＭＩＭ）構造のもので作られよう。
【０００９】図２は、単一の周波数または１０ＧＨｚよ
り上の狭いバンド幅で動作するＧａＡｓ ＨＢＴ電力増
幅器を実現するために、本発明をＧａＡｓモノリシック
ＩＣとして実現した別の実施例を示しており、入力には
第２、第３、そして第４調波のトラップを、また出力に
は第２と第３調波のトラップを備えている。
り上の狭いバンド幅で動作するＧａＡｓ ＨＢＴ電力増
幅器を実現するために、本発明をＧａＡｓモノリシック
ＩＣとして実現した別の実施例を示しており、入力には
第２、第３、そして第４調波のトラップを、また出力に
は第２と第３調波のトラップを備えている。
【００１０】この場合、すべての高調波トラップ回路は
デバイスから正確な距離の位置において、第２調波（入
力および出力）と第４調波（入力）に関してはデバイス
基準面において＋／−１８０度の高調波反射係数位相角
を与え、第３調波（入力および出力）に関してはデバイ
ス基準面において０度の高調波反射係数位相角を与え
る、入出力の５０オームのマイクロストリップ・フィー
ドに接続された四分の一波長のオープンスタッブ（open
-stub ）である。
デバイスから正確な距離の位置において、第２調波（入
力および出力）と第４調波（入力）に関してはデバイス
基準面において＋／−１８０度の高調波反射係数位相角
を与え、第３調波（入力および出力）に関してはデバイ
ス基準面において０度の高調波反射係数位相角を与え
る、入出力の５０オームのマイクロストリップ・フィー
ドに接続された四分の一波長のオープンスタッブ（open
-stub ）である。
【００１１】本発明は例えば、整合回路、制御回路、そ
してバイアス回路と一緒に完全集積された３ステージ型
のＨＢＴ増幅器の出力ステージに有利に利用できる。
してバイアス回路と一緒に完全集積された３ステージ型
のＨＢＴ増幅器の出力ステージに有利に利用できる。
【００１２】本発明の基礎となるところをより理解する
目的で、増幅器として動作するＨＢＴ要素の効率につい
て説明する。
目的で、増幅器として動作するＨＢＴ要素の効率につい
て説明する。
【００１３】高効率、単一ステージ、狭帯域ＨＢＴ Ｒ
Ｆ増幅器の設計には７つの変数がある： −トランジスタ構成（すなわち、共通エミッタ、共通ベ
ース、または共通コレクタ） −出力直流電源電圧（ＶＣＱ） −入力直流電源電圧（ＶＢＱ） −入力直流電源抵抗（ＲＢ） −ＲＦ駆動レベル −基本周波数における信号源および負荷インピーダンス −高調波周波数における信号源および負荷インピーダン
ス
Ｆ増幅器の設計には７つの変数がある： −トランジスタ構成（すなわち、共通エミッタ、共通ベ
ース、または共通コレクタ） −出力直流電源電圧（ＶＣＱ） −入力直流電源電圧（ＶＢＱ） −入力直流電源抵抗（ＲＢ） −ＲＦ駆動レベル −基本周波数における信号源および負荷インピーダンス −高調波周波数における信号源および負荷インピーダン
ス
【００１４】後のほうの５つの項目はすべて、トランジ
スタが導通するＲＦサイクルの比率として定義される増
幅器の動作級数（Ａ級はＲＦサイクルの１００％、Ｂ級
は５０％、Ｃ級は＜５０％）に影響するものである。第
２および第３調波周波数における信号源および負荷イン
ピーダンスを変化させることの、共通エミッタ構成（Ｖ
ＣＱ＝６．０Ｖ）のＣ級バイアス（ＰＩＮ＝９．８ｄＢ
ｍ、ＶＢＱ＝１．２Ｖ、ＲＢ＝０オーム固定）のコレク
タ効率に対する効果について説明する。
スタが導通するＲＦサイクルの比率として定義される増
幅器の動作級数（Ａ級はＲＦサイクルの１００％、Ｂ級
は５０％、Ｃ級は＜５０％）に影響するものである。第
２および第３調波周波数における信号源および負荷イン
ピーダンスを変化させることの、共通エミッタ構成（Ｖ
ＣＱ＝６．０Ｖ）のＣ級バイアス（ＰＩＮ＝９．８ｄＢ
ｍ、ＶＢＱ＝１．２Ｖ、ＲＢ＝０オーム固定）のコレク
タ効率に対する効果について説明する。
【００１５】エミッタ全長１００μｍ（２０μｍ長のエ
ミッタストライプ５本）を備えた個別ＨＢＴを、ベース
およびコレクタへの配線として５０オームのアルミニウ
ムマイクロストリップ線路を含むテスト用のジグ中に組
み込んだ。次に、このジグを図３に示すようなロード・
プル（load-pull ）のセットアップに組み込んだ。
ミッタストライプ５本）を備えた個別ＨＢＴを、ベース
およびコレクタへの配線として５０オームのアルミニウ
ムマイクロストリップ線路を含むテスト用のジグ中に組
み込んだ。次に、このジグを図３に示すようなロード・
プル（load-pull ）のセットアップに組み込んだ。
【００１６】入力チューナは単一のスライド式のネジ型
のもので、出力チューナは”ツインスリーブ（twin sle
eve ）”型のものである。電源および電力計はコンピュ
ータの制御下におかれ、その結果チューナを変化させた
時でもコレクタ効率の実時間出力を得ることができる。
この”効率計”機能を使用することによって、最後の操
作は出力に対してコレクタ効率を最大化するように同調
させ、同時に入力に対して反射電力を最小にするように
同調させること（すなわち、入力共役整合）である。一
般的にコレクタ効率に関して最適な出力同調点は最大出
力ＲＦ電力点に対するものよりもかなり異なるＴ負荷に
おいて発生することを指摘しておかなければならない。
実際、効率のピークは出力が２−３ｄＢ程度不整合の状
態で発生する。
のもので、出力チューナは”ツインスリーブ（twin sle
eve ）”型のものである。電源および電力計はコンピュ
ータの制御下におかれ、その結果チューナを変化させた
時でもコレクタ効率の実時間出力を得ることができる。
この”効率計”機能を使用することによって、最後の操
作は出力に対してコレクタ効率を最大化するように同調
させ、同時に入力に対して反射電力を最小にするように
同調させること（すなわち、入力共役整合）である。一
般的にコレクタ効率に関して最適な出力同調点は最大出
力ＲＦ電力点に対するものよりもかなり異なるＴ負荷に
おいて発生することを指摘しておかなければならない。
実際、効率のピークは出力が２−３ｄＢ程度不整合の状
態で発生する。
【００１７】高調波トラップ回路は入力と出力のどちら
においても、ＨＢＴとチューナとの間に置かれている。
それらはＥＲ＝５．０のエポキシガラスＰＣＢの上に形
成された５０オームのマイクロストリップ線路へ接続さ
れた四分の一波長のオープンスタッブ共振器として組み
込まれている。この構成のよって達成可能な第２調波
（１．７４ＧＨｚ）および第３調波（２．６１ＧＨｚ）
の排除は２５−３０ｄＢの範囲内にある。これらのトラ
ップ回路中の５０オームのマイクロストリップ線路はま
た、直流電源電圧をベースおよびエミッタへ通過させ
る。
においても、ＨＢＴとチューナとの間に置かれている。
それらはＥＲ＝５．０のエポキシガラスＰＣＢの上に形
成された５０オームのマイクロストリップ線路へ接続さ
れた四分の一波長のオープンスタッブ共振器として組み
込まれている。この構成のよって達成可能な第２調波
（１．７４ＧＨｚ）および第３調波（２．６１ＧＨｚ）
の排除は２５−３０ｄＢの範囲内にある。これらのトラ
ップ回路中の５０オームのマイクロストリップ線路はま
た、直流電源電圧をベースおよびエミッタへ通過させ
る。
【００１８】デバイス基準面での各高調波周波数におけ
る反射係数の位相角は、５０オームマイクロストリップ
線路上の適切な高調波共振器の位置を変化させることに
よって独立的に変えることができる。５０オーム線路は
１．７４ＧＨｚにおいて二分の一波長よりも大きい電気
的長さを有するので、第２および第３の両調波反射係数
のすべての位相角を入力と出力の両方でデバイスに対し
て提供できる。
る反射係数の位相角は、５０オームマイクロストリップ
線路上の適切な高調波共振器の位置を変化させることに
よって独立的に変えることができる。５０オーム線路は
１．７４ＧＨｚにおいて二分の一波長よりも大きい電気
的長さを有するので、第２および第３の両調波反射係数
のすべての位相角を入力と出力の両方でデバイスに対し
て提供できる。
【００１９】一般的に高度に非線形なモードで動作した
（すなわち、Ｂ級またはＣ級バイアス）時には、ＨＢＴ
の特性は入出力における高調波終端に大きく依存する。
従って、高調波反射係数をうまく制御しない限りこれら
のデバイスでは意味のある大きい信号データを発生させ
ることはできないことを指摘しておく。言い替えれば、
ここに使用したものと類似のチューナを備えたロード・
プルのテスト用セットアップは、正確なデータ（出力電
力、効率、そして大きい信号インピーダンス）を測定す
る前に、高調波的にＨＢＴから分離しておく必要があ
る。これは機械的チューナがチューナ設定の関数として
広く変動する高調波応答を示すことのためである。
（すなわち、Ｂ級またはＣ級バイアス）時には、ＨＢＴ
の特性は入出力における高調波終端に大きく依存する。
従って、高調波反射係数をうまく制御しない限りこれら
のデバイスでは意味のある大きい信号データを発生させ
ることはできないことを指摘しておく。言い替えれば、
ここに使用したものと類似のチューナを備えたロード・
プルのテスト用セットアップは、正確なデータ（出力電
力、効率、そして大きい信号インピーダンス）を測定す
る前に、高調波的にＨＢＴから分離しておく必要があ
る。これは機械的チューナがチューナ設定の関数として
広く変動する高調波応答を示すことのためである。
【００２０】図４（ａ）および（ｂ）で明らかになるよ
うに、出力の第２調波反射係数の大きさを０．９付近に
固定しながら、すべての位相角にわたって変化させた
（第３調波の出力終端は一定に保つ）場合、共通エミッ
タ方式のＣ級バイアスされたＨＢＴのコレクタ効率は１
０％ポイントだけ変化した。最適位相角は第２調波に対
する回路短絡（１８０度）である。出力第３調波位相角
に対しては１３％ポイントのコレクタ効率変動が観察さ
れた（第２調波の出力終端は一定に保つ）。出力の第３
調波に対して最も高い効率は回路開放（０度）において
発生した。
うに、出力の第２調波反射係数の大きさを０．９付近に
固定しながら、すべての位相角にわたって変化させた
（第３調波の出力終端は一定に保つ）場合、共通エミッ
タ方式のＣ級バイアスされたＨＢＴのコレクタ効率は１
０％ポイントだけ変化した。最適位相角は第２調波に対
する回路短絡（１８０度）である。出力第３調波位相角
に対しては１３％ポイントのコレクタ効率変動が観察さ
れた（第２調波の出力終端は一定に保つ）。出力の第３
調波に対して最も高い効率は回路開放（０度）において
発生した。
【００２１】表１から明かなように、入力高調波終端を
変化させればもっと大きな特性変動が現れるであろう。
変化させればもっと大きな特性変動が現れるであろう。
【表１】
【００２２】出力データは以下に図４に示してある。
【００２３】出力の高調波終端を最適値（第２調波に対
する回路短絡位相角と第３調波に対する回路開放位相
角）に保って、第２および第３調波の入力終端を変化さ
せると４０％ポイントの効率変動があった。ピーク効率
はここでも回路短絡第２調波で発生した。しかし、入力
における第２調波を正しく終端させた時には、第３調波
の入力における終端の変動はそれほど大きな効果を特性
に与えなかった。
する回路短絡位相角と第３調波に対する回路開放位相
角）に保って、第２および第３調波の入力終端を変化さ
せると４０％ポイントの効率変動があった。ピーク効率
はここでも回路短絡第２調波で発生した。しかし、入力
における第２調波を正しく終端させた時には、第３調波
の入力における終端の変動はそれほど大きな効果を特性
に与えなかった。
【００２４】回路短絡第２調波および回路開放第３調波
の最適な終端は、ＨＢＴの入力と出力の両方へ最大効率
を達成する目的で矩形状の電圧を与えることが望ましい
ことを示している。
の最適な終端は、ＨＢＴの入力と出力の両方へ最大効率
を達成する目的で矩形状の電圧を与えることが望ましい
ことを示している。
【００２５】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）狭いバンド幅で動作する増幅器であって：非線形
利得供給要素、前記要素に付随する共振回路であって、
本質的にバンドの中心周波数で共振する回路、を含み、
前記回路が、増幅動作中に前記要素によって発せられる
高調波のために生ずるエネルギーを緩和（モデファイ）
するように配置されている、増幅器。
る。 （１）狭いバンド幅で動作する増幅器であって：非線形
利得供給要素、前記要素に付随する共振回路であって、
本質的にバンドの中心周波数で共振する回路、を含み、
前記回路が、増幅動作中に前記要素によって発せられる
高調波のために生ずるエネルギーを緩和（モデファイ）
するように配置されている、増幅器。
【００２６】（２）第１項記載の増幅器であって、前記
要素がＨＢＴである増幅器。
要素がＨＢＴである増幅器。
【００２７】（３）第１項または第２項記載の増幅器で
あって、前記回路が前記要素の入力に配置されている増
幅器。
あって、前記回路が前記要素の入力に配置されている増
幅器。
【００２８】（４）第１項または第２項または第３項記
載の増幅器であって、前記回路が前記要素の出力に配置
されている増幅器。
載の増幅器であって、前記回路が前記要素の出力に配置
されている増幅器。
【００２９】（５）第１項から第４項の任意の項記載の
増幅器であって、互いに異なる高調波に同調した複数個
の共振回路を含む増幅器。
増幅器であって、互いに異なる高調波に同調した複数個
の共振回路を含む増幅器。
【００３０】（６）第１項から第５項の任意の項記載の
増幅器であって、一方は前記要素の入力に、他方は前記
要素の出力に配置された共振回路対を複数個含む増幅
器。
増幅器であって、一方は前記要素の入力に、他方は前記
要素の出力に配置された共振回路対を複数個含む増幅
器。
【００３１】（７）第１項から第６項の任意の項記載の
増幅器であって、本質的にバンドの中心周波数の偶数調
波で共振する１つの共振回路が回路短絡を提供するよう
に配置されている増幅器。
増幅器であって、本質的にバンドの中心周波数の偶数調
波で共振する１つの共振回路が回路短絡を提供するよう
に配置されている増幅器。
【００３２】（８）第１項から第７項の任意の項記載の
増幅器であって、本質的にバンドの中心周波数の奇数調
波で共振する１つの共振回路が回路短絡を提供するよう
に配置されている増幅器。
増幅器であって、本質的にバンドの中心周波数の奇数調
波で共振する１つの共振回路が回路短絡を提供するよう
に配置されている増幅器。
【００３３】（９）第１項から第８項の任意の項記載の
増幅器であって、固定された周波数動作するように配置
された増幅器。
増幅器であって、固定された周波数動作するように配置
された増幅器。
【００３４】（１０）図面に関連してここに本質的に説
明した増幅器。
明した増幅器。
【００３５】（１１）第１項から第１０項の任意の項記
載の増幅器を含む集積回路。
載の増幅器を含む集積回路。
【００３６】（１２）第１１項記載の集積回路であっ
て、前記増幅器が多重ステージ増幅器である集積回路。
て、前記増幅器が多重ステージ増幅器である集積回路。
【００３７】（１３）第１２項記載の集積回路であっ
て、共振回路が出力ステージに付随している集積回路。
て、共振回路が出力ステージに付随している集積回路。
【００３８】（１４）図面に関連してここに本質的に説
明した集積回路。
明した集積回路。
【００３９】（１５）第１項から第１０項の任意の項記
載の増幅器を用いた増幅方法。
載の増幅器を用いた増幅方法。
【００４０】（１６）固定された周波数または狭いバン
ド幅で動作し、非線形利得要素をベースにした電力増幅
器。本電力増幅器は前記非線形利得要素と動作的に接続
された共振回路を含み、前記回路は前記非線形利得要素
の本質的にバンド中心周波数の高調波に共振するように
なっており、信号増幅の間に前記非線形利得要素による
高調波発生の結果のエネルギーを放散させるように配置
されている。本電力増幅器の特定の実施例では、異なる
高調波に同調したインダクタとコンデンサの高調波トラ
ップ回路を含む共振回路が、非線形利得要素を提供する
ガリウム砒素ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴ
の入力と出力の両方に配置されている。
ド幅で動作し、非線形利得要素をベースにした電力増幅
器。本電力増幅器は前記非線形利得要素と動作的に接続
された共振回路を含み、前記回路は前記非線形利得要素
の本質的にバンド中心周波数の高調波に共振するように
なっており、信号増幅の間に前記非線形利得要素による
高調波発生の結果のエネルギーを放散させるように配置
されている。本電力増幅器の特定の実施例では、異なる
高調波に同調したインダクタとコンデンサの高調波トラ
ップ回路を含む共振回路が、非線形利得要素を提供する
ガリウム砒素ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴ
の入力と出力の両方に配置されている。
【図１】ＧａＡｓ ＨＢＴ電力増幅器のための本発明の
回路構成。
回路構成。
【図２】本発明の集積回路構成。
【図３】効率測定のための配置。
【図４】測定された回路特性。
Claims (2)
- 【請求項１】 狭いバンド幅で動作する増幅器であっ
て：非線形利得供給要素、 前記要素に付随する共振回路であって、本質的にバンド
の中心周波数で共振する回路、 を含み、 前記回路が、増幅動作中に前記要素によって発せられる
高調波のために生ずるエネルギーを緩和（モデファイ）
するように配置されている、 増幅器。 - 【請求項２】請求項第１項記載の増幅器を用いた増幅方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB91266163 | 1991-12-16 | ||
| GB919126616A GB9126616D0 (en) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | Improvements in or relating to amplifiers |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722872A true JPH0722872A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=10706306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4336349A Pending JPH0722872A (ja) | 1991-12-16 | 1992-12-16 | 電力増幅器 |
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| JP (1) | JPH0722872A (ja) |
| DE (1) | DE69227574T2 (ja) |
| GB (1) | GB9126616D0 (ja) |
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