JPH07227757A - ウエーハのポリッシング装置 - Google Patents
ウエーハのポリッシング装置Info
- Publication number
- JPH07227757A JPH07227757A JP4483994A JP4483994A JPH07227757A JP H07227757 A JPH07227757 A JP H07227757A JP 4483994 A JP4483994 A JP 4483994A JP 4483994 A JP4483994 A JP 4483994A JP H07227757 A JPH07227757 A JP H07227757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- polishing
- wafer
- top ring
- polishing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリッシング用プレートのハンドリング性が
向上するとともに、高度のフラットネスを有するウエー
ハが得られるウエーハポリッシング装置を提供する。 【構成】 高平坦度にウエーハを研磨するポリッシング
装置において、ポリッシング用プレート1を、高剛性材
料による上下2枚の板体2,3を密着重合して構成す
る。ポリッシング用プレート1の厚さは、フラットネス
品質を有する研磨ウエーハが得られる値に設定する。上
側の板体2は、鉤状のプレート支持部7aとトップリン
グ固定部7bを有する複数の剛性支持部材7を介してト
ップリング4に装着し、トップリング4の下端部に設け
た可撓性薄板5と板体2の間に所定間隙をあける。板体
2,3はその重合面を平坦、かつ平滑に仕上げ、液体の
表面張力により互いに密着固定する。
向上するとともに、高度のフラットネスを有するウエー
ハが得られるウエーハポリッシング装置を提供する。 【構成】 高平坦度にウエーハを研磨するポリッシング
装置において、ポリッシング用プレート1を、高剛性材
料による上下2枚の板体2,3を密着重合して構成す
る。ポリッシング用プレート1の厚さは、フラットネス
品質を有する研磨ウエーハが得られる値に設定する。上
側の板体2は、鉤状のプレート支持部7aとトップリン
グ固定部7bを有する複数の剛性支持部材7を介してト
ップリング4に装着し、トップリング4の下端部に設け
た可撓性薄板5と板体2の間に所定間隙をあける。板体
2,3はその重合面を平坦、かつ平滑に仕上げ、液体の
表面張力により互いに密着固定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンや化合物半導
体の単結晶や、石英のようなセラミック材からなるウエ
ーハのポリッシング装置に関し、詳しくは、ウエーハを
ポリッシング用プレートに貼着して研磨するバッチ式ポ
リッシング装置に関する。
体の単結晶や、石英のようなセラミック材からなるウエ
ーハのポリッシング装置に関し、詳しくは、ウエーハを
ポリッシング用プレートに貼着して研磨するバッチ式ポ
リッシング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】上記ポリッシング装置として、例えば図
5に示すものが知られている。この装置は、いわゆる流
体加圧方式のものであって、回転軸21の下端部に中空
のトップリング22を設け、このトップリング22の下
端部に可撓性を有する薄板23を設けることより、内部
に密閉室24を形成し、回転軸21に形成した加圧流体
の供給流路25を密閉室24内に連通させた構造となっ
ている。前記薄板23は、ゴム等の軟質材料からなる加
圧用ダイアフラムであり、シリコンウエーハWを貼着し
た、高剛性の板体(ガラス板またはセラミック板)から
なるポリッシング用プレート26を加圧するためのもの
である。
5に示すものが知られている。この装置は、いわゆる流
体加圧方式のものであって、回転軸21の下端部に中空
のトップリング22を設け、このトップリング22の下
端部に可撓性を有する薄板23を設けることより、内部
に密閉室24を形成し、回転軸21に形成した加圧流体
の供給流路25を密閉室24内に連通させた構造となっ
ている。前記薄板23は、ゴム等の軟質材料からなる加
圧用ダイアフラムであり、シリコンウエーハWを貼着し
た、高剛性の板体(ガラス板またはセラミック板)から
なるポリッシング用プレート26を加圧するためのもの
である。
【0003】このポリッシング装置の作用について、図
5を参照して説明すると、ウエーハWを貼着したポリッ
シング用プレート26を、定盤31に設けた研磨布32
上の所定位置に載置した後、トップリング22を降下さ
せることによりウエーハWの被研磨面を研磨布32の直
近に、かつ研磨布32と平行に位置決めする。次いで、
加圧流体の供給源(図示せず)から密閉室24に加圧流
体を供給する。密閉室24内の流体圧力により薄板23
に等分布荷重が加わり、薄板23およびポリッシング用
プレート26が研磨布32側に変位し、ウエーハWの被
研磨面が研磨布32に圧接してポリッシングが行われ
る。
5を参照して説明すると、ウエーハWを貼着したポリッ
シング用プレート26を、定盤31に設けた研磨布32
上の所定位置に載置した後、トップリング22を降下さ
せることによりウエーハWの被研磨面を研磨布32の直
近に、かつ研磨布32と平行に位置決めする。次いで、
加圧流体の供給源(図示せず)から密閉室24に加圧流
体を供給する。密閉室24内の流体圧力により薄板23
に等分布荷重が加わり、薄板23およびポリッシング用
プレート26が研磨布32側に変位し、ウエーハWの被
研磨面が研磨布32に圧接してポリッシングが行われ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
全面均等荷重の加圧方式によるポリッシング装置では、
図6に示すように、薄板23およびポリッシング用プレ
ート26のうち、ウエーハWを貼着していない部分で撓
みが生じる。この撓みによりウエーハWの外縁部、すな
わち図7においてハッチングを施した部分が内周部に比
べて余分に研磨されてフラットネスが悪化するため、平
坦度の高い研磨ウエーハを得るのが難しいという問題が
あった。
全面均等荷重の加圧方式によるポリッシング装置では、
図6に示すように、薄板23およびポリッシング用プレ
ート26のうち、ウエーハWを貼着していない部分で撓
みが生じる。この撓みによりウエーハWの外縁部、すな
わち図7においてハッチングを施した部分が内周部に比
べて余分に研磨されてフラットネスが悪化するため、平
坦度の高い研磨ウエーハを得るのが難しいという問題が
あった。
【0005】この問題に対処するため、前記ポリッシン
グ用プレート26として、ウエーハ研磨時の撓みが生じ
ない程度に肉厚を厚くした高剛性材料によるものが用い
られてきた。しかし、このようなポリッシング用プレー
ト26では、その重量がかなり増大するため、そのハン
ドリング性、特に研磨布32上の所定位置に載置した
り、研磨布32面上から除去する際の作業性が低下する
などの弊害があった。
グ用プレート26として、ウエーハ研磨時の撓みが生じ
ない程度に肉厚を厚くした高剛性材料によるものが用い
られてきた。しかし、このようなポリッシング用プレー
ト26では、その重量がかなり増大するため、そのハン
ドリング性、特に研磨布32上の所定位置に載置した
り、研磨布32面上から除去する際の作業性が低下する
などの弊害があった。
【0006】したがって本発明の目的は、上記高剛性、
かつ高重量のポリッシング用プレート26を用いた場合
の問題点を解決し、高度のフラットネスを有する研磨ウ
エーハを得ることができるポリッシング装置を提供する
ことである。
かつ高重量のポリッシング用プレート26を用いた場合
の問題点を解決し、高度のフラットネスを有する研磨ウ
エーハを得ることができるポリッシング装置を提供する
ことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載のウエー
ハのポリッシング装置は、ウエーハを貼着するためのポ
リッシング用プレートとして高剛性材料によるものを設
けたウエーハのポリッシング装置において、前記ポリッ
シング用プレートを、互いに密着重合した上下2枚の板
体で構成するとともに、これら2枚の板体の合計厚さ
を、フラットネス品質を有する研磨ウエーハを得るのに
必要な厚さとし、上側の板体を研磨機のトップリングの
下面に装着したことを特徴とする。
ハのポリッシング装置は、ウエーハを貼着するためのポ
リッシング用プレートとして高剛性材料によるものを設
けたウエーハのポリッシング装置において、前記ポリッ
シング用プレートを、互いに密着重合した上下2枚の板
体で構成するとともに、これら2枚の板体の合計厚さ
を、フラットネス品質を有する研磨ウエーハを得るのに
必要な厚さとし、上側の板体を研磨機のトップリングの
下面に装着したことを特徴とする。
【0008】請求項2に記載のウエーハのポリッシング
装置は、請求項1において前記トップリングの下方部に
可撓性の薄板を設けて内部に密閉室を形成するととも
に、該密閉室を加圧流体(空気等の気体、または水等の
液体)の供給源に連通させ、前記ポリッシング用プレー
トを構成する上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸
法(これについては、後記する)を隔てて、かつ剛性の
支持部材を介して前記トップリングに装着したことを特
徴とする。
装置は、請求項1において前記トップリングの下方部に
可撓性の薄板を設けて内部に密閉室を形成するととも
に、該密閉室を加圧流体(空気等の気体、または水等の
液体)の供給源に連通させ、前記ポリッシング用プレー
トを構成する上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸
法(これについては、後記する)を隔てて、かつ剛性の
支持部材を介して前記トップリングに装着したことを特
徴とする。
【0009】請求項3に記載のウエーハのポリッシング
装置は、請求項1または2において、前記ポリッシング
用プレートを構成する上下2枚の板体の重合面を平滑に
仕上げ、液体の表面張力により接合したことを特徴とす
る。
装置は、請求項1または2において、前記ポリッシング
用プレートを構成する上下2枚の板体の重合面を平滑に
仕上げ、液体の表面張力により接合したことを特徴とす
る。
【0010】請求項4に記載のウエーハのポリッシング
装置は、請求項3において前記ポリッシング用プレート
を構成する上下2枚の板体の少なくとも一方の重合面
に、前記接合用液体を導入または排出するための導排出
溝を、前記板体のほぼ中心近傍で相互に交わって連通
し、同交点に対しほぼ点対称となるように配置された放
射直線状に、または放射放物線状に形成し、該導排出溝
の端部を板体の外周端部に開口したことを特徴とする。
装置は、請求項3において前記ポリッシング用プレート
を構成する上下2枚の板体の少なくとも一方の重合面
に、前記接合用液体を導入または排出するための導排出
溝を、前記板体のほぼ中心近傍で相互に交わって連通
し、同交点に対しほぼ点対称となるように配置された放
射直線状に、または放射放物線状に形成し、該導排出溝
の端部を板体の外周端部に開口したことを特徴とする。
【0011】
【作用】請求項1に記載のポリッシング装置において
は、ポリッシング用プレートを高剛性材料による板体と
し、かつその厚さを所定の値に設定したので、高度のフ
ラットネスを有する研磨ウエーハを容易に得ることがで
きる。また、ポリッシング用プレートを上下2枚の板体
に分割し、1枚は研磨機のトップリングの下面に装着
し、他の1枚は研磨布上に載置して用い、研磨布側の板
体は前記固定側の板体に、水などの液体を介在させた状
態でその表面張力によって接合するようにしたので、従
来の1枚もののポリッシング用プレートに比べて軽くな
る。このため、研磨布側の板体を研磨布上に載置した
り、研磨が終了後に、研磨布面上から除去した後、固定
側の板体から取り外したりする際のハンドリング性が著
しく向上する。
は、ポリッシング用プレートを高剛性材料による板体と
し、かつその厚さを所定の値に設定したので、高度のフ
ラットネスを有する研磨ウエーハを容易に得ることがで
きる。また、ポリッシング用プレートを上下2枚の板体
に分割し、1枚は研磨機のトップリングの下面に装着
し、他の1枚は研磨布上に載置して用い、研磨布側の板
体は前記固定側の板体に、水などの液体を介在させた状
態でその表面張力によって接合するようにしたので、従
来の1枚もののポリッシング用プレートに比べて軽くな
る。このため、研磨布側の板体を研磨布上に載置した
り、研磨が終了後に、研磨布面上から除去した後、固定
側の板体から取り外したりする際のハンドリング性が著
しく向上する。
【0012】請求項2に記載のポリッシング装置におい
ては、密閉室に加圧流体を供給すれば、密閉室内の圧力
により可撓性の薄板に等分布荷重が加わる。この場合、
上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸法を隔てて、
かつ剛性の支持部材を介してトップリングに装着したの
で、ポリッシング用プレートが薄板の変位に順応して3
次元的に研磨布側に変位し、ウエーハWの被研磨面が研
磨布に圧接してポリッシングが行われる。従って、研磨
機のトップリングにおけるポリッシング用プレート固定
部分を硬質材料で形成した場合に比べて、研磨ウエーハ
のフラットネスが更に向上する。
ては、密閉室に加圧流体を供給すれば、密閉室内の圧力
により可撓性の薄板に等分布荷重が加わる。この場合、
上側の板体を、前記薄板の下面から所定寸法を隔てて、
かつ剛性の支持部材を介してトップリングに装着したの
で、ポリッシング用プレートが薄板の変位に順応して3
次元的に研磨布側に変位し、ウエーハWの被研磨面が研
磨布に圧接してポリッシングが行われる。従って、研磨
機のトップリングにおけるポリッシング用プレート固定
部分を硬質材料で形成した場合に比べて、研磨ウエーハ
のフラットネスが更に向上する。
【0013】請求項3に記載のポリッシング装置におい
ては2枚の板体を、液体の表面張力により接合するの
で、ボルト等の取り付け部材を用いることなく、簡便に
接合してポリッシング用プレートを研磨機に固定するこ
とができる。
ては2枚の板体を、液体の表面張力により接合するの
で、ボルト等の取り付け部材を用いることなく、簡便に
接合してポリッシング用プレートを研磨機に固定するこ
とができる。
【0014】請求項4に記載のポリッシング装置におい
ては、板体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上
下2枚の板体間に加圧気体や加圧液体を送り込んだり、
あるいは、これらの板体間に保持された接合用液体を前
記導排出溝端部から吸引除去したりすることにより、下
側の板体を上側の板体から簡便に取り外すことができ
る。
ては、板体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上
下2枚の板体間に加圧気体や加圧液体を送り込んだり、
あるいは、これらの板体間に保持された接合用液体を前
記導排出溝端部から吸引除去したりすることにより、下
側の板体を上側の板体から簡便に取り外すことができ
る。
【0015】
【実施例】つぎに本発明を、図面に示す実施例により更
に詳細に説明する。 実施例1 図1に示すウエーハのポリッシング装置は、たとえばシ
リコン単結晶からなるウエーハWを貼着するためのポリ
ッシング用プレート1としてセラミックス、ガラス等の
高剛性材料によるものを設けたものであって、ポリッシ
ング用プレート1を、互いに密着重合した上下2枚の板
体2,3で構成するとともに、これら2枚の板体の合計
厚さを、フラットネス品質を有する研磨ウエーハを得る
のに必要な厚さ(すなわち、プレートが荷重によりたわ
まない厚さ)とし、上側の板体2を研磨機のトップリン
グ4に支持部材7を介して装着したものである。これら
板体2,3の合計厚さは、理論的または実験的に得られ
た値に設定する。この場合、ポリッシング用プレートの
材質にもよるが、上側の板体2の厚さは10〜20m
m、下側の板体3の厚さは10〜15mmの範囲とし、
その両者を合わせた厚さは20〜30mm位の値が採ら
れる。具体的には、ポリッシング用プレートがアルミナ
製のセラミックである場合、直径が520mmのときの
上側の板体2の厚さは15mm程度、下側の板体3の厚
さは10mm程度になる。
に詳細に説明する。 実施例1 図1に示すウエーハのポリッシング装置は、たとえばシ
リコン単結晶からなるウエーハWを貼着するためのポリ
ッシング用プレート1としてセラミックス、ガラス等の
高剛性材料によるものを設けたものであって、ポリッシ
ング用プレート1を、互いに密着重合した上下2枚の板
体2,3で構成するとともに、これら2枚の板体の合計
厚さを、フラットネス品質を有する研磨ウエーハを得る
のに必要な厚さ(すなわち、プレートが荷重によりたわ
まない厚さ)とし、上側の板体2を研磨機のトップリン
グ4に支持部材7を介して装着したものである。これら
板体2,3の合計厚さは、理論的または実験的に得られ
た値に設定する。この場合、ポリッシング用プレートの
材質にもよるが、上側の板体2の厚さは10〜20m
m、下側の板体3の厚さは10〜15mmの範囲とし、
その両者を合わせた厚さは20〜30mm位の値が採ら
れる。具体的には、ポリッシング用プレートがアルミナ
製のセラミックである場合、直径が520mmのときの
上側の板体2の厚さは15mm程度、下側の板体3の厚
さは10mm程度になる。
【0016】トップリング4は、図5に示すトップリン
グ22と同様構造のものとし、回転軸21の下端部に設
ける。このトップリング4の下端部に可撓性を有する薄
板5を設けることより、内部に密閉室6を形成し、回転
軸21に形成した加圧流体の供給流路25を密閉室6内
に連通させる。前記薄板5はゴム等の弾性材料、または
金属、硬質プラスチック等の硬質材料からなる板体とす
る。ただし金属、硬質プラスチック等の硬質材料による
薄板5では、その肉厚をゴム等の軟質材料による薄板5
に比べて十分薄く形成することにより可撓性を付与す
る。
グ22と同様構造のものとし、回転軸21の下端部に設
ける。このトップリング4の下端部に可撓性を有する薄
板5を設けることより、内部に密閉室6を形成し、回転
軸21に形成した加圧流体の供給流路25を密閉室6内
に連通させる。前記薄板5はゴム等の弾性材料、または
金属、硬質プラスチック等の硬質材料からなる板体とす
る。ただし金属、硬質プラスチック等の硬質材料による
薄板5では、その肉厚をゴム等の軟質材料による薄板5
に比べて十分薄く形成することにより可撓性を付与す
る。
【0017】トップリング4の下端部外周に、鉤状のプ
レート支持部7aとトップリング固定部7bとを有し、
剛性材料からなる複数の支持部材7のトップリング固定
部7bを固定し、その鉤状のプレート支持部7aに、前
記ポリッシング用プレート1を構成する上側板体2の外
周を装着する。なお、複数の支持部材7はトップリング
の中心軸に対し軸対称になるように配置されている。こ
れにより板体2を、薄板5の下面から所定寸法を隔てて
トップリング4に連結することができる。この場合、前
記「所定寸法」は、トップリングが下降し、上側板体を
介して下側板体を加圧したとき、上側板体の外周支持が
外れ拘束が無くなるように設定され、その値は0.5〜
5mmの範囲内とし、具体的には1mm前後の値が採ら
れる。なお、図2において上側板体2の環状凹部8の幅
をA、鉤状のプレート支持部7aの厚さをB、薄板5の
下面と上側板体2の上面との間隔をCとしたとき、Aと
Bの差A−Bは正の値であって、Cより大きい値に設定
することが必要である。なお、上側板体2の前記環状凹
部8の代わりに、支持部材7を配置する位置に、同部材
7の鉤状のプレート支持部7aの移動が可能な幅Aの溝
を設けてもよい。前記上下2枚の板体2,3の重合面は
平坦、かつ平滑に仕上げ、互いに密着した状態で重ね合
わせて固定する。この固定方法としては、ボルト等の固
定部材を用いる方法も可能であるが、板体2と3の間に
水等の液体を張った状態で重ね合わせ、その表面張力に
より接合するのが簡便で好ましい。
レート支持部7aとトップリング固定部7bとを有し、
剛性材料からなる複数の支持部材7のトップリング固定
部7bを固定し、その鉤状のプレート支持部7aに、前
記ポリッシング用プレート1を構成する上側板体2の外
周を装着する。なお、複数の支持部材7はトップリング
の中心軸に対し軸対称になるように配置されている。こ
れにより板体2を、薄板5の下面から所定寸法を隔てて
トップリング4に連結することができる。この場合、前
記「所定寸法」は、トップリングが下降し、上側板体を
介して下側板体を加圧したとき、上側板体の外周支持が
外れ拘束が無くなるように設定され、その値は0.5〜
5mmの範囲内とし、具体的には1mm前後の値が採ら
れる。なお、図2において上側板体2の環状凹部8の幅
をA、鉤状のプレート支持部7aの厚さをB、薄板5の
下面と上側板体2の上面との間隔をCとしたとき、Aと
Bの差A−Bは正の値であって、Cより大きい値に設定
することが必要である。なお、上側板体2の前記環状凹
部8の代わりに、支持部材7を配置する位置に、同部材
7の鉤状のプレート支持部7aの移動が可能な幅Aの溝
を設けてもよい。前記上下2枚の板体2,3の重合面は
平坦、かつ平滑に仕上げ、互いに密着した状態で重ね合
わせて固定する。この固定方法としては、ボルト等の固
定部材を用いる方法も可能であるが、板体2と3の間に
水等の液体を張った状態で重ね合わせ、その表面張力に
より接合するのが簡便で好ましい。
【0018】液体の表面張力により板体2,3を接合す
る場合には、これら板体の少なくとも一方の重合面に、
接合用液体を導入または排出するための導排出溝を形成
し、該導排出溝の端部をこれら板体の外周端部に開口す
る。図3は、上側板体2の下面に放射直線状に形成した
導排出溝9を示し、図4は、上側板体2の下面に放射放
物線状に形成した導排出溝9を示している。これら導排
出溝9の断面形状は、例えば半径2〜3mm程度の半円
形とし、板体の中心近傍で相互に交わって連通し、同交
点に対して点対称となるように配置するのが好ましい。
板体3を板体2から取り外すには、前記導排出溝9から
接合用液体を吸引排出する方法や、加圧流体を圧入する
方法がある。すなわち後者の場合、ポリッシングが終了
した後、トップリング4を僅かに上昇させた状態で、噴
射ノズル(図示せず)の先端部を任意の導排出溝9の開
口端に挿入し、加圧空気または加圧水を導排出溝9に供
給することで、該加圧流体は複数の導排出溝9の全てに
分散して供給されるため、板体3を板体2から確実に取
り外すことができる。
る場合には、これら板体の少なくとも一方の重合面に、
接合用液体を導入または排出するための導排出溝を形成
し、該導排出溝の端部をこれら板体の外周端部に開口す
る。図3は、上側板体2の下面に放射直線状に形成した
導排出溝9を示し、図4は、上側板体2の下面に放射放
物線状に形成した導排出溝9を示している。これら導排
出溝9の断面形状は、例えば半径2〜3mm程度の半円
形とし、板体の中心近傍で相互に交わって連通し、同交
点に対して点対称となるように配置するのが好ましい。
板体3を板体2から取り外すには、前記導排出溝9から
接合用液体を吸引排出する方法や、加圧流体を圧入する
方法がある。すなわち後者の場合、ポリッシングが終了
した後、トップリング4を僅かに上昇させた状態で、噴
射ノズル(図示せず)の先端部を任意の導排出溝9の開
口端に挿入し、加圧空気または加圧水を導排出溝9に供
給することで、該加圧流体は複数の導排出溝9の全てに
分散して供給されるため、板体3を板体2から確実に取
り外すことができる。
【0019】なお、図1に示す全面均等荷重の加圧方式
によるポリッシング装置に代えて、ポリッシング用プレ
ートに当接する面の全体を硬質材料により構成したトッ
プリングの下面に板体2を重ね合わせて固定した構造と
することもできる。また、下側板体3へのウエーハWの
貼着は従来公知の方法であるワックス法、ワックスレス
法等により行うことができる。
によるポリッシング装置に代えて、ポリッシング用プレ
ートに当接する面の全体を硬質材料により構成したトッ
プリングの下面に板体2を重ね合わせて固定した構造と
することもできる。また、下側板体3へのウエーハWの
貼着は従来公知の方法であるワックス法、ワックスレス
法等により行うことができる。
【0020】図1のポリッシング装置においては、密閉
室6に加圧流体を供給すれば、密閉室6内の圧力により
薄板5に等分布荷重が加わり、ポリッシング用プレート
1が薄板5の変位に順応して3次元的に研磨布側に変位
し、ウエーハWの被研磨面が研磨布に圧接してポリッシ
ングが行われる。従って、研磨機のトップリングにおけ
るポリッシング用プレート固定部分を単なる硬質材料だ
けで形成した場合に比べて、研磨ウエーハのフラットネ
スが更に向上する。
室6に加圧流体を供給すれば、密閉室6内の圧力により
薄板5に等分布荷重が加わり、ポリッシング用プレート
1が薄板5の変位に順応して3次元的に研磨布側に変位
し、ウエーハWの被研磨面が研磨布に圧接してポリッシ
ングが行われる。従って、研磨機のトップリングにおけ
るポリッシング用プレート固定部分を単なる硬質材料だ
けで形成した場合に比べて、研磨ウエーハのフラットネ
スが更に向上する。
【0021】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項1
に記載のウエーハのポリッシング装置によれば、ポリッ
シング用プレートを上下2枚の板体に分割したので、研
磨機に対する固定・取り外し作業等のハンドリング性が
向上するうえ、高度のフラットネスを有するウエーハを
容易に得ることができる。請求項2に記載のウエーハの
ポリッシング装置によれば、全面均等荷重の加圧方式に
よるポリッシングが可能となり、研磨機のトップリング
下面におけるポリッシング用プレート固定部分を単なる
硬質材料で形成した場合に比べて、ウエーハのフラット
ネスが更に向上する。請求項3に記載のウエーハのポリ
ッシング装置によれば、ボルト等の取り付け部材を用い
ることなく、上下2枚の板体を簡便に接合してポリッシ
ング用プレートを研磨機に固定することができる。請求
項4に記載のウエーハのポリッシング装置によれば、板
体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上下2枚の
板体間に加圧流体を供給するか、または、これらの板体
間に保持された接合用液体を前記導排出溝端部から吸引
除去することにより、下側の板体を上側の板体から簡単
に取り外すことができる。
に記載のウエーハのポリッシング装置によれば、ポリッ
シング用プレートを上下2枚の板体に分割したので、研
磨機に対する固定・取り外し作業等のハンドリング性が
向上するうえ、高度のフラットネスを有するウエーハを
容易に得ることができる。請求項2に記載のウエーハの
ポリッシング装置によれば、全面均等荷重の加圧方式に
よるポリッシングが可能となり、研磨機のトップリング
下面におけるポリッシング用プレート固定部分を単なる
硬質材料で形成した場合に比べて、ウエーハのフラット
ネスが更に向上する。請求項3に記載のウエーハのポリ
ッシング装置によれば、ボルト等の取り付け部材を用い
ることなく、上下2枚の板体を簡便に接合してポリッシ
ング用プレートを研磨機に固定することができる。請求
項4に記載のウエーハのポリッシング装置によれば、板
体の外周端部に開口した導排出溝端部から、上下2枚の
板体間に加圧流体を供給するか、または、これらの板体
間に保持された接合用液体を前記導排出溝端部から吸引
除去することにより、下側の板体を上側の板体から簡単
に取り外すことができる。
【図1】本発明のウエーハポリッシング装置の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図2】図1の一部拡大図である。
【図3】板体の一例を示す下面図である。
【図4】板体の別例を示す下面図である。
【図5】従来例のウエーハポリッシング装置を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図6】図5装置におけるウエーハ研磨作用の説明図で
ある。
ある。
【図7】図5装置による研磨結果の説明図である。
1,26 ポリッシング用プレート 2,3 板体 4,22 トップリング 5,23 薄板 6,24 密閉室 7 支持部材 7a 鉤状のプレート支持部 7b トップリング固定部 8 環状凹部 9 導排出溝 21 回転軸 25 供給流路 31 定盤 32 研磨布
Claims (4)
- 【請求項1】 ウエーハを貼着するためのポリッシング
用プレートとして高剛性材料によるものを設けたウエー
ハのポリッシング装置において、前記ポリッシング用プ
レートを、互いに密着重合した上下2枚の板体で構成す
るとともに、これら2枚の板体の合計厚さを、フラット
ネス品質を有する研磨ウエーハを得るのに必要な厚さと
し、上側の板体を研磨機のトップリングの下面に装着し
たことを特徴とするウエーハのポリッシング装置。 - 【請求項2】 前記トップリングの下方部に可撓性の薄
板を設けて内部に密閉室を形成するとともに、該密閉室
を加圧流体の供給源に連通させ、前記ポリッシング用プ
レートを構成する上側の板体を、前記薄板の下面から所
定寸法を隔てて、かつ剛性の支持部材を介して前記トッ
プリングに装着したことを特徴とする請求項1に記載の
ウエーハのポリッシング装置。 - 【請求項3】 前記ポリッシング用プレートを構成する
上下2枚の板体の重合面を平滑に仕上げ、液体の表面張
力により接合したことを特徴とする請求項1または2に
記載のウエーハのポリッシング装置。 - 【請求項4】 前記ポリッシング用プレートを構成する
上下2枚の板体の少なくとも一方の重合面に、前記接合
用液体を導入または排出するための導排出溝を、前記板
体のほぼ中心近傍で相互に交わって連通し、同交点に対
しほぼ点対称となるように配置された放射直線状に、ま
たは放射放物線状に形成し、該導排出溝の端部を板体の
外周端部に開口したことを特徴とする請求項3に記載の
ウエーハのポリッシング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4483994A JP3042293B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ウエーハのポリッシング装置 |
EP95300850A EP0672499B1 (en) | 1994-02-18 | 1995-02-10 | Apparatus for polishing wafers |
DE69504549T DE69504549T2 (de) | 1994-02-18 | 1995-02-10 | Gerät zum Polieren von Wafers |
US08/387,514 US5588902A (en) | 1994-02-18 | 1995-02-13 | Apparatus for polishing wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4483994A JP3042293B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ウエーハのポリッシング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07227757A true JPH07227757A (ja) | 1995-08-29 |
JP3042293B2 JP3042293B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=12702650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4483994A Expired - Lifetime JP3042293B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | ウエーハのポリッシング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5588902A (ja) |
EP (1) | EP0672499B1 (ja) |
JP (1) | JP3042293B2 (ja) |
DE (1) | DE69504549T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277008B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
JPH09225819A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 被加工物の保持機構 |
JP3183388B2 (ja) * | 1996-07-12 | 2001-07-09 | 株式会社東京精密 | 半導体ウェーハ研磨装置 |
US5941758A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
JPH10156710A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄板の研磨方法および研磨装置 |
JPH10217105A (ja) * | 1997-02-06 | 1998-08-18 | Speedfam Co Ltd | ワークの研磨方法及びその装置 |
US6110025A (en) * | 1997-05-07 | 2000-08-29 | Obsidian, Inc. | Containment ring for substrate carrier apparatus |
DE69813374T2 (de) * | 1997-05-28 | 2003-10-23 | Tokyo Seimitsu Co. Ltd., Mitaka | Halbleiterscheibe Poliervorrichtung mit Halterring |
US6113479A (en) | 1997-07-25 | 2000-09-05 | Obsidian, Inc. | Wafer carrier for chemical mechanical planarization polishing |
US6142857A (en) * | 1998-01-06 | 2000-11-07 | Speedfam-Ipec Corporation | Wafer polishing with improved backing arrangement |
US6106379A (en) * | 1998-05-12 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension |
US5985094A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
US6174221B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, semiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks |
US6176764B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, simiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks |
US6093086A (en) * | 1999-09-24 | 2000-07-25 | Lucent Technologies Inc. | Polishing head release mechanism |
US6383056B1 (en) | 1999-12-02 | 2002-05-07 | Yin Ming Wang | Plane constructed shaft system used in precision polishing and polishing apparatuses |
KR101377538B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2014-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 유리판 연마 시스템용 하부 유니트 및 이를 이용한 연마 방법 |
JP5821883B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2015-11-24 | 信越半導体株式会社 | テンプレートアセンブリ及びテンプレートアセンブリの製造方法 |
JP7436684B2 (ja) * | 2020-06-26 | 2024-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 変形可能な基板チャック |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569310A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | ウエーハの鏡面研磨装置 |
JPH05138530A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-01 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | 半導体ウエハーのポリツシング方法とその装置 |
JPH07183259A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Fujitsu Ltd | 枚葉式研磨装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2809274A1 (de) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur vergleichmaessigung des polierabtrages von scheiben beim polieren |
JPS6059113B2 (ja) * | 1979-09-18 | 1985-12-23 | スピ−ドフアム・コ−ポレイシヨン | 微小サイズウエ−ハの液体無ワツクス取付具 |
US4521995A (en) * | 1980-05-23 | 1985-06-11 | Disco Co., Ltd. | Wafer attracting and fixing device |
JPH079896B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1995-02-01 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置 |
US5036630A (en) * | 1990-04-13 | 1991-08-06 | International Business Machines Corporation | Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP4483994A patent/JP3042293B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-10 DE DE69504549T patent/DE69504549T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-10 EP EP95300850A patent/EP0672499B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-13 US US08/387,514 patent/US5588902A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569310A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | ウエーハの鏡面研磨装置 |
JPH05138530A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-01 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | 半導体ウエハーのポリツシング方法とその装置 |
JPH07183259A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Fujitsu Ltd | 枚葉式研磨装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277008B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-08-21 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5588902A (en) | 1996-12-31 |
DE69504549T2 (de) | 1999-06-17 |
DE69504549D1 (de) | 1998-10-15 |
EP0672499B1 (en) | 1998-09-09 |
JP3042293B2 (ja) | 2000-05-15 |
EP0672499A1 (en) | 1995-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07227757A (ja) | ウエーハのポリッシング装置 | |
US6659850B2 (en) | Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece | |
JP4217400B2 (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
US5704827A (en) | Polishing apparatus including cloth cartridge connected to turntable | |
US6110012A (en) | Chemical-mechanical polishing apparatus and method | |
US6764392B2 (en) | Wafer polishing method and wafer polishing device | |
JPH01216768A (ja) | 半導体基板の研磨方法及びその装置 | |
CN115401587B (zh) | 一种抛光头及半导体晶圆平坦化设备 | |
US6402594B1 (en) | Polishing method for wafer and holding plate | |
JP3218572B2 (ja) | ウェーハ加圧用ポリッシングプレート | |
JP3816297B2 (ja) | 研磨装置 | |
KR100335569B1 (ko) | 화학적 기계적 연마장치의 연마헤드 | |
JPH0691522A (ja) | 研磨装置 | |
JP4051125B2 (ja) | ウェーハの接着装置 | |
KR100725923B1 (ko) | 연마헤드용 멤브레인 | |
JP7386979B2 (ja) | ウエハー研磨ヘッド、ウエハー研磨ヘッドの製造方法及びそれを備えたウエハー研磨装置 | |
JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
TW201330149A (zh) | 具有彈性壓力板之晶圓載盤 | |
JP3615592B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP3183204B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
JP2002217145A (ja) | 研磨装置用チャック | |
JPH03173129A (ja) | 研磨装置 | |
JP2004268155A (ja) | ガラス基板研磨ヘッド及びこれを用いた研磨装置、ガラス基板研磨方法、ガラス基板 | |
JPH10270398A (ja) | ウェーハの研磨装置 | |
JP2004268157A (ja) | ガラス基板研磨ヘッド及びこれを用いた研磨装置、ガラス基板研磨方法、ガラス基板 |