JPH0722353A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0722353A JPH0722353A JP14353593A JP14353593A JPH0722353A JP H0722353 A JPH0722353 A JP H0722353A JP 14353593 A JP14353593 A JP 14353593A JP 14353593 A JP14353593 A JP 14353593A JP H0722353 A JPH0722353 A JP H0722353A
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Abstract
完全に阻止できる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板4の上に半導体チップ2を形成し
た後、半導体基板4の上における半導体チップ2同士の
間のスクライブライン3の表面にホトエッチングにより
凹状溝8を形成する。その後、凹状溝8の内部及び半導
体チップ2の内部にそれぞれオーミック性金属7B,7
Aを形成する。
Description
工程におけるチッピングを防止することを目的とした半
導体装置の製造方法に関するものである。
は、半導体装置の信頼性を確保するため組立のダイシン
グ工程においてチッピングを防止する手段を半導体装置
のチップに設けるようになってきた。
て説明する。
を示す断面図であり、同図において、1は半導体基板、
2は半導体チップ、3はスクライブライン、4はプラズ
マ窒化膜である。
ップ2を保護するために半導体基板1の上に全面に亘っ
てプラズマ窒化膜4を形成する。
チング法によりスクライブライン3上のプラズマ窒化膜
4を半導体チップ2を囲むようにラインエッチングす
る。
置の断面構造を示す模式図であって、同図に示すよう
に、半導体基板1にはチッピングクラック5が発生して
いる。このようにチッピングクラック5が発生した半導
体基板1のスクライブライン3にダイシングブレードを
入れて半導体チップ2を切り放すと、半導体チップ2の
周辺部にチッピングクラック5が発生する。このチッピ
ングクラック5はプラズマ窒化膜4で止まるのでチッピ
ングが防止される。
従来の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に密
着したプラズマ窒化膜からなる絶縁膜によりチッピング
が半導体チップ内に延びないようにしているが、表面の
チッピングを防ぐだけであって、絶縁膜の下を通る歪欠
陥によるチッピングについては完全には抑制できないと
いう問題を有している。
イシング工程において生じるチッピングを完全に阻止で
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
体基板の主面に該半導体基板と合金化する金属からなる
金属ラインを形成しておくと、ダイシング工程で形成さ
れたチッピングクラックは半導体基板を切断する際に金
属ライン又はその下の合金層に吸収されるということを
見出だし、該知見に基づいてなされたものであって、具
体的には、半導体基板の一主面における半導体チップ同
士の間に上記半導体基板と合金化する金属からなる金属
ラインを形成した後、上記半導体基板を切断して上記半
導体チップ同士を切り離す構成である。
記金属ラインは上記半導体チップのスクライブライン上
に形成するという構成を付加するものである。
記半導体チップのスクライブライン上にエッチングによ
り凹状溝を形成した後、該凹状溝の内部に上記金属ライ
ンを形成するという構成を付加するものである。
に、上記金属ラインはオーミック性金属からなり、上記
金属ラインは上記半導体チップのオーミック性金属と同
時に形成するという構成を付加するものである。
に、上記金属ラインはショットキ性金属からなり、上記
金属ラインは上記半導体チップのショットキ性金属と同
時に形成するという構成を付加するものである。
おける半導体チップ同士の間に半導体基板と合金化する
金属からなる金属ラインを形成した後に半導体基板を切
断すると、ダイシング工程において生成されたチッピン
グクラックは、金属ラインを構成する金属と半導体基板
との界面に形成された合金層又は金属ラインに達し、該
合金層又は金属ラインに完全に吸収される。
体チップのスクライブライン上に形成されるので、スク
ライブライン近傍に生成されたチッピングラインを確実
に吸収することができる。
クライブライン上に形成した凹状溝の内部に金属ライン
を形成するため、スクライブライン近傍に生成されたチ
ッピングラインを半導体基板の内部で吸収することがで
きる。
ミック性金属からなり、金属ラインは半導体チップのオ
ーミック性金属と同時に形成するため、金属ラインを形
成する工程を別途設ける必要がない。
ットキ性金属からなり、金属ラインは半導体チップのシ
ョットキ性金属と同時に形成するため、金属ラインを形
成する工程を別途設ける必要がない。
照しながら説明する。
体装置の製造方法の各製造工程を示す断面模式図であっ
て、同図において、1は半導体基板、2は半導体基板1
の上に形成された半導体チップ、6A,6Bはそれぞれ
ショットキ性金属、7A,7Bはそれぞれオーミック性
金属、8はスクライブライン3に形成された凹状溝であ
る。
置の製造方法を示し、同図に示すように、半導体チップ
2の内部のショットキ性金属6Aを形成すると同時に、
半導体チップ2同士の間のスクライブライン3上にショ
ットキ性金属6Bからなる金属ラインを形成する。
置の製造方法を示し、同図に示すように、半導体チップ
2の内部のオーミック性金属7Aを形成すると同時に、
半導体チップ2同士の間のスクライブライン3上にオー
ミック性金属7Bからなる金属ラインを形成する。
置の製造方法を示し、同図に示すように、半導体チップ
2同士の間のスクライブライン3の表面にホトエッチン
グにより凹状溝8を形成した後、該凹状溝8の内部及び
半導体チップ2の内部にそれぞれオーミック性金属7
B,7Aを形成する。
られた半導体装置の断面構造を示しており、同図に示す
ように、半導体基板1におけるオーミック性金属7Bの
下側には合金層9が形成されている。このため、ダイシ
ングブレードにより生成されたチッピングクラック10
は合金層9により吸収されている。尚、図5において1
1はチッピングである。
た半導体装置と従来の方法により得られた半導体装置と
の組立て時におけるチッピング発生率を示したものであ
り、従来のものが平均5%のチッピング発生率であるの
に対して、第2実施例のものはチッピング発生率が0%
である。
ョットキ性金属6B又はオーミック性金属7Bからなる
金属ラインを設けると、チッピングを完全に防止するこ
とができる。
の周辺については説明していないが、金属ライン上を絶
縁膜又は他の金属で覆ってもよい。
係る半導体装置の製造方法によると、半導体基板の一主
面における半導体チップ同士の間に半導体基板と合金化
する金属からなる金属ラインを形成した後に半導体基板
を切断するため、ダイシング工程で生成されたチッピン
グクラックは、金属ラインを構成する金属と半導体基板
との界面に形成された合金層又は金属ラインにより完全
に吸収されるので、半導体チップの内部にクラックが誘
起されることはない。
工程特にダイシング工程における歩留り及び半導体装置
の信頼性を大きく向上させることができる。
法によると、金属ラインを半導体チップのスクライブラ
イン上に形成するので、スクライブライン近傍に生成さ
れたチッピングラインを金属ライン又は合金層により確
実に吸収できるので、半導体チップの内部に誘起される
クラックを確実に防止することができる。
法によると、半導体チップのスクライブライン上に凹状
溝を形成し、該凹状溝の内部に金属ラインを形成するた
め、スクライブライン近傍に生成されたチッピングライ
ンを半導体基板の内部で吸収することができるので、半
導体チップの内部に誘起されるクラックをいっそう確実
に防止することができる。
法によると、金属ラインはオーミック性金属からなり、
金属ラインを半導体チップのオーミック性金属と同時に
形成するため、金属ラインの形成工程を別途設ける必要
がないので、簡易な方法で半導体チップの内部に誘起さ
れるクラックを防止ができる。
法によると、金属ラインはショットキ性金属からなり、
金属ラインを半導体チップのショットキ性金属と同時に
形成するため、金属ラインの形成工程を別途設ける必要
がないので、簡易な方法で半導体チップの内部に誘起さ
れるクラックを防止ができる。
を示す断面模式図である。
法を示す断面模式図である。
法を示す断面模式図である。
法を示す断面模式図である。
法により得た半導体装置のダイシング後の断面模式図で
ある。
法により得た半導体装置及び従来の方法により得た半導
体装置におけるチッピング発生率の推移図である。
である。
装置のダイシング後の断面模式図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体基板の一主面における半導体チッ
プ同士の間に、上記半導体基板と合金化する金属からな
る金属ラインを形成した後、上記半導体基板を切断して
上記半導体チップ同士を切り離すことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項2】 上記金属ラインは上記半導体チップのス
クライブライン上に形成することを特徴とする請求項1
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 上記半導体チップのスクライブライン上
にエッチングにより凹状溝を形成した後、該凹状溝の内
部に上記金属ラインを形成することを特徴とする請求項
1に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 上記金属ラインはオーミック性金属から
なり、上記金属ラインは上記半導体チップのオーミック
性金属と同時に形成することを特徴とする請求項1〜3
のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 上記金属ラインはショットキ性金属から
なり、上記金属ラインは上記半導体チップのショットキ
性金属と同時に形成することを特徴とする請求項1〜3
のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14353593A JP3500169B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14353593A JP3500169B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0722353A true JPH0722353A (ja) | 1995-01-24 |
JP3500169B2 JP3500169B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=15341013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14353593A Expired - Fee Related JP3500169B2 (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3500169B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005167190A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体ウェハのダイシング方法 |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14353593A patent/JP3500169B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005167190A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 半導体ウェハのダイシング方法 |
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JP3500169B2 (ja) | 2004-02-23 |
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