JPH07215941A - 5−ピラゾールメルカプタン誘導体及びその中間体の製造方法 - Google Patents

5−ピラゾールメルカプタン誘導体及びその中間体の製造方法

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JPH07215941A
JPH07215941A JP5316384A JP31638493A JPH07215941A JP H07215941 A JPH07215941 A JP H07215941A JP 5316384 A JP5316384 A JP 5316384A JP 31638493 A JP31638493 A JP 31638493A JP H07215941 A JPH07215941 A JP H07215941A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 スルホニルウレア系除草剤の合成に有用な5
−ピラゾールメルカプタン誘導体及びその中間体の製造
方法を提供する。 【構成】 マロネート化合物を塩基存在下でチオカルボ
キシレート化合物と反応させることを特徴とする下記一
般式(I)で示される5−ピラゾールメルカプタン誘導体
の製造方法。 [式中、RはC 1−C 4アルキル基、C 2−C 4アルケ
ニル基、アリルアルキル基又はアリル基であり;R 1
水素原子、C 1−C 4アルキル基、アリル基又はプロパ
ギル基であり;R 2は水素原子、C 1−C 4アルキル基
であるか任意の位置にハロゲン原子、ニトロ基及びメチ
ル基からなる群から選択される1又は2以上の置換基を
有するフェニル基であり;R 3は水素原子、メチル基、
エチル基又はフェニル基である。]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスルホニルウレア系除草
剤の合成に有用な下記一般式(I)で示される5−ピラゾ
ールメルカプタン誘導体及びその中間体の製造方法に関
するものである。
【化5】 [式中、R1は水素原子、C1−C4アルキル基、アリル基
又はプロパギル基であり;R2は水素原子、C1−C4アル
キル基であるか任意の位置にハロゲン原子、ニトロ基及
びメチル基からなる群から選択される1又は2以上の置
換基を有するフェニル基であり;R3は水素原子、メチル
基、エチル基又はフェニル基である。]
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】上記
一般式(I)の化合物は公知物質として、その製造方法は
例えば、ヨーロッパ公開特許第87780号、日本国特
許公開昭61−210003号、日本国特許公開昭61
−210084号等に記載されている。特に、日本国特
許公開昭61−210084号によれば下記反応式に従
ってジエチルエトキシメチレンマロネートから3段階の
工程を経て目的化合物(I')を製造している。
【化6】
【0003】上記反応式をより具体的に説明すれば、先
ずジエチルエトキシメチレンマロネートとメチルヒドラ
ジンを環化反応させ上記一般式(III')の化合物を生成さ
せ、次にホスホラスオキシクロライド(POCl3)を使用
して90〜100℃の温度で65時間以上反応させ、化
合物(III')のハイドロキシ基をクロル化してクロロ基に
換えた後、ここで生成された化合物(II')をDMF溶媒
の存在下でナトリウムスルフィド(Na2S)と70〜80
℃で3.5時間反応させ目的化合物(I')を製造してい
る。
【0004】しかし、前述した公知の方法によって、目
的化合物を製造する場合、3段階の複雑な反応工程を経
なければならないことはいうまでもなく、上記反応段階
中、環化反応による生成物中には下記一般式(I")のよ
うな異性体が副生成物として生じ純度を落とすため再結
晶工程のような精製工程を追加に経なければならず、全
体的に高い反応温度と長時間の反応時間を要するのみな
らず収率も80%以下(特に、クロル化段階においては
収率が30〜40%に過ぎない)で低いものしか得られ
ない。
【化7】
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記一般式(I)化合物をより効果的で経済的に合成できる
方法につき研究を進めた結果、エチリデンジチオカルボ
ン酸誘導体を出発物質として1段階反応工程によって上
記一般式(I)化合物を効果的に合成することがが判明し
本発明を完成するに至った。
【0006】すなわち、本発明の目的は下記一般式(II
I)のマロネート化合物を塩基存在下で下記一般式(II)の
カルボジチオアート化合物と反応させることを特徴とし
て下記一般式(I)で示される5−ピラゾールメルカプタ
ン誘導体を製造する方法を提供することにある。
【化8】 [式中、R1、R2及びR3は前述した通りであり、RはC
1−C4アルキル基(望ましくはメチル基、エチル基)、C
2−C4アルケニル基(望ましくはアリル基)、アリルアル
キル基(望ましくはベンジル基)又はアリル基(望ましく
はフェニル基)を示す。]
【0007】本発明による上記反応は下記反応図式(1)
に従って先ず、上記一般式(II)の化合物を一般式(III)
の化合物と反応させて下記一般式(IV)のエチリデンカル
ボジチオアート化合物を得、得られた化合物(IV)は直ち
に脱カルボキシル化され環を形成して下記一般式(I'")
のピラゾールメルカプタン塩基性塩が生成し、これを酸
処理すれば目的の一般式(I)のピラゾールメルカプタン
化合物が得られる。
【化9】 [式中、R、R1、R2及びR3は前述した通りであり、B
+は塩基性基(base radical)を示し、A-は酸基(acid ra
dical)を示す。]
【0008】前述した反応は望ましくは無水条件に窒素
大気下で行うことによって良い合成結果を得ることがで
きる。本発明の反応はほぼ定量的に進行するが、場合に
よって、反応物質の使用量は上記一般式(II)の化合
物に対し一般式(III)の化合物を通常過剰量使用して反
応させることもあり、望ましくは1.0当量〜2.0当
量、特に望ましくは1.0〜1.1当量の比率で使用する
のが効果的である。
【0009】本発明による上記反応は溶媒を使用しない
こともあるが、望ましくは溶媒存在下で反応させるのが
良く、8〜20時間程度反応させれば反応が完了する。
この際、使用する溶媒はメタノール、エタノール、t−
ブタノール等のようなアルコール類、エチレンジクロラ
イド、メチレンジクロライド等をアルキルハライド類や
ベンゼン、n−ヘキサン、トルエン等、反応に副影響を
与えなければ、いかなる溶媒も使用可能であるが、望ま
しくはアルコール類、特にエタノールが最も良く、反応
温度は0℃〜150℃、好ましくは使用する溶媒の還流
温度で行う。
【0010】本発明の反応において、望ましくは使用し
得る塩基としては、ナトリウム、カリウム、リチウム等
のようなアルカリ金属の(C1−C5)アルコキサイド、ハ
イドロキサイド又はカボネートを使用するか、ピリジ
ン、トリエチルアミン等の3級アミン塩基を使用し得る
が、望ましくはアルカリ金属(C1−C5)アルコキサイド
又はアルカリ金属ハイドロキサイドであり、特にナトリ
ウムエトキサイド又はナトリウムハイドロキサイドが最
も望ましく、その使用量は出発物質である一般式(II)の
化合物を基準にして1.0当量〜5.0当量が可能である
が、望ましくは1.1当量〜1.5当量である。
【0011】一方、本発明の反応中生成する上記一般式
(IV)の化合物は公知文献に記載されていない新規の物質
として、必要によっては一般式(IV)の化合物を分離して
前述した反応と同一条件にて反応させ本発明の目的物質
(I)を製造することができる。
【0012】従って、本発明は下記一般式(IV)で示され
る新規のエチリデンカルボジチオアート化合物を提供
し、さらに、下記反応図式(2)に示した通り、一般式(I
V)の化合物を塩基存在下で環化反応を行うことを特徴と
する一般式(I)の化合物の製造方法も本発明の目的に含
まれる。
【化10】 [式中、R、R1、R2及びR3は前述した通りである。]
【0013】上記反応図式(2)による反応は前述した反
応図式(1)による反応と同一の条件で効果的に行われ、
この反応によって製造される目的化合物は99%程度の
高純度であるのが特徴である。上記で詳細に説明した本
発明の方法によれば、いずれの場合も1段階の工程であ
り、非常に簡単で、効果的に目的化合物(I)を合成でき
ることのみならず、公知の方法のように異性体が生成す
る恐れが無く、相当に緩和な反応条件で短時間に反応を
完了させることができ、高純度の目的化合物を高収率で
得ることができる。
【0014】一方、本発明の出発物質として使用される
上記一般式(II)及び(III)の化合物等は全て公知の化合
物で商業的に容易に購入して使用することが出来るが、
特に、出発物質(II)化合物は直接合成して使用するのが
より経済的である。
【0015】しかし、一般式(II)の化合物を公知の方法
によって製造することになれば、大部分の場合、反応選
択性に問題点が存在する。例えば、一般式(II)の化合物
はモノアルキルヒドラジンをアルコールのような極性溶
媒中でカリウムハイドロキサイド及び二硫化炭素(C
2)と反応させた後、同一溶媒中でよう化メチルとエス
テル化反応させて製造するか[アクタ・ケミカ・スカン
ジナビカ(Acta. Chem.Scand.)23(6),1916−3
4(1969)]又は米国特許第4064262、日本国
特開昭第61−109771号等に記載されている方法
によって製造することができるが、このような公知方法
の場合にはエステル化反応段階で反応選択性が落ちて、
下記構造式(II")のような副産物が生成することがある
ので目的化合物(I)の収率が60〜85%に落ちること
になる問題点がある。
【化11】 [式中、Rは前述した通りである。]
【0016】従って、本発明者等はこのような従来の問
題点を解決するために研究を重ねた結果、エステル化反
応段階で非極性溶媒と相転移触媒とを使用する2相系反
応を行うことによって反応選択性を顕著に向上させるこ
とができ、高純度及び高収率で目的化合物(IV)を製造す
ることが出来ることを見出した。
【0017】従って、本発明のもう一つの目的は次の反
応図式(3)によって本発明の出発物質である化合物(II)
の新しい製造方法を提供することも含む。
【化12】 [式中、R及びR2は前述した通りであり、Xはハロゲン
を示し、Mはアルカリ金属を示す。]上記方法を具体的
に説明すれば次の通りである。
【0018】先ず塩基を溶媒に完全に溶解させた後、二
硫化炭素を一括投入し、アルキルヒドラジン(V)を徐々
に滴加した後、反応がさらに進行しない時まで十分撹拌
する。この際、塩基は金属ハイドロキサイドを使用する
が、特にナトリウムハイドロキサイド又はカリウムハイ
ドロキサイドが望ましい。二硫化炭素と塩基との使用量
は化合物(V)を基準に各々1.0〜1.5当量、望ましく
は1.01〜1.05当量である。溶媒として水又はアル
コールを使用することができるが、水を4.0当量以上
使用するのが全体的に均一の反応を誘導することができ
るので有利である。反応温度は通常0〜40℃範囲を維
持するが、0〜15℃の温度範囲で反応させるのが反応
物質の損失を防止することができるので望ましい。特に
二硫化炭素を投入する前に反応容器の内部温度を0〜5
℃程度に冷却するのが好ましい。アルキル物質である化
合物(V)を投入する際は反応器の内部温度が15℃を越
えないように徐々に投入することが好ましい。
【0019】次に、ジチオカルボン酸誘導体が生成して
いる反応混合物に非極性有機溶媒と相転移触媒を加えた
後、目的化合物に従って適切な親電子体を投入すること
によってエステル化反応を行う。この反応に使用する非
極性有機溶媒は非プロトン性溶媒、具体的にはメチレン
ジクロライド、エチレンジクロライド、n−ヘキサン、n
−ヘプタン又はトルエン等が望ましい。非極性有機溶媒
は通常の反応に使用する溶媒量程度、例えば、5〜40
当量を使用する。
【0020】相転移触媒は四級アンモニウムハライド又
は三級アミンを使用することができるが、四級アンモニ
ウムハライドが望ましく、特に望ましくはテトラブチル
アンモニウムブロマイドである。この使用量は0.00
1〜1.0当量、望ましくは0.01〜0.1当量であ
る。親電子体はアルキルスルフェート(R2SO4)又はア
ルキルハライド(R−X)を使用することができ、その使
用量は1.0〜2.0当量、望ましくは1.01〜1.05
当量を使用するが、この場合、親電子体は2〜3時間に
わたって一定速度により投入するのが好ましい。ここで
「アルキル」とは本発明による目的化合物の置換基Rに
定義されたもの等を全て含む広い意味で使用されるが、
適切に使用されることができる親電子体はメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、アリル、ブチル、t−ブ
チル、ベンジル又はp−ニトロベンジル基等のスルフェ
ート化合物或いはクロライド又はブロマイド化合物であ
り、特にジメチルスルフェート、アリルブロマイド又は
ベンジルクロライドが最も望ましい。エステル化反応温
度は0℃〜溶媒の還流温度範囲が可能であるが、0〜2
5℃範囲で反応させることが副産物の生成を最少にし、
最も良い結果が得られる。
【0021】上述した本発明の方法によれば、95%以
上の純度の目的化合物(II)を95〜99%の高い収率で
得ることができるので工業的な面で多くの利点を有す
る。以上本発明の全ての製造工程を反応式で示すと次の
反応図式(4)の通りである。
【化13】 [式中、R、R1、R2、R3、M及びXは上述した通りで
ある。]以下、本発明を実施例によってより具体的に説
明する。しかし、これらの実施例等は本発明について理
解を助ける為のもののみで、本発明の範囲を制限するも
のではない。以下の実施例によって生成した化合物の純
度は気体クロマトグラフィにより分析した。
【0022】実施例1 2−メチルジカルボジチオ酸メチルエステルの合成 水5.0gにナトリウムハイドロキサイド420mg(10.
5mM)を入れて完全に溶かした後、冷却して0〜5℃を
維持した。この温度で二硫化炭素799mg(10.5mM)
を一度に投入し、内部温度が10℃を越えないように注
意しながらメチルヒドラジン461mg(10.0mM)を3
0分間にわたって徐々に注入した。10℃程度を維持し
ながら3時間継続撹拌した後、この反応混合物にメチレ
ンジクロライド10.0gとテトラn−ブチルアンモニウ
ムブロマイド42mg(0.15mM)を付加した後、ジメチ
ルスルフェート1274mg(10.1mM)を30分に互っ
て徐々に投入し、さらに1時間反応を進行させる。有機
層を分離して無水硫酸マグネシウムで乾燥した後濾過し
溶媒を蒸溜して標題化合物1294mg(収率95%)を
得、気体クロマトグラフィで98%の純度を確認した。
【0023】実施例2 2−メチルカルボジチオ酸アリルエステルの合成 親電子体としてジメチルスルフェートの代わりにアリル
ブロマイド1222mg(10.1mM)を使用することを除
いて、実施例1と類似した方法で反応を行って標題化合
物1558mg(収率96%)を収得し、気体クロマトグラ
フィで97%の純度を確認した。
【0024】実施例3 2−メチルカルボジチオ酸ベンジルエステルの合成 エステル化溶媒としてメチレンクロライドの代わりにn
−ヘキサン30.0gを使用し親電子体としてジメチルス
ルフェートの代わりにベンジルクロライド1279mg
(10.0mM)を使用して実施例1に記載と同様の方法に
よって反応を行った後、メチレンジクロライドによって
生成物を抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し
て標題化合物2102mg(収率99%)を得、気体クロマ
トグラフィで95%の純度を確認した。
【0025】実施例4 2−メチルカルボジチオ酸エチルエステルの合成 親電子体としてジエチルスルフェート1555mg(10.
1mM)を使用する以外は実施例1又は3に記載と同様の
方法によって反応を行って、標題化合物1425mg(収
率:95%、純度:96%)を得た。
【0026】実施例5 2−メチルカルボジチオ酸プロピルエステルの合成 親電子体としてジプロピルスルフェート1838mg(1
0.0mM)を使用する以外は実施例1又は3に記載と同
様の方法によって反応を行って、標題化合物1591mg
(収率:97%、純度:95%)を得た。
【0027】実施例6 2−メチルカルボジチオ酸イソプロピルエステルの合成 親電子体としてイソプロピルクロライド793mg(10.
1mM)を使用する以外は実施例1又は3に記載と同様の
方法によって反応を行って標題化合物1542mg(収率:
94%、純度:96%)を得た。
【0028】実施例7 2−メチルカルボジチオ酸ブチルエステルの合成 親電子体としてブチルクロライド944mg(10.1mM)
を使用する以外は実施例1又は3に記載と同様の方法に
よって反応を行って標題化合物1718mg(収率:96
%、純度:95%)を得た。
【0029】実施例8 2−メチルカルボジチオ酸t−ブチルエステルの合成 親電子体としてt−ブチルクロライド944mg(10.1m
M)を使用する以外は実施例1又は3に記載と同様の方
法によって反応を行って標題化合物1754mg(収率:9
8%、純度:93%)を得た。
【0030】実施例9 2−メチルカルボジチオ酸p−ニトロベンジルエステル
の合成 親電子体としてp−ニトロベンジルクロライド1732m
g(10.1mM)を使用する以外は実施例1又は3に記載
と同様の方法によって反応を行って標題化合物2442
mg(収率:95%、純度:96%)を得た。
【0031】実施例10〜13 ベンジル3−[2',2'−(ジエトキシカボニル)エチリデ
ン]−2−メチルカルボジチオアートの合成 実施例10〜13では標題化合物を下記表1に記載され
ている溶媒、塩基及び反応条件に従って下記の反応過程
を経て合成する。窒素大気下で溶媒10mlにジエチルエ
トキシメチレンマロネート882mg(4.08mM)とベン
ジル2−メチルカルボジチオアート849mg(4.00m
M)を入れて40℃で加熱して完全な均一溶液を作る。
この反応混合物に塩基を約10分にわたって投入した
後、表1に記載されている反応条件に従って反応を進行
させた。TLC(Rf:0.35、展開液n−ヘキサン/エ
チルアセテート=4/1)によって反応の完了を確認
し、反応液に水を投入する。反応液でメチレンジクロラ
イドで有機層を抽出し、硫酸マグネシウムによって水を
除去した後、溶媒を溜去して液状の標題化合物を得た。
結果を下記表1に示す。生成物は下記のような物理的性
質を有することを確認した。1 H NMR(270MHz,CDCl3/TMS);δ1.24
5−1.385(m,6H),3.766(s,3H),4.161
−4.304(m,4H),4.408(s,2H),7.272−
7.360(m,5H),7.884(d,1H,J=11.1H
z),10.404(d,1H,J=11.1Hz) MS(70eV);m/z382(M+),336,290,25
9,223
【表1】 表(1) 実施例 溶 媒 塩基1) 反応温度 反応時間 収率 純度2) 番 号 (使用当量) (℃) (時間) (%) (%) 10 EtOH NaOEt(1.05) 40 1.5 99 98 11 EtOH NaOEt(2.0) 40 0.5 98 97 12 THF KOEt(1.10) 0 0.5 98 96 13 MDC Et3N(2.0) 還流 72 85 80 ** 注: 1) 塩基の当量は一般式(II)のカルボジチオ
アート基準 2) 純度はGC面積%
【0032】実施例14 メチル3−[2',2'−(ジエトキシカボニル)エチリデ
ン]−2−メチルカルボジチオアートの合成 窒素大気下で無水エタノール10mlにジエチルエトキシ
メチレンマロネート882mg(4.08mM)とメチル2−
メチルカルボジチオアート545mg(4.00mM)を入
れ、40℃で加熱して完全に溶液状態に作る。ナトリウ
ムエトキサイド327mg(4.80mM)を入れて約40℃
で1時間反応させた後反応液に水を投入する。有機層を
メチレンジクロライドによって抽出し硫酸マグネシウム
によって乾燥し濾過した後、溶媒を完全に溜去して下記
のように確認された標題化合物1213mg(収率:99
%、純度:98%)を得た。1 H NMR(270MHz,CDCl3/TMS);δ1.30
6(t,3H,J=7.3Hz),1.365(t,3H,J=6.5
Hz),2.557(S,3H),3.775(S,3H),4.21
6(q,2H,J=7.3Hz),4.299(q,2H,J=6.5
Hz),7.898(d,1H,J=11.0Hz),10.424
(d,1H,J=11.0Hz)MS(70eV);m/z306(M
+),259,204,187
【0033】実施例15 アリル3−[2',2'−(ジエトキシカボニル)エチリデ
ン]−2−メチルカルボジチオアートの合成 窒素大気下で無水エタノール10mlにジエチルエトキシ
メチレンマロネート882mg(4.08mM)とアリル2−
メチルカルボジチオアート649mg(4.00mM)を入れ
て40℃で加熱して完全に溶液状態にする。ナトリウム
エトキサイド327mg(4.80mM)を入れて約40℃で
30分間反応させた後反応液に水を投入する。有機層を
メチレンジクロライドによって抽出し、硫酸マグネシウ
ムによって乾燥し濾過した後、溶媒を完全に蒸溜して下
記のように確認された標題化合物1263mg(収率:95
%、純度:98%)を得た。1 H NMR(270MHz,CDCl3/TMS);δ1.25
6−1.387(m,6H),3.76(s,3H),3.858(d,
2H,J=6.8Hz),4.175−4.335(m,4H),
5.153−5.336(m,2H),5.824−5.924
(m,1H),7.887(d,1H,J=11.1Hz),10.4
15(d,1H,J=11.1Hz)MS(70eV);m/z33
2(M+),287,245,217
【0034】実施例16 メチル2−メチルカルボジチオアート化合物から4−エ
トキシカボニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプ
タンの合成 無水エタノール10mlにジエチルエトキシメチレンマロ
ネート882mgとメチル2−メチルカルボジチオアート
545mgを窒素大気下で加熱して反応混合物が均一の溶
液になるようにする。ここにナトリウム110mgと無水
エタノール5mlとを反応させて得たナトリウムエトキサ
イドを室温で10分にわたって投入し、反応混合物を1
0時間程度加熱還流させる。TLC又はGCによって反
応の完了を確認して反応が完了すればここに水10mlと
メチレンジクロライド25mlとを加えた後20%硫酸で
pHを約8程度で調節して層分離する。水層を取ってpH
を2に調整し生成物をメチレンジクロライド25mlで抽
出する。抽出された混合物から溶媒を蒸発させ真空蒸溜
(沸点:107℃、0.1torr)して標題化合物707mg
(収率:95%、純度:95%)を得た。
【0035】実施例17 アリル2−メチルカルボジチオアートから4−エトキシ
カボニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプタンの
合成 無水エタノール10mlにジエチルエトキシメチレンマロ
ネート882mgとアリル2−メチルカルボジチオアート
649mgを窒素大気下で加熱して反応混合物が均一の溶
液になるようにする。ここにナトリウム110mgと無水
エタノール5mlとを反応させて得られたナトリウムエ
トキサイドを室温で10分にわたって投入し反応混合物
を10時間程度加熱還流させる。TLC又はGCによっ
て反応の完了を確認し反応が完了するとエタノールを蒸
留し除去する。以下、実施例16に記載と同様の処理過
程を経て標題化合物700mg(収率:94%、純度:9
6%)を得た。
【0036】実施例18 ベンジル2−メチルカルボジチオアートから4−エトキ
シカボニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプタン
の合成 無水エタノール10mlにジエチルエトキシメチレンマロ
ネート882mgとベンジル2−メチルカルボジチオアー
ト545mgとを窒素大気下で加熱して反応混合物が均一
の溶液になるようにする。ここにナトリウム110mgと
無水エタノール5mlとを反応させて得られたナトリウム
エトキサイドを室温で10分にわたって投入し反応混合
物を10時間程度加熱還流させる。TLC又はGCによ
って反応の完了を確認し反応が完了すれぱエタノールを
蒸溜して除去する。以下実施例16に記載と同様の処理
過程を経て標題化合物685mg(収率:92%、純度:9
7%)を得た。
【0037】実施例19 メチルカルボジチオアート化合物から4−エトキシカボ
ニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプタンの合成 無水エタノール10mlにメチル3−[2',2'−(ジエト
キシカボニル)エチリデン]−2−メチルカルボジチオア
ート1226mgとナトリウムエトキサイド327mgを入
れて窒素大気下で加熱して10時間程度還流させる。T
LC又はGCによって反応完了を確認して、反応が完了
すればエタノールを蒸溜して除去する。ここに水10ml
とメチルジクロライド25mlとを加えた後、20%硫酸
によってpHを約8程度に調整して層分離する。水層を
取ってpHを2に調整し生成物をメチレンジクロライド
25mlで抽出した後、真空蒸溜(bp.107,0.1torr)
して標題化合物708mg(収率:95%、純度:99%)を
得た。1H NMR(CDCl3);δ7.87(s,1H),6.4
5(s,1H),4.31(q,2H),3.78(s,3H),1.36
(t,3H)
【0038】実施例20 ナトリウムハイドロキサイド塩基を使用した4−エトキ
シカボニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプタン
の合成 実施例19にて塩基としてナトリウムハイドロキサイド
176mgを入れて10時間反応させる。以下同様に行っ
て標題化合物700mg(収率:94%、純度98%)を得
た。
【0039】実施例21 アリルカルボジチオアート化合物から4−エトキシカボ
ニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプタンの合成 実施例15で合成した化合物1330mgを使用する以外
には実施例19の方法と同様に行って標題化合物723
mg(収率:97%、純度:99%)以上を得た。
【0040】実施例22 ベンジルカルボジチオアート化合物から4−エトキシカ
ボニル−1−メチル−5−ピラゾールメルカプタンの合
成 実施例10〜13で合成した化合物1532mgを使用す
る以外には実施例19の方法と同様に行って標題化合物
730mg(収率:98%、純度:98%)以上を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 1993−03512 (32)優先日 1993年3月9日 (33)優先権主張国 韓国(KR) (72)発明者 リー・ジェチョル 大韓民国デジョン、ユソング、ドリョンド ン386−4番 (72)発明者 サ・ジョングシン 大韓民国デジョン、デドッグ、ボッドン 285−1番 ユウォン・アパートメント5 −1306 (72)発明者 ジョ・スンジョング 大韓民国デジョン、ユソング、ドリョンド ン386−4番 ラッキー・アパートメン ト・エイ−307 (72)発明者 チョ・ジンホ 大韓民国デジョン、ユソング、ドリョンド ン381−42番 ラッキー・アパートメント 6−206

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(III)のマロネート化合物を
    塩基の存在下で下記一般式(II)のジチオカルボキシレー
    ト化合物と反応させることを特徴とする下記一般式(I)
    で示される5−ピラゾールメルカプタン誘導体の製造方
    法。 【化1】 [式中、 RはC1−C4アルキル基、C2−C4アルケニル基、アリ
    ルアルキル基又はアリル基であり;R1は水素原子、C1
    −C4アルキル基、アリル基又はプロパギル基であり;R
    2は水素原子、C1−C4アルキル基であるか任意の位置
    にハロゲン原子、ニトロ基及びメチル基からなる群から
    選択される1又は2以上の置換基を有するフェニル基で
    あり;R3は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル
    基である。]
  2. 【請求項2】 Rはメチル、エチル、プロピル、イソプ
    ロピル、n−ブチル、t−ブチル、アリルベンジル又はp
    −ニトロベンジル基であり;R1はメチル又はエチルであ
    り;R2はメチルであり;R3は水素原子であることを特徴
    とする請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 使用された塩基がナトリウムエトキサイ
    ド、ナトリウムハイドロキサイド又はカリウムハイドロ
    キサイドであり、その使用量が一般式(II)の化合物を基
    準にして1.0〜5.0当量であることを特徴とする請求
    項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 反応をエタノール溶媒中で行うことを特
    徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の方法。
  5. 【請求項5】 下記一般式(IV)のエチリデンカルボジチ
    オアート化合物を塩基と反応させることを特徴とする下
    記一般式(I)で示される5−ピラゾールメルカプタン誘
    導体の製造方法。 【化2】 [式中、 RはC1−C4アルキル基、C2−C4アルケニル基、アリ
    ルアルキル基又はアリル基であり;R1は水素原子、C1
    −C4アルキル基、アリル基又はプロパギル基であり;R
    2は水素原子、C1−C4アルキル基であるか任意の位置
    にハロゲン原子、ニトロ基及びメチル基からなる群から
    選択される1又は2以上の置換基を有するフェニルであ
    り;R3は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基
    である。]
  6. 【請求項6】 Rはメチル、エチル、プロピル、イソプ
    ロピル、n−ブチル、t−ブチル、アリルベンジル又はp
    −ニトロベンジル基であり;R1はメチル又はエチルであ
    り;R2はメチル基であり;R3は水素原子であることを特
    徴とする請求項5記載の方法。
  7. 【請求項7】 使用される塩基がナトリウムエトキサイ
    ド、ナトリウムハイドロキサイド又はカリウムイハイド
    ロキサイドであり、その使用量が一般式(IV)の化合物を
    基準にして1.0〜5.0当量であることを特徴とする請
    求項5記載の方法。
  8. 【請求項8】 反応をエタノール溶媒中で行うことを特
    徴とする請求項5〜7のいずれか1項記載の方法。
  9. 【請求項9】 下記一般式(IV)で示される新規エチリデ
    ンカルボジチオアート誘導体。 【化3】 [式中、 RはC1−C4アルキル基、C2−C4アルケニル基、アリ
    ルアルキル基又はアリル基であり;R1は水素原子、C1
    −C4アルキル基、アリル基又はプロパギル基であり;R
    2は水素原子、C1−C4アルキル基であるか任意の位置
    にハロゲン原子、ニトロ基及びメチル基からなる群から
    選択される1又は2以上の置換基を有するフェニルであ
    り;R3は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基
    である。]
  10. 【請求項10】 塩基を溶解した水溶液中でアルキルハ
    イドラジンを二硫化炭素と反応させた後、これを親電子
    体(R−Cl、R−Br又はR2SO4)とエステル化反応さ
    せ、下記一般式(II)のカルボジチオアート誘導体を製造
    する方法であって、エステル化反応を非極性溶媒及び相
    転移触媒の存在下で行うことを特徴とする改良方法。 【化4】 [式中、 RはC1−C4アルキル基、C2−C4アルケニル基、アリ
    ルアルキル基又はアリル基でありR2は水素原子、C1
    4アルキル基であるか任意の位置にハロゲン原子、ニ
    トロ基及びメチル基からなる群から選択される1又は2
    以上の置換基を有するフェニルである。]
  11. 【請求項11】 非極性溶媒がメチレンクロライド、エ
    チレンクロライド、n−ヘキサン、n−ヘプタン又はトル
    エンであることを特徴とする請求項10記載の方法。
  12. 【請求項12】 相転移触媒が四級アンモニウムハライ
    ド又は3級アミンであり、その使用量がアルキルハイド
    ラジンを基準にして0.001〜1.0当量であることを
    特徴とする請求項10記載の方法。
  13. 【請求項13】 相転移触媒がテトラブチルアンモニウ
    ムブロマイドである請求項12記載の方法。
  14. 【請求項14】 エステル化反応温度が0〜25℃であ
    る請求項10〜13のいずれか1項記載の方法。
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