JPH07201890A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07201890A JPH07201890A JP33430893A JP33430893A JPH07201890A JP H07201890 A JPH07201890 A JP H07201890A JP 33430893 A JP33430893 A JP 33430893A JP 33430893 A JP33430893 A JP 33430893A JP H07201890 A JPH07201890 A JP H07201890A
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- compound semiconductor
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ３−５族化合物半導体基板上の２−６族化合
物半導体の結晶成長技術に関して、デバイスとして十分
な結晶性を持つ２−６族化合物半導体結晶の成長を実現
する。 【構成】 ３−５族化合物半導体上に２−６族半導体装
置を積層させるときに、図１（ａ）に示す３−５族半導
体１２上の酸化膜１１をサ−マルクリ−ニングにより取
り除いた後、図１（ｂ）に示すように２−６族半導体層
２１を薄く積み再蒸発させ、その結晶表面上に図１
（ｃ）のようにデバイスを作製する。２−６族半導体層
を薄く積み再蒸発させる工程により、結晶表面は平坦と
なり、結晶性の良い２−６族半導体を形成することがで
きる。
物半導体の結晶成長技術に関して、デバイスとして十分
な結晶性を持つ２−６族化合物半導体結晶の成長を実現
する。 【構成】 ３−５族化合物半導体上に２−６族半導体装
置を積層させるときに、図１（ａ）に示す３−５族半導
体１２上の酸化膜１１をサ−マルクリ−ニングにより取
り除いた後、図１（ｂ）に示すように２−６族半導体層
２１を薄く積み再蒸発させ、その結晶表面上に図１
（ｃ）のようにデバイスを作製する。２−６族半導体層
を薄く積み再蒸発させる工程により、結晶表面は平坦と
なり、結晶性の良い２−６族半導体を形成することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、３−５族半導体と２−
６族半導体が隣接する半導体装置、特に青色発光素子、
発光ダイオ−ド、半導体レ−ザに関する。
６族半導体が隣接する半導体装置、特に青色発光素子、
発光ダイオ−ド、半導体レ−ザに関する。
【０００２】
【従来の技術】分子線エピタキシ−（ＭＢＥ）法によ
り、３−５族半導体上に２−６族半導体を成長する際、
従来は３−５族半導体基板上の酸化膜をサ−マルクリ−
ニングして取り除いた後、その結晶表面上に２−６族半
導体を成長していた。ジャ−ナルオブ クリスタル グ
ロウス[Journal of Crystal Growth] 第８６巻 ３１１
頁 １９８８年参照。
り、３−５族半導体上に２−６族半導体を成長する際、
従来は３−５族半導体基板上の酸化膜をサ−マルクリ−
ニングして取り除いた後、その結晶表面上に２−６族半
導体を成長していた。ジャ−ナルオブ クリスタル グ
ロウス[Journal of Crystal Growth] 第８６巻 ３１１
頁 １９８８年参照。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法のみでは原子層オ−ダ−で平坦な成長開始のための
基板表面を得ることができず、発光ダイオ−ド、半導体
レ−ザ等のデバイス製作に十分な結晶性を得ることがで
きなかった。
方法のみでは原子層オ−ダ−で平坦な成長開始のための
基板表面を得ることができず、発光ダイオ−ド、半導体
レ−ザ等のデバイス製作に十分な結晶性を得ることがで
きなかった。
【０００４】本発明の目的は３−５族半導体上の２−６
族半導体成長開始面を原子層オ−ダ−で平坦なものと
し、デバイス製作に十分な結晶性をもつ２−６族半導体
を成長することにある。
族半導体成長開始面を原子層オ−ダ−で平坦なものと
し、デバイス製作に十分な結晶性をもつ２−６族半導体
を成長することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は３−
５族半導体上に２−６族半導体装置を積層させる工程に
おいて、成長前に３−５族半導体表面上に２−６族半導
体を薄く積み再蒸発させる工程を含むことを特徴とす
る。
５族半導体上に２−６族半導体装置を積層させる工程に
おいて、成長前に３−５族半導体表面上に２−６族半導
体を薄く積み再蒸発させる工程を含むことを特徴とす
る。
【０００６】
【作用】３−５族半導体上に２−６族半導体を薄く成長
し熱を加えると、２−６族材料の飽和蒸気圧は高く、こ
の２−６族半導体層は昇華により再蒸発していく。その
過程で、結晶表面は原子層オ−ダ−で平坦なものにな
る。その結果、その結晶表面上には結晶性の良い２−６
族半導体を成長することが可能になる。
し熱を加えると、２−６族材料の飽和蒸気圧は高く、こ
の２−６族半導体層は昇華により再蒸発していく。その
過程で、結晶表面は原子層オ−ダ−で平坦なものにな
る。その結果、その結晶表面上には結晶性の良い２−６
族半導体を成長することが可能になる。
【０００７】
【実施例】発明の実施例を半導体レ−ザの作製の場合に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００８】図１（ａ）に示すようにはじめにＭＢＥ装
置内に導入された、Ｓｉの添加されたＧａＡｓからなる
ｎ型３−５族半導体基板１２には酸化膜１１がついてい
る。基板の温度を６００℃まで上げ、この酸化膜をサ−
マルクリ−ニングにより取り除く。次に図１（ｂ）に示
すようにＣｌを添加したＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93からなる２
−６族半導体層２１（ｎ＝１×１０18）を基板温度２８
０℃で１０ｎｍ成長する。その後に基板温度を５８０℃
まで上げＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93からなる２−６族半導体層
２１を再蒸発させた。基板表面をＲＨＥＥＤで観察しＲ
ＨＥＥＤパタ−ンがストリ−クになったのを確認したの
ちに基板温度を２８０℃まで下げて、図１（ｃ）に示す
ようにＣｌを添加したＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93（ｎ＝１×１
０18、厚さ１μｍ）からなるｎ型２−６族半導体クラッ
ド層３４の成長を再開し、これに続いてＺｎ0.8 Ｃｄ
0.2 Ｓｅ（厚さ１０ｎｍ）からなる２−６族半導体活性
層３３、ｐ型ＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93（ｐ＝１×１０18、厚
さ１μｍ）からなる２−６族半導体クラッド層３２を成
長した。成長中のＲＨＥＥＤパタ−ンは常によく伸びた
ストリ−クであった。ＡｕＧｅＮｉからなるｎ電極３
６、Ａｕからなるｐ電極３１を真空蒸着法により形成
し、へき界により反射面を形成して青色発光半導体レ−
ザを作製した。
置内に導入された、Ｓｉの添加されたＧａＡｓからなる
ｎ型３−５族半導体基板１２には酸化膜１１がついてい
る。基板の温度を６００℃まで上げ、この酸化膜をサ−
マルクリ−ニングにより取り除く。次に図１（ｂ）に示
すようにＣｌを添加したＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93からなる２
−６族半導体層２１（ｎ＝１×１０18）を基板温度２８
０℃で１０ｎｍ成長する。その後に基板温度を５８０℃
まで上げＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93からなる２−６族半導体層
２１を再蒸発させた。基板表面をＲＨＥＥＤで観察しＲ
ＨＥＥＤパタ−ンがストリ−クになったのを確認したの
ちに基板温度を２８０℃まで下げて、図１（ｃ）に示す
ようにＣｌを添加したＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93（ｎ＝１×１
０18、厚さ１μｍ）からなるｎ型２−６族半導体クラッ
ド層３４の成長を再開し、これに続いてＺｎ0.8 Ｃｄ
0.2 Ｓｅ（厚さ１０ｎｍ）からなる２−６族半導体活性
層３３、ｐ型ＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93（ｐ＝１×１０18、厚
さ１μｍ）からなる２−６族半導体クラッド層３２を成
長した。成長中のＲＨＥＥＤパタ−ンは常によく伸びた
ストリ−クであった。ＡｕＧｅＮｉからなるｎ電極３
６、Ａｕからなるｐ電極３１を真空蒸着法により形成
し、へき界により反射面を形成して青色発光半導体レ−
ザを作製した。
【０００９】レ−ザ発振をさせたところ、本発明の処理
を行っていない半導体レ−ザに比べ低いしきい値電流で
の発振が観測された。これは本発明の工程を含むことに
よりにより半導体レ−ザの結晶性がよくなったためであ
る。
を行っていない半導体レ−ザに比べ低いしきい値電流で
の発振が観測された。これは本発明の工程を含むことに
よりにより半導体レ−ザの結晶性がよくなったためであ
る。
【００１０】本実施例は半導体レーザの例を示したが２
−６族化合物半導体を用いた発光デバイスや電子デバイ
スにも応用できる。
−６族化合物半導体を用いた発光デバイスや電子デバイ
スにも応用できる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により３−
５族半導体上の２−６族半導体の結晶性が良くなり、良
好な青色発光素子をはじめ発光または電子デバイスが実
現できる。
５族半導体上の２−６族半導体の結晶性が良くなり、良
好な青色発光素子をはじめ発光または電子デバイスが実
現できる。
【図１】本発明の実施例を説明するための図。
１１ 酸化膜 １２ ｎ型３−５族半導体基板 ２１ ｎ型２−６族半導体膜 ２２ ｎ型３−５族半導体基板 ３１ ｐ型電極 ３２ ｐ型２−６族半導体クラッド層 ３３ ２−６族半導体活性層 ３４ ｎ型２−６族半導体クラッド層 ３５ ｎ型３−５族半導体基板 ３６ ｎ型電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ３−５族半導体上に２−６族半導体から
なる半導体装置を積層させる工程において、成長前に３
−５族半導体表面上に２−６族半導体を薄く積み再蒸発
させる工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33430893A JP2792419B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33430893A JP2792419B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201890A true JPH07201890A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2792419B2 JP2792419B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=18275902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33430893A Expired - Fee Related JP2792419B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792419B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271533A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33430893A patent/JP2792419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271533A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Fujitsu Ltd | 結晶成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2792419B2 (ja) | 1998-09-03 |
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Legal Events
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