JPH07201072A

JPH07201072A - 光情報媒体

Info

Publication number: JPH07201072A
Application number: JP5351303A
Authority: JP
Inventors: Toru Fujii; 徹藤井; Yoshikazu Takagishi; 吉和高岸; Emiko Hamada; 恵美子浜田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1993-12-30
Filing date: 1993-12-30
Publication date: 1995-08-04

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】記録層と反射層との間にエンハンス層を設
け、高い反射率を得ながら、なお且つ良好なジッタ値を
得る。【構成】光情報媒体は、透光性基板１の上に設けられ
た記録層２と、この記録層の上に設けられた透明なエン
ハンス層６と、このエンハンス層６の上に設けられ、透
光性基板側から入射した光を反射する反射層３と、この
反射層の３上に設けられた保護層４とを有する。前記エ
ンハンス層６の鉛筆硬度はＢ以上で６Ｈ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、いわ
ゆる追記が可能な記録層を有する光情報媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、色素層等を用いた記録層を有し、
この記録層にレーザ光を照射することにより、データを
記録することができる、いわゆる追記型の光情報媒体で
あって、コンパクトディスク（以下「ＣＤ」という）の
規格を満足した追記型ＣＤが開発されている。

【０００３】この種の光情報媒体は、表面にトラッキン
グ用のグルーブが形成されたポリカーボネート等からな
る透光性の基板の上に色素等からなる記録層を形成し、
その上に反射層として金属層を形成し、さらにその上を
紫外線硬化性樹脂等からなる保護層で覆ったのが一般的
な構造である。

【０００４】ＣＤについて定めた規格、いわゆるレッド
ブックやオレンジブック等と称されるフォーマット規格
では、波長７８０ｎｍにおける再生光の反射率が７０％
以上であることが必要であるとされている。前記のよう
な記録層を有しない一般のＣＤにおいては、前記反射層
としてＡｌ膜が形成され、これにより前記ＣＤ規格を満
足する７０％以上の反射率が得られていた。

【０００５】しかし、前述のような色素膜等からなる記
録層を有する光情報媒体において、Ａｌ膜からなる反射
層を用いた場合、充分な反射率を得ることができない。
そこで、追記型のＣＤについては、より高い反射率が得
られるＡｕ膜が反射層として使用されていた。しかし、
Ａｕは高価であるため、光情報媒体のコスト低減を図る
ことが困難であった。

【０００６】そこでこのような記録層を設けたことに伴
う前記のような反射率の低下の問題に対し、例えば特開
平２−８７３４２号公報に示されたように、記録層と反
射層との間に、有機または無機誘電体層からなり、再生
光に対して透明なエンハンス層を設けることで、反射率
を高めることが提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとしている課題】追記型ＣＤを評価
するうえで、重要な特性にジッタがある。ジッタとは、
デジタル信号の時間軸方向の揺れを意味し、このジッタ
値が低い程記録状態が良好であることを示している。し
かしながら、記録層と反射層との間に前記のようなエン
ハンス層を設けたものでは、一般にジッタ値が大きく、
特に７０ｍｉｎ以上の容量を持つ高密度記録において、
ジッタ値が悪いという課題があった。そこで本発明は、
前記従来の光情報媒体における課題に鑑み、記録層と反
射層との間に前記のようなエンハンス層を設け、高い反
射率を得ながら、なお且つ良好なジッタ値が得られる光
情報媒体を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】すなわち、前記の目的を
達成するため、本発明は、透光性基板の上に直接または
他の層を介して設けられた記録層と、この記録層の上に
直接または他の層を介して設けられた透明なエンハンス
層と、このエンハンス層の上に直接または他の層を介し
て設けられ、透光性基板側から入射した光を反射する反
射層と、この反射層の上に直接または他の層を介して設
けられた保護層とを有する光情報媒体において、前記エ
ンハンス層が鉛筆硬度がＢ以上の材料により形成された
ことを特徴とするものである。なお、この場合におい
て、エンハンス層は再生光の波長を透過する有機または
無機誘電体層からなる。

【０００９】

【作用】エンハンス層として、金属からなる反射層より
硬度の低いものを使用した場合、記録時に記録層から発
生した熱により熱歪が生じやすくなる。この熱歪によ
り、前記のようなジッタ値の増大がもたらされるものと
考えられる。これに対して、前記本発明による光情報媒
体では、記録層と反射層との間に設けられたエンハンス
層がＢ以上という高い硬度を有するため、記録時の熱歪
等が起こりにくく、ジッタ値が良好となる。具体的に
は、後述する比較例のように、前記の範囲より熱伝導率
の低い材料でエンハンス層を形成した光情報媒体では、
波長７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ
（ＣＬＶ）で照射したときの３Ｔジッタ（α）のピット
ランドの平均値は３８ｎｓ程度である。これに対して本
発明による光情報媒体では、２５〜２８ｎｓ程度の３Ｔ
ジッタ（α）のピットランドの平均値が得られる。

【００１０】

【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
しながら、詳細に説明する。本発明による光情報媒体の
模式的な構造の例を、図１と図２に示す。同図におい
て、１は、例えばポリカーボネート等からなる透光性を
有する基板であり、この透光性基板１上には、図２に示
されたように、所定のピッチでスパイラル状のトラッキ
ング用プリグルーブ５が設けられている。２は、この透
光性基板１の上に形成された色素膜等からなる記録層で
ある。

【００１１】６は、この記録層２の上に形成したエンハ
ンス層であり、この層は材料を磨き鋼板上に成膜したも
のを、ＪＩＳＫ５４００の手かき法を使用して鉛筆硬
度を測定したときに、Ｂ以上のもので形成する。このエ
ンハンス層は、例えば波長７８０ｎｍの再生光に対して
透明な膜からなり、例えば、ＳｉＯ等の無機誘電体層、
或はスチレン系樹脂、高硬度シリコン樹脂等の有機誘電
体層により形成できる。特に、シリコン樹脂等のよう
に、スピンコート法で成膜できる有機系材料は、塗膜の
膜厚やレベリング状態が任意に調整できるので、実用的
な材料である。また、シリコン樹脂は、ペーストからハ
ードコート剤まで知られており、組成、触媒、架橋剤に
より硬度を自由に選択でき、前記の硬度を満足するもの
が調整できる。

【００１２】３は、その上に形成された反射層で、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の膜により形成される。この反
射層３は、複数の金属層を重ねた複合層であってもい。
４は、この反射層の上に設けられた保護層を示す。これ
らの層の間に図示してない他の層が介在されることもあ
る。

【００１３】次に本発明による光情報媒体の具体例につ
いて、比較例と共に説明する。（実施例１）直径４６〜１１７ｍｍφの範囲に、幅０．
８μｍ、深さ０．０８μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイ
ラル状のプレグルーブが形成された厚さ１．２ｍｍ、外
径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポリカーボネート基
板を射出成形法により成形した。

【００１４】記録層を形成するための有機色素として、
０．６５ｇの１，１’ジブチル３，３，３’，３’テト
ラメチル４，５，４’，５’ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレート（日本感光色素社製、品番ＮＫ３
２１９）を、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃｃに溶解
し、これを前記の基板１の表面に、スピンコート法によ
り塗布し、平均膜厚１３０ｎｍの記録層を形成した。

【００１５】次に、この記録層の上に、高硬度シリコン
樹脂を溶剤で溶解した溶液をスピンコートし、熱硬化さ
せ、膜厚７０ｎｍのエンハンス層を形成した。このエン
ハンス層を形成した材料の鉛筆硬度は、ＨＢであった。
次に、このエンハンス層の上から前記ポリカーボネート
基板の直径４５〜１１８ｍｍφの領域の全面にスパッタ
リング法により、膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、反
射層を形成した。この反射層の上に紫外線硬化性樹脂
（ＤＩＣ社製のＳＤ−１７）をスピンコートし、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚５μｍの保護層４を形
成した。

【００１６】こうして得られた光ディスクの波長７８０
ｎｍの半導体レーザ光の反射率は、７３％であった。さ
らに、この光情報媒体にＥＦＭ信号を記録した後、波長
７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ（Ｃ
ＬＶ）で照射し、３Ｔ及び１１Ｔのジッタ（α）のピッ
トランドの平均値を測定したところ、各々２８ｎｓ、２
５ｎｓであった。そのピットランドの分布は、ほぼ正規
分布であり、ピット偏差は無かった。

【００１７】さらに、レーザの線速を前記１．２ｍ／ｓ
ｅｃの４倍の４．８ｍ／ｓｅｃとし、同様にして３Ｔ及
び１１Ｔのジッタ（α）のピットランドの平均値を測定
したところ、各々２６ｎｓ、２５ｎｓであった。そのピ
ットランドの分布は、ほぼ正規分布であり、ピット偏差
は無かった。また、ＲＦ信号を観察したところ、波形に
歪が無かった。

【００１８】（実施例２）前記実施例１と同様の形状及
びプレグルーブを有するポリカーボネート基板の上に、
前記と同様にして記録層２を形成した後、この上にスパ
ッタリング法により、膜厚８０ｎｍのアモルファスＳｉ
Ｏ_x （ｘ＝０〜４）からなるエンハンス層を形成した。
このエンハンス層を形成した材料の鉛筆硬度は、６Ｈで
あった。このエンハンス層の上に、真空蒸着法により膜
厚１００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、反射層を形成した。こ
の反射層の上に、前記実施例１と同様の保護層を形成し
た。

【００１９】こうして得られた光ディスクの波長７８０
ｎｍの半導体レーザ光の反射率は、７３％であった。さ
らに、この光情報媒体にＥＦＭ信号を記録した後、波長
７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ（Ｃ
ＬＶ）で照射し、３Ｔ及び１１Ｔのジッタ（α）のピッ
トランドの平均値を測定したところ、各々２５ｎｓ、２
０ｎｓであった。そのピットランドの分布は、ほぼ正規
分布であり、ピット偏差は無かった。

【００２０】（実施例３）前記実施例１と同様の形状及
びプレグルーブを有するポリカーボネート基板の上に、
前記と同様にして記録層２を形成した後、この上にスチ
レン系オリゴマー（三菱化成製ハイマーＳＴ９５）を
スピンコートし、膜厚８５ｎｍのエンハンス層を形成し
た。このエンハンス層を形成した材料の鉛筆硬度は、Ｂ
であった。このエンハンス層の上に、真空蒸着法により
膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、反射層を形成した。
この反射層の上に、前記実施例１と同様の保護層を形成
した。

【００２１】こうして得られた光ディスクの波長７８０
ｎｍの半導体レーザ光の反射率は、７２％であった。さ
らに、この光情報媒体にＥＦＭ信号を記録した後、波長
７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ（Ｃ
ＬＶ）で照射し、３Ｔ及び１１Ｔのジッタ（α）のピッ
トランドの平均値を測定したところ、各々２８ｎｓ、２
３ｎｓであった。そのピットランドの分布は、ほぼ正規
分布であり、ピット偏差は無かった。

【００２２】（実施例４）前記実施例１と同様の形状及
びプレグルーブを有するポリカーボネート基板の上に、
前記と同様にして記録層２を形成した後、この上にスチ
レン系オリゴマー（三菱化成製ハイマーＳＴ１２０）
をスピンコートし、膜厚８０ｎｍのエンハンス層を形成
した。このエンハンス層を形成した材料の鉛筆硬度は、
Ｂであった。このエンハンス層の上に、真空蒸着法によ
り膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、反射層を形成し
た。この反射層の上に、前記実施例１と同様の保護層を
形成した。

【００２３】こうして得られた光ディスクの波長７８０
ｎｍの半導体レーザ光の反射率は、７２％であった。さ
らに、この光情報媒体にＥＦＭ信号を記録した後、波長
７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ（Ｃ
ＬＶ）で照射し、３Ｔ及び１１Ｔのジッタ（α）のピッ
トランドの平均値を測定したところ、各々２８ｎｓ、２
３ｎｓであった。そのピットランドの分布は、ほぼ正規
分布であり、ピット偏差は無かった。

【００２４】（比較例１）前記実施例１において、高硬
度シリコン樹脂に代えて、ポリウレタン樹脂（大日製化
製ＮＥ８８５５）を用いて、厚さ７０ｎｍのエンハン
ス層を形成したこと以外は、同実施例と同様にして、光
ディスクを製作した。このエンハンス層を形成した材料
の鉛筆硬度は、２Ｂであった。

【００２５】こうして得られた光ディスクの波長７８０
ｎｍの半導体レーザ光の反射率は、７３％であった。さ
らに、この光情報媒体にＥＦＭ信号を記録した後、波長
７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ（Ｃ
ＬＶ）で照射し、３Ｔ及び１１Ｔのジッタ（α）のピッ
トランドの平均値を測定したところ、各々３８ｎｓ、４
５ｎｓであった。そのピットランドの分布は、正規分布
からはずれ、ピット偏差は無かった。

【００２６】（比較例２）前記実施例１において、スピ
ンコートした高硬度シリコン樹脂を熱硬化させずにエン
ハンス層とし、その上に反射層を形成したこと以外は、
同実施例と同様にして、光ディスクを製作した。このエ
ンハンス層を形成した熱硬化させないシリコン樹脂の鉛
筆硬度は６Ｂ以下であり、測定ができなかった。

【００２７】こうして得られた光ディスクの波長７８０
ｎｍの半導体レーザ光の反射率は、７３％であった。さ
らに、この光情報媒体にＥＦＭ信号を記録した後、波長
７８０ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ（Ｃ
ＬＶ）で照射し、３Ｔ及び１１Ｔのジッタ（α）のピッ
トランドの平均値を測定したところ、各々４０ｎｓ、４
５ｎｓであった。そのピットランドの分布は、正規分布
からはずれ、ピット偏差は無かった。

【００２８】さらに、レーザの線速を前記１．２ｍ／ｓ
ｅｃの４倍の４．８ｍ／ｓｅｃとし、同様にして３Ｔ及
び１１Ｔのジッタ（α）のピットランドの平均値を測定
したところ、各々６０ｎｓ、４０ｎｓであった。そのピ
ットランドの分布は、正規分布ではなく、ピット偏差が
大であかった。また、ＲＦ信号を観察したところ、波形
に歪が見られた。

【００２９】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、記
録層と反射層との間に高い硬度を有するエンハンス層を
形成したことにより、ジッタ値が良好となる。従って、
エンハンス層により、高い反射率が得られると同時に、
低速記録から高速記録への対応可能な光情報媒体が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光記録媒体の構造の例を示す模式半断面斜視図
である。

【図２】第１図の光記録前のトラッキング方向に断面し
た拡大断面図である。１透光製基板２記録層３反射層層４保護層６エンハンス層

Claims

【整理番号】００５０５９０−０１【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板の上に直接または他の層を介
して設けられた記録層と、この記録層の上に直接または
他の層を介して設けられた透明なエンハンス層と、この
エンハンス層の上に直接または他の層を介して設けら
れ、透光性基板側から入射した光を反射する反射層と、
この反射層の上に直接または他の層を介して設けられた
保護層とを有する光情報媒体において、前記エンハンス
層が鉛筆硬度がＢ以上の材料により形成されたことを特
徴とする光情報媒体。
【請求項２】前記請求項１において、エンハンス層は
再生光の波長を透過する有機または無機誘電体層からな
ることを特徴とする光情報媒体。