JPH07188279A - Azt及びその誘導体の製造方法 - Google Patents
Azt及びその誘導体の製造方法Info
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- JPH07188279A JPH07188279A JP6315434A JP31543494A JPH07188279A JP H07188279 A JPH07188279 A JP H07188279A JP 6315434 A JP6315434 A JP 6315434A JP 31543494 A JP31543494 A JP 31543494A JP H07188279 A JPH07188279 A JP H07188279A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07H—SUGARS; DERIVATIVES THEREOF; NUCLEOSIDES; NUCLEOTIDES; NUCLEIC ACIDS
- C07H19/00—Compounds containing a hetero ring sharing one ring hetero atom with a saccharide radical; Nucleosides; Mononucleotides; Anhydro-derivatives thereof
- C07H19/02—Compounds containing a hetero ring sharing one ring hetero atom with a saccharide radical; Nucleosides; Mononucleotides; Anhydro-derivatives thereof sharing nitrogen
- C07H19/04—Heterocyclic radicals containing only nitrogen atoms as ring hetero atom
- C07H19/06—Pyrimidine radicals
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Abstract
(57)【要約】
【目的】AZT(3’−アジド−3’−デオキシチミジ
ン)及びその誘導体を製造する方法に関する。 【構成】方法は、2’−ハロ−5’−保護ピリミジニル
2’−デオキシリボヌクレオシド化合物をエーテル、エ
ステル又はケトン溶媒中で還元する還元段階を利用す
る。又、方法は、3’α−スルホニル基がリチウム塩及
び塩基の存在下アジド基により置換される置換段階を利
用する。
ン)及びその誘導体を製造する方法に関する。 【構成】方法は、2’−ハロ−5’−保護ピリミジニル
2’−デオキシリボヌクレオシド化合物をエーテル、エ
ステル又はケトン溶媒中で還元する還元段階を利用す
る。又、方法は、3’α−スルホニル基がリチウム塩及
び塩基の存在下アジド基により置換される置換段階を利
用する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、AZT及びその誘導体
を製造する方法に関する。
を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】化合物AZT(3’−アジド−3’−デ
オキシチミジン)及びその誘導体は、ウイルス及び細菌
の感染の治療、最も有名なのはエイズの治療に有用であ
ることが知られている(例えば、米国特許第47242
32、4828838、4847244、487460
9、4874751、4818750、5093114
及び5145840号参照)。過去において、AZT
は、高価な原料であるチミジンから製造されてきた(H
orwitz、J.P.ら、J.Org.Chem.1
964、29、2076;Maillard、M.、F
arag、A.、Frappier、F.、Flore
nt、J.C.、Grierson、D.S.、Mon
neret、C.、Tetrahedron Let
t.、1989、30、1955;米国特許第5041
543号及びDE第3705794号)。AZTを製造
する他の周知のアプローチは、アジド置換炭水化物プレ
カサーと活性化チミン塩基との間のカップリングを特徴
とする(Chu、C.K.、Beach、J.W.、U
llas、G.V.、Kosugi、Y.、Tetra
hedron Lett.、1988、29、534
9;Chu、C.K.、W09001492Al、19
90年2月;Fleet、G.W.J.、Son、j.
C.、Derome、A.E.、Tetrohedro
n、1988、44、625;Wengel、J.、P
edersen、E.B.、Synthesis、19
91、451;Hager、M.W.、Liotta、
D.C.、j.Am.Chem.Soc.1991、1
13、5117;Jung、M.E.、Gardine
r、j.M.、j.Org.Chem.1991、5
6、2614;及びSugimura、H.、Osum
i、K.、Yamazaki、T.、Yamaya、
T.、Tetrahedron Lett.、199
1、32、1813参照)。第三のアプローチは、要求
されるβ−アノマーを与えるために塩基カップリングを
行うのに、2’−α−ヒドロキシ基を使用し、原料とし
てD−キシロース(米国特許第4916218号、日本
特許第63255295号、ヨーロッパ特許第2950
90号及び米国特許第4921950号参照)又はD−
グルコフラノース(Hrebabecky、H.、Ho
ly、A.、Carbohydr.Res.1991、
216、179参照)を使用する。この反応のグリコシ
ド立体選択性は高いが、長い選択的保護及び糖部分の脱
保護は、これらの方法に使用される高価な試薬に加え
て、問題として残っていた。
オキシチミジン)及びその誘導体は、ウイルス及び細菌
の感染の治療、最も有名なのはエイズの治療に有用であ
ることが知られている(例えば、米国特許第47242
32、4828838、4847244、487460
9、4874751、4818750、5093114
及び5145840号参照)。過去において、AZT
は、高価な原料であるチミジンから製造されてきた(H
orwitz、J.P.ら、J.Org.Chem.1
964、29、2076;Maillard、M.、F
arag、A.、Frappier、F.、Flore
nt、J.C.、Grierson、D.S.、Mon
neret、C.、Tetrahedron Let
t.、1989、30、1955;米国特許第5041
543号及びDE第3705794号)。AZTを製造
する他の周知のアプローチは、アジド置換炭水化物プレ
カサーと活性化チミン塩基との間のカップリングを特徴
とする(Chu、C.K.、Beach、J.W.、U
llas、G.V.、Kosugi、Y.、Tetra
hedron Lett.、1988、29、534
9;Chu、C.K.、W09001492Al、19
90年2月;Fleet、G.W.J.、Son、j.
C.、Derome、A.E.、Tetrohedro
n、1988、44、625;Wengel、J.、P
edersen、E.B.、Synthesis、19
91、451;Hager、M.W.、Liotta、
D.C.、j.Am.Chem.Soc.1991、1
13、5117;Jung、M.E.、Gardine
r、j.M.、j.Org.Chem.1991、5
6、2614;及びSugimura、H.、Osum
i、K.、Yamazaki、T.、Yamaya、
T.、Tetrahedron Lett.、199
1、32、1813参照)。第三のアプローチは、要求
されるβ−アノマーを与えるために塩基カップリングを
行うのに、2’−α−ヒドロキシ基を使用し、原料とし
てD−キシロース(米国特許第4916218号、日本
特許第63255295号、ヨーロッパ特許第2950
90号及び米国特許第4921950号参照)又はD−
グルコフラノース(Hrebabecky、H.、Ho
ly、A.、Carbohydr.Res.1991、
216、179参照)を使用する。この反応のグリコシ
ド立体選択性は高いが、長い選択的保護及び糖部分の脱
保護は、これらの方法に使用される高価な試薬に加え
て、問題として残っていた。
【0003】
【発明の概要】本発明者は、AZT及びその誘導体並び
に主要な中間体を製造する新しい、経済的なしかも能率
の高い方法を見出した。方法は、新規な中間体化合物を
含み、他の製薬上有用なヌクレオシドを製造するように
適合できる。本発明は、主要な中間段階を利用する。一
つのこの中間段階は、3’α−スルホニル基を有する
2’α−ハロ−5’−保護ピリミジニルリボヌクレオシ
ド化合物とトリC1−C12アルキル錫水素化物還元剤
及び触媒量のラジカル開始剤とを、脱ハロゲン化ピリミ
ジニル2’−デオキシリボヌクレオシド化合物を生ずる
条件下でエーテル、エステル又はケトン溶媒中で接触さ
せることを含む、ピリミジニル2’−デオキシリボヌク
レオシド化合物を還元する方法として記述できる(ここ
では「還元段階」として呼ばれる)。還元段階は、任意
に、他の主要な中間段階を伴い、それは、3’α−スル
ホニル基を有するピリミジニル2’−デオキシリボヌク
レオシド化合物と塩基、リチウム塩、及びアジド塩と
を、3’α−アジド基を有するピリミジニル2’、3’
−ジデオキシリボヌクレオシド化合物の形成を生ずる条
件下で接触させることを含む、ピリミジニル2’−デオ
キシリボヌクレオシド化合物の3’α−スルホニル基を
置換する一段階方法として記述できる(ここでは「置換
段階」として呼ばれる)。置換段階は、任意に、AZT
及びその活性誘導体を製造するために、5’−保護基を
除く段階を伴う。本発明の中間体及び方法の使用は、高
い収率及び比較的少ない望ましくない副生物を有する反
応を経てAZT及び他の有用なヌクレオシドを生ずる。
原料としてチミジンの代りに5−メチルウリジンを使用
することは、コストを安くすることになる。本発明の他
の利点及び種々の他の局面は、以下の記述及び請求の範
囲を考えると明らかになるだろう。他の示されていない
限り、記述された全ての%は、全組成重量に基づく重量
%である。ここに引用された全ての既に刊行されたもの
は、それらの全部を参考としてここに挿入する。
に主要な中間体を製造する新しい、経済的なしかも能率
の高い方法を見出した。方法は、新規な中間体化合物を
含み、他の製薬上有用なヌクレオシドを製造するように
適合できる。本発明は、主要な中間段階を利用する。一
つのこの中間段階は、3’α−スルホニル基を有する
2’α−ハロ−5’−保護ピリミジニルリボヌクレオシ
ド化合物とトリC1−C12アルキル錫水素化物還元剤
及び触媒量のラジカル開始剤とを、脱ハロゲン化ピリミ
ジニル2’−デオキシリボヌクレオシド化合物を生ずる
条件下でエーテル、エステル又はケトン溶媒中で接触さ
せることを含む、ピリミジニル2’−デオキシリボヌク
レオシド化合物を還元する方法として記述できる(ここ
では「還元段階」として呼ばれる)。還元段階は、任意
に、他の主要な中間段階を伴い、それは、3’α−スル
ホニル基を有するピリミジニル2’−デオキシリボヌク
レオシド化合物と塩基、リチウム塩、及びアジド塩と
を、3’α−アジド基を有するピリミジニル2’、3’
−ジデオキシリボヌクレオシド化合物の形成を生ずる条
件下で接触させることを含む、ピリミジニル2’−デオ
キシリボヌクレオシド化合物の3’α−スルホニル基を
置換する一段階方法として記述できる(ここでは「置換
段階」として呼ばれる)。置換段階は、任意に、AZT
及びその活性誘導体を製造するために、5’−保護基を
除く段階を伴う。本発明の中間体及び方法の使用は、高
い収率及び比較的少ない望ましくない副生物を有する反
応を経てAZT及び他の有用なヌクレオシドを生ずる。
原料としてチミジンの代りに5−メチルウリジンを使用
することは、コストを安くすることになる。本発明の他
の利点及び種々の他の局面は、以下の記述及び請求の範
囲を考えると明らかになるだろう。他の示されていない
限り、記述された全ての%は、全組成重量に基づく重量
%である。ここに引用された全ての既に刊行されたもの
は、それらの全部を参考としてここに挿入する。
【0004】ここで使用される主要な中間体は、2’−
ハロ−5’−保護ピリミジニル2’−デオキシリボヌク
レオシド化合物である。好ましいこの化合物は、式
(1)(式中、R1は水素、又はOH−保護基であり、
R2はC1−C12アルキル又はC6−C30アリール
であり、Bはピリミジン塩基であり、XはCl、Br又
はIである)のものである。他に記述されていない限
り、ここで使用されるとき、用語「アルキル]又はその
誘導形は、1−12個の炭素原子の直鎖又は枝分れ鎖の
アルキル基に関し、用語「アリール」又はその誘導形
は、6−30個の炭素原子のアリール基に関し、用語
「アシル」は、1−12個の炭素原子のアシル基に関
し、そして用語「ハロ」は、Cl、Br及びIに関す
る。アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどを含む。ア
リール基の例は、フェニル、ナフチル、アンスリル、ビ
フェニルなどを含む。アシル基の例は、アセチル、ベン
ゾイルなどを含む。ピリミジン塩基(「B基」)は、概
して、2−位置にケト基を含むヌクレオ塩基基、特にチ
ミン、ウラシル又はシトシン基である。好ましいB基
は、式
ハロ−5’−保護ピリミジニル2’−デオキシリボヌク
レオシド化合物である。好ましいこの化合物は、式
(1)(式中、R1は水素、又はOH−保護基であり、
R2はC1−C12アルキル又はC6−C30アリール
であり、Bはピリミジン塩基であり、XはCl、Br又
はIである)のものである。他に記述されていない限
り、ここで使用されるとき、用語「アルキル]又はその
誘導形は、1−12個の炭素原子の直鎖又は枝分れ鎖の
アルキル基に関し、用語「アリール」又はその誘導形
は、6−30個の炭素原子のアリール基に関し、用語
「アシル」は、1−12個の炭素原子のアシル基に関
し、そして用語「ハロ」は、Cl、Br及びIに関す
る。アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどを含む。ア
リール基の例は、フェニル、ナフチル、アンスリル、ビ
フェニルなどを含む。アシル基の例は、アセチル、ベン
ゾイルなどを含む。ピリミジン塩基(「B基」)は、概
して、2−位置にケト基を含むヌクレオ塩基基、特にチ
ミン、ウラシル又はシトシン基である。好ましいB基
は、式
【0005】
【化11】
【0006】又は
【0007】
【化12】
【0008】を含む。「ヒドロキシル保護基」又は「O
H−保護基」により、ヒドロキシル基を保護し、導入及
び除去可能であり、そして実質的に所望の反応と干渉し
ない基を意味する。好ましいOH−保護基は、カルボン
酸エステル基、カーボネート基、シリル基、アセタル及
びケタル基及びエーテル基である。これらOH−保護基
の例は、Rがアルキル又はアリール基であるとき、RC
(O)−、ROC(O)−、R3Si−、ROCH2及
びR−を含む。好ましいOH−保護基は、エステル(即
ちRC(O)−)基である。ベンゾイル基(PhC
(O)、ときにここでは「Bz」として略称される)
が、非常に好ましい。式(3)の化合物が好ましい。こ
の化合物は、
H−保護基」により、ヒドロキシル基を保護し、導入及
び除去可能であり、そして実質的に所望の反応と干渉し
ない基を意味する。好ましいOH−保護基は、カルボン
酸エステル基、カーボネート基、シリル基、アセタル及
びケタル基及びエーテル基である。これらOH−保護基
の例は、Rがアルキル又はアリール基であるとき、RC
(O)−、ROC(O)−、R3Si−、ROCH2及
びR−を含む。好ましいOH−保護基は、エステル(即
ちRC(O)−)基である。ベンゾイル基(PhC
(O)、ときにここでは「Bz」として略称される)
が、非常に好ましい。式(3)の化合物が好ましい。こ
の化合物は、
【0009】
【表1】
【0010】に概略的に示される反応を経て製造され
る。式(3)の化合物(即ち表1の化合物5)は、二三
の経路を経て製造できる。表1は、これらの種々の経路
を示す。示された経路の中で、反応のシーケンスは以下
の通りである。 1.反応A、D及びG; 2.反応F及びG; 3.反応A、B、E及びG: 4.反応C、E及びG。 他の従来の反応、並びにここで記述されたものの変法
は、化合物5を製造するのに使用できる。2’−ハロ−
5’−保護ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシ
ド中間体を製造する好ましい方法は、以下の段階を含む
方法として記述できる。(a)2’α、3’α、5’−
トリヒドロキシピリミジニルリボヌクレオシドとC1−
C12アルキル又はC6−C30アリールスルホニルク
ロリド及び塩基とを、トリス(アルキルスルホニル)又
はトリス(アリールスルホニル)化合物を形成する条件
下で接触させる段階、(b)段階(a)で形成された化
合物と塩基とを2、2’−アンヒドロ化合物を形成する
条件下で接触させる段階、(c)段階(b)で形成され
た化合物と金属カルボキシレートとを接触させて5’−
カルボン酸エステル化合物を生ずる段階、(d)段階
(c)で形成された化合物とハロゲン化水素酸とを接触
させて2’α−ハロ−3’−スルホニル−5’−カルボ
ン酸ジエステル化合物を生成する段階。この一連の反応
の概略的な説明は、
る。式(3)の化合物(即ち表1の化合物5)は、二三
の経路を経て製造できる。表1は、これらの種々の経路
を示す。示された経路の中で、反応のシーケンスは以下
の通りである。 1.反応A、D及びG; 2.反応F及びG; 3.反応A、B、E及びG: 4.反応C、E及びG。 他の従来の反応、並びにここで記述されたものの変法
は、化合物5を製造するのに使用できる。2’−ハロ−
5’−保護ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシ
ド中間体を製造する好ましい方法は、以下の段階を含む
方法として記述できる。(a)2’α、3’α、5’−
トリヒドロキシピリミジニルリボヌクレオシドとC1−
C12アルキル又はC6−C30アリールスルホニルク
ロリド及び塩基とを、トリス(アルキルスルホニル)又
はトリス(アリールスルホニル)化合物を形成する条件
下で接触させる段階、(b)段階(a)で形成された化
合物と塩基とを2、2’−アンヒドロ化合物を形成する
条件下で接触させる段階、(c)段階(b)で形成され
た化合物と金属カルボキシレートとを接触させて5’−
カルボン酸エステル化合物を生ずる段階、(d)段階
(c)で形成された化合物とハロゲン化水素酸とを接触
させて2’α−ハロ−3’−スルホニル−5’−カルボ
ン酸ジエステル化合物を生成する段階。この一連の反応
の概略的な説明は、
【0011】
【表2】
【0012】に示される。段階(a)では、有用なアル
キル及びアリールスルホニルハライドは、メタンスルホ
ニルクロリド、フェニルスルホニルクロリドなどを含
む。メタンスルホニルクロリド(CH3SO2Cl)が
非常に好ましい。段階(a)で使用される塩基は、一般
に、有機アミンである。好ましい化合物は、ピリジン、
N−メチル−モルホリンなどを含む。段階(b)で使用
される塩基性試薬は、概して強塩基である。好ましい化
合物は、1種以上の無機塩基例えば水酸化ナトリウム又
は水酸化カリウム及び炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム
である。水酸化ナトリウムNaOHが非常に好ましい。
段階(c)は、一般に、金属カルボキシレートとしてカ
ルボン酸のアルカリ金属塩を使用して行われる。安息香
酸ナトリウム及び安息香酸カリウムが好ましい剤であ
る。段階(d)で使用されるハロゲン化水素酸は、一般
に、HCl、HBr及びHIから選ばれ、HBrが好ま
しい。ハロゲン化水素酸は、その場で発生し使用でき
る。本発明の還元段階は、原料として2’−ハロ−5’
−保護ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド中
間体を使用して行われる。還元段階のためのピリミジニ
ル2’−デオキシリボヌクレオシド原料化合物は、3’
α−スルホニル基を有する。3’α−スルホニル基の例
は、C1−C12アルキルスルホニル又はC6−C30
アリールスルホニルなどを含む。還元段階のピリミジニ
ル2’−デオキシリボヌクレオシド原料化合物は、好ま
しくはチミジン誘導体である。還元段階は、ラジカル開
始剤例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、
ジアセチルペルオキシド、t−ブチルペルアセテート、
ジ−t−ブチルペルオキシド、過酸化ベンソイル、又は
遊離基形成を開始することが当業者に知られている任意
の他の好適な化合物の使用を必要とする。還元段階で使
用される溶媒がエーテル、エステル又はケトンであるこ
とが本発明にとり重要である。この溶媒の使用がアンヒ
ドロ不純物の実質的な形成を避けることが分った。この
アンヒドロ不純物の例は、以下の式を有する。
キル及びアリールスルホニルハライドは、メタンスルホ
ニルクロリド、フェニルスルホニルクロリドなどを含
む。メタンスルホニルクロリド(CH3SO2Cl)が
非常に好ましい。段階(a)で使用される塩基は、一般
に、有機アミンである。好ましい化合物は、ピリジン、
N−メチル−モルホリンなどを含む。段階(b)で使用
される塩基性試薬は、概して強塩基である。好ましい化
合物は、1種以上の無機塩基例えば水酸化ナトリウム又
は水酸化カリウム及び炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム
である。水酸化ナトリウムNaOHが非常に好ましい。
段階(c)は、一般に、金属カルボキシレートとしてカ
ルボン酸のアルカリ金属塩を使用して行われる。安息香
酸ナトリウム及び安息香酸カリウムが好ましい剤であ
る。段階(d)で使用されるハロゲン化水素酸は、一般
に、HCl、HBr及びHIから選ばれ、HBrが好ま
しい。ハロゲン化水素酸は、その場で発生し使用でき
る。本発明の還元段階は、原料として2’−ハロ−5’
−保護ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド中
間体を使用して行われる。還元段階のためのピリミジニ
ル2’−デオキシリボヌクレオシド原料化合物は、3’
α−スルホニル基を有する。3’α−スルホニル基の例
は、C1−C12アルキルスルホニル又はC6−C30
アリールスルホニルなどを含む。還元段階のピリミジニ
ル2’−デオキシリボヌクレオシド原料化合物は、好ま
しくはチミジン誘導体である。還元段階は、ラジカル開
始剤例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、
ジアセチルペルオキシド、t−ブチルペルアセテート、
ジ−t−ブチルペルオキシド、過酸化ベンソイル、又は
遊離基形成を開始することが当業者に知られている任意
の他の好適な化合物の使用を必要とする。還元段階で使
用される溶媒がエーテル、エステル又はケトンであるこ
とが本発明にとり重要である。この溶媒の使用がアンヒ
ドロ不純物の実質的な形成を避けることが分った。この
アンヒドロ不純物の例は、以下の式を有する。
【0013】
【化13】
【0014】我々は、3’スルホニル基がα位にあると
き、或る溶媒例えばジメチルホルムアミド(DMF)の
使用は、アンヒドロ不純物の実質的な形成を生ずること
を見出した。アンヒドロ不純物の問題は、3’−スルホ
ニル基がβ−位置にあるので、米国特許第492195
0号に記載されたような従来の方法では生じない。低い
レベルのアンヒドロ不純物を常にもたらす溶媒は、本発
明の範囲内にある。これら溶媒は、エーテル、エステル
及びケトンであり、その使用は、低いレベルのアンヒド
ロ不純物、例えば0.5%より少ないアンヒドロ不純物
の形成、好ましくは0.05%を生じさせる。還元段階
用の好適なエーテル溶媒は、2−10個の炭素原子を含
む。これらのエーテルは、1個より多い酸素原子(例え
ば2又は3個)を含むことができる。これらエーテルの
例は、C1−C6ジアルキルエーテル、好ましくはC1
−C4ジアルキルエーテル例えばジブチルエーテル、ジ
エチルエーテル、メチルt−ブチルエーテルなどを含
む。好適なエーテルの他の例は、C4−C6環状エーテ
ル例えばテトラヒドロフラン(THF)、ジオキサンな
どを含む。還元段階用の好適なエステル溶媒は、アルキ
ルエステルであり、2−10個の炭素原子好ましくは2
−6個の炭素原子を含む。例は、酢酸メチル、酢酸エチ
ル(ときには、ここでは「EtOAc」と略称され
る)、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、
酢酸t−ブチル、酢酸s−ブチル、蟻酸エチルなどを含
む。還元段階用の好適なケトンは、3−10個の炭素原
子好ましくは3−6個の炭素原子を含むジアルキルケト
ンである。例は、アセトン、ブタノン、ペンタノン、メ
チルイソブチルケトンなどを含む。還元段階は、又トリ
C1−C12アルキル錫水素化物還元剤(好ましくはC
1−C4アルキル錫水素化物還元剤)を必要とする。最
も好ましいのは、トリ−ブチル錫水素化物(Bu3Sn
H)である。好ましい5’−保護基は、カルボン酸エス
テル特にベンゾイルである。最も好ましい2’−ハロ基
は、臭素である。還元段階用のプロセスの条件は、特に
厳密を要せず、かなり変化できる。例えば、約0.25
−約5時間、約40−約155℃(好ましくは約50−
約125℃)の温度が概して適切である。還元剤の量
は、反応をして完了させるに十分でなければならず、代
表的には、ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシ
ド1モル当り約1−約5モルの還元剤が十分である。同
様に、ラジカル開始剤の量は、反応をしてかなりな速度
で進ませるに十分でなければならず、概してピリミジニ
ル2’−デオキシリボヌクレオシド1モル当り約0.0
05−約0.25モルのラジカル開始剤が十分であり、
好ましくは約0.01−約0.1モルである。本発明の
好ましい還元段階は、式(3)の化合物とトリブチル錫
水素化物還元剤及び触媒量のアゾビスイソブチロニトリ
ルとを、式(4)の化合物の形成を生ずる条件下で酢酸
エチル中で接触させることを含む方法として記述でき
る。
き、或る溶媒例えばジメチルホルムアミド(DMF)の
使用は、アンヒドロ不純物の実質的な形成を生ずること
を見出した。アンヒドロ不純物の問題は、3’−スルホ
ニル基がβ−位置にあるので、米国特許第492195
0号に記載されたような従来の方法では生じない。低い
レベルのアンヒドロ不純物を常にもたらす溶媒は、本発
明の範囲内にある。これら溶媒は、エーテル、エステル
及びケトンであり、その使用は、低いレベルのアンヒド
ロ不純物、例えば0.5%より少ないアンヒドロ不純物
の形成、好ましくは0.05%を生じさせる。還元段階
用の好適なエーテル溶媒は、2−10個の炭素原子を含
む。これらのエーテルは、1個より多い酸素原子(例え
ば2又は3個)を含むことができる。これらエーテルの
例は、C1−C6ジアルキルエーテル、好ましくはC1
−C4ジアルキルエーテル例えばジブチルエーテル、ジ
エチルエーテル、メチルt−ブチルエーテルなどを含
む。好適なエーテルの他の例は、C4−C6環状エーテ
ル例えばテトラヒドロフラン(THF)、ジオキサンな
どを含む。還元段階用の好適なエステル溶媒は、アルキ
ルエステルであり、2−10個の炭素原子好ましくは2
−6個の炭素原子を含む。例は、酢酸メチル、酢酸エチ
ル(ときには、ここでは「EtOAc」と略称され
る)、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、
酢酸t−ブチル、酢酸s−ブチル、蟻酸エチルなどを含
む。還元段階用の好適なケトンは、3−10個の炭素原
子好ましくは3−6個の炭素原子を含むジアルキルケト
ンである。例は、アセトン、ブタノン、ペンタノン、メ
チルイソブチルケトンなどを含む。還元段階は、又トリ
C1−C12アルキル錫水素化物還元剤(好ましくはC
1−C4アルキル錫水素化物還元剤)を必要とする。最
も好ましいのは、トリ−ブチル錫水素化物(Bu3Sn
H)である。好ましい5’−保護基は、カルボン酸エス
テル特にベンゾイルである。最も好ましい2’−ハロ基
は、臭素である。還元段階用のプロセスの条件は、特に
厳密を要せず、かなり変化できる。例えば、約0.25
−約5時間、約40−約155℃(好ましくは約50−
約125℃)の温度が概して適切である。還元剤の量
は、反応をして完了させるに十分でなければならず、代
表的には、ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシ
ド1モル当り約1−約5モルの還元剤が十分である。同
様に、ラジカル開始剤の量は、反応をしてかなりな速度
で進ませるに十分でなければならず、概してピリミジニ
ル2’−デオキシリボヌクレオシド1モル当り約0.0
05−約0.25モルのラジカル開始剤が十分であり、
好ましくは約0.01−約0.1モルである。本発明の
好ましい還元段階は、式(3)の化合物とトリブチル錫
水素化物還元剤及び触媒量のアゾビスイソブチロニトリ
ルとを、式(4)の化合物の形成を生ずる条件下で酢酸
エチル中で接触させることを含む方法として記述でき
る。
【0015】脱ハロゲン化ピリミジニル2’−デオキシ
リボヌクレオシド化合物が、本発明の還元段階により得
られた後、それは、本発明の置換段階のための原料とし
て使用できる。3’−スルホニル基がα構造を有する置
換段階は、容易であり、従来の方法に比べて優れた収率
をもたらす。本発明の置換反応は、1回より多い単離の
必要性を避け、従って又改善された収率を生ずる一段階
プロセスである。更に、5’−ヒドロキシルの保護は、
置換段階では任意のものである。本発明の還元段階の場
合のように、置換段階のための原料は、好ましくはチミ
ジン誘導体である。置換段階は、触媒としてのリチウム
塩、並びに置換基として使用されるアジド塩を要する。
リチウム塩の例は、過塩素酸リチウム、塩化リチウム、
臭化リチウム、沃化リチウムなどを含む。好ましいアジ
ド塩は、アルカリ金属塩特にNaN3である。置換段階
は、又塩基好ましくは金属炭酸塩塩基の存在を要する。
好ましくはそして都合のよいことには、リチウム塩触媒
及び塩基は、単一の化合物例えばLi2CO3で具体化
される。置換反応のための条件は、特に厳密なものでは
なく、例えば約2−約20時間、約100−約155℃
の温度が概して適切である。置換反応は、溶媒好ましく
は極性の非プロトン性溶媒例えばDMF、ジメチルスル
ホキシド(DMSO)、N、N−ジメチルアセトアミド
(DMAC)、N−メチルピロリジノンなど中で行われ
る。好ましいのは、DMFである。置換段階用のリチウ
ム塩の量は、触媒的量である。概して、約0.1−約1
0モルのリチウム塩(好ましくは約1−約5モル)が、
ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシドの1モル
当り使用される。同様に、使用される塩基の量は、概し
てピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド1モル
当り約1−約5モルである。アジド塩の量は、概してピ
リミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド1モル当り
少なくとも約1モル、好ましくは約1−約10モル、そ
してより好ましくは約1−約2モルである。
リボヌクレオシド化合物が、本発明の還元段階により得
られた後、それは、本発明の置換段階のための原料とし
て使用できる。3’−スルホニル基がα構造を有する置
換段階は、容易であり、従来の方法に比べて優れた収率
をもたらす。本発明の置換反応は、1回より多い単離の
必要性を避け、従って又改善された収率を生ずる一段階
プロセスである。更に、5’−ヒドロキシルの保護は、
置換段階では任意のものである。本発明の還元段階の場
合のように、置換段階のための原料は、好ましくはチミ
ジン誘導体である。置換段階は、触媒としてのリチウム
塩、並びに置換基として使用されるアジド塩を要する。
リチウム塩の例は、過塩素酸リチウム、塩化リチウム、
臭化リチウム、沃化リチウムなどを含む。好ましいアジ
ド塩は、アルカリ金属塩特にNaN3である。置換段階
は、又塩基好ましくは金属炭酸塩塩基の存在を要する。
好ましくはそして都合のよいことには、リチウム塩触媒
及び塩基は、単一の化合物例えばLi2CO3で具体化
される。置換反応のための条件は、特に厳密なものでは
なく、例えば約2−約20時間、約100−約155℃
の温度が概して適切である。置換反応は、溶媒好ましく
は極性の非プロトン性溶媒例えばDMF、ジメチルスル
ホキシド(DMSO)、N、N−ジメチルアセトアミド
(DMAC)、N−メチルピロリジノンなど中で行われ
る。好ましいのは、DMFである。置換段階用のリチウ
ム塩の量は、触媒的量である。概して、約0.1−約1
0モルのリチウム塩(好ましくは約1−約5モル)が、
ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシドの1モル
当り使用される。同様に、使用される塩基の量は、概し
てピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド1モル
当り約1−約5モルである。アジド塩の量は、概してピ
リミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド1モル当り
少なくとも約1モル、好ましくは約1−約10モル、そ
してより好ましくは約1−約2モルである。
【0016】好ましい置換段階は、式(5)(式中、R
1は水素、又はOH−保護基であり、R2はC1−C
12アルキル又はC6−C30アリールであり、Bはピ
リミジン塩基である)の化合物と塩基、リチウム塩、及
びアジド塩とを、式(6)(式中、R1及びBは前記同
様である)の化合物の形成を生ずる条件下で接触させる
ことを含む一段階方法として記述できる。さらに好まし
い置換段階は、式(7)の化合物とNaN3及びLi2
CO3とを、式(8)の化合物の形成を生ずる条件下で
接触させることを含む一段階方法として記述できる。置
換反応が行われた後、5’−保護基は、当業者に周知の
任意の方法例えばメタノリシスにより除去されて所望の
化合物即ちAZT又はその生物学上活性な誘導体を形成
する。代表的なメタノリシス剤は、ナトリウムメトキシ
ド(NaOMe)又はメタノールと塩基例えばトリアル
キルアミン、NaOHなどの混合物を含む。本発明の好
ましい方法は、(a)2’α、3’α、5’−トリヒド
ロキシピリミジニルリボヌクレオシドとC1−C12ア
ルキル又はC6−C30アリールスルホニルクロリド及
び塩基とを、トリス(アルキルスルホニル)又はトリス
(アリールスルホニル)化合物を形成する条件下で接触
させる段階、(b)段階(a)で形成された化合物と塩
基とを2、2’−アンヒドロ化合物を形成する条件下で
接触させる段階、(c)段階(b)で形成された化合物
と金属カルボキシレートとを接触させて5’−カルボン
酸エステル化合物を生ずる段階、(d)段階(c)で形
成された化合物とハロゲン化水素酸(hydrohal
ic acid)とを接触させて2’α−ハロ−3’−
スルホニル−5’−カルボン酸ジエステル化合物を生成
する段階、(e)段階(d)で形成された化合物とトリ
C1−C12アルキル錫水素化物還元剤及び触媒量のラ
ジカル開始剤とを、エーテル、エステル又はケトン溶媒
中で接触させて、2’−デオキシ−3’−スルホニル−
5’−カルボン酸ジエステル化合物を生ずる段階、
(f)段階(e)で生成した脱ハロゲン化化合物と塩
基、リチウム塩及びアジド塩とを接触させて3’α−ア
ジド化合物を生成する任意の段階を伴い、(g)段階
(f)で形成された化合物を脱保護して5’−ヒドロキ
シル基及び3’α−アジド基を有する化合物を形成する
任意の段階を伴うことを含む方法として記述できる。本
発明の好ましい方法は、概略的に以下のように示すこと
ができる。
1は水素、又はOH−保護基であり、R2はC1−C
12アルキル又はC6−C30アリールであり、Bはピ
リミジン塩基である)の化合物と塩基、リチウム塩、及
びアジド塩とを、式(6)(式中、R1及びBは前記同
様である)の化合物の形成を生ずる条件下で接触させる
ことを含む一段階方法として記述できる。さらに好まし
い置換段階は、式(7)の化合物とNaN3及びLi2
CO3とを、式(8)の化合物の形成を生ずる条件下で
接触させることを含む一段階方法として記述できる。置
換反応が行われた後、5’−保護基は、当業者に周知の
任意の方法例えばメタノリシスにより除去されて所望の
化合物即ちAZT又はその生物学上活性な誘導体を形成
する。代表的なメタノリシス剤は、ナトリウムメトキシ
ド(NaOMe)又はメタノールと塩基例えばトリアル
キルアミン、NaOHなどの混合物を含む。本発明の好
ましい方法は、(a)2’α、3’α、5’−トリヒド
ロキシピリミジニルリボヌクレオシドとC1−C12ア
ルキル又はC6−C30アリールスルホニルクロリド及
び塩基とを、トリス(アルキルスルホニル)又はトリス
(アリールスルホニル)化合物を形成する条件下で接触
させる段階、(b)段階(a)で形成された化合物と塩
基とを2、2’−アンヒドロ化合物を形成する条件下で
接触させる段階、(c)段階(b)で形成された化合物
と金属カルボキシレートとを接触させて5’−カルボン
酸エステル化合物を生ずる段階、(d)段階(c)で形
成された化合物とハロゲン化水素酸(hydrohal
ic acid)とを接触させて2’α−ハロ−3’−
スルホニル−5’−カルボン酸ジエステル化合物を生成
する段階、(e)段階(d)で形成された化合物とトリ
C1−C12アルキル錫水素化物還元剤及び触媒量のラ
ジカル開始剤とを、エーテル、エステル又はケトン溶媒
中で接触させて、2’−デオキシ−3’−スルホニル−
5’−カルボン酸ジエステル化合物を生ずる段階、
(f)段階(e)で生成した脱ハロゲン化化合物と塩
基、リチウム塩及びアジド塩とを接触させて3’α−ア
ジド化合物を生成する任意の段階を伴い、(g)段階
(f)で形成された化合物を脱保護して5’−ヒドロキ
シル基及び3’α−アジド基を有する化合物を形成する
任意の段階を伴うことを含む方法として記述できる。本
発明の好ましい方法は、概略的に以下のように示すこと
ができる。
【0017】
【表3】
【0018】本発明の方法で生成される中間体の或るも
のは、新規であり、それ故本発明は又これらの中間体に
関する。従って、本発明は、又式(9)(式中、Rは、
水素、C1−C12アルキル又はC6−C30アリール
であり、R2は、C1−C12アルキル又はC6−C
30アリールである)の化合物に関する。好ましいR基
は、C6−C30アリール特にフェニルである。本発明
の好ましい化合物は、式(10)を有する。
のは、新規であり、それ故本発明は又これらの中間体に
関する。従って、本発明は、又式(9)(式中、Rは、
水素、C1−C12アルキル又はC6−C30アリール
であり、R2は、C1−C12アルキル又はC6−C
30アリールである)の化合物に関する。好ましいR基
は、C6−C30アリール特にフェニルである。本発明
の好ましい化合物は、式(10)を有する。
【0019】
【実施例】以下の実施例は、本発明を説明するが、それ
への制限とは考えてはならない。 実施例 1 2’、3’、5’−トリス(メタンスルホニル)−5−
メチルウリジン(2) 0℃でピリジン(75mL)中の5−メチルウリジン
(12.8mg、50mモル)の撹拌する混合物に、メ
タンスルホニルクロリド(17.4mL、225mモ
ル)を加えた。反応混合物を5時間0℃で撹拌し、次に
撹拌しつつ氷水(500mL)中に注いだ。トリメタン
スルホニル−5−メチルウリジン(2)が沈殿し、混合
物を5分間撹拌した。固体の生成物を漉過により集め、
水洗(3×200mL)し、乾燥した。収量は、21.
6g、89%であった。1H−NMR(DMSO−
d6)δ1.77(s、3H)、3.24(s、3
H)、3.34(s、3H)、3.36(s、3H)、
4.47−4,60(m、2H)、5.33(m、1
H)、5.54(m、1H)、5.97(d、J=4.
5Hz、1H)、7.56(s、1H)、11.56
(s、1H)。
への制限とは考えてはならない。 実施例 1 2’、3’、5’−トリス(メタンスルホニル)−5−
メチルウリジン(2) 0℃でピリジン(75mL)中の5−メチルウリジン
(12.8mg、50mモル)の撹拌する混合物に、メ
タンスルホニルクロリド(17.4mL、225mモ
ル)を加えた。反応混合物を5時間0℃で撹拌し、次に
撹拌しつつ氷水(500mL)中に注いだ。トリメタン
スルホニル−5−メチルウリジン(2)が沈殿し、混合
物を5分間撹拌した。固体の生成物を漉過により集め、
水洗(3×200mL)し、乾燥した。収量は、21.
6g、89%であった。1H−NMR(DMSO−
d6)δ1.77(s、3H)、3.24(s、3
H)、3.34(s、3H)、3.36(s、3H)、
4.47−4,60(m、2H)、5.33(m、1
H)、5.54(m、1H)、5.97(d、J=4.
5Hz、1H)、7.56(s、1H)、11.56
(s、1H)。
【0020】実施例 2 2’、3’、5’−トリス(メタンスルホニル)−5−
メチルウリジン(2) N−メチルモルホリン(29.6mL、266mモル)
をアセトン(68mL)中の5−メチルウリジン半水物
(15.64g、58.5mモル)のスラリーに加え、
得られる混合物を5℃に冷却した。アセトン(30m
L)中のメタンスルホニルクロリド(20.1mL、2
55mモル)の溶液を45分かけて加え、反応温度を4
5−50℃に上昇させた。追加の1.4時間撹拌後、N
−メチルモルホリン塩酸塩を漉過により除き、ケーキを
アセトン(2×30mL)により洗った。合わせた漉液
及び洗浄液を次に10−15℃で水(1L)に加えた。
1.1時間攪拌後、白色の沈殿を漉過し、水洗(2×7
5mL)し、真空乾燥した。収量、27.95g(97
%)。
メチルウリジン(2) N−メチルモルホリン(29.6mL、266mモル)
をアセトン(68mL)中の5−メチルウリジン半水物
(15.64g、58.5mモル)のスラリーに加え、
得られる混合物を5℃に冷却した。アセトン(30m
L)中のメタンスルホニルクロリド(20.1mL、2
55mモル)の溶液を45分かけて加え、反応温度を4
5−50℃に上昇させた。追加の1.4時間撹拌後、N
−メチルモルホリン塩酸塩を漉過により除き、ケーキを
アセトン(2×30mL)により洗った。合わせた漉液
及び洗浄液を次に10−15℃で水(1L)に加えた。
1.1時間攪拌後、白色の沈殿を漉過し、水洗(2×7
5mL)し、真空乾燥した。収量、27.95g(97
%)。
【0021】実施例 3 5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニル−2、2’
−アンヒドロ−5−メチルウリジン(4) 115℃でアセトアミド(50g)中の安息香酸ナトリ
ウム(10g、69.3mモル)の撹拌するスラリー
に、トリメタンスルホニル−5−メチルウリジン(2)
(10g、20.3mモル)を加えた。反応混合物を6
5分間115℃で撹拌し、次に氷水(2L)中に注い
だ。混合物を15分間0℃で撹拌した。白色の固体を漉
過し、水洗(2×50mL)し、乾燥した。収量、7.
76g、90%。1H−NMR(DMSO−d6)δ
1.74(s、3H)、3.44(s、3H)、4.1
6−4.33(m、2H)、4.78(m、1H)、
5.63(s、1H)、5.68(d、J=5.7H
z、1H)、6.45(d、J=5.7Hz、1H)、
7.79(s、1H)、7.47−7.89(m、5
H)。
−アンヒドロ−5−メチルウリジン(4) 115℃でアセトアミド(50g)中の安息香酸ナトリ
ウム(10g、69.3mモル)の撹拌するスラリー
に、トリメタンスルホニル−5−メチルウリジン(2)
(10g、20.3mモル)を加えた。反応混合物を6
5分間115℃で撹拌し、次に氷水(2L)中に注い
だ。混合物を15分間0℃で撹拌した。白色の固体を漉
過し、水洗(2×50mL)し、乾燥した。収量、7.
76g、90%。1H−NMR(DMSO−d6)δ
1.74(s、3H)、3.44(s、3H)、4.1
6−4.33(m、2H)、4.78(m、1H)、
5.63(s、1H)、5.68(d、J=5.7H
z、1H)、6.45(d、J=5.7Hz、1H)、
7.79(s、1H)、7.47−7.89(m、5
H)。
【0022】実施例 4 5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニル−2’−ブ
ロモ−チミジン(5) 酢酸エチル(100mL)及びメタノール(10mL)
中の5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニル−2、
2’−アンヒドロ−5−メチルウリジン(4)(4.0
g、9.5mモル)を臭化アセチル(5mL、67.7
mモル)に加えた。反応混合物を1時間還流し次に冷却
した。反応混合物を分液ロートに移した。酢酸エチル
(150mL)を加えた。溶液を飽和重炭酸ナトリウム
(100mL)次に塩水(100mL)により洗った。
有機層を分離し、MgSO4で乾燥した。溶媒を除く
と、固体生成物5を得た。収量、4.86g、100
%。1H−NMR(DMSO−d6)δ1.63(s、
3H)、3.37(s、3H)、4.50−4.55
(m、2H)、4.60−4.64(m、2H)、5.
09(t、J=6.0Hz、1H)、5.47(m、1
H)、6.14(d、J=7.2Hz、1H)、7.4
9(s、1H)、7.50−8.04(m、5H)、1
1.56(s、1H)。
ロモ−チミジン(5) 酢酸エチル(100mL)及びメタノール(10mL)
中の5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニル−2、
2’−アンヒドロ−5−メチルウリジン(4)(4.0
g、9.5mモル)を臭化アセチル(5mL、67.7
mモル)に加えた。反応混合物を1時間還流し次に冷却
した。反応混合物を分液ロートに移した。酢酸エチル
(150mL)を加えた。溶液を飽和重炭酸ナトリウム
(100mL)次に塩水(100mL)により洗った。
有機層を分離し、MgSO4で乾燥した。溶媒を除く
と、固体生成物5を得た。収量、4.86g、100
%。1H−NMR(DMSO−d6)δ1.63(s、
3H)、3.37(s、3H)、4.50−4.55
(m、2H)、4.60−4.64(m、2H)、5.
09(t、J=6.0Hz、1H)、5.47(m、1
H)、6.14(d、J=7.2Hz、1H)、7.4
9(s、1H)、7.50−8.04(m、5H)、1
1.56(s、1H)。
【0023】実施例 5−11 5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニルチミジン
(6)(還元段階) 一般的方法 凝縮器、窒素入口、及び温度計を備えた50mL容丸底
フラスコに、5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニ
ル−2’−ブロモ−チミジン(5)(3.0g、5.9
6mモル)及び30mLの特定の溶媒(以下の表参照)
を加えた。Bu3SnH(3.0mL、11.15mモ
ル、1.9当量)を次に加えた。反応混合物を加熱して
還流するか、又は表に特定した温度にして、透明な均質
な溶液を得た。反応混合物を次に僅かに冷却し、300
mgのAIBNを加えた。混合物を加熱して還流する
か、又は表に特定した温度に45分間(又は表に特定し
たような時間)保ち、そのとき反応はHPLCにより完
了した。混合物を次に25℃に冷却し、濃縮して残留物
を得た。残留物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(Kiesgel 60、230−400メッシュシ
リカゲル、2.5×23cmカラム、溶離液として3/
1EtOAc/ヘキサン)により、又は塩化メチレン処
理により、5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニル
チミジン(6)を得た。これらの結果は、表に要約され
る。
(6)(還元段階) 一般的方法 凝縮器、窒素入口、及び温度計を備えた50mL容丸底
フラスコに、5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニ
ル−2’−ブロモ−チミジン(5)(3.0g、5.9
6mモル)及び30mLの特定の溶媒(以下の表参照)
を加えた。Bu3SnH(3.0mL、11.15mモ
ル、1.9当量)を次に加えた。反応混合物を加熱して
還流するか、又は表に特定した温度にして、透明な均質
な溶液を得た。反応混合物を次に僅かに冷却し、300
mgのAIBNを加えた。混合物を加熱して還流する
か、又は表に特定した温度に45分間(又は表に特定し
たような時間)保ち、そのとき反応はHPLCにより完
了した。混合物を次に25℃に冷却し、濃縮して残留物
を得た。残留物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(Kiesgel 60、230−400メッシュシ
リカゲル、2.5×23cmカラム、溶離液として3/
1EtOAc/ヘキサン)により、又は塩化メチレン処
理により、5’−ベンゾイル−3’−メタンスルホニル
チミジン(6)を得た。これらの結果は、表に要約され
る。
【0024】
【表4】
【0025】a)不純物(%)は、反応混合物中の不純
物のHPLC面積を示す。不純物は、5’−ベンゾイル
−2、3’−アンヒドロチミジンとして同定された。 b)シリカゲルカラムクロマトグラフィー分離により単
離された重量収率(%)。 c)塩化メチレン処埋により単離された重量収率
(%)。この単離法は、所望の生成物(6)から不純物
をパージしなかった。この好ましい単離法は、反応(還
元段階)が清浄である(不純物の形成が殆ど又は全くな
い)場合にのみ実施可能であった。 d)生成物(6)は単離されず。 e)高い収量は、又トリブチル錫臭化物の汚染による。
物のHPLC面積を示す。不純物は、5’−ベンゾイル
−2、3’−アンヒドロチミジンとして同定された。 b)シリカゲルカラムクロマトグラフィー分離により単
離された重量収率(%)。 c)塩化メチレン処埋により単離された重量収率
(%)。この単離法は、所望の生成物(6)から不純物
をパージしなかった。この好ましい単離法は、反応(還
元段階)が清浄である(不純物の形成が殆ど又は全くな
い)場合にのみ実施可能であった。 d)生成物(6)は単離されず。 e)高い収量は、又トリブチル錫臭化物の汚染による。
【0026】以下は、表に示された結果に関する追加の
情報である。 実施例 #5 THF(テトラヒドロフラン)の使用は、たとえ還流
(67℃)で2時間後ですらHPLCにより<0.05
%の不純物を生じた。生成物(6)は、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより94%の収率で単離され
た。塩化メチレン処理による単離は、76%の収率を与
えた。1H−NMR(DMSO−d6)δ1.57
(s、3H)、2.55(m、2H)、3.32(s、
3H)、4.45(s、1H)、4.48−4.60
(m、2H)、5.47(m、1H)、6.22(d、
J=6.9Hz、1H)、7.41(s、1H)、7.
52−8.02(m、5H)、11.40(s、1
H)。
情報である。 実施例 #5 THF(テトラヒドロフラン)の使用は、たとえ還流
(67℃)で2時間後ですらHPLCにより<0.05
%の不純物を生じた。生成物(6)は、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより94%の収率で単離され
た。塩化メチレン処理による単離は、76%の収率を与
えた。1H−NMR(DMSO−d6)δ1.57
(s、3H)、2.55(m、2H)、3.32(s、
3H)、4.45(s、1H)、4.48−4.60
(m、2H)、5.47(m、1H)、6.22(d、
J=6.9Hz、1H)、7.41(s、1H)、7.
52−8.02(m、5H)、11.40(s、1
H)。
【0027】実施例 #6 酢酸エチルの使用は、たとえ還流(78℃)で2.5時
間後ですらHPLCにより<0.05%の不純物を生じ
た。生成物(6)は、塩化メチレン処理により87%の
収率で単離された。 実施例 #7 アセトンの使用は、還流(56℃)で2時間後で0.2
0%HPLC面積の不純物を生じた。生成物(6)は、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより84%の収
率で単離された。 実施例 #8(比較) エタノールの使用は、還流(76℃)で45分で6.7
%HPLC面積の不純物を生じた。2.5時間で、不純
物のレベルは、7.2%に増大した。生成物(6)は、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより79%で単
離された。塩化メチレン処理による単離は、7.0%
(HPLC面積)の不純物を含む生成物(6)を48%
の収率で生じた。
間後ですらHPLCにより<0.05%の不純物を生じ
た。生成物(6)は、塩化メチレン処理により87%の
収率で単離された。 実施例 #7 アセトンの使用は、還流(56℃)で2時間後で0.2
0%HPLC面積の不純物を生じた。生成物(6)は、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより84%の収
率で単離された。 実施例 #8(比較) エタノールの使用は、還流(76℃)で45分で6.7
%HPLC面積の不純物を生じた。2.5時間で、不純
物のレベルは、7.2%に増大した。生成物(6)は、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより79%で単
離された。塩化メチレン処理による単離は、7.0%
(HPLC面積)の不純物を含む生成物(6)を48%
の収率で生じた。
【0028】実施例 #9(比較) 還元における溶媒としてのトルエンの使用は、45分間
80−90℃で1.2%HPLC面積の不純物を生じ
た。生成物は、カラムクロマトグラフィーにより収率9
1%で単離された。トルエンを使用する別の実験におい
て、反応混合物は、2時間80−90℃で12.6%H
PLC面積の不純物を含み、追加の4時間後21.6%
の面積を含んだ。生成物は、本質的に定量的な収率で塩
化メチレン処理により単離されたが、生成物は、26.
3%(HPLC面積)の不純物を含んだ。生成物は、又
1H−NMRにより示されるように、トリブチル錫臭化
物により汚染されていた。 実施例 #10(比較) ジメチルアセトアミド(DMAC)の使用は、45分間
80−90℃で6.9%HPLC面積の不純物を生じ
た。生成物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より収率56%で単離された。 実施例 #11(比較) DMF(ジメチルホルムアミド)の使用は、45分間8
0−90℃で17.3%HPLC面積の不純物を生じ
た。生成物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より収率83%で単離された。DMFを使用する他の実
験では、24.2%HPLC面積の不純物が、125−
130℃で2.5時間で検出された。
80−90℃で1.2%HPLC面積の不純物を生じ
た。生成物は、カラムクロマトグラフィーにより収率9
1%で単離された。トルエンを使用する別の実験におい
て、反応混合物は、2時間80−90℃で12.6%H
PLC面積の不純物を含み、追加の4時間後21.6%
の面積を含んだ。生成物は、本質的に定量的な収率で塩
化メチレン処理により単離されたが、生成物は、26.
3%(HPLC面積)の不純物を含んだ。生成物は、又
1H−NMRにより示されるように、トリブチル錫臭化
物により汚染されていた。 実施例 #10(比較) ジメチルアセトアミド(DMAC)の使用は、45分間
80−90℃で6.9%HPLC面積の不純物を生じ
た。生成物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より収率56%で単離された。 実施例 #11(比較) DMF(ジメチルホルムアミド)の使用は、45分間8
0−90℃で17.3%HPLC面積の不純物を生じ
た。生成物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より収率83%で単離された。DMFを使用する他の実
験では、24.2%HPLC面積の不純物が、125−
130℃で2.5時間で検出された。
【0029】実施例 12 5’−ベンゾイル−3’α−アジド−3’−デオキシチ
ミジン(7)(置換段階) DMF(3mL)中の5’−ベンゾイル−3’−メタン
スルホニルチミジン(6)(0.5g、1.18mモ
ル)の撹拌する溶液に、炭酸リチウム(0.2g、2.
7mモル)を加えた。反応混合物を、125℃で予熱し
た油浴に置き、100分間撹拌した。ナトリウムアジド
(0.2g、3.1mモル)を次に加え、反応物を5時
間125℃で撹拌した。反応混合物を次に室温に冷却
し、氷水(5mL)中に注いだ。pHを、酢酸の添加に
より約6に調節した。得られた沈殿を漉過により集め、
乾燥して5’−ベンゾイル−3’α−アジド−3’−デ
オキシチミジン(7)を得た。収量、0.37g(82
%)。1H−NMR(CDC13)δ1.64(s、3
H)、2.32−2.55(m、2H)、4.18
(m、1H)、4.32(m、1H)、4.50−4.
67(m、2H)、6.15(d、J=6.4Hz、1
H)、7.16(s、1H)、7.41−8.01
(m、5H)、9.54(s、1H)。 実施例 13 3’α−アジド−3’−デオキシチミジン(8) メタノール(3mL)中の5’−ベンゾイル−3’α−
アジド−3’−デオキシチミジン(7)(0.20g、
0.54mモル)の攪拌する溶液に、メタノール(0.
4mL、1.75mモル)中の25%ナトリウムメトキ
シド溶液を加えた。反応物を1時間室温で撹拌し、混合
物を次に約6のpHに強酸性樹脂(Dowex50−2
00X8、メタノールにより予め洗浄)により中和され
た。樹脂を漉去し、メタノール(2×10mL)により
洗った。溶媒を除いてAZTが得られ、それを真空下で
乾燥した。収量、0.10g(71%)。1H−NMR
(D2O)δ1.70(s、3H)、2.32(t、J
=6.5Hz、2H)、3.58−3.71(m、2
H)、3.83(q、J=4.7Hz、1H)、4.1
8(q、J=6.4Hz、1H)、6.02(t、J=
6.5Hz、1H)、7.46(s、1H)。
ミジン(7)(置換段階) DMF(3mL)中の5’−ベンゾイル−3’−メタン
スルホニルチミジン(6)(0.5g、1.18mモ
ル)の撹拌する溶液に、炭酸リチウム(0.2g、2.
7mモル)を加えた。反応混合物を、125℃で予熱し
た油浴に置き、100分間撹拌した。ナトリウムアジド
(0.2g、3.1mモル)を次に加え、反応物を5時
間125℃で撹拌した。反応混合物を次に室温に冷却
し、氷水(5mL)中に注いだ。pHを、酢酸の添加に
より約6に調節した。得られた沈殿を漉過により集め、
乾燥して5’−ベンゾイル−3’α−アジド−3’−デ
オキシチミジン(7)を得た。収量、0.37g(82
%)。1H−NMR(CDC13)δ1.64(s、3
H)、2.32−2.55(m、2H)、4.18
(m、1H)、4.32(m、1H)、4.50−4.
67(m、2H)、6.15(d、J=6.4Hz、1
H)、7.16(s、1H)、7.41−8.01
(m、5H)、9.54(s、1H)。 実施例 13 3’α−アジド−3’−デオキシチミジン(8) メタノール(3mL)中の5’−ベンゾイル−3’α−
アジド−3’−デオキシチミジン(7)(0.20g、
0.54mモル)の攪拌する溶液に、メタノール(0.
4mL、1.75mモル)中の25%ナトリウムメトキ
シド溶液を加えた。反応物を1時間室温で撹拌し、混合
物を次に約6のpHに強酸性樹脂(Dowex50−2
00X8、メタノールにより予め洗浄)により中和され
た。樹脂を漉去し、メタノール(2×10mL)により
洗った。溶媒を除いてAZTが得られ、それを真空下で
乾燥した。収量、0.10g(71%)。1H−NMR
(D2O)δ1.70(s、3H)、2.32(t、J
=6.5Hz、2H)、3.58−3.71(m、2
H)、3.83(q、J=4.7Hz、1H)、4.1
8(q、J=6.4Hz、1H)、6.02(t、J=
6.5Hz、1H)、7.46(s、1H)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サンドラ エル クインラン アメリカ合衆国ニューヨーク州 マンリウ ス グレンクリフ ロード 4635
Claims (33)
- 【請求項1】3’α−スルホニル基を有する2’α−ハ
ロ−5’−保護ピリミジニルリボヌクレオシド化合物と
トリC1−C12アルキル錫水素化物還元剤及び触媒量
のラジカル開始剤とを、脱ハロゲン化ピリミジニル2’
−デオキシリボヌクレオシド化合物を生ずる条件下でエ
ーテル、エステル又はケトン溶媒中で接触させることを
含む、ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド化
合物を還元する方法。 - 【請求項2】ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオ
シド化合物がチミジン誘導体である請求項1の方法。 - 【請求項3】溶媒が、2−10個の炭素原子を含むエー
テル、2−10個の炭素原子を含むエステル、又は3−
10個の炭素原子を含むケトンである請求項1の方法。 - 【請求項4】溶媒が、C1−C4ジアルキルエーテル、
C4−C6環状エーテル、C2−C6アルキルエステル
又はC3−C6ジアルキルケトンである請求項1の方
法。 - 【請求項5】溶媒が、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸t−ブチ
ル、酢酸s−ブチル、蟻酸エチル、THF、ジブチルエ
ーテル、ジエチルエーテル、メチルt−ブチルエーテ
ル、アセトン、ブタノン、ペンタノン、又はメチルイソ
ブチルケトン、酢酸アミル、シクロヘキサノン、ジオキ
サン、1、2−ジメトキシエタン、1、2−ジエトキシ
エタン及びジエトキシメタンである請求項1の方法。 - 【請求項6】溶媒が、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト
ン及びTHFよりなる群から選ばれる請求項1の方法。 - 【請求項7】ラジカル開始剤が、アゾビスイソブチロニ
トリル、ジ−t−ブチルペルオキシド、過酸化ベンゾイ
ル、t−ブチルペルアセテート又はジアセチルペルオキ
シドである請求項1の方法。 - 【請求項8】トリC1−C12アルキル錫水素化物還元
剤が、Bu3SnHであり、ラジカル開始剤がアゾビス
イソブチロニトリルである請求項1の方法。 - 【請求項9】5’保護基がカルボン酸エステルである請
求項1の方法。 - 【請求項10】5’保護基がベンゾイルである請求項1
の方法。 - 【請求項11】3’α−スルホニル基がC1−C12ア
ルキルスルホニル、C6−C30アリールスルホニルで
ある請求項1の方法。 - 【請求項12】2’ハロ基がBrである請求項1の方
法。 - 【請求項13】約0.25−約5時間約50−約125
℃の温度で行われる請求項1の方法。 - 【請求項14】式 【化1】 (式中、R1は水素、又はOH−保護基であり、R2は
C1−C12アルキル又はC6−C30アリールであ
り、Bはピリミジン塩基であり、そしてXはCl、Br
又はIである)の化合物とトリC1−C12アルキル錫
水素化物還元剤及び触媒量のラジカル開始剤とを、式 【化2】 (式中、R1、R2及びBは前記同様である)の化合物
を生ずる条件下でエーテル、エステル又はケトン溶媒中
で接触させることを含む方法。 - 【請求項15】式 【化3】 の化合物とトリブチル錫水素化物還元剤及び触媒量のア
ゾビスイソブチロニトリルとを、式 【化4】 の化合物の形成を生ずる条件下で酢酸エチル中で接触さ
せることを含む方法。 - 【請求項16】3’α−スルホニル基を有するピリミジ
ニル2’−デオキシリボヌクレオシド化合物と塩基、リ
チウム塩、及びアジド塩とを、3’α−アジド基を有す
る5’−保護ピリミジニル2’、3’−ジデオキシリボ
ヌクレオシド化合物の形成を生ずる条件下で接触させる
ことを含む、ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオ
シド化合物の3’α−スルホニル基を置換する一段階方
法。 - 【請求項17】ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレ
オシド化合物がチミジン誘導体である請求項16の方
法。 - 【請求項18】塩基が金属炭酸塩である請求項16の方
法。 - 【請求項19】前記の塩基及びリチウム塩がLi2CO
3であり、アジド塩がアルカリ金属塩である請求項16
の方法。 - 【請求項20】アジド塩がNaN3である請求項19の
方法。 - 【請求項21】約2−約20時間約90−約155℃の
温度で行われる請求項16の方法。 - 【請求項22】式 【化5】 (式中、R1は水素、又はOH−保護基であり、R2は
C1−C12アルキル又はC6−C30アリールであ
り、そしてBはピリミジン塩基である)の化合物と塩
基、リチウム塩、及びアジド塩とを、式 【化6】 (式中、R1及びBは前記同様である)の化合物の形成
を生ずる条件下で接触させることを含む一段階方法。 - 【請求項23】式 【化7】 の化合物とNaN3及びLi2CO3とを、式 【化8】 の化合物の形成を生ずる条件下で接触させることを含む
一段階方法。 - 【請求項24】5’−ヒドロキシル基及び3’α−アジ
ド基を有する化合物を形成するために任意の5’−保護
基を除去する追加の段階を伴う請求項16の方法。 - 【請求項25】5’−保護基がカルボン酸エステルであ
り、脱保護段階がメタノリシスにより達成される請求項
24の方法。 - 【請求項26】(a)3’α−スルホニル基を有する
2’α−ハロ−5’−保護ピリミジニルリボヌクレオシ
ド化合物とトリC1−C12アルキル錫水素化物還元剤
及び触媒量のラジカル開始剤とを、脱ハロゲン化ビリミ
ジニル2’−デオキシリボヌクレオシド化合物を生ずる
条件下でエーテル、エステル又はケトン溶媒中で接触さ
せる段階、次に(b)段階(a)で形成された脱ハロゲ
ン化ピリミジニル2’−デオキシリボヌクレオシド化合
物と塩基、リチウム塩、及びアジド塩とを、3’α−ア
ジド基を有する5’−保護ピリミジニル2’、3’−ジ
デオキシリボヌクレオシド化合物の形成を生ずる条件下
で接触させる段階を含む方法。 - 【請求項27】5’−ヒドロキシル基及び3’α−アジ
ド基を有する化合物を形成するために段階(b)で形成
される5’−保護ピリミジニル2’、3’−ジデオキシ
リボヌクレオシド化合物を脱保護する追加の段階を伴う
請求項26の方法。 - 【請求項28】(a)2’α、3’α、5’−トリヒド
ロキシピリミジニルリボヌクレオシドとC1−C12ア
ルキル又はC6−C30アリールスルホニルクロリド及
び塩基とを、トリス(アルキルスルホニル)又はトリス
(アリールスルホニル)化合物を形成する条件下で接触
させる段階、(b)段階(a)で形成される化合物と塩
基とを2、2’−アンヒドロ化合物を形成する条件下で
接触させる段階、(c)段階(b)で形成される化合物
と金属カルボキシレートとを接触させて5’−カルボン
酸エステル化合物を生ずる段階、(d)段階(c)で形
成される化合物とハロゲン化水素酸(hydrohal
ic acid)とを接触させて2’α−ハロ−3’−
スルホニル−5’−カルボン酸ジエステル化合物を生成
する段階、(e)段階(d)で形成される化合物とトリ
C1−C12アルキル錫水素化物還元剤及び触媒量のラ
ジカル開始剤とを、エーテル、エステル又はケトン溶媒
中で接触させて、2’−デオキシ−3’−スルホニル−
5’−カルボン酸ジエステル化合物を生ずる段階を含む
方法。 - 【請求項29】(f)段階(e)で生成する脱ハロゲン
化化合物と塩基、リチウム塩及びアジド塩とを接触させ
て3’α−アジド化合物を生成する追加の段階を伴う請
求項28の方法。 - 【請求項30】(g)段階(f)で形成される化合物を
脱保護して5’−ヒドロキシル基及び3’α−アジド基
を有する化合物を形成する追加の段階を伴う請求項29
の方法。 - 【請求項31】式 【化9】 (式中、Rは、水素、C1−C12アルキル又はC6−
C30アリールであり、そしてR2は、C1−C12ア
ルキル又はC6−C30アリールである)の化合物。 - 【請求項32】RがC6−C30アリールである請求項
31の化合物。 - 【請求項33】式 【化10】 の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/152,803 US5466787A (en) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Process for preparing AZT |
US152,803 | 1993-11-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07188279A true JPH07188279A (ja) | 1995-07-25 |
Family
ID=22544519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6315434A Pending JPH07188279A (ja) | 1993-11-15 | 1994-11-15 | Azt及びその誘導体の製造方法 |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5466787A (ja) |
EP (1) | EP0653437B1 (ja) |
JP (1) | JPH07188279A (ja) |
KR (1) | KR100319127B1 (ja) |
CN (1) | CN1047781C (ja) |
AT (1) | ATE156833T1 (ja) |
AU (1) | AU672533B2 (ja) |
CA (1) | CA2135854A1 (ja) |
DE (1) | DE69404953T2 (ja) |
DK (1) | DK0653437T3 (ja) |
ES (1) | ES2107771T3 (ja) |
FI (1) | FI945321A (ja) |
GR (1) | GR3025375T3 (ja) |
HU (1) | HU219478B (ja) |
IL (1) | IL111568A (ja) |
TW (1) | TW432071B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN1055293C (zh) * | 1998-10-06 | 2000-08-09 | 中国人民解放军第二军医大学 | 一种β-胸苷的制备方法 |
EP1111656A4 (en) | 1999-06-07 | 2007-03-28 | Toshiba Lighting & Technology | DISCHARGE TUBE, DISCHARGE TUBE DEVICE AND IMAGE READER |
US7160537B2 (en) * | 2003-12-15 | 2007-01-09 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for preparing radiolabeled thymidine having low chromophoric byproducts |
US20050131224A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Cti Pet Systems, Inc. | Method for preparing radiolabeled thymidine |
CN101376667B (zh) * | 2007-08-27 | 2011-01-12 | 上海迪赛诺医药发展有限公司 | 一种合成齐多夫定的中间体及其制备方法和该中间体在合成齐多夫定中的应用 |
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