JPH07184318A - 逆接続されたバッテリーに対する保護回路 - Google Patents
逆接続されたバッテリーに対する保護回路Info
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- JPH07184318A JPH07184318A JP6134942A JP13494294A JPH07184318A JP H07184318 A JPH07184318 A JP H07184318A JP 6134942 A JP6134942 A JP 6134942A JP 13494294 A JP13494294 A JP 13494294A JP H07184318 A JPH07184318 A JP H07184318A
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 208000027386 essential tremor 1 Diseases 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0034—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using reverse polarity correcting or protecting circuits
-
- H—ELECTRICITY
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- H02J2310/00—The network for supplying or distributing electric power characterised by its spatial reach or by the load
- H02J2310/40—The network being an on-board power network, i.e. within a vehicle
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- Electronic Switches (AREA)
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- Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バッテリを逆接続することによって多くの
自己絶縁または接合絶縁されたＩＣ技術で生じるＩＣ内
の多くの接合部が順方向バイアスされること、及び基層
に少数キャリアが流れ、ラッチアップ現象、過剰な熱の
発生または他の望まれない効果の発生を防止することを
目的とする。 【構成】 バッテリと、負荷と、逆接続された前記バ
ッテリに対して前記負荷を保護するためのデバイスとか
らなる逆接続されたバッテリに対する保護回路であっ
て、前記デバイスが、前記バッテリが、前記バッテリと
前記負荷とに直列に接続されたＭＯＳＦＥＴと順接続さ
れたとき、前記ＭＯＳＦＥＴを導通状態にバイアスする
第１手段と、前記バッテリが逆接続されたときに、前記
ＭＯＳＦＥＴを非導通状態にバイアスする第２手段とを
有することからなる。
自己絶縁または接合絶縁されたＩＣ技術で生じるＩＣ内
の多くの接合部が順方向バイアスされること、及び基層
に少数キャリアが流れ、ラッチアップ現象、過剰な熱の
発生または他の望まれない効果の発生を防止することを
目的とする。 【構成】 バッテリと、負荷と、逆接続された前記バ
ッテリに対して前記負荷を保護するためのデバイスとか
らなる逆接続されたバッテリに対する保護回路であっ
て、前記デバイスが、前記バッテリが、前記バッテリと
前記負荷とに直列に接続されたＭＯＳＦＥＴと順接続さ
れたとき、前記ＭＯＳＦＥＴを導通状態にバイアスする
第１手段と、前記バッテリが逆接続されたときに、前記
ＭＯＳＦＥＴを非導通状態にバイアスする第２手段とを
有することからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、逆接続されたバッテリ
によって電力を供給されるときに、集積回路及び他の半
導体デバイスを損傷から保護するための技術に関する。
特に、本発明は、車両に搭載された回路デバイスが、逆
接続されたバッテリから損傷を受けることを防止する技
術に関する。
によって電力を供給されるときに、集積回路及び他の半
導体デバイスを損傷から保護するための技術に関する。
特に、本発明は、車両に搭載された回路デバイスが、逆
接続されたバッテリから損傷を受けることを防止する技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車の車両に集積回路及び半導体デバ
イスを用いることによって、設計者が利用することので
きる制御の能力が非常に増加した。しかしながら、同時
に、これらの構成要素を逆接続されたバッテリから保護
する必要性が発生した。コンピュータなどの多くの半導
体デバイスは、例えば電源とグランドとの間に接続され
たダイオードを含む。バッテリが順接続されたとき（即
ちその負の電極がシャーシのグランドに接続されたと
き）、これらのダイオードは逆バイアスされている。一
方、バッテリが逆接続された場合、これらのダイオード
は順方向バイアスされることとなる。その結果、デバイ
スを破壊することになる大電流が流れる。即ち、それら
のデバイスの全ては、逆接続されたバッテリに対して保
護されなければならない。
イスを用いることによって、設計者が利用することので
きる制御の能力が非常に増加した。しかしながら、同時
に、これらの構成要素を逆接続されたバッテリから保護
する必要性が発生した。コンピュータなどの多くの半導
体デバイスは、例えば電源とグランドとの間に接続され
たダイオードを含む。バッテリが順接続されたとき（即
ちその負の電極がシャーシのグランドに接続されたと
き）、これらのダイオードは逆バイアスされている。一
方、バッテリが逆接続された場合、これらのダイオード
は順方向バイアスされることとなる。その結果、デバイ
スを破壊することになる大電流が流れる。即ち、それら
のデバイスの全ては、逆接続されたバッテリに対して保
護されなければならない。
【０００３】多くの自動車車両では、ショットキーダイ
オードが負荷と直列接続されており、バッテリが順接続
されたとき順方向バイアスされる。バッテリが逆接続さ
れた場合、ダイオードは逆バイアスされ、負荷に逆電流
が流れることまたは負電圧が印加されることが防止され
る。この技術の欠点は、通常の動作の間に、順方向バイ
アスされたダイオードに電圧降下が生じ、熱エネルギが
発生することである。例えば、６０Ｖのショットキーダ
イオードは０．６Ｖの電圧降下を生じ、かつ２０Ａの電
流が流れ１４Ｗの熱エネルギが生ずることになる。この
熱エネルギはダイオードから放出されなければならな
い。しかしながら、多くの部品がプラスチックから形成
されているために、自動車車両内にヒートシンクを見い
だすことはより難しくなっている。エンジンの部品の金
属の表面は、ヒートシンクとして働くためには概ね加熱
されすぎている。
オードが負荷と直列接続されており、バッテリが順接続
されたとき順方向バイアスされる。バッテリが逆接続さ
れた場合、ダイオードは逆バイアスされ、負荷に逆電流
が流れることまたは負電圧が印加されることが防止され
る。この技術の欠点は、通常の動作の間に、順方向バイ
アスされたダイオードに電圧降下が生じ、熱エネルギが
発生することである。例えば、６０Ｖのショットキーダ
イオードは０．６Ｖの電圧降下を生じ、かつ２０Ａの電
流が流れ１４Ｗの熱エネルギが生ずることになる。この
熱エネルギはダイオードから放出されなければならな
い。しかしながら、多くの部品がプラスチックから形成
されているために、自動車車両内にヒートシンクを見い
だすことはより難しくなっている。エンジンの部品の金
属の表面は、ヒートシンクとして働くためには概ね加熱
されすぎている。
【０００４】この問題に対する最も有効な方法は、順方
向の等価抵抗が５０ｍΩ以下である、理想ダイオードに
できるだけ近いデバイスを用いることである。可能な方
法の１つとして、負荷と直列に接続され、そのソースが
バッテリに接続され、かつそのドレインが負荷に接続さ
れた低いオン抵抗を備えたＮチャネル電力用ＭＯＳＦＥ
Ｔを用いることである。通常動作中では、適切に駆動さ
れたとき、電力用ＭＯＳＦＥＴの低抵抗のチャネルは、
ドレイン−ボディ領域間の真性ダイオードから分流し、
オン状態の低い電圧降下を生み出す。ドレイン−ボディ
接合部によって形成されたダイオードは、ＭＯＳＦＥＴ
内でソース−ボディ領域間がショートされるとき、常に
ＭＯＳＦＥＴのソース−ドレイン領域の端子と並列な状
態となる。バーチカルＤＭＯＳでは、ソース−ボディ領
域の短絡部が共通となっている。バッテリが反転された
場合、ＭＯＳＦＥＴが遮断され、本来のドレイン−ボデ
ィ領域のダイオードが逆バイアスされた状態で残され
る。しかし、ＭＯＳＦＥＴを導通させるためには、ＭＯ
ＳＦＥＴのゲートが、バッテリに接続されたソースより
も少なくとも８Ｖ高い電圧でバイアスされなければなら
ない。チャージポンプ手段または同様の手段が、ＭＯＳ
ＦＥＴが十分に導通することを保証するために十分な振
幅を備えたゲート−ソース間の電圧を形成するために必
要である。従って、このチャージポンプ手段はバッテリ
に直接接続された１個の端子を有する。
向の等価抵抗が５０ｍΩ以下である、理想ダイオードに
できるだけ近いデバイスを用いることである。可能な方
法の１つとして、負荷と直列に接続され、そのソースが
バッテリに接続され、かつそのドレインが負荷に接続さ
れた低いオン抵抗を備えたＮチャネル電力用ＭＯＳＦＥ
Ｔを用いることである。通常動作中では、適切に駆動さ
れたとき、電力用ＭＯＳＦＥＴの低抵抗のチャネルは、
ドレイン−ボディ領域間の真性ダイオードから分流し、
オン状態の低い電圧降下を生み出す。ドレイン−ボディ
接合部によって形成されたダイオードは、ＭＯＳＦＥＴ
内でソース−ボディ領域間がショートされるとき、常に
ＭＯＳＦＥＴのソース−ドレイン領域の端子と並列な状
態となる。バーチカルＤＭＯＳでは、ソース−ボディ領
域の短絡部が共通となっている。バッテリが反転された
場合、ＭＯＳＦＥＴが遮断され、本来のドレイン−ボデ
ィ領域のダイオードが逆バイアスされた状態で残され
る。しかし、ＭＯＳＦＥＴを導通させるためには、ＭＯ
ＳＦＥＴのゲートが、バッテリに接続されたソースより
も少なくとも８Ｖ高い電圧でバイアスされなければなら
ない。チャージポンプ手段または同様の手段が、ＭＯＳ
ＦＥＴが十分に導通することを保証するために十分な振
幅を備えたゲート−ソース間の電圧を形成するために必
要である。従って、このチャージポンプ手段はバッテリ
に直接接続された１個の端子を有する。
【０００５】半導体デバイスが、ゲート−ソース間の電
圧を提供するために用いられた場合、このデバイスは、
自動車車両の他のデバイスと同様の逆接続されたバッテ
リの問題の影響を受けることになる。即ち、ゲートドラ
イバが、バッテリの＋端子と−端子に直接接続されてい
る場合（即ち車両の“ホット”端子とグランド端子との
間に接続されている場合）、バッテリが逆接続されてい
る場合、デバイスには逆方向電圧が印加されることにな
る。多くの自己絶縁または接合絶縁されたＩＣ技術で
は、バッテリを逆接続することによって、ＩＣ内の多く
の接合部が、順方向バイアスされ、基層に少数キャリア
が流れ、ラッチアップ現象、過剰な熱の発生または他の
望まれない効果が生ずる。
圧を提供するために用いられた場合、このデバイスは、
自動車車両の他のデバイスと同様の逆接続されたバッテ
リの問題の影響を受けることになる。即ち、ゲートドラ
イバが、バッテリの＋端子と−端子に直接接続されてい
る場合（即ち車両の“ホット”端子とグランド端子との
間に接続されている場合）、バッテリが逆接続されてい
る場合、デバイスには逆方向電圧が印加されることにな
る。多くの自己絶縁または接合絶縁されたＩＣ技術で
は、バッテリを逆接続することによって、ＩＣ内の多く
の接合部が、順方向バイアスされ、基層に少数キャリア
が流れ、ラッチアップ現象、過剰な熱の発生または他の
望まれない効果が生ずる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多く
の自己絶縁または接合絶縁されたＩＣ技術で生じる、バ
ッテリを逆接続することによる、ＩＣ内の多くの接合部
が順方向バイアスされること、及び基層に少数キャリア
が流れ、ラッチアップ現象、過剰な熱の発生または他の
望まれない効果が生ずることを防止することである。
の自己絶縁または接合絶縁されたＩＣ技術で生じる、バ
ッテリを逆接続することによる、ＩＣ内の多くの接合部
が順方向バイアスされること、及び基層に少数キャリア
が流れ、ラッチアップ現象、過剰な熱の発生または他の
望まれない効果が生ずることを防止することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述された目的は、バッ
テリと、負荷と、逆接続された前記バッテリの効果に対
して前記負荷を保護するためのデバイスとからなる保護
回路であって、前記デバイスが、前記バッテリが、前記
バッテリと前記負荷とに直列に接続されたＭＯＳＦＥＴ
と順接続されたとき、前記ＭＯＳＦＥＴを導通状態にバ
イアスする第１手段と、前記バッテリが逆接続されたと
きに、前記ＭＯＳＦＥＴを非導通状態にバイアスする第
２手段とを有することを特徴とする保護回路を提供する
ことによって達成される。
テリと、負荷と、逆接続された前記バッテリの効果に対
して前記負荷を保護するためのデバイスとからなる保護
回路であって、前記デバイスが、前記バッテリが、前記
バッテリと前記負荷とに直列に接続されたＭＯＳＦＥＴ
と順接続されたとき、前記ＭＯＳＦＥＴを導通状態にバ
イアスする第１手段と、前記バッテリが逆接続されたと
きに、前記ＭＯＳＦＥＴを非導通状態にバイアスする第
２手段とを有することを特徴とする保護回路を提供する
ことによって達成される。
【０００８】
【作用】本発明に基づけば、電力用ＭＯＳＦＥＴがバッ
テリによって電力を供給される負荷と直列に接続され
る。ＭＯＳＦＥＴのソースはバッテリに接続され、ＭＯ
ＳＦＥＴのドレインは負荷に接続される。ＭＯＳＦＥＴ
のゲートは“フローティング”ドライバによって駆動さ
れ、このドライバは、大きい逆方向電流を流すことを防
止する高抵抗信号パスのみを通してバッテリの端子間に
接続されている。その代わりに、フローティングドライ
バは、バッテリの正電極のみに接続され、グランドに接
続された直流導電性パスによって電力を供給された論理
回路または制御回路を含んでいない。ゲートドライバ
は、グランドを基準とした“低電位側”コントローラに
接続されており、この低電位側コントローラはバッテリ
の“ホット”ラインに直接接続されており、電力用ＭＯ
ＳＦＥＴの保護されたサイドから電力を供給されてい
る。従って、バッテリが逆に接続された場合、ゲートド
ライバ及び制御回路の何れもが逆バイアスされることが
ない。ゲートドライバは、ＭＯＳＦＥＴのゲートをソー
スに短絡させる装置を含み、従ってバッテリが逆接続さ
れた場合ＭＯＳＦＥＴを遮断することができる。好適な
実施例では、この装置はデプリーション型ＭＯＳＦＥＴ
からなる。
テリによって電力を供給される負荷と直列に接続され
る。ＭＯＳＦＥＴのソースはバッテリに接続され、ＭＯ
ＳＦＥＴのドレインは負荷に接続される。ＭＯＳＦＥＴ
のゲートは“フローティング”ドライバによって駆動さ
れ、このドライバは、大きい逆方向電流を流すことを防
止する高抵抗信号パスのみを通してバッテリの端子間に
接続されている。その代わりに、フローティングドライ
バは、バッテリの正電極のみに接続され、グランドに接
続された直流導電性パスによって電力を供給された論理
回路または制御回路を含んでいない。ゲートドライバ
は、グランドを基準とした“低電位側”コントローラに
接続されており、この低電位側コントローラはバッテリ
の“ホット”ラインに直接接続されており、電力用ＭＯ
ＳＦＥＴの保護されたサイドから電力を供給されてい
る。従って、バッテリが逆に接続された場合、ゲートド
ライバ及び制御回路の何れもが逆バイアスされることが
ない。ゲートドライバは、ＭＯＳＦＥＴのゲートをソー
スに短絡させる装置を含み、従ってバッテリが逆接続さ
れた場合ＭＯＳＦＥＴを遮断することができる。好適な
実施例では、この装置はデプリーション型ＭＯＳＦＥＴ
からなる。
【０００９】本発明の他の観点に基づけば、センス装置
が、バッテリの電圧が（適切に接続された）保護用ＭＯ
ＳＦＥＴが完全に遮断される点以下になるときを検知す
る。センス装置は、負荷の全体または一部を遮断するた
めに行われる適切な補正動作を起こす信号を発生する。
が、バッテリの電圧が（適切に接続された）保護用ＭＯ
ＳＦＥＴが完全に遮断される点以下になるときを検知す
る。センス装置は、負荷の全体または一部を遮断するた
めに行われる適切な補正動作を起こす信号を発生する。
【００１０】
【実施例】１は、バッテリ１１と負荷１２との間に直列
に接続された電力用ＭＯＳＦＥＴ１０を表している。Ｍ
ＯＳＦＥＴ１０は、シリコニクス社によって製造された
モデルＳＭＰ６０Ｎ０６−１８のようなＮチャネルの電
力用ＭＯＳＦＥＴからなる。ダイオード１３は、ＭＯＳ
ＦＥＴ１０のボディ領域からドレイン領域へのダイオー
ドを表している。負荷１２は、全ての能動デバイス、ス
イッチ及び保護用デバイスを含む例えば自動車用電気シ
ステムの全体の“負荷”を表している。負荷１２は、さ
まざまな構成要素を大きい正の電圧または負の電圧への
変化から保護するための、例えばダイオードまたは他の
要素を含む。これらの要素は電力用ＭＯＳＦＥＴ１０と
共働し、負荷のさまざまな電気的構成要素を逆に接続さ
れたバッテリから保護する。
に接続された電力用ＭＯＳＦＥＴ１０を表している。Ｍ
ＯＳＦＥＴ１０は、シリコニクス社によって製造された
モデルＳＭＰ６０Ｎ０６−１８のようなＮチャネルの電
力用ＭＯＳＦＥＴからなる。ダイオード１３は、ＭＯＳ
ＦＥＴ１０のボディ領域からドレイン領域へのダイオー
ドを表している。負荷１２は、全ての能動デバイス、ス
イッチ及び保護用デバイスを含む例えば自動車用電気シ
ステムの全体の“負荷”を表している。負荷１２は、さ
まざまな構成要素を大きい正の電圧または負の電圧への
変化から保護するための、例えばダイオードまたは他の
要素を含む。これらの要素は電力用ＭＯＳＦＥＴ１０と
共働し、負荷のさまざまな電気的構成要素を逆に接続さ
れたバッテリから保護する。
【００１１】図１Ａは、通常の動作中のＭＯＳＦＥＴ１
０を表しており、このＭＯＳＦＥＴ１０はそのソースが
バッテリ１１の正電極に接続され、そのドレインが負荷
１２に接続されている。バッテリ１１の負電極はグラン
ドに接続されており、バッテリの正電極は電圧ＶBAT
（通常は１２Ｖ）を提供している。ＭＯＳＦＥＴ１０が
導通することを確実にするためにそのゲート端子は、Ｖ
BATよりも少なくとも８Ｖ高い電圧ＶGに保持されなけれ
ばならない。この状況では、低抵抗パスであるＭＯＳＦ
ＥＴ１０のＮチャネルとダイオード１３を流れる電流は
効果的に分流される。
０を表しており、このＭＯＳＦＥＴ１０はそのソースが
バッテリ１１の正電極に接続され、そのドレインが負荷
１２に接続されている。バッテリ１１の負電極はグラン
ドに接続されており、バッテリの正電極は電圧ＶBAT
（通常は１２Ｖ）を提供している。ＭＯＳＦＥＴ１０が
導通することを確実にするためにそのゲート端子は、Ｖ
BATよりも少なくとも８Ｖ高い電圧ＶGに保持されなけれ
ばならない。この状況では、低抵抗パスであるＭＯＳＦ
ＥＴ１０のＮチャネルとダイオード１３を流れる電流は
効果的に分流される。
【００１２】図１Ｂは、バッテリ１１が逆向きに接続さ
れた場合のＭＯＳＦＥＴ１０を表している。ＭＯＳＦＥ
Ｔ１０のゲートとソースは短絡されており（ＶGS＝
０）、従ってＭＯＳＦＥＴ１０はターンオフしている。
ダイオード１３は逆バイアスされており、事実上ＭＯＳ
ＦＥＴ１０には電流が流れない。バッテリ１０の全体の
電圧降下はＭＯＳＦＥＴ１０によって維持され、負荷１
２のさまざまなデバイスは、逆電位から保護される。
れた場合のＭＯＳＦＥＴ１０を表している。ＭＯＳＦＥ
Ｔ１０のゲートとソースは短絡されており（ＶGS＝
０）、従ってＭＯＳＦＥＴ１０はターンオフしている。
ダイオード１３は逆バイアスされており、事実上ＭＯＳ
ＦＥＴ１０には電流が流れない。バッテリ１０の全体の
電圧降下はＭＯＳＦＥＴ１０によって維持され、負荷１
２のさまざまなデバイスは、逆電位から保護される。
【００１３】図２は、ＭＯＳＦＥＴ１０のソース−ゲー
ト電圧ＶGSを制御するために用いられる回路のブロック
図を表している。“フローティング”ゲートドライバ２
０は、バッテリ１１の正電極とＭＯＳＦＥＴ１０のゲー
トとの間に接続されている。低側コントローラ２１はグ
ランドとＭＯＳＦＥＴ１０のドレインとの間に接続され
ている。この実施例では、ゲートドライバ２０及びコン
トローラ２１は互いにピン１、２、３及びＳＵＢによっ
て接続された別個のＩＣからなる。ＳＵＢピンは、フロ
ーティングゲートドライバ２０の基板と、コントローラ
２１の基板を接続している。
ト電圧ＶGSを制御するために用いられる回路のブロック
図を表している。“フローティング”ゲートドライバ２
０は、バッテリ１１の正電極とＭＯＳＦＥＴ１０のゲー
トとの間に接続されている。低側コントローラ２１はグ
ランドとＭＯＳＦＥＴ１０のドレインとの間に接続され
ている。この実施例では、ゲートドライバ２０及びコン
トローラ２１は互いにピン１、２、３及びＳＵＢによっ
て接続された別個のＩＣからなる。ＳＵＢピンは、フロ
ーティングゲートドライバ２０の基板と、コントローラ
２１の基板を接続している。
【００１４】図３は、ゲートドライバ２０とコントロー
ラ２１のいくつかの回路を表している。電圧レギュレー
タ３０は、ＭＯＳＦＥＴ１０の“保護された”側に接続
されている。通常の環境では、順方向バイアスされたダ
イオード１３によって負荷が始めから提供されている。
回路が動作した後に、チャージポンプ回路がＭＯＳＦＥ
Ｔ１０の駆動を増加し、ＭＯＳＦＥＴのチャネルを通し
てダイオード１３から電流を分流させる。電圧レギュレ
ータ３０は例えば５Ｖの電圧を発振器３１に供給する。
発振器３１の２個の出力は、静電容量Ｃ1〜Ｃ3と、ダイ
オードＤ3〜Ｄ6を含むチャージポンプ回路を駆動する。
発振器３１の一方の出力は静電容量Ｃ1とＣ3に接続さ
れ、発振器３１のもう一方の出力は静電容量Ｃ2に接続
されている。発振器３１の出力が、互いに１８０°位相
の異なる信号を出力する場合、当業者にはよく知られて
いるように、電荷が静電容量Ｃ1、静電容量Ｃ2、静電容
量Ｃ3から、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートへ伝達される。
ＶBAT＝１２Ｖと仮定すれば、チャージポンプ回路は、
約３４ＶのＶGまたは約２２ＶのＶGSを提供する。しか
し、２２ＶのＶGSが、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート絶縁層
をブレークダウンさせるので、ツェナーダイオードＧ2
がＶGSを最大値１６Ｖにクランプする。
ラ２１のいくつかの回路を表している。電圧レギュレー
タ３０は、ＭＯＳＦＥＴ１０の“保護された”側に接続
されている。通常の環境では、順方向バイアスされたダ
イオード１３によって負荷が始めから提供されている。
回路が動作した後に、チャージポンプ回路がＭＯＳＦＥ
Ｔ１０の駆動を増加し、ＭＯＳＦＥＴのチャネルを通し
てダイオード１３から電流を分流させる。電圧レギュレ
ータ３０は例えば５Ｖの電圧を発振器３１に供給する。
発振器３１の２個の出力は、静電容量Ｃ1〜Ｃ3と、ダイ
オードＤ3〜Ｄ6を含むチャージポンプ回路を駆動する。
発振器３１の一方の出力は静電容量Ｃ1とＣ3に接続さ
れ、発振器３１のもう一方の出力は静電容量Ｃ2に接続
されている。発振器３１の出力が、互いに１８０°位相
の異なる信号を出力する場合、当業者にはよく知られて
いるように、電荷が静電容量Ｃ1、静電容量Ｃ2、静電容
量Ｃ3から、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートへ伝達される。
ＶBAT＝１２Ｖと仮定すれば、チャージポンプ回路は、
約３４ＶのＶGまたは約２２ＶのＶGSを提供する。しか
し、２２ＶのＶGSが、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート絶縁層
をブレークダウンさせるので、ツェナーダイオードＧ2
がＶGSを最大値１６Ｖにクランプする。
【００１５】バッテリ１１が逆接続されている場合、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１０のゲート及びソースはデプリーション型
ＭＯＳＦＥＴＭ1によって短絡させられる。デプリーシ
ョン型ＭＯＳＦＥＴＭ1のソースは、ＭＯＳＦＥＴ１０
のソースに接続されており、デプリーション型ＭＯＳＦ
ＥＴＭ1のドレインは、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートに接
続されている。ＭＯＳＦＥＴＭ1のゲート及びボディ領
域は、互いに短絡され、かつダイオードＧ1を通してバ
ッテリ１１に接続され、高抵抗Ｒ1を通してグランドに
接続されている。典型的なデプリーション型ＭＯＳＦＥ
Ｔと同様に、ＭＯＳＦＥＴＭ1は、ＶGSが０のときター
ンオンし、そのソースが、デバイスのピンチオフ電圧Ｖ
T以上の値だけ、ゲートよりも低くバイアスされたとき
にターンオフする（即ちＶGS≦ＶT）。グランドに接続
する目的は、入力信号（図示されていない）を高電位側
に提供することである。このグランドへの接続は信号パ
スのみであり、電流は高い値の抵抗Ｒ1によって制限さ
れる。
ＯＳＦＥＴ１０のゲート及びソースはデプリーション型
ＭＯＳＦＥＴＭ1によって短絡させられる。デプリーシ
ョン型ＭＯＳＦＥＴＭ1のソースは、ＭＯＳＦＥＴ１０
のソースに接続されており、デプリーション型ＭＯＳＦ
ＥＴＭ1のドレインは、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートに接
続されている。ＭＯＳＦＥＴＭ1のゲート及びボディ領
域は、互いに短絡され、かつダイオードＧ1を通してバ
ッテリ１１に接続され、高抵抗Ｒ1を通してグランドに
接続されている。典型的なデプリーション型ＭＯＳＦＥ
Ｔと同様に、ＭＯＳＦＥＴＭ1は、ＶGSが０のときター
ンオンし、そのソースが、デバイスのピンチオフ電圧Ｖ
T以上の値だけ、ゲートよりも低くバイアスされたとき
にターンオフする（即ちＶGS≦ＶT）。グランドに接続
する目的は、入力信号（図示されていない）を高電位側
に提供することである。このグランドへの接続は信号パ
スのみであり、電流は高い値の抵抗Ｒ1によって制限さ
れる。
【００１６】この回路の動作が、以下に３つの可能な状
態に関して説明される。第１の状態では、バッテリが接
続され、かつ適切に、即ちＶBAT＝１２Ｖで動作してい
る。ＭＯＳＦＥＴＭ1のソースが、バッテリ１１の正電
極に接続され、ＭＯＳＦＥＴＭ1のゲートがグランドに
接続されているので、ＭＯＳＦＥＴＭ1の電圧ＶGSはお
よそ−１２Ｖに等しい。ＭＯＳＦＥＴＭ1は約−５Ｖの
ピンチオフ電圧を備えているので、ＶGS＝−１２Ｖのと
き、ＭＯＳＦＥＴＭ1はターンオフする。従って、上述
されたように、チャージポンプ回路は、ＭＯＳＦＥＴ１
０のＶGSが約１６ＶとなるまでＭＯＳＦＥＴ１０のゲー
トを駆動する。従って、電流がＭＯＳＦＥＴ１０のＮチ
ャネルを流れ、ＭＯＳＦＥＴ１０の抵抗は約１８〜５０
ｍΩとなる。
態に関して説明される。第１の状態では、バッテリが接
続され、かつ適切に、即ちＶBAT＝１２Ｖで動作してい
る。ＭＯＳＦＥＴＭ1のソースが、バッテリ１１の正電
極に接続され、ＭＯＳＦＥＴＭ1のゲートがグランドに
接続されているので、ＭＯＳＦＥＴＭ1の電圧ＶGSはお
よそ−１２Ｖに等しい。ＭＯＳＦＥＴＭ1は約−５Ｖの
ピンチオフ電圧を備えているので、ＶGS＝−１２Ｖのと
き、ＭＯＳＦＥＴＭ1はターンオフする。従って、上述
されたように、チャージポンプ回路は、ＭＯＳＦＥＴ１
０のＶGSが約１６ＶとなるまでＭＯＳＦＥＴ１０のゲー
トを駆動する。従って、電流がＭＯＳＦＥＴ１０のＮチ
ャネルを流れ、ＭＯＳＦＥＴ１０の抵抗は約１８〜５０
ｍΩとなる。
【００１７】第２の状況では、バッテリ１１は、逆接続
されている。この状況では、ＭＯＳＦＥＴＭ1のＶGSは
約＋１２Ｖであり、従ってＭＯＳＦＥＴＭ1がターンオ
フする。ＭＯＳＦＥＴＭ1がターンオンすることによっ
て、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートとソースが短絡させら
れ、ＭＯＳＦＥＴ１０がターンオフし、負荷１２の半導
体要素に逆方向電圧が加えられることが防止される。動
的に表現すれば、ＭＯＳＦＥＴＭ1がＭＯＳＦＥＴ１０
のゲートとソースとを短絡し、逆電圧がＭＯＳＦＥＴ１
０に現れる前に、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート静電容量か
ら全てのエネルギを取り除く。従って、ＭＯＳＦＥＴ１
０に逆電圧が現れたとき、ＭＯＳＦＥＴ１０は既にター
ンオフしている。
されている。この状況では、ＭＯＳＦＥＴＭ1のＶGSは
約＋１２Ｖであり、従ってＭＯＳＦＥＴＭ1がターンオ
フする。ＭＯＳＦＥＴＭ1がターンオンすることによっ
て、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートとソースが短絡させら
れ、ＭＯＳＦＥＴ１０がターンオフし、負荷１２の半導
体要素に逆方向電圧が加えられることが防止される。動
的に表現すれば、ＭＯＳＦＥＴＭ1がＭＯＳＦＥＴ１０
のゲートとソースとを短絡し、逆電圧がＭＯＳＦＥＴ１
０に現れる前に、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート静電容量か
ら全てのエネルギを取り除く。従って、ＭＯＳＦＥＴ１
０に逆電圧が現れたとき、ＭＯＳＦＥＴ１０は既にター
ンオフしている。
【００１８】ＭＯＳＦＥＴＭ1の固有のソース−ボディ
間のダイオードが比較的高い値の抵抗Ｒ1に直列に接続
されているために、ＭＯＳＦＥＴＭ1は逆方向電圧に対
して保護されている。抵抗Ｒ1の値は、例えば１０ｋΩ
である。上述されたように、ゲートドライバ２０とコン
トローラ２１は異なるチップ上に形成されている。発振
器３１と、コントローラ２１の他の構成要素は、ＭＯＳ
ＦＥＴＭ1のソース−ボディダイオードの順方向バイア
スに影響されない。更に、ＭＯＳＦＥＴＭ1がスナップ
バック（ｓｎａｐｓ ｂａｃｋ）またはラッチアップし
た場合でも、ＭＯＳＦＥＴＭ1は、より速くＭＯＳＦＥ
Ｔ１０のゲートとソースを短絡する。たとえ、ゲートド
ライバ２０が一時的に適切に動作しなくなった場合で
も、ＭＯＳＦＥＴＭ1は、ＭＯＳＦＥＴ１０を迅速にタ
ーンオフさせる。電流制限抵抗Ｒ１及び静電容量Ｃ1〜
Ｃ3は、コントローラ２１の回路が不利な結果となるこ
とを防止する。高電位側の回路は、その基板とグランド
との間に低抵抗が接続されていない回路と考えることが
できる。従って、基板間の接続部を強く順方向バイアス
することはできない。ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートを駆動
するために必要な低抵抗パスは、静電容量Ｃ1、Ｃ2及び
Ｃ3を交流カップリングすることによって提供される。
これらの静電容量は、直流電流を遮断する直流的に“オ
ープンな”接続部である。
間のダイオードが比較的高い値の抵抗Ｒ1に直列に接続
されているために、ＭＯＳＦＥＴＭ1は逆方向電圧に対
して保護されている。抵抗Ｒ1の値は、例えば１０ｋΩ
である。上述されたように、ゲートドライバ２０とコン
トローラ２１は異なるチップ上に形成されている。発振
器３１と、コントローラ２１の他の構成要素は、ＭＯＳ
ＦＥＴＭ1のソース−ボディダイオードの順方向バイア
スに影響されない。更に、ＭＯＳＦＥＴＭ1がスナップ
バック（ｓｎａｐｓ ｂａｃｋ）またはラッチアップし
た場合でも、ＭＯＳＦＥＴＭ1は、より速くＭＯＳＦＥ
Ｔ１０のゲートとソースを短絡する。たとえ、ゲートド
ライバ２０が一時的に適切に動作しなくなった場合で
も、ＭＯＳＦＥＴＭ1は、ＭＯＳＦＥＴ１０を迅速にタ
ーンオフさせる。電流制限抵抗Ｒ１及び静電容量Ｃ1〜
Ｃ3は、コントローラ２１の回路が不利な結果となるこ
とを防止する。高電位側の回路は、その基板とグランド
との間に低抵抗が接続されていない回路と考えることが
できる。従って、基板間の接続部を強く順方向バイアス
することはできない。ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートを駆動
するために必要な低抵抗パスは、静電容量Ｃ1、Ｃ2及び
Ｃ3を交流カップリングすることによって提供される。
これらの静電容量は、直流電流を遮断する直流的に“オ
ープンな”接続部である。
【００１９】第３の状況では、バッテリ１１は適切に接
続されているが、バッテリ１１の出力は例えば４Ｖまた
は５Ｖに降下している。バッテリ１１の出力がＭＯＳＦ
ＥＴＭ1のピンチオフ電圧に近いために、ＭＯＳＦＥＴ
Ｍ1は僅かに導通しており、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート
から洩れ電流が流れる。しかし、ＭＯＳＦＥＴＭ1は十
分に導通していない。更に、ＭＯＳＦＥＴ１０のＶGSは
この状況では８〜１０Ｖに近い値であり、従ってＭＯＳ
ＦＥＴ１０はターンオフ状態に近付き、ターンオフする
可能性がある。この状況では、大きい電圧降下がＭＯＳ
ＦＥＴ１０の両端間に発生する可能性がある。大電流が
流れるとき、多くの電力が消費され、ＭＯＳＦＥＴ１０
が加熱されかつＭＯＳＦＥＴ１０を損傷させる。ＭＯＳ
ＦＥＴ１０のＶGSがグランドからおよそ８Ｖ高い値以下
のとき、またはＶBATより４Ｖ高い値以下のとき、ＭＯ
ＳＦＥＴ１０はターンオフし、全ての電流がダイオード
１３を通って流れる。このとき大量の電力が消費され
る。
続されているが、バッテリ１１の出力は例えば４Ｖまた
は５Ｖに降下している。バッテリ１１の出力がＭＯＳＦ
ＥＴＭ1のピンチオフ電圧に近いために、ＭＯＳＦＥＴ
Ｍ1は僅かに導通しており、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート
から洩れ電流が流れる。しかし、ＭＯＳＦＥＴＭ1は十
分に導通していない。更に、ＭＯＳＦＥＴ１０のＶGSは
この状況では８〜１０Ｖに近い値であり、従ってＭＯＳ
ＦＥＴ１０はターンオフ状態に近付き、ターンオフする
可能性がある。この状況では、大きい電圧降下がＭＯＳ
ＦＥＴ１０の両端間に発生する可能性がある。大電流が
流れるとき、多くの電力が消費され、ＭＯＳＦＥＴ１０
が加熱されかつＭＯＳＦＥＴ１０を損傷させる。ＭＯＳ
ＦＥＴ１０のＶGSがグランドからおよそ８Ｖ高い値以下
のとき、またはＶBATより４Ｖ高い値以下のとき、ＭＯ
ＳＦＥＴ１０はターンオフし、全ての電流がダイオード
１３を通って流れる。このとき大量の電力が消費され
る。
【００２０】この問題は、アンダーボルテージロックア
ウト（ＵＶＬ）回路３２を提供することによって解決さ
れる。ＵＶＬ回路３２は、負荷１２の両端間の電圧ＶDD
を監視する。ＶDDが例えば６Ｖ以下の場合、ＵＶＬ３２
は負荷１２の負荷要素のうちのある負荷要素を、システ
ムが遮断するような信号を送る。ＵＶＬ３２は、負荷電
流がＭＯＳＦＥＴ１０のゲートの利用可能な駆動電圧Ｖ
GSによって保持される点までに低下するまでこの動作を
続ける。さもなければ、ダイオード１３を流れる電流の
大部分によって、ＭＯＳＦＥＴ１０が再び加熱され、か
つ熱を放散させる問題が生じる。従って、ＵＶＬ３２
は、ＭＯＳＦＥＴ１０がオフしているかまたは部分的に
オンしている、０Ｖ及び＋６Ｖの間の“危険領域”内に
ＶDDが入るときを決定するセンスデバイスとして働く。
ウト（ＵＶＬ）回路３２を提供することによって解決さ
れる。ＵＶＬ回路３２は、負荷１２の両端間の電圧ＶDD
を監視する。ＶDDが例えば６Ｖ以下の場合、ＵＶＬ３２
は負荷１２の負荷要素のうちのある負荷要素を、システ
ムが遮断するような信号を送る。ＵＶＬ３２は、負荷電
流がＭＯＳＦＥＴ１０のゲートの利用可能な駆動電圧Ｖ
GSによって保持される点までに低下するまでこの動作を
続ける。さもなければ、ダイオード１３を流れる電流の
大部分によって、ＭＯＳＦＥＴ１０が再び加熱され、か
つ熱を放散させる問題が生じる。従って、ＵＶＬ３２
は、ＭＯＳＦＥＴ１０がオフしているかまたは部分的に
オンしている、０Ｖ及び＋６Ｖの間の“危険領域”内に
ＶDDが入るときを決定するセンスデバイスとして働く。
【００２１】図４は、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲートを駆動
するために、比較器４１を用いた他の実施例を表してい
る。ＭＯＳＦＥＴ１０と、バッテリ１１と、負荷１２
は、図３に示されているように直列に接続されている。
発振器４０は、インバータ４２、静電容量Ｃ10及びＣ1
1、及びダイオードＤ10、Ｄ11及びＤ12を含むチャージ
ポンプ回路を駆動する。この実施例のチャージポンプ回
路は、４個のダイオードを備えた図３の実施例とは異な
り、３個のダイオードを備えているが、さまざまな個数
のダイオードまたは他の要素を用いた種々のチャージポ
ンプ回路を特定の要求を満たすべく用いることができる
ことは明らかである。チャージポンプ回路によって生み
出された電荷は、静電容量Ｃ12に蓄えられ、この静電容
量Ｃ12の低圧側の端子は、バッテリ１１の正電極に接続
されている。ツェナーダイオードＧ14は、静電容量Ｃ12
の電圧を約１５Ｖに制限する。この電荷は、比較器４１
の電力入力４１Ａに供給され、比較器４１のもう一方の
電力入力４１Ｂは、バッテリ１１の正電極に接続されて
いる。導電性パスは、ダイオードＤ13と抵抗Ｒ10及びＲ
11とによって、バッテリ１１の正電極とグランドとの間
に形成されている。ダイオードＤ13と抵抗器Ｒ10の間の
共通点は、比較器４１の負の入力に接続されている。従
って、バッテリ１１が順接続された場合、比較器４１の
正の入力の電圧は、比較器４１の負の入力の電圧より
も、順方向バイアスされたダイオードＤ13の両端間の電
圧降下分（０．７Ｖ）だけ高くなっている。その結果、
ツェナーダイオードＤ14によって約１５Ｖに制限され
た、静電容量Ｃ12の電圧は、比較器４１の出力からＭＯ
ＳＦＥＴ１０のゲート端子に供給される。この電圧ＶGS
が約８Ｖよりも大きい場合、ＭＯＳＦＥＴ１０はターン
オフし、かつバッテリ１１と負荷１２との間の低いオン
抵抗の導電性パスを形成する。バッテリ１１が逆接続さ
れた場合、比較器４１の入力に加えられた電圧の極性が
反転する（即ちバッテリ１１の負電極が比較器４１の正
の入力に直接接続され、かつバッテリ１１の正電極がダ
イオードＤ16と抵抗Ｒ10を通して比較器４１の負の入力
に接続される）。比較器４１はＭＯＳＦＥＴ１０のゲー
トにＶGS＝０Ｖを印加する。従って、ＭＯＳＦＥＴ１０
はターンオフし、固有のダイオード１３が負荷１２を逆
に流れる電流を遮断する。バッテリが逆接続された状況
では、直流電流がＶBATからグランドへ流れるが、この
電流は高抵抗Ｒ10及びＲ11を通して流れるので、実際に
はごくわずかな電流しか流れない。
するために、比較器４１を用いた他の実施例を表してい
る。ＭＯＳＦＥＴ１０と、バッテリ１１と、負荷１２
は、図３に示されているように直列に接続されている。
発振器４０は、インバータ４２、静電容量Ｃ10及びＣ1
1、及びダイオードＤ10、Ｄ11及びＤ12を含むチャージ
ポンプ回路を駆動する。この実施例のチャージポンプ回
路は、４個のダイオードを備えた図３の実施例とは異な
り、３個のダイオードを備えているが、さまざまな個数
のダイオードまたは他の要素を用いた種々のチャージポ
ンプ回路を特定の要求を満たすべく用いることができる
ことは明らかである。チャージポンプ回路によって生み
出された電荷は、静電容量Ｃ12に蓄えられ、この静電容
量Ｃ12の低圧側の端子は、バッテリ１１の正電極に接続
されている。ツェナーダイオードＧ14は、静電容量Ｃ12
の電圧を約１５Ｖに制限する。この電荷は、比較器４１
の電力入力４１Ａに供給され、比較器４１のもう一方の
電力入力４１Ｂは、バッテリ１１の正電極に接続されて
いる。導電性パスは、ダイオードＤ13と抵抗Ｒ10及びＲ
11とによって、バッテリ１１の正電極とグランドとの間
に形成されている。ダイオードＤ13と抵抗器Ｒ10の間の
共通点は、比較器４１の負の入力に接続されている。従
って、バッテリ１１が順接続された場合、比較器４１の
正の入力の電圧は、比較器４１の負の入力の電圧より
も、順方向バイアスされたダイオードＤ13の両端間の電
圧降下分（０．７Ｖ）だけ高くなっている。その結果、
ツェナーダイオードＤ14によって約１５Ｖに制限され
た、静電容量Ｃ12の電圧は、比較器４１の出力からＭＯ
ＳＦＥＴ１０のゲート端子に供給される。この電圧ＶGS
が約８Ｖよりも大きい場合、ＭＯＳＦＥＴ１０はターン
オフし、かつバッテリ１１と負荷１２との間の低いオン
抵抗の導電性パスを形成する。バッテリ１１が逆接続さ
れた場合、比較器４１の入力に加えられた電圧の極性が
反転する（即ちバッテリ１１の負電極が比較器４１の正
の入力に直接接続され、かつバッテリ１１の正電極がダ
イオードＤ16と抵抗Ｒ10を通して比較器４１の負の入力
に接続される）。比較器４１はＭＯＳＦＥＴ１０のゲー
トにＶGS＝０Ｖを印加する。従って、ＭＯＳＦＥＴ１０
はターンオフし、固有のダイオード１３が負荷１２を逆
に流れる電流を遮断する。バッテリが逆接続された状況
では、直流電流がＶBATからグランドへ流れるが、この
電流は高抵抗Ｒ10及びＲ11を通して流れるので、実際に
はごくわずかな電流しか流れない。
【００２２】バッテリ１１の正電極とグランドとの間の
他の導電性パスは、ダイオードＤ15、抵抗Ｒ12及び静電
容量Ｃ13によって形成される。通常の動作では、ダイオ
ードＤ15は抵抗Ｒ12を通して静電容量Ｃ13を充電し、こ
の抵抗Ｒ12は電流制限抵抗として働く。静電容量Ｃ13は
基準電圧を提供する。バッテリの電圧が急速に低下する
とき、ダイオードＤ15の電圧の極性が反転し、これによ
ってバッテリを静電容量Ｃ13から遮断する。抵抗Ｒ11
は、バッテリが遮断されている場合か、またはバッテリ
が逆接続されている場合、静電容量Ｃ13を充電するため
のかなり長い時定数を提供する。抵抗Ｒ10はバッテリが
逆接続されているとき、ダイオードＤ17とツェナーダイ
オードＤ14を流れる電流を制限する。静電容量Ｃ13と並
列に接続されたダイオードＤ16は、静電容量に対して有
害な逆接続されたバッテリによって、静電容量Ｃ13が充
電されることを防止する。
他の導電性パスは、ダイオードＤ15、抵抗Ｒ12及び静電
容量Ｃ13によって形成される。通常の動作では、ダイオ
ードＤ15は抵抗Ｒ12を通して静電容量Ｃ13を充電し、こ
の抵抗Ｒ12は電流制限抵抗として働く。静電容量Ｃ13は
基準電圧を提供する。バッテリの電圧が急速に低下する
とき、ダイオードＤ15の電圧の極性が反転し、これによ
ってバッテリを静電容量Ｃ13から遮断する。抵抗Ｒ11
は、バッテリが遮断されている場合か、またはバッテリ
が逆接続されている場合、静電容量Ｃ13を充電するため
のかなり長い時定数を提供する。抵抗Ｒ10はバッテリが
逆接続されているとき、ダイオードＤ17とツェナーダイ
オードＤ14を流れる電流を制限する。静電容量Ｃ13と並
列に接続されたダイオードＤ16は、静電容量に対して有
害な逆接続されたバッテリによって、静電容量Ｃ13が充
電されることを防止する。
【００２３】これまで説明された実施例は、例示を意図
するものであって限定を意図するものではない。本発明
に基づく多くの変形実施例が当業者には明らかである。
そのような全ての変形実施例は、添付の請求項によって
定義される本発明の広範囲に亘る技術的視点を逸脱する
ものではない。
するものであって限定を意図するものではない。本発明
に基づく多くの変形実施例が当業者には明らかである。
そのような全ての変形実施例は、添付の請求項によって
定義される本発明の広範囲に亘る技術的視点を逸脱する
ものではない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、多くの自己絶縁または
接合絶縁されたＩＣ技術で生じる、バッテリを逆接続す
ることによる、ＩＣ内の多くの接合部が順方向バイアス
されること、及び基層に少数キャリアが流れ、ラッチア
ップ現象、過剰な熱の発生または他の望まれない効果が
生ずることが防止される。
接合絶縁されたＩＣ技術で生じる、バッテリを逆接続す
ることによる、ＩＣ内の多くの接合部が順方向バイアス
されること、及び基層に少数キャリアが流れ、ラッチア
ップ現象、過剰な熱の発生または他の望まれない効果が
生ずることが防止される。
【図１】Ａ及びＢからなり、Ａは、本発明に基づくバッ
テリが順接続された通常の動作での電力用ＭＯＳＦＥＴ
の回路図を表し、Ｂは、バッテリが逆接続された動作で
の本発明に基づく電力用ＭＯＳＦＥＴの回路図を表して
いる。
テリが順接続された通常の動作での電力用ＭＯＳＦＥＴ
の回路図を表し、Ｂは、バッテリが逆接続された動作で
の本発明に基づく電力用ＭＯＳＦＥＴの回路図を表して
いる。
【図２】本発明に基づくフローティングゲートドライバ
と低電位側コントローラを表すブロック図。
と低電位側コントローラを表すブロック図。
【図３】フローティングゲートドライバと低電位側コン
トローラの回路図。
トローラの回路図。
【図４】保護用ＭＯＳＦＥＴのゲートを駆動するために
比較器を用いた本発明の他の実施例を表す図。
比較器を用いた本発明の他の実施例を表す図。
１〜３ ピン １０ 電力用ＭＯＳＦＥＴ １１ バッテリ １２ 負荷 １３ ダイオード ２０ ゲートドライバ ２１ コントローラ ２３ 静電容量 ３０ 電圧レギュレータ ３１ 発振器 ３２ ＵＶＬ回路 ４０ 発信器 ４１ 比較器 ４２ インバータ ＳＵＢ ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０２Ｊ 7/00 Ｔ // Ｈ０１Ｍ 10/42 Ｚ (72)発明者 ロリマー・ケイ・ヒル アメリカ合衆国カリフォルニア州95014・ クーペルティーノ・キャスティンアベニュ ー 10590
Claims (13)
- 【請求項１】 バッテリと、負荷と、逆接続されたバッ
テリーから負荷を保護するためのデバイスとからなる逆
接続されたバッテリーに対する保護回路であって、 前記デバイスが、 前記バッテリが、前記バッテリと前記負荷とに直列に接
続されたＭＯＳＦＥＴと順接続されたとき、前記ＭＯＳ
ＦＥＴを導通状態にバイアスする第１手段と、 前記バッテリが逆接続されたときに、前記ＭＯＳＦＥＴ
を非導通状態にバイアスする第２手段とを有することを
特徴とする逆接続されたバッテリーに対する保護回路。 - 【請求項２】 前記第１手段が、前記ＭＯＳＦＥＴのゲ
ートに接続されたチャージポンプ回路を有することを特
徴とする請求項１に記載の保護回路。 - 【請求項３】 前記第２手段が、前記バッテリが逆接続
されたときに、前記ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートを前記Ｍ
ＯＳＦＥＴのソースと短絡する手段を有することを特徴
とする請求項１に記載の保護回路。 - 【請求項４】 前記短絡する手段がデプリーション型デ
バイスからなることを特徴とする請求項３に記載の保護
回路。 - 【請求項５】 前記デプリーション型デバイスのソース
が、前記バッテリの第１端子に接続され、前記デプリー
ション型デバイスのゲートが、電流制限抵抗を通して前
記バッテリの第２端子に接続されていることを特徴とす
る請求項４に記載の保護回路。 - 【請求項６】 前記バッテリが順接続されているとき、
前記第１端子が正であり、前記第２端子が負であること
を特徴とする請求項５に記載の保護回路。 - 【請求項７】 前記ＭＯＳＦＥＴがＮチャネルＭＯＳＦ
ＥＴからなり、前記ＭＯＳＦＥＴの前記ソースが前記バ
ッテリに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴの前記ドレインが
前記負荷に接続されていることを特徴とする請求項１に
記載の保護回路。 - 【請求項８】 前記第２手段が、前記バッテリが逆接続
されているとき、前記ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートと前記
ソースを短絡する手段を有し、 前記チャージポンプ回路が発振器からなり、 前記短絡する手段が第１のＩＣチップ上に配置され、 前記発振器が第２のＩＣチップ上に配置されていること
を特徴とする請求項２に記載の保護回路。 - 【請求項９】 前記短絡する手段が、デプリーション型
デバイスからなり、前記デプリーション型デバイスが、
前記第１のＩＣチップの基板の一部を形成するボディ領
域を有することを特徴とする請求項８に記載の保護回
路。 - 【請求項１０】 前記ボディ領域が前記デプリーション
型デバイスのゲートに接続され、前記ゲートがダイオー
ドのアノードに接続され、前記デプリーション型デバイ
スのソースが前記ダイオードのカソードに接続されてい
ることを特徴とする請求項８に記載の保護回路。 - 【請求項１１】 前記ＭＯＳＦＥＴの前記ソースが前記
バッテリの端子に接続され、前記バッテリが順接続され
ているときに、前記チャージポンプ回路が、前記端子の
電位よりも高い電位を有する出力を提供するべく設計さ
れていることを特徴とする請求項２に記載の保護回路。 - 【請求項１２】 前記ＭＯＳＦＥＴの前記ソースと前記
ゲートとの間に接続されたツェナーダイオードを有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の保護回路。 - 【請求項１３】 前記第１手段及び前記第２手段が、チ
ャージポンプ回路及び比較器を有し、 前記比較器の電力入力が、前記チャージポンプ回路に接
続され、前記チャージポンプ回路の出力がＭＯＳＦＥＴ
のゲートに接続されていることを特徴とする請求項１に
記載の保護回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US08/067,365 | 1993-05-26 |
Publications (2)
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| JP3387631B2 JP3387631B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=22075526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP13494294A Expired - Lifetime JP3387631B2 (ja) | 1993-05-26 | 1994-05-24 | 逆接続されたバッテリーに対する保護回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US5539610A (ja) |
| EP (1) | EP0626745B1 (ja) |
| JP (1) | JP3387631B2 (ja) |
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