JPH07183445A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH07183445A
JPH07183445A JP32738493A JP32738493A JPH07183445A JP H07183445 A JPH07183445 A JP H07183445A JP 32738493 A JP32738493 A JP 32738493A JP 32738493 A JP32738493 A JP 32738493A JP H07183445 A JPH07183445 A JP H07183445A
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義樹 曽田
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リード端子が狭ピッチ化して多端子化して
も、リード曲がりおよびリード浮きを容易に防止でき、
かつ、ダイバー部切断に伴う困難を解消できる樹脂封止
型半導体装置を提供する。 【構成】 リードフレームR1の外部リード端子3は、
樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部よりも樹脂封
止体1に近い位置で切断されて形成されている。リード
フレームR1は、基板への実装面となる樹脂封止体1の
底面1aに露出させられた露出部10と、露出部10か
ら延びて底面1aよりも下方に屈曲させられた屈曲部3
aを有している。 【効果】 タイバー部自体を切断する必要がない。外部
リード端子3は樹脂封止体1とタイバー部との間の距離
よりも短くなる。屈曲部3aの最低限の屈曲寸法でスタ
ンドオフ寸法を稼げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に関し、特に、外部リードの狭端子ピッチ化,多端子
化およびパッケージの薄型化に適した面実装型の樹脂封
止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置が高機能化・多機能化するに
つれて、半導体装置の出力端子数は増加傾向にある。ま
た、半導体装置の外形寸法を小さくして半導体装置を基
板へ高密度に実装するために、半導体装置の外部リード
端子ピッチを縮小させる傾向にある。
【0003】最近では、リード端子ピッチは、0.5mm
から0.4mm、0.4mmから0.3mmへと縮小してきて
いる。リード端子ピッチが0.3mmである場合には、樹
脂封止外形が28mm×28mmであるQFP(クワッド・
フラット・パッケージ)は、344ピンのリード端子を
有することができ、樹脂封止外形が14mm×14mmであ
るQFPは、168ピンのリード端子を有することがで
きる。なお、この狭端子ピッチで多端子の樹脂封止型半
導体装置を実現するため、外部リード端子のピッチが
0.3mmであるときには、リード端子の幅を0.1mm前
後にするようにしている。このように、リード端子ピッ
チを縮小することによって、高密度実装に大きく貢献で
きる面実装型の樹脂封止型半導体装置が提供され始めて
いる。
【0004】図7に、従来、一般的に利用されている狭
端子ピッチ・多端子の樹脂封止型半導体装置の断面を示
す。この半導体装置の外部リード端子63は、樹脂封止
体61のほぼ中央部から水平方向に導出されており、曲
げ加工によって折り曲げられた折り曲げ部63aと、図
示しない基板への取り付け面63cに対して水平な半田
付け部であるリード平坦部63bとを有している。な
お、シリコンチップ67はアイランド68に搭載されて
おり、シリコンチップ67はリード端子63にワイヤ6
5でボンディングされている。図8に上記外部リード端
子63を斜め下方から見た様子を示す。各外部リード端
子63は、それぞれ、リード平坦部63bが基板に対し
て水平になるように水平方向に均一のレベルに配列され
ている。
【0005】基板への実装面である上記樹脂封止体61
のベース面61aと上記取り付け面63cとの間にはス
タンドオフと呼ばれる間隙Kが設けられている。この間
隙Kは、上記リード平坦部63bの半田付けの信頼性を
確保するために設けられている。
【0006】つまり、パッケージ本体(樹脂封止体61
でパッケージされた半導体装置)の反り、あるいは基板
への実装時に発生する樹脂部の反り、あるいは実装後の
基板自身への負荷による基板の反り等が発生したとき
に、これらの反りを、上記間隙Kに吸収することができ
るから、上記反りが上記半田付け部であるリード平坦部
63bを歪ませることを防止できるのである。
【0007】また、近年の高密度実装化の流れの中では
樹脂封止体61下の基板へも配線等の回路要素が設けら
れる。したがって、樹脂封止体61下の部分の基板への
ソルダレジスト等により基板表面に凹凸が発生する。し
たがって、回路要素が設けられた基板上に半導体装置を
実装するには、基板表面と封止樹脂体61のベース面a
との間に間隙Kを形成するスタンドオフは必要である。
【0008】また、図には示さないが、上記外部リード
端子63を含む組み立て時のリードフレームには、隣接
する外部リード端子をつなぐ樹脂止め用のタイバー部が
形成されている。このタイバー部は、上記封止樹脂体6
1から所定の寸法だけ外側に位置している。
【0009】上記タイバー部は、樹脂封止時の型締領域
を小さくし、金型締めの面圧を高くし、樹脂成型に必要
な面圧を確保する役割を有している。また、上記タイバ
ー部は、外部リード端子間への樹脂流出を最小限度に抑
え、その後のリード加工等を容易にする役割を有してい
る。
【0010】ところで、外部リード端子が、基板実装面
側の樹脂封止体の表面と同一面に一部露出させられた構
造を有する樹脂封止型半導体装置が、例えば、実用新案
公報昭61−16702号、あるいは公開特許公報昭6
0−88447に記載されている。この構造を有する樹
脂封止型半導体装置は、外部リード端子もしくはリード
パッドの基板接続面が基板実装面側の樹脂封止体の表面
と同一面に存在しているから、スタンドオフがない。こ
のため、現在の高密度実装では、実装不良の原因になり
易く、また半田付け検査等の実施が困難である欠点があ
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】狭端子ピッチかつ多端
子である樹脂封止型半導体装置を基板へ実装する場合に
は、基板のマウントパッドも狭ピッチになる。そして、
印刷でマウントパッド上に形成するクリーム半田厚も薄
くなる。
【0012】従って、半導体装置が、狭端子ピッチかつ
多端子である場合には、特に、リード端子曲がりやリー
ド端子浮き(リード端子最下面の均一性)を厳しく管理し
て、半田ブリッジやリード端子浮きを防止することが必
要である。具体的には、外部リード端子のピッチが0.
5mmのときには、リード端子曲がり寸法を0.07mm以
下にし、コープラナリティ寸法を0.05mm以下にする
ことが必要になる。上記コープラナリティ寸法とは、外
部リード端子が配列されるべき基準平面からの各外部リ
ード端子のズレ寸法である。さらに、外部リード端子の
ピッチが0.3mmのときには、リード端子曲がり寸法と
コープラナリティ寸法はそれぞれ0.03mm以下にする
ことが必要になると推定される。
【0013】ところが、リード端子曲がりやリード端子
浮きは、樹脂封止工程および外部リード端子のメッキ処
理後のリード切断工程およびリード曲げ加工工程や、ソ
ケット等を用いた電気テスト工程や、製品取り扱い時
や、トレイでの輸送時やテーピング梱包での輸送時に容
易に発生する。
【0014】しかも、端子ピッチが狭くなるにしたがっ
て、リード端子1本の幅を狭くする必要があり、ピッチ
0.3mmでは、幅を0.1mm前後にすることが必要にな
る。また、端子ピッチが狭くなるにしたがってより微細
な加工が要求されるから、加工上の要請により、リード
フレーム厚みを薄くする傾向にある。これら寸法減少に
ともなって、リード端子1本当たりの強度が弱くなるか
ら、リード端子変形に対し不利になって行くと推定され
る。
【0015】このため、狭端子ピッチかつ多端子になる
と、上記従来の樹脂封止半導体装置では、樹脂封止後の
組み立て工程や輸送時におけるリード端子曲がりとリー
ド端子浮きを、上述した厳しい基準で管理することは困
難であり、かつ、歩留まりの低下や検査等の管理費用の
拡大を招くことなる問題がある。
【0016】また、もう一つの問題として、狭端子ピッ
チかつ多端子になると、外部リード端子間の所定の位置
に樹脂止め用として設けているタイバー部の切断の難易
度が高くなることが挙げられる。
【0017】すなわち、タイバー部の切断幅は、ピッチ
0.5mmではタイバー部の幅が0.2〜0.25mmにな
り、ピッチ0.3mmではタイバー部の幅が0.1〜0.
14mm程度になるから、タイバー部を金型切断する場合
に、切断の加工精度および切断装置の耐摩耗性および切
断装置の管理方法等に大きな問題が生じる。また、リー
ド端子数が増加するのにしたがって、樹脂封止後のタイ
バー部の位置精度が悪くなるから、タイバー切断におけ
る精度を確保することがさらに厳しくなってくる。その
結果、ダイバー切断の歩留まり低下および金型切断装置
の交換頻度の上昇および管理費用の拡大等の問題を招く
問題がある。
【0018】そこで、本発明の目的は、リード端子が狭
ピッチ化して多端子化しても、リード端子曲がりおよび
リード端子浮きを容易に防止でき、かつ、ダイバー部切
断に伴う困難を解消できる樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、リードフレームに半導体素子が
搭載され、樹脂封止体で樹脂封止されており、上記樹脂
封止体の外に突き出したリードフレームの外部リード端
子が外部に電気的に接続されるようになっている樹脂封
止型半導体装置において、上記外部リード端子は、樹脂
封止時の樹脂をせき止めるタイバー部よりも樹脂封止体
に近い位置でリードフレームの他の部分から切り離され
ていることを特徴としている。
【0020】また、請求項2の発明は、請求項1に記載
の樹脂封止型半導体装置において、上記リードフレーム
は、基板への実装面側となる樹脂封止体の底面に露出さ
せられた露出部を有し、上記外部リード端子は、上記露
出部から延びて上記樹脂封止体の側面から突出して上記
底面よりも下方に屈曲させられた屈曲部と、上記屈曲部
から上記底面と平行に延在している平坦部とを有してい
ることを特徴としている。
【0021】また、請求項3の発明は、請求項1に記載
の樹脂封止型半導体装置において、上記外部リード端子
は、上記樹脂封止体の側面のうち上記樹脂封止体の底面
近傍から突き出して下方へ屈曲させられた屈曲部と、上
記屈曲部から上記底面と平行に延在させられている平坦
部とを有していることを特徴としている。
【0022】
【作用】請求項1の発明によれば、上記外部リード端子
は、樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部よりも樹
脂封止体に近い位置でリードフレームの他の部分から切
り離されているから、上記外部リード端子が少なくとも
樹脂封止体と上記タイバー部との間の寸法よりも短くな
る。この外部リード端子の寸法短縮により、外部リード
端子が変形し難くなる。したがって、外部リード端子の
曲がりや外部リード端子の浮き(外部リード端子の最下
面レベルの不揃い)を防止できる。従って、この発明に
よれば、樹脂封止体外部の外部リード端子の長さを極力
短くでき、外部リード端子に加わる外力の影響を少なく
することができる。したがって、この発明によれば、狭
端子ピッチかつ多端子の樹脂封止型半導体装置を容易に
実現できる。
【0023】また、上記タイバー部よりも樹脂封止体に
近い位置でリードフレームを切断することによって外部
リード端子が形成されているから、タイバー部自体を切
断することなく外部リード端子が形成される。したがっ
て、タイバー部自体を切断する工程が不要になる。従っ
て、タイバー部切除のための加工金型の加工精度・耐摩
耗性およびその管理等を容易に行うことができる。その
ため、歩留まり低下および切断金型の交換頻度の上昇・
管理費用の拡大等を抑えることができる。従って、外部
リード端子の数が増加して外部リード端子のピッチが狭
くなっても、外部リード端子を簡単に形成できる。
【0024】また、請求項2の発明によれば、上記リー
ドフレームは、基板への実装面となる樹脂封止体の底面
に露出させられた露出部を有しているので、例えば、製
品検査の段階において、この露出部にテスト用プローブ
を当てて検査を実施できる。つまり、請求項2の発明に
よれば、外部リード端子の替わりに、露出部を用いて製
品検査が行われる。したがって、請求項2の発明によれ
ば、出荷前の検査の段階に、外部リード端子が変形させ
られることが確実に防止される。
【0025】また、上記樹脂封止体の底面に露出させら
れている露出部に加わる力は樹脂封止体で支えられる。
したがって、上記露出部は、テスト用プローブを当てて
も殆ど変形しない。
【0026】また、上記屈曲部は、上記露出部から延び
て上記樹脂封止体の側面から突出して上記底面よりも下
方に屈曲させられているから、上記屈曲部が下方へ屈曲
している寸法が、そのまま、樹脂封止体の底面と屈曲部
から延在している平坦部の底面とのレベル差(スタンド
オフ寸法)になる。このスタンドオフ寸法は、樹脂封止
体や基板の反り,変形量を吸収するために、少なくとも
予測される樹脂封止体や基板の反り,変形量程度に設定
することが必要である。請求項2の発明によれば、屈曲
部の最小限度の屈曲寸法で、所定のスタンドオフ寸法を
得ることができるから、屈曲部の寸法縮小が図れ、外部
リード端子の変形防止が図れる。
【0027】また、請求項3の発明によれば、上記屈曲
部が上記樹脂封止体の側面のうち上記樹脂封止体の底面
近傍から突き出して下方へ屈曲させられているから、上
記屈曲部が上記樹脂封止体の底面近傍よりも上方の側面
から突き出している場合に比べて少ない屈曲寸法で、所
定のスタンドオフ寸法を得ることができる。したがっ
て、屈曲部の寸法縮小が図れ、外部リード端子の変形防
止が図れる。
【0028】
【実施例】以下、本発明の樹脂封止型半導体を図示の実
施例を図に基づいて詳細に説明する。
【0029】図1に、本発明の第1実施例の断面を示
す。この第1実施例は、半導体素子としてのシリコンチ
ップ7がアイランド8上に搭載されており、シリコンチ
ップ7と外部リード端子3とがワイヤWで電気的に接続
されている。上記アイランド8と外部リード端子3がリ
ードフレームR1を構成している。上記シリコンチップ
7および上記リードフレームRは樹脂封止体1で封止さ
れている。
【0030】上記外部リード端子3は、図3に示すよう
に、樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部4よりも
樹脂封止体1に近い位置でリードフレームRの他の部分
から切り離されて形成されている。
【0031】上記実施例を製造する工程を以下に説明す
る。まず、リードフレームR1にシリコンチップ7を電
気的に接続した後に樹脂封止工程を実施する。その後、
上記切断の前工程として、まず、上記リード端子3とタ
イバー部4とが囲む領域に残存した樹脂を、金型,ウォ
ータージェット,液体ホーニング,もしくはレーザー等
を用いて除去しておく。上記残存樹脂は樹脂封止時に残
存した樹脂である。そして、リード端子3のメッキ工程
を経てから、図3(B)に示すように、切断金型5を、リ
ードフレームR1に平行に配置し、この切断金型5を垂
直下方に移動させて、樹脂封止体1とタイバー部4との
間の位置でリードフレームR1を切断する。例えば、樹
脂封止体1からタイバー切断位置までの距離を0.7mm
程度とする。この切断によって、リードフレームR1か
ら、上記タイバー部4およびタイバー部4よりも外側の
部分が除去される。そして、この切断の後、上記外部リ
ード端子3を下方に屈曲させて、屈曲部3aを形成す
る。
【0032】この屈曲部3aは、図1および図2に示す
ように、上記露出部10から延びて上記樹脂封止体1の
側面1bから突出して上記底面1aよりも下方に屈曲さ
せられている。この屈曲の位置は、例えば、樹脂封止体
1の側面1bから底面1aと平行な方向に0.1mm程度
離れた位置に設定する。屈曲部3aから、平坦部3bが
上記底面1aと平行に延在している。上記底面1aと上
記平坦部3bの底面3b‐1とのレベル差L1がスタン
ドオフ寸法となる。この第1実施例では、上記スタンド
オフ寸法を、約0.05〜0.1mm程度とした。
【0033】さらに、上記リードフレームR1は、上記
底面1aに露出しており上記底面1aと同一面にある露
出部10を有している。この露出部10の長さは、0.
6mm程度とした。なお、上記リードフレームR1は、上
記露出部10から樹脂封止体1の内部に向かって上方へ
屈曲した内部屈曲部11を有している。この内部屈曲部
11は、いわゆるインナーリードの一部を構成してい
る。
【0034】上記構成によれば、上記外部リード端子3
は、樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部4よりも
樹脂封止体1に近い位置でリードフレームR1を切断す
ることによって形成されているから、上記外部リード端
子3を少なくとも樹脂封止体1と上記タイバー部4との
間の寸法よりも短くできる。この外部リード端子3の寸
法短縮により、外部リード端子3を変形し難くすること
ができる。
【0035】また、上記タイバー部4よりも樹脂封止体
1に近い位置でリードフレームR1を切断することによ
って外部リード端子3が形成されているから、タイバー
部4自体を切断することなく外部リード端子3を形成で
きる。したがって、タイバー部4自体を切断する工程が
不要になる。したがって、リード端子3の数が増加して
リード端子3間のピッチが狭くなっても、ダイバー部を
切除する工程の困難が増大することがない。したがっ
て、外部リード端子が狭ピッチ化,多端子化しても、外
部リード端子3を簡単に形成できる。
【0036】また、上記リードフレームR1は、基板へ
の実装面となる樹脂封止体1の底面1aに露出させられ
た露出部10を有しているので、たとえば、図4に示す
ように、製品検査の段階において、この露出部10にテ
スト用ソケット9のテスト用プローブ12を当てて検査
を実施できる。上記露出部10は、樹脂封止体1の底面
1aに露出させられて上記底面1aと面一になっている
ので、上記露出部10に加わる外力は樹脂封止体1aで
支えることができる。したがって、上記露出部10は、
プローブ12に押圧されても変形しない。
【0037】このように、外部リード端子3に替えて、
露出部10を使用して製品検査できるから、製品検査段
階での外部リード端子3の変形を確実に防止できる。
【0038】また、上記屈曲部3aは、上記露出部10
から延びて上記樹脂封止体1の側面1bから突出して上
記底面1aよりも下方に屈曲させられている。すなわ
ち、上記屈曲部3aの突出始端は底面1aと同じレベル
であるから、上記屈曲部3aが下方へ屈曲している寸法
のすべてを、樹脂封止体1の底面1aと平坦部3bの底
面3b‐1とのレベル差L1(スタンドオフ寸法)にする
ことができる。
【0039】したがって、上記実施例によれば、屈曲部
3aの最小限度の屈曲寸法で、必要なスタンドオフ寸法
を得ることができるから、屈曲部3aの寸法縮小を図る
ことができる。したがって、外部リード端子3の変形防
止を図ることができる。
【0040】上記スタンドオフ寸法は、樹脂封止体1や
基板の反りや変形量を吸収するために、少なくとも図5
に示すような予測される樹脂封止体1や基板13の反
り,変形量程度に設定することが必要である。
【0041】上記スタンドオフ寸法が存在するから、上
記樹脂封止体1を含むパッケージ本体の反りや、基板へ
の実装時に発生する樹脂封止体1の反りや、実装後の基
板自身へ加わる負荷によって生じる反り等が発生して
も、これらの反りが、半田接合部である平坦部3bに応
力を発生させることを防止できるか、あるいは、応力の
大きさを減少させることができる。また、上記スタンド
オフ寸法が存在するから、樹脂封止体1の底面1aを配
線が高密度化した基板の凹凸表面上に配置しなければな
らない場合にも、底面1aを上記凹凸表面の上に離隔さ
せて上記凹凸表面から底面1aに力が加わらないように
することができるか、もしくは、少なくとも上記凹凸表
面から底面1aに加わる力を低減させることができる。
従って、上記スタンドオフ寸法の存在によって、平坦部
3bを基板に半田付けした後の平坦部3bの半田付け強
度を十分に確保することができる。
【0042】また、この第1実施例は、外部リード端子
3の屈曲部3aの突出始端を樹脂封止体1の底面1aと
同じレベルに位置させているから、リードフレームR1
が樹脂封止体1内の下方に位置させられることになる。
従って、従来例に比べて、樹脂封止体1の内部領域のう
ちリードフレームR1の上方の領域を増大させることが
できる。樹脂封止体1の内部領域のうちリードフレーム
R1の上方の領域は、シリコンチップ7を配置するため
の有効な領域である。したがって、この第2実施例によ
れば、樹脂封止体1の内部領域を有効に利用できるか
ら、樹脂封止体1の厚さの減少を図ることができ、薄型
化を図ることができる。
【0043】次に、図6に第2実施例を示す。この第2
実施例は、リードフレームR2の外部リード端子23
が、樹脂封止体21の底面21aよりもわずかな寸法X
だけ上に位置する側面21bから突き出されている点
と、図1に示した露出部3cが存在しない点だけが、図
1に示した第1実施例と異なる。したがって、上記第2
実施例は、第1実施例と異なる点を重点的に説明する。
【0044】この第2実施例は、外部リード端子23の
屈曲部23aが樹脂封止体21の底面21a近傍の上記
樹脂封止体21の側面21bから突き出しているから、
上記屈曲部23aが上記樹脂封止体21の底面21a近
傍よりも上方の側面21bから突き出している場合に比
べて少ない屈曲寸法で、所定のスタンドオフ寸法を得る
ことができる。したがって、屈曲部23aの寸法縮小を
図ることができ、外部リード端子23の変形防止を図る
ことができる。
【0045】この第2実施例は、第1実施例と異なり露
出部がないから、樹脂封止体1内部でのリードフレーム
R2の引き回しの自由領域を第1実施例に比べて拡大で
き、多端子化に適している。
【0046】また、この第2実施例は、外部リード端子
23を樹脂封止体21の底面21aの近くに位置させて
いるから、リードフレームR2が樹脂封止体21内の下
方に位置させられることになる。したがって、従来例に
比べて、樹脂封止体21の内部領域のうちリードフレー
ムR2の上方の領域を増大させることができる。樹脂封
止体21の内部領域のうちリードフレームR2の上方の
領域は、シリコンチップ27を配置するための有効な領
域である。したがって、この第2実施例によれば、樹脂
封止体21の内部領域を有効に利用できるから、樹脂封
止体21の厚さの減少を図ることができ、薄型化を図る
ことができる。
【0047】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項1の発
明の樹脂封止型半導体装置は、外部リード端子は、樹脂
封止時の樹脂をせき止めるタイバー部よりも樹脂封止体
に近い位置でリードフレームの他の部分から切り離され
ているから、外部リード端子を少なくとも樹脂封止体と
タイバー部との間の寸法よりも短くできる。従って、こ
の外部リード端子を寸法短縮でき、外部リード端子を変
形し難くできる。したがって、外部リード端子の曲がり
や外部リード端子の浮き(外部リード端子の最下面レベ
ルの不揃い)を防止できる。
【0048】また、上記タイバー部よりも樹脂封止体に
近い位置でリードフレームを切断することによって外部
リード端子が形成されているから、タイバー部自体を切
断することなく外部リード端子を形成できる。したがっ
て、タイバー部自体を切断する工程が不要になり、外部
リード端子の数が増加して外部リード端子のピッチが狭
くなっても、外部リード端子を簡単に形成できる。
【0049】また、請求項2の発明によれば、上記リー
ドフレームは、基板への実装面となる樹脂封止体の底面
に露出させられた露出部を有しているので、製品検査の
段階において、この露出部にテスト用プローブを当てて
検査を実施できる。つまり、請求項2の発明によれば、
外部リード端子の替わりに、露出部を用いて製品検査を
行うことができる。したがって、請求項2の発明によれ
ば、出荷前の検査の段階に、外部リード端子が変形させ
られることを確実に防止できる。
【0050】また、上記樹脂封止体の底面に露出させら
れている露出部に加わる力は樹脂封止体で支えられる。
したがって、上記露出部は、テスト用プローブを当てて
も殆ど変形しない。
【0051】また、上記屈曲部は、上記露出部から延び
て上記樹脂封止体の側面から突出して上記底面よりも下
方に屈曲させられているから、上記屈曲部が下方へ屈曲
している寸法が、そのまま、樹脂封止体の底面と屈曲部
から延在している平坦部の底面とのレベル差(スタンド
オフ寸法)になる。このスタンドオフ寸法は、樹脂封止
体や基板の反り,変形量を吸収するために、少なくとも
予測される樹脂封止体や基板の反り,変形量程度に設定
することが必要である。請求項2の発明によれば、屈曲
部の最小限度の屈曲寸法で、必要なスタンドオフ寸法を
得ることができるから、屈曲部の寸法縮小を図ることが
でき、外部リード端子の変形防止と外部リード端子の半
田付け部分の密着不良防止を図ることができる。
【0052】また、請求項3の発明によれば、上記屈曲
部が上記樹脂封止体の側面のうち上記樹脂封止体の底面
近傍から突き出して下方へ屈曲させられているから、上
記屈曲部が上記樹脂封止体の底面近傍よりも上方の側面
から突き出している場合に比べて少ない屈曲寸法で、所
定のスタンドオフ寸法を得ることができる。したがっ
て、屈曲部の寸法縮小を図ることができ、外部リード端
子の変形防止を図ることができる。
【0053】以上に述べたように本発明による樹脂封止
型半導体装置によれば、今後の狭端子ピッチ化と多端子
化に対して、タイバー自体の切断工程をなくすることが
でき、タイバー自体を切断する場合に必要であった加工
精度向上と切断装置の耐摩耗性向上が不必要になるの
で、タイバー切除に関連する加工上の問題自体が解消で
きる。また、本発明の構造を持つ樹脂封止型半導体装置
では、リード端子長さが短縮されるので、リード曲がり
およびリード浮き等の外部リード端子の変形の発生頻度
を低減でき、歩留まり向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の樹脂封止型半導体装置の第1実施例
の断面図である。
【図2】 上記第1実施例の外部リード端子付近を斜め
下方から見た様子を示す斜視図である。
【図3】 図3(A)および図3(B)は上記第1実施例の
リードフレームのタイバー部を切除する様子を説明する
上面図および側面図である。
【図4】 上記第1実施例の出荷前検査の様子を示す断
面図である。
【図5】 上記第1実施例が基板へ実装した時に反って
いる様子を示す断面図である。
【図6】 本発明の第2実施例の断面図である。
【図7】 従来例の断面図である。
【図8】 上記従来例の外部リード端子付近を斜め下方
から見た様子を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,21…樹脂封止体、R1,R2…リードフレーム、
3,23…外部リード端子、3a,23a…屈曲部、3
b…平坦部、3b‐1…底面、L1,L2…レベル差
(スタンドオフ寸法)、10…外部リード端子の露出部、
4…タイバー部、5…切断金型、7,27…シリコンチ
ップ、8,28…アイランド。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームに半導体素子が搭載さ
    れ、樹脂封止体で樹脂封止されており、上記樹脂封止体
    の外に突き出したリードフレームの外部リード端子が外
    部に電気的に接続されるようになっている樹脂封止型半
    導体装置において、 上記外部リード端子は、 樹脂封止時の樹脂をせき止めるタイバー部よりも樹脂封
    止体に近い位置でリードフレームの他の部分から切り離
    されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置
    において、 上記リードフレームは、 基板への実装面側となる樹脂封止体の底面に露出させら
    れた露出部を有し、 上記外部リード端子は、 上記露出部から延びて上記樹脂封止体の側面から突出し
    て上記底面よりも下方に屈曲させられた屈曲部と、 上記屈曲部から上記底面と平行に延在している平坦部と
    を有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置
    において、 上記外部リード端子は、 上記樹脂封止体の側面のうち上記樹脂封止体の底面近傍
    から突き出して下方へ屈曲させられた屈曲部と、 上記屈曲部から上記底面と平行に延在させられている平
    坦部とを有していることを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置。
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JP2016092040A (ja) * 2014-10-29 2016-05-23 タツタ電線株式会社 プリント基板、プリント基板の製造方法及び導電性部材の接合方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007266385A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Denso Corp 電子装置の実装構造
JP4561670B2 (ja) * 2006-03-29 2010-10-13 株式会社デンソー 電子装置の実装構造および電子装置の実装方法
JP2016092040A (ja) * 2014-10-29 2016-05-23 タツタ電線株式会社 プリント基板、プリント基板の製造方法及び導電性部材の接合方法

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