JPH07181410A - マルチビーム走査装置 - Google Patents
マルチビーム走査装置Info
- Publication number
- JPH07181410A JPH07181410A JP32564393A JP32564393A JPH07181410A JP H07181410 A JPH07181410 A JP H07181410A JP 32564393 A JP32564393 A JP 32564393A JP 32564393 A JP32564393 A JP 32564393A JP H07181410 A JPH07181410 A JP H07181410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beams
- scanning
- light
- light beam
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Printer (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、複数の光ビームを同時に走査する
例えば、画像形成装置に搭載されるマルチビーム走査装
置に関し、光ビームが形成する挟角を変更することによ
り、光ビームの副走査方向の走査間隔を簡易に変更可能
にして、多種の画素密度の画像を同一の装置で形成可能
にすることを目的とする。 【構成】 半導体レーザ11、12と、光ビームＲ1、Ｒ0を
平行光束にするコリメータレンズ13、14と、ビームＲ1
を反射する反射ミラー17と、ビームＲ1、Ｒ0をその入射
角に応じて反射または透過して合成し出射する偏向ビー
ムスプリッタ18と、合成されたビームＲ1、Ｒ0を偏向す
るポリゴンミラー19と、回転軸24ｂに支持され反射ミラ
ー17を一面側に固着された可動部24ａと、可動部24ａの
他面側に固着された圧電素子25とを備え、画素密度に基
づいて圧電素子25が可動部24ａを回転させミラー17のビ
ームＲ1に対する角度を副走査方向に変更する。
例えば、画像形成装置に搭載されるマルチビーム走査装
置に関し、光ビームが形成する挟角を変更することによ
り、光ビームの副走査方向の走査間隔を簡易に変更可能
にして、多種の画素密度の画像を同一の装置で形成可能
にすることを目的とする。 【構成】 半導体レーザ11、12と、光ビームＲ1、Ｒ0を
平行光束にするコリメータレンズ13、14と、ビームＲ1
を反射する反射ミラー17と、ビームＲ1、Ｒ0をその入射
角に応じて反射または透過して合成し出射する偏向ビー
ムスプリッタ18と、合成されたビームＲ1、Ｒ0を偏向す
るポリゴンミラー19と、回転軸24ｂに支持され反射ミラ
ー17を一面側に固着された可動部24ａと、可動部24ａの
他面側に固着された圧電素子25とを備え、画素密度に基
づいて圧電素子25が可動部24ａを回転させミラー17のビ
ームＲ1に対する角度を副走査方向に変更する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の光ビームを同時
に走査するマルチビーム走査装置に関し、例えば、レー
ザプリンタまたはデジタル複写機等に搭載されるマルチ
ビーム走査装置に関する。
に走査するマルチビーム走査装置に関し、例えば、レー
ザプリンタまたはデジタル複写機等に搭載されるマルチ
ビーム走査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、装置本体が具備する画像形成手
段、例えば感光体上を単数の光ビームで走査し画像を形
成する方式が一般的であったが、その感光体上を複数の
光ビームで走査して高速に画像を形成するマルチビーム
走査装置が実用化されている。この種のマルチビーム走
査装置は、副走査方向に並列された複数の半導体レーザ
と、半導体レーザから出射された光ビームの各々の光軸
を近接させるよう合成して一方向に出射する合成手段
と、合成手段から出射された光ビームを偏向し感光体上
を主走査方向に走査するポリゴンミラーと、ポリゴンミ
ラーにより偏向された光ビームを感光体上に結像させる
結像光学系と、を備えており、副走査方向に所定間隔で
複数の光ビームが主走査方向に光走査して所定の画素密
度の潜像を感光体上に形成する。
段、例えば感光体上を単数の光ビームで走査し画像を形
成する方式が一般的であったが、その感光体上を複数の
光ビームで走査して高速に画像を形成するマルチビーム
走査装置が実用化されている。この種のマルチビーム走
査装置は、副走査方向に並列された複数の半導体レーザ
と、半導体レーザから出射された光ビームの各々の光軸
を近接させるよう合成して一方向に出射する合成手段
と、合成手段から出射された光ビームを偏向し感光体上
を主走査方向に走査するポリゴンミラーと、ポリゴンミ
ラーにより偏向された光ビームを感光体上に結像させる
結像光学系と、を備えており、副走査方向に所定間隔で
複数の光ビームが主走査方向に光走査して所定の画素密
度の潜像を感光体上に形成する。
【０００３】なお、光ビームの走査間隔を高精度に維持
して高画質の画像を形成するマルチビーム走査装置が、
特開昭６１−１５１１８号公報または特開平１０１１１
２号公報に記載されている。
して高画質の画像を形成するマルチビーム走査装置が、
特開昭６１−１５１１８号公報または特開平１０１１１
２号公報に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のマルチビーム走査装置にあっては、走査間隔
を固定した複数の光ビームで同時に感光体上を走査す
る。そのため、画像の画素密度を切り換える際、単数の
半導体レーザを用いた走査装置では被走査面の移動速度
を変えずにポリゴンミラーの回転速度および半導体レー
ザの変調周波数を切り換えることによって対応すること
ができたが、マルチビーム走査装置では副走査方向の光
ビームの走査間隔を切り換えることができず多種の画素
密度の画像を同一の装置で形成することは困難であると
いう問題があった。
うな従来のマルチビーム走査装置にあっては、走査間隔
を固定した複数の光ビームで同時に感光体上を走査す
る。そのため、画像の画素密度を切り換える際、単数の
半導体レーザを用いた走査装置では被走査面の移動速度
を変えずにポリゴンミラーの回転速度および半導体レー
ザの変調周波数を切り換えることによって対応すること
ができたが、マルチビーム走査装置では副走査方向の光
ビームの走査間隔を切り換えることができず多種の画素
密度の画像を同一の装置で形成することは困難であると
いう問題があった。
【０００５】そこで、請求項１記載の発明は、一方およ
び他方の光ビームの挟角を変更することにより、被走査
面を走査する光ビームの副走査方向の走査間隔を簡易に
変更可能にして、多種の画素密度の画像を同一の装置で
形成可能にすることを目的とする。請求項２記載の発明
は、光ビームを重ね書きさせることにより、被走査面に
形成する画像の副走査方向の画素密度を半分にして、簡
易に画素密度を半分にすることを目的とする。
び他方の光ビームの挟角を変更することにより、被走査
面を走査する光ビームの副走査方向の走査間隔を簡易に
変更可能にして、多種の画素密度の画像を同一の装置で
形成可能にすることを目的とする。請求項２記載の発明
は、光ビームを重ね書きさせることにより、被走査面に
形成する画像の副走査方向の画素密度を半分にして、簡
易に画素密度を半分にすることを目的とする。
【０００６】請求項３記載の発明は、圧電素子が反射ミ
ラーを回転させ光ビームの入射角を変更することによ
り、反射ミラーを高精度に位置決めして、走査精度の向
上とともに、小型化を図ることを目的とする。請求項４
記載の発明は、光ビームを合成して出射する光源を一体
に形成するとともに装置筐体に着脱自在に構成すること
により、部品交換等を行なう際、光源の交換によって対
応するようにして、光軸調整等を不要にしてメンテナン
スを容易にすることを目的とする。
ラーを回転させ光ビームの入射角を変更することによ
り、反射ミラーを高精度に位置決めして、走査精度の向
上とともに、小型化を図ることを目的とする。請求項４
記載の発明は、光ビームを合成して出射する光源を一体
に形成するとともに装置筐体に着脱自在に構成すること
により、部品交換等を行なう際、光源の交換によって対
応するようにして、光軸調整等を不要にしてメンテナン
スを容易にすることを目的とする。
【０００７】請求項５記載の発明は、走査間隔が広がる
に従って光ビームの強度を高くすることにより、被走査
面に形成する画像のドット径を大きくして、画素密度を
低くしたときの濃度低下を防止することを目的とする。
また、請求項６記載の発明は、一方の光ビームの入射角
を一ライン走査する間に変更させることにより、被走査
面を走査する光ビームの変動を補正して、被走査面に形
成する画質の向上を図ることを目的とする。
に従って光ビームの強度を高くすることにより、被走査
面に形成する画像のドット径を大きくして、画素密度を
低くしたときの濃度低下を防止することを目的とする。
また、請求項６記載の発明は、一方の光ビームの入射角
を一ライン走査する間に変更させることにより、被走査
面を走査する光ビームの変動を補正して、被走査面に形
成する画質の向上を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１記載の発明は、２個の半導体レーザと、該半導体
レーザから出射された光ビームを各々平行光束にするコ
リメータレンズと、一方の光ビームの光軸上に配設さ
れ、該光ビームを所定方向に反射する反射ミラーと、該
反射ミラーにより反射された光ビームの光軸と他方の光
ビームの光軸との交叉位置に配設され、これら光ビーム
を入射角に応じて反射または透過してその光軸を近接さ
せ出射するビーム合成手段と、該ビーム合成手段から出
射された光ビームを偏向し走査する光偏向器と、を備
え、一方および他方の光ビームを被走査面上に光走査し
て画像を形成するマルチビーム走査装置であって、前記
反射ミラーの一方の光ビームに対する角度を、被走査面
に形成する画像の画素密度に基づいて副走査方向に変更
させる角度変更手段を設けたことを特徴とするものであ
る。
求項１記載の発明は、２個の半導体レーザと、該半導体
レーザから出射された光ビームを各々平行光束にするコ
リメータレンズと、一方の光ビームの光軸上に配設さ
れ、該光ビームを所定方向に反射する反射ミラーと、該
反射ミラーにより反射された光ビームの光軸と他方の光
ビームの光軸との交叉位置に配設され、これら光ビーム
を入射角に応じて反射または透過してその光軸を近接さ
せ出射するビーム合成手段と、該ビーム合成手段から出
射された光ビームを偏向し走査する光偏向器と、を備
え、一方および他方の光ビームを被走査面上に光走査し
て画像を形成するマルチビーム走査装置であって、前記
反射ミラーの一方の光ビームに対する角度を、被走査面
に形成する画像の画素密度に基づいて副走査方向に変更
させる角度変更手段を設けたことを特徴とするものであ
る。
【０００９】請求項２記載の発明は、前記角度変更手段
が、画素密度を半分にするとき、一方の半導体レーザか
ら出射された光ビームを他方からの光ビームとの走査間
隔が０となるように反射ミラーの角度を変更することを
特徴とするものである。請求項３記載の発明は、前記角
度変更手段が、光軸と直交する回転軸に回転自在に支持
され一面側に反射ミラーを固着された可動部と、該可動
部の他面側に固着された圧電素子と、からなり、該圧電
素子により可動部を回転駆動して反射ミラーの角度を変
更させることを特徴とするものである。
が、画素密度を半分にするとき、一方の半導体レーザか
ら出射された光ビームを他方からの光ビームとの走査間
隔が０となるように反射ミラーの角度を変更することを
特徴とするものである。請求項３記載の発明は、前記角
度変更手段が、光軸と直交する回転軸に回転自在に支持
され一面側に反射ミラーを固着された可動部と、該可動
部の他面側に固着された圧電素子と、からなり、該圧電
素子により可動部を回転駆動して反射ミラーの角度を変
更させることを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の発明は、前記２個の半導体
レーザと、コリメータレンズと、反射ミラーと、ビーム
合成手段と、を光源として一体に形成し、該光源を装置
筐体に着脱自在に構成したことを特徴とするものであ
る。請求項５記載の発明は、前記被走査面の光ビームの
走査間隔に応じて各々の光ビームの強度を制御するビー
ム強度制御手段を設け、該ビーム強度制御手段が、走査
間隔が広がるに従って光ビームの強度を高くすることを
特徴とするものである。
レーザと、コリメータレンズと、反射ミラーと、ビーム
合成手段と、を光源として一体に形成し、該光源を装置
筐体に着脱自在に構成したことを特徴とするものであ
る。請求項５記載の発明は、前記被走査面の光ビームの
走査間隔に応じて各々の光ビームの強度を制御するビー
ム強度制御手段を設け、該ビーム強度制御手段が、走査
間隔が広がるに従って光ビームの強度を高くすることを
特徴とするものである。
【００１１】また、請求項６記載の発明は、２個の半導
体レーザと、該半導体レーザから出射された光ビームを
各々平行光束にするコリメータレンズと、一方の光ビー
ムの光軸上に配設され、該光ビームを所定方向に反射す
る反射ミラーと、該反射ミラーにより反射された光ビー
ムの光軸と他方の光ビームの光軸との交叉位置に配設さ
れ、これら光ビームを入射角に応じて反射または透過し
てその光軸を近接させ出射するビーム合成手段と、該ビ
ーム合成手段から出射された光ビームを偏向し走査する
光偏向器とを備え、一方および他方の光ビームを被走査
面上に光走査して画像を形成するマルチビーム走査装置
であって、前記反射ミラーの一方の光ビームに対する角
度を、該光ビームの副走査方向への変動を補正するよう
変更させる角度補正手段を設けたことを特徴とするもの
である。
体レーザと、該半導体レーザから出射された光ビームを
各々平行光束にするコリメータレンズと、一方の光ビー
ムの光軸上に配設され、該光ビームを所定方向に反射す
る反射ミラーと、該反射ミラーにより反射された光ビー
ムの光軸と他方の光ビームの光軸との交叉位置に配設さ
れ、これら光ビームを入射角に応じて反射または透過し
てその光軸を近接させ出射するビーム合成手段と、該ビ
ーム合成手段から出射された光ビームを偏向し走査する
光偏向器とを備え、一方および他方の光ビームを被走査
面上に光走査して画像を形成するマルチビーム走査装置
であって、前記反射ミラーの一方の光ビームに対する角
度を、該光ビームの副走査方向への変動を補正するよう
変更させる角度補正手段を設けたことを特徴とするもの
である。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明では、コリメータレンズに
より平行光束にされた半導体レーザからの光ビームの一
方は、反射ミラーにより反射されてビーム合成手段に入
射され、また他方はそのままビーム合成手段に入射さ
れ、ビーム合成手段に入射された光ビームはその入射角
に応じて反射または透過されて互いの光軸が近接し合成
されて出射される。そして、合成された一方および他方
の光ビームは光偏向器により偏向されて被走査面を所定
の走査間隔で光走査する。このとき、反射ミラーの一方
の光ビームに対する角度は、角度変更手段により被走査
面に形成する画像の画素密度に基づいて副走査方向に変
更されている。したがって、一方の光ビームが走査する
走査線は、画像の画素密度に基づいて他方の光ビームの
走査線に対して副走査方向に変更され、互いの走査間隔
が画素密度に応じた間隔にされる。
より平行光束にされた半導体レーザからの光ビームの一
方は、反射ミラーにより反射されてビーム合成手段に入
射され、また他方はそのままビーム合成手段に入射さ
れ、ビーム合成手段に入射された光ビームはその入射角
に応じて反射または透過されて互いの光軸が近接し合成
されて出射される。そして、合成された一方および他方
の光ビームは光偏向器により偏向されて被走査面を所定
の走査間隔で光走査する。このとき、反射ミラーの一方
の光ビームに対する角度は、角度変更手段により被走査
面に形成する画像の画素密度に基づいて副走査方向に変
更されている。したがって、一方の光ビームが走査する
走査線は、画像の画素密度に基づいて他方の光ビームの
走査線に対して副走査方向に変更され、互いの走査間隔
が画素密度に応じた間隔にされる。
【００１３】請求項２記載の発明では、被走査面に形成
する画像の画素密度を半分にするとき、一方の光ビーム
を反射する反射ミラーの角度が角度変更手段により一方
および他方の光ビームの走査間隔が０となるように変更
される。したがって、一方および他方の光ビームは同一
の走査線上を走査して重ね書きする。そのため、被走査
面に形成する画像の副走査方向の画素密度が半分にされ
るとともに、光ビームの強度が２倍にされる。
する画像の画素密度を半分にするとき、一方の光ビーム
を反射する反射ミラーの角度が角度変更手段により一方
および他方の光ビームの走査間隔が０となるように変更
される。したがって、一方および他方の光ビームは同一
の走査線上を走査して重ね書きする。そのため、被走査
面に形成する画像の副走査方向の画素密度が半分にされ
るとともに、光ビームの強度が２倍にされる。
【００１４】請求項３記載の発明では、角度変更手段
が、光軸と直交する回転軸に回転自在に支持され一面側
に反射ミラーを固着された可動部と、可動部の他面側に
固着された圧電素子と、から構成され、圧電素子により
可動部が回転駆動されて反射ミラーの角度が変更され
る。したがって、圧電素子の駆動によって可動部が回転
されて反射ミラーが位置決めされ、駆動を伝達する手段
を用いたときのバックラッシュ等による変動が発生する
ことなく反射ミラーの角度が高精度に保持される。
が、光軸と直交する回転軸に回転自在に支持され一面側
に反射ミラーを固着された可動部と、可動部の他面側に
固着された圧電素子と、から構成され、圧電素子により
可動部が回転駆動されて反射ミラーの角度が変更され
る。したがって、圧電素子の駆動によって可動部が回転
されて反射ミラーが位置決めされ、駆動を伝達する手段
を用いたときのバックラッシュ等による変動が発生する
ことなく反射ミラーの角度が高精度に保持される。
【００１５】請求項４記載の発明では、２個の半導体レ
ーザと、コリメータレンズと、反射ミラーと、ビーム合
成手段と、を光源として一体に形成され、この光源が装
置筐体に着脱自在に構成される。したがって、部品交換
等を行なう際、光源自体の交換により対応することがで
き、交換後の光軸調整等が不要にされる。請求項５記載
の発明では、被走査面を走査する光ビームの強度がビー
ム強度制御手段によりその走査間隔に応じて制御され、
走査間隔が広がるに従って高くされる。したがって、被
走査面に形成される画像のドット径が大きくされる。
ーザと、コリメータレンズと、反射ミラーと、ビーム合
成手段と、を光源として一体に形成され、この光源が装
置筐体に着脱自在に構成される。したがって、部品交換
等を行なう際、光源自体の交換により対応することがで
き、交換後の光軸調整等が不要にされる。請求項５記載
の発明では、被走査面を走査する光ビームの強度がビー
ム強度制御手段によりその走査間隔に応じて制御され、
走査間隔が広がるに従って高くされる。したがって、被
走査面に形成される画像のドット径が大きくされる。
【００１６】また、請求項６記載の発明では、コリメー
タレンズにより平行光束にされた半導体レーザからの光
ビームの一方は、反射ミラーにより反射されてビーム合
成手段に入射され、また他方はそのままビーム合成手段
に入射され、ビーム合成手段に入射された光ビームはそ
の入射角に応じて反射または透過されて互いの光軸が近
接し合成されて出射される。そして、合成された一方お
よび他方の光ビームは光偏向器により偏向されて被走査
面を所定の走査間隔で光走査する。このとき、一方およ
び他方の光ビームは互いの挟角を所定角度にしてその走
査間隔を所定間隔にされるため、他方の光ビームが走査
する走査線を直線となるようセットすると、一方の光ビ
ームは一ライン走査する間に副走査方向に変動するが、
反射ミラーの角度が角度補正手段により一方の光ビーム
の副走査方向への変動を補正するよう変更される。した
がって、一方の光ビームの走査線も直線にされ、一方お
よび他方の光ビームの走査間隔は均一にされる。
タレンズにより平行光束にされた半導体レーザからの光
ビームの一方は、反射ミラーにより反射されてビーム合
成手段に入射され、また他方はそのままビーム合成手段
に入射され、ビーム合成手段に入射された光ビームはそ
の入射角に応じて反射または透過されて互いの光軸が近
接し合成されて出射される。そして、合成された一方お
よび他方の光ビームは光偏向器により偏向されて被走査
面を所定の走査間隔で光走査する。このとき、一方およ
び他方の光ビームは互いの挟角を所定角度にしてその走
査間隔を所定間隔にされるため、他方の光ビームが走査
する走査線を直線となるようセットすると、一方の光ビ
ームは一ライン走査する間に副走査方向に変動するが、
反射ミラーの角度が角度補正手段により一方の光ビーム
の副走査方向への変動を補正するよう変更される。した
がって、一方の光ビームの走査線も直線にされ、一方お
よび他方の光ビームの走査間隔は均一にされる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１〜図３は本発明に係るマルチビーム走査装置の一実施
例を示す図である。図１において、10はマルチビーム走
査装置であり、マルチビーム走査装置10は、ｐーｎ接合
面に垂直な方向が図中Ｘ1 方向の半導体レーザ11と、半
導体レーザ11に対して同一平面上の図中上下方向（副走
査方向）に配列されｐーｎ接合面に垂直な方向が図中Ｙ
0 方向の半導体レーザ12と、半導体レーザ11、12から出
射された光ビームを平行光束に変換するコリメータレン
ズ13、14と、平行光束にされた光ビームを各々所定のビ
ーム径に整形するアパーチャ15、16と、半導体レーザ11
から出射された光ビームＲ1 （一方の光ビーム）の光軸
上に配設され、その光軸に直交する軸17ａを中心に所定
角度回転して光ビームＲ1 を所定方向に反射する反射ミ
ラー17と、反射ミラー17により反射された光ビームＲ1
の光軸と半導体レーザ12から出射された光ビームＲ0
（他方の光ビーム）の光軸とが交叉する位置に配設さ
れ、光ビームＲ0 は透過するが光ビームＲ1 は偏光面が
９０゜ずれていることから再度反射して光ビームＲ1 を
光ビームＲ0 の光軸に近接させて合成し出射する偏向ビ
ームスプリッタ（ビーム合成手段）18と、図示していな
いポリゴンモータによって回転駆動され偏向ビームスプ
リッタ18により合成された光ビームＲ1 、Ｒ0 を主走査
方向に偏向し走査するポリゴンミラー（光偏向器）19
と、ポリゴンミラー19により主走査方向に走査される光
ビームＲ1 、Ｒ0 を被走査面上に結像するｆθレンズ20
と、ｆθレンズ20を透過してきた光ビームＲ1 、Ｒ0 を
被走査面方向に偏向するミラー21と、から構成されてい
る。
１〜図３は本発明に係るマルチビーム走査装置の一実施
例を示す図である。図１において、10はマルチビーム走
査装置であり、マルチビーム走査装置10は、ｐーｎ接合
面に垂直な方向が図中Ｘ1 方向の半導体レーザ11と、半
導体レーザ11に対して同一平面上の図中上下方向（副走
査方向）に配列されｐーｎ接合面に垂直な方向が図中Ｙ
0 方向の半導体レーザ12と、半導体レーザ11、12から出
射された光ビームを平行光束に変換するコリメータレン
ズ13、14と、平行光束にされた光ビームを各々所定のビ
ーム径に整形するアパーチャ15、16と、半導体レーザ11
から出射された光ビームＲ1 （一方の光ビーム）の光軸
上に配設され、その光軸に直交する軸17ａを中心に所定
角度回転して光ビームＲ1 を所定方向に反射する反射ミ
ラー17と、反射ミラー17により反射された光ビームＲ1
の光軸と半導体レーザ12から出射された光ビームＲ0
（他方の光ビーム）の光軸とが交叉する位置に配設さ
れ、光ビームＲ0 は透過するが光ビームＲ1 は偏光面が
９０゜ずれていることから再度反射して光ビームＲ1 を
光ビームＲ0 の光軸に近接させて合成し出射する偏向ビ
ームスプリッタ（ビーム合成手段）18と、図示していな
いポリゴンモータによって回転駆動され偏向ビームスプ
リッタ18により合成された光ビームＲ1 、Ｒ0 を主走査
方向に偏向し走査するポリゴンミラー（光偏向器）19
と、ポリゴンミラー19により主走査方向に走査される光
ビームＲ1 、Ｒ0 を被走査面上に結像するｆθレンズ20
と、ｆθレンズ20を透過してきた光ビームＲ1 、Ｒ0 を
被走査面方向に偏向するミラー21と、から構成されてい
る。
【００１８】マルチビーム走査装置10は、図２に示すよ
うに、半導体レーザ11、12は支持体22ａ、22ｂに圧入固
定してその支持体22ａ、22ｂを基体23の一面23ｃ側に半
導体レーザ11、12が嵌合穴23ａ、23ｂに臨むようネジ止
め固定するとともに、コリメータレンズ13、14は鏡筒に
収めて嵌合穴23ａ、23ｂに基体23の裏面側から嵌挿して
接着固定し、半導体レーザ11、12の発光点とコリメータ
レンズ13、14の光軸との配置が一致するよう接合させて
いる。また、アパーチャ15、16は嵌合穴23ａ、23ｂを形
成された基体23の円筒状の突起部（図示していない）の
外周面に円筒部15ａ、16ａを嵌入してコリメータレンズ
13、14にスリットを対向させている。また、反射ミラー
17は金属板を成形した支持板24の回転軸24ｂに回転可能
に支持された可動部24ａに接着し、この支持板24は可動
部24ａの裏面側との間に圧電素子25を挟み込むように非
導電材のスペーサ26を介して支持部材27に固定されてお
り、反射ミラー17は端子24ｃ、27ａから供給される駆動
電圧に応じて圧電素子25が駆動して可動部24ａを回動し
光ビームＲ1 に対する角度を変更するようになってい
る。このマルチビーム走査装置10は、支持部材27をフラ
ンジ28の半導体レーザ11から出射される光ビームＲ1 の
光軸に対応する位置28ａに、偏向ビームスプリッタ18を
半導体レーザ12から出射される光ビームＲ0 の光軸に対
応する位置28ｂに固定し、このフランジ28に基体23を組
み合せてネジ止め接合して、半導体レーザ11、12、コリ
メータレンズ13、14、アパーチャ15、16、反射ミラー1
7、および偏向ビームスプリッタ18を一体に形成して光
ビームＲ1 、Ｒ0 を合成して出射する光源としている。
そして、フランジ28の円筒状の突起部28ｃを装置筐体30
の嵌合穴30ａに嵌挿して、この光源を装置筐体30に着脱
可能に支持させている。なお、31は端子24ｃ、27ａに圧
電素子25の駆動電圧を供給するコネクタである。
うに、半導体レーザ11、12は支持体22ａ、22ｂに圧入固
定してその支持体22ａ、22ｂを基体23の一面23ｃ側に半
導体レーザ11、12が嵌合穴23ａ、23ｂに臨むようネジ止
め固定するとともに、コリメータレンズ13、14は鏡筒に
収めて嵌合穴23ａ、23ｂに基体23の裏面側から嵌挿して
接着固定し、半導体レーザ11、12の発光点とコリメータ
レンズ13、14の光軸との配置が一致するよう接合させて
いる。また、アパーチャ15、16は嵌合穴23ａ、23ｂを形
成された基体23の円筒状の突起部（図示していない）の
外周面に円筒部15ａ、16ａを嵌入してコリメータレンズ
13、14にスリットを対向させている。また、反射ミラー
17は金属板を成形した支持板24の回転軸24ｂに回転可能
に支持された可動部24ａに接着し、この支持板24は可動
部24ａの裏面側との間に圧電素子25を挟み込むように非
導電材のスペーサ26を介して支持部材27に固定されてお
り、反射ミラー17は端子24ｃ、27ａから供給される駆動
電圧に応じて圧電素子25が駆動して可動部24ａを回動し
光ビームＲ1 に対する角度を変更するようになってい
る。このマルチビーム走査装置10は、支持部材27をフラ
ンジ28の半導体レーザ11から出射される光ビームＲ1 の
光軸に対応する位置28ａに、偏向ビームスプリッタ18を
半導体レーザ12から出射される光ビームＲ0 の光軸に対
応する位置28ｂに固定し、このフランジ28に基体23を組
み合せてネジ止め接合して、半導体レーザ11、12、コリ
メータレンズ13、14、アパーチャ15、16、反射ミラー1
7、および偏向ビームスプリッタ18を一体に形成して光
ビームＲ1 、Ｒ0 を合成して出射する光源としている。
そして、フランジ28の円筒状の突起部28ｃを装置筐体30
の嵌合穴30ａに嵌挿して、この光源を装置筐体30に着脱
可能に支持させている。なお、31は端子24ｃ、27ａに圧
電素子25の駆動電圧を供給するコネクタである。
【００１９】このマルチビーム走査装置10は、半導体レ
ーザ11から出射された一方の光ビームＲ1 を反射ミラー
17が所定方向に反射して偏向ビームスプリッタ18が光ビ
ームＲ1 の入射角度に応じた方向に再度反射するととも
に、半導体レーザ12から出射された他方の光ビームＲ0
はそのまま偏向ビームスプリッタ18を透過する。そのた
め、光ビームＲ1 の走査する走査線Ｌ1 と光ビームＲ0
の走査線Ｌ0 との走査間隔Ｐが反射ミラー17の角度に応
じて変化することとなる。
ーザ11から出射された一方の光ビームＲ1 を反射ミラー
17が所定方向に反射して偏向ビームスプリッタ18が光ビ
ームＲ1 の入射角度に応じた方向に再度反射するととも
に、半導体レーザ12から出射された他方の光ビームＲ0
はそのまま偏向ビームスプリッタ18を透過する。そのた
め、光ビームＲ1 の走査する走査線Ｌ1 と光ビームＲ0
の走査線Ｌ0 との走査間隔Ｐが反射ミラー17の角度に応
じて変化することとなる。
【００２０】また、マルチビーム走査装置10は、被走査
面上に形成する画像の画素密度に応じた切換信号を出力
する画素密度切換信号発生手段32と、半導体レーザ11、
12を駆動させるレーザドライバ33を切換信号に基づいて
制御し光ビームＲ1 、Ｒ0 のビーム強度を切り換える駆
動電流制御手段34と、半導体レーザ11、12が出射する光
ビームＲ1 、Ｒ0 の主走査変調周波数を切換信号に基づ
いて切り換えて画素データとともにレーザドライバ33に
入力する画素クロック制御手段35と、画像形成領域外の
等価面上に配設したＣＣＤ（Charge Coupled Device）
センサ36の光ビームＲ1 、Ｒ0 を光電変換した信号を取
り込んで光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを検出する走
査線間隔検出手段37と、切換信号および走査線間隔検出
手段37の検出情報に基づいて圧電素子25に駆動電圧を供
給し反射ミラー17の角度を切り換える圧電素子ドライバ
38と、前記ポリゴンモータを駆動させる図示していない
モータドライバの走査周波数を切換信号に基づいて切り
換える走査周波数制御手段39と、を備えている。
面上に形成する画像の画素密度に応じた切換信号を出力
する画素密度切換信号発生手段32と、半導体レーザ11、
12を駆動させるレーザドライバ33を切換信号に基づいて
制御し光ビームＲ1 、Ｒ0 のビーム強度を切り換える駆
動電流制御手段34と、半導体レーザ11、12が出射する光
ビームＲ1 、Ｒ0 の主走査変調周波数を切換信号に基づ
いて切り換えて画素データとともにレーザドライバ33に
入力する画素クロック制御手段35と、画像形成領域外の
等価面上に配設したＣＣＤ（Charge Coupled Device）
センサ36の光ビームＲ1 、Ｒ0 を光電変換した信号を取
り込んで光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを検出する走
査線間隔検出手段37と、切換信号および走査線間隔検出
手段37の検出情報に基づいて圧電素子25に駆動電圧を供
給し反射ミラー17の角度を切り換える圧電素子ドライバ
38と、前記ポリゴンモータを駆動させる図示していない
モータドライバの走査周波数を切換信号に基づいて切り
換える走査周波数制御手段39と、を備えている。
【００２１】画素密度切換信号発生手段32は、画素密度
を切り換える際、その画素密度に応じた切換信号を出力
し、画素クロック制御手段35が光ビームＲ1 、Ｒ0 によ
るその主走査方向のドットピッチを切り換え、走査周波
数制御手段39がポリゴンミラー19の回転速度を切り換え
て主走査方向の画素密度を変更し、また、走査線間隔検
出手段37が光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを検出しつ
つ圧電素子ドライバ38が圧電素子25を駆動して反射ミラ
ー17の角度を変更して光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐ
を切り換え被走査面に形成する副走査方向の画素密度を
変更するようになっている。すなわち、圧電素子25は、
角度変更手段を構成している。
を切り換える際、その画素密度に応じた切換信号を出力
し、画素クロック制御手段35が光ビームＲ1 、Ｒ0 によ
るその主走査方向のドットピッチを切り換え、走査周波
数制御手段39がポリゴンミラー19の回転速度を切り換え
て主走査方向の画素密度を変更し、また、走査線間隔検
出手段37が光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを検出しつ
つ圧電素子ドライバ38が圧電素子25を駆動して反射ミラ
ー17の角度を変更して光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐ
を切り換え被走査面に形成する副走査方向の画素密度を
変更するようになっている。すなわち、圧電素子25は、
角度変更手段を構成している。
【００２２】この画素密度切換信号発生手段32は、画素
密度を半分、例えば６００ｄｐｉ（ドット／インチ）か
ら３００ｄｐｉに切り換える場合には、圧電素子ドライ
バ38が光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを０にして同一
の走査線上を重ね書きするよう圧電素子25を駆動して反
射ミラー17の角度を偏向し副走査方向の画素密度を半分
にするとともに、主走査方向の画素密度はポリゴンミラ
ー19の回転速度を切り換えることなく画素クロック制御
手段35が主走査方向のドットピッチを半分に切り換え
る。また、６００ｄｐｉから画素密度を低くする場合に
は、走査間隔Ｐが広がるに従って光ビームＲ1 、Ｒ0 の
ビーム強度を高くするよう駆動電流制御手段34がレーザ
ドライバ33を制御する。すなわち、駆動電流制御手段34
はビーム強度制御手段を構成している。なお、画素密度
を半分にする場合、半導体レーザ11または12のどちらか
の駆動を停止して副走査方向の画素密度を半分にしても
よいが、この場合には光ビームＲ1 またはＲ0 のビーム
強度を高くする必要がある。
密度を半分、例えば６００ｄｐｉ（ドット／インチ）か
ら３００ｄｐｉに切り換える場合には、圧電素子ドライ
バ38が光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを０にして同一
の走査線上を重ね書きするよう圧電素子25を駆動して反
射ミラー17の角度を偏向し副走査方向の画素密度を半分
にするとともに、主走査方向の画素密度はポリゴンミラ
ー19の回転速度を切り換えることなく画素クロック制御
手段35が主走査方向のドットピッチを半分に切り換え
る。また、６００ｄｐｉから画素密度を低くする場合に
は、走査間隔Ｐが広がるに従って光ビームＲ1 、Ｒ0 の
ビーム強度を高くするよう駆動電流制御手段34がレーザ
ドライバ33を制御する。すなわち、駆動電流制御手段34
はビーム強度制御手段を構成している。なお、画素密度
を半分にする場合、半導体レーザ11または12のどちらか
の駆動を停止して副走査方向の画素密度を半分にしても
よいが、この場合には光ビームＲ1 またはＲ0 のビーム
強度を高くする必要がある。
【００２３】また、圧電素子ドライバ38は、副走査方向
の画素密度を切り換える際、圧電素子25を駆動し反射ミ
ラー17の角度を変更して光ビームＲ1 と光ビームＲ0 と
の挟角を変化させ非平行な光ビームＲ1 、Ｒ0 を被走査
面上に走査してその走査間隔Ｐを変更するため、仮に光
ビームＲ0 をｆθレンズ20の光軸に一致させると図３に
示すように、光ビームＲ1 は偏心してｆθレンズ20に入
射することとなり被走査面上を走査する光ビームＲ1 の
走査線Ｌ1 は変動（湾曲）してしまうので、一ライン主
走査方向に走査する間に圧電素子25を複数段階で駆動さ
せることによって反射ミラー17の角度をθ0 およびθ1
に切り換えてその変動を直線に近く補正するようになっ
ている。すなわち、圧電素子ドライバ38は角度補正手段
を構成している。
の画素密度を切り換える際、圧電素子25を駆動し反射ミ
ラー17の角度を変更して光ビームＲ1 と光ビームＲ0 と
の挟角を変化させ非平行な光ビームＲ1 、Ｒ0 を被走査
面上に走査してその走査間隔Ｐを変更するため、仮に光
ビームＲ0 をｆθレンズ20の光軸に一致させると図３に
示すように、光ビームＲ1 は偏心してｆθレンズ20に入
射することとなり被走査面上を走査する光ビームＲ1 の
走査線Ｌ1 は変動（湾曲）してしまうので、一ライン主
走査方向に走査する間に圧電素子25を複数段階で駆動さ
せることによって反射ミラー17の角度をθ0 およびθ1
に切り換えてその変動を直線に近く補正するようになっ
ている。すなわち、圧電素子ドライバ38は角度補正手段
を構成している。
【００２４】このように本実施例では、被走査面に形成
する画像の画素密度を切り換える際、画素密度に基づい
て圧電素子25が駆動され光ビームＲ1 を反射する反射ミ
ラー17の角度が変更されて光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査線
Ｌ1 、Ｌ0 が副走査方向の画素密度に応じた走査間隔Ｐ
にされる。また、主走査方向には光ビームＲ1 、Ｒ0の
ドットピッチ、およびポリゴンミラー19の回転速度が切
り換えられる。したがって、被走査面を走査して形成さ
れる画像の画素密度を簡易に切り換えることができる。
する画像の画素密度を切り換える際、画素密度に基づい
て圧電素子25が駆動され光ビームＲ1 を反射する反射ミ
ラー17の角度が変更されて光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査線
Ｌ1 、Ｌ0 が副走査方向の画素密度に応じた走査間隔Ｐ
にされる。また、主走査方向には光ビームＲ1 、Ｒ0の
ドットピッチ、およびポリゴンミラー19の回転速度が切
り換えられる。したがって、被走査面を走査して形成さ
れる画像の画素密度を簡易に切り換えることができる。
【００２５】この光ビームＲ1 を反射する反射ミラー17
は、圧電素子25により可動部24ａが回転され画素密度に
応じた角度で位置決めされるので、例えば、駆動力を伝
達するギヤ等を用いた場合のバックラッシュ等によるそ
の角度の変動が生じることがなく、光ビームＲ1 を画素
密度に応じた方向に反射するよう高精度にその角度が保
持される。さらに、駆動を伝達する手段を設けることな
く圧電素子25が可動部24ａを回転させて直接反射ミラー
17の角度を変更するので、小型化することができる。
は、圧電素子25により可動部24ａが回転され画素密度に
応じた角度で位置決めされるので、例えば、駆動力を伝
達するギヤ等を用いた場合のバックラッシュ等によるそ
の角度の変動が生じることがなく、光ビームＲ1 を画素
密度に応じた方向に反射するよう高精度にその角度が保
持される。さらに、駆動を伝達する手段を設けることな
く圧電素子25が可動部24ａを回転させて直接反射ミラー
17の角度を変更するので、小型化することができる。
【００２６】また、形成する画像の画素密度を半分にす
る際、光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを０にするよう
反射ミラー17の角度が変更されるので、光ビームＲ1 、
Ｒ0は重ね書きして副走査方向の画素密度が半分にされ
る。また、主走査方向にはポリゴンミラー19の回転速度
を半減する必要がない。このとき、光ビームＲ1 、Ｒ0
は重ね書きするので、ビーム強度は２倍にされる。した
がって、画素密度の半減は、より簡易に切り換えること
ができる。さらに、ポリゴンミラー19の回転数を切り換
える必要がないので駆動させるドライバーに負担を掛け
ることがない。また、ビーム強度が２倍になるので画素
密度を半分にしたことによる画像の濃度低下を防止する
ことができる。また、光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐ
を広げるに従ってそのビーム強度が高くされるので、被
走査面に形成される画像のドット径が大きくされ、画素
密度を低くしたことによるその画像の濃度低下を防止す
ることができる。
る際、光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐを０にするよう
反射ミラー17の角度が変更されるので、光ビームＲ1 、
Ｒ0は重ね書きして副走査方向の画素密度が半分にされ
る。また、主走査方向にはポリゴンミラー19の回転速度
を半減する必要がない。このとき、光ビームＲ1 、Ｒ0
は重ね書きするので、ビーム強度は２倍にされる。した
がって、画素密度の半減は、より簡易に切り換えること
ができる。さらに、ポリゴンミラー19の回転数を切り換
える必要がないので駆動させるドライバーに負担を掛け
ることがない。また、ビーム強度が２倍になるので画素
密度を半分にしたことによる画像の濃度低下を防止する
ことができる。また、光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐ
を広げるに従ってそのビーム強度が高くされるので、被
走査面に形成される画像のドット径が大きくされ、画素
密度を低くしたことによるその画像の濃度低下を防止す
ることができる。
【００２７】さらに、光ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐ
を変更するために光ビームＲ1 が偏心してｆθレンズ20
に入射されることによって生じる光ビームＲ1 の走査す
る走査線Ｌ1 の変動は、一ライン主走査方向に走査する
間に複数段階で反射ミラー17の角度がθ0 およびθ1 に
切り換えられ、直線近くに補正される。したがって、光
ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐは均一にされ、高品質の
画像を形成することができる。
を変更するために光ビームＲ1 が偏心してｆθレンズ20
に入射されることによって生じる光ビームＲ1 の走査す
る走査線Ｌ1 の変動は、一ライン主走査方向に走査する
間に複数段階で反射ミラー17の角度がθ0 およびθ1 に
切り換えられ、直線近くに補正される。したがって、光
ビームＲ1 、Ｒ0 の走査間隔Ｐは均一にされ、高品質の
画像を形成することができる。
【００２８】また、半導体レーザ11、12は支持体22ａ、
22ｂに、コリメータレンズ13、14およびアパーチャ15、
16は基体23に、反射ミラー17は支持部材27に、偏向ビー
ムスプリッタ18はフランジ28に固定されて、支持体22
ａ、22ｂ、基体23、支持部材27、およびフランジ28はそ
れぞれ組み合わされて接合され、光ビームＲ1 、Ｒ0 を
出射する光源が一体に形成される。そして、そのフラン
ジ28が装置筐体30に着脱可能に支持される。したがっ
て、例えば、半導体レーザ11、12の消耗による部品交換
等を行なう際、その光源自体を交換することにより対応
することができ、交換後の光軸調整等は不要となりメン
テナンスを容易に実施することができる。
22ｂに、コリメータレンズ13、14およびアパーチャ15、
16は基体23に、反射ミラー17は支持部材27に、偏向ビー
ムスプリッタ18はフランジ28に固定されて、支持体22
ａ、22ｂ、基体23、支持部材27、およびフランジ28はそ
れぞれ組み合わされて接合され、光ビームＲ1 、Ｒ0 を
出射する光源が一体に形成される。そして、そのフラン
ジ28が装置筐体30に着脱可能に支持される。したがっ
て、例えば、半導体レーザ11、12の消耗による部品交換
等を行なう際、その光源自体を交換することにより対応
することができ、交換後の光軸調整等は不要となりメン
テナンスを容易に実施することができる。
【００２９】なお、本実施例では、一方の光ビームの入
射角を反射ミラーが変更して他方との走査間隔を切り換
えているが、反射ミラーを複数設けて２個以上の半導体
レーザからの光ビームに対する角度を変更し各々の走査
間隔を切り換えるようにしてもよい。
射角を反射ミラーが変更して他方との走査間隔を切り換
えているが、反射ミラーを複数設けて２個以上の半導体
レーザからの光ビームに対する角度を変更し各々の走査
間隔を切り換えるようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、一方の光
ビームをビーム合成手段に入射する反射ミラーのその光
ビームに対する角度を被走査面に形成する画像の画素密
度に基づいて副走査方向に変更するので、一方の光ビー
ムが走査する走査線を他方の光ビームの走査線に対して
副走査方向に変更することができ、互いの走査間隔を被
走査面に形成する画像の画素密度に応じた間隔にするこ
とができる。その結果、被走査面に形成する画像の画素
密度を簡易に切り換えることができ、多種の画素密度の
画像を同一の装置で形成することができる。
ビームをビーム合成手段に入射する反射ミラーのその光
ビームに対する角度を被走査面に形成する画像の画素密
度に基づいて副走査方向に変更するので、一方の光ビー
ムが走査する走査線を他方の光ビームの走査線に対して
副走査方向に変更することができ、互いの走査間隔を被
走査面に形成する画像の画素密度に応じた間隔にするこ
とができる。その結果、被走査面に形成する画像の画素
密度を簡易に切り換えることができ、多種の画素密度の
画像を同一の装置で形成することができる。
【００３１】請求項２記載の発明によれば、被走査面に
形成する画像の画素密度を半分にするとき、一方の光ビ
ームを反射する反射ミラーの角度を一方および他方の光
ビームの走査間隔が０となるように変更するので、一方
および他方の光ビームは同一の走査線上を走査して重ね
書きする。したがって、被走査面に形成する画像の副走
査方向の画素密度を半分にすることができ、簡易に画素
密度を半分にすることができる。さらに、光偏向器の回
転数を半減する必要がないので、モータドライバに負担
を掛けることがない。また、光ビームの強度が２倍にな
るので、被走査面に形成する画像のドット径を大きくし
て画素密度を低くしたことによる濃度低下を防止するこ
とができる。
形成する画像の画素密度を半分にするとき、一方の光ビ
ームを反射する反射ミラーの角度を一方および他方の光
ビームの走査間隔が０となるように変更するので、一方
および他方の光ビームは同一の走査線上を走査して重ね
書きする。したがって、被走査面に形成する画像の副走
査方向の画素密度を半分にすることができ、簡易に画素
密度を半分にすることができる。さらに、光偏向器の回
転数を半減する必要がないので、モータドライバに負担
を掛けることがない。また、光ビームの強度が２倍にな
るので、被走査面に形成する画像のドット径を大きくし
て画素密度を低くしたことによる濃度低下を防止するこ
とができる。
【００３２】請求項３記載の発明によれば、圧電素子が
可動部を回転させて反射ミラーの角度を変更するので、
圧電素子の駆動によって反射ミラーを位置決めすること
ができ、駆動を伝達する手段を用いたときのバックラッ
シュ等による変動を発生させることなく反射ミラーの角
度を高精度に保持することができる。また、圧電素子が
可動部を直接回転させるので、駆動を伝達する手段が必
要なく、小型化することができる。
可動部を回転させて反射ミラーの角度を変更するので、
圧電素子の駆動によって反射ミラーを位置決めすること
ができ、駆動を伝達する手段を用いたときのバックラッ
シュ等による変動を発生させることなく反射ミラーの角
度を高精度に保持することができる。また、圧電素子が
可動部を直接回転させるので、駆動を伝達する手段が必
要なく、小型化することができる。
【００３３】請求項４記載の発明によれば、光ビームを
合成して出射する手段を光源として一体に形成し装置筐
体に着脱自在に構成するので、部品交換等を行なう際、
光源自体を交換することによって対応することができ、
交換後の光軸調整等を省いてメンテナンスを容易に行な
うことができる。請求項５記載の発明によれば、被走査
面を走査する光ビームの強度をその走査間隔が広がるに
従って高くするので、被走査面に形成する画像のドット
径を大きくすることができ、画素密度を低くしたことに
よる濃度低下を防止することができる。
合成して出射する手段を光源として一体に形成し装置筐
体に着脱自在に構成するので、部品交換等を行なう際、
光源自体を交換することによって対応することができ、
交換後の光軸調整等を省いてメンテナンスを容易に行な
うことができる。請求項５記載の発明によれば、被走査
面を走査する光ビームの強度をその走査間隔が広がるに
従って高くするので、被走査面に形成する画像のドット
径を大きくすることができ、画素密度を低くしたことに
よる濃度低下を防止することができる。
【００３４】また、請求項６記載の発明によれば、他方
の光ビームの被走査面を走査する走査線を直線となるよ
うセットすると、一方の光ビームは一ライン走査する間
に副走査方向に変動するが、反射ミラーの角度をその変
動を補正するように副走査方向に変更させるので、一方
の光ビームの走査する走査線を直線に補正することがで
き、一方および他方の光ビームの走査間隔を均一にする
ことができる。したがって、被走査面に高品質の画像を
形成することができる。
の光ビームの被走査面を走査する走査線を直線となるよ
うセットすると、一方の光ビームは一ライン走査する間
に副走査方向に変動するが、反射ミラーの角度をその変
動を補正するように副走査方向に変更させるので、一方
の光ビームの走査する走査線を直線に補正することがで
き、一方および他方の光ビームの走査間隔を均一にする
ことができる。したがって、被走査面に高品質の画像を
形成することができる。
【図１】本発明に係るマルチビーム走査装置の一実施例
を示す全体構成図である。
を示す全体構成図である。
【図２】その要部の組立分解斜視図である。
【図３】その光ビームの走査を説明する説明図である。
10 マルチビーム走査装置 11、12 半導体レーザ 13、14 コリメータレンズ 15、16 アパーチャ 17 反射ミラー 18 偏向ビームスプリッタ（ビーム合成手段） 19 ポリゴンミラー（光偏向器） 20 ｆθレンズ 24ａ 可動部 24ｂ 回転軸 25 圧電素子（角度変更手段） 30 装置筐体 34 駆動電流制御手段（ビーム強度制御手段） 38 圧電素子ドライバ（角度補正手段） Ｐ 走査間隔 Ｒ1 光ビーム（一方の光ビーム） Ｒ0 光ビーム（他方の光ビーム）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ４１Ｊ 2/44 Ｇ０２Ｂ 7/198
Claims (6)
- 【請求項１】２個の半導体レーザと、該半導体レーザか
ら出射された光ビームを各々平行光束にするコリメータ
レンズと、一方の光ビームの光軸上に配設され、該光ビ
ームを所定方向に反射する反射ミラーと、該反射ミラー
により反射された光ビームの光軸と他方の光ビームの光
軸との交叉位置に配設され、これら光ビームを入射角に
応じて反射または透過してその光軸を近接させ出射する
ビーム合成手段と、該ビーム合成手段から出射された光
ビームを偏向し走査する光偏向器と、を備え、一方およ
び他方の光ビームを被走査面上に光走査して画像を形成
するマルチビーム走査装置であって、 前記反射ミラーの一方の光ビームに対する角度を、被走
査面に形成する画像の画素密度に基づいて副走査方向に
変更させる角度変更手段を設けたことを特徴とするマル
チビーム走査装置。 - 【請求項２】前記角度変更手段が、画素密度を半分にす
るとき、一方の半導体レーザから出射された光ビームを
他方からの光ビームとの走査間隔が０となるように反射
ミラーの角度を変更することを特徴とする請求項１記載
のマルチビーム走査装置。 - 【請求項３】前記角度変更手段が、光軸と直交する回転
軸に回転自在に支持され一面側に反射ミラーを固着され
た可動部と、該可動部の他面側に固着された圧電素子
と、からなり、 該圧電素子により可動部を回転駆動して反射ミラーの角
度を変更させることを特徴とする請求項１記載のマルチ
ビーム走査装置。 - 【請求項４】前記２個の半導体レーザと、コリメータレ
ンズと、反射ミラーと、ビーム合成手段と、を光源とし
て一体に形成し、 該光源を装置筐体に着脱自在に構成したことを特徴とす
る請求項１記載のマルチビーム走査装置。 - 【請求項５】前記被走査面を走査する光ビームの走査間
隔に応じて光ビームの強度を制御するビーム強度制御手
段を設け、 該ビーム強度制御手段が、走査間隔が広がるに従って光
ビームの強度を高くすることを特徴とする請求項１記載
のマルチビーム走査装置。 - 【請求項６】２個の半導体レーザと、該半導体レーザか
ら出射された光ビームを各々平行光束にするコリメータ
レンズと、一方の光ビームの光軸上に配設され、該光ビ
ームを所定方向に反射する反射ミラーと、該反射ミラー
により反射された光ビームの光軸と他方の光ビームの光
軸との交叉位置に配設され、これら光ビームを入射角に
応じて反射または透過してその光軸を近接させ出射する
ビーム合成手段と、該ビーム合成手段から出射された光
ビームを偏向し走査する光偏向器とを備え、一方および
他方の光ビームを被走査面上に光走査して画像を形成す
るマルチビーム走査装置であって、 前記反射ミラーの一方の光ビームに対する角度を、該光
ビームの副走査方向への変動を補正するよう変更させる
角度補正手段を設けたことを特徴とするマルチビーム走
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32564393A JPH07181410A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | マルチビーム走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32564393A JPH07181410A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | マルチビーム走査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07181410A true JPH07181410A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18179126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32564393A Pending JPH07181410A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | マルチビーム走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07181410A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6343092B1 (en) | 1997-04-07 | 2002-01-29 | Ricoh Company, Ltd. | Light source device including semiconductor lasers |
| JP2006184500A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Ricoh Co Ltd | マルチビーム光源装置、マルチビーム光走査装置、画像形成装置 |
| US7295225B2 (en) | 2002-09-19 | 2007-11-13 | Ricoh Company, Ltd. | Light source and light beam scanning unit |
| US7706040B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-04-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus, illuminant apparatus and image forming apparatus |
| US8619107B2 (en) | 2004-02-18 | 2013-12-31 | Ricoh Company, Ltd. | Beam-spot position compensation method, optical scanning device, and multi-color image forming device |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32564393A patent/JPH07181410A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6343092B1 (en) | 1997-04-07 | 2002-01-29 | Ricoh Company, Ltd. | Light source device including semiconductor lasers |
| DE19815620B4 (de) * | 1997-04-07 | 2012-12-06 | Ricoh Co., Ltd. | Lichtquellenvorrichtung |
| US7706040B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-04-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus, illuminant apparatus and image forming apparatus |
| US7295225B2 (en) | 2002-09-19 | 2007-11-13 | Ricoh Company, Ltd. | Light source and light beam scanning unit |
| US8619107B2 (en) | 2004-02-18 | 2013-12-31 | Ricoh Company, Ltd. | Beam-spot position compensation method, optical scanning device, and multi-color image forming device |
| JP2006184500A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Ricoh Co Ltd | マルチビーム光源装置、マルチビーム光走査装置、画像形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5774248A (en) | Optical scanning apparatus | |
| US5883385A (en) | Multibeam scanning method and apparatus with positional adjustment features | |
| JP6903875B2 (ja) | 光走査装置、プロジェクタ装置およびヘッドアップディスプレイ装置 | |
| US6121983A (en) | Method and apparatus for a solid state laser scanning architecture | |
| JPS62502428A (ja) | アウトプット像サイズを変える方法を具体化した複数フォ−マットレ−ザプリント | |
| JP2000105347A (ja) | マルチビ―ム光源装置、マルチビ―ム走査装置および画像形成装置 | |
| JP3545115B2 (ja) | 像面湾曲の補正方法および該方法に使用する光ビーム走査装置 | |
| JPH07181410A (ja) | マルチビーム走査装置 | |
| JPH0582905A (ja) | 光源装置 | |
| EP0773461B1 (en) | Multibeam scanning method and apparatus | |
| US20040114027A1 (en) | Recording image data | |
| JP3670858B2 (ja) | マルチビーム光源装置 | |
| JPH10133135A (ja) | 光ビーム偏向装置 | |
| JPH1010447A (ja) | 光走査装置 | |
| JPH0439054B2 (ja) | ||
| JP4425505B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| KR20060122607A (ko) | 주사 광학장치 및 이를 채용한 화상형성장치 | |
| JP2942721B2 (ja) | マルチビーム走査装置 | |
| JPH09127444A (ja) | マルチビーム走査装置 | |
| JP2002341272A (ja) | 偏向走査装置 | |
| JP2000255097A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0980331A (ja) | 複数ビーム走査装置 | |
| JP3638766B2 (ja) | マルチビーム射出装置 | |
| JP3000473B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH07181412A (ja) | マルチビーム走査装置 |