JPH071760B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ーハ（以下単にウェーハという）上の異物を除去する工
程を有する半導体装置の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のウェーハ上の異物を除去する工程は、第
４図のようにステージ２にウェーハ１を乗せ、回転軸３
を回転させる。一方、タンク９より配管６を通して流出
口７より純水をアーム５により回転しているブラシ４に
滴下させる。このようにして回転しているウェーハ１に
純水を滴下させた回転するブラシ４を押しあてることに
よりウェーハ上の異物を除去していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置の製造方法ではウェーハに直
接ブラシを押し付ける為、ウェーハにダメージを与えて
しまう。またブラシに付着している異物、又はブラシの
自身からの発塵等により、ウェーハ上に異物が再付着す
る可能性がある。

本発明の目的は、ウェーハに機械的ダメージを与えるこ
となく、洗浄治具等からの発塵による異物の再付着をな
くし、ウェーハの異物を除去できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造方法は、粘性の大きい液体で
ウェーハ上の異物を除去する工程を含むことを特徴とし
て構成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例を説明するための模式的断面図であ
る。

第１図において１はウェーハ、２はウェーハを載置する
ステージ、３はステージを回転させるための回転軸、６
は粘性の液体を通す配管、７は液体を流出させるための
流出口、８は液体の流量を調整するバルブ、９は液体を
蓄えるタンク、10はウェーハ上の異物、11はウェーハ上
に塗布した粘性の液体である。

本実施例では、液体として粘度30〜50cpの液体を用いた
例について説明する。まず、ステージ２にウェーハ１を
乗せ、回転軸３を3000〜4000回転で回転させる。その
後、バルブ８を開け、タンク９に蓄えられていた液体11
が配管６を通して流出口７よりウェーハ１上へ滴下され
る。滴下された液体11は回転するウェーハ１の遠心力に
より、ウェーハ１の上に均一に塗布される。さらに回転
軸３を4000〜5000回転で高速回転させ、ウェーハ１上の
液体11を振り切る。それとともに液体の流力でウェーハ
上の異物10をもウェーア１上から除去するものである。
すなわち粘度の高い液体の異物との付着力と流力を活用
して機械的ダメージを与えずにウェーハを清浄化でき
る。

なお、回転軸３の回転数を上げてウェーハ１上の液体11
を振り切る替りに、液体11に水溶性の液体を用い、ウェ
ーハ１に塗布後、水を加えることによって液体11を振り
切る方法を用いてもよい。

第２図は本発明の他の実施例を説明するための模式的断
面図である。第２図において、１はウェーハ、10は異
物、11は液体、12はウェーハ１を入れるキャリア、13は
液体を入れる処理槽、５はキャリアを支えるアームであ
る。液体11が入った処理槽13に、ウェーハ１が入ったキ
ャリア12を浸し、アーム５を上下に動かしてキャリア12
を振動させた後、キャリア12を引き上けることにより、
ウェーハ１に付着している異物を除去することができ
る。この処理槽をウェーハ１上の感光剤を除去する剥離
工程及びウェーハ１上のイオン性の不純物等を除去する
洗浄工程において感光剤の除去及びイオン性不純物の除
去と並用して用いることにより、より効率的に半導体装
置の製造方法を行うことが可能である。

第３図は本発明の第３の実施例を説明するための装置の
投影図である。第３図において、１はウェーハ,10は異
物,16はウェーハを乗せる為の台,15は流れた液体を集め
る為の液受け、14は液体をフィルタリングする為のフィ
ルタ,8は流量を調整するバルブ,6は液体が通る配管,7は
液体を流す流出口である。図のようにウェーハ１を台16
に乗せ、配管６を通して流出口７より液体を流出させ
る。流出された液体の流力によりウェーハ１上の異物10
を除去することができる。除去された異物10と使用され
た液体は液受け15で集められる。使用された液体はフィ
ルター14によりフィルタリングされる為、第２図のよう
に除去した異物10が再度ウェーハ１に付着する心配がな
い。

また、従来純水を高圧でウェーハ表面に噴出させてその
水圧でウェーハ上の異物を除去する方法で純水のかわり
に本発明の様に粘度の大きい液体を用いれば、さらに除
去効果が大きくなると思われる。

以上実施例で粘度の大きい液体の例として粘度を30〜50
cpとしたが、これは30〜50cp位の粘度があると純水等一
般的にウェーハ上の異物を除去する時に用いる液体に比
べ、大きな効果がある一つの目安であり、また30〜50cp
であると例えば液体をノズルやパイプ等を流すさい設備
的対応も比較的容易であるからである。従って、50cp以
上の粘度の液体も設備的に対応が可能であればより効果
が上りうるということは言うまでもない。なお、粘度の
大きい液体の一例としてはホトレジストをあげることが
でき、その粘度はホトレジストの種類並びに調整段階で
変化させることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、ウェーハに粘性の大き
い液体を塗布又はウェーハを粘性の大きい液体中に浸
し、また、ウェーハ上に液体を流出させるなどにより、
ウェーハ上の異物を除去することにより、ウェーハに機
械的ダメージを与えずに異物を除去することができる効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための装置の模式
的断面図、第２図は本発明の他の実施例を説明するため
の装置の模式的断面図、第３図は本発明の第３の実施例
を説明するための装置の投影図、第４図は従来技術を説
明するための装置の投影図である。 １……ウェーハ、２……ステージ、３……回転軸、４…
…ブラシ、５……アーム、６……配管、７……流出口、
８……バルブ、９……タンク、10……異物、11……液
体、12……キャリア、13……処理層、14……フィルタ
ー、15……液受け、16……台。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェーハ上の異物を除去する工程に
   おいて、前記ウェーハ上の異物をグリセリンを除いて粘
   度30cp以上の粘性を持った液体で除去する工程を含むこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。