JP2000350967A - ウェーハエッジの洗浄方法および装置 - Google Patents
ウェーハエッジの洗浄方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ディスクの主表面に悪影響を与えずに、ディ
スクエッジから残渣および堆積物質を効果的に除去す
る。 【解決手段】 ある態様では、ディスクのエッジをエッ
チング剤含有綿棒またはトラフ（これは一つ以上のトラ
ンスデューサを含んでいてもよい）によってエッチング
剤に接触させ、ディスクエッジの連続部分が走査させら
れてトラフを通り、または綿棒１３を通過するようにデ
ィスクエッジを回転させる。エッチング剤が基板の主表
面と接触することを防ぎ、かつ／または過度のエッチン
グを防ぐため、ディスクのエッジをリンス流体に接触さ
せる（例えば、リンス流体ノズルまたはリンス流体で満
たされたトラフを用いる）。別の態様では、残渣または
パーティクルなどの物質を、音波エネルギーが与えられ
たリンス流体を含むトラフによって取り除くことができ
る。
スクエッジから残渣および堆積物質を効果的に除去す
る。 【解決手段】 ある態様では、ディスクのエッジをエッ
チング剤含有綿棒またはトラフ（これは一つ以上のトラ
ンスデューサを含んでいてもよい）によってエッチング
剤に接触させ、ディスクエッジの連続部分が走査させら
れてトラフを通り、または綿棒１３を通過するようにデ
ィスクエッジを回転させる。エッチング剤が基板の主表
面と接触することを防ぎ、かつ／または過度のエッチン
グを防ぐため、ディスクのエッジをリンス流体に接触さ
せる（例えば、リンス流体ノズルまたはリンス流体で満
たされたトラフを用いる）。別の態様では、残渣または
パーティクルなどの物質を、音波エネルギーが与えられ
たリンス流体を含むトラフによって取り除くことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全般的に、半導体
ウェーハ、コンパクトディスク等の薄ディスクを洗浄す
る装置および方法に関し、特に、薄ディスクのエッジか
ら物質（例えば、処理残渣や堆積物質）を取り除く技術
に関する。
ウェーハ、コンパクトディスク等の薄ディスクを洗浄す
る装置および方法に関し、特に、薄ディスクのエッジか
ら物質（例えば、処理残渣や堆積物質）を取り除く技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハなどの薄ディスクを製造
するためには、半導体材料からなる細長いビレットを厚
さが約１／２ｍｍの非常に薄いスライスにカットする。
次いで、半導体材料のスライスまたはウェーハを、ウェ
ーハ表面に研摩スラリーを塗布するプロセスによってラ
ッピングおよび研磨する。同様に、ポリシングプロセス
は、デバイスの形成中にウェーハ上に堆積した層を平坦
化するために用いられる。ポリシング後、スラリー残渣
は、一般的には、メカニカルスクラブ装置、例えば、ポ
リ酢酸ビニル（ＰＶＡ）ブラシ、その他の多孔性または
スポンジ状材料でできたブラシ、またはナイロン毛でで
きたブラシによってウェーハ表面から洗浄またはスクラ
ブされる。これらの従来の洗浄装置は、ウェーハエッジ
に付着したスラリー残渣の大部分を除去するとはいえ、
それでもなおスラリー粒子は残り、その後に続く処理中
に欠陥を形成する可能性がある。
するためには、半導体材料からなる細長いビレットを厚
さが約１／２ｍｍの非常に薄いスライスにカットする。
次いで、半導体材料のスライスまたはウェーハを、ウェ
ーハ表面に研摩スラリーを塗布するプロセスによってラ
ッピングおよび研磨する。同様に、ポリシングプロセス
は、デバイスの形成中にウェーハ上に堆積した層を平坦
化するために用いられる。ポリシング後、スラリー残渣
は、一般的には、メカニカルスクラブ装置、例えば、ポ
リ酢酸ビニル（ＰＶＡ）ブラシ、その他の多孔性または
スポンジ状材料でできたブラシ、またはナイロン毛でで
きたブラシによってウェーハ表面から洗浄またはスクラ
ブされる。これらの従来の洗浄装置は、ウェーハエッジ
に付着したスラリー残渣の大部分を除去するとはいえ、
それでもなおスラリー粒子は残り、その後に続く処理中
に欠陥を形成する可能性がある。
【０００３】スラリー粒子に加え、エッジ残渣／パーテ
ィクルの他のソースも存在する。例えば、金属薄膜の堆
積中は、ウェーハを堆積チャンバ内の熱したペデスタル
に固定するためとウェーハエッジを膜堆積から保護する
ため（例えば、ウェーハエッジに沿って金属が堆積し、
その後に形成されるデバイスをショートさせることを防
止するため）に、通常はクランプリングが使われる。ウ
ェーハとクランプリングは異なる熱膨張係数をもつの
で、金属薄膜が堆積する間に異なる速度でそれぞれが膨
張し、クランプリングとウェーハエッジとの間の剪断力
が、欠陥のソースとなるエッジパーティクルを生成する
ことがある。その上、クランプリングの表面がウェーハ
の外周全体に沿ってウェーハ表面と密着していない場
合、またはリングとウェーハが同心に配置されていない
場合には、ウェーハエッジの一部は誤って露出し金属で
被覆されてしまう。その後、半導体回路でウェーハをパ
ターン形成する処理工程が行われる。フォトレジストマ
スクを用いた選択的ドーピング、全面的または選択的薄
膜層の堆積、および材料の選択的エッチングを含むパタ
ーン形成は、残渣粒子をウェーハエッジ上にさらに堆積
させることがある。この残渣粒子には、アッシング済の
フォトレジスト、金属（Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、ＴａＮ、Ｔｉ
等）、非金属堆積物からの物質などが含まれる。更に別
の潜在的な汚染源は、一つの処理ステーションから別の
処理ステーションへの搬送のためにウェーハが装填され
るカセットである。上記の機械的手段は、エッジ残渣／
パーティクルを多少は除去するが、全てのエッジ残渣／
パーティクルを除去することはしばしば困難であり、後
続の処理がエッジ残渣／パーティクルをウェーハの前面
に再分布させ、欠陥を引き起こすことが分かっている。
ィクルの他のソースも存在する。例えば、金属薄膜の堆
積中は、ウェーハを堆積チャンバ内の熱したペデスタル
に固定するためとウェーハエッジを膜堆積から保護する
ため（例えば、ウェーハエッジに沿って金属が堆積し、
その後に形成されるデバイスをショートさせることを防
止するため）に、通常はクランプリングが使われる。ウ
ェーハとクランプリングは異なる熱膨張係数をもつの
で、金属薄膜が堆積する間に異なる速度でそれぞれが膨
張し、クランプリングとウェーハエッジとの間の剪断力
が、欠陥のソースとなるエッジパーティクルを生成する
ことがある。その上、クランプリングの表面がウェーハ
の外周全体に沿ってウェーハ表面と密着していない場
合、またはリングとウェーハが同心に配置されていない
場合には、ウェーハエッジの一部は誤って露出し金属で
被覆されてしまう。その後、半導体回路でウェーハをパ
ターン形成する処理工程が行われる。フォトレジストマ
スクを用いた選択的ドーピング、全面的または選択的薄
膜層の堆積、および材料の選択的エッチングを含むパタ
ーン形成は、残渣粒子をウェーハエッジ上にさらに堆積
させることがある。この残渣粒子には、アッシング済の
フォトレジスト、金属（Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、ＴａＮ、Ｔｉ
等）、非金属堆積物からの物質などが含まれる。更に別
の潜在的な汚染源は、一つの処理ステーションから別の
処理ステーションへの搬送のためにウェーハが装填され
るカセットである。上記の機械的手段は、エッジ残渣／
パーティクルを多少は除去するが、全てのエッジ残渣／
パーティクルを除去することはしばしば困難であり、後
続の処理がエッジ残渣／パーティクルをウェーハの前面
に再分布させ、欠陥を引き起こすことが分かっている。
【０００４】本譲受人に譲渡されている同時係属米国特
許出願第０９／１１３，４４７号「ウェーハエッジスク
ラバ」（１９９８年７月１０日出願）では、ウェーハエ
ッジから残渣／パーティクルを更に効率良く機械的に除
去するように形成された表面を有する改良スクラブ装置
が提示されている。残渣の除去は非常に効率的である
が、開示のスクラブ装置と共に用いられる追加のエッジ
洗浄装置がエッジ残渣／パーティクルレベルを更に低下
させる。さらに、米国特許出願第０９／１１３，４４７
号のスクラブ装置は、ウェーハエッジ上に誤って堆積し
た層を除去することはできない。
許出願第０９／１１３，４４７号「ウェーハエッジスク
ラバ」（１９９８年７月１０日出願）では、ウェーハエ
ッジから残渣／パーティクルを更に効率良く機械的に除
去するように形成された表面を有する改良スクラブ装置
が提示されている。残渣の除去は非常に効率的である
が、開示のスクラブ装置と共に用いられる追加のエッジ
洗浄装置がエッジ残渣／パーティクルレベルを更に低下
させる。さらに、米国特許出願第０９／１１３，４４７
号のスクラブ装置は、ウェーハエッジ上に誤って堆積し
た層を除去することはできない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、ディスク
洗浄の分野においては、ディスクの主表面に悪影響を与
えずにディスクのエッジから残渣および堆積物質の双方
を効果的に除去する方法および装置が必要とされてい
る。本発明は、このような方法および装置を提供するこ
とを課題としている。
洗浄の分野においては、ディスクの主表面に悪影響を与
えずにディスクのエッジから残渣および堆積物質の双方
を効果的に除去する方法および装置が必要とされてい
る。本発明は、このような方法および装置を提供するこ
とを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、材料層をエッ
チングし、かつ／またはディスクのエッジから残渣を洗
浄する方法および装置を提供することによって、ディス
クのエッジから物質を更に効率良く除去する要望に対処
するものである。第１の態様では、流体供給ラインがそ
の中に延在している吸収性綿棒によって、エッチング剤
がディスクエッジに塗布される。この綿棒は、ディスク
エッジに接触するように配置され、ディスクが回転する
につれて、エッチング剤が流体供給ラインを介して供給
される。ディスクが回転するにつれてエッチング剤がエ
ッチング剤供給装置（例えば、綿棒）から離れて滴り落
ち、これによりエッチング剤がディスクのパターン形成
領域と接触するようになる可能性を考慮して、リンス流
体ソース（例えば、トラフやノズル）がディスクエッジ
からエッチング剤を除去するように配置される。
チングし、かつ／またはディスクのエッジから残渣を洗
浄する方法および装置を提供することによって、ディス
クのエッジから物質を更に効率良く除去する要望に対処
するものである。第１の態様では、流体供給ラインがそ
の中に延在している吸収性綿棒によって、エッチング剤
がディスクエッジに塗布される。この綿棒は、ディスク
エッジに接触するように配置され、ディスクが回転する
につれて、エッチング剤が流体供給ラインを介して供給
される。ディスクが回転するにつれてエッチング剤がエ
ッチング剤供給装置（例えば、綿棒）から離れて滴り落
ち、これによりエッチング剤がディスクのパターン形成
領域と接触するようになる可能性を考慮して、リンス流
体ソース（例えば、トラフやノズル）がディスクエッジ
からエッチング剤を除去するように配置される。
【０００７】第２の態様では、縦向きのディスクのエッ
ジが浸漬されるエッチング剤充てんトラフによってエッ
チング剤がディスクエッジに供給される。このトラフ
は、メガソニックエネルギーをエッチング剤に与えるこ
とによって物質の除去効果を高めるトランスデューサを
含んでいてもよい。従って、第１および第２態様では、
本発明は、エッジ堆積を防止するために従来から用いら
れているエッジリングによってしばしば引き起こされる
パーティクル生成を起こさずに、ディスクのエッジから
物質を均一にエッチングする。
ジが浸漬されるエッチング剤充てんトラフによってエッ
チング剤がディスクエッジに供給される。このトラフ
は、メガソニックエネルギーをエッチング剤に与えるこ
とによって物質の除去効果を高めるトランスデューサを
含んでいてもよい。従って、第１および第２態様では、
本発明は、エッジ堆積を防止するために従来から用いら
れているエッジリングによってしばしば引き起こされる
パーティクル生成を起こさずに、ディスクのエッジから
物質を均一にエッチングする。
【０００８】第３の態様では、縦向きのディスクのエッ
ジが浸漬される洗浄流体充てんトラフによって洗浄流体
がディスクエッジに供給される。このトラフは、メガソ
ニックエネルギーを洗浄流体に与えることによって洗浄
効果を高めるトランスデューサを含んでいてもよい。オ
プションの綿棒は、ディスクエッジがトラフに達する前
またはトラフから離れた後に綿棒と接触するように配置
することができる。この綿棒は、綿棒の中に延在する流
体供給ラインを介して綿棒の表面から継続的に流れるこ
とのできるパーティクルを解放および／または除去す
る。
ジが浸漬される洗浄流体充てんトラフによって洗浄流体
がディスクエッジに供給される。このトラフは、メガソ
ニックエネルギーを洗浄流体に与えることによって洗浄
効果を高めるトランスデューサを含んでいてもよい。オ
プションの綿棒は、ディスクエッジがトラフに達する前
またはトラフから離れた後に綿棒と接触するように配置
することができる。この綿棒は、綿棒の中に延在する流
体供給ラインを介して綿棒の表面から継続的に流れるこ
とのできるパーティクルを解放および／または除去す
る。
【０００９】本発明の各態様は、単独で使用してもよい
し、縦向きのディスクを回転させる他の洗浄装置と共に
使用してもよい。特に、単一の工程でスクラブ洗浄とメ
ガソニック洗浄の双方を組み合わせた洗浄を行うため
に、本発明の洗浄トラフは、一般譲渡された米国特許出
願第０９／１１３，４４７号（１９９８年７月１０日出
願）に開示されるような縦向きスクラバと共に使用する
ことができる。なお、米国特許出願第０９／１１３，４
４７号の全開示内容は、参照によって本明細書に組み込
まれる。このように、本発明は、ディスクエッジから堆
積材料層を除去するために使用することができ、かつ／
または綿棒によるスクラブもしくは縦向きスクラバによ
るスクラブと本発明のトラフによるメガソニック洗浄と
を組み合わせることによって優れたエッジ洗浄を提供す
ることができる。本発明は、特に、半導体基板（層が付
着した処理済基板、またはシリコン）から材料を除去し
たり、電気めっきディスクから材料を除去するのに特に
好適である。例えば、銅の電気めっき中にウェーハのエ
ッジ上に銅が全く堆積しないようにすることは難しい。
銅の電気めっきの前に堆積したバリヤ層は、しばしばウ
ェーハエッジにおいて不十分な厚さまたは連続性を有す
るので、ウェーハエッジ上に堆積した銅はエッジからウ
ェーハ内に拡散し、ウェーハ上に製造されているデバイ
スの電気的性能を劣化させる。本発明は、ウェーハエッ
ジから銅を完全に除去することを可能にする。同様に、
タングステンもウェーハエッジ上に誤って堆積する場合
がある。ウェーハエッジにおける付着層は、しばしば不
十分な厚さまたは連続性を有するので、ウェーハエッジ
上に堆積したタングステンは、しばしば弱い付着性を有
することになる。付着性が弱いため、そしてタングステ
ンの内部応力が高いため、ウェーハエッジは、後続の処
理中にウェーハ表面に落ちる可能性を持つタングステン
粒子のソースとなりうる。本発明は、ウェーハエッジか
らタングステンを完全に除去することを可能にする。
し、縦向きのディスクを回転させる他の洗浄装置と共に
使用してもよい。特に、単一の工程でスクラブ洗浄とメ
ガソニック洗浄の双方を組み合わせた洗浄を行うため
に、本発明の洗浄トラフは、一般譲渡された米国特許出
願第０９／１１３，４４７号（１９９８年７月１０日出
願）に開示されるような縦向きスクラバと共に使用する
ことができる。なお、米国特許出願第０９／１１３，４
４７号の全開示内容は、参照によって本明細書に組み込
まれる。このように、本発明は、ディスクエッジから堆
積材料層を除去するために使用することができ、かつ／
または綿棒によるスクラブもしくは縦向きスクラバによ
るスクラブと本発明のトラフによるメガソニック洗浄と
を組み合わせることによって優れたエッジ洗浄を提供す
ることができる。本発明は、特に、半導体基板（層が付
着した処理済基板、またはシリコン）から材料を除去し
たり、電気めっきディスクから材料を除去するのに特に
好適である。例えば、銅の電気めっき中にウェーハのエ
ッジ上に銅が全く堆積しないようにすることは難しい。
銅の電気めっきの前に堆積したバリヤ層は、しばしばウ
ェーハエッジにおいて不十分な厚さまたは連続性を有す
るので、ウェーハエッジ上に堆積した銅はエッジからウ
ェーハ内に拡散し、ウェーハ上に製造されているデバイ
スの電気的性能を劣化させる。本発明は、ウェーハエッ
ジから銅を完全に除去することを可能にする。同様に、
タングステンもウェーハエッジ上に誤って堆積する場合
がある。ウェーハエッジにおける付着層は、しばしば不
十分な厚さまたは連続性を有するので、ウェーハエッジ
上に堆積したタングステンは、しばしば弱い付着性を有
することになる。付着性が弱いため、そしてタングステ
ンの内部応力が高いため、ウェーハエッジは、後続の処
理中にウェーハ表面に落ちる可能性を持つタングステン
粒子のソースとなりうる。本発明は、ウェーハエッジか
らタングステンを完全に除去することを可能にする。
【００１０】本発明の他の目的、特徴および利点は、下
記の好適な実施形態の詳細な説明、特許請求の範囲、お
よび添付の図面により十分に明らかになるであろう。
記の好適な実施形態の詳細な説明、特許請求の範囲、お
よび添付の図面により十分に明らかになるであろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、綿棒１３によってエッチ
ング剤を塗布する本発明のシステム１１ａの第１態様の
側面図である。本発明のシステム１１ａは、縦にディス
ク（例えば、半導体ウェーハ１７）を支持する複数のロ
ーラ１５ａ〜１５ｃを含んでいる。ローラ１５ａ〜１５
ｃは、好ましくはｖ形の切欠きを有しており、この切欠
きには、半導体ウェーハ１７が半導体ウェーハ１７の主
表面との最小限の接触で載っている。綿棒１３は、その
端部に吸収材料２１が取り付けられたチューブ１９など
の流体供給ラインを備えている。好ましくは、チューブ
１９の端部に複数の穿孔があり、その大きさと数は吸収
材料２１を所望のレベルの飽和に維持するように選ばれ
る。吸収材料２１は、流体を保持することができるスポ
ンジ状の材料からなり（即ち、吸収性である）、機械的
研摩による物質の除去を補助するように耐摩耗性であ
り、半導体ウェーハ１７のエッジの表面形状に合致する
ように弾性がある。
ング剤を塗布する本発明のシステム１１ａの第１態様の
側面図である。本発明のシステム１１ａは、縦にディス
ク（例えば、半導体ウェーハ１７）を支持する複数のロ
ーラ１５ａ〜１５ｃを含んでいる。ローラ１５ａ〜１５
ｃは、好ましくはｖ形の切欠きを有しており、この切欠
きには、半導体ウェーハ１７が半導体ウェーハ１７の主
表面との最小限の接触で載っている。綿棒１３は、その
端部に吸収材料２１が取り付けられたチューブ１９など
の流体供給ラインを備えている。好ましくは、チューブ
１９の端部に複数の穿孔があり、その大きさと数は吸収
材料２１を所望のレベルの飽和に維持するように選ばれ
る。吸収材料２１は、流体を保持することができるスポ
ンジ状の材料からなり（即ち、吸収性である）、機械的
研摩による物質の除去を補助するように耐摩耗性であ
り、半導体ウェーハ１７のエッジの表面形状に合致する
ように弾性がある。
【００１２】綿棒１３は、半導体ウェーハ１７の主表面
に（例えば、重力のため）エッチング剤が落ちる可能性
を回避するように配置されている。従って、チューブ１
９は、半導体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿って配
置されることが好ましい。同様に、リンスノズル２３な
どのリンス流体ステージは、半導体ウェーハ１７のうち
エッチング剤が付着した部分が、半導体ウェーハ１７の
主表面にエッチング剤が接触しうる（例えば、重力のた
めに）位置まで回転する前に、半導体ウェーハ１７から
エッチング剤をリンスするように配置される。従って、
リンスノズル２３は、好ましくは半導体ウェーハ１７の
エッジの下半分に沿って配置され、好ましくは綿棒１３
の下方にある。
に（例えば、重力のため）エッチング剤が落ちる可能性
を回避するように配置されている。従って、チューブ１
９は、半導体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿って配
置されることが好ましい。同様に、リンスノズル２３な
どのリンス流体ステージは、半導体ウェーハ１７のうち
エッチング剤が付着した部分が、半導体ウェーハ１７の
主表面にエッチング剤が接触しうる（例えば、重力のた
めに）位置まで回転する前に、半導体ウェーハ１７から
エッチング剤をリンスするように配置される。従って、
リンスノズル２３は、好ましくは半導体ウェーハ１７の
エッジの下半分に沿って配置され、好ましくは綿棒１３
の下方にある。
【００１３】ローラ１５ａ〜１５ｃは、ローラ１５ａ〜
１５ｃを所定の方向に回転させるモータ２５に連結され
ている。モータ２５、綿棒１３およびリンスノズル２３
は、それぞれ動作的にコントローラ２７に結合されてい
る。コントローラ２７は、ローラ１５ａ〜１５ｃの回転
速度、ならびにチューブ１９およびリンスノズル２３を
通る流体の流量を制御する。
１５ｃを所定の方向に回転させるモータ２５に連結され
ている。モータ２５、綿棒１３およびリンスノズル２３
は、それぞれ動作的にコントローラ２７に結合されてい
る。コントローラ２７は、ローラ１５ａ〜１５ｃの回転
速度、ならびにチューブ１９およびリンスノズル２３を
通る流体の流量を制御する。
【００１４】動作中、綿棒１３は、半導体ウェーハ１７
のエッジから一定の距離（例えば、１〜２ｍｍ）で半導
体ウェーハ１７と接触し、かつ吸収材料２１を許容限度
外の速度で摩耗させることなく物質の除去を支援するよ
うな弱い圧力（例えば、＜１ｐｓｉ）で半導体ウェーハ
１７に接触するように配置される。モータ２５が動作す
ると、ローラ１５ａ〜１５ｃおよびその上に配置された
半導体ウェーハ１７を所望の速度で回転させる。この速
度は、エッチング剤がリンスノズル２３からのリンス流
体に出会う前に所望の厚さの物質をエッチングするのに
十分に長い時間、エッチング剤が半導体ウェーハ１７の
エッジと接触した状態にあるように選択される。除去す
べき物質に応じたエッチング剤の供給装置は、綿棒１３
のチューブ１９に動作的に連結されている。例えば、シ
リカスラリーを除去するためには、フッ化水素酸ソース
を用いることが好ましく、銅を除去するために塩酸また
は硝酸が用いることが好ましく、タングステンを除去す
るためには水酸化アンモニウムおよび過酸化水素のソー
スを用いることが好ましい。しかしながら、除去すべき
物質の適度なエッチング速度（＞１００オングストロー
ム／分）を有する化学物質を任意に使用することができ
る。
のエッジから一定の距離（例えば、１〜２ｍｍ）で半導
体ウェーハ１７と接触し、かつ吸収材料２１を許容限度
外の速度で摩耗させることなく物質の除去を支援するよ
うな弱い圧力（例えば、＜１ｐｓｉ）で半導体ウェーハ
１７に接触するように配置される。モータ２５が動作す
ると、ローラ１５ａ〜１５ｃおよびその上に配置された
半導体ウェーハ１７を所望の速度で回転させる。この速
度は、エッチング剤がリンスノズル２３からのリンス流
体に出会う前に所望の厚さの物質をエッチングするのに
十分に長い時間、エッチング剤が半導体ウェーハ１７の
エッジと接触した状態にあるように選択される。除去す
べき物質に応じたエッチング剤の供給装置は、綿棒１３
のチューブ１９に動作的に連結されている。例えば、シ
リカスラリーを除去するためには、フッ化水素酸ソース
を用いることが好ましく、銅を除去するために塩酸また
は硝酸が用いることが好ましく、タングステンを除去す
るためには水酸化アンモニウムおよび過酸化水素のソー
スを用いることが好ましい。しかしながら、除去すべき
物質の適度なエッチング速度（＞１００オングストロー
ム／分）を有する化学物質を任意に使用することができ
る。
【００１５】半導体ウェーハ１７が回転すると、エッチ
ング剤がチューブ１９に供給され、穿孔（図示せず）を
通って吸収材料２１にしみ込み、純水などのリンス流体
がリンスノズル２３を通って供給される。半導体ウェー
ハ１７の各領域が綿棒１３およびリンスノズル２３間で
回転するにつれて、物質（これをエッチングするために
エッチング剤が選定される）がエッチングされる。スポ
ンジ状綿棒材料は化学エッチングプロセスを補助するわ
ずかな研摩作用を必然的に有するので、吸収材料２１お
よび半導体ウェーハ１７間の研摩接触も物質の除去を促
進するものと思われる。ディスクのエッジから特定の物
質をエッチングするように選ばれるエッチング剤は、綿
棒に連続的に注入される。
ング剤がチューブ１９に供給され、穿孔（図示せず）を
通って吸収材料２１にしみ込み、純水などのリンス流体
がリンスノズル２３を通って供給される。半導体ウェー
ハ１７の各領域が綿棒１３およびリンスノズル２３間で
回転するにつれて、物質（これをエッチングするために
エッチング剤が選定される）がエッチングされる。スポ
ンジ状綿棒材料は化学エッチングプロセスを補助するわ
ずかな研摩作用を必然的に有するので、吸収材料２１お
よび半導体ウェーハ１７間の研摩接触も物質の除去を促
進するものと思われる。ディスクのエッジから特定の物
質をエッチングするように選ばれるエッチング剤は、綿
棒に連続的に注入される。
【００１６】エッチング剤も半導体ウェーハ１７の主表
面から特定の物質を除去するという事実のために、ウェ
ーハの主表面からエッチング剤が離れた状態を維持する
ことが重要である。エッチング剤を除去および／または
中和する機構は、エッチング剤をエッジからリンスし、
さもなければエッチング剤を中和するのに十分な流量で
流体を吹き付けるリンスノズル２３によるものである。
従って、リンスノズル２３は、オーバーエッチングを防
止する。すなわち、リンス流体ノズルは、ディスク主表
面をエッチングするのに十分な時間、かつ／またはディ
スクエッジに沿った過度のエッチング（例えば、絶縁層
またはシリコン基板のエッチング）を防止するのに十分
な時間にわたってエッチング剤が半導体ウェーハ１７の
主表面に接触する（例えば、重力によって、または遠心
力によって）ことを防止する。
面から特定の物質を除去するという事実のために、ウェ
ーハの主表面からエッチング剤が離れた状態を維持する
ことが重要である。エッチング剤を除去および／または
中和する機構は、エッチング剤をエッジからリンスし、
さもなければエッチング剤を中和するのに十分な流量で
流体を吹き付けるリンスノズル２３によるものである。
従って、リンスノズル２３は、オーバーエッチングを防
止する。すなわち、リンス流体ノズルは、ディスク主表
面をエッチングするのに十分な時間、かつ／またはディ
スクエッジに沿った過度のエッチング（例えば、絶縁層
またはシリコン基板のエッチング）を防止するのに十分
な時間にわたってエッチング剤が半導体ウェーハ１７の
主表面に接触する（例えば、重力によって、または遠心
力によって）ことを防止する。
【００１７】エッチング剤−汚染物質の化学作用を除去
する別の機構は、チューブおよび綿棒に隣接するロー
ラ、すなわち図１のローラ１５ｂである。ローラは、吸
収材料から製造され、エッチング剤に対して不活性であ
るように選択され、リンス流体供給ラインＲ、真空ライ
ンＶおよび流体分析器Ａによって想像線で示されるよう
に、エッチング剤−汚染物質化学作用を連続して除去す
るためのリンス流体ソースおよび／または真空手段を更
に含むことができる。化学作用を除去するための更に別
の手段は、図２の３１に示されるようなリンス流体トラ
フを含むことである。
する別の機構は、チューブおよび綿棒に隣接するロー
ラ、すなわち図１のローラ１５ｂである。ローラは、吸
収材料から製造され、エッチング剤に対して不活性であ
るように選択され、リンス流体供給ラインＲ、真空ライ
ンＶおよび流体分析器Ａによって想像線で示されるよう
に、エッチング剤−汚染物質化学作用を連続して除去す
るためのリンス流体ソースおよび／または真空手段を更
に含むことができる。化学作用を除去するための更に別
の手段は、図２の３１に示されるようなリンス流体トラ
フを含むことである。
【００１８】綿棒１３は、ウェーハエッジの一部分が隣
接ローラ上で回転する前にそのエッジ部分と接触するよ
うに配置されているように示されており、リンスノズル
２３は、第１ローラおよび第２ローラ１５ａ、１５ｂ間
に配置されているが、エッチング剤−汚染物質化学作用
が半導体ウェーハ１７の主表面をエッチングする前に除
去されるのであれば他の位置も可能である。異なるエッ
チング剤を収容するために、二以上のエッチング剤ステ
ーション（すなわち、チューブ綿棒ステーション）を含
めることもできる。必要に応じて、追加のリンスステー
ションを含めることもできる。ディスク処理の各段階の
後にエッチングが行なわれる場合、単一のエッチング剤
ステーションで十分なはずである。しかしながら、最終
処理後に全てのエッチングが行なわれる場合には、複数
のエッチングステーションが好ましいことがある。
接ローラ上で回転する前にそのエッジ部分と接触するよ
うに配置されているように示されており、リンスノズル
２３は、第１ローラおよび第２ローラ１５ａ、１５ｂ間
に配置されているが、エッチング剤−汚染物質化学作用
が半導体ウェーハ１７の主表面をエッチングする前に除
去されるのであれば他の位置も可能である。異なるエッ
チング剤を収容するために、二以上のエッチング剤ステ
ーション（すなわち、チューブ綿棒ステーション）を含
めることもできる。必要に応じて、追加のリンスステー
ションを含めることもできる。ディスク処理の各段階の
後にエッチングが行なわれる場合、単一のエッチング剤
ステーションで十分なはずである。しかしながら、最終
処理後に全てのエッチングが行なわれる場合には、複数
のエッチングステーションが好ましいことがある。
【００１９】図２は、トラフ３１によってエッチング剤
を塗布する本発明の第２態様の側面図である。トラフ３
１は、図１と同様に一対のローラ１５ａ、１５ｂ間に配
置される。エッチング剤供給ライン３３、およびエッチ
ング剤流出ライン３５は、トラフ３１に動作的に連結さ
れている。好ましくは、エッチング剤供給ライン３３
は、半導体ウェーハ１７がトラフ３１に入る前の位置で
トラフ３１に連結され、エッチング剤流出ライン３５
は、半導体ウェーハ１７がトラフ３１を出た後の位置で
トラフ３１に連結されていることが好ましい。リンス流
体ステーション（例えば、リンス流体ノズル３７）は、
半導体ウェーハ１７のうちエッチング剤の付着した部分
が、半導体ウェーハ１７の主表面にエッチング剤が（例
えば、重力のために）接触する位置まで回転する前に、
半導体ウェーハ１７からエッチング剤をリンスするよう
に配置される。従って、リンス流体ノズル３７は、半導
体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿い、かつトラフ３
１を出る半導体ウェーハ１７の側面に沿って配置される
ことが好ましい。トラフ３１は、音波エネルギーをエッ
チング剤を通過させて半導体ウェーハ１７のエッジに向
けるように配置された一以上のトランスデューサ３９を
任意で含んでいてもよい。
を塗布する本発明の第２態様の側面図である。トラフ３
１は、図１と同様に一対のローラ１５ａ、１５ｂ間に配
置される。エッチング剤供給ライン３３、およびエッチ
ング剤流出ライン３５は、トラフ３１に動作的に連結さ
れている。好ましくは、エッチング剤供給ライン３３
は、半導体ウェーハ１７がトラフ３１に入る前の位置で
トラフ３１に連結され、エッチング剤流出ライン３５
は、半導体ウェーハ１７がトラフ３１を出た後の位置で
トラフ３１に連結されていることが好ましい。リンス流
体ステーション（例えば、リンス流体ノズル３７）は、
半導体ウェーハ１７のうちエッチング剤の付着した部分
が、半導体ウェーハ１７の主表面にエッチング剤が（例
えば、重力のために）接触する位置まで回転する前に、
半導体ウェーハ１７からエッチング剤をリンスするよう
に配置される。従って、リンス流体ノズル３７は、半導
体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿い、かつトラフ３
１を出る半導体ウェーハ１７の側面に沿って配置される
ことが好ましい。トラフ３１は、音波エネルギーをエッ
チング剤を通過させて半導体ウェーハ１７のエッジに向
けるように配置された一以上のトランスデューサ３９を
任意で含んでいてもよい。
【００２０】図１の実施形態と同様に、ローラ１５ａ〜
１５ｂは、ローラ１５ａ〜１５ｂを回転させるモータ２
５に連結されている。エッチング剤供給ライン３３、エ
ッチング剤流出ライン３５、リンス流体ノズル３７およ
びモータ２５は、それぞれコントローラ２７に動作的に
連結されている。コントローラ２７は、ローラ１５ａ〜
１５ｂの回転速度、ならびにエッチング剤供給ライン３
３、エッチング剤流出ライン３５およびリンス流体ノズ
ル３７を通る流体の流量を制御する。
１５ｂは、ローラ１５ａ〜１５ｂを回転させるモータ２
５に連結されている。エッチング剤供給ライン３３、エ
ッチング剤流出ライン３５、リンス流体ノズル３７およ
びモータ２５は、それぞれコントローラ２７に動作的に
連結されている。コントローラ２７は、ローラ１５ａ〜
１５ｂの回転速度、ならびにエッチング剤供給ライン３
３、エッチング剤流出ライン３５およびリンス流体ノズ
ル３７を通る流体の流量を制御する。
【００２１】動作中、半導体ウェーハ１７はローラ１５
ａ〜１５ｂ上に配置され、これにより半導体ウェーハ１
７のエッジの所定部分がトラフ３１に浸される。モータ
２５が作動し、ローラ１５ａ〜１５ｂを所望の速度で回
転させ、ローラ１５ａ〜１５ｂの上に配置された半導体
ウェーハ１７を所望の速度で方向Ｒに回転させる。この
回転速度は、エッチング剤がリンス流体ノズル３７から
のリンス流体に出会う前に所望の厚さの物質を半導体ウ
ェーハ１７のエッジからエッチングするのに十分に長い
時間にわたってエッチング剤がエッジと接触した状態を
維持するように選択される。除去すべき物質に応じたエ
ッチング剤の供給装置（図示せず）は、エッチング剤供
給ライン３３に動作的に連結している。
ａ〜１５ｂ上に配置され、これにより半導体ウェーハ１
７のエッジの所定部分がトラフ３１に浸される。モータ
２５が作動し、ローラ１５ａ〜１５ｂを所望の速度で回
転させ、ローラ１５ａ〜１５ｂの上に配置された半導体
ウェーハ１７を所望の速度で方向Ｒに回転させる。この
回転速度は、エッチング剤がリンス流体ノズル３７から
のリンス流体に出会う前に所望の厚さの物質を半導体ウ
ェーハ１７のエッジからエッチングするのに十分に長い
時間にわたってエッチング剤がエッジと接触した状態を
維持するように選択される。除去すべき物質に応じたエ
ッチング剤の供給装置（図示せず）は、エッチング剤供
給ライン３３に動作的に連結している。
【００２２】半導体ウェーハ１７が回転すると、エッチ
ング剤がエッチング剤供給ライン３３に供給され、純水
などのリンス流体がリンス流体ノズル３７を通じて供給
される。好ましくは、継続的に供給されるエッチング剤
がエッチング剤供給ライン３３に流入し、トラフ３１を
通って、エッチング剤流出ライン３５に流出するので、
半導体ウェーハ１７から除去された物質はトラフ内に蓄
積されず、エッチングプロセスに悪影響を及ぼさない。
リンス流体はウェーハの表面に沿ってトラフ３１へ進む
ことができることから、エッチング剤流出ライン３５は
再循環されるのではなくドレイン（図示せず）に連結さ
れている。トラフ３１内のエッチング剤濃度を一定レベ
ルに維持するために、エッチング剤がエッチング剤供給
ライン３３を介してトラフ３１に入る速度はリンス流体
がトラフ３１に入る速度に少なくとも等しいことが好ま
しい。従って、半導体ウェーハ１７の各領域がトラフ３
１およびリンス流体ノズル３７間で回転すると、物質
（これをエッチングするためにエッチング剤が選択され
ている）がエッチングされる。
ング剤がエッチング剤供給ライン３３に供給され、純水
などのリンス流体がリンス流体ノズル３７を通じて供給
される。好ましくは、継続的に供給されるエッチング剤
がエッチング剤供給ライン３３に流入し、トラフ３１を
通って、エッチング剤流出ライン３５に流出するので、
半導体ウェーハ１７から除去された物質はトラフ内に蓄
積されず、エッチングプロセスに悪影響を及ぼさない。
リンス流体はウェーハの表面に沿ってトラフ３１へ進む
ことができることから、エッチング剤流出ライン３５は
再循環されるのではなくドレイン（図示せず）に連結さ
れている。トラフ３１内のエッチング剤濃度を一定レベ
ルに維持するために、エッチング剤がエッチング剤供給
ライン３３を介してトラフ３１に入る速度はリンス流体
がトラフ３１に入る速度に少なくとも等しいことが好ま
しい。従って、半導体ウェーハ１７の各領域がトラフ３
１およびリンス流体ノズル３７間で回転すると、物質
（これをエッチングするためにエッチング剤が選択され
ている）がエッチングされる。
【００２３】半導体ウェーハ１７のエッジがトラフ３１
内のエッチング剤から出てくると、半導体ウェーハ１７
のエッジがリンス流体ノズル３７によってリンスされ、
残留エッチング剤が半導体ウェーハ１７の主表面上に落
ちないようにされるとともに、エッチング剤の残りが中
和および／またはリンスされ取り除かれる。図１を参照
しながら記載したチューブ・綿棒構成と同様に、特に数
層の堆積物質をエッチングするために、異なるエッチン
グ剤をトラフ３１に順次に流し込んでもよい。図３に示
される洗浄システムの第３態様によって更に記載される
ように、物質の除去効率を更に高めるために、オプショ
ンのトランスデューサ３９を駆動させてもよい。
内のエッチング剤から出てくると、半導体ウェーハ１７
のエッジがリンス流体ノズル３７によってリンスされ、
残留エッチング剤が半導体ウェーハ１７の主表面上に落
ちないようにされるとともに、エッチング剤の残りが中
和および／またはリンスされ取り除かれる。図１を参照
しながら記載したチューブ・綿棒構成と同様に、特に数
層の堆積物質をエッチングするために、異なるエッチン
グ剤をトラフ３１に順次に流し込んでもよい。図３に示
される洗浄システムの第３態様によって更に記載される
ように、物質の除去効率を更に高めるために、オプショ
ンのトランスデューサ３９を駆動させてもよい。
【００２４】図３は、図２のトラフ３１などのトラフに
よって洗浄流体を供給する本発明のシステム１１ｃの第
３態様の側面図である。本発明に係るシステム１１ｃ
は、トラフ３１自体が洗浄流体で満たされ、そのために
リンス流体ノズル３７が省かれることを除いて、図２の
本発明に係るシステム１１ｂと同様の構成を有してい
る。更に、図２のトラフ３１内に任意で含まれるトラン
スデューサは、図３の発明システム１１ｃでは必須であ
る。発明システム１１ｂと発明システム１１ｃは他の点
では同じであることから、特定の構成要素の記載は繰り
返さない。
よって洗浄流体を供給する本発明のシステム１１ｃの第
３態様の側面図である。本発明に係るシステム１１ｃ
は、トラフ３１自体が洗浄流体で満たされ、そのために
リンス流体ノズル３７が省かれることを除いて、図２の
本発明に係るシステム１１ｂと同様の構成を有してい
る。更に、図２のトラフ３１内に任意で含まれるトラン
スデューサは、図３の発明システム１１ｃでは必須であ
る。発明システム１１ｂと発明システム１１ｃは他の点
では同じであることから、特定の構成要素の記載は繰り
返さない。
【００２５】動作中は、トランスデューサ３９が駆動さ
せられ、モータ２５が作動して、ローラ１５ａ〜１５ｂ
を所望の速度で回転させ、ローラ１５ａ〜１５ｂの上に
配置された半導体ウェーハ１７を所望の速度で方向Ｒに
回転させる。その速度は、半導体ウェーハ１７のエッジ
から望ましくない物質を除去するのに十分に長い時間に
わたって半導体ウェーハ１７がトラフ３１の音波エネル
ギー付与洗浄流体と接触した状態を維持するように選択
される。
せられ、モータ２５が作動して、ローラ１５ａ〜１５ｂ
を所望の速度で回転させ、ローラ１５ａ〜１５ｂの上に
配置された半導体ウェーハ１７を所望の速度で方向Ｒに
回転させる。その速度は、半導体ウェーハ１７のエッジ
から望ましくない物質を除去するのに十分に長い時間に
わたって半導体ウェーハ１７がトラフ３１の音波エネル
ギー付与洗浄流体と接触した状態を維持するように選択
される。
【００２６】周知のように、振動電圧を印加することに
よりトランスデューサ３９を駆動させると、トランスデ
ューサ３９が拡縮する。トランスデューサ３９の拡縮
は、洗浄流体内に空洞化または気泡を生じさせる。気泡
が拡縮することにより、半導体ウェーハ１７の表面が緩
やかにスクラブされる。トランスデューサ３９が振動す
る振動数（例えば、５００ｋＨｚ〜２ＭＨｚ）は、パー
ティクル除去効率を最大にするが、半導体ウェーハ１７
に損傷を与えない。既知の効果のために、半導体ウェー
ハ１７が引っ張られて空気／液体界面を通ると、メガソ
ニック出力密度が空気／液体界面で増大する。従って、
トラフ３１を通って半導体ウェーハ１７が回転するにつ
れて、洗浄流体の空気／液体界面が半導体ウェーハ１７
の外周部を走査し、物質（例えば、スラリー粒子、カセ
ット残渣、アッシングされたフォトレジスト等）を半導
体ウェーハ１７の外周部から除去する。
よりトランスデューサ３９を駆動させると、トランスデ
ューサ３９が拡縮する。トランスデューサ３９の拡縮
は、洗浄流体内に空洞化または気泡を生じさせる。気泡
が拡縮することにより、半導体ウェーハ１７の表面が緩
やかにスクラブされる。トランスデューサ３９が振動す
る振動数（例えば、５００ｋＨｚ〜２ＭＨｚ）は、パー
ティクル除去効率を最大にするが、半導体ウェーハ１７
に損傷を与えない。既知の効果のために、半導体ウェー
ハ１７が引っ張られて空気／液体界面を通ると、メガソ
ニック出力密度が空気／液体界面で増大する。従って、
トラフ３１を通って半導体ウェーハ１７が回転するにつ
れて、洗浄流体の空気／液体界面が半導体ウェーハ１７
の外周部を走査し、物質（例えば、スラリー粒子、カセ
ット残渣、アッシングされたフォトレジスト等）を半導
体ウェーハ１７の外周部から除去する。
【００２７】好ましくは、洗浄流体は、純水または除去
すべき物質および半導体ウェーハ１７間の静電反発作用
を最大にするような他の液体である。例えば、負の電荷
を有するディスク（例えば、酸化シリコン被覆付きウェ
ーハ）からシリカスラリーを除去するのに好ましい洗浄
液体は、Ｈ2Ｏ2で希釈した希ＮＨ4ＯＨである。
すべき物質および半導体ウェーハ１７間の静電反発作用
を最大にするような他の液体である。例えば、負の電荷
を有するディスク（例えば、酸化シリコン被覆付きウェ
ーハ）からシリカスラリーを除去するのに好ましい洗浄
液体は、Ｈ2Ｏ2で希釈した希ＮＨ4ＯＨである。
【００２８】上記の説明は本発明の好適な実施形態のみ
を開示しており、本発明の範囲内に含まれる上記装置お
よび方法の変形は当業者には明らかである。例えば、本
明細書に描かれた綿棒は例示に過ぎず、基板外周部の長
尺部分と接触し、かつ／またはディスクの両面と接触す
るような形の湾曲綿棒など、他の形を用いることもでき
る。同様に、本明細書に描かれたトラフは、浅く、従っ
てリンス流体を節約するために好適であるが、他のトラ
フ構造も使用することができる。ここで開示したローラ
以外の機構でディスクを支持してもよく、ディスクを走
査させてエッチング剤およびリンス流体ステーションを
通過させるモータおよび回転ローラの代わりに、固定デ
ィスク支持体と、ディスクエッジを走査する電動のエッ
チング剤およびリンス流体ステーションを用いることが
できる。従って、本明細書で用いたように、薄ディスク
と相対的にエッチング剤またはリンス流体ステーション
を走査させるステップは、ディスクおよび／またはそれ
ぞれのステーションを移動させるステップを包含する。
図示されていないが、他のディスク方向（例えば、横方
向）も使用することができる。綿棒およびトラフは好適
なエッチング剤ステーションであるが、他のあまり好ま
しくない実施形態も本発明の範囲内に含まれる。例え
ば、毛管をディスクエッジに十分近接して配置してもよ
く、このとき、毛管を通るエッチング剤の流量、および
ディスクの回転速度を、エッチング流体のメニスカスが
ディスクのエッジ上に形成されるように調節してもよ
い。このメニスカスは、ディスクエッジ上にエッチング
剤を保持し、エッチング剤がディスク主表面上に流れな
いようにする。結局、ディスクエッジの所望の領域（例
えば、ディスクエッジから任意の距離にある領域）から
物質を除去するようにトラフまたは綿棒を配置できるこ
とが分かる。
を開示しており、本発明の範囲内に含まれる上記装置お
よび方法の変形は当業者には明らかである。例えば、本
明細書に描かれた綿棒は例示に過ぎず、基板外周部の長
尺部分と接触し、かつ／またはディスクの両面と接触す
るような形の湾曲綿棒など、他の形を用いることもでき
る。同様に、本明細書に描かれたトラフは、浅く、従っ
てリンス流体を節約するために好適であるが、他のトラ
フ構造も使用することができる。ここで開示したローラ
以外の機構でディスクを支持してもよく、ディスクを走
査させてエッチング剤およびリンス流体ステーションを
通過させるモータおよび回転ローラの代わりに、固定デ
ィスク支持体と、ディスクエッジを走査する電動のエッ
チング剤およびリンス流体ステーションを用いることが
できる。従って、本明細書で用いたように、薄ディスク
と相対的にエッチング剤またはリンス流体ステーション
を走査させるステップは、ディスクおよび／またはそれ
ぞれのステーションを移動させるステップを包含する。
図示されていないが、他のディスク方向（例えば、横方
向）も使用することができる。綿棒およびトラフは好適
なエッチング剤ステーションであるが、他のあまり好ま
しくない実施形態も本発明の範囲内に含まれる。例え
ば、毛管をディスクエッジに十分近接して配置してもよ
く、このとき、毛管を通るエッチング剤の流量、および
ディスクの回転速度を、エッチング流体のメニスカスが
ディスクのエッジ上に形成されるように調節してもよ
い。このメニスカスは、ディスクエッジ上にエッチング
剤を保持し、エッチング剤がディスク主表面上に流れな
いようにする。結局、ディスクエッジの所望の領域（例
えば、ディスクエッジから任意の距離にある領域）から
物質を除去するようにトラフまたは綿棒を配置できるこ
とが分かる。
【００２９】このように、本発明を好適な実施形態と共
に開示してきたが、他の実施形態も特許請求の範囲によ
って定められる本発明の趣旨と範囲内に含まれているこ
とは理解されるべきである。
に開示してきたが、他の実施形態も特許請求の範囲によ
って定められる本発明の趣旨と範囲内に含まれているこ
とは理解されるべきである。
【図１】綿棒によってエッチング剤を塗布する本発明の
第１態様の側面図である。
第１態様の側面図である。
【図２】トラフによってエッチング剤を塗布する本発明
の第２態様の側面図である。
の第２態様の側面図である。
【図３】図２のトラフなどのメガソニックトラフによっ
て洗浄流体を塗布する本発明の第３態様の側面図であ
る。
て洗浄流体を塗布する本発明の第３態様の側面図であ
る。
１３…綿棒、１５…ローラ、１７…半導体ウェーハ、１
９…チューブ、２１…吸収材料、２３…リンスノズル、
２５…モータ、２７…コントローラ、３１…トラフ、３
３…エッチング剤供給ライン、３５…エッチング剤流出
ライン、３７…リンス流体ノズル、３９…トランスデュ
ーサ。
９…チューブ、２１…吸収材料、２３…リンスノズル、
２５…モータ、２７…コントローラ、３１…トラフ、３
３…エッチング剤供給ライン、３５…エッチング剤流出
ライン、３７…リンス流体ノズル、３９…トランスデュ
ーサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (72)発明者 ブライアン ジェイ． ブラウン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， パロ アルト， コロラド アヴェニュー 211 (72)発明者 マイケル シュガーマン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， ベルヴェデア ス トリート 134
Claims (25)
- 【請求項１】 薄ディスクのエッジから物質を除去する
装置であって、 薄ディスクを支持することができるディスク支持体と、 前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッ
ジにエッチング剤を供給するように配置されたエッチン
グ剤ステーションと、 オーバーエッチングを避けるために、前記ディスク支持
体によって支持されたディスクのエッジからエッチング
剤をリンスするように配置されたリンスステーション
と、 前記ディスク支持体上に配置された薄ディスクのエッジ
と相対的に前記エッチング剤ステーションを走査させる
機構と、を備える装置。 - 【請求項２】 前記エッチング剤ステーションが、前記
ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジを
接触させるように配置された吸収性綿棒と、この吸収性
綿棒にエッチング剤を供給する供給ラインと、を含んで
いる、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記リンスステーションがノズルを含ん
でいる、請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 前記ディスク支持体は、縦向きのディス
クを支持することができ、前記リンスステーションは、
リンス流体を含有するトラフを含んでいる、請求項２記
載の装置。 - 【請求項５】 前記トラフは、流体供給ラインおよび流
体流出ラインを含んでおり、この流体供給ラインおよび
流体流出ラインは、前記ディスク支持体によって支持さ
れたディスクのエッジを横切って前記流体供給ラインか
ら前記流体流出ラインへリンス流体を流すように配置さ
れている、請求項４記載の装置。 - 【請求項６】 前記トラフは、前記ディスク支持体によ
って支持されたディスクのエッジに音波エネルギーを向
けるように配置されたトランスデューサを含んでいる、
請求項４記載の装置。 - 【請求項７】 前記ディスク支持体は、縦向きのディス
クを支持することができ、前記エッチング剤ステーショ
ンは、エッチング剤を含有するトラフを含んでいる、請
求項１記載の装置。 - 【請求項８】 前記トラフは、前記ディスク支持体によ
って支持されたディスクのエッジに音波エネルギーを向
けるように配置されたトランスデューサを含んでいる、
請求項７記載の装置。 - 【請求項９】 前記トラフは、エッチング剤供給ライン
およびエッチング剤流出ラインを含んでおり、このエッ
チング剤供給ラインおよびエッチング剤流出ラインは、
前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッ
ジを横切って前記エッチング剤供給ラインから前記エッ
チング剤流出ラインへエッチング剤を流すように配置さ
れている、請求項７記載の装置。 - 【請求項１０】 前記トラフは、流体供給ラインおよび
流体流出ラインを更に含んでおり、この流体供給ライン
および流体流出ラインは、前記ディスク支持体によって
支持されたディスクのエッジを横切って前記流体供給ラ
インから前記流体流出ラインへリンス流体が流れるよう
に配置されている、請求項８記載の装置。 - 【請求項１１】 薄ディスクのエッジから物質を除去す
る装置であって、 縦向きのディスクを支持することができるディスク支持
体と、 前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッ
ジがトラフ内に位置するように配置されたリンストラフ
と、 前記ディスク支持体上に配置されたディスクを回転させ
る機構と、を備える装置。 - 【請求項１２】 前記トラフは、前記ディスク支持体に
よって支持されたディスクのエッジに音波エネルギーを
向けるように配置されたトランスデューサを含んでい
る、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 前記トラフは、流体供給ラインおよび
流体流出ラインを含んでおり、この流体供給ラインおよ
び流体流出ラインは、前記ディスク支持体によって支持
されたディスクのエッジを横切って前記流体供給ライン
から前記流体流出ラインへリンス流体が流れるように配
置されている、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１４】 前記トラフは、前記ディスク支持体に
よって支持されたディスクのエッジに音波エネルギーを
向けるように配置されたトランスデューサを更に含んで
いる、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 薄ディスクを処理する方法において、
前記ディスクのエッジから物質をエッチングするステッ
プを備えることを特徴とする方法。 - 【請求項１６】 前記エッチングステップは、前記エッ
ジの一部分にエッチング剤を供給するステップを含んで
いる、請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 前記エッチングステップは、エッジの
一部分に液体エッチング剤を供給するステップを含んで
いる、請求項１５記載の方法。 - 【請求項１８】 前記液体エッチング剤を供給するステ
ップは、 液体エッチング剤を含有するトラフを用意するステップ
と、 前記ディスクのエッジの一部分を前記トラフ内の液体エ
ッチング剤へ導入するステップと、 前記ディスクを回転させて、前記ディスクエッジの連続
部分を前記トラフ内の液体エッチング剤と接触させるス
テップと、 液体エッチング剤が前記ディスクのうち前記ディスクエ
ッジ以外の部分をエッチングすることを防ぐように、前
記ディスクの回転に伴って前記ディスクエッジから液体
エッチング剤をリンスするステップと、を含んでいる、
請求項１７記載の方法。 - 【請求項１９】 前記液体に音波エネルギーを与えるス
テップを更に備える請求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 前記エッチング剤を供給するステップ
は、 少なくとも一つの吸収性部材をエッチング剤に浸すステ
ップと、 前記ディスクエッジの第１の部分を前記吸収性部材に接
触させるステップと、 前記ディスクを回転させて、前記ディスクエッジの連続
部分を前記吸収性部材と接触させるステップと、 前記エッチング剤が前記ディスクのうち前記ディスクエ
ッジ以外の部分をエッチングすることを防ぐように、前
記ディスクの回転に伴って前記ディスクエッジから前記
エッチング剤をリンスするステップと、を含んでいる、
請求項１６記載の方法。 - 【請求項２１】 前記ディスクエッジからエッチング剤
をリンスするステップは、前記ディスクエッジ上にリン
ス流体を吹き付けるステップを含んでいる、請求項２０
記載の方法。 - 【請求項２２】 前記ディスクエッジからエッチング剤
をリンスするステップは、前記ディスクエッジをリンス
流体含有トラフへ導入するステップを含んでいる、請求
項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 前記ディスク支持体が複数のローラを
含んでおり、前記リンスステーションは、前記複数のロ
ーラの一つに連結されたリンス流体ソースを含んでお
り、このローラを介してリンス流体を供給するようにな
っている請求項２記載の装置。 - 【請求項２４】 それを介して前記リンス流体が供給さ
れる前記ローラが、真空機構を更に備えている、請求項
２３記載の装置。 - 【請求項２５】 前記真空機構が流体分析器に更に連結
されている、請求項２３記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/281618 | 1999-03-30 | ||
| US09/281,618 US6523553B1 (en) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | Wafer edge cleaning method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000350967A true JP2000350967A (ja) | 2000-12-19 |
| JP4709346B2 JP4709346B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=23078072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000095603A Expired - Fee Related JP4709346B2 (ja) | 1999-03-30 | 2000-03-30 | ウェーハエッジの洗浄装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6523553B1 (ja) |
| EP (1) | EP1058300A3 (ja) |
| JP (1) | JP4709346B2 (ja) |
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