JPH07174995A - ラスター走査装置 - Google Patents

ラスター走査装置

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JPH07174995A
JPH07174995A JP6229879A JP22987994A JPH07174995A JP H07174995 A JPH07174995 A JP H07174995A JP 6229879 A JP6229879 A JP 6229879A JP 22987994 A JP22987994 A JP 22987994A JP H07174995 A JPH07174995 A JP H07174995A
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diode
light beam
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James M Wilson
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 走査線の揺れを減少させること。 【構成】 １本の走査線を形成するために感光体平面上
で部分的に重畳する２本の経路を走査する２本の光ビー
ムを用いることによって、揺れ（ｗｏｂｂｌｅ）を減少
させる。この２本の光ビームは、１本の光ビームと同様
な効果を奏するものである。各光ビームまたは双方の光
ビームの強度を修正することにより、感光体上での結果
としての走査線の位置を変更することができ、このため
に、その揺れを十分に減少させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】〔発明の概要〕この発明の目的は、１本の
走査線を形成するために感光体平面上で部分的に重畳す
る２本の経路を走査する２本の光ビームを用いることに
よって、揺れ（ｗｏｂｂｌｅ）を減少させることにあ
る。この２本の光ビームは、１本の光ビームと同様な効
果を奏するものである。各光ビームまたは双方の光ビー
ムの強度を修正することにより、感光体上での結果とし
ての走査線の位置を変更することができ、このために、
その揺れを十分に減少させることができる。
【０００２】この発明の別の目的は、ラスター・スキャ
ナーにおける走査線のたわみを減少させることにある。
走査線のたわみを減少させるためには、１本の走査線を
走査するために多数本の光ビームが用いられる。各画素
に対して予め規定された修正データに依存して、一つの
ダイオードまたは各ダイオードに対して適当な強度を有
する２個のオフセット・ダイオードのいずれかが選択さ
れることになる。これにより、ラスター・スキャナー
は、走査線のたわみを十分に減少させることができる。
【０００３】〔好適な実施例の説明〕図１を参照する
と、従来のラスター走査装置で用いられているものは、
光源１２，コリメータ１４，プレ・ポリゴン光学系１
６，走査要素としての多面型の回転式ポリゴン・ミラー
１８，ポスト・ポリゴン光学系２０および感光性媒体２
２である。レーザ源であることができる光源１２は光ビ
ーム２４を生成させ、コリメータ１４およびプレ・ポリ
ゴン光学系１６を通してポリゴン１８にそれを伝送す
る。回転式ポリゴンは複数の面２６を有しており、その
各々は平面状のミラーである。回転式ポリゴン・ミラー
１８の面２６は光ビーム２４を反射し、また、その反射
光２４が、ラインを走査する回転式ポリゴン・ミラー１
８の回転中心の近傍の軸の周囲で回転されるようにもさ
れる。この反射された光ビームは、ラスター入力スキャ
ナーとしての画像形成システムの入力端部において書類
を走査するために用いることができ、または、画像形成
システムの出力部における静電写真ドラムのような写真
フィルムまたは感光性媒体２２上に衝突するように用い
ることができる。
【０００４】ここで図２を参照すると、この発明のラス
ター走査装置３０が示されている。ラスター走査装置３
０に含まれているレーザ光源３２には、２本の光ビーム
３８および４０を発するための２個のダイオード３４お
よび３６が備えられている。この２本の光ビームは、コ
リメートされるべきコリメート・レンズ４２を通過して
からアパーチャー４４を通過する。２本の光ビームは、
アパーチャー４４により所望の口径にクリップされる。
２本のクリップされた光ビームは、ポリゴンの面４６に
衝突する。簡略化のために、ポリゴンの面４６はライン
として示されており、また、このポリゴンから反射され
た光ビームは展開されて連続した光ビームとして示され
ている。Ｆ−シータ・レンズ４８は面４６によって反射
された２本の光ビームを受け入れ、感光体５０上にそれ
らを結像する。
【０００５】図２に示されているものは、ダイオード３
４および３６の中央から発して、感光体平面５０上のス
ポットＳａおよびＳｂの中央部５２および５４に結像す
る光線の経路だけである。しかしながら、ここで注意さ
れるべきことは、２個のダイオード３４，３６および２
本の光ビーム３８，４０はそれぞれに有限の直径を有し
ており、そのために、２本の光ビーム３８，４０が感光
体平面５０上で結像したときには、それらにより２個の
スポットＳａ，Ｓｂが生成されることである。ここで観
察され得るように、２本の光ビーム３８，４０は、感光
体平面５０上で２個の重畳したスポットＳａ，Ｓｂがそ
れらによって生成されるような態様で用いられる。
【０００６】この発明を理解するためには、２本の光ビ
ームの組み合わせ、および、それらのガウス分布を通し
て結果として生じるスポット上での各光ビームまたは双
方の光ビームの強度変動の効果を調べることが必要であ
る。
【０００７】ここで図３を参照すると、図２の拡大され
た部分が示されており、２本の光ビーム３８および４０
の各々が、他方のビームが存在しないときのスポットを
それぞれ個別に発生するようにされている。光ビーム３
８および４０が個別に感光体平面５０に衝突すると、そ
れらはそれぞれにスポットＳａおよびＳｂを個別に発生
させる。２本の光ビームが重畳すると、それらは実質的
に１本の光ビームになるが、以降はこれは”合成光ビー
ム”と呼ばれることになる。また、この合成光ビームが
平面に衝突したときには、以降は”合成スポット”と呼
ばれる一つのスポットが発生される。この合成スポット
Ｓｒのサイズは、それぞれにその最大の強度における単
一のビーム３８または４０によって発生されるスポット
ＳａおよびＳｂのサイズに実質的に等しい。
【０００８】これも図３に示されているものは、それぞ
れに２本の光ビーム３８および４０に対応する２個のガ
ウス分布６０および６２であり、合成ビームのガウス分
布７０とともに示されている。２本の光ビーム３８およ
び４０が、ガウス分布６０のピーク６６とガウス分布６
２のピーク６８との間の距離６４がその最大の強度にお
ける単一の光ビームの半値全幅（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ
Ｗｉｄｔｈ ＨａｌｆＭａｘ）を２で除算したもの（Ｆ
ＷＨＭ／２）に等しいときには、合成光ビームは実質的
にガウス分布７０を有することになる。ここで、半値全
幅とは、半分の最大強度におけるガウス分布の幅（以降
は、”ＦＷＨＭ”として参照される）のことである。２
本の光ビームのガウス分布の２個のピーク間の距離は、
これからは”スポット間隔”と呼ばれることになる。
【０００９】２本の光ビーム３８および４０の強度が等
しく維持されているときには、その合成スポットＳｒ
は、この２本の光ビーム３８および４０のそれぞれの２
本の中心光線６５と６７との間の中間点において中心を
有することになる。しかしながら、２本の光ビームの強
度が異なるときには、合成スポットＳｒの中心は、より
大きい強度を有する光ビームの中心光線により近接する
ことになる。合成スポットの中心とより大きい強度を有
する光ビームの中心光線との間は、２本の光ビームの２
個の強度の間の差に依存している。
【００１０】単一のビームに対してここで注意されるべ
きことは、その効果的なスポットのサイズがＦＷＨＭに
等しいことである。また、２本の光ビームのピーク間の
距離が最大の強度を有する単一のビームのＦＷＨＭ／２
に等しいという態様でこの２本の光ビームが組み合わさ
れるときには、その合成光ビームは、最大の強度を有す
る単一の光ビームのスポット・サイズ（ＦＷＨＭ）に等
しいスポット・サイズを有することになる。２本の光ビ
ームを組み合わせる際にこれも注意されるべきことは、
この２本の光ビームの強度の和が単一の光ビームの最大
の強度に等しく維持されるべきことである。
【００１１】ここで図４ないし図８を参照すると、異な
る強度を有する図２および図３の２本の光ビーム３８お
よび４０を組み合わせることについての異なる例が示さ
れている。図４ないし図８の全てにおいて、水平軸は光
ビームの位置を表しており、また、垂直軸は光ビームの
強度を表している。また、図４ないし図８の全てにおい
て、ガウス分布６０，６２および７０は、それぞれに、
光ビーム３８，光ビーム４０および合成光ビームに対応
している。図４において、光ビーム３８はその最大強度
の５０％を有しており、また、光ビーム４０はその最大
強度の５０％を有している。この場合において、合成ス
ポットＳｒの中心Ｃは、光ビーム３８および４０のそれ
ぞれの２本の中心光線６５と６７との間の中間点にあ
る。
【００１２】ここで図５を参照すると、光ビーム３８は
その最大強度の７５％を有しており、また、光ビーム４
０はその最大強度の２５％を有している。この場合にお
いて、合成光ビームは、個別の光ビーム３８および４０
の強度よりも大きい強度を有することになる。また、合
成スポットＳｒが有する中心Ｃは、より大きい強度を有
する光ビーム３８の中心光線６５側により近接すること
になる。図４と図５とを比較することによって観察でき
ることは、２本の組み合わされた光ビーム３８および４
０の強度を変化させることにより、その合成スポット
は、より大きい強度を有する光ビーム３８に対してより
近接した位置に移動されることである。
【００１３】図６において、光ビーム３８のガウス分布
６０はフル強度を有するものとして示されており、ま
た、光ビーム４０のガウス分布６２は、光ビームがオフ
にされていることを意味するゼロ強度を有するものとし
て示されている。この場合において、１本のビーム３８
だけがオンにされていることから、その合成光ビームの
ガウス分布７０は光ビーム３８のガウス分布６０と同じ
になる。また、光ビーム３８によって発生されるスポッ
トＳａは合成スポットＳｒに当たるものである。
【００１４】ここで図７を参照すると、光ビーム３８は
その最大強度の２５％を有しており、また、光ビーム４
０はその最大強度の７５％を有している。この場合にお
いて、合成光ビームは、個別の光ビーム３８および４０
の強度よりも大きい強度を有することになる。また、合
成スポットＳｒが有する中心Ｃは、より大きい強度を有
する光ビーム４０の中心光線６７側により近接すること
になる。図４と図７とを比較することによって観察でき
ることは、２本の組み合わされた光ビーム３８および４
０（図３）の強度を変化させることにより、その合成ス
ポットは、より大きい強度を有する光ビーム４０に対し
てより近接した位置に移動されることである。
【００１５】最後に図８を参照すると、光ビーム４０は
フル強度を有しており、また、光ビーム３８は光ビーム
がオフにされていることを意味するゼロ強度を有してい
る。この場合において、１本のビーム４０だけがオンに
されていることから、その合成光ビームのガウス分布７
０は光ビーム４０のガウス分布６２と同じになる。ま
た、光ビーム４０によって発生されるスポットＳｂは合
成スポットＳｒに当たるものである。
【００１６】上記された全ての例において、合成スポッ
トＳｒのサイズは、（ＳａまたはＳｂ（ＦＷＨＭ）のよ
うな）その最大強度における単一の光ビームによって発
生されるスポットのサイズに実質的に等しい。また、こ
こで注意されるべきことは、合成光ビームのガウス分布
上におけるスポット・サイズが０．５ライン上に示され
ているが、ここでは、最大の強度を有する単一の光ビー
ムのスポット・サイズが示されている、ということであ
る。
【００１７】２本の光ビームを組み合わせることの概念
は、ラスター・スキャナー・システムにおける揺れを修
正するために用いることができる。感光体上において部
分的に重畳する２個の経路を走査するために２本の光ビ
ームを用いることにより、そして、この２本の光ビーム
の強度を調節することにより、合成の走査線は揺れを十
分に減少させるために移動することができる。
【００１８】この発明の実施例において注意されるべき
ことは、ビームは組み合わされるものではなく、ある一
本のビームは常に他の一方のビームに追従するというこ
とである。しかしながら、２本の光ビームは部分的に互
いに重畳して走査するものであり、このために、感光体
平面上での結果は２本の光ビームがあたかも２本の光ビ
ームが組み合わされて１本のラインを走査するようにさ
れる。
【００１９】ここでも注意されるべきことは、２本のビ
ームの間のスポット間隔がＦＷＨＭ／２であるような態
様で２本の光ビームが組み合わされたときに、達成でき
る最大の揺れの修正が１／２画素であることである。部
分的に揺れを修正する揺れ修正光学系を備えたラスター
・スキャナーは、部分的に修正された揺れを更に修正す
るためにデュアル・ビーム式のレーザ・ダイオードを用
いることができる。
【００２０】ここで注意されるべきことは、揺れの修正
における１／２画素の制限は、２個のダイオードだけを
用いることに基づいていることである。しかしながら、
１／２画素よりも大きい揺れの修正が必要とされるとき
には、より多くの光ビームを発生させるためにより多く
のダイオードを用いることが可能であり、２個の部分的
に重畳する経路を走査する２本の光ビームを発生させる
ために、任意の所与の走査線に対して１個のダイオード
または２個だけのダイオードのいずれかがオンにされ
る。マルチ・ダイオードの設計および動作については更
に論議される。
【００２１】２本の光ビームを組み合わせるためには、
レーザ光源上の異なる位置にあるダイオードについて調
べることが必要である。ここで図９，図１０および図１
１を参照すると、２個のダイオードＤ１およびＤ２を有
するレーザ光源８０の正面図、感光体平面８２上に２個
のスポットＳ１およびＳ２を発生させるレーザ光源８０
の斜視図、および、感光体平面８２の正面図がそれぞれ
に示されている。ここで注意されるべきことは、簡略化
のために、ダイオードＤ１およびＤ２と感光体平面８２
との間の光学的要素が示されていないことである。観察
できるように、２個のダイオードＤ１およびＤ２は垂直
軸８４上に配置されている。この配列において、２個の
ダイオードＤ１およびＤ２は２本の光ビーム８６および
８８を発生させ、また、この２本の光ビーム８６および
８８は感光体平面８２上に２個のスポットＳ１およびＳ
２を発生させる。ここで図１１を参照して観察できるこ
とは、２個のスポットが互いに重畳することなく２個の
異なる経路８９および９２を走査することである。従っ
て、２個の経路８９および９２は重畳しないために、図
９および図１０に示されている２個のダイオードＤ１お
よびＤ２は、２本の光ビームを組み合わせるのに適当な
位置にはない。
【００２２】ここで図１２，図１３および図１４を参照
すると、これらはそれぞれに図９，図１０および図１１
と同様であるが、ダイオードの位置が異なるようにされ
ている。図１２および図１３においては、ダイオードＤ
１およびＤ２が、これも走査の方向にある水平軸９０上
に並んで配置されている。この配列において、ダイオー
ドＤ１およびＤ２は感光体平面８２上で２個のスポット
Ｓ１およびＳ２を発生させる。ここで観察できるよう
に、スポットＳ２はスポットＳ１に追従しており、ま
た、双方のスポットは経路８９を走査している。２個の
スポットＳ１およびＳ２は同じ経路を走査しているため
に、図１２および図１３に示されている２個のダイオー
ドの位置は、２本の光ビームを組み合わせるのに適当な
位置ではない。
【００２３】ここで図１５，図１６および図１７を参照
すると、これらはそれぞれに図９，図１０および図１１
と同様であるが、ダイオードの位置が異なるようにされ
ている。図１５および図１６においては、２個のダイオ
ードＤ１およびＤ２の中心が走査の方向９０に対してあ
る角度でライン９１上に配置されているような態様で、
このダイオードＤ１およびＤ２が互いにオフセットの位
置に配置されている。ライン９１の位置は、２個のダイ
オードＤ１とＤ２との間で必要とされる間隔、および、
２個の発生されたスポットＳ１とＳ２との間で必要とさ
れる重畳の大きさに依存するものである。この発明にお
いては、２個のダイオードＤ１とＤ２との間の垂直距離
であるダイオード・ピッチ９３は、実質的にガウス分布
の強度をもって合成スポットが与えられるダイオードに
おいてＦＷＨＭ／２であるように選択される。
【００２４】ダイオードにおいてＦＷＨＭ／２と指定す
ることの理由は、感光体平面におけるスポットのＦＷＨ
Ｍ／２よりも小さいものとしてそれを区別することにあ
る。ここでも注意されることは、ダイオードにおける光
ビームのＦＷＨＭ／２（以降はダイオード・サイズとし
て参照される）が、ダイオードそれ自体よりも小さいと
いうことである。
【００２５】ここで図１７を参照すると観察できるよう
に、スポットＳ１は経路９４を走査し、また、スポット
Ｓ２は経路９６を走査しながらスポットＳ１に追従して
いる。これも観察できることは、２個の経路９４および
９６が、経路９８上で互いに重畳していることである。
２個のスポットＳ１およびＳ２が互いに部分的に重畳し
ているために、図１５のダイオード配列は２本の光ビー
ムを組み合わせるのには適当なものである。
【００２６】２本の光ビームを組み合わせることの目的
は、走査線上の一つの画素に適用される一つの合成スポ
ットを生成させることにある。従って、２本の光ビーム
は同じ画素情報を受け入れるべきであり、また、一つの
走査線を発生させるための、頂部経路からの各画素が底
部からの対応する画素と重畳して一つの画素の効果を持
たせるような態様で、それらは経路上でこの画素情報を
適用すべきである。
【００２７】図１５のダイオード配列においては、ある
一つのスポットが他方のスポットに追従していることか
ら、スポットＳ１およびＳ２の双方が、同じ開始点から
の２個の経路に対して画素情報の適用を開始させること
が必要である。
【００２８】ここで図１８を参照すると、図１７の拡大
された図が示されているが、簡略化のために、図１７の
２個の経路９６および９４は２本の点線９６および９４
で示されており、また、スポット間の間隔はより小さい
間隔として示されている。図１５および図１８を参照す
ると、位置１００は、先頭のスポットＳ１が経路上で画
素情報を適用する位置である。経路９６からの画素を経
路９４と整列させるために、周知の任意の手段による遅
れがダイオードＤ２のドライバに対して適用される。
【００２９】ダイオードＤ２上での遅れのために、この
ダイオードＤ２の光ビーム上での画素情報の変調が遅ら
される。この手順により、ダイオードＤ１の光ビーム上
での画素情報の変調が第１に開始され、スポットＳ１は
位置１００からの画素情報の適用が開始されて動作が進
行される。遅れｄの後でスポットＳ２が位置１００に到
達し、このダイオードＤ２の光ビーム上での画素情報の
変調が始まる。このために、スポットＳ２も位置１００
において経路上での画素情報の適用がなされる。この態
様において、スポットＳ１が走査１０４の端部に到達し
たときには、ダイオードＤ１の光ビーム上での画素情報
の変調がオフにされ、スポットＳ２は走査１０４の端部
に到達する（遅れｄに等しい時間遅れ）まで動作を進行
する。そして、これに次いで、ダイオードＤ２の光ビー
ム上での画素情報の変調がオフにされる。
【００３０】遅れｄの大きさは、２個のダイオードＤ１
およびＤ２の中心間の距離に依存しているが、この距離
は、その製造パラメータによって設定されたダイオード
Ｄ１およびＤ２の間の必要な間隔に依存している。２個
のダイオードＤ１およびＤ２から発生されたスポットＳ
１およびＳ２の双方が同じ開始点１００から画素情報の
適用を開始し、それらの双方が同じ終止点１０４におい
てこの画素情報の適用を終止するような態様で、このダ
イオードＤ２は適当な遅れだけ遅らされる。
【００３１】ここで図１９を参照すると、互いに部分的
に重畳している２個の経路を走査する２個のスポットＳ
１およびＳ２を有する感光体平面が示されている。簡略
化の目的のために、スポットＳ１が走査する経路はこの
スポットＳ１の中心を通過する点線１１０で示されてお
り、また、スポットＳ２が走査する経路はこのスポット
Ｓ２の中心を通過する点線１１２で示されている。ただ
し、２個のスポットＳ１およびＳ２が組み合わされたと
きには、その合成スポットは仮想ライン１１４で示され
る経路またはラインを走査する。２個のスポットをこの
態様にすることにより、２個のスポットＳ１およびＳ２
を発生させる２本の光ビーム８６および８８（図１６）
は合成スポットを動かすように変調することができるた
めに、２個のスポットの中心間の範囲（スポット間隔１
１６）で走査線１１４を動かす。
【００３２】先に記述されたように、２個のスポットを
組み合わせることにより、１／２画素の範囲内で揺れを
修正することができる。典型的にはラスター・スキャナ
ーにおいて、その揺れは１／２画素よりは大きいもので
ある。このような揺れを修正するためには、マルチ・ダ
イオードが必要とされ、任意の所与の時間においてそれ
らの中の一つのダイオードまたは２個だけのダイオード
のいずれかがオンにされることになる。
【００３３】ここで図２０，図２１および図２２を参照
すると、それぞれに、マルチ・ダイオード式のレーザ光
源１１８の配列、感光体平面８２上で５個のスポットＳ
１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４およびＳ５を発生させる５個のダ
イオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４およびＤ５を有する光
源１１８の斜視図、および、感光体平面８２の正面図が
示されている。ここで注意されるべきことは、レーザ光
源１１８と感光体平面８２との間の光学的要素が簡略化
のために示されていないことである。
【００３４】ここで図２０を参照すると、Ｄ１，Ｄ２，
Ｄ３，Ｄ４およびＤ５は、全てのダイオードの中心がラ
イン９１上にあり、走査９０の方向にある角度にされて
いる態様で、互いにオフセットの位置に配置されてい
る。再び図１５の配列におけるように、ライン９１の位
置は、ダイオードの中心間で必要とされる間隔、およ
び、スポット間の重畳の大きさに依存している。この配
列においては、揺れの大きさに依存して、１個または２
個の隣接したダイオードがラインを走査するために選択
される。
【００３５】図２０および図２２を参照すると、スポッ
トが互いに追従していることから、全ての走査線の開始
点を同期化することも必要である。位置１００（図２
２）はスポットＳ１に対する走査の開始点であるが、全
ての走査線に対する走査の開始点であると考えられる。
全てのスポットＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４およびＳ５を同
じ開始点１００から起動させるためには、ダイオードＤ
２，Ｄ３，Ｄ４およびＤ５（図２０）は、それぞれに、
ｄ１，ｄ２，ｄ３およびｄ４（図２２）だけ遅らされる
べきである。これらの遅れにより、いずれかの隣接する
２個のダイオードの選択によって、位置１００（図２
２）において起動する走査線が発生される。
【００３６】例えば、ダイオードＤ２およびＤ３（図２
０）を選択することにより、先行のダイオードＤ２のド
ライバは遅れｄ１（図２２）を受け入れ、後続のダイオ
ードＤ３のドライバは遅れｄ２（図２２）を受け入れ
て、位置１００（図２２）における開始点より２個の経
路を走査する２個のスポットが、このダイオードＤ２お
よびＤ３の双方によって発生される。同じ態様におい
て、ダイオードＤ４およびＤ５（図２０）が選択された
ときには、先行のダイオードＤ４のドライバは遅れｄ３
（図２２）を受け入れ、後続のダイオードＤ５のドライ
バは遅れｄ４（図２２）を受け入れることから、ダイオ
ードＤ４およびＤ５の双方により、位置１００（図２
２）における開始点より２個の経路を走査する２個のス
ポットが発生される。
【００３７】ここで図２３を参照すると、マルチ・ダイ
オード式のレーザ光源１２１の拡大図が示されている。
この配列においては、ダイオードは千鳥状に配列されて
おり、図１５の実施例において用いられた遅れの数に比
べて、より少ない遅れの数を必要とする配列を提供する
ようにされている。ダイオードＤ１，Ｄ２およびＤ３は
走査９０の方向に対してある角度をなすライン１３５上
に配置されており、ダイオードＤ４，Ｄ５およびＤ６は
ライン１３７上に配置されており、そして、ダイオード
Ｄ７，Ｄ８およびＤ９はライン１３９上に配置されてい
る。ライン１３７および１３９はライン１３５に平行し
ている。
【００３８】必要とされるコラムの数はダイオードの間
隔１２４（２個のダイオードの中心間の距離）に依存し
ている。その製造技術による要求に依存して、ダイオー
ドの間隔１２４にはある程度の制限がある。
【００３９】図２３に戻って参照すると、その製造技術
による要求のために、コラム８４上の２個のダイオード
Ｄ１とＤ４との間の間隔１２４は大きくされている。従
って、この２個のダイオードでは、２個の部分的に重畳
する経路を走査する２個のスポットを生成させることは
できない。コラム１３０および１３２上のダイオード
は、コラム８４上のダイオード間のギャップを埋めるた
めに付加されている。
【００４０】この配列において、経路１３３上で互いに
追従するダイオードは、その走査の方向に関して互いに
オフセット状態にされている。また、経路１３３上で互
いに追従するダイオードだけが、２個の部分的に重畳す
る経路を走査する２個のスポットを生成させるために選
択されることができる。例えば、Ｄ１およびＤ２，Ｄ２
およびＤ３またはＤ３およびＤ４が、指示されたダイオ
ード・ペアとして選択されることができる。
【００４１】図２３のダイオード配列により、図２４に
示されたスポットＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ
６，Ｓ７，Ｓ８およびＳ９が発生される。全てのスポッ
トＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８お
よびＳ９を同じ起動位置１００から起動させるために
は、コラム１３０上のダイオードはｄ１だけ遅らすべき
であり、また、コラム１３２上のダイオードはｄ２だけ
遅らすべきである。
【００４２】この配列を設計するためには、垂直軸８４
上の２個のダイオードＤ１とＤ４との間の距離１２４で
あるダイオード分離が第１に規定されねばならない。こ
の距離１２４は、該当の技術によって規定されるダイオ
ード間で必要な距離である。次に、経路１３３上で互い
に追従するいずれか２個のダイオードの中心間の垂直距
離であるダイオード・ピッチ１２６が規定されねばなら
ない。このピッチ１２６は、２個の部分的に重畳する経
路を走査する２個のスポットの生成を許容するダイオー
ドにおける光ビームのＦＷＨＭ／２に等しい。
【００４３】最後に、必要とされるコラムの数が規定さ
れねばならない。この必要とされるコラムの数は、ダイ
オード・ピッチによって除されるダイオード間隔に等し
い。例えば図２３において、ダイオード分離が３．０ミ
クロンであり、ダイオード・ピッチが１．０ミクロンで
あるときには、経路１３３上で互いに追従する２個毎の
ダイオードに部分的に重畳された経路を走査させるため
に、３／１＝１により、３個のコラムが必要とされる。
【００４４】従って、図２３においては、ダイオードＤ
１，Ｄ４およびＤ７の第１のコラム（垂直軸８４）の外
に、ダイオードのコラムが更に２個必要とされる。２個
の部分的に重畳するスポットを発生させるいずれか２個
の隣接したコラム上での２個毎のダイオード間のダイオ
ード分離は、必要なダイオード分離１２４に等しくなけ
ればならない、というような態様において、コラム８
４，１３０および１３２は互いに間隔をおかれねばなら
ない。
【００４５】この発明の異なるダイオードの配列におい
て注意されるべきことは、走査線の正しい位置に対比さ
れた揺れの大きさに依存して、ある一つのダイオードの
位置が揺れを修正するのに十分であり得ることである。
当該ケースにおいて、当該一つのダイオードは揺れを減
少するために選択されることになる。
【００４６】ここでも注意されるべきことは、この発明
の異なるダイオードの配列は、システムのために必要と
される任意の数のダイオードをもって設計できることで
ある。
【００４７】ここで更に注意されるべきことは、この発
明の好適な実施例においては、垂直共振器表面放射レー
ザ（ＶＣＳＥＬ：ｖｅｒｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ ｓ
ｕｒｆａｃｅ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｓｅｒ）または
その他の放射レーザ・アレイが用いられることである。
ＶＣＳＥＬアレイを用いることの利点は、このＶＣＳＥ
Ｌアレイ上の各ダイオードによって発生された光ビーム
が実質的にコリメートされるために、楕円状のスポット
が発生されるエッジ放射ダイオード・アレイに比べて、
円形状のスポットが生成されることである。ただし、代
替的なものとしては、光ビームを組み合わせるためにエ
ッジ放射ダイオード・アレイも使用することができ、ま
た、スポットの形状については実質的に円形状をなすよ
うに周知の方法で修正することができる。
【００４８】最後に注意されるべきことは、この発明の
好適な実施例において、そのスポット間隔が、実質的な
ガウス分布による合成スポットを発生させる、その最大
強度の単一の光ビームのＦＷＨＭ／２でなければならな
いことである。しかしながら、異なる用途に対しては、
ガウス分布以外の強度分布による合成スポットが生成さ
れる、異なるスポット間隔を用いることができる。
【００４９】前述された実施例には、２本の光ビームを
組み合わせるための異なるダイオード配列が開示されて
いる。しかしながら、揺れの修正をするためには、走査
線の正しい位置と比較するために、ダイオード配列によ
って発生されたスポットの位置を検出することが必要で
ある。このスポットの位置が一度検出されると、該当の
走査線に対して指定されたダイオード・ペアであるよう
に、適当なダイオード・ペアを選択することが可能にさ
れる。また、ダイオードの位置および走査線の位置に基
づき、指定されたダイオード・ペアによって発生された
２本の光ビームの強度が修正可能にされて、この２本の
光ビームと走査線との間の精細な整列を達成するように
される。
【００５０】走査線と比較されるスポットの位置を検出
するために、位置検出手段を用いることができる。ここ
で図２５を参照すると、位置検出手段１４０が示されて
いる。この位置検出手段１４０は２個の要素１４２およ
び１４４を備えている。この２個の要素１４２および１
４４は、それぞれに、以下の関係による三角形状の、台
形状の、または任意の他の形状を有している。この２個
の要素は基準軸１４６上にあるような態様で互いに隣接
して配置されており、双方の要素の幅は等しいものであ
る。要素１４２のエッジ１４１は、要素１４４のエッジ
１４３に平行にされている。そのために、各要素はスポ
ットによって走査されるそのエッジ間の距離をさせるも
のであり、ある一つの要素上のこのような距離は、基準
軸を除いて、他方の要素上の対応する距離とは異なって
いる。要素１４２のエッジ１４５は要素１４４のエッジ
１４７と隣接し、そして間隔をとっており、これらのエ
ッジは互いに平行している。また、２個の要素１４２お
よび１４４を分離しているエッジ１４５および１４７
は、走査検出手段の起動としてスポットによるエッジの
交差をも用いるために、走査の方向１５２に対して直交
していなければならない。この交差は、基準軸１４６に
関するスポットの位置には係わりなく、走査の方向にお
ける一定の基準点である。
【００５１】基準軸１４６に関するスポットの位置を検
出するために、プリント下の用紙のエッジ直前に位置検
出手段１４０が配置され、任意のダイオード設計のダイ
オードＤ１からのスポットＳ１が基準軸１４６上の位置
検出手段１４０を交差して配列される。ただし、中間ス
ポットＳ３の位置が走査線１５２の正しい位置である。
検出手段１４０にスポットＳ１を伝送する理由は、この
スポットＳ１が検出手段１４０に到達する始めのスポッ
トだからである。ここで注意されるべきことは、スポッ
トＳ１が検出手段１４０を交差すると、残りのダイオー
ドがオフにされることである。
【００５２】また、走査位置の起動を検出するために
は、２個の要素１４２と１４４との間の間隔が走査の起
動と符合しているというような態様で、位置検出手段１
４０がプリント下の用紙エッジの直前に配置されること
になる。
【００５３】その動作において、スポットＳ１が基準軸
１４６の上部で位置検出手段１４０と交差したとする
と、それはより狭いエリアにおいて第１の要素１４２と
交差し、より広いエリアにおいて第２の要素１４４と交
差する。従って、第１の要素ではより短い距離が計測さ
れ、第２の要素ではより長い距離が計測される。これと
は対照的に、スポットＳ１が基準軸１４６の下部で位置
検出手段１４０と交差したとすると、それはより広いエ
リアにおいて第１の要素１４２と交差し、より狭いエリ
アにおいて第２の要素１４４と交差する。従って、第１
の要素ではより長い距離が計測され、第２の要素ではよ
り短い距離が計測される。そして、スポットＳ１が基準
軸１４６上で位置検出手段１４０と交差したとすると、
２個の要素１４２および１４４では等しい距離が計測さ
れる。２個の要素１４２および１４４からの距離を比較
することにより、基準軸１４６に関するスポットＳ１の
距離、従って、走査線１５２の正しい位置に関するもの
が検出される。
【００５４】この配列によれば、スポットＳ１が基準軸
１４６上で位置検出手段１４０と交差したときには、中
間スポットの位置が走査線の正しい位置であり、このた
めに、この中間スポットがラインを走査するために選択
されるべきである。例えば、図２５に示されている例に
おいては５個のスポットＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４および
Ｓ５があり、スポットＳ１が基準軸１４６上で位置検出
手段と交差したとすれば、中間スポットであるスポット
Ｓ３の位置が走査の正しい位置であり、このために、ス
ポットＳ３を発生させるダイオードＤ３（図示されな
い）が、指示されたダイオードであるように選択される
べきである。
【００５５】しかしながら、スポットＳ１が基準軸１４
６の下部で位置検出手段と交差したとすると、その意味
することは中間スポットが走査線の下部にあるというこ
とであり、このために、当該走査線上に揺れが存するこ
とになる。基準軸１４６のどのくらい下部でスポットＳ
１が位置検出手段と交差したかに依存して、中間スポッ
トおよびこの中間スポットの上部のスポットを含むスポ
ットのグループ（Ｓ３，Ｓ４およびＳ５）からの２個の
スポット、または、中間スポットの上部のスポットのグ
ループ（Ｓ４およびＳ５）からの１個のスポットが、該
当のラインを走査する指示された複数または単数のスポ
ットであるように選択されることになる。また、それら
複数または単数のスポットを発生させる複数または単数
のダイオードが、指示された複数または単数のダイオー
ドであることになる。更に、走査線の位置と比較される
２個のスポットの位置に依存して、この２個のスポット
と走査線との間の精細な整列を達成するように、２個の
スポットの強度が修正される。
【００５６】同じ態様において、スポットＳ１が基準軸
１４６の上部で位置検出手段と交差したとすると、その
意味することは中間スポットが走査線の上部にあるとい
うことであり、このために、当該走査線上に揺れが存す
ることになる。基準軸１４６のどのくらい上部でスポッ
トＳ１が位置検出手段と交差したかに依存して、中間ス
ポットおよびこの中間スポットの下部のスポットを含む
スポットのグループ（Ｓ３，Ｓ２およびＳ１）からの２
個のスポット、または、中間スポットの下部のスポット
のグループ（Ｓ２およびＳ１）からの１個のスポット
が、該当のラインを走査する指示された複数または単数
のスポットであるように選択されることになる。また、
それら複数または単数のスポットを発生させる複数また
は単数のダイオードが、指示された複数または単数のダ
イオードであることになる。更に、走査線の位置と比較
される２個のスポットの位置に依存して、この２個のス
ポットと走査線との間の精細な整列を達成するように、
２個のスポットの強度が修正される。
【００５７】偶数個のスポットを有するシステムにおい
て注意されるべきことは、それぞれにその最大強度の５
０％である２本の中間的な光ビームの組み合わせからの
合成スポットの位置は、走査線の正しい位置であること
である。
【００５８】スポットＳ１の位置が一度検出されると、
ルックアップ・テーブルのような異なるアプローチの使
用が可能にされて、該当の走査線に対して必要な調節を
施すために、適当なダイオードのセット、および、各ダ
イオードに対する適当な強度および適当な遅れを選択す
るようにされる。これらの選択により、その正しい位置
においてラインが走査されることになる。
【００５９】ここで図２６および図２７を参照すると、
異なる走査線上での揺れを修正するために用いられる、
この発明の一つのダイオード配列（図２０）に対する制
御回路図が示されている。図２６および図２７に示され
た回路は周知の手段で設計されるものである。適当なダ
イオードおよび適当な強度の選択に先立って、ダイオー
ドＤ１（図示されない）がオンにされ、このダイオード
Ｄ１によって発生されたスポットＳ１は位置検出手段１
４０に伝送される。スポットＳ１がこの位置検出手段の
各要素の交差を始めると、この要素は電圧を発生させ、
光ビームによって発生されたスポットが完全にこの要素
の上にあるときには、この要素は最大の電圧Ｖｍを発生
させる。要素１４２によって発生された電圧は、比較器
Ｃ１によってＶｍ／２（これは、スポットが要素上の途
中であるときに、この要素によって発生される電圧を表
すものである）に等しい基準電圧と比較されている。
【００６０】ここで図２５，図２６および図２７を参照
すると、スポットＳ１が要素１４２の交差を始めるとこ
の要素１４２は電圧を発生させ、この電圧がＶｍ／２に
達すると比較器Ｃ１がスイッチされてアップ・ダウン・
カウンタ１６０をオンにする。また、要素１４２が発生
する信号は、比較器Ｃ３を通してアップ・ダウン・カウ
ンタ１６０に信号を伝送し、このアップ・ダウン・カウ
ンタ１６０にカウント・アップを始めさせる。アップ・
ダウン・カウンタ１６０がカウント・アップをしている
間に、要素１４２のエッジ１４１からエッジ１４５（図
２５）まで光ビーム（スポットＳ１）によって移動され
る距離が計測される。
【００６１】スポットＳ１が要素１４２から出始める
と、この要素１４２によって発生された電圧が減少を始
め、スポットＳ１が要素１４２から出て行くのにつれ
て、空間１５０および要素１４４の交差が始まる。この
ために、要素１４２によって発生された電圧は減少を始
め、要素１４４によって発生された電圧は増大を始め
る。その結果として、比較器Ｃ１はオフにスイッチさ
れ、Ｖｍ／２に等しい基準レベルを有する比較器Ｃ２は
オンにされて、アップ・ダウン・カウンタ１６０がオン
状態に維持される。
【００６２】また、スポットＳ１が空間１５０と交差す
ると、（要素１４２によって発生された電圧を要素１４
４によって発生された電圧と比較する）比較器Ｃ３がス
イッチされる。比較器Ｃ３がスイッチされると、走査の
開始が指示される。Ｃ３によって発生された走査開始信
号は、アップ・ダウン・カウンタ１６０がカウント・ダ
ウンを始めることを合図するためにも用いられる。アッ
プ・ダウン・カウンタ１６０がカウント・ダウンをして
いる間に、要素１４４のエッジ１４７からエッジ１４３
まで光ビーム（スポットＳ１）によって移動される距離
が計測される。アップ・ダウン・カウンタ１６０は、ス
ポットＳ１が要素１４４を出たときにカウントを停止す
る。
【００６３】基準軸１４６（図２５）と対比されたスポ
ットＳ１の位置に依存して、スポットＳ１は要素１４４
のエリアよりも狭いまたは広いエリアにおいて光学的要
素１４２と交差することができる。これにより、スポッ
トＳ１が各要素と交差している間に異なるカウントをす
るようになる。
【００６４】スポットＳ１が基準軸１４６上で要素１４
２および１４４と交差したとすると、この２個の要素に
対するカウントは同じになる。従って、要素１４２に対
してはカウント・アップし、要素１４４に対してはカウ
ント・ダウンするアップ・ダウン・カウンタ１６０は、
スポットＳ１が要素１４４を出たときにはゼロ・カウン
トになる。
【００６５】しかしながら、スポットＳ１が基準軸１４
６の上部または下部において要素１４２および１４４と
交差したときに、光ビームが要素１４４を出たときに
は、アップ・ダウン・カウンタ１６０にカウントが残る
ことになる。
【００６６】アップ・ダウン・カウンタ１６０からの結
果としてのカウントは、２個のプログラマブル・ロジッ
ク・アレイ（ＰＬＡ）１６２および１６４に伝送され
る。そのカウントに依存して、ＰＬＡ１６２は適当な強
度を与え、また、ＰＬＡ１６４は適当な選択を与える。
【００６７】デジタル・アナログ変換器１６６は、選択
された一つのダイオードに対するデジタル強度信号を、
選択されたダイオードに依存してアナログ信号Ｉ１また
はＩ２に変換し、または、２個の選択されたオフセット
・ダイオードに対する２個のデジタル強度信号を、２個
のアナログ信号Ｉ１およびＩ２に変換して、２本の光ビ
ームの各々に対するものが発生されることになる。電流
増幅器１６８により電流信号Ｉ１が増幅され、電流増幅
器１７０により電流信号Ｉ２が増幅される。
【００６８】ＰＬＡ１６４からのダイオードの選択に依
存して、スイッチＱ１０ないしＱ１７により適当なダイ
オードＤ１ないしＤ５がオンにされ、変調スイッチＱ１
８ないしＱ２２が活性化される。スイッチＱ１８ないし
Ｑ２２は、ダイオードＤ１ないしＤ５によって発生され
た光ビーム上に画素情報を変調するためのものである。
遅れｄ１，ｄ２，ｄ３およびｄ４は、変調に先立ち、各
ダイオードの画素情報に適当な遅れを加えるためのもの
である。
【００６９】ここで注意されるべきことは、この発明の
異なる実施例では異なる遅れが必要になることである。
各実施例に対して必要とされる遅れに依存して、回路の
変調部位は該当する特定の実施例に対して必要とされる
遅れを付与するように修正される。
【００７０】ここでも注意されるべきことは、図２６お
よび図２７に示されている回路は、異なる数のダイオー
ドにより多くの異なるやり方で設計できることである。
【００７１】この発明の種々の実施例において開示され
た任意のダイオード設計と共同するこの発明の位置検出
手段によれば、走査装置の揺れを修正することができる
システムが提供される。
【００７２】この発明で開示された実施例はいかなる範
囲のいかなる揺れでも修正することができるために、従
来の揺れ修正用の光学的手段はもはや必要とされない。
従来の揺れ修正用の光学的手段はは、典型的には、円筒
状のレンズを必要とする光学的な要素でしかない。この
ために、従来の揺れ修正用の光学的手段を排除すること
により、揺れを修正するためにラスター・スキャナー内
で用いられている円筒状のレンズは排除されることにな
る。
【００７３】ラスター走査装置でも、走査線のたわみを
修正するために、この発明の異なる実施例を用いること
ができる。ここで図２８を参照すると、走査線のたわみ
を修正するため、組み立ての間に、直線状の走査線１７
６に関してたわみのある走査線１７４上の各画素（即
ち、画素Ｐ３またはＰ４）の位置が計測されて、各画素
から計測されたデータに基づいて必要な修正が規定さ
れ、これに次いで該当の修正データがメモリに蓄積され
ることになる。修正データが一度蓄積されると、光ビー
ム上での画素の変調が必要とされる度に、当該画素に対
する修正データが検索され、当該画素に対して必要とさ
れる修正に基づいて、適当な強度を有する単一のダイオ
ードまたは適当なダイオードのペアが選択される。この
アプローチにより、走査線のたわみは十分に減少され
る。
【００７４】ここで図２９を参照すると、走査線のたわ
みを修正するために用いられる、この発明の一つのダイ
オード配列（図２０）に対する制御回路図が示されてい
る。位置検出手段１４０は走査の開始を指示するために
用いられる。スポットＳ１が要素１４４に対して要素１
４２を交差すると、比較器Ｃ３は走査の開始を付与する
状態を変更する。走査の開始が一度合図されると、カウ
ンタ１８０がカウントを始めて、画素情報が走査線に対
して加えられるべき位置までカウントされる。画素情報
が走査線に対して加えられるべき位置を越えたものは、
いかなるカウントでも画素・カウントと呼ばれる。カウ
ンタ１８０からのカウントはＲＯＭ１８２に伝送され
る。
【００７５】各画素のたわみの計測からの修正データに
基づき、ＲＯＭ１８２は、各画素に対して適当な強度お
よびダイオード選択を与えるようにプログラムされてい
る。カウンタ１８０は画素・カウントを指示し、また、
画素・カウントはＲＯＭ１８２をアドレスしてダイオー
ド選択および強度値を送出させる。
【００７６】ＲＯＭ１８２の出力は、デジタル・アナロ
グ変換器ＤＡＣ１，ＤＡＣ２，ＤＡＣ３，ＤＡＣ４およ
びＤＡＣ５に伝送される。ＲＯＭ １８２からの値を受
け入れるように選択されたＤＡＣだけがデジタル強度値
をアナログ強度値に変換する。選択されたＤＡＣからの
アナログ強度値により、対応する電圧コントローラの電
流源１８６，１８８，１９０，１９２および１９４が活
性化される。活性化された電圧コントローラの電流源
は、対応するレーザ・ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ
４およびＤ５に適当な電流を与えて、所要の強度の光ビ
ームを放出させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 先行技術のラスター出力スキャナーの平面図
である。
【図２】 この発明のラスター走査装置の断面図であ
る。
【図３】 ガウス分布で感光体に衝突したときの図２の
２本の光ビーム、および、その結果としての光ビームの
ガウス分布を示す図である。
【図４】 最大強度の５０％における図３の２本の光ビ
ーム３８および４０のガウス分布、および、その結果と
しての光ビームのガウス分布を示す図である。
【図５】 最大強度の７５％における図３の光ビーム３
８のガウス分布、および、最大強度の２５％における図
３の光ビーム４０のガウス分布を、その結果としての光
ビームのガウス分布とともに示す図である。
【図６】 最大強度の１００％における図３の単一の光
ビーム３８のガウス分布を示す図である。
【図７】 最大強度の２５％における図３の光ビーム３
８のガウス分布、および、最大強度の７５％における図
３の光ビーム４０のガウス分布を、その結果としての光
ビームのガウス分布とともに示す図である。
【図８】 最大強度の１００％における図３の単一の光
ビーム４０のガウス分布を示す図である。
【図９】 垂直のダイオード配列によるレーザ光源の正
面図である。
【図１０】 感光体平面上に２個のスポットを発生させ
る図９の光源の斜視図である。
【図１１】 図１０の感光体平面の正面図である。
【図１２】 水平のダイオード配列によるレーザ光源の
正面図である。
【図１３】 感光体平面上に２個のスポットを発生させ
る図１２の光源の斜視図である。
【図１４】 図１３の感光体平面の正面図である。
【図１５】 オフセット・ダイオードの配列によるレー
ザ光源の正面図である。
【図１６】 感光体平面上に２個のスポットを発生させ
る図１５の光源の斜視図である。
【図１７】 図１６の感光体平面の正面図である。
【図１８】 図１７の２個のスポットＳ１およびＳ２が
２本の部分的に重畳する経路を走査するために同期化が
可能にされるやり方を示す図であって、この２個のスポ
ットは、同じ位置から経路上での画素情報の印加を開始
し、また、同じ位置において経路上での画素情報の印加
を停止するときの図である。
【図１９】 １本の走査線を形成するための、２本の部
分的に重畳する経路を走査する２個のスポットＳ１およ
びＳ２を備えた感光体平面を示す図である。
【図２０】 多数のオフセット・ダイオードの配列によ
るレーザ光源の正面図である。
【図２１】 感光体平面上に複数のスポットを発生させ
る図２０の光源の斜視図である。
【図２２】 図２１の感光体平面の正面図である。
【図２３】 オフセット・ダイオードの配列による別の
マルチ・ダイオードのレーザ光源の正面図である。
【図２４】 図２３のダイオード配列により感光体平面
上に発生されたスポットを示す図である。
【図２５】 基準軸に関するスポットの位置を検出する
位置検出手段を示す図である。
【図２６】 異なる走査線上での揺れを修正するために
用いられる、図２０のダイオード配列に対する制御回路
図の第１の部分である。
【図２７】 異なる走査線上での揺れを修正するために
用いられる、図２０のダイオード配列に対する制御回路
図の第１の部分である。
【図２８】 直線状の走査線と対比される、たわんだ走
査線の画素の変位を示す図である。
【図２９】 走査線のたわみを修正するために用いられ
る、図２０のダイオード配列に対する制御回路図であ
る。
【符号の説明】
３０…ラスター走査装置、３２…レーザ光源、３８，４
０…光ビーム、３４，３６…ダイオード、４２…コリメ
ート・レンズ、４４…アパーチャー、４６…（ポリゴン
の）面４６、４８…Ｆ−シータ・レンズ、５０…感光体
手段、Ｓａ，Ｓｂ…スポット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数の光ビームを発するための複数のダイ
    オードを備えているレーザ光源、 媒体、 前記複数の光ビームを前記媒体上で走査するために、前
    記レーザ光源からの前記複数の光ビームの経路内に配置
    されている走査手段、 前記複数のダイオードの一つを選択するための、また
    は、オフセット・ダイオードの前記複数の組み合わせの
    一つを選択するための制御手段、 前記複数のものの前記選択された一つ、または、オフセ
    ット・ダイオードの前記選択された組み合わせに対して
    画素情報の列を供給するための手段が含まれており、 前記複数のダイオードは、互いにオフセットされており
    走査の方向に対して或る角度で一線に配列された少なく
    とも２個のダイオードの複数の組み合わせであるような
    態様で配列されており、 各組み合わせのダイオードからの複数の光ビームは、該
    複数の光ビームの同時走査の間に走査の方向に沿って互
    いに間隔をおかれており、前記媒体上に走査線を形成す
    る部分的に重畳された経路を走査するように配列されて
    おり、 前記画素情報の列を供給する手段は、オフセット・ダイ
    オードの前記選択された組み合わせからの光ビームの各
    一つは同じ画素位置においてオンであり、または、走査
    線に沿う同じ画素位置においてオフであるような態様で
    調子が合わされるものであるラスター走査装置。
JP6229879A 1993-10-01 1994-09-26 ラスター走査装置 Pending JPH07174995A (ja)

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