JPH07159482A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JPH07159482A
JPH07159482A JP5306335A JP30633593A JPH07159482A JP H07159482 A JPH07159482 A JP H07159482A JP 5306335 A JP5306335 A JP 5306335A JP 30633593 A JP30633593 A JP 30633593A JP H07159482 A JPH07159482 A JP H07159482A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価でテストプログラマの負荷を軽減すると
共に、テスト時間の短縮をも実現することができる半導
体試験装置を得る。 【構成】 ICの複数の電源ピンに対し、それぞれ任意
の電圧を供給することができる複数の電圧発生器(オペ
アンプ5a)と、ICの基準電圧となる電圧を発生させ
る基準電圧発生器(オペアンプ5c)と、基準電圧発生
器5cの出力電圧と上記複数の電圧発生器5aの電圧と
の電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の出力電圧
の推移に従って、上記複数の電圧発生器の出力電圧をシ
フトする電圧シフト回路(オペアンプ5d)とを備え
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路の電
気的特性を試験する半導体試験装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の半導体試験装置の一例を
示す部分回路図であり、図において、1は被試験半導体
集積回路(以下テストICという)、2aはテストIC
1のVCC電源ピン、2bは同じくVSSグランド電源ピ
ン、3a〜3nはテストIC1の入出力波形を伝えるフ
ァンクションピン、4はトランスファリレー、4a,4
bはトランスファリレー4の各々の端子、5a及び5b
はオペアンプ、6a,6b及び6c,6dはオペアンプ
5a,5bによる電圧増幅率を決める抵抗、7a及び7
bはオペアンプ5a及び5bの出力電圧をコントロール
するD/Aコンバータ、8a及び8bはD/Aコンバー
タ7a及び7bの出力電圧を制御する制御線、9はD/
Aコンバータの出力電圧を決めるデータ線である。
【0003】次に動作について説明する。通常のICの
試験はVSSをグランドレベルにし、VCCに規定の電源電
圧を供給して試験をするが、ICによっては、VSS端子
にオフセット電圧を与え、IC全体の対グランド電位を
上げるようなテストが必要とされる。ここでは、上記テ
スト時のオフセット電圧の作り方についてのみ説明す
る。
【0004】前述したようにテストIC1のVCCピン2
bはトランスファリレー4によりグランドに接続されて
いるが、あるテスト項目ではトランスファリレー4の4
a側端子に接続され、オペアンプ5bの出力電圧が供給
される。しかし、試験装置のファンクション波形は、振
幅が限られている(−2〜7V)ため、テストIC1を
そのテスト状態にするためのファンクション入力時はオ
ペアンプ5bを0[V]、オペアンプ5aを5[V]等
にしておく必要がある。ファンクション入力が終了後、
オフセット電圧を供給し、対グランドとの電位を上げれ
ば良いが、テストICは、VCC間の電位差に規定があ
り、その電位差を越えられない。そこで、メインコント
ローラからの指示である。D/Aコンバータ用データ9
と、制御線8a,8bを交互に制御することにより、D
/Aコンバータ7a及び7bの出力電圧を階段式に変化
させ、しいてはVCC及びVSS電圧を変化させる。
【0005】図6は、この電圧変化のようを示すもの
で、10はVSS電圧、11はVCC電圧を示す。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は以上のよ
うに構成されているので、VCC−VSS間の電位差規定を
守りながら階段的に電圧変化をさせる必要があり、その
処理に時間が掛かっていた。又その処理は全てテストプ
ログラマの考慮が必要でテストプログラマの負荷も大き
かった。
【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、テストICの基準電源ピン(V
SSピン)に電圧を供給している電圧発生器を基準とし
て、その基準電圧発生器出力の電圧の変化とともに他の
電圧発生器の出力電圧を変化させることにより、ICの
テスト時間、プログラム開発時間を短縮することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体試験装置は、ICの複数の電源ピンに対し、そ
れぞれ任意の電圧を供給することができる複数の電圧発
生器と、上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基
準電圧発生器と、上記基準電圧発生器の出力電圧と上記
複数の電圧発生器の電圧との電位差を保ちながら、上記
基準電圧発生器の出力電圧の推移に従って、上記複数の
電圧発生器の出力電圧をシフトする電圧シフト回路とを
備えたものである。
【0009】また、この発明の請求項2に係る半導体試
験装置は、ICの入力ピンに任意の電圧振幅の波形を与
えるドライバー回路と、上記ICの基準電圧となる電圧
を発生させる基準電圧発生器と、上記ドライバー回路よ
り出力される振幅電圧を、上記基準電圧発生器の出力基
準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路とを備
えたものである。
【0010】さらに、この発明の請求項3に係る半導体
試験装置は、ICの出力ピンの電圧と、予め設定された
期待電圧とのレベル比較をする電圧比較器と、上記IC
の基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発生器と、
上記電圧比較器の期待電圧を、上記基準電圧発生器の出
力基準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路と
を備えたものである。
【0011】
【作用】この発明の請求項1乃至請求項3における電圧
シフト回路は、もととも電圧発生器より出力されている
電圧に、基準電圧出力器からの出力電圧を加算して出力
する。これによりICの基準電圧ピンに電圧を供給する
電圧発生器の出力電圧を、他の電圧発生器の基準電圧と
することができ、それぞれの電圧発生器出力の電位差を
保ちながら電圧シフトを高速にすることができる。
【0012】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は請求項1に係る実施例を示す図であり、図
1において図5と同一符号は同一のものを示している。
5cはオペアンプ5bの出力電圧を反転するオペアン
プ、5dは、オペアンプ5aの出力電圧とオペアンプ5
dの出力電圧の差動増幅用オペアンプ、6e〜6jはそ
れぞれ5c及び5dのオペアンプの増幅率を決める抵抗
である。
【0013】次に動作について説明する。オペアンプ5
bの出力電圧はテストIC1のVSSピンに供給されると
共に、基準電圧発生器としてのオペアンプ5cの(−)
入力ピンに入力される。今、オペアンプ5cの増幅抵抗
6e及び6fが同一抵抗値である場合、オペアンプ5c
の出力電圧は、オペアンプ5bの出力電圧の反転電圧が
出力される。この出力電圧は、反転基準電圧(AOFFSET)
として、他の複数の電圧発生器に取付けられた電圧シフ
ト回路(図示しない)に送られる。
【0014】その電圧シフト回路の1つが図1ではオペ
アンプ5dとその周辺回路により構成されている。AOFF
SETは、オペアンプ5dの(−)入力ピンに入力され、
オペアンプ5aの出力電圧は(+)入力ピンに入力され
る。今、オペアンプ5dの増幅抵抗6g〜6jが同一抵
抗値であれば、オペアンプ5dの出力電圧は(+)入力
ピン電圧に(−)入力ピン電圧の反転電圧を加算された
電圧となる。つまり、テストICのVCCピンの入力電圧
は、電圧発生器であるオペアンプ5aの出力電圧に基準
電圧(VSSピン入力電圧)を加算した値となる。
【0015】従来技術でも述べたように、ファンクショ
ンピンへの入力波形の振幅には試験装置により規定があ
るため、通常はVSSピンO[V]、VCCピン5[V]等
の電圧が入力されている。VSSピン、つまりオペアンプ
5bの出力電圧がO[V]の時、オペアンプ5cの出力
電圧もO[V]。ゆえにオペアンプ5dの出力電圧つま
り、VCCピンの電圧はオペアンプ5aの出力電圧がその
まま入力される。
【0016】次にこの状態から、図には示してないがD
/Aコンバータ7bの入力データ等(従来技術例を同
様)を操作して、オペアンプ5bの出力電圧、つまりV
SSピンの入力電圧を10[V]とすると、その反転電圧
−10[V]がオペアンプ5cから出力され、しいては
オペアンプ5dから、+20[V]が出力される。つま
り、VSSピンの入力電圧を変更するだけでVCCピンの入
力電圧がほぼ同時に変更することができる。
【0017】図2は本実施例によるVSSピンの入力電圧
及びVCCピンの入力電圧の変化を示している。12はV
CCピンの入力電圧の変化を示し、13はVSSピンの入力
電圧の変化を示す。
【0018】なお、D/Aコンバータ7a及び7bが反
転出力であればオペアンプ5a〜5dの使い方も変更と
なる。又、電圧シフト回路も他の回路構成を取り得る。
【0019】実施例2.次にこの発明の実施例2を図に
ついて説明する。図3は請求項2に記載した発明の一実
施例を示す部分図であり、図1及び図5と同一部分には
同一符号を付して説明を省く。図において3mはファン
クションピン3a〜3nのうち、1つの入力ピン、14
はファンクション入力ピン3mへ入力波形を規定のレベ
ルで入力するドライバー回路、5e及び5fはドライバ
ー回路14に規定レベルの電圧を与える電圧シフト回路
としてのオペアンプ、6k〜6rはオペアンプ5e及び
5fの増幅率を決める抵抗、7c及び7dはそれぞれオ
ペアンプ5e及び5fに設定電圧を与えるD/Aコンバ
ータ、15はドライバー回路14からハイレベルを出力
するのか、ローレベルを出力するのかの情報を示す。
【0020】次に動作について説明する。従来の技術で
の例であれば、オペアンプ5e及び5fは図5のオペア
ンプ5a及び5bと同様な回路であったが、図では図1
のオペアンプ5dと同様の差動増幅回路とし、しかもオ
ペアンプ5dと同様にその(−)入力ピンにはAOFFSET
が入力されている。つまり、AOFFSET が0[V]の時、
オペアンプ5eはD/Aコンバータ7c設定の電圧を出
力し、又、オペアンプ5fはD/Aコンバータ7d設定
の電圧を出力するが、AOFFSET が例えば10[V]とな
れば、オペアンプ5e及び5fは、それぞれD/Aコン
バータ7c及び7d設定の電圧にAOFFSET 電圧を加算
し、ドライバー回路14に入力する。
【0021】ドライバー回路14は、HI/LO情報1
5の指示に従い、オペアンプ5e及び5fの出力電圧を
出力する。
【0022】実施例3.次にこの発明の実施例3を図に
ついて説明する。図4は、請求項3に記載した発明の一
実施例を示す部分図であり、図1,図3及び図5と同一
部分には同一符号を付して説明を省く。図において、3
pはファンクションピン3a〜3nのうち1つの出力ピ
ン、16a及び16bは、それぞれテストICからの出
力波形が規定のハイレベルなのか、ローレベルなのかを
比較する電圧比較器としてのハイコンバータ及びローコ
ンバータ、5g及び5hはハイコンバータ16a及びロ
ーコンバータ16bに、規定のハイレベル、ローレベル
を与えるオペアンプ、6s〜6qはオペアンプ5g及び
5hの増幅率を決める抵抗、7e及び7fはそれぞれオ
ペアンプ5g及び5hに設定電圧を与えるD/Aコンバ
ータ、17はハイコンバータ16a及びローコンバータ
16bでの電圧比較結果が正しいかどうかを判定する判
定回路である。
【0023】次に動作について説明する。実施例2と同
様、従来技術の例であれば、オペアンプ5g及び5hは
図5のオペアンプ5a及び5bと同様な回路であった
が、図では図1のオペアンプ5dと同様の差動増幅回路
とし、しかもオペアンプ5dと同様、その(−)入力ピ
ンにはAOFFSET が入力されている。つまり、AOFFSET が
0[V]の時、オペアンプ5gはD/Aコンバータ7e
設定の電圧を出力し、又、オペアンプ5hはD/Aコン
バータ7f設定の電圧を出力するが、AOFFSET が0
[V]以外であれば、オペアンプ5g及び5hは、それ
ぞれD/Aコンバータ7e及び7f設定の電圧にAOFFSE
T 電圧を加算し、コンバータ16a及び16bに規定電
圧として入力される。これにより、テストIC1からの
出力波形のレベル判定の規準が変わる。
【0024】ハイコンバータ16aは与えられた規定電
圧よりもファンクション出力ピン3lの出力電圧が高け
ればその結果を、同じくローコンバータ16bは与えら
れた規定電圧よりも低ければ、その結果を判定回路17
に出力し、判定回路17では上記両コンパレータからの
結果が正しいか否かを判定する。
【0025】
【発明の効果】この発明の請求項1に係る半導体試験装
置は、ICの複数の電源ピンに対し、それぞれ任意の電
圧を供給することができる複数の電圧発生器と、上記I
Cの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発生器
と、上記基準電圧発生器の出力電圧と上記複数の電圧発
生器の電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧の推移に従って、上記複数の電圧発生器の
出力電圧をシフトする電圧シフト回路とを備え、テスト
ICの基準電源ピンに電圧を供給している電圧発生器
を、テスト装置内電圧発生器の基準として、その基準電
圧を変化させることで、他の電圧発生器出力の電圧も同
様に電圧シフトさせることができ、装置が安価にできる
と共に、ICのテスト時間及びプログラム開発時間を短
縮することができる。
【0026】また、この発明の請求項2に係る半導体試
験装置は、ICの入力ピンに任意の電圧振幅の波形を与
えるドライバー回路と、上記ICの基準電圧となる電圧
を発生させる基準電圧発生器と、上記ドライバー回路よ
り出力される振幅電圧を、上記基準電圧発生器の出力基
準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路とを備
え、テストICの基準電源ピンに電圧を供給している電
圧発生器を、テスト装置内電圧発生器の基準として、そ
の基準電圧を変化させることで、他の電圧発生器出力の
電圧も同様に電圧シフトさせることができ、装置が安価
にできると共に、ICのテスト時間及びプログラム開発
時間を短縮することができる。
【0027】さらに、この発明の請求項3に係る半導体
試験装置は、ICの出力ピンの電圧と、予め設定された
期待電圧とのレベル比較をする電圧比較器と、上記IC
の基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発生器と、
上記電圧比較器の期待電圧を、上記基準電圧発生器の出
力基準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
器の出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路と
を備え、テストICの基準電源ピンに電圧を供給してい
る電圧発生器を、テスト装置内電圧発生器の基準とし
て、その基準電圧を変化させることで、他の電圧発生器
出力の電圧も同様に電圧シフトさせることができ、装置
が安価にできると共に、ICのテスト時間及びプログラ
ム開発時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1を示すブロック図である。
【図2】実施例1の電圧シフトグラフを示す図である。
【図3】この発明の実施例2を示すブロック図である。
【図4】この発明の実施例3示すブロック図である。
【図5】従来の半導体試験装置を示すブロック図であ
る。
【図6】従来の半導体試験装置の動作説明図である。
【符号の説明】
1 被試験IC 2 被試験ICの電源ピン 5 オペアンプ 6 抵抗器 7 D/Aコンバータ 14 ドライバー回路 16 コンパレータ回路 17 判定回路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2種以上の電源ピンを有するICの電気
    的特性を試験する半導体試験装置において、 上記ICの複数の電源ピンに対し、それぞれ任意の電圧
    を供給することができる複数の電圧発生器と、 上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発
    生器と、 上記基準電圧発生器の出力電圧と上記複数の電圧発生器
    の電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生器の
    出力電圧の推移に従って、上記複数の電圧発生器の出力
    電圧をシフトする電圧シフト回路と、 を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  2. 【請求項2】 ICの電気的特性を試験する半導体試験
    装置において、 上記ICの入力ピンに任意の電圧振幅の波形を与えるド
    ライバー回路と、 上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発
    生器と、 上記ドライバー回路より出力される振幅電圧を、上記基
    準電圧発生器の出力基準電圧との電位差を保ちながら、
    上記基準電圧発生器の出力電圧推移に従って変化させる
    電圧シフト回路と、 を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  3. 【請求項3】 ICの電気的特性を試験する半導体試験
    装置において、 上記ICの出力ピンの電圧と、予め設定された期待電圧
    とのレベル比較をする電圧比較器と、 上記ICの基準電圧となる電圧を発生させる基準電圧発
    生器と、 上記電圧比較器の期待電圧を、上記基準電圧発生器の出
    力基準電圧との電位差を保ちながら、上記基準電圧発生
    器の出力電圧推移に従って変化させる電圧シフト回路
    と、 を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001281292A (ja) * 2000-04-03 2001-10-10 Advantest Corp Ic試験装置における電圧発生器の校正方法・電圧発生器の校正装置
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