JPH0715752B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH0715752B2 JPH0715752B2 JP60143702A JP14370285A JPH0715752B2 JP H0715752 B2 JPH0715752 B2 JP H0715752B2 JP 60143702 A JP60143702 A JP 60143702A JP 14370285 A JP14370285 A JP 14370285A JP H0715752 B2 JPH0715752 B2 JP H0715752B2
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は磁気記録媒体に係り、特に垂直磁気異方性を
有する記録磁性層を備えた磁気記録媒体に関する。
有する記録磁性層を備えた磁気記録媒体に関する。
近年、情報処理技術の発達に伴ってメモリ装置が担う情
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスク等の磁気記
録媒体に対する大容量化の要求もますます高まってい
る。この要求に応えるため、高密度記録の可能な磁気記
録媒体、特に最近では膜面に垂直な方向の磁化を利用し
て記録を行なう垂直磁気記録用の磁気記録媒体の研究・
開発が活発になされている。垂直磁気記録用の磁気記録
媒体は垂直磁気異方性を有する記録磁性層を備えた媒体
であり、現在実用されている面内記録用の磁気記録媒体
の多くを構成している塗布型媒体よりも、記録磁性層と
してCo−Cr系合金等の金属薄膜をスパッタや蒸着により
形成した金属薄膜型媒体、あるいはBaフェライトやSrフ
ェライト等のマグネトプラムバイト型結晶構造を有する
酸化物薄膜型媒体が、高密度記録により適した媒体とし
て有望視されている。
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスク等の磁気記
録媒体に対する大容量化の要求もますます高まってい
る。この要求に応えるため、高密度記録の可能な磁気記
録媒体、特に最近では膜面に垂直な方向の磁化を利用し
て記録を行なう垂直磁気記録用の磁気記録媒体の研究・
開発が活発になされている。垂直磁気記録用の磁気記録
媒体は垂直磁気異方性を有する記録磁性層を備えた媒体
であり、現在実用されている面内記録用の磁気記録媒体
の多くを構成している塗布型媒体よりも、記録磁性層と
してCo−Cr系合金等の金属薄膜をスパッタや蒸着により
形成した金属薄膜型媒体、あるいはBaフェライトやSrフ
ェライト等のマグネトプラムバイト型結晶構造を有する
酸化物薄膜型媒体が、高密度記録により適した媒体とし
て有望視されている。
ところで、塗布型媒体では磁性粉をバインダ等と混ぜて
基体上に塗布することにより記録磁性層が形成されるた
め、記録磁性層が弾力性を持っており、また磁性層中に
潤滑剤を混入させることも可能であり、それによって媒
体と磁気ヘッド間の接触を良好に維持し、媒体およびヘ
ッドの耐久性を十分に得ることができる。
基体上に塗布することにより記録磁性層が形成されるた
め、記録磁性層が弾力性を持っており、また磁性層中に
潤滑剤を混入させることも可能であり、それによって媒
体と磁気ヘッド間の接触を良好に維持し、媒体およびヘ
ッドの耐久性を十分に得ることができる。
これに対し、金属薄膜型媒体や酸化物薄膜型媒体におい
ては、記録磁性層が弾力性をほとんど持たないため、フ
ェライト製などの硬い材質の磁気ヘッドが媒体上を走行
すると、媒体表面やヘッドの表面にスクラッチ等の損傷
が生じ易くなる。その場合には、媒体およびヘッドの耐
久性が損われるばかりでなく、媒体やヘッドの摩耗粉の
付着により媒体・ヘッド間の実効的な距離が増大してス
ペーシング・ロスが大きくなり、周波数特性の劣化や、
再生時の出力低下および出力変動の要因となる。
ては、記録磁性層が弾力性をほとんど持たないため、フ
ェライト製などの硬い材質の磁気ヘッドが媒体上を走行
すると、媒体表面やヘッドの表面にスクラッチ等の損傷
が生じ易くなる。その場合には、媒体およびヘッドの耐
久性が損われるばかりでなく、媒体やヘッドの摩耗粉の
付着により媒体・ヘッド間の実効的な距離が増大してス
ペーシング・ロスが大きくなり、周波数特性の劣化や、
再生時の出力低下および出力変動の要因となる。
そこで、金属薄膜型媒体や酸化物薄膜型媒体の場合に
は、記録磁性層の上にこれを保護するための硬質の保護
層を形成することが考えられる。保護層の具体例として
は酸化シリコン，酸化アルミニウムおよび窒化チタン等
の薄膜が従来提案されている。しかし、保護層が酸化ア
ルミニウムのように磁気ヘッドに比べて硬すぎる材質の
場合、媒体は保護されるが、磁気ヘッドが摩耗・損傷を
受ける。逆に保護層が酸化シリコン薄膜のように比較的
軟らかい材質の場合、磁気ヘッドが摩耗・損傷を受ける
ことはないが、媒体に磁気ヘッドの接触により損傷を受
け、媒体に対する保護層としての役割を果たさなくなっ
てしまう。
は、記録磁性層の上にこれを保護するための硬質の保護
層を形成することが考えられる。保護層の具体例として
は酸化シリコン，酸化アルミニウムおよび窒化チタン等
の薄膜が従来提案されている。しかし、保護層が酸化ア
ルミニウムのように磁気ヘッドに比べて硬すぎる材質の
場合、媒体は保護されるが、磁気ヘッドが摩耗・損傷を
受ける。逆に保護層が酸化シリコン薄膜のように比較的
軟らかい材質の場合、磁気ヘッドが摩耗・損傷を受ける
ことはないが、媒体に磁気ヘッドの接触により損傷を受
け、媒体に対する保護層としての役割を果たさなくなっ
てしまう。
この場合、保護層を厚く形成すれば少なくとも記録磁性
層の摩耗防止には有効と考えられるが、垂直磁気記録の
高密度記録特性の点から好ましくない。すなわち、垂直
磁気記録方式は本質的に記録密度が面内磁気記録方式よ
りもはるかに高く、記録波長を短くできるのであるが、
そのためにはヘッド・媒体間の実効的な距離を極度に小
さく抑える必要があり、従って保護層の厚みも制限され
る。このように保護層の厚さを垂直磁気記録方式の高密
度記録特性を損わない程度に抑制えると、耐久性の向上
効果はあまり期待できなくなる。
層の摩耗防止には有効と考えられるが、垂直磁気記録の
高密度記録特性の点から好ましくない。すなわち、垂直
磁気記録方式は本質的に記録密度が面内磁気記録方式よ
りもはるかに高く、記録波長を短くできるのであるが、
そのためにはヘッド・媒体間の実効的な距離を極度に小
さく抑える必要があり、従って保護層の厚みも制限され
る。このように保護層の厚さを垂直磁気記録方式の高密
度記録特性を損わない程度に抑制えると、耐久性の向上
効果はあまり期待できなくなる。
この発明の目的は、例えばフロッピーディスクのように
磁気ヘッドが連続的に接続して走行する場合でも、垂直
磁気記録の高密度記録特性を損うことなく、媒体自身お
よび磁気ヘッドの耐久性を著しく高めることができる磁
気記録媒体を提供することにある。
磁気ヘッドが連続的に接続して走行する場合でも、垂直
磁気記録の高密度記録特性を損うことなく、媒体自身お
よび磁気ヘッドの耐久性を著しく高めることができる磁
気記録媒体を提供することにある。
この発明に係る磁気記録媒体は、垂直磁気異方性を有す
る記録磁性層上にシリコン，窒素および酸素を含む薄膜
（以下、Si−Ｎ−Ｏ系薄膜という）からなる第１の保護
層を形成し、さらにその上に酸化シリコン薄膜（SiO2膜
という）からなる第２の保護層を形成したことを特徴と
するものである。
る記録磁性層上にシリコン，窒素および酸素を含む薄膜
（以下、Si−Ｎ−Ｏ系薄膜という）からなる第１の保護
層を形成し、さらにその上に酸化シリコン薄膜（SiO2膜
という）からなる第２の保護層を形成したことを特徴と
するものである。
即ち、本発明者らはCo−Cr系合金薄膜等を記録磁性層と
した垂直磁気記録用磁気記録媒体の耐久性について詳細
に検討したところ、耐久性は媒体の使用初期に媒体自身
および磁気ヘッドに生ずるスクラッチ、いわゆる初期ス
クラッチに大きく左右されることを見出した。そして、
この初期スクラッチの発生を最も効果的に抑止し、また
発生した場合でもその拡大を防止する作用があり、充分
な耐久性を発揮させる保護層として、Si−Ｎ−Ｏ系薄膜
の上にSiO2薄膜を設けた２層構造の保護層が最もすぐれ
ていることを見出したものである。
した垂直磁気記録用磁気記録媒体の耐久性について詳細
に検討したところ、耐久性は媒体の使用初期に媒体自身
および磁気ヘッドに生ずるスクラッチ、いわゆる初期ス
クラッチに大きく左右されることを見出した。そして、
この初期スクラッチの発生を最も効果的に抑止し、また
発生した場合でもその拡大を防止する作用があり、充分
な耐久性を発揮させる保護層として、Si−Ｎ−Ｏ系薄膜
の上にSiO2薄膜を設けた２層構造の保護層が最もすぐれ
ていることを見出したものである。
本発明によれば、磁気ヘッドが直接接触するSiO2膜から
なる第２の保護層が、比較的低硬度であるために初期ス
クラッチが発生しにくく、また発生した場合にもその下
層にある比較的高硬度であるSi−N/O系薄膜からなる第
１の保護層により、効果的にスクラッチの拡大が抑止さ
れる。ここで、本発明においては二つの保護層を組み合
わせるに当たり、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜を下側、SiO2薄膜を
上側（磁気ヘッドが直接接触する側）にそれぞれ配置す
ることが重要である。すなわち、これらの保護層の位置
関係を逆にした場合、つまりSiO2薄膜を下側、Si−Ｏ−
Ｎ系薄膜を上側に配置した構成では、磁気ヘッドが高硬
度のSi−Ｏ−Ｎ系薄膜と直接接触することになるため、
媒体の使用初期に媒体と磁気ヘッドとの接触による摩耗
粉が大量に発生することに起因して、媒体自身および磁
気ヘッドに発生する初期スクラッチが問題となる。この
ような初期スクラッチが発生すると、当然のことながら
媒体の耐久性は著しく低下する。このような初期スクラ
ッチによる耐久性低下の問題は、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜の下
側にSiO2薄膜が存在していてもほとんど解消されない。
なる第２の保護層が、比較的低硬度であるために初期ス
クラッチが発生しにくく、また発生した場合にもその下
層にある比較的高硬度であるSi−N/O系薄膜からなる第
１の保護層により、効果的にスクラッチの拡大が抑止さ
れる。ここで、本発明においては二つの保護層を組み合
わせるに当たり、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜を下側、SiO2薄膜を
上側（磁気ヘッドが直接接触する側）にそれぞれ配置す
ることが重要である。すなわち、これらの保護層の位置
関係を逆にした場合、つまりSiO2薄膜を下側、Si−Ｏ−
Ｎ系薄膜を上側に配置した構成では、磁気ヘッドが高硬
度のSi−Ｏ−Ｎ系薄膜と直接接触することになるため、
媒体の使用初期に媒体と磁気ヘッドとの接触による摩耗
粉が大量に発生することに起因して、媒体自身および磁
気ヘッドに発生する初期スクラッチが問題となる。この
ような初期スクラッチが発生すると、当然のことながら
媒体の耐久性は著しく低下する。このような初期スクラ
ッチによる耐久性低下の問題は、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜の下
側にSiO2薄膜が存在していてもほとんど解消されない。
因みに、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の保護層を設けた場合の
耐久性は400万パス程度であり、またSi−Ｏ−Ｎ系薄膜
の上にSiO2薄膜を設けて保護層を２層構造とした場合の
耐久性も、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜に発生する初期スクラッチ
に左右され、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の耐久性と顕著な差
は見られない。
耐久性は400万パス程度であり、またSi−Ｏ−Ｎ系薄膜
の上にSiO2薄膜を設けて保護層を２層構造とした場合の
耐久性も、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜に発生する初期スクラッチ
に左右され、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の耐久性と顕著な差
は見られない。
一方、SiO2薄膜単独の保護層を設けた場合には、その材
質が軟らかいために、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接
触圧により記録磁性層に金属疲労を及ぼすため、やはり
十分な耐久性は得られない。
質が軟らかいために、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接
触圧により記録磁性層に金属疲労を及ぼすため、やはり
十分な耐久性は得られない。
これに対し、本発明のようにSi−Ｏ−Ｎ系薄膜からなる
第１の保護層の上にSiO2薄膜からなる第２の保護層を設
けた２層構造の場合の耐久性は、800万〜1400万パスと
いった値となり、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の保護層や、Si
−Ｏ−Ｎ系薄膜の上にSiO2薄膜を設けた２層構造の保護
層の場合のそれに比較して、格段に優れた特性を示すこ
とが分かる。
第１の保護層の上にSiO2薄膜からなる第２の保護層を設
けた２層構造の場合の耐久性は、800万〜1400万パスと
いった値となり、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の保護層や、Si
−Ｏ−Ｎ系薄膜の上にSiO2薄膜を設けた２層構造の保護
層の場合のそれに比較して、格段に優れた特性を示すこ
とが分かる。
本発明の構成によって、このように耐久性が顕著に向上
する理由は、上述したように磁気ヘッドと直接接触する
のが材質の軟らかいSiO2薄膜からなる第２の保護層であ
るため、磁気ヘッドとの接触により発生する摩耗粉に起
因する初期スクラッチが発生しにくいことと、またやが
てスクラッチが発生してもその下側に高硬度のSi−Ｏ−
Ｎ系薄膜からなる第１の保護層が存在することにより、
スクラッチの拡大が抑止されることによる。
する理由は、上述したように磁気ヘッドと直接接触する
のが材質の軟らかいSiO2薄膜からなる第２の保護層であ
るため、磁気ヘッドとの接触により発生する摩耗粉に起
因する初期スクラッチが発生しにくいことと、またやが
てスクラッチが発生してもその下側に高硬度のSi−Ｏ−
Ｎ系薄膜からなる第１の保護層が存在することにより、
スクラッチの拡大が抑止されることによる。
そして、この発明によると特に保護層の全厚が比較的薄
くとも上述した摩耗・損傷の防止効果が得られることか
ら、媒体・ヘッド間の実効的スペーシングを小さくする
ことができ、周波数特性の向上を図るとともに再生時の
出力低下および出力変動を小さくし、垂直磁気記録方式
の記録特性を飛躍的に高めることが可能となる。
くとも上述した摩耗・損傷の防止効果が得られることか
ら、媒体・ヘッド間の実効的スペーシングを小さくする
ことができ、周波数特性の向上を図るとともに再生時の
出力低下および出力変動を小さくし、垂直磁気記録方式
の記録特性を飛躍的に高めることが可能となる。
さらに、上記のように保護層を２層にするとピンホール
等の保護層欠陥が著しく減少するので、記録磁性層を外
気から良く遮断し、その腐蝕，酸化等を効果的に防止す
ることができる。
等の保護層欠陥が著しく減少するので、記録磁性層を外
気から良く遮断し、その腐蝕，酸化等を効果的に防止す
ることができる。
また、この発明によれば第２の保護層であるSiO2薄膜
は、フロロカーボン系液体潤滑剤等のぬれ性が良好であ
るため、潤滑層を均一に、かつ記録再生特性を損わない
程度に十分薄く形成することが可能となり、媒体とヘッ
ドの摩耗・損傷がさらに確実に防止される。また、フロ
ロカーボン系液体潤滑剤のぬれ性は、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜
からなる第１の保護層に対しても良好であり、従って第
２の保護層にスクラッチが生じても潤滑層が保持される
という利点がある。
は、フロロカーボン系液体潤滑剤等のぬれ性が良好であ
るため、潤滑層を均一に、かつ記録再生特性を損わない
程度に十分薄く形成することが可能となり、媒体とヘッ
ドの摩耗・損傷がさらに確実に防止される。また、フロ
ロカーボン系液体潤滑剤のぬれ性は、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜
からなる第１の保護層に対しても良好であり、従って第
２の保護層にスクラッチが生じても潤滑層が保持される
という利点がある。
第１図はこの発明の一実施例の磁気記録媒体を示す断面
図である。図において基体１は例えば樹脂製のフィルム
状非磁性基体であり、この基体１の両面上に記録磁性層
２として例えば直流マグネトロンスパッタリングにより
厚さ0.05〜1.0μｍのCo−Cr系合金薄膜が形成されてい
る。この記録磁性層２は膜面に垂直方向に磁化容易軸を
持つように配向されている、すなわち垂直磁気異方性を
有している。そして、記録磁性層２上に、第１の保護層
３としてSi−Ｎ−Ｏ系薄膜が形成され、さらにその上に
第２の保護層４としてSiO2層が形成されている。また、
この第２の保護層４上に必要に応じ潤滑層５としてフロ
ロカーボン系潤滑層が形成される。
図である。図において基体１は例えば樹脂製のフィルム
状非磁性基体であり、この基体１の両面上に記録磁性層
２として例えば直流マグネトロンスパッタリングにより
厚さ0.05〜1.0μｍのCo−Cr系合金薄膜が形成されてい
る。この記録磁性層２は膜面に垂直方向に磁化容易軸を
持つように配向されている、すなわち垂直磁気異方性を
有している。そして、記録磁性層２上に、第１の保護層
３としてSi−Ｎ−Ｏ系薄膜が形成され、さらにその上に
第２の保護層４としてSiO2層が形成されている。また、
この第２の保護層４上に必要に応じ潤滑層５としてフロ
ロカーボン系潤滑層が形成される。
第１表は、Co−Cr系合金薄膜からなる記録磁性層上に高
周波スパッタリングにより種々の保護層を形成した磁気
記録媒体について、耐久性を調べた実験結果を示したも
のである。但し、実験は上述した構成の磁気記録媒体を
フロッピーディスクの形態に作製し、このディスクを毎
分300回転で回転走行させながら、フェライト磁気ヘッ
ドをディスク上の同一トラックに接触させて行なった。
ここで、耐久性は媒体（ディスク）およびヘッドの少な
くとも一方が著しい損傷を受けるまでの走行回数（パ
ス）である。著しい損傷とは媒体についていえば、第1,
第２の保護層および記録磁性層の少なくとも一部がけず
れて、基体の表面が露出した状態をいう。また、比較例
として示した保護層が１層のみの媒体においても、その
保護層および記録層の少なくとも一部がけずれて基体の
表面が露出した状態を、著しい損傷とする。
周波スパッタリングにより種々の保護層を形成した磁気
記録媒体について、耐久性を調べた実験結果を示したも
のである。但し、実験は上述した構成の磁気記録媒体を
フロッピーディスクの形態に作製し、このディスクを毎
分300回転で回転走行させながら、フェライト磁気ヘッ
ドをディスク上の同一トラックに接触させて行なった。
ここで、耐久性は媒体（ディスク）およびヘッドの少な
くとも一方が著しい損傷を受けるまでの走行回数（パ
ス）である。著しい損傷とは媒体についていえば、第1,
第２の保護層および記録磁性層の少なくとも一部がけず
れて、基体の表面が露出した状態をいう。また、比較例
として示した保護層が１層のみの媒体においても、その
保護層および記録層の少なくとも一部がけずれて基体の
表面が露出した状態を、著しい損傷とする。
第１表から明らかなように、この発明に基くSi−Ｎ−Ｏ
系薄膜からなる第１の保護層と、SiO2膜からなる第２の
保護層との組合せからなる保護層を設けた磁気記録媒体
は、従来の単層の保護層を有する媒体に比べ、保護層が
より薄い膜厚、即ち垂直磁気記録用媒体に適した膜厚40
0Å以下において、耐久性において著しい向上を示して
いる。また、磁気ヘッドの摩耗・損傷についても、媒体
の保護層が単層の場合に比べ大きく軽減されている。
系薄膜からなる第１の保護層と、SiO2膜からなる第２の
保護層との組合せからなる保護層を設けた磁気記録媒体
は、従来の単層の保護層を有する媒体に比べ、保護層が
より薄い膜厚、即ち垂直磁気記録用媒体に適した膜厚40
0Å以下において、耐久性において著しい向上を示して
いる。また、磁気ヘッドの摩耗・損傷についても、媒体
の保護層が単層の場合に比べ大きく軽減されている。
この理由は、比較的低硬度であるSiO2薄膜からなる第２
の保護層が、ヘッドとの接触によるスクラッチが入りに
くい性質を有していることと、このSiO2薄膜からなる第
２の保護層と極めて密着性が良く、しかも比較的高硬度
であるSi−Ｎ−Ｏ系薄膜からなる第１の保護層がスクラ
ッチの進行，拡大を抑止する効果を発揮するためであ
り、また両保護層とも潤滑剤、特にフロロカーボン系液
体潤滑剤とのぬれ性が良好であるためと考えられる。こ
こで、第１表には示していないが、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単
独の保護層を設けた場合の耐久性は400万パス程度であ
り、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜の上にSiO2薄膜を設けて保護層を
２層構造とした場合の耐久性も、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜に発
生する初期スクラッチに左右され、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単
独の耐久性と顕著な差は見られない。
の保護層が、ヘッドとの接触によるスクラッチが入りに
くい性質を有していることと、このSiO2薄膜からなる第
２の保護層と極めて密着性が良く、しかも比較的高硬度
であるSi−Ｎ−Ｏ系薄膜からなる第１の保護層がスクラ
ッチの進行，拡大を抑止する効果を発揮するためであ
り、また両保護層とも潤滑剤、特にフロロカーボン系液
体潤滑剤とのぬれ性が良好であるためと考えられる。こ
こで、第１表には示していないが、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単
独の保護層を設けた場合の耐久性は400万パス程度であ
り、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜の上にSiO2薄膜を設けて保護層を
２層構造とした場合の耐久性も、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜に発
生する初期スクラッチに左右され、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単
独の耐久性と顕著な差は見られない。
これに対し、本発明によればSi−Ｏ−Ｎ系薄膜からなる
第１の保護層の上にSiO2薄膜からなる第２の保護層を設
けた２層構造としているため、その耐久性は第１表に示
したようにSiO2薄膜単独の保護層に比較して格段に向上
することはもちろん、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の保護層
や、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜の上にSiO2薄膜を設けた２層構造
の保護層の場合のそれに比較しても、格段に優れた特性
を示す。
第１の保護層の上にSiO2薄膜からなる第２の保護層を設
けた２層構造としているため、その耐久性は第１表に示
したようにSiO2薄膜単独の保護層に比較して格段に向上
することはもちろん、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜単独の保護層
や、Si−Ｏ−Ｎ系薄膜の上にSiO2薄膜を設けた２層構造
の保護層の場合のそれに比較しても、格段に優れた特性
を示す。
さらに、上記の耐久性向上効果は、特にSi,N,Oの組成が
原子比（at.％）でシリコン45〜55％、窒素10〜50％、
酸素５〜45％のとき、300万パス以上と一層顕著とな
る。因みに、第１表中の実施例１〜５は第１の保護層で
あるSi−Ｎ−Ｏ系薄膜が、Ｏが33［at.％］、Ｎが33［a
t.％］、Siが残部の場合の例である。また、Si−Ｎ−Ｏ
系薄膜はシリコン，窒素，酸素のほかに付随的な不純物
を多少含んでいてもよいことはいうまでもない。
原子比（at.％）でシリコン45〜55％、窒素10〜50％、
酸素５〜45％のとき、300万パス以上と一層顕著とな
る。因みに、第１表中の実施例１〜５は第１の保護層で
あるSi−Ｎ−Ｏ系薄膜が、Ｏが33［at.％］、Ｎが33［a
t.％］、Siが残部の場合の例である。また、Si−Ｎ−Ｏ
系薄膜はシリコン，窒素，酸素のほかに付随的な不純物
を多少含んでいてもよいことはいうまでもない。
なお、この発明において第１の保護層と第２の保護層と
厚さの総和は50〜400Åの範囲が望ましい。50Å未満で
は保護層としての効果が十分でなくなり、また400Åを
越えるとスペーシング・ロスが実用上、無視できなくな
るからである。さらに、この第１および第２の保護層の
厚さの総和に対する第２の保護層の厚さの比については
５〜70％が適当である。これが５％未満であると初期ス
クラッチの防止効果が十分でなく、また70％を越えると
高硬度であるSiO2薄膜からなる第１の保護層による耐久
性向上効果が十分に望めなくなるためである。
厚さの総和は50〜400Åの範囲が望ましい。50Å未満で
は保護層としての効果が十分でなくなり、また400Åを
越えるとスペーシング・ロスが実用上、無視できなくな
るからである。さらに、この第１および第２の保護層の
厚さの総和に対する第２の保護層の厚さの比については
５〜70％が適当である。これが５％未満であると初期ス
クラッチの防止効果が十分でなく、また70％を越えると
高硬度であるSiO2薄膜からなる第１の保護層による耐久
性向上効果が十分に望めなくなるためである。
第２図はこの発明の他の実施例の磁気記録媒体を示すも
ので、樹脂製のフィルム非磁性状基体11上にまず下地軟
磁性層12として例えばパーマロイ薄膜が蒸着法により形
成され、その上に記録磁性層13として例えばBa−フェラ
イト薄膜が高周波スパッタリングにより積層形成され、
その上に第１の保護層14としてSi−Ｎ−Ｏ系薄膜が高周
波マグネトロンスパッタリングにより形成され、さらに
その上に第２の保護層15として例えばSiO2薄膜が同様に
高周波マグネトロンスパッタリングにより形成されてい
る。下地軟磁性層12としてはパーマロイ薄膜のほか、Co
−Zr系合金薄膜またはセンダスト合金薄膜等を使用でき
る。このような構成の磁気記録媒体においても、先の実
施例と同様に優れた垂直磁気記録特性と、高い耐久性が
得られる。
ので、樹脂製のフィルム非磁性状基体11上にまず下地軟
磁性層12として例えばパーマロイ薄膜が蒸着法により形
成され、その上に記録磁性層13として例えばBa−フェラ
イト薄膜が高周波スパッタリングにより積層形成され、
その上に第１の保護層14としてSi−Ｎ−Ｏ系薄膜が高周
波マグネトロンスパッタリングにより形成され、さらに
その上に第２の保護層15として例えばSiO2薄膜が同様に
高周波マグネトロンスパッタリングにより形成されてい
る。下地軟磁性層12としてはパーマロイ薄膜のほか、Co
−Zr系合金薄膜またはセンダスト合金薄膜等を使用でき
る。このような構成の磁気記録媒体においても、先の実
施例と同様に優れた垂直磁気記録特性と、高い耐久性が
得られる。
なお、この発明は上記した実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ることができる。例えば実施例では記録磁性層としてCo
−Cr系合金薄膜を例示したが、垂直磁気異方性を有する
ものであれば、これ以外のものでもよい。また、このよ
うな金属薄膜に限らず酸化物薄膜でもよい。さらに、実
施例では基体の両面側に記録磁性層および保護層が形成
されている磁気記録媒体について述べたが、片面にのみ
形成されている媒体にも本発明を適用することができる
ことは勿論である。
なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ることができる。例えば実施例では記録磁性層としてCo
−Cr系合金薄膜を例示したが、垂直磁気異方性を有する
ものであれば、これ以外のものでもよい。また、このよ
うな金属薄膜に限らず酸化物薄膜でもよい。さらに、実
施例では基体の両面側に記録磁性層および保護層が形成
されている磁気記録媒体について述べたが、片面にのみ
形成されている媒体にも本発明を適用することができる
ことは勿論である。
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気記録媒体の断面
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
の断面図である。 11……樹脂性フィルム状非磁性基体、2,13……記録磁性
層、3,14……第１の保護層、4,15……第２の保護層、5,
16……潤滑層、12……下地軟磁性層。
図、第２図はこの発明の他の実施例に係る磁気記録媒体
の断面図である。 11……樹脂性フィルム状非磁性基体、2,13……記録磁性
層、3,14……第１の保護層、4,15……第２の保護層、5,
16……潤滑層、12……下地軟磁性層。
Claims (7)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を有する記録磁性層を備え
た磁気記録媒体において、前記記録磁性層上にシリコ
ン，窒素および酸素を含む薄膜からなる第１の保護層を
形成し、その上に酸化シリコン薄膜からなる第２の保護
層を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】記録磁性層がCo−Cr系合金薄膜であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】記録磁性層が軟磁性層とCo−Cr系合金薄膜
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項４】第１の保護層を構成する薄膜の組成が、原
子比でシリコンを45〜55％，窒素を10〜45％，酸素を５
〜45％それぞれ含むものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項５】第１および第２の保護層の厚さの総和が50
〜400Åで、この総和に対する第２の保護層の厚さの比
が５〜70％であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項〜第４項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】第２の保護層上にフロロカーボン系液体潤
滑層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１〜第
５項のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】該磁気記録媒体がフロッピーディスクであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第６項のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143702A JPH0715752B2 (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 磁気記録媒体 |
| US06/878,795 US4748073A (en) | 1985-06-29 | 1986-06-26 | Perpendicular magnetic recording medium with multilayered protective layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143702A JPH0715752B2 (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626425A JPS626425A (ja) | 1987-01-13 |
| JPH0715752B2 true JPH0715752B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15344981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143702A Expired - Lifetime JPH0715752B2 (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4748073A (ja) |
| JP (1) | JPH0715752B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055351A (en) * | 1987-10-15 | 1991-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal thin film type magnetic recording medium |
| JP2924935B2 (ja) * | 1992-08-26 | 1999-07-26 | 戸田工業株式会社 | 垂直磁化膜、垂直磁化膜用多層膜及び垂直磁化膜の製造法 |
| US5612108A (en) * | 1996-02-16 | 1997-03-18 | Eastman Kodak Company | Magneto-optical structure having titanium underlayer |
| JP3348239B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2002-11-20 | ミネベア株式会社 | 磁気ヘッド |
| US7758982B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-07-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | SiN overcoat for perpendicular magnetic recording media |
| US9940953B1 (en) * | 2016-10-25 | 2018-04-10 | Seagate Technology Llc | Si-based overcoat for heat assisted magnetic recording media |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4124736A (en) * | 1974-10-29 | 1978-11-07 | Poly-Disc Systems, Inc. | Surface protected magnetic recording members |
| US4162350A (en) * | 1975-07-01 | 1979-07-24 | Nippon Electric Co., Ltd. | Magnetic record member |
| US4411963A (en) * | 1976-10-29 | 1983-10-25 | Aine Harry E | Thin film recording and method of making |
| US4307156A (en) * | 1978-06-13 | 1981-12-22 | Nippon Electric Co., Ltd. | Magnetic record member |
| US4187344A (en) * | 1978-09-27 | 1980-02-05 | Norton Company | Protective silicon nitride or silicon oxynitride coating for porous refractories |
| US4503125A (en) * | 1979-10-01 | 1985-03-05 | Xebec, Inc. | Protective overcoating for magnetic recording discs and method for forming the same |
| JPS5677932A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-26 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| DE3117931C2 (de) * | 1980-05-06 | 1985-07-25 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US4419381A (en) * | 1982-01-12 | 1983-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making magnetic material layer |
| JPS57176537A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-29 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS58133629A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS58177528A (ja) * | 1982-04-10 | 1983-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| JPS58179938A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-21 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS58222439A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS60258727A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記憶媒体 |
| US4701374A (en) * | 1984-11-30 | 1987-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP60143702A patent/JPH0715752B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-06-26 US US06/878,795 patent/US4748073A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4748073A (en) | 1988-05-31 |
| JPS626425A (ja) | 1987-01-13 |
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