JPS58177528A - 磁気デイスク媒体 - Google Patents
磁気デイスク媒体Info
- Publication number
- JPS58177528A JPS58177528A JP57060182A JP6018282A JPS58177528A JP S58177528 A JPS58177528 A JP S58177528A JP 57060182 A JP57060182 A JP 57060182A JP 6018282 A JP6018282 A JP 6018282A JP S58177528 A JPS58177528 A JP S58177528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thickness
- chromium oxide
- sio2
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク媒体Ｋ１１ｌＬ％その保験膜を改
良したものである。
良したものである。
一般に記鍮媒体として使用さｎる磁気ディスクに、ディ
スク基板に金属磁性体【塗姻し、該金属磁性体に磁気音
残留させて一定の内啓會記録するようにし丸ものである
。通常、この金属磁性薄膜上に区保ｍ１Ｉｋが形成され
る。それは磁気ヘッドとの接触に耐えうる耐ヘッドクラ
ツシユ性及び磁気特性の経時劣化を防ぐ耐候性を記録媒
体に付与するためである。従来、この種の保ａｍとして
Ｒｈ 、 Ａｕ 、Ｃｒ、 Ｎｉ −Ｐ ＠どの金属１
１膜、金属磁性薄膜の衆面のみを酸化物化したコンバー
ジョン膜、ＳｉＯ□、 Ａｔ２Ｕ、などの酸化膜、Ｓｊ
、Ｎ、などの窒化物膜や炭化物膜等が提案さｎｌいる
。こｎらのうちでに５ｉ（Ｊ、の薄膜の耐クラツシユ性
及び耐候性が優ｎているため、該Ｓ１０゜＊ｇは一部の
磁気ディスク用保ｌ！に膜として用いられている。一方
、磁気ディスクの配＊ｍｔｔ−＾めるために区磁気ヘッ
ドが金属磁性薄膜にできるだけ近接できることが好まし
く、保腹膜に薄めほど良い＠しかし現在保躾膜として使
用さｎる上記ＳｉＯ，４ｍの厚さｆ！６０〜１００１１
％程度であｐｌそｎ以下の厚さで用いられることＵない
・そｎに５ｉ（Ｊ、薄膜の厚さｆ＠Ｑｖｗｘｓ、以下と
すると耐候性が、！Ｌ＊に劣化して、保―膜として機能
しなくなるからである・ 本発ｆ！Ａｔｉ高配録ｖＨｆ化を可能とし、かつ十分な
耐候性及び耐ヘッドクラツシユ性ｉｓ、ｔた磁気ディス
クｔ＊＊することに目的とするものであって、その構成
は保ＩＩＩ膜として金属磁性薄膜上に２ Ｑ＠ｓ以下の
クロム酸化物膜が、該クロム酸化物膜上に３０ｗＩ＆以
下の８１０！膜が形成さｎることｔ−％黴とする・ 本発明では釜属磁性薄膜上に下地として耐候性に優ｎる
クロム酸化物膜を形成し、その上に耐ヘッドクラツシユ
性［凌れるＳ １ＬＪ２Ｗｅ ’ｆｃ Ｌ成した２層構
造の保１ｍ膜とした。そのため、クロム酸化物膜及び５
ｉ（Ｊ、膜の合計岸さｔ−従前の５ｉ（Ｊ、膜単層の厚
さ以下４Ｃ設定しても十分の耐ヘッドクラツシユ性及び
耐候性を有する〇 以下、本発明の磁気ディスク媒体に実Ｍ１例に基づいて
詳［Ｋ説明する。
スク基板に金属磁性体【塗姻し、該金属磁性体に磁気音
残留させて一定の内啓會記録するようにし丸ものである
。通常、この金属磁性薄膜上に区保ｍ１Ｉｋが形成され
る。それは磁気ヘッドとの接触に耐えうる耐ヘッドクラ
ツシユ性及び磁気特性の経時劣化を防ぐ耐候性を記録媒
体に付与するためである。従来、この種の保ａｍとして
Ｒｈ 、 Ａｕ 、Ｃｒ、 Ｎｉ −Ｐ ＠どの金属１
１膜、金属磁性薄膜の衆面のみを酸化物化したコンバー
ジョン膜、ＳｉＯ□、 Ａｔ２Ｕ、などの酸化膜、Ｓｊ
、Ｎ、などの窒化物膜や炭化物膜等が提案さｎｌいる
。こｎらのうちでに５ｉ（Ｊ、の薄膜の耐クラツシユ性
及び耐候性が優ｎているため、該Ｓ１０゜＊ｇは一部の
磁気ディスク用保ｌ！に膜として用いられている。一方
、磁気ディスクの配＊ｍｔｔ−＾めるために区磁気ヘッ
ドが金属磁性薄膜にできるだけ近接できることが好まし
く、保腹膜に薄めほど良い＠しかし現在保躾膜として使
用さｎる上記ＳｉＯ，４ｍの厚さｆ！６０〜１００１１
％程度であｐｌそｎ以下の厚さで用いられることＵない
・そｎに５ｉ（Ｊ、薄膜の厚さｆ＠Ｑｖｗｘｓ、以下と
すると耐候性が、！Ｌ＊に劣化して、保―膜として機能
しなくなるからである・ 本発ｆ！Ａｔｉ高配録ｖＨｆ化を可能とし、かつ十分な
耐候性及び耐ヘッドクラツシユ性ｉｓ、ｔた磁気ディス
クｔ＊＊することに目的とするものであって、その構成
は保ＩＩＩ膜として金属磁性薄膜上に２ Ｑ＠ｓ以下の
クロム酸化物膜が、該クロム酸化物膜上に３０ｗＩ＆以
下の８１０！膜が形成さｎることｔ−％黴とする・ 本発明では釜属磁性薄膜上に下地として耐候性に優ｎる
クロム酸化物膜を形成し、その上に耐ヘッドクラツシユ
性［凌れるＳ １ＬＪ２Ｗｅ ’ｆｃ Ｌ成した２層構
造の保１ｍ膜とした。そのため、クロム酸化物膜及び５
ｉ（Ｊ、膜の合計岸さｔ−従前の５ｉ（Ｊ、膜単層の厚
さ以下４Ｃ設定しても十分の耐ヘッドクラツシユ性及び
耐候性を有する〇 以下、本発明の磁気ディスク媒体に実Ｍ１例に基づいて
詳［Ｋ説明する。
總１図に本発明の磁気ディスク媒体【示す。
Ｎ図に示すように、ディスク用ｆｉ＆１上Ｋに合金磁性
薄１１２が形成さｎ、該合金磁性薄膜２上に保膜膜とし
てクロム酸化物Ｍ３及びＳｉｎ、膜４が形成さｎる。該
クロム酸化−［３ｕ下堆として合金磁性薄膜２上に２０
ｎｔｎ以下に形成さｎｌその上に５１ｂ るＯ 上記構成を有する本発明の磁気ディスクは保＊ｇとして
クロム酸化物膜３及びＳｉｎ、膜４【有しているので、
耐候性及び耐ヘッドクラツシユ性に優ｎている。ｔず、
その耐ヘンドクラッシーａｔ、一般に知られているコン
タクトスタートストップ（Ｃ８Ｓ ）試験によｊ１４べ
た。試験モードは負荷１ｇｆｔ：ＤＭｒｌ−Ｚｎ ７エ
ライト製のテーバフラットスライダ【用い立上９５秒、
立下タ２秒、−ナイクル１４秒とした。試験対象となる
本発明の磁気ディスクとしてはクロム酸化膜厚さ５〜２
６ ｍｍ 、 Ｓｉｎ、膜１０〜８０論の範囲のものを
用いた。その結果は各磁気ディスクとも中ズが発生ぜず
耐ヘッドクラツシユ性は嵐好であった。また参考の友め
に１厚さ３９ｍのクロム酸化物膜のみの磁気ディスクに
ついて上記ＣｓＳ試験を行ったところ１０００回以内で
ヘッドクラッシュが発生し、クロム酸化物膜のみ台では
耐ヘッドクラツシユ性が不十分でる夕、保−膜とな９え
ａｖｈ・ 次に耐候性【次のような加速試験により調べた・その方
法に磁気ディスク上の任意の＠所に比抵抗１６ＭΩ−傷
以上の純水を１１Ｉｌさ、−０時間後の欠陥数を績倣鏡
で計欄する方法である―その試験対象としてはＳｉｎ、
膜４厚がｌｏ謁及び２゜霞を一定とし、クロム酸化物ｍ
ｓの厚さを５〜２０ｗａｓまで変えたもの【用いた・こ
の結果を菖８図に示す・筐た比較のために従前の保ＦＩ
ＩＩｋ膜としてＳｉｎ、Ｊｉｇのみに使用する磁気ディ
スクについても同様ＯＫ １７１ ｋ ｈ ツえ・そ４
ＤＭ釆ｔｗ、２１１１に示す・この厘２図及び纂３−か
ら鳩らかなようにクロム酸化物膜Ｓを有する本発明０６
気デイスクの耐候性に従ｌｌｌ０１１気ディスクに比べ
４１！段にすぐれてｉる・例えばクロム酸化物膜３厚さ
１０ｍｓトＳｉＯ，膜４厚さｚｏｗｏ合計ＲＯｗｍｔＤ
ｉｊｌみ合わせの保ｓｉｊ［てもｔ 米ＯＳｉｎ、 Ｊ
ｌｌ、４１８０ ｓｓＯ保ｉｍｇのそれの５倍以上の耐
候性を有してｉる・このように本発明ＩＤａ気ディスク
は、従前の磁気ディスクと異な９８４０．ＪｉＩＯ下瑚
としてり１ム酸化物膜′に形成したため、その耐候性が
陶土し、従前不可能で６つ九保−ＩＩＩＯ犀さｉ５Ｇｍ
ｓａ以下に設定することがで龜る。またこＣ場合で４ｈ
繭違のように耐ヘッドクラツシユ性は十分確保されてｉ
る。
薄１１２が形成さｎ、該合金磁性薄膜２上に保膜膜とし
てクロム酸化物Ｍ３及びＳｉｎ、膜４が形成さｎる。該
クロム酸化−［３ｕ下堆として合金磁性薄膜２上に２０
ｎｔｎ以下に形成さｎｌその上に５１ｂ るＯ 上記構成を有する本発明の磁気ディスクは保＊ｇとして
クロム酸化物膜３及びＳｉｎ、膜４【有しているので、
耐候性及び耐ヘッドクラツシユ性に優ｎている。ｔず、
その耐ヘンドクラッシーａｔ、一般に知られているコン
タクトスタートストップ（Ｃ８Ｓ ）試験によｊ１４べ
た。試験モードは負荷１ｇｆｔ：ＤＭｒｌ−Ｚｎ ７エ
ライト製のテーバフラットスライダ【用い立上９５秒、
立下タ２秒、−ナイクル１４秒とした。試験対象となる
本発明の磁気ディスクとしてはクロム酸化膜厚さ５〜２
６ ｍｍ 、 Ｓｉｎ、膜１０〜８０論の範囲のものを
用いた。その結果は各磁気ディスクとも中ズが発生ぜず
耐ヘッドクラツシユ性は嵐好であった。また参考の友め
に１厚さ３９ｍのクロム酸化物膜のみの磁気ディスクに
ついて上記ＣｓＳ試験を行ったところ１０００回以内で
ヘッドクラッシュが発生し、クロム酸化物膜のみ台では
耐ヘッドクラツシユ性が不十分でる夕、保−膜とな９え
ａｖｈ・ 次に耐候性【次のような加速試験により調べた・その方
法に磁気ディスク上の任意の＠所に比抵抗１６ＭΩ−傷
以上の純水を１１Ｉｌさ、−０時間後の欠陥数を績倣鏡
で計欄する方法である―その試験対象としてはＳｉｎ、
膜４厚がｌｏ謁及び２゜霞を一定とし、クロム酸化物ｍ
ｓの厚さを５〜２０ｗａｓまで変えたもの【用いた・こ
の結果を菖８図に示す・筐た比較のために従前の保ＦＩ
ＩＩｋ膜としてＳｉｎ、Ｊｉｇのみに使用する磁気ディ
スクについても同様ＯＫ １７１ ｋ ｈ ツえ・そ４
ＤＭ釆ｔｗ、２１１１に示す・この厘２図及び纂３−か
ら鳩らかなようにクロム酸化物膜Ｓを有する本発明０６
気デイスクの耐候性に従ｌｌｌ０１１気ディスクに比べ
４１！段にすぐれてｉる・例えばクロム酸化物膜３厚さ
１０ｍｓトＳｉＯ，膜４厚さｚｏｗｏ合計ＲＯｗｍｔＤ
ｉｊｌみ合わせの保ｓｉｊ［てもｔ 米ＯＳｉｎ、 Ｊ
ｌｌ、４１８０ ｓｓＯ保ｉｍｇのそれの５倍以上の耐
候性を有してｉる・このように本発明ＩＤａ気ディスク
は、従前の磁気ディスクと異な９８４０．ＪｉＩＯ下瑚
としてり１ム酸化物膜′に形成したため、その耐候性が
陶土し、従前不可能で６つ九保−ＩＩＩＯ犀さｉ５Ｇｍ
ｓａ以下に設定することがで龜る。またこＣ場合で４ｈ
繭違のように耐ヘッドクラツシユ性は十分確保されてｉ
る。
次に本実ｗＡＯ磁気ディスクを製造する方法の一例につ
いて説明する。外径２１０箇、内径１０Ｇ閣、厚さＩＪ
■の磁気ディスク用基板に無電解Ｎｉ −Ｃｏ−Ｐめつ
ＩＩ膜會Ｓｏ簾施す、そしてこの磁気ディスク用１１［
ｋ［燥後、スパッタ室内に入へ％酸素雰囲気中１ ＝
５ Ｐａの圧力の下で、直径１０Ｇ簡のクロムａｔター
ゲット電極として、所望厚さに相当する時開Ｗスパッタ
する。この時基板とターゲット間距離ｔ５０園、スパッ
タ電力【ｌ〜３−一とし、基板會５ ｒｐｍて回転させ
基板の一部のみにスパッタさせる方法音用いた・ めっき膜形成からスパッタ１７Ｍまで入れるまでの聞に
時間を置く場合には、皺めつき膜形成後Ｋ Ｎ１−Ｐめ
つ璽１５１１ｊｌＢ程度施し、乾燥後保管すると良い。
いて説明する。外径２１０箇、内径１０Ｇ閣、厚さＩＪ
■の磁気ディスク用基板に無電解Ｎｉ −Ｃｏ−Ｐめつ
ＩＩ膜會Ｓｏ簾施す、そしてこの磁気ディスク用１１［
ｋ［燥後、スパッタ室内に入へ％酸素雰囲気中１ ＝
５ Ｐａの圧力の下で、直径１０Ｇ簡のクロムａｔター
ゲット電極として、所望厚さに相当する時開Ｗスパッタ
する。この時基板とターゲット間距離ｔ５０園、スパッ
タ電力【ｌ〜３−一とし、基板會５ ｒｐｍて回転させ
基板の一部のみにスパッタさせる方法音用いた・ めっき膜形成からスパッタ１７Ｍまで入れるまでの聞に
時間を置く場合には、皺めつき膜形成後Ｋ Ｎ１−Ｐめ
つ璽１５１１ｊｌＢ程度施し、乾燥後保管すると良い。
こｆ′ＬＫより短期間ならば磁気特性Ｏ劣化會防止で龜
る・Ｃ０ＲＰスパツタによｊ形成されるクロム酸化物ｍ
＃１ｘａｔ−ｘ電子分党組威分析によｇ Ｃｒ、０．及
びＣｒｙ、が主成分であ多、その比に約１＝２である仁
とが判った・尚、上記スパッタ時の＊素の圧力に便宜的
に定めたにすぎず、一般Ｋｄその圧力は低い方が実質の
クロム酸化物膜が得られる０次にＳｉｎ、板倉ターゲッ
トとして前述と同様の方法で８４０．膜【所望の厚さに
スパッタする。この場合の導入するガス区Ａｒである・ 以上、実施例に基づいて具体的に説制しえように本発明
の磁気ディスク媒体に保１ＩＩＪ［として、耐候性に優
ｎるクロム酸化物膜及び耐ヘッドクラツシユ性に優ｎる
ｓ ｉ ｏ、膜ｔｍえているのでクロム酸化物膜と８４
０．膜の合針厚さ１、＊＊事買上不可能であった５Ｇｍ
ｓ以下に設定しても、その耐候性及び耐ヘッドクラツシ
ユ性は十分に保たれる［株］従って保ｌＩ膜０１１ｔｎ
磁気ディスクが実現さｎ１高記録密度化が可能となる・
る・Ｃ０ＲＰスパツタによｊ形成されるクロム酸化物ｍ
＃１ｘａｔ−ｘ電子分党組威分析によｇ Ｃｒ、０．及
びＣｒｙ、が主成分であ多、その比に約１＝２である仁
とが判った・尚、上記スパッタ時の＊素の圧力に便宜的
に定めたにすぎず、一般Ｋｄその圧力は低い方が実質の
クロム酸化物膜が得られる０次にＳｉｎ、板倉ターゲッ
トとして前述と同様の方法で８４０．膜【所望の厚さに
スパッタする。この場合の導入するガス区Ａｒである・ 以上、実施例に基づいて具体的に説制しえように本発明
の磁気ディスク媒体に保１ＩＩＪ［として、耐候性に優
ｎるクロム酸化物膜及び耐ヘッドクラツシユ性に優ｎる
ｓ ｉ ｏ、膜ｔｍえているのでクロム酸化物膜と８４
０．膜の合針厚さ１、＊＊事買上不可能であった５Ｇｍ
ｓ以下に設定しても、その耐候性及び耐ヘッドクラツシ
ユ性は十分に保たれる［株］従って保ｌＩ膜０１１ｔｎ
磁気ディスクが実現さｎ１高記録密度化が可能となる・
謳１図区本発鴫の磁気ディスクの一実施例の断−一、Ｊ
ｌｚ図区従米Ｃ保■膜としてＳムＱ膜を使用する磁気デ
ィスタの欠陥密度と膜厚との興係ｔｊ！すグラフ、１ｓ
３ｔｍ ＃ｉ本発鴫の磁気ディスクについて欠Ｍ９１ｆ
とクロム酸化物膜厚とのＩＩｌ係ｔ″表すグラフである
。 図 −中、 ｌは磁気ディスク用基板、 ２は金属磁性薄膜、 ３ｕクロ五酸化物膜、 ４区 ｓｉｏ、膜である・ 特許出願人 日本電侶電貼公社 代 層 人 ＊ｍ士 党 石 士 部 （他１名） 第１図 第２図 ５ｉ０２ＦＩ！ ７４ （ｎｍ ） 第３図
ｌｚ図区従米Ｃ保■膜としてＳムＱ膜を使用する磁気デ
ィスタの欠陥密度と膜厚との興係ｔｊ！すグラフ、１ｓ
３ｔｍ ＃ｉ本発鴫の磁気ディスクについて欠Ｍ９１ｆ
とクロム酸化物膜厚とのＩＩｌ係ｔ″表すグラフである
。 図 −中、 ｌは磁気ディスク用基板、 ２は金属磁性薄膜、 ３ｕクロ五酸化物膜、 ４区 ｓｉｏ、膜である・ 特許出願人 日本電侶電貼公社 代 層 人 ＊ｍ士 党 石 士 部 （他１名） 第１図 第２図 ５ｉ０２ＦＩ！ ７４ （ｎｍ ） 第３図
Claims (1)
- 保ｗ！に膜として金属磁性薄膜上に２０襲ｍ以下のクロ
ム酸化物層が、該クロム酸化物膜上に３０−以下のｓｊ
ｏ２ｇが形成さｎること′に％黴とする磁気ディスク媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060182A JPS58177528A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 磁気デイスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060182A JPS58177528A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 磁気デイスク媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177528A true JPS58177528A (ja) | 1983-10-18 |
Family
ID=13134756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060182A Pending JPS58177528A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 磁気デイスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117224A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| US4748073A (en) * | 1985-06-29 | 1988-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium with multilayered protective layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730124A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Protective film for magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-04-10 JP JP57060182A patent/JPS58177528A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5730124A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Protective film for magnetic recording medium |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117224A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| US4748073A (en) * | 1985-06-29 | 1988-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium with multilayered protective layer |
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