JPH07157311A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH07157311A JPH07157311A JP5302880A JP30288093A JPH07157311A JP H07157311 A JPH07157311 A JP H07157311A JP 5302880 A JP5302880 A JP 5302880A JP 30288093 A JP30288093 A JP 30288093A JP H07157311 A JPH07157311 A JP H07157311A
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- JP
- Japan
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- oxide superconductor
- yba
- bacuo
- producing
- insulating phase
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物超電導体のピンニング効果を向上させ
て臨界電流密度を高めることを目的とする。 【構成】 本発明は、噴霧熱分解法やゾル・ゲル法など
のμm以下の微細なYBa2 Cu3 O7-X 系酸化物超電
導体を作製するプロセスにおいて、その原料組成をYリ
ッチにすることによって、内部にサブμm以下のY2 B
aCuO5 絶縁相結晶を含むYBa2 Cu3 O7-X 系の
酸化物超電導体を製造する。
て臨界電流密度を高めることを目的とする。 【構成】 本発明は、噴霧熱分解法やゾル・ゲル法など
のμm以下の微細なYBa2 Cu3 O7-X 系酸化物超電
導体を作製するプロセスにおいて、その原料組成をYリ
ッチにすることによって、内部にサブμm以下のY2 B
aCuO5 絶縁相結晶を含むYBa2 Cu3 O7-X 系の
酸化物超電導体を製造する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イットリウム系の酸化
物超電導体の製造方法に関する。
物超電導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超電導体に超電導電流が流れると、一般
に、自己通電により発生した磁束線、あるいは外部から
加えられた磁束線に対して、超電導電流により誘起され
たロ−レンツ力がかかるため、この磁束線がロ−レンツ
力で動いてしまうと、超電導電流と同じ方向に電圧が誘
起され、超電導体に抵抗が生じるため、超電導状態が壊
れる。そこで、上記磁束線がロ−レンツ力で動かないよ
うにするためのピンニング手段が必要である。
に、自己通電により発生した磁束線、あるいは外部から
加えられた磁束線に対して、超電導電流により誘起され
たロ−レンツ力がかかるため、この磁束線がロ−レンツ
力で動いてしまうと、超電導電流と同じ方向に電圧が誘
起され、超電導体に抵抗が生じるため、超電導状態が壊
れる。そこで、上記磁束線がロ−レンツ力で動かないよ
うにするためのピンニング手段が必要である。
【0003】従来、YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電
導体の包晶反応による溶解・凝固プロセスで、YBa2
Cu3 O7-x 超電導結晶中へのY2 BaCuO5 絶縁相
を導入して、比較的強いピンニング効果を実現してい
る。
導体の包晶反応による溶解・凝固プロセスで、YBa2
Cu3 O7-x 超電導結晶中へのY2 BaCuO5 絶縁相
を導入して、比較的強いピンニング効果を実現してい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなピンニン
グ効果は、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶の量とサイズに
左右され、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶のサイズを小さ
くするに従ってピンニング効果が高くなることが確かめ
られているが、現状のY2 BaCuO5 絶縁相結晶のサ
イズは数μm程度であるため、更にピンニング効果を高
めるためには、Y 2 BaCuO5 絶縁相結晶を更にサブ
μmのオ−ダ−に微細化することが必要である。そこで
本発明では、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶をサブμm以
下に微細化することにより、ピンニング効果を高めるこ
とを解決すべき技術的課題とするものである。
グ効果は、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶の量とサイズに
左右され、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶のサイズを小さ
くするに従ってピンニング効果が高くなることが確かめ
られているが、現状のY2 BaCuO5 絶縁相結晶のサ
イズは数μm程度であるため、更にピンニング効果を高
めるためには、Y 2 BaCuO5 絶縁相結晶を更にサブ
μmのオ−ダ−に微細化することが必要である。そこで
本発明では、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶をサブμm以
下に微細化することにより、ピンニング効果を高めるこ
とを解決すべき技術的課題とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の技術的手段は、直径がμm以下の微細な粒子から成る
YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造するプロ
セスで、その原料組成をYリッチ状態にすることによ
り、粒径がサブμmの微粒子から成るY2 BaCuO5
絶縁相結晶を内部に含むYBa2 Cu3 O7-x 系超電導
体を製造することである。
の技術的手段は、直径がμm以下の微細な粒子から成る
YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造するプロ
セスで、その原料組成をYリッチ状態にすることによ
り、粒径がサブμmの微粒子から成るY2 BaCuO5
絶縁相結晶を内部に含むYBa2 Cu3 O7-x 系超電導
体を製造することである。
【0006】
【作用】噴霧熱分解法やゾル・ゲル法などにより微細な
YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造すると
き、その原料組成をYリッチにすることにより、過剰に
添加されているY成分に応じたY2 BaCuO5 絶縁相
が反応残サとしてYBa2Cu3 O7-x 結晶の中心に核
の形で存在する。この際、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶
の大きさは、その原料組成の添加量を調整することによ
って、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶をサブμm以下に微
細化することができる。尚、本体であるYBa2 Cu3
O7-x 結晶自体のサイズを小さくすることによっても、
Y2 BaCuO5 絶縁相結晶を微細化することができ
る。
YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造すると
き、その原料組成をYリッチにすることにより、過剰に
添加されているY成分に応じたY2 BaCuO5 絶縁相
が反応残サとしてYBa2Cu3 O7-x 結晶の中心に核
の形で存在する。この際、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶
の大きさは、その原料組成の添加量を調整することによ
って、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶をサブμm以下に微
細化することができる。尚、本体であるYBa2 Cu3
O7-x 結晶自体のサイズを小さくすることによっても、
Y2 BaCuO5 絶縁相結晶を微細化することができ
る。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
1は、直径がμm以下の微細なYBa2 Cu3 O7-x 系
酸化物超電導体を噴霧熱分解法により製造する製造装置
を略体的に示したものであり、以下にその装置を用いて
YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造する方法
について説明する。最初、Y、Ba、Cuの硝酸塩を使
用して各構成元素の比を、Y0.7+0.6 Ba1.4+0.3 Cu
2.1+0.3 、即ち、YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導
体×0.7+Y2 BaCuO5 絶縁相×0.3になるよ
うに計量して、これを硝酸に0.5モル/Lの濃度に溶
かしたものを超音波噴霧器1によって霧状にする。
1は、直径がμm以下の微細なYBa2 Cu3 O7-x 系
酸化物超電導体を噴霧熱分解法により製造する製造装置
を略体的に示したものであり、以下にその装置を用いて
YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造する方法
について説明する。最初、Y、Ba、Cuの硝酸塩を使
用して各構成元素の比を、Y0.7+0.6 Ba1.4+0.3 Cu
2.1+0.3 、即ち、YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導
体×0.7+Y2 BaCuO5 絶縁相×0.3になるよ
うに計量して、これを硝酸に0.5モル/Lの濃度に溶
かしたものを超音波噴霧器1によって霧状にする。
【0008】上記超電導原料霧を、ガス供給装置2から
供給された酸素ガスO2 をキャリヤ−として、980℃
に設定した管状電気炉3に導入し、脱硝、熱分解、結晶
化を行い、平均粒径が0.8μmのY系超電導微粒子を
合成する。このとき図2に示すように、この微粒子A
は、核にY2 BaCuO5 絶縁相Bを含んでいる。尚、
図3は、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶を含まないYBa
2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体の断面図である。
供給された酸素ガスO2 をキャリヤ−として、980℃
に設定した管状電気炉3に導入し、脱硝、熱分解、結晶
化を行い、平均粒径が0.8μmのY系超電導微粒子を
合成する。このとき図2に示すように、この微粒子A
は、核にY2 BaCuO5 絶縁相Bを含んでいる。尚、
図3は、Y2 BaCuO5 絶縁相結晶を含まないYBa
2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体の断面図である。
【0009】上記原料粉を1000kg/cm2 の圧力で
直径20mm、高さ10mmのペレットに成形し、10
50℃で20分保持したのち、1000℃に素早く降下
させ、1℃/hourの降温速度で600℃まで降温
し、更に室温まで3℃/minの速度で徐冷し、Y系超
電導バルク体を合成した。
直径20mm、高さ10mmのペレットに成形し、10
50℃で20分保持したのち、1000℃に素早く降下
させ、1℃/hourの降温速度で600℃まで降温
し、更に室温まで3℃/minの速度で徐冷し、Y系超
電導バルク体を合成した。
【0010】上記Y系超電導バルク体は、YBa2 Cu
3 O7-x 超電導結晶粒中に平均粒径が0.1μm程度の
微細なY2 BaCuO5 絶縁相結晶を含んでおり、その
電流密度は、温度が77K(ケルビン)及び無磁場状態
で、1×105 A/cm2 であった。
3 O7-x 超電導結晶粒中に平均粒径が0.1μm程度の
微細なY2 BaCuO5 絶縁相結晶を含んでおり、その
電流密度は、温度が77K(ケルビン)及び無磁場状態
で、1×105 A/cm2 であった。
【0011】次に、他の実施例を説明する。Y、Ba、
Cuの硝酸塩を使用して各構成元素の比を、Y0.7+0.6
Ba1.4+0.3 Cu2.1+0.3 、即ち、YBa2 Cu3 O
7-x 系酸化物超電導体×0.7+Y2 BaCuO5 絶縁
相×0.3になるように計量して、これを硝酸に0.0
5モル/Lの濃度に溶かしたものを、超音波噴霧器1に
よって霧状にする。
Cuの硝酸塩を使用して各構成元素の比を、Y0.7+0.6
Ba1.4+0.3 Cu2.1+0.3 、即ち、YBa2 Cu3 O
7-x 系酸化物超電導体×0.7+Y2 BaCuO5 絶縁
相×0.3になるように計量して、これを硝酸に0.0
5モル/Lの濃度に溶かしたものを、超音波噴霧器1に
よって霧状にする。
【0012】上記超電導原料霧を、ガス供給装置2から
供給された酸素ガスO2 をキャリヤ−として、980℃
に設定した管状電気炉3に導入し、脱硝、熱分解、結晶
化を行い、平均粒径が0.2μmのY系超電導微粒子を
合成する。このとき、前記実施例と同様に、この微粒子
は核にY2 BaCuO5 絶縁相結晶を含んでいる。
供給された酸素ガスO2 をキャリヤ−として、980℃
に設定した管状電気炉3に導入し、脱硝、熱分解、結晶
化を行い、平均粒径が0.2μmのY系超電導微粒子を
合成する。このとき、前記実施例と同様に、この微粒子
は核にY2 BaCuO5 絶縁相結晶を含んでいる。
【0013】上記原料粉を1000kg/cm2 の圧力で
直径20mm、高さ10mmのペレットに成形し、10
50℃で20分保持したのち、1000℃に素早く降下
させ、1℃/hourの降温速度で600℃まで降温
し、更に室温まで3℃/minの速度で徐冷し、Y系超
電導バルク体を合成した。
直径20mm、高さ10mmのペレットに成形し、10
50℃で20分保持したのち、1000℃に素早く降下
させ、1℃/hourの降温速度で600℃まで降温
し、更に室温まで3℃/minの速度で徐冷し、Y系超
電導バルク体を合成した。
【0014】上記Y系超電導バルク体は、YBa2 Cu
3 O7-x 超電導結晶粒中に平均粒径が0.05μm程度
の微細なY2 BaCuO5 絶縁相結晶を含んでおり、そ
の電流密度は、77K(ケルビン)及び無磁場状態で3
×105 A/cm2 であった。
3 O7-x 超電導結晶粒中に平均粒径が0.05μm程度
の微細なY2 BaCuO5 絶縁相結晶を含んでおり、そ
の電流密度は、77K(ケルビン)及び無磁場状態で3
×105 A/cm2 であった。
【0015】図4は、従来のYBa2 Cu3 O7-x 酸化
物超電導体、及び本実施例のYBa 2 Cu3 O7-x 酸化
物超電導体におけるY2 BaCuO5 絶縁相結晶のサイ
ズ分布及び平均サイズ、更には臨界温度、臨界電流密度
を示した表図である。図4に示されるように、YBa2
Cu3 O7-x 酸化物超電導体におけるY2 BaCuO5
絶縁相の微粒子を微細化したことにより、臨界電流密度
が高くなることが確認できた。
物超電導体、及び本実施例のYBa 2 Cu3 O7-x 酸化
物超電導体におけるY2 BaCuO5 絶縁相結晶のサイ
ズ分布及び平均サイズ、更には臨界温度、臨界電流密度
を示した表図である。図4に示されるように、YBa2
Cu3 O7-x 酸化物超電導体におけるY2 BaCuO5
絶縁相の微粒子を微細化したことにより、臨界電流密度
が高くなることが確認できた。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、直径がμ
m以下の微細な粒子から成るYBa2Cu3 O7-x 系酸
化物超電導体を製造するプロセスで、その原料組成をY
リッチ状態にすることにより、粒径がサブμmの微粒子
から成るY2 BaCuO5 絶縁相結晶を内部に含むYB
a2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造することがで
きるため、ピンニング効果を高め、磁場中でもYBa2
Cu3 O7-x 系酸化物超電導体の臨界電流密度を大きく
することができるという効果がある。
m以下の微細な粒子から成るYBa2Cu3 O7-x 系酸
化物超電導体を製造するプロセスで、その原料組成をY
リッチ状態にすることにより、粒径がサブμmの微粒子
から成るY2 BaCuO5 絶縁相結晶を内部に含むYB
a2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体を製造することがで
きるため、ピンニング効果を高め、磁場中でもYBa2
Cu3 O7-x 系酸化物超電導体の臨界電流密度を大きく
することができるという効果がある。
【図1】酸化物超電導体の微粒子を噴霧熱分解法により
製造する装置を略体的に示した構造図である。
製造する装置を略体的に示した構造図である。
【図2】粒径がサブμmの微粒子から成るY2 BaCu
O5 絶縁相結晶を内部に含むYBa2 Cu3 O7-x 系酸
化物超電導体の断面図である。
O5 絶縁相結晶を内部に含むYBa2 Cu3 O7-x 系酸
化物超電導体の断面図である。
【図3】YBa2 Cu3 O7-x 系酸化物超電導体の単結
晶断面図である。
晶断面図である。
【図4】本発明により製造されたYBa2 Cu3 O7-x
系酸化物超電導体と、従来のYBa2 Cu3 O7-x 系酸
化物超電導体との特性を示した表図である。
系酸化物超電導体と、従来のYBa2 Cu3 O7-x 系酸
化物超電導体との特性を示した表図である。
1 超音波噴霧器 2 ガス供給装置 3 管状電気炉 A Y系超電導微粒子 B Y2 BaCuO5 絶縁相
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 39/24 ZAA B 9276−4M // H01B 12/00 ZAA 7244−5G
Claims (3)
- 【請求項1】 直径がμm以下の微細な粒子から成るY
Ba2 Cu3 O7-x系酸化物超電導体を製造するプロセ
スで、その原料組成をYリッチ状態にすることにより、
粒径がサブμmの微粒子から成るY2 BaCuO5 絶縁
相結晶を内部に含むYBa2 Cu3 O7-x 系超電導体を
製造することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 - 【請求項2】 合成条件をYBa2 Cu3 O7-x 系超電
導体が安定である反応領域にとることによって、優先的
にYBa2 Cu3 O7-x 結晶を成長させ、過剰に添加さ
れているY成分に応じたY2 BaCuO5 絶縁相を反応
残サとして結晶内に残すことを特徴とする請求項1の酸
化物超電導体の製造方法。 - 【請求項3】 原料組成の調整によって、Y2 BaCu
O5 絶縁相の大きさをコントロ−ルすることを特徴とす
る請求項1の酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5302880A JPH07157311A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5302880A JPH07157311A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07157311A true JPH07157311A (ja) | 1995-06-20 |
Family
ID=17914220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5302880A Pending JPH07157311A (ja) | 1993-12-02 | 1993-12-02 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07157311A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011149A1 (ja) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 酸化物超電導体原料粉末の製造方法 |
JP2009238500A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Chubu Electric Power Co Inc | 酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-02 JP JP5302880A patent/JPH07157311A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009011149A1 (ja) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 酸化物超電導体原料粉末の製造方法 |
JP2009238500A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Chubu Electric Power Co Inc | 酸化物超電導線材及び酸化物超電導線材の製造方法 |
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