JPH07153724A - シリコンインゴットのスライス加工方法 - Google Patents
シリコンインゴットのスライス加工方法Info
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- JPH07153724A JPH07153724A JP29815793A JP29815793A JPH07153724A JP H07153724 A JPH07153724 A JP H07153724A JP 29815793 A JP29815793 A JP 29815793A JP 29815793 A JP29815793 A JP 29815793A JP H07153724 A JPH07153724 A JP H07153724A
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Abstract
行なわれているシリコンウエハのカセットへの収納を自
動化することを可能とするシリコンインゴットのスライ
ス加工方法を提供すること。 【構成】 シリコンインゴットをスライス加工するに際
し、シリコンインゴットを切断したのち、ウエハ収納用
カセットをウエハ収納位置に上昇せしめるとともに、固
定台内もしくは切断手段に設けられた加熱手段により、
加熱を行なってシリコンインゴットの接着された捨て板
を剥離して、切断済みのウエハを収納用カセット内に直
接収納せしめるよう構成されたシリコンインゴットのス
ライス加工方法である。
Description
ライス加工方法の改良に関するものである。
生産の面からも資源の面からも優れた材料であり、現在
太陽光発電として実用化されているものはほとんどシリ
コン太陽電池である。しかし、将来のエネルギー源とし
て使用するためには、より一層のコスト低下を図る必要
がある。現在、電力用太陽電池としては、結晶シリコン
を用いたものが主流であるが、更なる低コストを実現す
るためには、結晶シリコンウエハの低コスト化が不可欠
であり、特に、スライスコストの低減が必要である。太
陽電池用結晶シリコンウエハの従来の一般的な製造方法
は、固体シリコンを加熱炉内で融解、凝固させたシリコ
ンインゴットを、バンドソーや外周刃により整形加工
し、その後マルチワイヤーソー等によりスライス加工を
行う方法である。ウエハコストの内訳としては、インゴ
ット成長が4割、整形加工が1割、スライス加工5割で
ある。従って、ウエハコスト低減のためには、スライス
加工のコスト低減が必要不可欠である。
方法であるマルチワイヤーソーの切断原理及びその加工
工程を以下図2の概略説明図に基いて説明する。マルチ
ワイヤーソーは、図2に示すように、一本のワイヤ1
(通常真鍮メッキしたピアノ線)を溝切りした複数のロ
ーラ2に巻き付け、ローラ2を回転させてワイヤ1を走
行させ同時に油に砥粒をまぜたスラリー4aをワイヤ1
にノズル4から吹き付けながらシリコンインゴット6を
切断させる方法である。図中、7は加工テーブル(加工
用固定台)である。また、一般的なスライス加工工程は
以下に示すとおりである。 (1)切断終了後ウエハが倒れないように、シリコンイ
ンゴット6を捨て板(炭素板、ガラス板など)に接着剤
により接着する。 (2)それを加工テーブル7にセットし、マルチワイヤ
ーソー1により切断する。 (3)切断後、ウエハを捨て板から剥がし、カセットに
収納する。 (4)ウエハを洗浄する。
で、(3)工程のウエハのカセットへの収納は現在作業
員が手作業で行っており、太陽電池のように多数枚処理
を必要とする場合にはウエハの低コスト化の大きな障害
となっているのが現状である。また、図2に見られるよ
うに、従来のスライス加工方法においては、加工テーブ
ル7を上方に押し上げることで、マルチワイヤーソー1
によりシリコンインゴット6の上方から切断が行なわれ
るものであるが、この場合はワイヤー1とインゴット6
との間に楔状の空隙が発生し易くなり、そのため、この
空隙に砥粒が残留固着し、加工面に割れや傷を発生する
原因となる。
号公報には、上記の構成を上下逆にして、加工テーブル
7を上部に配置し、加工テーブル7を下方に押し下げる
ことによって、マルチワイヤーソー1によりシリコンイ
ンゴット6を下方から切断する方法が開示されており、
この手段によれば空隙が発生してもスラリー4aによっ
て砥粒が充分流動するので前記の如き問題は生じない、
とされている。しかしながら、ウエハ加工後のカセット
への収納工程についての言及はなされておらず、従っ
て、この点についての改良はまだ解決を見ていないのが
実状である。従って、本発明の目的は、高い加工精度を
維持しながら、現在手作業で行なわれているシリコンウ
エハのカセットへの収納を自動化することを可能とする
シリコンインゴットのスライス加工方法を提供すること
にある。
するためなされたものであって、その要旨とするところ
は、捨て板に接着され、さらに加工用固定台上に固定さ
れたシリコンインゴットをスライス加工するに際し、該
シリコンインゴットを切断後、ウエハ収納用カセットを
ウエハ収納位置に上昇せしめるとともに、前記固定台内
もしくは切断手段に設けられた加熱手段により、加熱を
行なって前記接着部を剥離して、切断済のウエハを前記
捨て板から分離せしめ、前記収納用カセット内に直接収
納せしめるシリコンインゴットのスライス加工方法にあ
り、なおこの場合、加熱温度を40〜80℃の範囲とす
ることは有効である。
するための加工用固定台内もしくは該シリコンインゴッ
トを切断するためのマルチワイヤーソーなどの切断手段
に加熱手段を設ける一方、該シリコンインゴットの下方
にシリコンウエハ収納用カセットを上昇待機可能な如く
配置されているので、前記シリコンインゴットの切断が
完了したのち、前記加熱手段を付勢することにより、該
シリコンインゴットに接着されている捨て板との間の接
着剤が軟化もくしは溶融されることにより剥離し、スラ
イスされたシリコンウエハが自動的にその下方の収納位
置に待機中のウエハ収納用カセット内に収納されること
になり、手作業を一切必要としなくなる。
しながら説明する。図1は本発明のシリコンインゴット
のスライス加工方法を実施するための装置の一態様を示
す概略説明図である。同図に見られるように、装置の構
成としては、ワイヤ1を走行させる3本のメインローラ
部2及びシリコンインゴット6を接着剤9により捨て板
8に固定し、その捨て板8を固定する加工用固定台部7
からなる。更にシリコンインゴット6切断後、シリコン
ウエハを収納するために昇降機能を備えたカセット5を
備えている。また、4はスラリーノズルであり、10は
加工用固定台7内に内蔵された加熱手段(ヒータ)であ
る。さらに、3a,3bはマルチワイヤーソー用ワイヤ
を供給および巻取りするための新線リールならびに巻取
りリールである。
ー用のワイヤ1とローラ2、リール3a,3bとの関係
は次のようになる。すなわちワイヤ1は、新線リール3
aからガイドローラ列などを経て、複数の溝付きローラ
2に所定のピッチで多量に巻掛けられた後、ガイドロー
ラ列などを経て、巻取りリール3bに巻取られる。そし
て、このワイヤ1は、溝付きローラ2に往復回転運動を
与えることにより、溝付きローラ2の間で往復直線運動
を繰り返しながら送り方向に走行する。
6のスライス加工方法を具体例に基いて説明する。先
ず、シリコンインゴット6を、加熱することにより容易
にはがすことができる接着剤9(例えば、日化精工社
製:NC−15K)により、ワイヤにより切り込み可能
な捨て板8(ガラス板、炭素製板、木製板等)に固定す
る。次に、捨て板8に固定されたシリコンインゴット6
を加工用固定台7にクランプ等により固定する。次に、
ワイヤ1の走行速度6〜10m/sで、スラリーノズル
4から砥粒(例えばGC#600)を油に溶かした液
(スラリー)をワイヤ1にかけながら加工用固定台7を
下降速度0.3〜1mm/分で下降させて切断する。切
断は、捨て板の約2〜5mmの深さまで行う。
で溝が切られたシリコンウエハ収納用カセット5をゆっ
くりと上昇させてウエハを収納する。切断終了後もワイ
ヤ1は加工用固定台7から抜かない方が、ウエハの収納
が容易であることが分かっている。この時、ウエハを完
全に収納させなくてもある程度(例えば、15mm程
度)収納できればよい。また、ウエハの収納を容易にす
るため、加工用固定台7を若干振動させたり、ワイヤ1
を超音波などにより振動させる方法も可能である。ウエ
ハ収納完了後、加工用固定台7に内蔵されている加熱手
段10により加熱して、シリコンウエハを捨て板8から
剥がす。使用する接着剤9にもよるが、加熱温度は40
°〜80℃の範囲が適当であり、特に実施例で使用した
NC−15Kでは約60℃が良い。また、加熱手段とし
てワイヤ1に通電することによりワイヤ1を直接加熱し
て、剥離させても良い。
発明によれば、従来は手作業で行なわれていたインゴッ
ト切断後のウエハを自動的にカセットに収納することが
可能になり、スライス工程の大幅なコストダウンがはか
れる上、工程の大幅な時間短縮も可能となるものであ
り、実用上の効果は極めて顕著である。
す概略説明図である。
示す概略説明図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 捨て板に接着され、さらに加工用固定台
上に固定されたシリコンインゴットをスライス加工する
に際し、該シリコンインゴット切断後、ウエハ収納用カ
セットをウエハ収納位置に上昇せしめるとともに、前記
固定台内もしくは切断手段に設けられた加熱手段によ
り、加熱を行なって前記接着部を剥離して、切断済のウ
エハを前記捨て板から分離せしめ、前記収納用カセット
内に直接収納せしめることを特徴とするシリコンインゴ
ットのスライス加工方法。 - 【請求項2】 加熱温度が40〜80℃の範囲であるこ
とを特徴とする請求項1記載のシリコンインゴットのス
ライス加工方法。
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---|---|---|---|
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JP29815793A Expired - Fee Related JP3325676B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | シリコンインゴットのスライス加工方法 |
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-
1993
- 1993-11-29 JP JP29815793A patent/JP3325676B2/ja not_active Expired - Fee Related
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