CN102225599A - 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法 - Google Patents

一种多晶硅锭与托盘的粘接方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102225599A
CN102225599A CN2011101037353A CN201110103735A CN102225599A CN 102225599 A CN102225599 A CN 102225599A CN 2011101037353 A CN2011101037353 A CN 2011101037353A CN 201110103735 A CN201110103735 A CN 201110103735A CN 102225599 A CN102225599 A CN 102225599A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon ingot
polycrystal silicon
pallet
foaming agent
ingot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101037353A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102225599B (zh
Inventor
包剑
赵学军
冷礼强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangzhou Rongde New Energy Technology Co., Ltd.
Original Assignee
ZHENJIANG RIETECH NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHENJIANG RIETECH NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical ZHENJIANG RIETECH NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201110103735.3A priority Critical patent/CN102225599B/zh
Publication of CN102225599A publication Critical patent/CN102225599A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102225599B publication Critical patent/CN102225599B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种多晶硅锭与托盘的粘接方法，包括：步骤A：清洁粘锭用的托盘；步骤B：将多晶硅锭放置于所述托盘上；步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。本发明提供的粘接方法中，由于仅在多晶硅锭底面边缘处喷涂用于粘接多晶硅锭和托盘的泡沫剂，大大减少了泡沫剂的用量；此外，由于多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的位置没有喷涂泡沫剂，避免了切割多晶硅锭时泡沫屑的产生，从而保证了浆料里面的杂物尽可能少。

Description

一种多晶硅锭与托盘的粘接方法
技术领域
本发明属于光伏技术领域，尤其涉及一种多晶硅锭与托盘的粘接方法。
背景技术
在多晶硅线开方技术中，切割多晶硅锭之前需要先将多晶硅锭粘接到托盘上。
图1为粘锭用的托盘的结构示意图。如图1所示，托盘1上带有托盘槽101。目前采用的粘锭方法是：采用泡沫剂作为粘接剂，先将泡沫剂均匀涂在托盘1上，然后将多晶硅锭放在涂好泡沫剂的托盘1上并移动到准确位置，等待3至4个小时，使泡沫剂固化。
现有技术的粘锭方法中，在托盘1上粘接一个多晶硅锭所需的泡沫剂的量较大，大约为500～750ml；且在切割多晶硅锭的过程中，钢线会切割到固化的泡沫剂产生泡沫屑，泡沫屑会进入浆料中，堵住过滤网和喷嘴，从而影响钢线上的载砂量，最终影响多晶硅锭开方的切割质量。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种多晶硅锭与托盘的粘接方法，以解决现有技术的粘接方法中泡沫剂的用量大，且后续切割多晶硅锭时产生泡沫屑的问题。
为了实现上述目的，本发明提供了一种多晶硅锭与托盘的粘接方法，依次进行如下步骤：
步骤A：清洁粘锭用的托盘；
步骤B：将多晶硅锭放置于所述托盘上；
步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。
作为优选，所述步骤B进一步包括：
步骤B11：将泡沫剂涂在所述托盘上，并且使托盘槽处不带有泡沫剂；
步骤B12：将多晶硅锭放置于涂有泡沫剂的所述托盘上。
作为优选，所述步骤B进一步包括：
步骤B21：在所述托盘上铺一层能够被多晶硅锭的下表面完全覆盖的缓冲薄垫；
步骤B22：将所述多晶硅锭压在所述缓冲薄垫上。
作为优选，所述缓冲薄垫是塑料薄膜。
作为优选，所述步骤B22进一步包括：
步骤B221：将泡沫剂涂在所述缓冲薄垫上，并且使所述缓冲薄垫上对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂；
步骤B222：将所述多晶硅锭压在涂有泡沫剂的所述缓冲薄垫上。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)由于仅在多晶硅锭底面边缘处喷涂用于粘接多晶硅锭和托盘的泡沫剂，大大减少了泡沫剂的用量；
(2)由于多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的位置没有喷涂泡沫剂，避免了切割多晶硅锭时泡沫屑的产生，从而保证了浆料里面的杂物尽可能少；
(3)由于多晶硅锭与托盘之间铺有缓冲薄垫，切割生成的晶砖通过缓冲薄垫支撑，避免了由于多晶硅锭底面不平整导致的晶砖跌落的情况出现，从而降低了钢线断线的可能性。
附图说明
图1为粘锭用的托盘的结构示意图。
图2为本发明的粘接方法的实施例一的流程示意图。
图3为采用实施例一的粘接方法粘锭的示意图。
图4为本发明的粘接方法的实施例二的流程示意图。
图5为本发明的粘接方法的实施例三的流程示意图。
图6为本发明的粘接方法的实施例四的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
实施例一：
图2为本发明的粘接方法的实施例一的流程示意图。如图2所示，实施例一提供的多晶硅锭与托盘的粘接方法包括：
步骤A：清洁粘锭用的托盘；
步骤B：将多晶硅锭放置于所述托盘上；
步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。
图3为采用实施例一的粘接方法粘锭的示意图。如图3所示，采用实施例一提供的粘接方法粘锭时，首先清洁用于粘接多晶硅锭2的托盘1；然后将多晶硅锭2用龙门吊车吊起来放在托盘1上，并将多晶硅锭2移动到准确位置；最后在多晶硅锭2与托盘1的接触面的边缘喷涂泡沫剂3用于粘接多晶硅锭2和托盘1，并且使所述接触面的边缘对应托盘槽101的地方不带有泡沫剂3，以防止切割多晶硅锭2时泡沫剂3被钢线切割到产生泡沫屑。
由于只在多晶硅锭2与托盘1的接触面的边缘喷涂泡沫剂3，大大减少了泡沫剂3的用量，粘接一个多晶硅锭2的泡沫剂3的用量大约从500～750ml降低到250～300ml；此外，由于所述接触面上对应于托盘槽101的地方未喷涂泡沫剂3，避免了切割多晶硅锭2时泡沫屑的产生，从而保证了浆料里面的杂物尽可能少。
实施例二：
图4为本发明的粘接方法的实施例二的流程示意图。如图4所示，实施例二提供的多晶硅锭与托盘的粘接方法包括：
步骤A：清洁粘锭用的托盘；
步骤B11：将泡沫剂涂在所述托盘上，并且使托盘槽处不带有泡沫剂；
步骤B12：将多晶硅锭放置于涂有泡沫剂的所述托盘上；
步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。
采用实施例二提供的粘接方法粘锭时，不仅在多晶硅锭底面边缘与托盘接触的地方涂了泡沫剂，而且多晶硅锭底面内部也通过泡沫剂粘在了托盘上，并且托盘槽对应的位置均没有泡沫剂，因此在减少了泡沫剂用量以及避免了切割多晶硅锭时产生泡沫屑的同时，由于切割生成的晶砖都粘接在了托盘上，避免了由于多晶硅锭底面不平整导致的晶砖跌落的情况出现，从而降低了钢线断线的可能性。
实施例三：
图5为本发明的粘接方法的实施例三的流程示意图。如图5所示，实施例三提供的多晶硅锭与托盘的粘接方法包括：
步骤A：清洁粘锭用的托盘；
步骤B21：在所述托盘上铺一层能够被多晶硅锭的下表面完全覆盖的缓冲薄垫；
步骤B22：将所述多晶硅锭压在所述缓冲薄垫上；
步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。
采用本实施例提供的粘接方法粘锭时，首先清洁用于粘接多晶硅锭的托盘；然后在托盘的上表面铺一层缓冲薄垫，缓冲薄垫的尺寸要小于多晶硅锭的底面的尺寸，以保证多晶硅锭的底面能将其完全覆盖住；再将多晶硅锭用龙门吊车吊起来放在铺有缓冲薄垫的托盘上，并将多晶硅锭移动到准确位置；最后在多晶硅锭与托盘的接触面的边缘喷涂泡沫剂用于粘接多晶硅锭和托盘，并且使所述接触面的边缘对应托盘槽的地方不带有泡沫剂，以防止切割多晶硅锭时泡沫剂被钢线切割到产生泡沫屑。
铺在托盘上的缓冲薄垫可以采用塑料薄膜。
由于只在多晶硅锭与托盘的接触面的边缘喷涂泡沫剂，大大减少了泡沫剂的用量，且所述接触面上对应于托盘槽的地方未喷涂泡沫剂，避免了切割多晶硅锭时产生泡沫屑，从而保证了浆料里面的杂物尽可能少；此外，切割多晶硅锭时，切割成的晶砖下面垫有缓冲薄垫，避免了由于多晶硅锭底面不平整导致的晶砖跌落的情况出现，从而降低了钢线断线的可能性。
实施例四：
图6为本发明的粘接方法的实施例四的流程示意图。如图6所示，实施例四提供的多晶硅锭与托盘的粘接方法包括：
步骤A：清洁粘锭用的托盘；
步骤B21：在所述托盘上铺一层能够被多晶硅锭的下表面完全覆盖的缓冲薄垫；
步骤B221：将泡沫剂涂在所述缓冲薄垫上，并且使所述缓冲薄垫上对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂；
步骤B222：将所述多晶硅锭压在涂有泡沫剂的所述缓冲薄垫上；
步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。
采用实施例四提供的粘接方法粘锭时，不仅在多晶硅锭底面边缘与托盘接触的地方涂了泡沫剂，而且多晶硅锭底面内部也通过泡沫剂粘在了缓冲薄垫上，并且托盘槽对应的位置均没有泡沫剂，因此在减少了泡沫剂用量以及避免了切割多晶硅锭时产生泡沫屑的同时，由于切割生成的晶砖都下面垫有缓冲薄垫，避免了由于多晶硅锭底面不平整导致的晶砖跌落的情况出现，从而降低了钢线断线的可能性。
以上实施例仅为本发明的示例性实施例，不用于限制本发明，本发明的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本发明的实质和保护范围内，对本发明做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种多晶硅锭与托盘的粘接方法，其特征在于，依次进行如下步骤：
步骤A：清洁粘锭用的托盘；
步骤B：将多晶硅锭放置于所述托盘上；
步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。
2.根据权利要求1所述的多晶硅锭与托盘的粘接方法，其特征在于，所述步骤B进一步包括：
步骤B11：将泡沫剂涂在所述托盘上，并且使托盘槽处不带有泡沫剂；
步骤B12：将多晶硅锭放置于涂有泡沫剂的所述托盘上。
3.根据权利要求1所述的多晶硅锭与托盘的粘接方法，其特征在于，所述步骤B进一步包括：
步骤B21：在所述托盘上铺一层能够被多晶硅锭的下表面完全覆盖的缓冲薄垫；
步骤B22：将所述多晶硅锭压在所述缓冲薄垫上。
4.根据权利要求3所述的多晶硅锭与托盘的粘接方法，其特征在于，所述缓冲薄垫是塑料薄膜。
5.根据权利要求3所述的多晶硅锭与托盘的粘接方法，其特征在于，所述步骤B22进一步包括：
步骤B221：将泡沫剂涂在所述缓冲薄垫上，并且使所述缓冲薄垫上对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂；
步骤B222：将所述多晶硅锭压在涂有泡沫剂的所述缓冲薄垫上。
CN201110103735.3A 2011-04-25 2011-04-25 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法 Active CN102225599B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110103735.3A CN102225599B (zh) 2011-04-25 2011-04-25 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110103735.3A CN102225599B (zh) 2011-04-25 2011-04-25 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102225599A true CN102225599A (zh) 2011-10-26
CN102225599B CN102225599B (zh) 2014-07-16

Family

ID=44806616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110103735.3A Active CN102225599B (zh) 2011-04-25 2011-04-25 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102225599B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102848481A (zh) * 2012-10-12 2013-01-02 蠡县英利新能源有限公司 用于切割硅锭的切割工艺
CN102975301A (zh) * 2012-11-16 2013-03-20 晶科能源有限公司 一种硅棒和玻璃板粘接的工艺

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59200438A (ja) * 1983-04-28 1984-11-13 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH07153724A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Sharp Corp シリコンインゴットのスライス加工方法
JP2005019823A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Kyocera Corp 半導体基板の製造方法
JP2006073768A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Katsuyo Tawara シリコンウエハの加工方法
CN101274460A (zh) * 2006-12-29 2008-10-01 斯尔瑞恩公司 用于将硅晶块固定到固定器上的装置和方法
CN101621088A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 福建钧石能源有限公司 薄膜太阳能电池组件及其封装方法
JP2010097976A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Katsuyo Tawara シリコンブロックの切出し方法
CN101913210A (zh) * 2010-08-19 2010-12-15 英利能源（中国）有限公司 多晶硅破锭方法
CN102021656A (zh) * 2010-12-17 2011-04-20 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 一种硅锭粘接方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59200438A (ja) * 1983-04-28 1984-11-13 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH07153724A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Sharp Corp シリコンインゴットのスライス加工方法
JP2005019823A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Kyocera Corp 半導体基板の製造方法
JP2006073768A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Katsuyo Tawara シリコンウエハの加工方法
CN101274460A (zh) * 2006-12-29 2008-10-01 斯尔瑞恩公司 用于将硅晶块固定到固定器上的装置和方法
CN101621088A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 福建钧石能源有限公司 薄膜太阳能电池组件及其封装方法
JP2010097976A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Katsuyo Tawara シリコンブロックの切出し方法
CN101913210A (zh) * 2010-08-19 2010-12-15 英利能源（中国）有限公司 多晶硅破锭方法
CN102021656A (zh) * 2010-12-17 2011-04-20 上海超日(洛阳)太阳能有限公司 一种硅锭粘接方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102848481A (zh) * 2012-10-12 2013-01-02 蠡县英利新能源有限公司 用于切割硅锭的切割工艺
CN102975301A (zh) * 2012-11-16 2013-03-20 晶科能源有限公司 一种硅棒和玻璃板粘接的工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN102225599B (zh) 2014-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101913210B (zh) 多晶硅破锭方法
CN101979239A (zh) 一种兆瓦级风电叶片合模粘接方法
WO2010123212A3 (ko) 패널부착장치
CN102172996B (zh) 浸晶切割方法
CN102172997B (zh) 硅晶体线切割设备
CN102225599A (zh) 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法
CN102486989B (zh) 一种硅片脱胶清洗方法及其装载板
CN206327800U (zh) 一种斗式提升机的料斗
CN206324152U (zh) 槟榔全自动点卤机
CN205167655U (zh) 冲床废料落料口导料机构
CN201735700U (zh) 汽车覆盖件修冲类模具中的下模及修冲类模具
CN203241595U (zh) 光缆油膏自动循环利用系统
CN205115311U (zh) 一种瓷砖淋釉装置
CN202638675U (zh) 一种双点衬布生产用吹吸热熔胶粉装置
CN103009898A (zh) 观赏水体巨型亚克力玻璃安装施工方法
CN206953369U (zh) 一种胶制品加工用自动除溢胶装置
CN206465334U (zh) 一种手套自动脱模装置
CN204646581U (zh) 环保真空发生装置
CN103802224A (zh) 硅锭的开方方法
CN203944719U (zh) 拉伸模凹模
CN204339610U (zh) 树脂超细金刚石磨盘成型易脱模结构
CN204528172U (zh) 新型数控机床工作台保护装置
CN204584939U (zh) 抛光研磨生产线
CN204054176U (zh) 自动提废料装置
CN203542319U (zh) 一种全自动不锈钢丝抛光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: YANGZHOU RONGDE NEW ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ZHENJIANG RIETECH NEW ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20150212

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 212200 ZHENJIANG, JIANGSU PROVINCE TO: 225131 YANGZHOU, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150212

Address after: 225131 No. 9 Jiangnan Road, Yangzhou export processing zone, Jiangsu, China

Patentee after: Yangzhou Rongde New Energy Technology Co., Ltd.

Address before: Yangzhong City Economic Development Zone Jiangsu city Zhenjiang province 212200 Hong Kong Road No. 998

Patentee before: Zhenjiang Rietech New Energy Technology Co., Ltd.