JPH07147469A

JPH07147469A - 導体ペースト

Info

Publication number: JPH07147469A
Application number: JP29306393A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Nakada; 好和中田; Shozo Otomo; 省三大友; Kazunari Tanaka; 一成田中
Original assignee: Sumitomo Metal Ceramics Inc; Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp; Nippon Steel and Sumikin Electronics Devices Inc
Priority date: 1993-11-24
Filing date: 1993-11-24
Publication date: 1995-06-06
Anticipated expiration: 2013-06-25
Also published as: JP2769598B2

Abstract

(57)【要約】【構成】セラミックス基板１１上に形成されたポジ型
フォトレジスト層１２の開口部１５に充填される導体ペ
ースト１６において、溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上
からなる導体ペースト１６。【効果】セラミックス基板１１上にフォトリソグラフ
ィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層１２のパター
ンを形成し、導体ペースト１６を用いて配線パターン１
９を形成する方法において、ポジ型フォトレジスト層１
２のパターン形状を変形させないようにすることがで
き、かつ焼成後の配線間にショートを発生させないよう
にすることができ、したがって精度の高い微細な配線パ
ターン１９を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は導体ペーストに関し、よ
り詳細には、特に、半導体ＬＳＩ、チップ部品などを実
装し、かつ、それらを相互配線するためのセラミックス
配線基板上に、ポジ型フォトレジスト層を用いて配線パ
ターンを形成する際に有効な導体ペーストに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高密
度化が進んできており、これらに実装される電子部品の
狭ピッチ多ピン化、マルチチップ化も急速に進められつ
つある。従って、ＬＳＩ、ＩＣチップのボンディング法
も従来のワイヤボンディング法から、マルチチップ、高
密度実装に適したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方
式及びフリップチップ方式が採用されるようになってき
ている。このような電子機器の高密度化に伴い、セラミ
ックス配線基板上に、線幅が１００μｍ以下の微細配線
や直径が１００μｍ以下のバンプ等の導体層パターンを
形成する技術が要求されるようになり、このような技術
において用いられる導体層材料の研究が進められてい
る。

【０００３】ところで、従来からのセラミックス基板上
への配線パターンの形成方法は、薄膜法、メッキ法、厚
膜法などに大別される。

【０００４】前記薄膜法は、セラミックス基板に蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーティング等により厚さ
数μｍオーダーの導体金属層を形成する方法であり、こ
の方法ではフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
ーの手法が利用できることから、精度の高い微細配線を
形成できるものの、形成された配線と基板との密着性が
低い、工程数が他の方法と比較して多い、薄膜形成装置
が高価である等の問題点がある。

【０００５】また前記メッキ法は、溶液中で電気化学的
手法によりセラミックス基板に導体配線を形成する方法
であるが、上記した薄膜法とほぼ同様の問題点がある。

【０００６】さらに前記厚膜法は、導体粒子を溶剤の液
状成分を含有する有機ビヒクル中に分散させた導体ペー
ストを用い、この導体ペーストをメッシュスクリーンを
通してセラミックス基板に印刷し、その後焼成すること
によりセラミックス基板上に配線パターンを形成する方
法である。この前記厚膜法を適用して配線パターンを形
成する場合、基板は必ずしも焼結体を使用する必要はな
く、グリーンシート上に導体ペーストのパターンを形成
した後、グリーンシートの焼成と導体ペーストの焼付け
を同時に行ってもよく、この厚膜法は、セラミックス基
板との充分な密着強度を有する導体層パターンを低コス
トで形成することができるという優れた特徴を有する。
また、この方法を前記したグリーンシートを用いた配線
パターンの形成方法に適用した場合、印刷された前記導
体ペースト中の液状成分が短時間でグリーンシート内部
にうまく吸収されるため、配線の幅や配線間の距離が１
５０μｍ以下の微細な配線パターンを形成することもで
きる。しかしながら、この方法を焼結体を用いた配線パ
ターンの形成方法に適用した場合、液状成分は前記焼結
体内部に吸収されないため、印刷された導体ペースト中
の液状成分が横方向に広がる、いわゆる「にじみ」や
「だれ」現象が発生し、配線の幅や配線間の距離が１５
０μｍ以下の導体層パターンを設計通りに形成すること
ができないという問題点がある。

【０００７】そこで近年、パターンの形成には前記薄膜
法の特徴であるフォトレジストを用いたフォトリソグラ
フィーを導入し、配線自体の形成には前記厚膜法の特徴
である導体ペーストを用いた方法が試みられている。こ
の方法は、まずガラス基板やセラミックス基板の表面に
フォトレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィー
により前記フォトレジスト層に配線パターンを転写して
開口部を形成し、導体ペーストを前記開口部に擦り込む
ことにより充填し、その後焼成することにより前記フォ
トレジスト層の分解、消失と導体成分の基板への焼き付
けを同時に行う方法であり（特開平４−２２３３９１号
公報、特開平４−２２３３９２号公報、特開平４−２２
３３９３号公報、特開平２−２４０９９６号公報等）、
前記薄膜法と同等の微細パターンを形成することができ
る。

【０００８】このような方法で用いられる従来の導体ペ
ーストは、主に導体材料、樹脂及び溶剤からなるペース
トであり、該溶剤としてはテルピネオール、ジブチルカ
ルビトール、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール
アセテート、テキサノール、２，２，４−トリメチルペ
ンタジオール１，３−モノイソブチレート等が用いられ
ている。これらの溶剤は前記樹脂の溶解能が高い炭素・
水素・酸素の３元素からなる極性溶剤である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】通常、従来のフォトリ
ソグラフィー技術及び導体ペーストを用いた配線パター
ンの形成方法では、前記フォトレジスト層の除去が酸化
性雰囲気中での焼成により行われるため、前記導体ペー
スト中の前記導体として易酸化性卑金属のＣｕ、Ｍｏ−
Ｍｎ等を用いると、前記導体が酸化するという欠点があ
る。そのため、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の酸化しにくい貴金
属を使用する必要があるが、そうするとコスト高とな
る。しかし、前記フォトレジスト層にポジ型フォトレジ
ストを用いた場合（特開平２−２４０９９６号公報）、
ポジ型フォトレジスト層の除去が湿式プロセスにより行
われるため、導体としてＣｕ、Ｍｏ−Ｍｎ等の安価な金
属を用いることができ、コストが低減される。その場
合、前記導体は非酸化性雰囲気中で焼成される。

【００１０】しかしながら従来の導体ペーストにおいて
は、前記溶剤の極性が高く、このような高極性溶剤をポ
ジ型フォトレジスト層の開口部に充填した場合、前記溶
剤がポジ型フォトレジスト層を溶解するので、該ポジ型
フォトレジスト層のパターン形状が変化するという課題
があった。また、前記ポジ型フォトレジスト層上に余剰
の前記導体ペーストが付着した場合、前記溶剤がポジ型
フォトレジスト層を融かして一体化するので、余剰の前
記導体ペーストを除去することが難しくなる。表面に導
体ペーストが残存すると前記ポジ型フォトレジスト層を
現像液によって完全に除去することが困難となり、焼成
後の配線パターンにショートが生じるという課題があっ
た。したがって、シャープな配線パターンを安価に形成
することができないという課題があった。

【００１１】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、セラミックス基板上にフォトリソグラフ
ィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層のパターンを
形成し、導体ペーストを用いて配線パターンを形成する
方法において、精度の高い微細な配線パターンを安価に
形成することができる導体ペーストを提供することを目
的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る導体ペーストは、セラミックス基板上に
形成されたポジ型フォトレジスト層の開口部に充填され
る導体ペーストにおいて、溶剤が炭化水素系溶剤の１種
以上からなることを特徴としている（１）。

【００１３】また本発明に係る導体ペーストは、導体ペ
ースト（１）において、炭化水素系溶剤が２００℃から
３５０℃の沸点を有するものであることを特徴としてい
る（２）。

【００１４】

【作用】従来の導体ペーストにおいて用いられるテルピ
ネオール、ジブチルカルビトール、ジブチルフタレー
ト、ブチルカルビトールアセテート、テキサノール、
２，２，４−トリメチルペンタジオール１，３−モノイ
ソブチレート等の溶剤は、セルロース樹脂、アクリル・
メタクリル樹脂等の溶解能が高い。しかしこのような溶
剤は炭素、水素及び酸素からなり、極性が高いために、
ポジ型フォトレジストを溶解したり、ポジ型フォトレジ
ストに導体ペーストを融着させて一体化したりする。

【００１５】本発明者らは、鋭意研究の結果、導体ペー
ストに使用する樹脂は溶解するが、ポジ型フォトレジス
トは溶解しない溶剤を見い出した。このような溶剤は、
炭素及び水素からなるトルエン、キシレン、ショウノウ
油、テレピン油、パイン油、フェニルシクロヘキサン、
ビシクロヘキシル、ドデシルベンゼン、ペンチルベンゼ
ン、ジペンチルベンゼン、テトラリン、ドデカン等の炭
化水素系溶剤である。これらの溶剤は誘電率が低い低極
性の溶剤であり、ポジ型フォトレジストを溶かしにく
い。しかし、導体ペースト用樹脂は比較的低極性樹脂で
あるため、低極性溶剤にも溶けるため、導体ペーストに
使用する樹脂は溶かす。

【００１６】さらに、前記炭化水素系溶剤の中でも沸点
が２００℃から３５０℃の範囲にあるものはハンドリン
グしやすいことを見い出した。すなわち、沸点が２００
℃以下の炭化水素系溶剤を用いた場合は、導体ペースト
のハンドリング中に前記炭化水素系溶剤が蒸発するのが
早く、粘度が上昇したり、乾燥したりするのが早くな
り、好ましくない。また、沸点が３５０℃以上の炭化水
素系溶剤を用いた場合は、導体ペーストのポジ型フォト
レジスト層の開口部への充填後に乾燥させることが困難
となり、導体ペーストを基板側に容易に固定させること
ができず、好ましくない。導体ペーストのハンドリング
を容易にするものとしては、フェニルシクロヘキサン、
ビシクロヘキシル、ドデシルベンゼン、ペンチルベンゼ
ン、ジペンチルベンゼン、テトラリン、ドデカン等が挙
げられる。

【００１７】上記構成の導体ペースト（１）によれば、
溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上からなるので、このよ
うな導体ペーストを、セラミックス基板上にポジ型フォ
トレジスト層のパターンを形成し、導体ペーストを用い
て配線パターンを形成する方法に用いた場合、ポジ型フ
ォトレジスト層の開口部に充填された前記導体ペースト
の溶剤が前記ポジ型フォトレジスト層を溶解せず、該ポ
ジ型フォトレジスト層のパターン形状を変形させること
はない。また、該ポジ型フォトレジスト層上に余剰の前
記導体ペーストが付着しても、この導体ペーストが前記
ポジ型フォトレジスト層に融着して一体化することはな
く、余剰の前記導体ペーストの除去が容易になる。この
ため、前記ポジ型フォトレジスト層を現像液によって完
全に除去することが可能となり、焼成後の配線間にショ
ートが生じない。したがって、精度の高い微細な配線パ
ターンを形成することが可能となる。

【００１８】また、上記した構成の導体ペースト（２）
によれば、導体ペースト（１）において、前記炭化水素
系溶剤が２００℃から３５０℃の沸点を有するものであ
るので、導体ペーストの乾燥が早すぎず、遅すぎず、前
記導体ペーストを適切な粘度に長時間保つことが容易と
なり、ハンドリングしやすくなる。

【００１９】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る導体ペースト
の実施例及び比較例を、セラミックス基板上にフォトリ
ソグラフィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層のパ
ターンを形成し、導体ペーストを用いて配線パターンを
形成する方法に使用した場合を例に挙げて図面に基づい
て説明する。［実施例１］実施例１に係る導体ペーストは、モリブデ
ン粉末：７５重量部、マンガン粉末：１５重量部、酸化
チタン：５重量部、シリカ：５重量部からなる導体原料
粉末９０重量部に対し、炭化水素系溶剤であるフェニル
シクロヘキサン４重量部、イソブチルメタクリル樹脂６
重量部を添加して作製された。

【００２０】このような導体ペーストを用い、上記した
方法により配線パターンを形成するには、まずアルミナ
焼結体からなるセラミックス基板１１上の全面に液状ポ
ジ型レジスト（ヘキストジャパン社製ＡＺ４９０３）を
バーコーター法にて塗布した。この後、９０℃に保った
オーブン中で３０分間乾燥させてプリベークを施し、固
体状の厚さが２５μｍのポジ型フォトレジスト層１２を
形成した（図１（ａ））。なおセラミックス基板１１と
しては、アルミナの他、ムライト、ガラスセラミックス
及び窒化アルミニウム等からなる公知のセラミックス基
板を用いることができる。また液状ポジ型フォトレジス
トとしては、ヘキストジャパン社製ＡＺ４９０３の他、
同社製ＡＺ４６２０／Ａ等を用いることができ、前記液
状ポジ型フォトレジストはバーコーター法の他、ロール
コーター法、ディプ法及びホイラー法（スピンナー法）
等により堆積させることができる。しかし、厚さを１０
μｍから５０μｍの範囲内に設定するのが好ましく、こ
の範囲の厚さのポジ型フォトレジスト層１２をセラミッ
クス基板１１上に均一に形成するにはロールコーター法
もしくはバーコーター法が適しており、厚さが前記範囲
外の場合は、後の工程における導体ペースト１６の充填
が困難になる。

【００２１】次いで、配線ルールが線幅５０μｍ、線間
４０μｍである所定形状の配線パターンを有するフォト
マスク１３を介して、ポジ型フォトレジスト層１２に露
光量が７００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線１４を用いて露光を
施した（図１（ｂ））。なお適正な露光量は７００〜８
００ｍＪ／ｃｍ² であり、露光量が７００ｍＪ／ｃｍ²
以下では後の工程（図１（ｃ））で現像により開口部１
５を完全に開口することができず、また８００ｍＪ／ｃ
ｍ² 以上ではオーバー露光となり、開口部１５の断面形
状が逆台形になり好ましくない。

【００２２】次に、現像液（ヘキストジャパン社４００
Ｋ：水＝１：４）にポジ型フォトレジスト層１２を有す
るセラミックス基板１１を浸漬し、揺動させることによ
り現像処理を行い、ポジ型フォトレジスト層１２に前記
配線パターンに応じた開口部１５を形成した（図１
（ｃ））。なお現像処理方法としては浸漬揺動法の他、
スプレー法等を用いることができる。また、開口部１５
に像不良のフォトレジストが残存した場合は、プラズマ
アッシング等のドライエッチングにて除去することがで
きる。

【００２３】次いで、温度を９０℃に保ったオーブン中
でセラミックス基板１１を４０分間乾燥させてプリベー
クを施した後、後の工程（図１（ｆ））でのポジ型フォ
トレジスト層１２の現像液による除去を可能にするため
に、開口部１５を形成したポジ型フォトレジスト層１２
に露光量が７００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線１４を用いて全
面露光を施した（図１（ｄ））。なお適正な露光量は７
００〜８００ｍＪ／ｃｍ² である。また、この全面露光
工程は、導体ペースト充填工程（図１（ｅ））の後に行
ってもよく、また（図１（ｆ））に示した工程中の導体
ペースト乾燥後に行ってもよい。

【００２４】次に、導体ペースト１６を例えばテフロン
ヘラ１８により擦り込むようにしてポジ型フォトレジス
ト層１２の開口部１５に充填した（図１（ｅ））。な
お、導体ペースト１６が開口部１５以外のポジ型フォト
レジスト層１２上に残存した場合は、導体ペースト１６
の付着していないテフロンヘラ１８等により掻き取れば
よい。

【００２５】次いで、温度を９０℃に保ったオーブン中
にて開口部１５に充填された導体ペースト１６を１０分
間乾燥させ、導体ペースト１６中の樹脂により前記導体
原料粉末をセラミックス基板１１に接着させる。この
後、ポジ型フォトレジスト層１２の表面をラッピングフ
ィルム（砥粒アルミナ１μｍ）を用いて１０秒間研磨
し、余剰に付着した導体ペースト１６を除去する。次
に、充填方向を最初の充填時の方向より９０度変えて再
度導体ペースト１６を充填し、乾燥、研磨を施すことに
より、導体ペースト１６を開口部１５内に充填不良箇所
がなく、かつ開口部１５以外に余剰ペーストが残存する
ことないように充填した。この後、セラミックス基板１
１を現像液（ヘキストジャパン社４００Ｋ：水＝１：
４）中に浸漬し、揺動させることにより現像処理を施
し、ポジ型フォトレジスト層１２を溶解・消失させて除
去し、セラミックス基板１１上に導体ペースト１６の乾
燥体のみからなる導体パターンを形成した（図１
（ｆ））。

【００２６】最後に、微量水蒸気を含有する窒素及び水
素の混合ガス雰囲気中、１５００℃で焼成することによ
り、導体ペースト１６中の有機物を分解・消失させ、か
つ前記導体をセラミックス基板１１に焼き付けて、配線
パターン１９を形成した（図１（ｇ））。

【００２７】最終的に形成した配線パターン１９の精度
を走査型電子顕微鏡にて調査したところ、線幅５０μｍ
±２μｍと極めて高い精度であった。また、配線間がシ
ョートしているか否かを光学顕微鏡により調べたとこ
ろ、配線間のショートは全くなかった。また、導体ペー
スト１６の溶剤として用いられたフェニルシクロヘキサ
ンの沸点は約２４０℃であり、ハンドリングしやすかっ
た。

【００２８】なお、導体ペースト１６の好ましい組成範
囲は、導体材料が８４〜９６ｗｔ％、樹脂が２〜６ｗｔ
％、溶剤が２〜１０ｗｔ％であり、導体ペースト１６は
３本ロール等の公知の方法で作製することができる。

【００２９】また本実施例においては、導体ペースト１
６の溶剤として、炭化水素系溶剤であるフェニルシクロ
ヘキサンのみの１種を用いた場合を例にとって説明した
が、その他の炭化水素系溶剤、すなわち導体ペースト１
６に用いる前記樹脂は溶解するが、前記ポジ型フォトレ
ジストは溶解しないトルエン、キシレン、ショウノウ
油、テレピン油、パイン油、ビシクロヘキシル、ドデシ
ルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、
テトラリン、ドデカン等を用いてもよく、またこれらを
１種以上組み合わせたものを用いてもよい。またこれら
のうち、沸点が２００〜３５０℃の範囲にあるものを用
いた場合は、ハンドリングが容易となる。

【００３０】さらに本実施例においては、樹脂としてイ
ソブチルメタクリル樹脂を用いた場合を例とって説明し
たが、その他、後のポジ型フォトレジスト層１２の現像
処理の際に用いられる現像液（水系）に溶解しない非水
溶性樹脂、すなわちエチルセルロース、アクリル、メタ
クリル樹脂等を用いてもよい。

【００３１】また本実施例においては、導体としてＭｏ
−Ｍｎを用いた場合を例にとって説明したが、その他Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を用いてもよく、Ｍｏ−Ｍｎや
Ｃｕを用いた場合には、コストを削減することができ
る。また、前記導体原料粉末１００重量部に対して、焼
成後の導体とセラミックス基板との接着を高める目的で
ガラスＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂ 等の無機粉末１〜１０重量部
程度を添加してもよい。［実施例２］実施例２に係る導体ペーストは、溶剤とし
てビシクロヘキシルを使用した以外は実施例１の場合と
同様にして製造した導体ペーストである。この導体ペー
ストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結基板
上にＭｏ配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、ビシクロヘキシルの
沸点が約２２０℃であるため、前記導体ペーストのハン
ドリングは容易であった。

【００３２】［実施例３］実施例３に係る導体ペースト
は、溶剤としてドデシルベンゼンを使用した以外は実施
例１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。
この導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアル
ミナ焼結基板上にＭｏ配線パターンを形成し、配線の精
度及びショートを実施例１の場合と同様にして調査した
ところ、線幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であ
り、また配線間のショートも全くなかった。また、ドデ
シルベンゼンの沸点が約３３１℃であるため、前記導体
ペーストのハンドリングは容易であった。

【００３３】［実施例４］実施例４に係る導体ペースト
は、溶剤としてペンチルベンゼンを使用した以外は実施
例１の場合と同様にして製造した導焼ペーストである。
この導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアル
ミナ焼結基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及
びショートを実施例１の場合と同様にして調査したとこ
ろ、線幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、ま
た配線間のショートも全くなかった。また、ペンチルベ
ンゼンの沸点が約２０５℃であるため、前記導体ペース
トのハンドリングは容易であった。

【００３４】［実施例５］実施例５に係る導体ペースト
は、溶剤としてジペンチルベンゼンを使用した以外は実
施例１の場合と同様にして製造した導体ペーストであ
る。この導体ペーストを用い、図１に示した工程により
アルミナ焼結基板上に配線パターンを形成し、配線の精
度及びショートを実施例１の場合と同様にして調査した
ところ、線幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であ
り、また配線間のショートも全くなかった。また、ジペ
ンチルベンゼンの沸点が約２６０℃であるため、前記導
体ペーストのハンドリングは容易であった。

【００３５】［実施例６］実施例６に係る導体ペースト
は、溶剤としてテトラリンを使用した以外は実施例１の
場合と同様にして製造した導体ペーストである。この導
体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼
結基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショ
ートを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線
幅５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線
間のショートも全くなかった。また、テトラリンの沸点
が約２０７℃であるため、前記導体ペーストのハンドリ
ングは容易であった。

【００３６】［実施例７］実施例７に係る導体ペースト
は、溶剤としてドデカンを使用した以外は実施例１の場
合と同様にして製造した導体ペーストである。この導体
ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結
基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、ドデカンの沸点が約
２１６℃であるため、前記導体ペーストのハンドリング
は容易であった。

【００３７】［実施例８］実施例８に係る導体ペースト
は、溶剤としてフェニシクロヘキサン：ビシクロヘキシ
ル＝１：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場
合と同様にして製造した導体ペーストである。この導体
ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結
基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、前記導体ペーストの
ハンドリングは容易であった。

【００３８】［実施例９］実施例９に係る導体ペースト
は、溶剤としてフェニシクロヘキサン：ドデシルベンゼ
ン＝１：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場
合と同様にして製造した導体ペーストである。この導体
ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結
基板上に配線パターンを形成し、配線の精度及びショー
トを実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅
５０μｍ±２μｍと極めて高い精度であり、また配線間
のショートも全くなかった。また、前記導体ペーストの
ハンドリングは容易であった。

【００３９】［実施例１０］実施例１０に係る導体ペー
ストは、溶剤としてトルエンを使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精度
及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μｍ
と極めて高い精度であり、また配線間のショートも全く
なかった。

【００４０】［実施例１１］実施例１１に係る導体ペー
ストは、溶剤としてキシレンを使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精度
及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μｍ
と極めて高い精度であり、また配線間のショートも全く
なかった。

【００４１】［実施例１２］実施例１２に係る導体ペー
ストは、溶剤としてショウノウ油を使用した以外は実施
例１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。
この導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアル
ミナ焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の
精度及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２
μｍと極めて高い精度であり、また配線間のショートも
全くなかった。

【００４２】［実施例１３］実施例１３に係る導体ペー
ストは、溶剤としてテレピン油を使用した以外は実施例
１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。こ
の導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミ
ナ焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精
度及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μ
ｍと極めて高い精度であり、また配線間のショートも全
くなかった。

【００４３】［実施例１４］実施例１４に係る導体ペー
ストは、溶剤としてパイン油を使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成し、その後配線の精度
及びショートを調査したところ、線幅５０μｍ±２μｍ
と極めて高い精度であり、また配線間のショートも全く
なかった。

【００４４】［比較例１］比較例１に係る導体ペースト
は、溶剤としてテルピネオールを使用した以外は実施例
１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。こ
の導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミ
ナ焼結基板上に配線パターンを形成した。しかしこの場
合は、研磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終
的に得られた配線の精度及びショートを実施例１の場合
と同様にして調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍ
と精度が極めて低く、一部配線間にショートが発生し
た。

【００４５】［比較例２］比較例２に係る導体ペースト
は、溶剤としてテルピネオール：ジブチルカルビトール
＝１：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場合
と同様にして製造した導体ペーストである。この導体ペ
ーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結基
板上に配線パターンを形成した。しかしこの場合は、研
磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終的に得ら
れた配線の精度及びショートを実施例１の場合と同様に
して調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍと精度が
極めて低く、一部配線間にショートが発生した。

【００４６】［比較例３］比較例３に係る導体ペースト
は、溶剤としてテルピネオール：ジブチルフタレート＝
３：１からなる溶剤を使用した以外は実施例１の場合と
同様にして製造した導体ペーストである。この導体ペー
ストを用い、図１に示した工程によりアルミナ焼結基板
上に配線パターンを形成した。しかしこの場合は、研磨
等による余剰ペーストの除去ができず、最終的に得られ
た配線の精度及びショートを実施例１の場合と同様にし
て調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍと精度が極
めて低く、一部配線間にショートが発生した。

【００４７】［比較例４］比較例４に係る導体ペースト
は、溶剤としてテキサノールを使用した以外は実施例１
の場合と同様にして製造した導体ペーストである。この
導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミナ
焼結基板上に配線パターンを形成した。しかしこの場合
は、研磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終的
に得られた配線の精度及びショートを実施例１の場合と
同様にして調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍと
精度が極めて低く、一部配線間にショートが発生した。

【００４８】［比較例５］比較例５に係る導体ペースト
は、溶剤としてブチルカルビトールアセテートを使用し
た以外は実施例１の場合と同様にして製造した導体ペー
ストである。この導体ペーストを用い、図１に示した工
程によりアルミナ焼結基板上に配線パターンを形成し
た。しかしこの場合は、研磨等による余剰ペーストの除
去ができず、最終的に得られた配線の精度及びショート
を実施例１の場合と同様にして調査したところ、線幅５
０μｍ±２０μｍと精度が極めて低く、一部配線間にシ
ョートが発生した。

【００４９】［比較例６］比較例６に係る導体ペースト
は、溶剤として２，２，４−トリメチルペンタンジオー
ル１，３−モノイソブチレートを使用した以外は実施例
１の場合と同様にして製造した導体ペーストである。こ
の導体ペーストを用い、図１に示した工程によりアルミ
ナ焼結基板上に配線パターンを形成した。しかしこの場
合は、研磨等による余剰ペーストの除去ができず、最終
的に得られた配線の精度及びショートを実施例１の場合
と同様にして調査したところ、線幅５０μｍ±２０μｍ
と精度が極めて低く、一部配線間にショートが発生し
た。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る導体ペ
ースト（１）にあっては、セラミックス基板上に形成さ
れたポジ型フォトレジスト層の開口部に充填される導体
ペーストにおいて、溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上か
らなるので、このような導体ペーストを、前記セラミッ
クス基板上に前記ポジ型フォトレジスト層のパターンを
形成し、導体ペーストを用いて配線パターンを形成する
方法において用いた場合、前記開口部に充填された前記
導体ペーストの溶剤が前記ポジ型フォトレジスト層を溶
解せず、該ポジ型フォトレジスト層のパターン形状を変
形させることはない。また、該ポジ型フォトレジスト層
上に余剰の前記導体ペーストが付着しても、この導体ペ
ーストが前記ポジ型フォトレジスト層に融着して一体化
することはなく、焼成後の配線間にショートが生じな
い。したがって、精度の高い微細な配線パターンを形成
することができる。

【００５１】また本発明に係る導体ペースト（２）にあ
っては、導体ペースト（１）においいて、前記炭化水素
系溶剤が２００℃から３５０℃の沸点を有するものであ
るので、導体ペーストの乾燥が早すぎず、遅すぎず、前
記導体ペーストを適切な粘度に長時間保つことが容易と
なり、ハンドリングしやすくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施例１に係る
導体ペーストを、セラミックス基板上にフォトリソグラ
フィー技術を用いてポジ型フォトレジスト層を形成し、
導体ペーストを用いて配線パターンを形成する方法に使
用した場合の各製造工程を示した模式的断面図である。

【符号の説明】

１１セラミックス基板１２ポジ型フォトレジスト層１５開口部１６導体ペースト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中一成山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番１株式会社住友金属セラミックス内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス基板上に形成されたポジ型
フォトレジスト層の開口部に充填される導体ペーストに
おいて、溶剤が炭化水素系溶剤の１種以上からなること
を特徴とする導体ペースト。
【請求項２】炭化水素系溶剤が２００℃から３５０℃
の沸点を有するものであることを特徴とする請求項１記
載の導体ペースト。