JPH07136781A - 加工位置指定方法 - Google Patents
加工位置指定方法Info
- Publication number
- JPH07136781A JPH07136781A JP29022693A JP29022693A JPH07136781A JP H07136781 A JPH07136781 A JP H07136781A JP 29022693 A JP29022693 A JP 29022693A JP 29022693 A JP29022693 A JP 29022693A JP H07136781 A JPH07136781 A JP H07136781A
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- JP
- Japan
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- offset
- processing
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- Pending
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- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、ビームを切り替えながらの複
数の領域の連続加工を行って断面を形成する際に、個々
の加工領域に対する加工位置及び加工条件を容易に指定
できる方法を提供することにある。 【構成】個々の加工する領域の位置指定を、目的とする
断面からのオフセット値で指定する加工位置指定方法。 【効果】個々の加工すべき領域を容易に指定可能とな
る。
数の領域の連続加工を行って断面を形成する際に、個々
の加工領域に対する加工位置及び加工条件を容易に指定
できる方法を提供することにある。 【構成】個々の加工する領域の位置指定を、目的とする
断面からのオフセット値で指定する加工位置指定方法。 【効果】個々の加工すべき領域を容易に指定可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＦＩＢを利用したデバ
イスの加工装置における加工位置の指定方法に関する。
イスの加工装置における加工位置の指定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は、プロシーディング オブ
インターナショナル リライアビリティー フィジィッ
クス シンポジウム、（１９８９年）第４３頁から第５
２頁(Proceedings of International Reliability Phys
ics Symposium,(1989)pp.43−52)に記載されている。
インターナショナル リライアビリティー フィジィッ
クス シンポジウム、（１９８９年）第４３頁から第５
２頁(Proceedings of International Reliability Phys
ics Symposium,(1989)pp.43−52)に記載されている。
【０００３】上記論文では、図３に示すようにＦＩＢを
利用してデバイスのＳＩＭ像を基に加工領域（破線で囲
んだ領域）を設定し、加工を実施している。
利用してデバイスのＳＩＭ像を基に加工領域（破線で囲
んだ領域）を設定し、加工を実施している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＦＩＢ加工装置におい
てビーム電流（ビーム径）を切り替える手段としては、
ビームの開き角を制限する絞りの大きさを切り替える手
段が一般的である。しかし、複数の絞りをＦＩＢ光軸に
中心を合わせて再現性良く動かすのは困難である。その
ため絞りを切り替えた場合フォーカス状態やビーム位置
が変化してしまう。従って、従来例で述べた加工領域の
設定のためのＳＩＭ像は加工時と同じビーム条件で撮っ
たものを使用する必要があり、ビームを切り替えて複数
の領域の加工を実施する場合は、ビームを切り替える毎
にＳＩＭ像を撮りなおして、加工領域の設定をしなおす
必要があり、複数の領域の連続加工には対応できないと
いう欠点があった。
てビーム電流（ビーム径）を切り替える手段としては、
ビームの開き角を制限する絞りの大きさを切り替える手
段が一般的である。しかし、複数の絞りをＦＩＢ光軸に
中心を合わせて再現性良く動かすのは困難である。その
ため絞りを切り替えた場合フォーカス状態やビーム位置
が変化してしまう。従って、従来例で述べた加工領域の
設定のためのＳＩＭ像は加工時と同じビーム条件で撮っ
たものを使用する必要があり、ビームを切り替えて複数
の領域の加工を実施する場合は、ビームを切り替える毎
にＳＩＭ像を撮りなおして、加工領域の設定をしなおす
必要があり、複数の領域の連続加工には対応できないと
いう欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、ビームを切り替えながら
の複数の領域の連続加工を行って断面を形成する際に、
個々の加工領域に対する加工位置指定を容易に行う方法
を提供することにある。
の複数の領域の連続加工を行って断面を形成する際に、
個々の加工領域に対する加工位置指定を容易に行う方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、ビームの開き角を制限する絞りを切り替えたときに
生ずるフォーカス及びビーム位置の変化分をあらかじめ
求めておき、絞りを切り替えてもフォーカス状態やビー
ム位置が変わらないように補正し、かつ、加工する領域
を目的とする断面からのオフセット値で指定する。
に、ビームの開き角を制限する絞りを切り替えたときに
生ずるフォーカス及びビーム位置の変化分をあらかじめ
求めておき、絞りを切り替えてもフォーカス状態やビー
ム位置が変わらないように補正し、かつ、加工する領域
を目的とする断面からのオフセット値で指定する。
【０００７】
【作用】上記手段により、加工すべき領域及び使用する
ビームの条件を容易に指定可能となる。
ビームの条件を容易に指定可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。図２は実施例で用いたＦＩＢ加工装置の構成図であ
る。液体金属イオン源１００から放出したイオンビーム
はコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０７により
試料１１２上に集束する。ビーム加速電圧は３０ｋＶで
ある。前述の各レンズ間には可変アパーチャー１０２，
アライナー・スティグマー１０３，ブランカー１０４，
ブランキング・アパーチャー１０５，デフレクター１０
６が配置されている。試料１１２はステージ１０８によ
り移動できる。ＦＩＢ照射により試料１１２から発生し
た二次電子は、二次電子検出器１０９により検出・増幅
され、偏向制御と同期されることにより、コンピュータ
のＣＲＴ上にＳＩＭ像として表示される。
る。図２は実施例で用いたＦＩＢ加工装置の構成図であ
る。液体金属イオン源１００から放出したイオンビーム
はコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０７により
試料１１２上に集束する。ビーム加速電圧は３０ｋＶで
ある。前述の各レンズ間には可変アパーチャー１０２，
アライナー・スティグマー１０３，ブランカー１０４，
ブランキング・アパーチャー１０５，デフレクター１０
６が配置されている。試料１１２はステージ１０８によ
り移動できる。ＦＩＢ照射により試料１１２から発生し
た二次電子は、二次電子検出器１０９により検出・増幅
され、偏向制御と同期されることにより、コンピュータ
のＣＲＴ上にＳＩＭ像として表示される。
【０００９】図１は本発明を利用した加工位置指定方法
を示すデバイス上面図である。以下、順を追って説明す
る。図１は（１）ＬＳＩ表面のＳＩＭ像に断面を含む加
工領域１を重ねて表示した様子を示している。ここで断
面を形成する面は領域を示す枠の太さを他の面の倍の太
さとして、他と区別可能とする。（２）は個々の加工パ
ターンの条件を指定する画面を示している。Pattern１
では断面からoffsetＹ１（＝１μｍ）放して加工領域１
で示された領域をBroad ビーム（可変アパーチャーを４
００μｍ角とし、ビーム電流２０ｎＡ，ビーム径０.７
μｍ の大電流ＦＩＢ）で加工する。Pattern２では断面
からoffset Ｙ１(＝０.３μｍ）放し、断面からoffset
Ｙ２(＝１μｍ）までの範囲で、かつ、加工領域１で示
された横方向の位置から各々offset Ｘ(＝０μｍ）放し
た領域をMediumビーム（可変アパーチャーを１００μｍ
角の中間的な値とし、ビーム電流１.６ｎＡ ，ビーム径
０.２μｍのＦＩＢ)で加工する。Pattern３では断面か
らoffset Ｙ１(＝０μｍ)放し、断面からoffset Ｙ２
（＝０.３μｍ）までの範囲で、かつ、加工領域１で示
された横方向の位置から各々offset Ｘ（＝０.５μｍ）
放した領域をFineビーム（可変アパーチャーを３０μｍ
角とし、ビーム電流４００ｐＡ，ビーム径0.1μｍのＦ
ＩＢ）で加工する様子を示している。
を示すデバイス上面図である。以下、順を追って説明す
る。図１は（１）ＬＳＩ表面のＳＩＭ像に断面を含む加
工領域１を重ねて表示した様子を示している。ここで断
面を形成する面は領域を示す枠の太さを他の面の倍の太
さとして、他と区別可能とする。（２）は個々の加工パ
ターンの条件を指定する画面を示している。Pattern１
では断面からoffsetＹ１（＝１μｍ）放して加工領域１
で示された領域をBroad ビーム（可変アパーチャーを４
００μｍ角とし、ビーム電流２０ｎＡ，ビーム径０.７
μｍ の大電流ＦＩＢ）で加工する。Pattern２では断面
からoffset Ｙ１(＝０.３μｍ）放し、断面からoffset
Ｙ２(＝１μｍ）までの範囲で、かつ、加工領域１で示
された横方向の位置から各々offset Ｘ(＝０μｍ）放し
た領域をMediumビーム（可変アパーチャーを１００μｍ
角の中間的な値とし、ビーム電流１.６ｎＡ ，ビーム径
０.２μｍのＦＩＢ)で加工する。Pattern３では断面か
らoffset Ｙ１(＝０μｍ)放し、断面からoffset Ｙ２
（＝０.３μｍ）までの範囲で、かつ、加工領域１で示
された横方向の位置から各々offset Ｘ（＝０.５μｍ）
放した領域をFineビーム（可変アパーチャーを３０μｍ
角とし、ビーム電流４００ｐＡ，ビーム径0.1μｍのＦ
ＩＢ）で加工する様子を示している。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、加工すべき領域及び使
用するビームの条件を容易に指定可能となる。
用するビームの条件を容易に指定可能となる。
【図１】本発明の実施例の加工条件表示方法を示すデバ
イス上面図である。
イス上面図である。
【図２】本発明の実施例で使用した集束イオンビーム加
工装置の構成図である。
工装置の構成図である。
【図３】従来技術の説明図である。
１〜５…加工パターン、１００…液体金属イオン源、１
０１…コンデンサーレンズ、１０２…可変アパーチャ
ー、１０３…アライナー・スティグマー、１０４…ブラ
ンカー、１０５…ブランキング・アパーチャー、１０６
…デフレクター、１０７…対物レンズ、１０８…ステー
ジ、１０９…二次電子検出器、１１２…試料。
０１…コンデンサーレンズ、１０２…可変アパーチャ
ー、１０３…アライナー・スティグマー、１０４…ブラ
ンカー、１０５…ブランキング・アパーチャー、１０６
…デフレクター、１０７…対物レンズ、１０８…ステー
ジ、１０９…二次電子検出器、１１２…試料。
Claims (2)
- 【請求項１】集束イオンビーム（Focused Ion Beam：略
してＦＩＢ）を利用してデバイスを加工する装置におい
て、複数の加工パターンを用いて断面を形成するのに、
個々の加工パターンの位置指定を、目的とする断面から
のオフセット値にて指示することを特徴とする加工位置
指定方法。 - 【請求項２】請求項１において、個々の加工パターンで
使用するビーム及びビームの走査方向を個別に指定でき
ることを特徴とする加工位置指定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29022693A JPH07136781A (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 加工位置指定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29022693A JPH07136781A (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 加工位置指定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07136781A true JPH07136781A (ja) | 1995-05-30 |
Family
ID=17753393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29022693A Pending JPH07136781A (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 加工位置指定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07136781A (ja) |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP29022693A patent/JPH07136781A/ja active Pending
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