JPH0713345A - 電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法およびその装置 - Google Patents
電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法およびその装置Info
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- JPH0713345A JPH0713345A JP17382293A JP17382293A JPH0713345A JP H0713345 A JPH0713345 A JP H0713345A JP 17382293 A JP17382293 A JP 17382293A JP 17382293 A JP17382293 A JP 17382293A JP H0713345 A JPH0713345 A JP H0713345A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子写真感光体用基体の水洗または湯洗後の
水きり乾燥において、大型の装置等を必要とすることな
く有効な水きり乾燥方法を得る。 【構成】 水洗または湯洗後の電子写真感光体用基体の
表面に付着した水滴を除去する方法において、水洗また
は湯洗後の基体をすすぎ槽中に収容し、パーフルオロカ
ーボンを主成分とする液体を気中にて基体に噴射するこ
とを特徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方
法。
水きり乾燥において、大型の装置等を必要とすることな
く有効な水きり乾燥方法を得る。 【構成】 水洗または湯洗後の電子写真感光体用基体の
表面に付着した水滴を除去する方法において、水洗また
は湯洗後の基体をすすぎ槽中に収容し、パーフルオロカ
ーボンを主成分とする液体を気中にて基体に噴射するこ
とを特徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体用基体
の水洗または湯洗を行った後、基体表面に付着した水滴
を除去する方法および装置に関する。
の水洗または湯洗を行った後、基体表面に付着した水滴
を除去する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真感光体は、基体上にセレンなど
の無機質の光導電性感光層、あるいは有機質の電荷発生
物質および電荷輸送物質を含有する感光層が設けられる
が、感光層形成前の基体の洗浄における仕上がり状態に
より感光層の塗膜欠陥が発生するため、その仕上がり状
態に厳しい要求が向けられる。基体の洗浄方法として
は、従来、主として塩素系またはフロン系有機溶剤が使
用されてきたが、環境汚染上の規制から水系洗浄剤を使
用する方法に切り替わりつつある。
の無機質の光導電性感光層、あるいは有機質の電荷発生
物質および電荷輸送物質を含有する感光層が設けられる
が、感光層形成前の基体の洗浄における仕上がり状態に
より感光層の塗膜欠陥が発生するため、その仕上がり状
態に厳しい要求が向けられる。基体の洗浄方法として
は、従来、主として塩素系またはフロン系有機溶剤が使
用されてきたが、環境汚染上の規制から水系洗浄剤を使
用する方法に切り替わりつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、すすぎに水
を使用するこの方法は、水の表面張力や比熱が大きいた
め、基体に付着した水滴を除去することが非常に困難で
ある。そのため基体上に水滴として残留しても感光層塗
膜に影響のない程度の純水が用いられ、また、乾燥装置
として温風発生装置やエアーナイフ装置あるいは純水加
熱装置等が用いられている。
を使用するこの方法は、水の表面張力や比熱が大きいた
め、基体に付着した水滴を除去することが非常に困難で
ある。そのため基体上に水滴として残留しても感光層塗
膜に影響のない程度の純水が用いられ、また、乾燥装置
として温風発生装置やエアーナイフ装置あるいは純水加
熱装置等が用いられている。
【０００４】さらに、洗浄剤をすすぐ方法として、例え
ば特開平４−１６１２８０号公報や特開平４−１７３８
９９号公報には、水溶性洗剤等からなる洗浄液で洗浄し
た被洗浄物をさらに完全フッ素化液体を主成分とするす
すぎ液で洗浄する方法が記載されている。
ば特開平４−１６１２８０号公報や特開平４−１７３８
９９号公報には、水溶性洗剤等からなる洗浄液で洗浄し
た被洗浄物をさらに完全フッ素化液体を主成分とするす
すぎ液で洗浄する方法が記載されている。
【０００５】しかしながら、上述した純水を得るために
は純水発生装置が必要であり、装置の導入、その他ＲＯ
膜のイオン交換樹脂などメンテナンスにも多額の費用を
要する。また上述した乾燥装置の場合も同様にコスト面
からの制約が多い。さらに、上述した洗浄液とすすぎ液
を使用する方法はその分離などが必ずしも容易ではな
い。
は純水発生装置が必要であり、装置の導入、その他ＲＯ
膜のイオン交換樹脂などメンテナンスにも多額の費用を
要する。また上述した乾燥装置の場合も同様にコスト面
からの制約が多い。さらに、上述した洗浄液とすすぎ液
を使用する方法はその分離などが必ずしも容易ではな
い。
【０００６】本発明の目的は、電子写真感光体用基体の
水洗または湯洗後の水きり乾燥において、大型の装置等
を必要とすることなく有効な水きり乾燥方法を得ること
にある。
水洗または湯洗後の水きり乾燥において、大型の装置等
を必要とすることなく有効な水きり乾燥方法を得ること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１
に、水洗または湯洗後、電子写真感光体用基体の表面に
付着した水滴を除去する方法において、水洗または湯洗
後の基体をすすぎ槽中に収容し、パーフルオロカーボン
を主成分とする液体を気中にて基体に噴射することを特
徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供
される。第２に、水洗または湯洗後の基体をパーフルオ
ロカーボンを主成分とする液体が供給されたすすぎ槽中
に浸漬することを特徴とする電子写真感光体用基体の水
きり乾燥方法が提供される。第３に、上記第１または第
２の方法において、パーフルオロカーボンを主成分とす
る液体に超音波振動を印加することを特徴とする電子写
真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供される。第４
に、水洗または湯洗後の基体をパーフルオロカーボンを
主成分とする液体が供給されたすすぎ槽中に浸漬させ、
さらに、該液体中にて基体に該液体を噴射することを特
徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供
される。第５に、水洗または湯洗後の基体をすすぎ槽中
に収容し、パーフルオロカーボンを主成分とする液体を
気中にて基体に噴射するか、または、水洗または湯洗後
の基体をパーフルオロカーボンを主成分とする液体が供
給されたすすぎ槽中に浸漬して水きりした後、前記液体
の蒸気の中に暴露することを特徴とする電子写真感光体
用基体の水きり乾燥方法が提供される。第６に、上記第
５の方法において、パーフルオロカーボンとして沸点が
５０〜２６０℃のものを用いることを特徴とする電子写
真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供される。第７
に、水洗または湯洗後の電子写真感光体用基体の表面に
付着した水滴を除去する装置において、水きりに用いる
パーフルオロカーボンを主成分とする液体をすすぎ槽外
部からすすぎ槽内部へ循環させる経路に、少なくともパ
ーフルオロカーボンを主成分とする液体をろ過するフィ
ルター、パーフルオロカーボンを主成分とする液体と基
体表面に付着した水を分離する装置を設けたことを特徴
とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥装置が提供さ
れる。第８に、上記第７の装置において、水を分離する
装置が、繊維径０．１〜５μｍのファイバー状ろ材を使
用したディプスフィルターを有する装置であることを特
徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥装置が提供
される。
に、水洗または湯洗後、電子写真感光体用基体の表面に
付着した水滴を除去する方法において、水洗または湯洗
後の基体をすすぎ槽中に収容し、パーフルオロカーボン
を主成分とする液体を気中にて基体に噴射することを特
徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供
される。第２に、水洗または湯洗後の基体をパーフルオ
ロカーボンを主成分とする液体が供給されたすすぎ槽中
に浸漬することを特徴とする電子写真感光体用基体の水
きり乾燥方法が提供される。第３に、上記第１または第
２の方法において、パーフルオロカーボンを主成分とす
る液体に超音波振動を印加することを特徴とする電子写
真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供される。第４
に、水洗または湯洗後の基体をパーフルオロカーボンを
主成分とする液体が供給されたすすぎ槽中に浸漬させ、
さらに、該液体中にて基体に該液体を噴射することを特
徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供
される。第５に、水洗または湯洗後の基体をすすぎ槽中
に収容し、パーフルオロカーボンを主成分とする液体を
気中にて基体に噴射するか、または、水洗または湯洗後
の基体をパーフルオロカーボンを主成分とする液体が供
給されたすすぎ槽中に浸漬して水きりした後、前記液体
の蒸気の中に暴露することを特徴とする電子写真感光体
用基体の水きり乾燥方法が提供される。第６に、上記第
５の方法において、パーフルオロカーボンとして沸点が
５０〜２６０℃のものを用いることを特徴とする電子写
真感光体用基体の水きり乾燥方法が提供される。第７
に、水洗または湯洗後の電子写真感光体用基体の表面に
付着した水滴を除去する装置において、水きりに用いる
パーフルオロカーボンを主成分とする液体をすすぎ槽外
部からすすぎ槽内部へ循環させる経路に、少なくともパ
ーフルオロカーボンを主成分とする液体をろ過するフィ
ルター、パーフルオロカーボンを主成分とする液体と基
体表面に付着した水を分離する装置を設けたことを特徴
とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥装置が提供さ
れる。第８に、上記第７の装置において、水を分離する
装置が、繊維径０．１〜５μｍのファイバー状ろ材を使
用したディプスフィルターを有する装置であることを特
徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥装置が提供
される。
【０００８】
【作用】上記パーフルオロカーボンを主成分とした液体
（以下、水きり液体という）は、特性として表面張力が
水に比較して低い（８〜２５ｄｙｎｅ／ｃｍ）、水との
相溶性がほとんどない（数ＰＰＭ）、比重が水よりも大
きい（１．４〜２．３）ことから、上記第１の方法にお
いて、水滴の付着した基体表面に水きり液体を基体に噴
射すると、水きり液体に剪断力が生じ、水滴と基体との
間に水きり液体が簡単に入り込み、一度基体表面から離
れた水滴は、自身の表面張力により水きり液体上で丸ま
って基体表面を流れ落ち、再度基体に付着することはな
い。第２の方法では水滴の付着した基体を水きり液体中
に浸漬すると、比重の違いにより水滴は浮力を受け、水
滴と基体との間に水きり液体が簡単に入り込み、一度基
体表面から離れた水滴は、自身の表面張力により水きり
液体中で丸まって浮上し、再度基体に付着することはな
い。第３の方法では超音波が印加された水きり液体を基
体に作用させると、水きり液体に強力な剪断力が加わる
ため水きり能力が向上する。第４の方法では水きり液体
中に基体を浸漬し、さらに液中にて該液体を基体に噴射
することにより、水滴は浮力を受けると同時に噴射によ
る剪断力が加わるため水きり能力が向上する。第５の方
法では水きり液体を基体に噴射するか、または水きり液
体中に基体を浸漬して水きりを行った後、該液体の蒸気
に基体を暴露し、蒸気洗浄および乾燥を行うことによ
り、水きり液体中に混入している水滴微粒子を蒸気によ
り洗い流し、さらに該蒸気中から基体を低速で離脱する
ことより該液体を乾燥させることができる。第６の方法
ではパーフルオロカーボンの沸点が５０℃以上であるこ
とから、常温における使用において蒸発によるロスが少
なく、また、２６０℃以下であることから上記第５の方
法において乾燥時間を長くさせない。第７に挙げた装置
においては、水きり液体をフィルターによりろ過しなが
らすすぎ槽に循環するとともにその循環経路に水きり液
体と基体表面に付着していた水を分離する装置が設けて
あるため、これにより水きり液体の再生使用が可能とな
る。第８に挙げた装置においては、水きり液体と基体表
面に付着した水を分離する装置として繊維径が０．１〜
５μｍのファイバー状ろ材を使用したディプスフィルタ
ーを有する装置を使用することにより、比重分離だけで
は分離しきれない、水きり液体中に混入しているエマル
ジョン化した微小な水滴を分離除去することが可能とな
り、再使用の水きり液体においても新品同様な状態が得
られる。
（以下、水きり液体という）は、特性として表面張力が
水に比較して低い（８〜２５ｄｙｎｅ／ｃｍ）、水との
相溶性がほとんどない（数ＰＰＭ）、比重が水よりも大
きい（１．４〜２．３）ことから、上記第１の方法にお
いて、水滴の付着した基体表面に水きり液体を基体に噴
射すると、水きり液体に剪断力が生じ、水滴と基体との
間に水きり液体が簡単に入り込み、一度基体表面から離
れた水滴は、自身の表面張力により水きり液体上で丸ま
って基体表面を流れ落ち、再度基体に付着することはな
い。第２の方法では水滴の付着した基体を水きり液体中
に浸漬すると、比重の違いにより水滴は浮力を受け、水
滴と基体との間に水きり液体が簡単に入り込み、一度基
体表面から離れた水滴は、自身の表面張力により水きり
液体中で丸まって浮上し、再度基体に付着することはな
い。第３の方法では超音波が印加された水きり液体を基
体に作用させると、水きり液体に強力な剪断力が加わる
ため水きり能力が向上する。第４の方法では水きり液体
中に基体を浸漬し、さらに液中にて該液体を基体に噴射
することにより、水滴は浮力を受けると同時に噴射によ
る剪断力が加わるため水きり能力が向上する。第５の方
法では水きり液体を基体に噴射するか、または水きり液
体中に基体を浸漬して水きりを行った後、該液体の蒸気
に基体を暴露し、蒸気洗浄および乾燥を行うことによ
り、水きり液体中に混入している水滴微粒子を蒸気によ
り洗い流し、さらに該蒸気中から基体を低速で離脱する
ことより該液体を乾燥させることができる。第６の方法
ではパーフルオロカーボンの沸点が５０℃以上であるこ
とから、常温における使用において蒸発によるロスが少
なく、また、２６０℃以下であることから上記第５の方
法において乾燥時間を長くさせない。第７に挙げた装置
においては、水きり液体をフィルターによりろ過しなが
らすすぎ槽に循環するとともにその循環経路に水きり液
体と基体表面に付着していた水を分離する装置が設けて
あるため、これにより水きり液体の再生使用が可能とな
る。第８に挙げた装置においては、水きり液体と基体表
面に付着した水を分離する装置として繊維径が０．１〜
５μｍのファイバー状ろ材を使用したディプスフィルタ
ーを有する装置を使用することにより、比重分離だけで
は分離しきれない、水きり液体中に混入しているエマル
ジョン化した微小な水滴を分離除去することが可能とな
り、再使用の水きり液体においても新品同様な状態が得
られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 〔実施例１〕図１は水きり乾燥装置の概略図である。図
において、１はすすぎ槽であり、該すすぎ槽１に内部に
は、すすぎ槽の外部に設けた昇降装置（図示せず）によ
り上下方向に移動し、基体１００の長さ以上のストロー
クで基体を揺動するリフター３、該リフター３の上部に
設けられた電動機４の回転シャフト５、スプロケット６
−ａ、チェーン７およびスプロケット６−ｂにより伝達
されて回転する回転台２が配置されている。また、すす
ぎ槽１の外部には水きり液の再生使用を可能にする循環
系として、すすぎ槽１の底部流出口の方から順に水きり
液１１と基体表面に付着した水１２を比重で分離するタ
ンク１０、タンク１０の底部より比重分離された水きり
液を吸収するポンプ１２、繊維径が１〜３μｍのファィ
バー状ろ材を使用したディプスフィルターを有する水を
分離する装置１３および孔径０．５μｍのメンブレンフ
ィルター１４が設けられ、その経路の先に基体１００の
内面側に噴射するノズル１５と基体１００の外面側を噴
射するノズル１６がそれぞれ設けられている。この外面
用ノズル１６は基体１００の周囲方向に基体１本につき
４本取り付けられている。またノズル後部には発振周波
数１ＭＨｚの超音波振動子１７が取り付けられており、
送液された水きり液はノズル内部にて超音波を印加され
基体表面に噴射される。噴射圧力はバルブ１８で調整す
る。
明する。 〔実施例１〕図１は水きり乾燥装置の概略図である。図
において、１はすすぎ槽であり、該すすぎ槽１に内部に
は、すすぎ槽の外部に設けた昇降装置（図示せず）によ
り上下方向に移動し、基体１００の長さ以上のストロー
クで基体を揺動するリフター３、該リフター３の上部に
設けられた電動機４の回転シャフト５、スプロケット６
−ａ、チェーン７およびスプロケット６−ｂにより伝達
されて回転する回転台２が配置されている。また、すす
ぎ槽１の外部には水きり液の再生使用を可能にする循環
系として、すすぎ槽１の底部流出口の方から順に水きり
液１１と基体表面に付着した水１２を比重で分離するタ
ンク１０、タンク１０の底部より比重分離された水きり
液を吸収するポンプ１２、繊維径が１〜３μｍのファィ
バー状ろ材を使用したディプスフィルターを有する水を
分離する装置１３および孔径０．５μｍのメンブレンフ
ィルター１４が設けられ、その経路の先に基体１００の
内面側に噴射するノズル１５と基体１００の外面側を噴
射するノズル１６がそれぞれ設けられている。この外面
用ノズル１６は基体１００の周囲方向に基体１本につき
４本取り付けられている。またノズル後部には発振周波
数１ＭＨｚの超音波振動子１７が取り付けられており、
送液された水きり液はノズル内部にて超音波を印加され
基体表面に噴射される。噴射圧力はバルブ１８で調整す
る。
【００１０】以上の装置により、基体１００として外径
φ８０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍのものを
水溶性洗浄剤で洗浄し、市水で洗浄剤を十分にすすいだ
後のものを用いて回転台２上に垂直に載置し、また、水
きり液としてパーフルオロアルカン、パーフルオロアル
キルターシャリーアミン、パーフルオロエーテル、パー
フルオロポリエーテル、パーフルオロカーボンからなる
液体を用い、基体１００の周方向回転数を６０ｒｐｍ、
揺動ストロークを３５０ｍｍ、水きり液の噴射圧力を次
の４水準とし、それぞれの圧力における噴射開始から基
体表面上の水滴がなくなるまでの時間を測定した。 水きり液の噴射圧力：０．５、１、２、３Ｋｇ／ｃｍ2
φ８０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍのものを
水溶性洗浄剤で洗浄し、市水で洗浄剤を十分にすすいだ
後のものを用いて回転台２上に垂直に載置し、また、水
きり液としてパーフルオロアルカン、パーフルオロアル
キルターシャリーアミン、パーフルオロエーテル、パー
フルオロポリエーテル、パーフルオロカーボンからなる
液体を用い、基体１００の周方向回転数を６０ｒｐｍ、
揺動ストロークを３５０ｍｍ、水きり液の噴射圧力を次
の４水準とし、それぞれの圧力における噴射開始から基
体表面上の水滴がなくなるまでの時間を測定した。 水きり液の噴射圧力：０．５、１、２、３Ｋｇ／ｃｍ2
【００１１】〔実施例２〕実施例１において、基体１０
０を回転させない他は実施例１と全く同様にして水きり
乾燥を行った。
０を回転させない他は実施例１と全く同様にして水きり
乾燥を行った。
【００１２】〔実施例３〕実施例１において、外面用ノ
ズル１６により噴射される水きり液に超音波を印加しな
い他は実施例１と同様にして水きり乾燥を行った。
ズル１６により噴射される水きり液に超音波を印加しな
い他は実施例１と同様にして水きり乾燥を行った。
【００１３】〔実施例４〕図２は図１と類似の水きり乾
燥装置の概略図であり、図１と同様な要素には同じ符号
を付してある。本例ではこの装置を用いて、すすぎ槽２
０に水きり液１１を満たし、その中に水溶性洗浄剤で洗
浄し市水にて洗浄剤を十分にすすいだ基体１００を収容
し、ノズル噴射を気中ではなく液中で行った。その他は
実施例１と全く同様にして水きり乾燥を行った。
燥装置の概略図であり、図１と同様な要素には同じ符号
を付してある。本例ではこの装置を用いて、すすぎ槽２
０に水きり液１１を満たし、その中に水溶性洗浄剤で洗
浄し市水にて洗浄剤を十分にすすいだ基体１００を収容
し、ノズル噴射を気中ではなく液中で行った。その他は
実施例１と全く同様にして水きり乾燥を行った。
【００１４】〔実施例５〕実施例４において、基体１０
０を回転させない他は実施例４と同様にして水きり乾燥
を行った。
０を回転させない他は実施例４と同様にして水きり乾燥
を行った。
【００１５】〔実施例６〕実施例４において、外面用ノ
ズル１６による水きり液の噴射を行わない他は実施例４
と同様にして水きり乾燥を行った。
ズル１６による水きり液の噴射を行わない他は実施例４
と同様にして水きり乾燥を行った。
【００１６】以上の実施例１〜６による結果を図４に示
す。図４から、本発明によれば水きり時間が１分以内と
非常に短時間で済むことが分かる。
す。図４から、本発明によれば水きり時間が１分以内と
非常に短時間で済むことが分かる。
【００１７】〔実施例７〕図３は蒸気層による水きり乾
燥装置の概略図である。図において、３０は蒸気洗浄槽
であり、該槽３０には底面にヒーター３１が、また、上
部側面に冷却コイル３２が設けられている。この蒸気洗
浄槽３０に水きり液１１を図のように槽下部のみに供給
し沸騰させて、水きり液の蒸気を発生させ、槽上部の冷
却コイル３２により冷却すると蒸気層３３が形成する。
この蒸気層中に実施例１と同様にして水きりを行った基
体１００を保持具３４に載置して静置させ、次いで上方
に低速で引き上げることにより基体表面が蒸気洗浄され
乾燥される。本例では沸点５４℃の水きり液を使用し、
蒸気層中での静置時間を３０秒、引上げ速度を５０ｍｍ
／秒として水きり乾燥を行った。次に、この水きり乾燥
を行った基体１００上に、アルコール可溶性ポリアミド
樹脂１００グラムをメタノール１５００グラムに溶解さ
せた溶液を浸漬法で塗布し、１００℃で５分間乾燥して
膜厚０．１μｍの下引き層を形成した。次にこの下引き
層上に、ビスアゾ顔料５グラムおよびシクロヘキサン８
００グラムをボールミル中で１０時間混合分散して得た
高粘度のクリーム状分散液にメチルイソブチルケトン１
３００グラムを加えて希釈した塗布液を浸漬法で塗布
し、１００℃で１０分間乾燥させて膜厚０．３μｍの電
荷発生層を形成した。この塗膜は光沢のある均一な平滑
膜であった。次に電荷輸送物質３００グラム、ポリカー
ボネート樹脂８００グラムおよびメチレンクロライド１
０００グラムの均一溶液を調製して塗布液とし、この塗
布液を上記電荷発生層の上に、浸漬法で塗布し、１２０
℃で３０分間乾燥して膜厚５０μｍの電荷輸送層を形成
した。こうして得られた機能分離型電子写真感光体を−
６．０ＫＶスコロトロン方式のコロナ帯電、ハロゲンラ
ンプによる画像露光、乾式トナーによる現像、普通紙へ
の画像転写およびグレードまたはマグブラシによるクリ
ーニングの構成から成る複写機にセットし、画像上の欠
陥数を計数したところ、欠陥数は０であった。
燥装置の概略図である。図において、３０は蒸気洗浄槽
であり、該槽３０には底面にヒーター３１が、また、上
部側面に冷却コイル３２が設けられている。この蒸気洗
浄槽３０に水きり液１１を図のように槽下部のみに供給
し沸騰させて、水きり液の蒸気を発生させ、槽上部の冷
却コイル３２により冷却すると蒸気層３３が形成する。
この蒸気層中に実施例１と同様にして水きりを行った基
体１００を保持具３４に載置して静置させ、次いで上方
に低速で引き上げることにより基体表面が蒸気洗浄され
乾燥される。本例では沸点５４℃の水きり液を使用し、
蒸気層中での静置時間を３０秒、引上げ速度を５０ｍｍ
／秒として水きり乾燥を行った。次に、この水きり乾燥
を行った基体１００上に、アルコール可溶性ポリアミド
樹脂１００グラムをメタノール１５００グラムに溶解さ
せた溶液を浸漬法で塗布し、１００℃で５分間乾燥して
膜厚０．１μｍの下引き層を形成した。次にこの下引き
層上に、ビスアゾ顔料５グラムおよびシクロヘキサン８
００グラムをボールミル中で１０時間混合分散して得た
高粘度のクリーム状分散液にメチルイソブチルケトン１
３００グラムを加えて希釈した塗布液を浸漬法で塗布
し、１００℃で１０分間乾燥させて膜厚０．３μｍの電
荷発生層を形成した。この塗膜は光沢のある均一な平滑
膜であった。次に電荷輸送物質３００グラム、ポリカー
ボネート樹脂８００グラムおよびメチレンクロライド１
０００グラムの均一溶液を調製して塗布液とし、この塗
布液を上記電荷発生層の上に、浸漬法で塗布し、１２０
℃で３０分間乾燥して膜厚５０μｍの電荷輸送層を形成
した。こうして得られた機能分離型電子写真感光体を−
６．０ＫＶスコロトロン方式のコロナ帯電、ハロゲンラ
ンプによる画像露光、乾式トナーによる現像、普通紙へ
の画像転写およびグレードまたはマグブラシによるクリ
ーニングの構成から成る複写機にセットし、画像上の欠
陥数を計数したところ、欠陥数は０であった。
【００１８】〔実施例８〕実施例１において水きりを行
った基体１００をクリーンルーム(クラス１０)内でその
まま乾燥させ、その基体上に実施例７と同様にして感光
層を形成させ、普通紙複写機を用いて画像上の欠陥数を
計数したところ、欠陥数は１２であった。
った基体１００をクリーンルーム(クラス１０)内でその
まま乾燥させ、その基体上に実施例７と同様にして感光
層を形成させ、普通紙複写機を用いて画像上の欠陥数を
計数したところ、欠陥数は１２であった。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、パーフル
オロカーボンを主成分とする液体の有する水と異なる特
性と該液体を噴射または浸漬という簡単な手段とによる
作用から基体表面に付着した水滴が該液体によって置き
換えられ、さらに該液体の有する乾燥性の速さから短時
間に基体の水除去が行える。
オロカーボンを主成分とする液体の有する水と異なる特
性と該液体を噴射または浸漬という簡単な手段とによる
作用から基体表面に付着した水滴が該液体によって置き
換えられ、さらに該液体の有する乾燥性の速さから短時
間に基体の水除去が行える。
【図１】本発明の水きり乾燥方法で用いる装置の概略正
面断面図である。
面断面図である。
【図２】本発明の水きり乾燥方法で用いる図１に類似し
た装置の概略正面断面図である。
た装置の概略正面断面図である。
【図３】本発明の水きり乾燥方法で用いる、さらに別の
装置の概略正面断面図である。
装置の概略正面断面図である。
【図４】本発明の水きり乾燥方法における水きり液の噴
射圧力と水きり時間との関係を示すグラフである。
射圧力と水きり時間との関係を示すグラフである。
１ すすぎ槽 ２ 回転台 ３ リフター ４ 電動機 １０ タンク １１ 水きり液 １３ 水を分離する装置 １４ メンブレンフィルター １５ 基体の内面噴射用ノズル １６ 基体の外面噴射用ノズル １７ 超音波振動子 ３３ 蒸気層 １００ 水洗または湯洗後の基体
Claims (8)
- 【請求項１】 水洗または湯洗後、電子写真感光体用基
体の表面に付着した水滴を除去する方法において、水洗
または湯洗後の基体をすすぎ槽中に収容し、パーフルオ
ロカーボンを主成分とする液体を気中にて基体に噴射す
ることを特徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥
方法。 - 【請求項２】 水洗または湯洗後、電子写真感光体用基
体の表面に付着した水滴を除去する方法において、水洗
または湯洗後の基体をパーフルオロカーボンを主成分と
する液体が供給されたすすぎ槽中に浸漬することを特徴
とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法。 - 【請求項３】 上記液体に超音波振動を印加することを
特徴とする請求項１又は２に記載の電子写真感光体用基
体の水きり乾燥方法。 - 【請求項４】 水洗または湯洗後、電子写真感光体用基
体の表面に付着した水滴を除去する方法において、水洗
または湯洗後の基体をパーフルオロカーボンを主成分と
する液体が供給されたすすぎ槽中に浸漬させ、さらに、
該液体中にて基体に該液体を噴射することを特徴とする
電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法。 - 【請求項５】 水洗または湯洗後、電子写真感光体用基
体の表面に付着した水滴を除去する方法において、水洗
または湯洗後の基体をすすぎ槽中に収容し、パーフルオ
ロカーボンを主成分とする液体を気中にて基体に噴射す
るか、または、水洗または湯洗後の基体をパーフルオロ
カーボンを主成分とする液体が供給されたすすぎ槽中に
浸漬して水きりした後、前記液体の蒸気の中に基体を暴
露することを特徴とする電子写真感光体用基体の水きり
乾燥方法。 - 【請求項６】 パーフルオロカーボンとして沸点が５０
〜２６０℃のものを用いることを特徴とする請求項５に
記載の電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法。 - 【請求項７】 水洗または湯洗後の電子写真感光体用基
体の表面に付着した水滴を除去する装置において、水き
りに用いるパーフルオロカーボンを主成分とする液体を
すすぎ槽外部からすすぎ槽内部へ循環させる経路に、少
なくともパーフルオロカーボンを主成分とする液体をろ
過するフィルター、パーフルオロカーボンを主成分とす
る液体と基体表面に付着した水を分離する装置を設けた
ことを特徴とする電子写真感光体用基体の水きり乾燥装
置。 - 【請求項８】 上記水を分離する装置が、繊維径が０．
１〜５μｍのファイバー状ろ材を使用したディプスフィ
ルターを有する装置であることを特徴とする請求項７に
記載の電子写真感光体用基体の水きり乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17382293A JPH0713345A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17382293A JPH0713345A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713345A true JPH0713345A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15967798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17382293A Pending JPH0713345A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 電子写真感光体用基体の水きり乾燥方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180040474A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-compound-removing solvent and method in lithography |
| US20230324806A1 (en) * | 2016-08-05 | 2023-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-Compound-Removing Solvent And Method In Lithography |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP17382293A patent/JPH0713345A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180040474A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-compound-removing solvent and method in lithography |
| CN107689322A (zh) * | 2016-08-05 | 2018-02-13 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造一半导体元件的方法 |
| US10622211B2 (en) * | 2016-08-05 | 2020-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-compound-removing solvent and method in lithography |
| US20230324806A1 (en) * | 2016-08-05 | 2023-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-Compound-Removing Solvent And Method In Lithography |
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