JPH07131104A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH07131104A JPH07131104A JP27143193A JP27143193A JPH07131104A JP H07131104 A JPH07131104 A JP H07131104A JP 27143193 A JP27143193 A JP 27143193A JP 27143193 A JP27143193 A JP 27143193A JP H07131104 A JPH07131104 A JP H07131104A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を有
する半導体レーザを実現することである。 【構成】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得
の周期的摂動とを同時に有する活性層３上に回折格子７
が配設された半導体レーザ装置であって、回折格子７の
周期に不等ピッチ成分を存在せしめ、両者の周期的摂動
の位相が一致していると共に、不均一な周期成分領域を
有する半導体レーザ装置によって構成される。不均一な
周期成分領域を有する回折格子７としては、例えば周期
的摂動の位相が不連続となる領域を有するもの、周期的
摂動の周期が異なる領域を２つ以上有するもの、周期的
摂動の周期が不均一な領域を有するもの等が挙げられ
る。 【効果】１ｋＨｚ〜２０ＧＨｚの広帯域に渡って平坦な
周波数変調応答特性を有する半導体レーザを得ることが
できる。
する半導体レーザを実現することである。 【構成】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得
の周期的摂動とを同時に有する活性層３上に回折格子７
が配設された半導体レーザ装置であって、回折格子７の
周期に不等ピッチ成分を存在せしめ、両者の周期的摂動
の位相が一致していると共に、不均一な周期成分領域を
有する半導体レーザ装置によって構成される。不均一な
周期成分領域を有する回折格子７としては、例えば周期
的摂動の位相が不連続となる領域を有するもの、周期的
摂動の周期が異なる領域を２つ以上有するもの、周期的
摂動の周期が不均一な領域を有するもの等が挙げられ
る。 【効果】１ｋＨｚ〜２０ＧＨｚの広帯域に渡って平坦な
周波数変調応答特性を有する半導体レーザを得ることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に係
り、特にコヒーレント光通信における送信用光源に好適
な半導体レーザ装置に関する。
り、特にコヒーレント光通信における送信用光源に好適
な半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】共振器の共振方向に等ピッチの回折格子
を設け、屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動を同時
に有する半導体レーザ装置は知られている。そしてこの
種の半導体レーザ装置を用いた従来のコヒーレント光通
信においては、例えば１９９０年電子情報通信学会春季
全国大会予稿集、Ｃ−１５０にあるように、屈折率の周
期的摂動を有する半導体レ−ザを変調することにより、
周波数を変調していた。
を設け、屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動を同時
に有する半導体レーザ装置は知られている。そしてこの
種の半導体レーザ装置を用いた従来のコヒーレント光通
信においては、例えば１９９０年電子情報通信学会春季
全国大会予稿集、Ｃ−１５０にあるように、屈折率の周
期的摂動を有する半導体レ−ザを変調することにより、
周波数を変調していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところがこの場合に
は、熱的な要因と電気的な要因とが絡み合い低周波領域
において周波数変調応答が極端に小さくなる領域が現わ
れるために、平坦な周波数変調応答特性が得られないと
云う問題があった。したがって、本発明の目的は、この
ような従来の問題を解消することにあり、広帯域に渡っ
て平坦な周波数変調応答特性を実現することのできる半
導体レーザ装置を提供するにある。
は、熱的な要因と電気的な要因とが絡み合い低周波領域
において周波数変調応答が極端に小さくなる領域が現わ
れるために、平坦な周波数変調応答特性が得られないと
云う問題があった。したがって、本発明の目的は、この
ような従来の問題を解消することにあり、広帯域に渡っ
て平坦な周波数変調応答特性を実現することのできる半
導体レーザ装置を提供するにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、低周波領
域において周波数変調応答が極端に小さくなる領域が現
われる要因とその対策について種々実験検討した。その
結果、特に低周波数領域において平坦な周波数変調応答
特性を得るためには、キャリア注入による波長変化をレ
ッドシフト（長波長側に変化させる）になるように工夫
すればよく、利得結合と屈折率結合とを組み合わせるこ
とにより、共振器の共振方向の光強度分布を制御する方
法が有効であるという知見を得た。
域において周波数変調応答が極端に小さくなる領域が現
われる要因とその対策について種々実験検討した。その
結果、特に低周波数領域において平坦な周波数変調応答
特性を得るためには、キャリア注入による波長変化をレ
ッドシフト（長波長側に変化させる）になるように工夫
すればよく、利得結合と屈折率結合とを組み合わせるこ
とにより、共振器の共振方向の光強度分布を制御する方
法が有効であるという知見を得た。
【０００５】本発明は、このような知見に基づいてなさ
れたものであり、上記目的は、共振器の共振方向に屈折
率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する半
導体レーザ装置であって、両者の周期的摂動の位相が一
致していると共に、不均一な周期成分領域を有して成る
半導体レーザ装置により、達成される。具体的には実施
例の項で説明するが、ここで代表的な解決手段を総括的
に述べると、以下の通りである。
れたものであり、上記目的は、共振器の共振方向に屈折
率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する半
導体レーザ装置であって、両者の周期的摂動の位相が一
致していると共に、不均一な周期成分領域を有して成る
半導体レーザ装置により、達成される。具体的には実施
例の項で説明するが、ここで代表的な解決手段を総括的
に述べると、以下の通りである。
【０００６】先ず、第１には、共振器の共振方向に屈折
率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する半
導体レーザ装置であって、両者の周期的摂動の位相が一
致していると共に、さらにその周期的摂動の位相が不連
続となる領域を有していること、第２には、両者の周期
的摂動の位相が一致していると共に、さらにその周期的
摂動の周期が異なる領域を２つ以上有していること、第
３には、両者の周期的摂動の位相が一致しており、さら
にその周期的摂動の周期が連続的に変化している領域を
有してことである。
率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する半
導体レーザ装置であって、両者の周期的摂動の位相が一
致していると共に、さらにその周期的摂動の位相が不連
続となる領域を有していること、第２には、両者の周期
的摂動の位相が一致していると共に、さらにその周期的
摂動の周期が異なる領域を２つ以上有していること、第
３には、両者の周期的摂動の位相が一致しており、さら
にその周期的摂動の周期が連続的に変化している領域を
有してことである。
【０００７】
【作用】位相シフト型半導体レーザの共振器方向の光強
度分布を図２に示す。通常の屈折率結合型では、駆動電
流を増加するともに、中央部での光の集中がより顕著に
なる。このため、位相シフト量が増加し、発振波長が短
波長側にシフトする。これに対し、本発明の原理となる
屈折率結合に利得結合を組み合わせた構造では、駆動電
流を増加するとともにプラズマ効果により屈折率結合が
弱くなるため、共振器方向での光の集中が緩和される。
このため位相シフト量が減少し、発振波長が長波長側へ
シフトする。この発振波長の駆動電流依存性を図３に示
す。このように屈折率結合に利得結合を組み合わせた構
造では、キャリアによる波長変化と熱による波長変化が
ともにレッドシフトになるため、広帯域に渡って平坦な
周波数変調応答特性を得ることができる。
度分布を図２に示す。通常の屈折率結合型では、駆動電
流を増加するともに、中央部での光の集中がより顕著に
なる。このため、位相シフト量が増加し、発振波長が短
波長側にシフトする。これに対し、本発明の原理となる
屈折率結合に利得結合を組み合わせた構造では、駆動電
流を増加するとともにプラズマ効果により屈折率結合が
弱くなるため、共振器方向での光の集中が緩和される。
このため位相シフト量が減少し、発振波長が長波長側へ
シフトする。この発振波長の駆動電流依存性を図３に示
す。このように屈折率結合に利得結合を組み合わせた構
造では、キャリアによる波長変化と熱による波長変化が
ともにレッドシフトになるため、広帯域に渡って平坦な
周波数変調応答特性を得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に従って説明
する。 〈実施例１〉本発明の第１の実施例を図１を用いて説明
する。ｎ型ＩｎＰ基板１上に有機金属気相成長法を用い
て厚さ５０ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層２およ
び厚さ２００ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３を多層成長
する。次に、電子線直接描画法を用いて、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３の表面に周期が２４０ｎｍの回折格子７を作
製する。この回折格子７は、共振器の中央で位相が反転
している。この位相が反転している領域は、隣接する等
ピッチ周期（２４０ｎｍ）の１〜３ピッチ分が実用上好
ましく、ここでは約１．５ピッチ分とした。
する。 〈実施例１〉本発明の第１の実施例を図１を用いて説明
する。ｎ型ＩｎＰ基板１上に有機金属気相成長法を用い
て厚さ５０ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層２およ
び厚さ２００ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３を多層成長
する。次に、電子線直接描画法を用いて、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層３の表面に周期が２４０ｎｍの回折格子７を作
製する。この回折格子７は、共振器の中央で位相が反転
している。この位相が反転している領域は、隣接する等
ピッチ周期（２４０ｎｍ）の１〜３ピッチ分が実用上好
ましく、ここでは約１．５ピッチ分とした。
【０００９】次いで、回折格子７の上に有機金属気相成
長法を用いて厚さ１００ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガ
イド層４、２μｍのｐ型ＩｎＰクッラド層５、および５
０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６を順次多層成
長する。最後に、ｎ電極８およびｐ電極９を形成し、へ
き開により図示の断面構造を有するレーザ構造とした。
長法を用いて厚さ１００ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガ
イド層４、２μｍのｐ型ＩｎＰクッラド層５、および５
０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層６を順次多層成
長する。最後に、ｎ電極８およびｐ電極９を形成し、へ
き開により図示の断面構造を有するレーザ構造とした。
【００１０】ここで回折格子７を作製する際にＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層３の上にｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層４
の薄膜を成長しておくことも可能である。また、回折格
子７の上に結晶成長する際に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３
とｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層４との間にｐ型ＩｎＰ
層を挿入することも可能である。
ＡｓＰ活性層３の上にｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層４
の薄膜を成長しておくことも可能である。また、回折格
子７の上に結晶成長する際に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３
とｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層４との間にｐ型ＩｎＰ
層を挿入することも可能である。
【００１１】このようにして作製した半導体レーザを直
接変調することにより、発振周波数を変調した。その結
果、１ｋＨｚから２０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な
（３ｄＢ帯域）周波数変調応答特性を得ることができ
た。また、２．０ＧＨｚ／ｍＡと高い変調感度を得るこ
とができた。
接変調することにより、発振周波数を変調した。その結
果、１ｋＨｚから２０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な
（３ｄＢ帯域）周波数変調応答特性を得ることができ
た。また、２．０ＧＨｚ／ｍＡと高い変調感度を得るこ
とができた。
【００１２】〈実施例２〉次に本発明の第２の実施例を
図４を用いて説明する。第２の実施例では回折格子７の
構造が第１の実施例と異なる。すなわち、回折格子の周
期が共振器の中央付近で短くなっている。この周期の短
い領域は、回折格子全長の５〜３０％が実用上好まし
く、ピッチの数は任意とすることができる。このように
して作製した半導体レーザを直接変調することにより、
発振周波数を変調した。その結果、１ｋＨｚから２０Ｇ
Ｈｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄＢ帯域）周波数変
調応答特性を得ることができた。また、２．０ＧＨｚ／
ｍＡと高い変調感度を得ることができた。なお、各層の
厚さは、実施例１の場合と同様にした。
図４を用いて説明する。第２の実施例では回折格子７の
構造が第１の実施例と異なる。すなわち、回折格子の周
期が共振器の中央付近で短くなっている。この周期の短
い領域は、回折格子全長の５〜３０％が実用上好まし
く、ピッチの数は任意とすることができる。このように
して作製した半導体レーザを直接変調することにより、
発振周波数を変調した。その結果、１ｋＨｚから２０Ｇ
Ｈｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄＢ帯域）周波数変
調応答特性を得ることができた。また、２．０ＧＨｚ／
ｍＡと高い変調感度を得ることができた。なお、各層の
厚さは、実施例１の場合と同様にした。
【００１３】〈実施例３〉次に本発明の第３の実施例を
図５を用いて説明する。第３の実施例では回折格子７の
構造が第１の実施例と異なる。すなわち、回折格子７の
周期が共振器の左端から右に行くにしたがって直線的に
変化し長くなっている。左端と右端との周期の変化量
は、左端のピッチを基準にしたとき右端はそれよりも
０．５〜５％程度長くするのが実用上好ましい。このよ
うにして作製した半導体レーザを直接変調することによ
り、発振周波数を変調した。その結果、１ｋＨｚから２
０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄＢ帯域）周波
数変調応答特性を得ることができた。また、２．０ＧＨ
ｚ／ｍＡと高い変調感度を得ることができた。なお、各
層の厚さは、実施例１の場合と同様にした。
図５を用いて説明する。第３の実施例では回折格子７の
構造が第１の実施例と異なる。すなわち、回折格子７の
周期が共振器の左端から右に行くにしたがって直線的に
変化し長くなっている。左端と右端との周期の変化量
は、左端のピッチを基準にしたとき右端はそれよりも
０．５〜５％程度長くするのが実用上好ましい。このよ
うにして作製した半導体レーザを直接変調することによ
り、発振周波数を変調した。その結果、１ｋＨｚから２
０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄＢ帯域）周波
数変調応答特性を得ることができた。また、２．０ＧＨ
ｚ／ｍＡと高い変調感度を得ることができた。なお、各
層の厚さは、実施例１の場合と同様にした。
【００１４】〈実施例４〉次に本発明の第４の実施例を
図６を用いて説明する。ｎ型ＩｎＰ基板１上に有機金属
気相成長法を用いてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層２を
成長する。次に電子線直接描画法を用いて、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ下ガイド層２の表面に周期が２４０ｎｍの回折
格子７を作製する。この回折格子７は実施例１と同様に
共振器の中央で位相が反転している。ただし、回折格子
７の形成面を実施例１とは逆の構造で、活性層３の裏面
とした。回折格子７の上に有機金属気相成長法を用い
て、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガ
イド層４、ｐ型ＩｎＰクッラド層５、およびｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰキャップ層６を多層成長する。次に、ｎ電極８
およびｐ電極９を形成し、へき開によりレーザ構造とし
た。このようにして作製した半導体レーザを直接変調す
ることにより、発振周波数を変調した。その結果、１ｋ
Ｈｚから２０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄＢ
帯域）周波数変調応答特性を得ることができた。また、
２．０ＧＨｚ／ｍＡと高い変調感度を得ることができ
た。なお、各層の厚さは、基本的には実施例１と同様で
あるが、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層２とｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ下ガイド層４とを入替え、前者を１００ｎｍ、
後者を５０ｎｍの厚とした。
図６を用いて説明する。ｎ型ＩｎＰ基板１上に有機金属
気相成長法を用いてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層２を
成長する。次に電子線直接描画法を用いて、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ下ガイド層２の表面に周期が２４０ｎｍの回折
格子７を作製する。この回折格子７は実施例１と同様に
共振器の中央で位相が反転している。ただし、回折格子
７の形成面を実施例１とは逆の構造で、活性層３の裏面
とした。回折格子７の上に有機金属気相成長法を用い
て、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガ
イド層４、ｐ型ＩｎＰクッラド層５、およびｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰキャップ層６を多層成長する。次に、ｎ電極８
およびｐ電極９を形成し、へき開によりレーザ構造とし
た。このようにして作製した半導体レーザを直接変調す
ることにより、発振周波数を変調した。その結果、１ｋ
Ｈｚから２０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄＢ
帯域）周波数変調応答特性を得ることができた。また、
２．０ＧＨｚ／ｍＡと高い変調感度を得ることができ
た。なお、各層の厚さは、基本的には実施例１と同様で
あるが、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下ガイド層２とｐ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ下ガイド層４とを入替え、前者を１００ｎｍ、
後者を５０ｎｍの厚とした。
【００１５】〈実施例５〉次に本発明の第５の実施例を
図７を用いて説明する。第５の実施例では、活性層３に
膜厚４ｎｍのＩｎＧａＡｓ井戸層と１０ｎｍのＩｎＧａ
ＡｓＰ障壁層との５回繰返し層からなる多重量子井戸構
造（総膜厚７０ｎｍ）を導入した点が第１の実施例と異
なる。このようにして作製した半導体レーザを直接変調
することにより、発振周波数を変調した。その結果、１
ｋＨｚから２０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄ
Ｂ帯域）周波数変調応答特性を得ることができた。ま
た、２．０ＧＨｚ／ｍＡと高い変調感度を得ることがで
きた。以上、何れもＩｎＰ系材料の実施例を代表例とし
て示したが、本発明はその他いかなる材料系の半導体レ
ーザにも適応可能であることは云うまでもない。さらに
いかなる横方向制御構造にも適応可能である。
図７を用いて説明する。第５の実施例では、活性層３に
膜厚４ｎｍのＩｎＧａＡｓ井戸層と１０ｎｍのＩｎＧａ
ＡｓＰ障壁層との５回繰返し層からなる多重量子井戸構
造（総膜厚７０ｎｍ）を導入した点が第１の実施例と異
なる。このようにして作製した半導体レーザを直接変調
することにより、発振周波数を変調した。その結果、１
ｋＨｚから２０ＧＨｚの広帯域に渡って、平坦な（３ｄ
Ｂ帯域）周波数変調応答特性を得ることができた。ま
た、２．０ＧＨｚ／ｍＡと高い変調感度を得ることがで
きた。以上、何れもＩｎＰ系材料の実施例を代表例とし
て示したが、本発明はその他いかなる材料系の半導体レ
ーザにも適応可能であることは云うまでもない。さらに
いかなる横方向制御構造にも適応可能である。
【００１６】〈実施例６〉次に、本発明の第６の実施例
を図８を用いて説明する。本発明の半導体レーザを送信
用光源として用いたコヒーレント光通信システムであ
る。４つの半導体レーザをそれぞれ１０Ｇｂｉｔ／ｓの
速さで周波数変調する。それぞれの光を１本の光ファイ
バに挿入し、１００ｋｍの伝送後、ヘテロダイン検波に
より信号を受信した。これにより１本の光りファイバを
用いて４０Ｇｂｉｔ／ｓの伝送をおこなうことができ
た。本実施例では４チャンネルの例を示したが、チャン
ネル数をさらに増やすことは可能である。
を図８を用いて説明する。本発明の半導体レーザを送信
用光源として用いたコヒーレント光通信システムであ
る。４つの半導体レーザをそれぞれ１０Ｇｂｉｔ／ｓの
速さで周波数変調する。それぞれの光を１本の光ファイ
バに挿入し、１００ｋｍの伝送後、ヘテロダイン検波に
より信号を受信した。これにより１本の光りファイバを
用いて４０Ｇｂｉｔ／ｓの伝送をおこなうことができ
た。本実施例では４チャンネルの例を示したが、チャン
ネル数をさらに増やすことは可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明により所期の
目的を達成することができた。すなわち、１ｋＨｚ〜２
０ＧＨｚの広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を
有する半導体レーザを実現することができた。
目的を達成することができた。すなわち、１ｋＨｚ〜２
０ＧＨｚの広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を
有する半導体レーザを実現することができた。
【図１】本発明の第１の実施例となる半導体レーザの横
断面図。
断面図。
【図２】同じく本発明の原理作用を説明するための概念
図。
図。
【図３】同じく本発明の原理作用を説明するための概念
図。
図。
【図４】同じく本発明の第２の実施例となる半導体レー
ザの横断面図。
ザの横断面図。
【図５】同じく本発明の第３の実施例となる半導体レー
ザの横断面図。
ザの横断面図。
【図６】同じく本発明の第４の実施例となる半導体レー
ザの横断面図。
ザの横断面図。
【図７】同じく本発明の第５の実施例となる半導体レー
ザの横断面図。
ザの横断面図。
【図８】同じく本発明の第６の実施例となる光通信シス
テムの概念図。
テムの概念図。
１…基板、 ２…下ガイド層、３…活性
層、 ４…上ガイド層、５…クラッド層、
６…キャップ層、７…回折格子、
８、９…電極。
層、 ４…上ガイド層、５…クラッド層、
６…キャップ層、７…回折格子、
８、９…電極。
Claims (12)
- 【請求項１】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と
利得の周期的摂動とを同時に有する半導体レーザ装置で
あって、両者の周期的摂動の位相が一致していると共
に、不均一な周期成分領域を有して成る半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と
利得の周期的摂動とを同時に有する半導体レーザ装置で
あって、両者の周期的摂動の位相が一致していると共
に、さらにその周期的摂動の位相が不連続となる領域を
有して成る半導体レーザ装置。 - 【請求項３】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と
利得の周期的摂動とを同時に有する半導体レーザ装置で
あって、両者の周期的摂動の位相が一致していると共
に、さらにその周期的摂動の周期が異なる領域を２つ以
上有して成る半導体レーザ装置。 - 【請求項４】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と
利得の周期的摂動とを同時に有する半導体レーザ装置で
あって、両者の周期的摂動の位相が一致しており、さら
にその周期的摂動の周期が連続的に変化している領域を
有して成る半導体レーザ装置。 - 【請求項５】活性層の表層部に周期的な凹凸を共振器の
共振方向に向かって配設して成る請求項１乃至４何れか
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】活性層の下層部表面に周期的な凹凸を共振
器の共振方向に向かって配設して成る請求項１乃至４何
れか記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】活性層を多重量子井戸構造として成る請求
項１乃至６何れか記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】活性層上に回折格子が配設され、共振器の
共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを
同時に有するた半導体レーザ装置であって、両者の周期
的摂動の位相が一致していると共に、不均一な周期成分
領域を有する回折格子を具備して成る半導体レーザ装
置。 - 【請求項９】活性層上に回折格子が配設され、共振器の
共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを
同時に有する半導体レーザ装置であって、両者の周期的
摂動の位相が一致していると共に、さらにその周期的摂
動の位相が不連続となる領域を有する回折格子を具備し
て成る半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】活性層上に回折格子が配設され、共振器
の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動と
を同時に有する半導体レーザ装置であって、両者の周期
的摂動の位相が一致していると共に、さらにその周期的
摂動の周期が異なる領域を２つ以上有する回折格子を具
備して成る半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】活性層上に回折格子が配設され、共振器
の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動と
を同時に有する半導体レーザ装置であって、両者の周期
的摂動の位相が一致しており、さらにその周期的摂動の
周期が連続的に変化している領域を有する回折格子を具
備して成る半導体レーザ装置。 - 【請求項１２】請求項１乃至１１何れか記載の半導体レ
ーザ装置を送信用光源として具備して成るコヒーレント
光通信システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27143193A JPH07131104A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27143193A JPH07131104A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131104A true JPH07131104A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17499941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27143193A Pending JPH07131104A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111906A (en) * | 1997-03-17 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Distributed-feedback semiconductor laser |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27143193A patent/JPH07131104A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111906A (en) * | 1997-03-17 | 2000-08-29 | Nec Corporation | Distributed-feedback semiconductor laser |
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