JPH07130567A - 薄膜トランスの製造方法 - Google Patents
薄膜トランスの製造方法Info
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- JPH07130567A JPH07130567A JP27424393A JP27424393A JPH07130567A JP H07130567 A JPH07130567 A JP H07130567A JP 27424393 A JP27424393 A JP 27424393A JP 27424393 A JP27424393 A JP 27424393A JP H07130567 A JPH07130567 A JP H07130567A
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- Japan
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- coil
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- secondary coil
- insulating layer
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、段差によるパタ―ン不良や端子部
剥離を防止し、作製歩留を大幅に向上させた薄膜トラン
スの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の第１の構成は、２次コイル１１を下
層磁性薄膜９、１次コイル１０や絶縁層１２，１３を挟
んで積層する場合に、２次コイルの端子部３を１次コイ
ル１０を作製する時に作製し、２次コイル１１を積層接
続部１６で端子部３と積層接続する。また、第２の構成
は、２次コイルの中央部から引き出し線７を出す場合
に、引き出し線７は１次コイル１０、２次コイル１１の
上層に絶縁層１３，１４を挟んで配置し、積層接続部１
７で１次コイル１０作製時に作製した端子部４と積層接
続する。
剥離を防止し、作製歩留を大幅に向上させた薄膜トラン
スの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の第１の構成は、２次コイル１１を下
層磁性薄膜９、１次コイル１０や絶縁層１２，１３を挟
んで積層する場合に、２次コイルの端子部３を１次コイ
ル１０を作製する時に作製し、２次コイル１１を積層接
続部１６で端子部３と積層接続する。また、第２の構成
は、２次コイルの中央部から引き出し線７を出す場合
に、引き出し線７は１次コイル１０、２次コイル１１の
上層に絶縁層１３，１４を挟んで配置し、積層接続部１
７で１次コイル１０作製時に作製した端子部４と積層接
続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波領域で使用する薄
膜トランスの製造方法に関するものである。
膜トランスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランスには、磁性薄膜を磁心とし
て装着した磁性薄膜トランスと磁心を装着しないで、コ
イルだけから構成する空心薄膜トランスがある。空心薄
膜トランスは磁性薄膜トランスより更に高周波領域で用
いるトランスである。コイルの構成は磁性薄膜トランス
と空心薄膜トランスは同じであるから、以下、磁性薄膜
トランスについて述べる。
て装着した磁性薄膜トランスと磁心を装着しないで、コ
イルだけから構成する空心薄膜トランスがある。空心薄
膜トランスは磁性薄膜トランスより更に高周波領域で用
いるトランスである。コイルの構成は磁性薄膜トランス
と空心薄膜トランスは同じであるから、以下、磁性薄膜
トランスについて述べる。
【０００３】従来の磁性薄膜トランス（電気学会マグネ
テイックス研究会資料 ＭＡＧ−９２−１６８（１９９
２））の上面図を図３に示した。１と２が１次コイルの
端子部、３と４が２次コイルの端子部、５が４分割上層
磁性薄膜である。１次コイルの引き出し線６と２次コイ
ルの引き出し線７は、実際の上面図では見えないがコイ
ルの内部構成を理解できるように点線で描いた。
テイックス研究会資料 ＭＡＧ−９２−１６８（１９９
２））の上面図を図３に示した。１と２が１次コイルの
端子部、３と４が２次コイルの端子部、５が４分割上層
磁性薄膜である。１次コイルの引き出し線６と２次コイ
ルの引き出し線７は、実際の上面図では見えないがコイ
ルの内部構成を理解できるように点線で描いた。
【０００４】図４は図３の従来の磁性薄膜トランスの層
構成で絶縁層は省略して描いてある。支持体８の上に、
下層磁性薄膜９、１次コイル１０、１次コイルの引き出
し線６と２次コイルの引き出し線７、２次コイル１１、
上層磁性薄膜５がそれぞれ絶縁層を介して積層されてい
る。１次コイル１０とその引き出し線６をつないでいる
点線矢印は積層接続部で、２次コイル１１と引き出し線
７の点線矢印も同じく積層接続部である。この磁性薄膜
トランスでは、１次コイルに高周波電流を流し、上・下
層磁性薄膜５，９を励磁し、その作用によって２次コイ
ル１１に誘導起電力を発生させ、トランスとして動作さ
せる。
構成で絶縁層は省略して描いてある。支持体８の上に、
下層磁性薄膜９、１次コイル１０、１次コイルの引き出
し線６と２次コイルの引き出し線７、２次コイル１１、
上層磁性薄膜５がそれぞれ絶縁層を介して積層されてい
る。１次コイル１０とその引き出し線６をつないでいる
点線矢印は積層接続部で、２次コイル１１と引き出し線
７の点線矢印も同じく積層接続部である。この磁性薄膜
トランスでは、１次コイルに高周波電流を流し、上・下
層磁性薄膜５，９を励磁し、その作用によって２次コイ
ル１１に誘導起電力を発生させ、トランスとして動作さ
せる。
【０００５】図５（ａ）は図３のＡ−Ａ′線断面図で、
８が支持体、９が下層磁性薄膜、１２が第１絶縁層、１
０が１次コイル、１３が第２絶縁層、１１が２次コイ
ル、３が２次コイルの端子部、１４が第３絶縁層、５が
上層磁性薄膜である。図５（ｂ）は図３のＢ−Ｂ′線断
面図で、８が支持体、９が下層磁性薄膜、１２が第１絶
縁層、１０が１次コイル、１３が第２絶縁層、７が２次
コイルの引き出し線、４がその端子部、１５が第４絶縁
層、１１が２次コイル、１４が第３絶縁層、５が上層磁
性薄膜である。図５（ｃ）は図３のＣ−Ｃ′線断面図
で、引き出し線のない部分の断面である。８が支持体、
９が下層磁性薄膜、１２が第１絶縁層、１０が１次コイ
ル、１３が第２絶縁層、１１が２次コイル、１４が第３
絶縁層、５が上層磁性薄膜である。
８が支持体、９が下層磁性薄膜、１２が第１絶縁層、１
０が１次コイル、１３が第２絶縁層、１１が２次コイ
ル、３が２次コイルの端子部、１４が第３絶縁層、５が
上層磁性薄膜である。図５（ｂ）は図３のＢ−Ｂ′線断
面図で、８が支持体、９が下層磁性薄膜、１２が第１絶
縁層、１０が１次コイル、１３が第２絶縁層、７が２次
コイルの引き出し線、４がその端子部、１５が第４絶縁
層、１１が２次コイル、１４が第３絶縁層、５が上層磁
性薄膜である。図５（ｃ）は図３のＣ−Ｃ′線断面図
で、引き出し線のない部分の断面である。８が支持体、
９が下層磁性薄膜、１２が第１絶縁層、１０が１次コイ
ル、１３が第２絶縁層、１１が２次コイル、１４が第３
絶縁層、５が上層磁性薄膜である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５（ａ）に示したよ
うに、従来の磁性薄膜トランスの作製法では、第２絶縁
層１３の上に２次コイル１１を作製する時、その端子部
３を作製していた。２次コイル１１及びその端子部３を
銅薄膜で、実際に作製する場合には、露光装置で、フォ
トレジストの原画パタ―ンを作製しなければならない。
うに、従来の磁性薄膜トランスの作製法では、第２絶縁
層１３の上に２次コイル１１を作製する時、その端子部
３を作製していた。２次コイル１１及びその端子部３を
銅薄膜で、実際に作製する場合には、露光装置で、フォ
トレジストの原画パタ―ンを作製しなければならない。
【０００７】従来の作製法では、図５（ａ）の断面図か
ら分かるように、２次コイル１１の部分と端子部３では
段差が大きい。そのため、フォトレジストの原画パタ―
ンを作製する場合に、２次コイル１１と端子部３を同時
に最適条件で原画パタ―ンを作製することができない。
その結果、２次コイル１１が最適条件の場合には、端子
部３が露光不足となり、フォトレジストが残るので、端
子部３が後工程で剥離したり、または、端子部３に金線
をワイヤボンドで圧着する時、端子部が剥離するなどの
問題があった。その問題を避けるため、端子部３の最適
露光条件にすると、２次コイル１１は過露光となり、２
次コイル１１のコイル線間が狭くなったり、短絡するな
どの問題があった。
ら分かるように、２次コイル１１の部分と端子部３では
段差が大きい。そのため、フォトレジストの原画パタ―
ンを作製する場合に、２次コイル１１と端子部３を同時
に最適条件で原画パタ―ンを作製することができない。
その結果、２次コイル１１が最適条件の場合には、端子
部３が露光不足となり、フォトレジストが残るので、端
子部３が後工程で剥離したり、または、端子部３に金線
をワイヤボンドで圧着する時、端子部が剥離するなどの
問題があった。その問題を避けるため、端子部３の最適
露光条件にすると、２次コイル１１は過露光となり、２
次コイル１１のコイル線間が狭くなったり、短絡するな
どの問題があった。
【０００８】図５（ｂ）の引き出し線７とその端子部４
の段差は図５（ａ）の２次コイル１１と端子部３の場合
と全く同じであるから、引き出し線７とその端子部４を
作製する場合にも前述の問題があった。図３の１次コイ
ルの引き出し線６とその端子部２の断面構造は、図５
（ｂ）と全く同じであるから、前述の問題があった。
の段差は図５（ａ）の２次コイル１１と端子部３の場合
と全く同じであるから、引き出し線７とその端子部４を
作製する場合にも前述の問題があった。図３の１次コイ
ルの引き出し線６とその端子部２の断面構造は、図５
（ｂ）と全く同じであるから、前述の問題があった。
【０００９】又、従来の方法によると図４から分かるよ
うに、２次コイル１１は、１次コイル１０と引き出し線
６，７の上に絶縁層を挟んで作製する。図５（ｂ）はそ
の引き出し線の部分の断面図、図５（ｃ）は引き出し線
のない部分の断面図である。図５（ｂ）と図５（ｃ）の
比較から、２次コイル１１は引き出し線７の部分で引き
出し線７と第４絶縁層１５の厚さだけ、他の部分より高
くなっていることが分かる。そのため、銅薄膜の２次コ
イルを作製する場合に、図５（ｂ）に示した引き出し線
７の上の部分の２次コイル１１を作製することが、図５
（ｃ）に示した引き出し線以外の部分を作製するより非
常に難しい。その理由は、上記の場合と同じで、段差の
部分はフォトレジストの原画パタ―ンを形成することが
難しいということである。
うに、２次コイル１１は、１次コイル１０と引き出し線
６，７の上に絶縁層を挟んで作製する。図５（ｂ）はそ
の引き出し線の部分の断面図、図５（ｃ）は引き出し線
のない部分の断面図である。図５（ｂ）と図５（ｃ）の
比較から、２次コイル１１は引き出し線７の部分で引き
出し線７と第４絶縁層１５の厚さだけ、他の部分より高
くなっていることが分かる。そのため、銅薄膜の２次コ
イルを作製する場合に、図５（ｂ）に示した引き出し線
７の上の部分の２次コイル１１を作製することが、図５
（ｃ）に示した引き出し線以外の部分を作製するより非
常に難しい。その理由は、上記の場合と同じで、段差の
部分はフォトレジストの原画パタ―ンを形成することが
難しいということである。
【００１０】上記のように従来のコイルの作製法では、
端子部に剥離、２次コイル線間短絡、及び引き出し線の
上層部の２次コイルのパタ―ン不良、線間短絡など問題
があった。
端子部に剥離、２次コイル線間短絡、及び引き出し線の
上層部の２次コイルのパタ―ン不良、線間短絡など問題
があった。
【００１１】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、段差によるパタ―ン不良や端子部剥離を防止し、作
製歩留を大幅に向上させた薄膜トランスの製造方法を提
供することを目的とする。
で、段差によるパタ―ン不良や端子部剥離を防止し、作
製歩留を大幅に向上させた薄膜トランスの製造方法を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために本発明の薄膜トランスの製造方法は次のよう
な手段及び作用を有する。 ［手段１］１次コイルと２次コイルの端子部を１次コイ
ル作製時に作製することを提供する。１次コイルは第１
絶縁層の上に作製するから、支持体上の端子部を第１絶
縁層に載る部分まで延長して作製する。 ［作用１］手段１の作用は以下ようである。端子部は第
１絶縁層の上まで作製されているから、第２絶縁層の上
に作製する２次コイルは、第１絶縁層の上で、端子部と
積層接続すればよい。
するために本発明の薄膜トランスの製造方法は次のよう
な手段及び作用を有する。 ［手段１］１次コイルと２次コイルの端子部を１次コイ
ル作製時に作製することを提供する。１次コイルは第１
絶縁層の上に作製するから、支持体上の端子部を第１絶
縁層に載る部分まで延長して作製する。 ［作用１］手段１の作用は以下ようである。端子部は第
１絶縁層の上まで作製されているから、第２絶縁層の上
に作製する２次コイルは、第１絶縁層の上で、端子部と
積層接続すればよい。
【００１３】従来、２次コイルの端子部は、第２絶縁層
から支持体までの段差でパタ―ンを作製していたが、本
発明によって、第２絶縁層から第１絶縁層までの段差で
作製できるようになった。その結果、２次コイルのパタ
ーン不良、端子部の剥離などの問題が解決できた。 ［手段２］１次コイルと２次コイルの中央部、またはコ
イルの特定の場所から端子部へ引き出し線を出す場合
に、その引き出し線を１次コイルと２次コイルの作製
後、その上層に絶縁層を挟んで作製する。 ［作用２］手段２の作用は以下ようである。引き出し線
は単純な直線パタ―ンであるから、その作製は、コイル
部の作製より遥かに容易である。引き出し線のような単
純パタ―ンは、多層に積層され、平坦性が良くない状態
でも作製できる。それに引き換え、複雑なコイルパタ―
ンは、段差があるとパタ―ン作製が非常に難しくなり、
パタ―ン不良の大きな要因となる。
から支持体までの段差でパタ―ンを作製していたが、本
発明によって、第２絶縁層から第１絶縁層までの段差で
作製できるようになった。その結果、２次コイルのパタ
ーン不良、端子部の剥離などの問題が解決できた。 ［手段２］１次コイルと２次コイルの中央部、またはコ
イルの特定の場所から端子部へ引き出し線を出す場合
に、その引き出し線を１次コイルと２次コイルの作製
後、その上層に絶縁層を挟んで作製する。 ［作用２］手段２の作用は以下ようである。引き出し線
は単純な直線パタ―ンであるから、その作製は、コイル
部の作製より遥かに容易である。引き出し線のような単
純パタ―ンは、多層に積層され、平坦性が良くない状態
でも作製できる。それに引き換え、複雑なコイルパタ―
ンは、段差があるとパタ―ン作製が非常に難しくなり、
パタ―ン不良の大きな要因となる。
【００１４】従来のコイル作製法では、２次コイルは引
き出し線の段差のある状態に作製されるので、前述のよ
うに、コイル線間短絡などのパタ―ン不良が発生してい
た。本発明は２次コイル作製後引き出し線を作製するか
ら、引き出し線の上層の２次コイルのパタ―ン不良の問
題を解決できた。
き出し線の段差のある状態に作製されるので、前述のよ
うに、コイル線間短絡などのパタ―ン不良が発生してい
た。本発明は２次コイル作製後引き出し線を作製するか
ら、引き出し線の上層の２次コイルのパタ―ン不良の問
題を解決できた。
【００１５】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明の一実施例の層構成で、絶縁層
を除いて描いた。８が支持体、９が下層磁性薄膜、１０
が１次コイル、１が１次コイルの端子部、２が１次コイ
ルの引き出し線に接続する端子部、３が２次コイルの端
子部、４が２次コイルの引き出し線に接続する端子部、
１１が２次コイル、６が１次コイルの引き出し線、７が
２次コイルの引き出し線、５が上層磁性薄膜である。１
次コイル１０と１次コイルの引き出し線６への点線矢印
は積層接続する部分である。他の各点線矢印も積層接続
部である。上面図は図３と同じである。図２（ａ）は本
発明の一実施例の断面図で、図３のＡ−Ａ′線部分で、
従来の断面図の図５（ａ）に対応する。８が支持体、９
が下層磁性薄膜、１２が第１絶縁層、１０が１次コイ
ル、３が２次コイルの端子部で、本発明はこの２次コイ
ルの端子部３を１次コイル作製時に作製する。１３が第
２絶縁層、１１が２次コイルで、１６の積層接続部で２
次コイルの端子部３と２次コイル１１が積層接続する。
１４が第３絶縁層、５が上層磁性薄膜である。
説明する。図１は本発明の一実施例の層構成で、絶縁層
を除いて描いた。８が支持体、９が下層磁性薄膜、１０
が１次コイル、１が１次コイルの端子部、２が１次コイ
ルの引き出し線に接続する端子部、３が２次コイルの端
子部、４が２次コイルの引き出し線に接続する端子部、
１１が２次コイル、６が１次コイルの引き出し線、７が
２次コイルの引き出し線、５が上層磁性薄膜である。１
次コイル１０と１次コイルの引き出し線６への点線矢印
は積層接続する部分である。他の各点線矢印も積層接続
部である。上面図は図３と同じである。図２（ａ）は本
発明の一実施例の断面図で、図３のＡ−Ａ′線部分で、
従来の断面図の図５（ａ）に対応する。８が支持体、９
が下層磁性薄膜、１２が第１絶縁層、１０が１次コイ
ル、３が２次コイルの端子部で、本発明はこの２次コイ
ルの端子部３を１次コイル作製時に作製する。１３が第
２絶縁層、１１が２次コイルで、１６の積層接続部で２
次コイルの端子部３と２次コイル１１が積層接続する。
１４が第３絶縁層、５が上層磁性薄膜である。
【００１６】図２（ｂ）は本発明の一実施例の断面図
で、図３のＢ−Ｂ′線の部分で、従来の図５（ｂ）に対
応している。８が支持体、９が下層磁性薄膜、１２が第
１絶縁層、１０が１次コイル、４が２次コイルの引き出
し線に接続する端子部で、本発明はこの端子部４を１次
コイル作製時に作製する。１３が第２絶縁層、１１が２
次コイル、１７が引き出し線の積層接続部で、２次コイ
ル作製時に作製する。１４が第３絶縁層、７が引き出し
線で、積層接続部１７に積層接続する。１５が第４絶縁
層、５が上層磁性薄膜である。
で、図３のＢ−Ｂ′線の部分で、従来の図５（ｂ）に対
応している。８が支持体、９が下層磁性薄膜、１２が第
１絶縁層、１０が１次コイル、４が２次コイルの引き出
し線に接続する端子部で、本発明はこの端子部４を１次
コイル作製時に作製する。１３が第２絶縁層、１１が２
次コイル、１７が引き出し線の積層接続部で、２次コイ
ル作製時に作製する。１４が第３絶縁層、７が引き出し
線で、積層接続部１７に積層接続する。１５が第４絶縁
層、５が上層磁性薄膜である。
【００１７】図２（ｂ）において、本発明は引き出し線
７を第３絶縁層１４の上に作製することを提案してい
る。以上のように、１次コイルの引き出し線の端子部と
２次コイルの端子部を１次コイル作製時に第１絶縁層の
上に載る部分まで作製し、それらの端子部と２次コイル
及び引き出し線を第１絶縁層の上で積層接続する。本発
明によって、端子部が段差の小さい状態で作製するから
端子部剥離などの問題が解決できた。また、単純なパタ
―ンの引き出し線を１次コイルと２次コイル作製後に作
製することによって、引き出し線の上層部の２次コイル
のパタ―ン不良という問題が解決できた。
７を第３絶縁層１４の上に作製することを提案してい
る。以上のように、１次コイルの引き出し線の端子部と
２次コイルの端子部を１次コイル作製時に第１絶縁層の
上に載る部分まで作製し、それらの端子部と２次コイル
及び引き出し線を第１絶縁層の上で積層接続する。本発
明によって、端子部が段差の小さい状態で作製するから
端子部剥離などの問題が解決できた。また、単純なパタ
―ンの引き出し線を１次コイルと２次コイル作製後に作
製することによって、引き出し線の上層部の２次コイル
のパタ―ン不良という問題が解決できた。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、段差
によるパタ―ン不良や端子部剥離を防止し、作製歩留を
大幅に向上させた薄膜トランスの製造方法を提供するこ
とができる。
によるパタ―ン不良や端子部剥離を防止し、作製歩留を
大幅に向上させた薄膜トランスの製造方法を提供するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例を示す一部切欠層分解構成図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例を示す一部切欠断面図であ
る。
る。
【図３】磁性薄膜トランスの上面図である。
【図４】従来の磁性薄膜トランスを示す一部切欠層分解
構成図である。
構成図である。
【図５】従来の磁性薄膜トランスを示す一部切欠断面図
である。
である。
１，２…１次コイルの端子部、３，４…２次コイルの端
子部、５…上層磁性薄膜、６，７…引き出し線、８…支
持体、９…下層磁性薄膜、１０…１次コイル、１１…２
次コイル、１２…第１絶縁層、１３…第２絶縁層、１４
…第３絶縁層、１５…第４絶縁層、１６…積層接続部、
１７…積層接続部。
子部、５…上層磁性薄膜、６，７…引き出し線、８…支
持体、９…下層磁性薄膜、１０…１次コイル、１１…２
次コイル、１２…第１絶縁層、１３…第２絶縁層、１４
…第３絶縁層、１５…第４絶縁層、１６…積層接続部、
１７…積層接続部。
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜トランスの製造方法において、トラ
ンスの外部へ接続する１次コイルと２次コイルの端子部
を第１層目のコイルを作製する時に作製したことを特徴
とする薄膜トランスの製造方法。 - 【請求項２】 薄膜トランスの製造方法において、１次
コイルと２次コイルの中央部、もしくは、コイルの特定
の部分から端子部へ引き出し線を出す場合に、その引き
出し線を１次コイルと２次コイルの作製後、その上層に
絶縁層を挟んで、配置したことを特徴とする薄膜トラン
スの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27424393A JPH07130567A (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 薄膜トランスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27424393A JPH07130567A (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 薄膜トランスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130567A true JPH07130567A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17539000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27424393A Pending JPH07130567A (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 薄膜トランスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07130567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072120A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Commissariat A L'energie Atomique | 圧電制御された集積磁性装置 |
| JP2017085098A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | アナログ デバイシス グローバル | 誘電体スタック、アイソレータ装置、およびアイソレータ装置を形成する方法 |
-
1993
- 1993-11-02 JP JP27424393A patent/JPH07130567A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072120A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Commissariat A L'energie Atomique | 圧電制御された集積磁性装置 |
| JP2017085098A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | アナログ デバイシス グローバル | 誘電体スタック、アイソレータ装置、およびアイソレータ装置を形成する方法 |
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