JPH07129924A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07129924A JPH07129924A JP27827293A JP27827293A JPH07129924A JP H07129924 A JPH07129924 A JP H07129924A JP 27827293 A JP27827293 A JP 27827293A JP 27827293 A JP27827293 A JP 27827293A JP H07129924 A JPH07129924 A JP H07129924A
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- Japan
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- layer
- protective layer
- magnetic core
- magnetic head
- film magnetic
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドの摺動面に形成された保護層
の剥離を防止する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドの摺動面８にたとえばＣｒか
らなる密着層９を形成し、さらにその表面にＣｒの窒化
物または酸化物からなる保護層１０を設ける。密着層９
と保護層１０は同一真空室中で連続して成膜する。
の剥離を防止する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドの摺動面８にたとえばＣｒか
らなる密着層９を形成し、さらにその表面にＣｒの窒化
物または酸化物からなる保護層１０を設ける。密着層９
と保護層１０は同一真空室中で連続して成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の磁気記録再生装
置に用いられる薄膜磁気ヘッドの構造およびその製法に
関するものである。
置に用いられる薄膜磁気ヘッドの構造およびその製法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録再生装置の大容量化や小
型化に伴なう磁気記録の高密度化により、基板上に半導
体プロセスを用いて磁気ヘッドを形成する薄膜磁気ヘッ
ドが多く使用されている。このような薄膜磁気ヘッドを
用いて記録媒体に記録再生を行なう場合、ヘッドと媒体
とのスペーシングは再生出力に大きな影響を及ぼす。こ
のため、薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置では
高精度にスペーシングを制御する必要がある。
型化に伴なう磁気記録の高密度化により、基板上に半導
体プロセスを用いて磁気ヘッドを形成する薄膜磁気ヘッ
ドが多く使用されている。このような薄膜磁気ヘッドを
用いて記録媒体に記録再生を行なう場合、ヘッドと媒体
とのスペーシングは再生出力に大きな影響を及ぼす。こ
のため、薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置では
高精度にスペーシングを制御する必要がある。
【０００３】図２は従来の薄膜磁気ヘッドの一例の断面
図である。フェライトなどの磁性材料、または、ガラ
ス，セラミックなどの非磁性材料からなる基板１上に、
ＮｉＦｅ，ＦｅＡｌＳｉなどの磁性材料からなる下部磁
気コア２が積層されている。この下部磁気コア２上に
は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなり磁気ギャップを兼
ねる絶縁層３により被覆された巻線導体層４が配設され
ている。さらに上記絶縁層３および下部磁気コア２上に
は、下部磁気コア２と同様の材料からなる上部磁気コア
５が設けられている。次に下部磁気コア２と上部磁気コ
ア５上にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなるパッシベーシ
ョン層６が形成され、接着樹脂や溶着ガラスなどにより
保護板７が、パッシベーション層６の上に接着される。
このようにして形成された部材の端面を研削、ラッピン
グ等により所望の曲面形状に仕上げ摺動面８を形成し薄
膜磁気ヘッドとなる。
図である。フェライトなどの磁性材料、または、ガラ
ス，セラミックなどの非磁性材料からなる基板１上に、
ＮｉＦｅ，ＦｅＡｌＳｉなどの磁性材料からなる下部磁
気コア２が積層されている。この下部磁気コア２上に
は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなり磁気ギャップを兼
ねる絶縁層３により被覆された巻線導体層４が配設され
ている。さらに上記絶縁層３および下部磁気コア２上に
は、下部磁気コア２と同様の材料からなる上部磁気コア
５が設けられている。次に下部磁気コア２と上部磁気コ
ア５上にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなるパッシベーシ
ョン層６が形成され、接着樹脂や溶着ガラスなどにより
保護板７が、パッシベーション層６の上に接着される。
このようにして形成された部材の端面を研削、ラッピン
グ等により所望の曲面形状に仕上げ摺動面８を形成し薄
膜磁気ヘッドとなる。
【０００４】このような薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体
と摺動する薄膜磁気ヘッド摺動面には、磁気コアとなる
ＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等のメタル層や、磁気ギャップ
やパッシベーション層となるＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の
絶縁物層が露出している。このため、記録媒体と摺動す
ることにより、図３のようにメタル層が偏磨耗し、ヘッ
ドの磁気コアと媒体のスペーシングが実質的に大きくな
り再生出力が低下する。
と摺動する薄膜磁気ヘッド摺動面には、磁気コアとなる
ＮｉＦｅやＦｅＡｌＳｉ等のメタル層や、磁気ギャップ
やパッシベーション層となるＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の
絶縁物層が露出している。このため、記録媒体と摺動す
ることにより、図３のようにメタル層が偏磨耗し、ヘッ
ドの磁気コアと媒体のスペーシングが実質的に大きくな
り再生出力が低下する。
【０００５】これを防ぐため従来は図４のように、媒体
に対して耐磨耗性の優れたＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｓｉ等の炭
化物，酸化物，窒化物等を保護層１０として、たとえば
スパッタリングにより摺動面８に被覆することにより、
磁気コア等のメタル層の偏磨耗を防止していた。
に対して耐磨耗性の優れたＣｒ，Ｔｉ，Ｂ，Ｓｉ等の炭
化物，酸化物，窒化物等を保護層１０として、たとえば
スパッタリングにより摺動面８に被覆することにより、
磁気コア等のメタル層の偏磨耗を防止していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような保
護層をスパッタリング等の方法で薄膜磁気ヘッドの摺動
面に被覆したとき、磁気ギャップやパッシベーション層
を形成しているＡｌ2 Ｏ 3 やＳｉＯ2 等の絶縁物層との
密着性が悪く、媒体走行中に絶縁物層上の保護層が剥離
する場合があり、媒体の走行によってこの剥離が磁気コ
アまで到達すると、磁気コアが偏磨耗し、再生出力が低
下するといった問題があった。本発明の目的は、摺動面
に形成された保護層の剥離を防止することにある。
護層をスパッタリング等の方法で薄膜磁気ヘッドの摺動
面に被覆したとき、磁気ギャップやパッシベーション層
を形成しているＡｌ2 Ｏ 3 やＳｉＯ2 等の絶縁物層との
密着性が悪く、媒体走行中に絶縁物層上の保護層が剥離
する場合があり、媒体の走行によってこの剥離が磁気コ
アまで到達すると、磁気コアが偏磨耗し、再生出力が低
下するといった問題があった。本発明の目的は、摺動面
に形成された保護層の剥離を防止することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ヘッド
は、摺動面に金属による密着層を設け、さらにその上に
その金属による化合物の保護層を設けた。密着層と保護
層を形成するとき、同一真空室中で連続して成膜する。
は、摺動面に金属による密着層を設け、さらにその上に
その金属による化合物の保護層を設けた。密着層と保護
層を形成するとき、同一真空室中で連続して成膜する。
【０００８】
【作用】保護層と摺動面との間に同種の金属による密着
層が備えられているから、保護層と摺動面との密着性が
向上する。密着層と保護層を同一真空室中で連続して成
膜するから不純物が吸着することなく密着性が良好とな
る。
層が備えられているから、保護層と摺動面との密着性が
向上する。密着層と保護層を同一真空室中で連続して成
膜するから不純物が吸着することなく密着性が良好とな
る。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の断面図である。
【００１０】フェライトなどの磁性材料またはガラス，
セラミックなどの非磁性材料からなる基板１上に、Ｎｉ
Ｆｅ，ＦｅＡｌＳｉなどの磁性材料からなる下部磁気コ
ア２が積層されている。この下部磁気コア２上には、Ｓ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなり磁気ギャップを兼ねる絶
縁層３により被覆された巻線導体層４が配設されてい
る。さらに上記絶縁層３および下部磁気コア２上には下
部磁気コア２と同様の材料からなる上部磁気コア５が設
けられている。さらに、下部磁気コア２と上部磁気コア
５上にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなるパッシベーショ
ン層６が形成され、接着樹脂や溶着ガラスなどにより保
護板７が接着される。次にその端面を研削，ラッピング
等により所望の曲面形状に仕上げて摺動面８を形成す
る。摺動面８にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁材料との
密着性が高い、ＣｒやＴｉなどの高融点材料からなる密
着層９および前記ＣｒやＴｉなどの高融点材料の窒化物
や酸化物からなる保護層１０を順に形成する。
セラミックなどの非磁性材料からなる基板１上に、Ｎｉ
Ｆｅ，ＦｅＡｌＳｉなどの磁性材料からなる下部磁気コ
ア２が積層されている。この下部磁気コア２上には、Ｓ
ｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなり磁気ギャップを兼ねる絶
縁層３により被覆された巻線導体層４が配設されてい
る。さらに上記絶縁層３および下部磁気コア２上には下
部磁気コア２と同様の材料からなる上部磁気コア５が設
けられている。さらに、下部磁気コア２と上部磁気コア
５上にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等からなるパッシベーショ
ン層６が形成され、接着樹脂や溶着ガラスなどにより保
護板７が接着される。次にその端面を研削，ラッピング
等により所望の曲面形状に仕上げて摺動面８を形成す
る。摺動面８にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の絶縁材料との
密着性が高い、ＣｒやＴｉなどの高融点材料からなる密
着層９および前記ＣｒやＴｉなどの高融点材料の窒化物
や酸化物からなる保護層１０を順に形成する。
【００１１】このとき、密着層９と保護層１０は、反応
性スパッタリングや反応性イオンプレーティング等によ
り、同一真空室中で連続して成膜される。このように密
着層９と保護層１０を同一真空室中で連続して成膜する
と、上記密着層９が空気に触れることがなく、密着層９
の表面に水分等の不純物分子が吸着することがないた
め、保護層１０の密着性が良好となる。また、密着層９
と保護層１０を反応性スパッタリングや反応性イオンプ
レーティングで形成すると、導入ガスのＮ2 組成やＯ2
組成を変更することにより、簡便に密着層９と保護層１
０を同一真空室中で形成することができる。
性スパッタリングや反応性イオンプレーティング等によ
り、同一真空室中で連続して成膜される。このように密
着層９と保護層１０を同一真空室中で連続して成膜する
と、上記密着層９が空気に触れることがなく、密着層９
の表面に水分等の不純物分子が吸着することがないた
め、保護層１０の密着性が良好となる。また、密着層９
と保護層１０を反応性スパッタリングや反応性イオンプ
レーティングで形成すると、導入ガスのＮ2 組成やＯ2
組成を変更することにより、簡便に密着層９と保護層１
０を同一真空室中で形成することができる。
【００１２】上記保護層の厚さは、薄すぎると長時間の
媒体の走行によって保護層が磨耗し、磁気コアを保護す
ることができなくなるため、５０ｎｍ以上の膜厚が必要
である。しかし、保護層の膜厚が１μｍを越えると、媒
体と磁気ヘッドとのスペーシングが大きくなり、初期状
態での再生出力が著しく低くなる。このため、保護層の
膜厚は５０ｎｍ〜１μｍとする。一方、密着層の厚さ
は、薄すぎると完全な膜にならず、密着層として十分に
機能しないため、１０ｎｍ以上に設定する。逆に密着層
が厚くなりすぎると、上記のようにスペーシングが大き
くなるため、保護層を薄くしなければならなくなる。こ
のため密着層の膜厚の上限を１００ｎｍとする。よっ
て、保護層と密着層の総和として６０ｎｍ〜１．１μｍ
となる。
媒体の走行によって保護層が磨耗し、磁気コアを保護す
ることができなくなるため、５０ｎｍ以上の膜厚が必要
である。しかし、保護層の膜厚が１μｍを越えると、媒
体と磁気ヘッドとのスペーシングが大きくなり、初期状
態での再生出力が著しく低くなる。このため、保護層の
膜厚は５０ｎｍ〜１μｍとする。一方、密着層の厚さ
は、薄すぎると完全な膜にならず、密着層として十分に
機能しないため、１０ｎｍ以上に設定する。逆に密着層
が厚くなりすぎると、上記のようにスペーシングが大き
くなるため、保護層を薄くしなければならなくなる。こ
のため密着層の膜厚の上限を１００ｎｍとする。よっ
て、保護層と密着層の総和として６０ｎｍ〜１．１μｍ
となる。
【００１３】本実施例では巻線型の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、本発明は磁気抵抗型の薄膜磁気ヘッド
や、巻線型と磁気抵抗効果型の複合型の薄膜磁気ヘッド
にも応用できる。
いて説明したが、本発明は磁気抵抗型の薄膜磁気ヘッド
や、巻線型と磁気抵抗効果型の複合型の薄膜磁気ヘッド
にも応用できる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、摺動面に密着層を介し
て保護層を形成した２層構造とすることにより、保護層
の摺動面からの剥離を防ぐことができ、これによって耐
磨耗性が優れ再生出力の安定した磁気ヘッドを供給する
ことができる。
て保護層を形成した２層構造とすることにより、保護層
の摺動面からの剥離を防ぐことができ、これによって耐
磨耗性が優れ再生出力の安定した磁気ヘッドを供給する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】従来の一例の断面図である。
【図３】図２の構造の磨耗を示す断面図である。
【図４】保護層を摺動面に設けた従来の一例の断面図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 下部磁気コア ３ 絶縁層 ４ 巻線導体層 ５ 上部磁気コア ６ パッシベーション層 ７ 保護板 ８ 摺動面 ９ 密着層 １０ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 昇 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁層とそれを挟む磁性材料とパッシベ
ーション層とを積層した部材と、該部材の端面に金属に
よる密着層を介して設けられた該金属の化合物による保
護層を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 密着層の金属はＣｒであり保護層はＣｒ
の窒化物であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項３】 密着膜の金属はＣｒであり、保護層はＣ
ｒの酸化物であることを特徴する請求項１記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項４】 絶縁層とそれを挟む磁性材料とパッシベ
ーション層とを積層する工程と、真空室中において積層
したものの端面にＣｒによる密着層を成膜後同一の真空
室において反応ガスの組成を変えることによりＣｒの化
合物による保護層を連続して成膜することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27827293A JPH07129924A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27827293A JPH07129924A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07129924A true JPH07129924A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17595041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27827293A Pending JPH07129924A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07129924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2336709A (en) * | 1998-04-22 | 1999-10-27 | Mke Quantum Components Llc | Thin encapsulation process for making thin film read/write heads |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP27827293A patent/JPH07129924A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2336709A (en) * | 1998-04-22 | 1999-10-27 | Mke Quantum Components Llc | Thin encapsulation process for making thin film read/write heads |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990112 |