JPH07120059B2 - 電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JPH07120059B2 JPH07120059B2 JP1004950A JP495089A JPH07120059B2 JP H07120059 B2 JPH07120059 B2 JP H07120059B2 JP 1004950 A JP1004950 A JP 1004950A JP 495089 A JP495089 A JP 495089A JP H07120059 B2 JPH07120059 B2 JP H07120059B2
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- photoconductive layer
- carbon atoms
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真感光体およびその製造方法に係り、
特に高湿下で印刷しても良好な画像を形成することがで
きる水素化アモルフアスシリコン系材料よりなる電子写
真感光体、およびその製造方法、さらに電子写真装置に
関する。
特に高湿下で印刷しても良好な画像を形成することがで
きる水素化アモルフアスシリコン系材料よりなる電子写
真感光体、およびその製造方法、さらに電子写真装置に
関する。
電子写真用感光体としては、従来からSe,CdS,As2Se3な
どの無機アモルフアス光電材料、もしくはフタロシアニ
ン系顔料に代表されるような有機光導電材料が用いられ
ている。
どの無機アモルフアス光電材料、もしくはフタロシアニ
ン系顔料に代表されるような有機光導電材料が用いられ
ている。
これらの材料は、耐電，光応答，光導電等の電子写真特
性が優れている。
性が優れている。
しかし、機械的特性においては、硬度が小さく、耐摩耗
性に劣るなどの欠点がある。
性に劣るなどの欠点がある。
これに対して、水素化アモルフアスシリコン系材料を用
いた感光体（以下「ａ−Si:H感光体」と記す。）は、硬
度が大きく、耐摩耗性に優れていることから長寿命の電
子写真感光体として期待されている。
いた感光体（以下「ａ−Si:H感光体」と記す。）は、硬
度が大きく、耐摩耗性に優れていることから長寿命の電
子写真感光体として期待されている。
しかし、ａ−Si:H感光体も、耐湿性に劣るという欠点が
ある。
ある。
このため、ａ−SiC:Hなどを表面保膜として用いるのが
一般的となつているが、十分とはいえない。
一般的となつているが、十分とはいえない。
電子写真の印字プロセスにおいては、コロナ放電による
帯電プロセスが存在するため、印字プロセスの繰り返し
により表面保護層が酸化し、耐湿性が劣化する。
帯電プロセスが存在するため、印字プロセスの繰り返し
により表面保護層が酸化し、耐湿性が劣化する。
特に、高湿下では画像流れが生じるようになる。このよ
うな耐湿性の劣化を防止するため、表面保護層として、
例えば特開昭55-70848号公報，同55-142352号公報に記
載されているように熱可塑性樹脂膜、あるいは特開昭62
-206559号公報に記載されているようにメチルシリコー
ン樹脂又はフツ素系化合物含有樹脂を含む膜などを用い
ることが知られている。
うな耐湿性の劣化を防止するため、表面保護層として、
例えば特開昭55-70848号公報，同55-142352号公報に記
載されているように熱可塑性樹脂膜、あるいは特開昭62
-206559号公報に記載されているようにメチルシリコー
ン樹脂又はフツ素系化合物含有樹脂を含む膜などを用い
ることが知られている。
上記の従来技術は、電子写真感光体の表面保護層として
要求される特性、すなわち、耐摩耗性，クリーニング性
などと、耐湿性とが必ずしも並立せず、各々の特性を十
分に満足するには至らなかつた。
要求される特性、すなわち、耐摩耗性，クリーニング性
などと、耐湿性とが必ずしも並立せず、各々の特性を十
分に満足するには至らなかつた。
特に、フツ素系材料を表面保護層に用いる場合には、耐
湿性が大きく向上するものの、耐摩耗性およびクリーニ
ング性が著しく劣化するという欠点があつた。
湿性が大きく向上するものの、耐摩耗性およびクリーニ
ング性が著しく劣化するという欠点があつた。
さらに、フツ素系材料は、水素化アモルフアスシリコン
との親和性，密着性に乏しく、長時間の印字プロセスの
繰り返し後に画像流れが発生する。
との親和性，密着性に乏しく、長時間の印字プロセスの
繰り返し後に画像流れが発生する。
したがつて、ａ−Si:H感光体の欠点を十分に克服できな
かつた。
かつた。
本発明の目的は、コロナ照射を繰り返した後においても
耐湿性に優れ、かつ耐摩耗性，クリーニング性にも優れ
るａ−Si:H感光体およびその製造方法を提供することに
ある。
耐湿性に優れ、かつ耐摩耗性，クリーニング性にも優れ
るａ−Si:H感光体およびその製造方法を提供することに
ある。
さらに、本発明の目的は、本発明のａ−Si:H感光体を用
いた電子写真装置を提供することにある。
いた電子写真装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕 本発明の電子写真感光体は、支持体上に水素化アモルフ
ァスシリコン系材料よりなる光導電層を具備し、光導電
層は、その最表面部に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有する。
ァスシリコン系材料よりなる光導電層を具備し、光導電
層は、その最表面部に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有する。
また、本発明の電子写真感光体における光導電層は、そ
の最表面部に、パーフルオロポリオキシアルキルグルー
プ又はパーフルオロポリオキシアルキレングループと、
末端に少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリ
ル基を有する非フツ素含有グループとが結合した構造を
もつ化合物を有する。
の最表面部に、パーフルオロポリオキシアルキルグルー
プ又はパーフルオロポリオキシアルキレングループと、
末端に少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリ
ル基を有する非フツ素含有グループとが結合した構造を
もつ化合物を有する。
パーフルオロポリオキシアルキルグループ又はパーフル
オロポリオキシアルキレングループとしては、下記一般
式 Ｆ（C3F6−Ｏ−）xC2F4−， Ｆ（C3F6−Ｏ−）ｘ（CF2）ｚ−， −｛（C2F4O）Ｙ−（CF2O）Ｚ−CF2｝− （式中、X,Y,Zは１以上の整数、望ましくはＸは５以
上、Ｙは10〜15、Ｚは10〜56である。） で示されるものを用いることが好ましい。
オロポリオキシアルキレングループとしては、下記一般
式 Ｆ（C3F6−Ｏ−）xC2F4−， Ｆ（C3F6−Ｏ−）ｘ（CF2）ｚ−， −｛（C2F4O）Ｙ−（CF2O）Ｚ−CF2｝− （式中、X,Y,Zは１以上の整数、望ましくはＸは５以
上、Ｙは10〜15、Ｚは10〜56である。） で示されるものを用いることが好ましい。
これらのフツ素化合物には、デユポン社から市販されて
いるクライトツクス43又はモンテフルオス社から市販さ
れているホンブリンY,ホンブリンＺ等がある。
いるクライトツクス43又はモンテフルオス社から市販さ
れているホンブリンY,ホンブリンＺ等がある。
さらに、パーフルオロポリオキシアルキルグループ又は
パーフルオロポリオキシアルキレングループと、末端に
少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基を
有する非フツ素含有グループとが結合した構造の有機化
合物としては、下記一般式 Rf−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ Rf−CONH−C3H6−Si（OCH3）３ Rf−COO−C3H6−Si（OC2H5）３ Rf−CH2O−C2H4−Si（OCH3）３ Si（OC2H5）３−C3H6−NHCO−Rf−CONH−C3H6−Si（OCH
3）３ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループを示
す。） で示されるものを用いることが好ましい。
パーフルオロポリオキシアルキレングループと、末端に
少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基を
有する非フツ素含有グループとが結合した構造の有機化
合物としては、下記一般式 Rf−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ Rf−CONH−C3H6−Si（OCH3）３ Rf−COO−C3H6−Si（OC2H5）３ Rf−CH2O−C2H4−Si（OCH3）３ Si（OC2H5）３−C3H6−NHCO−Rf−CONH−C3H6−Si（OCH
3）３ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループを示
す。） で示されるものを用いることが好ましい。
本発明に用いる有機化合物は、末端の少なくとも１個の
アルコキシ基で置換されたシリル基が、感光体表面の無
機物と反応し、オキサン結合を形成する。
アルコキシ基で置換されたシリル基が、感光体表面の無
機物と反応し、オキサン結合を形成する。
したがつて、感光体はプラズマCVD法，スパツタリング
法，蒸着法などによつて形成でき、本発明に用いる有機
化合物を直接、感光体表面に結合させることができる。
法，蒸着法などによつて形成でき、本発明に用いる有機
化合物を直接、感光体表面に結合させることができる。
感光体の表面は、ａ−Si:H,a−SiC:H,a−SiN:H,a−C:H,
a−C:H:Fなど適宜選定してよい。
a−C:H:Fなど適宜選定してよい。
また、本発明に用いる有機化合物を含有する有機表面保
護層をａ−Si:H感光体の表面層に形成してもよい。
護層をａ−Si:H感光体の表面層に形成してもよい。
この場合に用いる有機表面保護層は特に限定されない
が、硬化後一部架橋していることが必要であり、硬化温
度300℃以下、望ましくは250℃以下で硬化するものが好
適である。
が、硬化後一部架橋していることが必要であり、硬化温
度300℃以下、望ましくは250℃以下で硬化するものが好
適である。
具体的な例としては、フエノール硬化型エポキシ樹脂，
スチレン樹脂，ポリエステル樹脂，ポリイミド樹脂，ポ
リアミド樹脂等がある。
スチレン樹脂，ポリエステル樹脂，ポリイミド樹脂，ポ
リアミド樹脂等がある。
次に、ａ−Si:H感光体表面に本発明の化合物を結合させ
る方法の代表例について示す。
る方法の代表例について示す。
本発明に用いる有機化合物を、例えばフロンソルベント
などの溶剤に適量混合、溶解する。
などの溶剤に適量混合、溶解する。
この溶液を感光体表面に形成する。
形成法は、浸漬法，回転塗布法など適宜選択してよい。
その後、温度100℃〜200℃の状態で、時間0.5h〜2h程度
の熱処理を施す。これにより、有機化合物末端の少なく
とも１個のアルキル基で置換されたシリル基が、感光体
表面のSi,C,Nなどとオキサン結合を形成して、有機化合
物が感光体表面に固定される。
の熱処理を施す。これにより、有機化合物末端の少なく
とも１個のアルキル基で置換されたシリル基が、感光体
表面のSi,C,Nなどとオキサン結合を形成して、有機化合
物が感光体表面に固定される。
本発明に用いる有機化合物を有機表面保護層中に含有さ
せる場合を次に示す。
せる場合を次に示す。
例えばフロンソルベントなどの溶剤に、本発明に用いる
有機化合物を溶解し、溶液１を作製する。
有機化合物を溶解し、溶液１を作製する。
更に、三次元硬化型バインダー剤又は熱可塑性バインダ
ー剤を、これらが良く溶解する有機溶剤、例えばメチル
エチルケトンと酢酸ブチルセルソルブとを混合したも
の、に溶解し、溶液２を作製する。
ー剤を、これらが良く溶解する有機溶剤、例えばメチル
エチルケトンと酢酸ブチルセルソルブとを混合したも
の、に溶解し、溶液２を作製する。
その後、溶液１と溶液２とを混合し、塗布液を作製す
る。
る。
この塗布液を、浸漬法，回転塗布法など適宜選択し、感
光体表面に形成する。
光体表面に形成する。
その後、温度80℃〜150℃の状態で、時間0.5h〜3h程度
の前段熱処理を施し、更に、温度180℃〜300℃の状態で
1h〜3h程度の後段熱処理を施す。
の前段熱処理を施し、更に、温度180℃〜300℃の状態で
1h〜3h程度の後段熱処理を施す。
前段熱処理は、主として溶剤の蒸発が、後段熱処理は、
主として有機表面保護層の架橋が、目的である。
主として有機表面保護層の架橋が、目的である。
有機表面保護層中に有機化合物を分散，含有させる場
合、有機表面保護層の厚さは、１μｍ以下が望ましく、
0.1〜0.5μｍがより好適である。
合、有機表面保護層の厚さは、１μｍ以下が望ましく、
0.1〜0.5μｍがより好適である。
厚すぎると電子写真感光体の残留特性などが悪化する。
厚さが１μｍ以下であれば上述の有機表面保護層を形成
しても光導電性，帯電特性等に影響を及ぼすことはな
い。
厚さが１μｍ以下であれば上述の有機表面保護層を形成
しても光導電性，帯電特性等に影響を及ぼすことはな
い。
有機表面保護層としてエポキシ樹脂を用いる場合には、
イソシアネート基を含有するフツ素化合物、例えば下記
一般式で表わされる化合物を、少なくとも１個のアルコ
キシ基で置換されたシリル基を有する化合物に替えて用
いることができる。
イソシアネート基を含有するフツ素化合物、例えば下記
一般式で表わされる化合物を、少なくとも１個のアルコ
キシ基で置換されたシリル基を有する化合物に替えて用
いることができる。
Rf−Ｒ−（Ｒ′）ｍ−（NCO）ｎ 又は ｛Rf｝−｛Ｒ−（Ｒ′）ｍ−（NCO）ｎ｝２ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキル基又はパ
ーフルオロポリオキシアルキレン基、Ｒは結合基で−CO
NH−，−OCONH−又は−CH2OCONH−,R′は２価若しくは
３価の飽和脂肪族炭化水素基で炭素数が５〜20のもの又
は２価若しくは３価の芳香族炭化水素基で のものが好ましく、ｍは０以上の整数であり、１が好ま
しく、ｎは１又は２を表わす。） （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキル基、又は
パーフルオロポリオキシアルキレン基、R1は直接結合，
アミド結合，−CH2−又は−CO−、R2は直接結合，エー
テル結合，エステル結合，アミド結合又は−OCH2l−で
繰り返し毎に違つていても良く、Ｘは１以上の整数で好
ましくは１〜３、ｎ及びｌは１又は２を示す。） 含フツ素化合物の具体的な例を下記に示す。
ーフルオロポリオキシアルキレン基、Ｒは結合基で−CO
NH−，−OCONH−又は−CH2OCONH−,R′は２価若しくは
３価の飽和脂肪族炭化水素基で炭素数が５〜20のもの又
は２価若しくは３価の芳香族炭化水素基で のものが好ましく、ｍは０以上の整数であり、１が好ま
しく、ｎは１又は２を表わす。） （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキル基、又は
パーフルオロポリオキシアルキレン基、R1は直接結合，
アミド結合，−CH2−又は−CO−、R2は直接結合，エー
テル結合，エステル結合，アミド結合又は−OCH2l−で
繰り返し毎に違つていても良く、Ｘは１以上の整数で好
ましくは１〜３、ｎ及びｌは１又は２を示す。） 含フツ素化合物の具体的な例を下記に示す。
1.Rf−CONH−CH2−Ｃ（CH3）２−CH2−CH（CH3）−CH2
−CH2−NCO 5.｛Rf｝−｛CONHCH2C（CH3）２−CH2CH（CH3）CH2CH2
−NCO｝２ 9.Rf−CH2OCONH−CH2C（CH3）２−CH2CH（CH3）−CH2CH
2−NCO 式中はRfは既に述べたものと同じ、パーフルオロポリオ
キシアルキル基である。これらのイソシアネート基は、
フエノール若しくはクレゾール等のフエノール類，第１
級アミン類又はアルコール類などでマスクされ、加熱し
て始めて反応する。
−CH2−NCO 5.｛Rf｝−｛CONHCH2C（CH3）２−CH2CH（CH3）CH2CH2
−NCO｝２ 9.Rf−CH2OCONH−CH2C（CH3）２−CH2CH（CH3）−CH2CH
2−NCO 式中はRfは既に述べたものと同じ、パーフルオロポリオ
キシアルキル基である。これらのイソシアネート基は、
フエノール若しくはクレゾール等のフエノール類，第１
級アミン類又はアルコール類などでマスクされ、加熱し
て始めて反応する。
上記の含フツ素化合物を作製する場合には、例えばイソ
シアネート基をマスクしている含フツ素系化合物と、多
官能エポキシ化合物，フエノール化合物，アミン化合
物，ポリアミド化合物などの硬化剤とからなる塗料を作
製するとよい。
シアネート基をマスクしている含フツ素系化合物と、多
官能エポキシ化合物，フエノール化合物，アミン化合
物，ポリアミド化合物などの硬化剤とからなる塗料を作
製するとよい。
塗料の作製に用いる溶剤は、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、N,Nジメチルホルムアミド、エチレング
リコールメチルエーテル等が望ましい。
ロヘキサノン、N,Nジメチルホルムアミド、エチレング
リコールメチルエーテル等が望ましい。
この塗液に感光体を含浸し塗膜を形成し、加熱すると、
イソシアネート基はマスクが外れて、エポキシ基と反応
し、オキサゾリドン環を介してエポキシ化合物と化学結
合する。
イソシアネート基はマスクが外れて、エポキシ基と反応
し、オキサゾリドン環を介してエポキシ化合物と化学結
合する。
加熱温度，時間などの熱処理条件は前述のものと同様で
よい。
よい。
少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基を
末端にもつ非フツ素含有グループと、パーフルオロポリ
オキシアルキルグループ又はパーフルオロポリオキシア
ルキレングループと、が結合した有機化合物は、末端の
少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基が
ａ−Si:H感光体の表面と反応し、強固な結合を形成して
感光体表面に固定される。
末端にもつ非フツ素含有グループと、パーフルオロポリ
オキシアルキルグループ又はパーフルオロポリオキシア
ルキレングループと、が結合した有機化合物は、末端の
少なくとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基が
ａ−Si:H感光体の表面と反応し、強固な結合を形成して
感光体表面に固定される。
又、有機表面保護層内に有機化合物が含有される場合に
は、有機表面保護層と少なくとも１個のアルコキシ基で
置換されたシリル基とが反応し、一部の有機化合物が有
機表面保護層内に強固に固定され、他の有機化合物は表
面に固定される。
は、有機表面保護層と少なくとも１個のアルコキシ基で
置換されたシリル基とが反応し、一部の有機化合物が有
機表面保護層内に強固に固定され、他の有機化合物は表
面に固定される。
有機化合物のパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループは、感
光体表面を覆い、炭化フツ素の長鎖をもつため、はつ水
性，クリーニング性及び耐摩耗性に効果を及ぼし、ａ−
Si:H感光体に適用した場合に、画像流れの生じない高信
頼性の長寿命感光体が実現できる。
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループは、感
光体表面を覆い、炭化フツ素の長鎖をもつため、はつ水
性，クリーニング性及び耐摩耗性に効果を及ぼし、ａ−
Si:H感光体に適用した場合に、画像流れの生じない高信
頼性の長寿命感光体が実現できる。
イソシアネート基を用いる場合も同様である。
実施例１ 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は、本発明によるａ−Si:H感光体の膜構造を示し
た概略図である。
た概略図である。
第１図において、符号101はAl素管、102は電荷注入阻止
層、103は電荷搬送層、104は電荷発生層、105は表面保
護層、106は有機化合物層、107は有機化合物、108は非
フツ素含有基、109はパーフルオロポリオキシアルキル
基をそれぞれ意味する。
層、103は電荷搬送層、104は電荷発生層、105は表面保
護層、106は有機化合物層、107は有機化合物、108は非
フツ素含有基、109はパーフルオロポリオキシアルキル
基をそれぞれ意味する。
φ120mm×l400mmのAl素管101上に、 モノシラン，エチレン，ジボラン及び水素の混合ガス
を用いて、ａ−SiC:H:Bの電荷注入阻止層102を、 モノシラン，ジボラン及び水素の混合ガスを用いて、
ａ−Si:H:Bの電荷搬送層103を、 モノシラン，ゲルマン及び水素の混合ガスを用いて、
ａ−SiGe:Hの電荷発生層104を、 モノシラン，エチレン及び水素の混合ガスを用いて、
ａ−SiC:Hの表面保護層105を、13.56MHZの高周波を印加
するプラズマ気相反応装置内で、順次形成した。
を用いて、ａ−SiC:H:Bの電荷注入阻止層102を、 モノシラン，ジボラン及び水素の混合ガスを用いて、
ａ−Si:H:Bの電荷搬送層103を、 モノシラン，ゲルマン及び水素の混合ガスを用いて、
ａ−SiGe:Hの電荷発生層104を、 モノシラン，エチレン及び水素の混合ガスを用いて、
ａ−SiC:Hの表面保護層105を、13.56MHZの高周波を印加
するプラズマ気相反応装置内で、順次形成した。
各層の膜厚は、電荷注入阻止層102が２μm,電荷搬送層1
03が30μm,電荷発生層104が１μm,表面保護層105が0.5
μｍである。
03が30μm,電荷発生層104が１μm,表面保護層105が0.5
μｍである。
次に、この感光体をプラズマ気相反応装置より取り出
し、本発明になる有機化合物層106を設けた。
し、本発明になる有機化合物層106を設けた。
有機化合物層106の形成に用いた塗布液は、下記の化学
構造式 Rf−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ （式中、RfはＦ（CF（CF3）−CF2O−）ｎ−CF（CF3）−
を示し、ｎは平均14である。） で示される有機化合物10gを、フロンソルベント1990g中
に溶解して作製した。
構造式 Rf−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ （式中、RfはＦ（CF（CF3）−CF2O−）ｎ−CF（CF3）−
を示し、ｎは平均14である。） で示される有機化合物10gを、フロンソルベント1990g中
に溶解して作製した。
この溶液に、上述した感光体を浸漬して表面に塗膜を形
成した。
成した。
この後、大気中、温度150℃の状態で１時間の間熱処理
を施し、有機化合物10の非フツ素含有基108の末端のと
表面保護層105のSi又はＣとを反応させ、パーフルオロ
ポリオキシアルキル基109で覆われた有機化合物層106を
作製した。
を施し、有機化合物10の非フツ素含有基108の末端のと
表面保護層105のSi又はＣとを反応させ、パーフルオロ
ポリオキシアルキル基109で覆われた有機化合物層106を
作製した。
このようにして得た感光体を感光体特性評価機に装着
し、感光体を静止したままでコロナ照射試験を実施し
た。
し、感光体を静止したままでコロナ照射試験を実施し
た。
コロナ照射試験後の耐湿性を、水と感光体との接触角に
より評価した。
より評価した。
結果を第３図に示す。
第３図は、コロナ照射時間（ｂ）と接触角（度）との関
係を示したグラフである。
係を示したグラフである。
第３図中には比較例として有機化合物層106を設けてい
ない感光体の結果も合せて示した。
ない感光体の結果も合せて示した。
本発明になる感光体は、コロナ照射40時間後でも接触角
が高く、良好な耐湿性を示した。
が高く、良好な耐湿性を示した。
また、本発明になる感光体を用いて、波長780nmの半導
体レーザーを光源とし、毎分120頁の印刷スピードを有
するプリンターに搭載して印刷試験を行つた。
体レーザーを光源とし、毎分120頁の印刷スピードを有
するプリンターに搭載して印刷試験を行つた。
その結果、湿度80％RHの条件下において、300万頁印刷
後でもフイルミングや画像流れなどの問題が起らず、鮮
明な画像が得られた。
後でもフイルミングや画像流れなどの問題が起らず、鮮
明な画像が得られた。
更に、画像を低倍率の顕微鏡で観察し、解像度などを調
べた結果、初期の画像品質と変わらず良好であつた。
べた結果、初期の画像品質と変わらず良好であつた。
一方、クリーニングブラシによる耐摩耗性を、水と観光
体との接触角により評価した。
体との接触角により評価した。
結果を第４図に示す。
第４図は、クリーニングブラシによる摩耗時間（ｈ）と
接触角（度）との関係を示したグラフである。
接触角（度）との関係を示したグラフである。
第４図中には比較例として有機化合物層106を設けてい
ない感光体の結果も合せて示した。
ない感光体の結果も合せて示した。
本発明になる感光体は、クリーニングブラシによる摩耗
時間35時間後でも接触角が高く、良好な耐摩耗性を示し
た。
時間35時間後でも接触角が高く、良好な耐摩耗性を示し
た。
実施例２ 以下、本発明の他の実施例を第２図により説明する。
第２図は、本発明によるａ−Si:H感光体の膜構造を示し
た概略図である。
た概略図である。
第２図に示した感光体は、実施例１と同様にAl素管101
上に、符号102〜105の膜を積層して４層構造のａ−Si:H
感光体を作製した。
上に、符号102〜105の膜を積層して４層構造のａ−Si:H
感光体を作製した。
次にこの感光体をプラズマ気相反応装置より取出し、本
発明の有機化合物107を含有する有機表面保護層112を塗
布した。
発明の有機化合物107を含有する有機表面保護層112を塗
布した。
塗布液として、実施例１に示したと同様の化学構造を有
する有機化合物5gを、フロンソルベント995g中に溶解し
た溶液１を作製し、次に、メチルエチルケトン800g、酢
酸エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル100gを
混合した溶剤に、エポキシ樹脂59.5g、フエノール樹脂4
0.5g及びトリエチルアンモニウムカリボール塩0.6gを溶
解した溶液２を作製し、溶液１と溶液２とを混合したも
のを作製した。
する有機化合物5gを、フロンソルベント995g中に溶解し
た溶液１を作製し、次に、メチルエチルケトン800g、酢
酸エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル100gを
混合した溶剤に、エポキシ樹脂59.5g、フエノール樹脂4
0.5g及びトリエチルアンモニウムカリボール塩0.6gを溶
解した溶液２を作製し、溶液１と溶液２とを混合したも
のを作製した。
この溶液に上述したａ−Si:H感光体を浸漬して、表面に
有機バインダー層111及び有機化合物層106からなる有機
表面保護層112を形成した。
有機バインダー層111及び有機化合物層106からなる有機
表面保護層112を形成した。
この後、温度100℃の状態で１時間の間前段熱処理を施
し、温度200℃の状態で２時間の間後段熱処理（バイン
ダーの加熱硬化）を施し、有機表面保護層112を完成し
た。
し、温度200℃の状態で２時間の間後段熱処理（バイン
ダーの加熱硬化）を施し、有機表面保護層112を完成し
た。
そしてパーフルオロポリアルキル基109及び末端に少な
くとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基を有す
る非フツ素含有基 108からなる有機化合物107は有機バインダ層111と化学
結合し、有機バインダ層111内部あるいは有機バインダ
層111表面に固定される。
くとも１個のアルコキシ基で置換されたシリル基を有す
る非フツ素含有基 108からなる有機化合物107は有機バインダ層111と化学
結合し、有機バインダ層111内部あるいは有機バインダ
層111表面に固定される。
このようにして得た感光体も実施例１と同様、水と感光
体との接触角が高く、良好な耐湿性を示した。
体との接触角が高く、良好な耐湿性を示した。
更に、実施例１と同様、湿度80％RHの条件下において、
300万頁印刷後でも画像流れなどの問題は生じず、鮮明
な画像が得られた。
300万頁印刷後でも画像流れなどの問題は生じず、鮮明
な画像が得られた。
実施例３ 実施例１と同様にして４層構造のａ−Si:H感光体を作製
した。
した。
次にこの感光体に本発明の含フツ素化合物を含有するエ
ポキシ樹脂よりなる有機表面保護層を塗布法にて形成し
た。
ポキシ樹脂よりなる有機表面保護層を塗布法にて形成し
た。
（式中、Rfは、Ｆ（CF（CF3）−C2F2O）ｎ−CF（CF3）
−でｎ＝平均14である。） で示される化合物4g,エポキシ樹脂37.9g,フエノール樹
脂62.1g,エポキシ樹脂の硬化促進剤としてトリエチルア
ンモニウムカリボール塩0.38gを、メチルエチルケトン1
596g,酢酸エチレングリコールモノーｎ−ブチルエーテ
ル200g及びフロンソルベント100gを混合したものに溶解
し、塗布法を作製した。
−でｎ＝平均14である。） で示される化合物4g,エポキシ樹脂37.9g,フエノール樹
脂62.1g,エポキシ樹脂の硬化促進剤としてトリエチルア
ンモニウムカリボール塩0.38gを、メチルエチルケトン1
596g,酢酸エチレングリコールモノーｎ−ブチルエーテ
ル200g及びフロンソルベント100gを混合したものに溶解
し、塗布法を作製した。
この溶液に上述のａ−Si:H感光体を浸漬し、表面にエポ
キシ樹脂よりなる有機表面保護層を形成した後、温度10
0℃の状態で１時間の間前段熱処理（予備加熱処理）を
施し、温度200℃の状態で２時間の間後段熱処理（加熱
硬化処理）を施し、有機表面保護層を完成した。
キシ樹脂よりなる有機表面保護層を形成した後、温度10
0℃の状態で１時間の間前段熱処理（予備加熱処理）を
施し、温度200℃の状態で２時間の間後段熱処理（加熱
硬化処理）を施し、有機表面保護層を完成した。
含フツ素化合物のイソシアネート基は、エポキシ基と化
学結合し、有機バインダ層内部あるいは有機バインダ層
表面に固定される。
学結合し、有機バインダ層内部あるいは有機バインダ層
表面に固定される。
尚、実施例３の膜構造は実施例２の膜構造と同様であ
る。
る。
このようにして得た感光体も実施例１と同様、水と感光
体との接触角が高く、良好な耐湿性を示した。
体との接触角が高く、良好な耐湿性を示した。
更に、実施例１と同様、湿度80％RHの条件下において、
300万頁印刷後でも画像流れなどの問題は生じず、鮮明
な画像が得られた。
300万頁印刷後でも画像流れなどの問題は生じず、鮮明
な画像が得られた。
第５図は、本発明の感光体を用いた電子写真装置の構成
図である。
図である。
第５図において、符号501はａ−Si:H感光ドラム、502は
帯電器、503は光学系、504は現像器、506は転写器、507
はクリーナ、508は電源・回路部、509はトナー、511は
用紙、512はフエードランプ、513はイレーズランプ、51
4はプレヒータ、516はヒートロール、517はレーザ光を
それぞれ示す。
帯電器、503は光学系、504は現像器、506は転写器、507
はクリーナ、508は電源・回路部、509はトナー、511は
用紙、512はフエードランプ、513はイレーズランプ、51
4はプレヒータ、516はヒートロール、517はレーザ光を
それぞれ示す。
感光ドラム501は、帯電器502により帯電する。
帯電した感光ドラム501の表面に、光学系503を介し、レ
ーザ光517が照射し感光ドラム501上に潜像が形成され
る。
ーザ光517が照射し感光ドラム501上に潜像が形成され
る。
現像器504は、感光ドラム501上の潜像にトナー509を付
着させ、印字パターンを形成させる。
着させ、印字パターンを形成させる。
フエードランプ512は、感光ドラム501上のトナーを効率
よく用紙511に転写するため設置される。
よく用紙511に転写するため設置される。
転写器506において、用紙511に感光ドラム上の印字パタ
ーンを転写する。
ーンを転写する。
印字パターンを転写された用紙511は、プレヒータ514,
ヒートロール516を通り、トナーが固定される。
ヒートロール516を通り、トナーが固定される。
一方、感光ドラム501上の残つたトナーは、イレーズラ
ンプ513,クリーナ507により取り除かれる。
ンプ513,クリーナ507により取り除かれる。
こうした装置により、フイルミングや画像流れなどのな
い印刷が可能となる。
い印刷が可能となる。
本発明によれば、長時間繰り返し使用しても耐湿性に優
れ、かつ耐摩耗性，クリーニング性にも優れる長寿命の
電子写真感光体を実現できる。
れ、かつ耐摩耗性，クリーニング性にも優れる長寿命の
電子写真感光体を実現できる。
更に、本発明のａ−Si:H感光体を用いた電子写真装置に
より、フイルミングや画像流れなどのない鮮明な画像の
電子写真装置を実現できる。
より、フイルミングや画像流れなどのない鮮明な画像の
電子写真装置を実現できる。
第１図は、本発明の一実施例であり、有機化合物をａ−
Si:H感光体表面に直接反応させた場合の感光体構造図、
第２図は、本発明の他の実施例であり、有機化合物を有
機バインダ層に含有させた場合の感光体構造図、第３図
は、コロナ照射時間と接触角との関係を示したグラフ、
第４図は、クリーニングブラシによる摩耗時間と接触角
との関係を示したグラフ、第５図は、本発明の感光体を
用いた電子写真装置の構成図である。 101……Al素管、102……電荷注入阻止層、103……電荷
搬送層、104……電荷発生層、105……表面保護層、106
……有機化合物層、107……有機化合物、108……非フツ
素含有基、109……パーフルオロポリオキシアルキル
基、111……有機バインダ層、112……有機表面保護層。
Si:H感光体表面に直接反応させた場合の感光体構造図、
第２図は、本発明の他の実施例であり、有機化合物を有
機バインダ層に含有させた場合の感光体構造図、第３図
は、コロナ照射時間と接触角との関係を示したグラフ、
第４図は、クリーニングブラシによる摩耗時間と接触角
との関係を示したグラフ、第５図は、本発明の感光体を
用いた電子写真装置の構成図である。 101……Al素管、102……電荷注入阻止層、103……電荷
搬送層、104……電荷発生層、105……表面保護層、106
……有機化合物層、107……有機化合物、108……非フツ
素含有基、109……パーフルオロポリオキシアルキル
基、111……有機バインダ層、112……有機表面保護層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若木 政利 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 庄司 三良 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 中川路 孝行 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 伊藤 豊 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小松崎 茂樹 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 山岸 智明 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (56)参考文献 特開 昭62−206559（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−107254（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−269161（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−221350（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−116362（ＪＰ，Ａ)
Claims (19)
- 【請求項１】支持体上に水素化アモルファスシリコン系
材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体におい
て、 前記光導電層の最表面部に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有することを特徴とする電子写真
感光体。 - 【請求項２】支持体上に水素化アモルファスシリコン系
材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体におい
て、 前記光導電層の最表面部に、パーフルオロポリオキシア
ルキルグループ又はパーフルオロポリオキシアルキレン
グループと、末端に少なくとも１個のアルコキシ基で置
換されたシリル基を有する非フッ素含有グループとが結
合した構造をもつ化合物を有することを特徴とする電子
写真感光体。 - 【請求項３】支持体上に水素化アモルファスシリコン系
材料からなる光導電層と表面保護層とを有する電子写真
感光体において、 前記表面保護層の最表面部に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有することを特徴とする電子写真
感光体。 - 【請求項４】導電性支持体上に、電荷注入阻止層，電荷
搬送層，電荷発生層及び表面保護層を順次有し、前記電
荷搬送層と前記電荷発生層とがいずれも水素化アモルフ
ァスシリコン系材料からなり、前記両層が光導電層を形
成する電子写真感光体において、 前記表面保護層の最表面部に、パーフルオロポリオキシ
アルキルグループ又はパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと、末端に少なくとも１個のアルコキシ基で
置換されたシリル基を有する非フッ素含有グループとが
結合した構造をもつ化合物を有することを特徴とする電
子写真感光体。 - 【請求項５】支持体上に水素化アモルファスシリコン系
材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体におい
て、 前記光導電層の最表面に有機表面保護層を有し、該有機
表面保護層中に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を含むことを特徴とする電子写真感
光体。 - 【請求項６】支持体上に水素化アモルファスシリコン系
材料からなる光導電層を具備する電子写真感光体におい
て、 前記光導電層の最表面に有機表面保護層を有し、該有機
表面保護層中に、パーフルオロポリオキシアルキルグル
ープ又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ
と、末端に少なくとも１個のアルコキシ基で置換された
シリル基を有する非フッ素含有グループとが結合した構
造をもつ化合物を含み、前記パーフルオロポリオキシア
ルキルグループ又はパーフルオロポリオキシアルキレン
グループの一部が、前記有機表面保護層の表面上に存在
していることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項７】前記有機表面保護層の膜厚が、10〜1000nm
であることを特徴とする請求項５又は６記載の電子写真
感光体。 - 【請求項８】請求項２において、前記非フッ素含有グル
ープが、下記一般式 −R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、R1は−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素
数２〜４のアルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキ
シ基、ｍは１〜３を示す。） で表わされることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項９】支持体上に水素化アモルファスシリコン系
材料よりなる光導電層と表面保護層とを具備する電子写
真感光体において、 前記表面保護層の最表面部に、パーフルオロポリオキシ
アルキルグループ又はパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと、末端に少なくとも１個のアルコキシ基で
置換されたシリル基を有する非フッ素含有グループとが
結合した構造をもつ化合物を有し、該化合物と前記表面
保護層とが化学結合していることを特徴とする電子写真
感光体。 - 【請求項１０】前記化学結合が、オキサン結合であるこ
とを特徴とする請求項９記載の電子写真感光体。 - 【請求項１１】ドラム状の支持体上に水素化アモルファ
スシリコン系材料よりなる光導電層を有する電子写真用
感光体ドラムにおいて、 前記光導電層の最表面部が、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有していることを特徴とする電子
写真用感光ドラム。 - 【請求項１２】水素化アモルファスシリコン系材料より
なる光導電層と該光導電層の支持体とを具備する電子写
真感光体の製造方法において、 前記光導電層の最表面部に、下記一般式、 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物の溶液を形成し、その後熱処理を施
して前記化合物を該最表面部に固定することを特徴とす
る電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項１３】支持体上に水素化アモルファスシリコン
系材料よりなる光導電層を具備する感光ドラムと、 該感光ドラムに帯電する帯電系と、 前記感光ドラムに潜像を形成する光学系と、 潜像を形成した前記感光ドラムにトナーを付着させ印字
パターンを形成する現像系と、 前記感光ドラム上の印字パターンを用紙に転写する転写
系と、 前記感光ドラム上に残ったトナーを除却するクリーニン
グ系とを具備する電子写真装置において、 前記感光ドラムの最表面部に、パーフルオロポリオキシ
アルキルグループ又はパーフルオロポリオキシアルキレ
ングループと、末端に少なくとも１個のアルコキシ基で
置換されたシリル基を有する非フッ素含有グループとが
結合した構造をもつ化合物を有することを特徴とする電
子写真装置。 - 【請求項１４】支持体上に水素化アモルファスシリコン
系材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体にお
いて、 前記光導電層の最表面部に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有し、 該化合物が有機表面物質に覆われていて、前記化合物の
一部が有機表面物質上に存在していることを特徴とする
電子写真感光体。 - 【請求項１５】支持体上に、水素化アモルファスシリコ
ン系材料よりなり、光を照射することにより潜像を形成
する光導電層を有する電子写真感光体において、 前記光の照射される面に、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物を有することを特徴とする電子写真
感光体。 - 【請求項１６】支持体上に、水素化アモルファスシリコ
ン系材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体に
おいて、 前記光導電層の最表面部が、下記一般式 Rf−R1−R2−Si（R3）ｍ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキルグループ
又はパーフルオロポリオキシアルキレングループ、R1は
−CONH−，−COO−，−CH2O−、R2は炭素数２〜４のア
ルキレン基、R3は炭素数１〜３のアルコキシ基、ｍは１
〜３を示す。） で表わされる化合物で覆われていることを特徴とする電
子写真感光体。 - 【請求項１７】支持体に水素化アモルフアスシリコン系
材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体におい
て、 前記光導電層の最表面部にエポキシ樹脂を有する表面保
護層を有し、 該表面保護層中に下記一般式 Rf−Ｒ−（Ｒ′）ｍ−（NCO）ｎ 又は ｛Rf｝−｛Ｒ−（Ｒ′）ｍ−（NCO）ｎ｝２ （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキル基又はパ
ーフルオロポリオキシアルキレン基、Ｒは結合基で−CO
NH−，−OCONH−又は−CH2OCONH−、Ｒ′は２価若しく
は３価の飽和脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素
基、ｍは０以上の整数,nは１又は２を示す。） で表わされるイソシアネート基を有するフツ素化合物を
含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項１８】支持体に水素化アモルフアスシリコン系
材料よりなる光導電層を具備する電子写真感光体におい
て、 前記光導電層の最表面部にエポキシ樹脂を有する表面保
護層を有し、 該表面保護層中に下記一般式 （式中、Rfはパーフルオロポリオキシアルキル基又はパ
ーフルオロポリオキシアルキレン基、R1は直接結合，ア
ミド結合，−CH2−又は−CO−、R2は直接結合，エーテ
ル結合，エステル結合，アミド結合又は−OClH2l−（繰
り返し毎に違つていてもよい。）、ｘは１以上の整数,n
及びｌは１又は２を示す。） で表わされるイソシアネート基を有するフツ素化合物を
含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項１９】前記イソシアネート基を有するフツ素化
合物の前記イソシアネート基が、フエノール類でマスク
されていることを特徴とする請求項17又は18の電子写真
感光体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004950A JPH07120059B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| US07/394,657 US5073466A (en) | 1988-08-29 | 1989-08-16 | Electrophotographic member containing a fluorine-containing lubricating agent and process for producing the same |
| EP19890115713 EP0356933A3 (en) | 1988-08-29 | 1989-08-25 | Electrophotographic member and process for producing the same |
| KR1019890012322A KR900003695A (ko) | 1889-01-13 | 1989-08-29 | 전자사진 감광체 및 이들의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004950A JPH07120059B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186358A JPH02186358A (ja) | 1990-07-20 |
| JPH07120059B2 true JPH07120059B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=11597851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1004950A Expired - Lifetime JPH07120059B2 (ja) | 1889-01-13 | 1989-01-13 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120059B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103555A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Hitachi Ltd | 高耐湿電子写真感光体、その製造方法及びそれを使用してなる電子写真装置 |
| JPS61107254A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS61116362A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-03 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS62206559A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4770963A (en) * | 1987-01-30 | 1988-09-13 | Xerox Corporation | Humidity insensitive photoresponsive imaging members |
| JPS63269161A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH06100842A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-12 | Konishi Kk | 粘着テープ材、粘着テープ材の製造方法、貼着方法及び貼着装置 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1004950A patent/JPH07120059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02186358A (ja) | 1990-07-20 |
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