JPH07118035A - セラミックス基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミックス基板およびその製造方法Info
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- JPH07118035A JPH07118035A JP25988493A JP25988493A JPH07118035A JP H07118035 A JPH07118035 A JP H07118035A JP 25988493 A JP25988493 A JP 25988493A JP 25988493 A JP25988493 A JP 25988493A JP H07118035 A JPH07118035 A JP H07118035A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
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- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガラスと結晶とからなるセラミックス基板に
おいて、前記ガラスとしてＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属を示
す）を、前記結晶としてコージェライトをそれぞれ主に
含有し、さらに石英ガラス及び／又は石英結晶を含有し
ているセラミックス基板。 【効果】 ガラスの軟化温度が７２０℃以下になり、８
５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔率を減少させてち
密化することができ、熱膨張係数がシリコンに近く、比
誘電率が小さく、機械的強度、耐湿性、耐水性等にも優
れたセラミック基板を提供することができる。
おいて、前記ガラスとしてＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属を示
す）を、前記結晶としてコージェライトをそれぞれ主に
含有し、さらに石英ガラス及び／又は石英結晶を含有し
ているセラミックス基板。 【効果】 ガラスの軟化温度が７２０℃以下になり、８
５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔率を減少させてち
密化することができ、熱膨張係数がシリコンに近く、比
誘電率が小さく、機械的強度、耐湿性、耐水性等にも優
れたセラミック基板を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス基板及びそ
の製造方法、より詳細には電子部品を搭載するための多
層配線基板として多く用いられるセラミックス基板及び
その製造方法に関する。
の製造方法、より詳細には電子部品を搭載するための多
層配線基板として多く用いられるセラミックス基板及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高集積化したＬＳＩや各種電子部
品を搭載する多層配線基板において、小型化、高信頼性
等の要求を満たすべく基板材料としてセラミックスが用
いられることが多くなってきている。なかでも、アルミ
ナは強度が高い等の種々の利点を有するため、前記基板
材料用のセラミックス中に占める割合は大きい。しかし
一方、前記アルミナは比誘電率が大きいため伝送信号の
遅延を生じさせ、また熱膨張係数がシリコンに比べると
かなり大きいために部品を実装する際の信頼性を確保す
るのが困難であるという問題点を有している。さらに、
アルミナの焼成温度は１５５０℃前後と高いため、内層
の配線として、融点が高く電気抵抗率の大きいＷ又はＭ
ｏを使用する必要があり、このような導体材料により構
成される配線を微細化すると電気抵抗値が大きくなると
いう問題点をも有している。
品を搭載する多層配線基板において、小型化、高信頼性
等の要求を満たすべく基板材料としてセラミックスが用
いられることが多くなってきている。なかでも、アルミ
ナは強度が高い等の種々の利点を有するため、前記基板
材料用のセラミックス中に占める割合は大きい。しかし
一方、前記アルミナは比誘電率が大きいため伝送信号の
遅延を生じさせ、また熱膨張係数がシリコンに比べると
かなり大きいために部品を実装する際の信頼性を確保す
るのが困難であるという問題点を有している。さらに、
アルミナの焼成温度は１５５０℃前後と高いため、内層
の配線として、融点が高く電気抵抗率の大きいＷ又はＭ
ｏを使用する必要があり、このような導体材料により構
成される配線を微細化すると電気抵抗値が大きくなると
いう問題点をも有している。
【０００３】そこで、このような問題点を解決するた
め、比誘電率が小さく、熱膨張係数がシリコンの熱膨張
係数に近く、さらに例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
低融点で低抵抗率の金属材料を内層導体として使用して
も、内層導体との同時焼成が可能なセラミックス材料を
用いた低温焼成セラミックス基板の研究開発が進められ
ている。
め、比誘電率が小さく、熱膨張係数がシリコンの熱膨張
係数に近く、さらに例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
低融点で低抵抗率の金属材料を内層導体として使用して
も、内層導体との同時焼成が可能なセラミックス材料を
用いた低温焼成セラミックス基板の研究開発が進められ
ている。
【０００４】一般に低温焼成セラミックス基板は、ガラ
ス材料と骨材と呼ばれる結晶材料とを混合し、焼成する
ことによって製造される。しかし、ガラス材料と結晶材
料の組合せの数は極めて多い。また両者の組み合わせに
により焼成の際の相乗作用が異なり、得られるセラミッ
クス基板の特性（比誘電率、熱膨張係数、焼成温度、抗
折強度等）が変化するため、最良の組み合せを見つけ、
さらに常に一定の特性を出現させることができる安定し
た組成や構造を有するセラミックス基板を製造すること
は困難であった。
ス材料と骨材と呼ばれる結晶材料とを混合し、焼成する
ことによって製造される。しかし、ガラス材料と結晶材
料の組合せの数は極めて多い。また両者の組み合わせに
により焼成の際の相乗作用が異なり、得られるセラミッ
クス基板の特性（比誘電率、熱膨張係数、焼成温度、抗
折強度等）が変化するため、最良の組み合せを見つけ、
さらに常に一定の特性を出現させることができる安定し
た組成や構造を有するセラミックス基板を製造すること
は困難であった。
【０００５】このような背景の中、比誘電率が低く、熱
膨張係数がシリコンに近いという特性を損なうことな
く、強度が大きく、信号伝達の高速化や搭載素子の高集
積化に対応できる低温焼結セラミックス基板として、特
開平２−２２５３３８号公報に開示されているようなコ
ージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）
系結晶化ガラスや、特開平２−２２５３３９号公報や特
開平２−２２５３４０号公報に開示されているようなコ
ージェライト結晶化ガラスとセラミックス骨材との複合
材料が使用されたセラミックス基板が注目されるように
なってきた。
膨張係数がシリコンに近いという特性を損なうことな
く、強度が大きく、信号伝達の高速化や搭載素子の高集
積化に対応できる低温焼結セラミックス基板として、特
開平２−２２５３３８号公報に開示されているようなコ
ージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）
系結晶化ガラスや、特開平２−２２５３３９号公報や特
開平２−２２５３４０号公報に開示されているようなコ
ージェライト結晶化ガラスとセラミックス骨材との複合
材料が使用されたセラミックス基板が注目されるように
なってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記特開平２
−２２５３３８号公報において用いられているコージェ
ライト系結晶化ガラスは、軟化温度が比確的高く、また
高温での粘度も高いため、低温焼成によるセラミックス
基板のち密化が難しく、さらに前記特開平２−２２５３
３９号公報や特開平２−２２５３４０号公報に開示され
たコージェライト結晶化ガラスとセラミックス骨材との
複合材料については、軟化温度の高いコージェライトに
さらに高温でも軟化しにくいセラミックス骨材が添加さ
れているため、低温焼成によるセラミックス基板のち密
化がより困難になるという課題があった。
−２２５３３８号公報において用いられているコージェ
ライト系結晶化ガラスは、軟化温度が比確的高く、また
高温での粘度も高いため、低温焼成によるセラミックス
基板のち密化が難しく、さらに前記特開平２−２２５３
３９号公報や特開平２−２２５３４０号公報に開示され
たコージェライト結晶化ガラスとセラミックス骨材との
複合材料については、軟化温度の高いコージェライトに
さらに高温でも軟化しにくいセラミックス骨材が添加さ
れているため、低温焼成によるセラミックス基板のち密
化がより困難になるという課題があった。
【０００７】このような点から、Ａｇを内層するのに必
要な９５０℃以下の温度やＣｕ等を内層するのに必要な
１０００℃以下の温度でコージェライト系結晶化ガラス
が析出するように焼成を行った場合には、得られるセラ
ミックス基板は、気孔率が充分に小さくならず、抗折強
度や耐湿性等が充分でなく、内層導体の酸化やマイグレ
ーションが発生し易く、信頼性に乏しいものになるとい
う課題があった。
要な９５０℃以下の温度やＣｕ等を内層するのに必要な
１０００℃以下の温度でコージェライト系結晶化ガラス
が析出するように焼成を行った場合には、得られるセラ
ミックス基板は、気孔率が充分に小さくならず、抗折強
度や耐湿性等が充分でなく、内層導体の酸化やマイグレ
ーションが発生し易く、信頼性に乏しいものになるとい
う課題があった。
【０００８】また従来、前記したガラスから結晶を析出
させる方法においては、ガラス中から結晶核が生成しや
すいようにガラス成分に核形成剤（骨材）を添加するの
が一般的であったが、この方法を採用した場合、通常は
結晶生成温度で一定時間保持する等の核生成のための熱
処理が必要であり、結果として基板の焼成時間が長くな
り、生産性が悪いという課題があった。
させる方法においては、ガラス中から結晶核が生成しや
すいようにガラス成分に核形成剤（骨材）を添加するの
が一般的であったが、この方法を採用した場合、通常は
結晶生成温度で一定時間保持する等の核生成のための熱
処理が必要であり、結果として基板の焼成時間が長くな
り、生産性が悪いという課題があった。
【０００９】本発明は上記した課題に鑑み発明されたも
のであって、熱膨張係数がシリコンに近く、比誘電率が
小さく、抗折強度、耐湿性、耐水性等にも優れたセラミ
ック基板、及び焼成温度が１０００℃以下、さらには９
００℃前後でも短時間でち密化させることができる、生
産性に優れた前記セラミックス基板の製造方法を提供す
ることを目的としている。
のであって、熱膨張係数がシリコンに近く、比誘電率が
小さく、抗折強度、耐湿性、耐水性等にも優れたセラミ
ック基板、及び焼成温度が１０００℃以下、さらには９
００℃前後でも短時間でち密化させることができる、生
産性に優れた前記セラミックス基板の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るセラミックス基板は、ガラスと結晶とか
らなるセラミックス基板において、前記ガラスとしてＭ
ｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラ
ス（Ｒはアルカリ金属を示す）を、前記結晶として２Ｍ
ｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 をそれぞれ主に含有
し、さらにＳｉＯ2 ガラス及び／又はＳｉＯ2 結晶を含
有していることを特徴としている（１）。
に本発明に係るセラミックス基板は、ガラスと結晶とか
らなるセラミックス基板において、前記ガラスとしてＭ
ｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラ
ス（Ｒはアルカリ金属を示す）を、前記結晶として２Ｍ
ｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 をそれぞれ主に含有
し、さらにＳｉＯ2 ガラス及び／又はＳｉＯ2 結晶を含
有していることを特徴としている（１）。
【００１１】また本発明に係るセラミックス基板は、ガ
ラスと結晶とからなるセラミックス基板において、上記
（１）に記載されたガラスと結晶の他に、結晶としてＡ
ｌ2Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 を含有し
ていることを特徴としている（２）。
ラスと結晶とからなるセラミックス基板において、上記
（１）に記載されたガラスと結晶の他に、結晶としてＡ
ｌ2Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 を含有し
ていることを特徴としている（２）。
【００１２】また本発明に係るセラミックス基板は、上
記（１）記載のセラミックス基板の製造方法であって、
ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 及びＲ2 Ｏ
（Ｒはアルカリ金属を示す）から構成されたガラス粉末
と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末と、
ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結晶粉末とを混
合して８５０℃以上１０００℃未満の温度範囲で焼成す
ることを特徴としている（３）。
記（１）記載のセラミックス基板の製造方法であって、
ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 及びＲ2 Ｏ
（Ｒはアルカリ金属を示す）から構成されたガラス粉末
と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末と、
ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結晶粉末とを混
合して８５０℃以上１０００℃未満の温度範囲で焼成す
ることを特徴としている（３）。
【００１３】さらに本発明に係るセラミックス基板は、
上記（２）記載のセラミックス基板の製造方法であっ
て、上記（３）に記載されたガラス粉末と結晶粉末の他
に、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｉＯ2 結晶粉末を添加、混合し、８５０℃以上１０００
℃未満の温度範囲で焼成することを特徴としている
（４）。
上記（２）記載のセラミックス基板の製造方法であっ
て、上記（３）に記載されたガラス粉末と結晶粉末の他
に、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｉＯ2 結晶粉末を添加、混合し、８５０℃以上１０００
℃未満の温度範囲で焼成することを特徴としている
（４）。
【００１４】
【作用】上記構成のセラミックス基板（１）によれば、
ガラスと結晶とからなるセラミックス基板において、前
記ガラスとしてＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属を示す）を、前
記結晶として２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 をそ
れぞれ主に含有し、さらにＳｉＯ2 ガラス及び／又はＳ
ｉＯ2 結晶を含有しており、ガラスの軟化温度が７２０
℃以下になり、８５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔
率が減少してち密化し、熱膨張係数がシリコンに近く、
比誘電率が小さく、機械的強度、耐湿性、耐水性等にも
優れたセラミック基板となる。
ガラスと結晶とからなるセラミックス基板において、前
記ガラスとしてＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ
3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属を示す）を、前
記結晶として２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 をそ
れぞれ主に含有し、さらにＳｉＯ2 ガラス及び／又はＳ
ｉＯ2 結晶を含有しており、ガラスの軟化温度が７２０
℃以下になり、８５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔
率が減少してち密化し、熱膨張係数がシリコンに近く、
比誘電率が小さく、機械的強度、耐湿性、耐水性等にも
優れたセラミック基板となる。
【００１５】上記構成のセラミックス基板（２）によれ
ば、ガラスと結晶とからなるセラミックス基板におい
て、上記（１）に記載されたガラスと結晶の他に、結晶
としてＡｌ2 Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2
を含有しており、ガラスの軟化温度が７２０℃以下にな
り、８５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔率が減少し
てち密化し、熱膨張係数がシリコンに近く、比誘電率が
小さく、機械的強度がより優れ、耐湿性、耐水性等にも
優れたセラミック基板となる。
ば、ガラスと結晶とからなるセラミックス基板におい
て、上記（１）に記載されたガラスと結晶の他に、結晶
としてＡｌ2 Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2
を含有しており、ガラスの軟化温度が７２０℃以下にな
り、８５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔率が減少し
てち密化し、熱膨張係数がシリコンに近く、比誘電率が
小さく、機械的強度がより優れ、耐湿性、耐水性等にも
優れたセラミック基板となる。
【００１６】また上記構成のセラミックス基板の製造方
法（３）によれば、上記（１）記載のセラミックス基板
の製造方法であって、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
Ｂ2Ｏ3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）から構
成されたガラス粉末と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５Ｓ
ｉＯ2 結晶粉末と、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉ
Ｏ2 結晶粉末とを混合して８５０℃以上１０００℃未満
の温度範囲で焼成するので、前記焼成により気孔率が減
少してち密化し、前記した種々の優れた特性を有するセ
ラミックス基板が製造される。また、析出するコージェ
ライトの核となり得る結晶粉末を予め骨材として添加し
てあるので、核生成のための熱処理時間が不用になり、
従来の結晶化ガラス基板材料に比較して生産性が大きく
向上する。
法（３）によれば、上記（１）記載のセラミックス基板
の製造方法であって、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
Ｂ2Ｏ3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）から構
成されたガラス粉末と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５Ｓ
ｉＯ2 結晶粉末と、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉ
Ｏ2 結晶粉末とを混合して８５０℃以上１０００℃未満
の温度範囲で焼成するので、前記焼成により気孔率が減
少してち密化し、前記した種々の優れた特性を有するセ
ラミックス基板が製造される。また、析出するコージェ
ライトの核となり得る結晶粉末を予め骨材として添加し
てあるので、核生成のための熱処理時間が不用になり、
従来の結晶化ガラス基板材料に比較して生産性が大きく
向上する。
【００１７】さらに上記構成のセラミックス基板の製造
方法（４）によれば、上記（２）記載のセラミックス基
板の製造方法であって、上記（３）に記載されたガラス
粉末と結晶粉末の他に、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末及び／又は
３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 結晶粉末を添加、混合し、８
５０℃以上１０００℃未満の温度範囲で焼成するので、
前記焼成により気孔率が減少してち密化し、より優れた
機械的強度を有する他、前記した種々の優れた特性を有
するセラミックス基板が製造される。また、上記（３）
に記載の製造方法と同様に、析出するコージェライトの
核となり得る結晶粉末を予め骨材として添加してあるの
で、核生成のための熱処理時間が不用になり、従来の結
晶化ガラス基板材料に比較して生産性が大きく向上す
る。
方法（４）によれば、上記（２）記載のセラミックス基
板の製造方法であって、上記（３）に記載されたガラス
粉末と結晶粉末の他に、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末及び／又は
３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 結晶粉末を添加、混合し、８
５０℃以上１０００℃未満の温度範囲で焼成するので、
前記焼成により気孔率が減少してち密化し、より優れた
機械的強度を有する他、前記した種々の優れた特性を有
するセラミックス基板が製造される。また、上記（３）
に記載の製造方法と同様に、析出するコージェライトの
核となり得る結晶粉末を予め骨材として添加してあるの
で、核生成のための熱処理時間が不用になり、従来の結
晶化ガラス基板材料に比較して生産性が大きく向上す
る。
【００１８】上記（３）又は（４）記載のセラミックス
基板の製造方法において、原料となる前記ＭｇＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ
金属を示す）から構成されたガラス粉末としては、Ｍｇ
Ｏを１０〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 を５〜２０ｗｔ％、
ＳｉＯ2 を４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 を１０〜２０ｗ
ｔ％、アルカリ金属（Ｒ2 Ｏ）を０ｗｔ％＜Ｒ2 Ｏ≦５
ｗｔ％の範囲になるように混合されたものが好ましい。
基板の製造方法において、原料となる前記ＭｇＯ、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ
金属を示す）から構成されたガラス粉末としては、Ｍｇ
Ｏを１０〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 を５〜２０ｗｔ％、
ＳｉＯ2 を４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 を１０〜２０ｗ
ｔ％、アルカリ金属（Ｒ2 Ｏ）を０ｗｔ％＜Ｒ2 Ｏ≦５
ｗｔ％の範囲になるように混合されたものが好ましい。
【００１９】前記ガラス粉末中のＭｇＯの含有量が３０
ｗｔ％を超えると軟化温度が高くなり、ち密化が不十分
になると共に比誘電率が高くなる傾向が生じ、他方１０
ｗｔ％未満ではコージェライトが析出せず熱膨張係数が
大きくなる傾向が生じる。前記ガラス粉末中のＡｌ2 Ｏ
3 の含有量が２０ｗｔ％を超えると軟化温度が高くな
り、１０００℃以下の焼成温度ではち密化が不充分とな
って抗折強度が小さくなる傾向が生じ、他方５ｗｔ％未
満ではコージェライトが析出せずに比誘電率が大きくな
る傾向が生じる。前記ガラス粉末中のＳｉＯ2 の含有量
が５５ｗｔ％を超えると軟化温度が高くなり、１０００
℃以下の焼成温度ではち密化が不十分となって抗折強度
が小さくなる傾向が生じ、他方４０ｗｔ％未満では比誘
電率と熱膨張係数が大きくなる傾向が生じる。前記ガラ
ス粉末中のＢ2 Ｏ3 の含有量が２０ｗｔ％を超えるとガ
ラスの化学的安定性が低下する傾向が生じ、他方１０ｗ
ｔ％未満では軟化温度が高くなり、１０００℃以下の焼
成温度ではち密化が不十分となって抗折強度が小さくな
る傾向が生じる。前記ガラス粉末中のアルカリ金属の含
有量はＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＢ2 Ｏ3 と相
互に作用し、特にＢ2Ｏ3 との相乗作用により軟化温度
を低下させるため、前記ガラス粉末中に０．５ｗｔ％以
上含有させる必要があるが、５ｗｔ％を超えると耐水性
が劣化する傾向が生じる。
ｗｔ％を超えると軟化温度が高くなり、ち密化が不十分
になると共に比誘電率が高くなる傾向が生じ、他方１０
ｗｔ％未満ではコージェライトが析出せず熱膨張係数が
大きくなる傾向が生じる。前記ガラス粉末中のＡｌ2 Ｏ
3 の含有量が２０ｗｔ％を超えると軟化温度が高くな
り、１０００℃以下の焼成温度ではち密化が不充分とな
って抗折強度が小さくなる傾向が生じ、他方５ｗｔ％未
満ではコージェライトが析出せずに比誘電率が大きくな
る傾向が生じる。前記ガラス粉末中のＳｉＯ2 の含有量
が５５ｗｔ％を超えると軟化温度が高くなり、１０００
℃以下の焼成温度ではち密化が不十分となって抗折強度
が小さくなる傾向が生じ、他方４０ｗｔ％未満では比誘
電率と熱膨張係数が大きくなる傾向が生じる。前記ガラ
ス粉末中のＢ2 Ｏ3 の含有量が２０ｗｔ％を超えるとガ
ラスの化学的安定性が低下する傾向が生じ、他方１０ｗ
ｔ％未満では軟化温度が高くなり、１０００℃以下の焼
成温度ではち密化が不十分となって抗折強度が小さくな
る傾向が生じる。前記ガラス粉末中のアルカリ金属の含
有量はＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＢ2 Ｏ3 と相
互に作用し、特にＢ2Ｏ3 との相乗作用により軟化温度
を低下させるため、前記ガラス粉末中に０．５ｗｔ％以
上含有させる必要があるが、５ｗｔ％を超えると耐水性
が劣化する傾向が生じる。
【００２０】原料粉末として２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・
５ＳｉＯ2 結晶粉末を選定したのは、添加した２ＭｇＯ
・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末を焼成時に結晶核
として作用させることにより、ガラスからのコージェラ
イトの析出速度が著しく早められ、得られる焼結体の熱
膨張係数が短時間の焼成でシリコンの値（３．５×１０
-6／℃）に近付き、フリップチップ方式等のチップ実装
等に適したセラミックス基板が得られるためである。
５ＳｉＯ2 結晶粉末を選定したのは、添加した２ＭｇＯ
・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末を焼成時に結晶核
として作用させることにより、ガラスからのコージェラ
イトの析出速度が著しく早められ、得られる焼結体の熱
膨張係数が短時間の焼成でシリコンの値（３．５×１０
-6／℃）に近付き、フリップチップ方式等のチップ実装
等に適したセラミックス基板が得られるためである。
【００２１】また原料粉末としてＡｌ2 Ｏ3 結晶粉末及
び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2結晶粉末を選定した
のは、ガラスとの相互作用の結果、コージェライトが析
出し易くなると共に、セラミックス基板の強度特性が向
上するからである。
び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2結晶粉末を選定した
のは、ガラスとの相互作用の結果、コージェライトが析
出し易くなると共に、セラミックス基板の強度特性が向
上するからである。
【００２２】原料粉末としてＳｉＯ2 ガラス粉末及び／
又はＳｉＯ2 結晶粉末を選定したのは、前記ガラスとの
反応が２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末、
Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 結晶粉
末よりも小さく、上記したコージェライトを析出させ易
くする効果を低減させることなく、焼成後のセラミック
ス基板を低誘電率にすることができるからである。
又はＳｉＯ2 結晶粉末を選定したのは、前記ガラスとの
反応が２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末、
Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末、３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 結晶粉
末よりも小さく、上記したコージェライトを析出させ易
くする効果を低減させることなく、焼成後のセラミック
ス基板を低誘電率にすることができるからである。
【００２３】上記（３）記載のセラミックス基板の製造
方法における各原料粉末の割合については、抗折強度を
１８ｋｇｆ／ｍｍ2 以上にするため、２ＭｇＯ・２Ａｌ
2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末を０．１〜２０ｗｔ％、Ｓ
ｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結晶粉末を１ｗｔ
％以上、４０ｗｔ％未満、ガラス粉末を６０〜９８ｗｔ
％とするのが好ましい。
方法における各原料粉末の割合については、抗折強度を
１８ｋｇｆ／ｍｍ2 以上にするため、２ＭｇＯ・２Ａｌ
2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末を０．１〜２０ｗｔ％、Ｓ
ｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結晶粉末を１ｗｔ
％以上、４０ｗｔ％未満、ガラス粉末を６０〜９８ｗｔ
％とするのが好ましい。
【００２４】ガラス粉末の含有量が９８ｗｔ％を超える
と抗折強度が低下する傾向が生じ、他方ガラス粉末の含
有量が６０ｗｔ％未満であると軟化温度が十分に低下せ
ず、１０００℃以下の焼成温度ではち密化が不十分とな
って抗折強度が小さくなる傾向が生じる。
と抗折強度が低下する傾向が生じ、他方ガラス粉末の含
有量が６０ｗｔ％未満であると軟化温度が十分に低下せ
ず、１０００℃以下の焼成温度ではち密化が不十分とな
って抗折強度が小さくなる傾向が生じる。
【００２５】また上記（４）記載のセラミックス基板の
製造方法における各原料粉末の割合については、同様に
抗折強度を１８ｋｇｆ／ｍｍ2 以上にするため、２Ｍｇ
Ｏ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末を０．１〜２０
ｗｔ％、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結晶粉
末を１ｗｔ％以上、４０ｗｔ％未満、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉
末及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 結晶粉末を０＜
Ａｌ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ％及びガラス粉末を６０〜９８ｗ
ｔ％とするのが好ましい。
製造方法における各原料粉末の割合については、同様に
抗折強度を１８ｋｇｆ／ｍｍ2 以上にするため、２Ｍｇ
Ｏ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 結晶粉末を０．１〜２０
ｗｔ％、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結晶粉
末を１ｗｔ％以上、４０ｗｔ％未満、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉
末及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 結晶粉末を０＜
Ａｌ2 Ｏ3 ≦４０ｗｔ％及びガラス粉末を６０〜９８ｗ
ｔ％とするのが好ましい。
【００２６】なお、ここで耐水性とは、ガラスが水に対
して溶解しない性質のことをいい、耐湿性とは、ガラス
の多孔質部分に染み込んだ液体が内層導体に影響（酸化
やマイグレーション）を与えない性質のことをいう。
して溶解しない性質のことをいい、耐湿性とは、ガラス
の多孔質部分に染み込んだ液体が内層導体に影響（酸化
やマイグレーション）を与えない性質のことをいう。
【００２７】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミックス
基板及びその製造方法の実施例及び比較例を説明する。
基板及びその製造方法の実施例及び比較例を説明する。
【００２８】ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3
及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）からなり、その
組成比が下記の表１に示した割合となる平均粒径が０．
１〜１０μｍのガラス粉末、平均粒径が０．１〜１０μ
ｍのＡｌ2 Ｏ3 結晶粉末、平均粒径が０．１〜１０μｍ
のムライト粉末、平均粒径が０．１〜１０μｍのコージ
ェライト粉末、平均粒径が０．１〜１０μｍの石英ガラ
ス粉末、及び平均粒径が０．１〜１０μｍのＳｉＯ2 結
晶粉末を混合した。ガラス粉末と結晶粉末の混合比は、
結晶粉末の割合を表１〜３の通りとし、残りをガラス粉
末とした。例えば、実施例１では３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 （ムライト）粉末を２０ｗｔ％、コージェライトを
５ｗｔ％、石英粉末を５ｗｔ％とし、ガラス材料は残り
の７０ｗｔ％とした。
及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）からなり、その
組成比が下記の表１に示した割合となる平均粒径が０．
１〜１０μｍのガラス粉末、平均粒径が０．１〜１０μ
ｍのＡｌ2 Ｏ3 結晶粉末、平均粒径が０．１〜１０μｍ
のムライト粉末、平均粒径が０．１〜１０μｍのコージ
ェライト粉末、平均粒径が０．１〜１０μｍの石英ガラ
ス粉末、及び平均粒径が０．１〜１０μｍのＳｉＯ2 結
晶粉末を混合した。ガラス粉末と結晶粉末の混合比は、
結晶粉末の割合を表１〜３の通りとし、残りをガラス粉
末とした。例えば、実施例１では３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 （ムライト）粉末を２０ｗｔ％、コージェライトを
５ｗｔ％、石英粉末を５ｗｔ％とし、ガラス材料は残り
の７０ｗｔ％とした。
【００２９】次にこの混合物に有機バインダ、可塑剤及
び溶剤をそれぞれ適量添加し、混練して約１０，０００
ｃｐｓのスラリとした。このスラリを用いてドクターブ
レード法により、約０．２ｍｍ厚のシートに成形し、８
０℃で約１０分間乾燥させた。その後、このシートを１
０℃／分の速度で昇温させ、８５０〜９８０℃で５〜１
０分間焼成し、セラミックス基板の焼結体の製造を完了
した。
び溶剤をそれぞれ適量添加し、混練して約１０，０００
ｃｐｓのスラリとした。このスラリを用いてドクターブ
レード法により、約０．２ｍｍ厚のシートに成形し、８
０℃で約１０分間乾燥させた。その後、このシートを１
０℃／分の速度で昇温させ、８５０〜９８０℃で５〜１
０分間焼成し、セラミックス基板の焼結体の製造を完了
した。
【００３０】次に、製造したセラミックス基板にコージ
ェライト結晶が析出していることを焼成前の原料粉末及
び焼結体のＸ線回折を比較することにより確認し、また
前記セラミックス基板の気孔率、比誘電率、熱膨張係数
及び抗折強度の特性を測定し、耐水性、耐湿性を評価し
た。実施例３３において得られたセラミックス基板及び
焼成前の原料粉末のＸ線回折強度のデータのチャートを
それぞれ図１及び図２に示し、上記したセラミックス基
板の製造条件及び得られたセラミックス基板の特性を下
記の表１〜３に示している。
ェライト結晶が析出していることを焼成前の原料粉末及
び焼結体のＸ線回折を比較することにより確認し、また
前記セラミックス基板の気孔率、比誘電率、熱膨張係数
及び抗折強度の特性を測定し、耐水性、耐湿性を評価し
た。実施例３３において得られたセラミックス基板及び
焼成前の原料粉末のＸ線回折強度のデータのチャートを
それぞれ図１及び図２に示し、上記したセラミックス基
板の製造条件及び得られたセラミックス基板の特性を下
記の表１〜３に示している。
【００３１】なお、気孔率はアルキメデス法により測定
し、比誘電率はインピーダンスアナライザにより測定し
た。また熱膨張係数は接触式の線膨張係数計により室温
から３５０℃までの平均値を測定し、抗折強度は３点曲
げ試験により測定し、耐水性は煮沸水中に一定期間試験
片を保持して、その重量減少により評価した。また耐湿
性は薄板状のサンプルの片面から水又は水蒸気を接触さ
せ、反対側における湿度の上昇により評価した。
し、比誘電率はインピーダンスアナライザにより測定し
た。また熱膨張係数は接触式の線膨張係数計により室温
から３５０℃までの平均値を測定し、抗折強度は３点曲
げ試験により測定し、耐水性は煮沸水中に一定期間試験
片を保持して、その重量減少により評価した。また耐湿
性は薄板状のサンプルの片面から水又は水蒸気を接触さ
せ、反対側における湿度の上昇により評価した。
【００３２】さらに、実施例３３で得られたセラミック
スを破断し、その一部をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を
用いて観察した。得られたＴＥＭ写真をスケッチしたも
のを図３に示した。
スを破断し、その一部をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を
用いて観察した。得られたＴＥＭ写真をスケッチしたも
のを図３に示した。
【００３３】
【表１の１】
【００３４】
【表１の２】
【００３５】
【表２の１】
【００３６】
【表２の２】
【００３７】
【表３の１】
【００３８】
【表３の２】
【００３９】表１〜３からも明らかなように、焼成温度
が１０００℃以下でも充分にち密化し、比誘電率が小さ
く、熱膨張係数がシリコンに近く、抗折強度、耐水性、
耐湿性に優れたセラミックス基板が得られていることが
わかる。
が１０００℃以下でも充分にち密化し、比誘電率が小さ
く、熱膨張係数がシリコンに近く、抗折強度、耐水性、
耐湿性に優れたセラミックス基板が得られていることが
わかる。
【００４０】なお、内層導体が溶融しなければ、一般的
にセラミックス基板の焼成温度が高いほどち密化し、大
きな抗折強度を得ることができるので、内層導体が溶融
しない範囲での高温焼成が好ましい。
にセラミックス基板の焼成温度が高いほどち密化し、大
きな抗折強度を得ることができるので、内層導体が溶融
しない範囲での高温焼成が好ましい。
【００４１】図１及び図２は、実施例３３について、得
られたサンプルと原料とのＸ線回折をそれぞれ測定した
データであるが、これより原料の焼成を行うことにより
コージェライトが析出していることがわかる。
られたサンプルと原料とのＸ線回折をそれぞれ測定した
データであるが、これより原料の焼成を行うことにより
コージェライトが析出していることがわかる。
【００４２】また、図３は、実施例３３で得られたサン
プルの内部構造を示すＴＥＭ写真のスケッチであるが、
これよりコージェライト骨材１３及びアルミナ骨材１１
から析出している析出コージェライト１４を観察するこ
とができる。なお、１２は石英骨材、１５はガラス層、
１６は未同定層である。このような内部構造のセラミッ
クス基板を製造することにより、原料として添加した骨
材と生成した結晶とマトリックスであるガラスとの複合
化が図れ、抗折強度等の機械的性質をさらに改善するこ
とができる。
プルの内部構造を示すＴＥＭ写真のスケッチであるが、
これよりコージェライト骨材１３及びアルミナ骨材１１
から析出している析出コージェライト１４を観察するこ
とができる。なお、１２は石英骨材、１５はガラス層、
１６は未同定層である。このような内部構造のセラミッ
クス基板を製造することにより、原料として添加した骨
材と生成した結晶とマトリックスであるガラスとの複合
化が図れ、抗折強度等の機械的性質をさらに改善するこ
とができる。
【００４３】比較例１は、特開平２−２２５３３８号公
報に開示された内容に基づいて試作した比較例で、銀や
銅などを内層するのに必要な温度範囲である９００℃以
下の焼成では気孔率が充分に小さくならず、ち密化しな
いため抗折強度が小さいことがわかる。
報に開示された内容に基づいて試作した比較例で、銀や
銅などを内層するのに必要な温度範囲である９００℃以
下の焼成では気孔率が充分に小さくならず、ち密化しな
いため抗折強度が小さいことがわかる。
【００４４】また、比較例２にはガラス粉末にアルミナ
と石英のみを骨材として添加した場合を示しているが、
表１に示した特性のセラミックス基板を製造するため
に、焼成時間が６００分必要であった。一方、上記実施
例において、例えば実施例１では焼成時間は３０と原料
であり、比較例２に較べて焼成のための時間をかなり短
縮することができた。
と石英のみを骨材として添加した場合を示しているが、
表１に示した特性のセラミックス基板を製造するため
に、焼成時間が６００分必要であった。一方、上記実施
例において、例えば実施例１では焼成時間は３０と原料
であり、比較例２に較べて焼成のための時間をかなり短
縮することができた。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るセラミ
ックス基板（１）にあっては、ガラスと結晶とからなる
セラミックス基板において、前記ガラスとしてＭｇＯ−
Ａｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒ
はアルカリ金属を示す）を、前記結晶として２ＭｇＯ・
２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 をそれぞれ主に含有し、さら
にＳｉＯ2 ガラス及び／又はＳｉＯ2 結晶を含有してお
り、ガラスの軟化温度が７２０℃以下になり、８５０〜
１０００℃の焼成温度でも気孔率を減少させてち密化す
ることができ、熱膨張係数がシリコンに近く、比誘電率
が小さく、機械的強度、耐湿性、耐水性等にも優れたセ
ラミック基板を提供することができる。
ックス基板（１）にあっては、ガラスと結晶とからなる
セラミックス基板において、前記ガラスとしてＭｇＯ−
Ａｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒ
はアルカリ金属を示す）を、前記結晶として２ＭｇＯ・
２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 をそれぞれ主に含有し、さら
にＳｉＯ2 ガラス及び／又はＳｉＯ2 結晶を含有してお
り、ガラスの軟化温度が７２０℃以下になり、８５０〜
１０００℃の焼成温度でも気孔率を減少させてち密化す
ることができ、熱膨張係数がシリコンに近く、比誘電率
が小さく、機械的強度、耐湿性、耐水性等にも優れたセ
ラミック基板を提供することができる。
【００４６】また本発明に係るセラミックス基板（２）
にあっては、ガラスと結晶とからなるセラミックス基板
において、上記（１）に記載されたガラスと結晶の他
に、結晶としてＡｌ2 Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２
ＳｉＯ2 を含有しており、ガラスの軟化温度が７２０℃
以下になり、８５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔率
を減少させてち密化することができ、熱膨張係数がシリ
コンに近く、比誘電率が小さく、機械的強度がより優
れ、耐湿性、耐水性等にも優れたセラミック基板を提供
することができる。
にあっては、ガラスと結晶とからなるセラミックス基板
において、上記（１）に記載されたガラスと結晶の他
に、結晶としてＡｌ2 Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２
ＳｉＯ2 を含有しており、ガラスの軟化温度が７２０℃
以下になり、８５０〜１０００℃の焼成温度でも気孔率
を減少させてち密化することができ、熱膨張係数がシリ
コンに近く、比誘電率が小さく、機械的強度がより優
れ、耐湿性、耐水性等にも優れたセラミック基板を提供
することができる。
【００４７】また本発明に係るセラミックス基板の製造
方法（３）にあっては、上記（１）記載のセラミックス
基板の製造方法であって、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、Ｂ2 Ｏ3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）か
ら構成されたガラス粉末と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・
５ＳｉＯ2 結晶粉末と、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又は
ＳｉＯ2 結晶粉末とを混合して８５０℃以上１０００℃
未満の温度範囲で焼成するので、前記焼成により気孔率
を減少させてち密化することができ、前記した種々の優
れた特性を有するセラミックス基板を製造することがで
きる。また、析出するコージェライトの核となり得る結
晶粉末を予め骨材として添加してあるので、核生成のた
めの熱処理時間が不用になり、従来の結晶化ガラス基板
材料に比較して生産性を大きく向上させることができ
る。
方法（３）にあっては、上記（１）記載のセラミックス
基板の製造方法であって、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、Ｂ2 Ｏ3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）か
ら構成されたガラス粉末と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・
５ＳｉＯ2 結晶粉末と、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又は
ＳｉＯ2 結晶粉末とを混合して８５０℃以上１０００℃
未満の温度範囲で焼成するので、前記焼成により気孔率
を減少させてち密化することができ、前記した種々の優
れた特性を有するセラミックス基板を製造することがで
きる。また、析出するコージェライトの核となり得る結
晶粉末を予め骨材として添加してあるので、核生成のた
めの熱処理時間が不用になり、従来の結晶化ガラス基板
材料に比較して生産性を大きく向上させることができ
る。
【００４８】また本発明に係るセラミックス基板の製造
方法（４）にあっては、上記（２）記載のセラミックス
基板の製造方法であって、上記（３）に記載されたガラ
ス粉末と結晶粉末の他に、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末及び／又
は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2結晶粉末を添加、混合し、
８５０℃以上１０００℃未満の温度範囲で焼成するの
で、前記焼成により気孔率を減少させてち密化すること
ができ、より優れた機械的強度を有する他、前記した種
々の優れた特性を有するセラミックス基板が製造され
る。また、上記（３）に記載の製造方法と同様に、析出
するコージェライトの核となり得る結晶粉末を予め骨材
として添加してあるので、核生成のための熱処理時間が
不用になり、従来の結晶化ガラス基板材料に比較して生
産性を大きく向上させることができる。
方法（４）にあっては、上記（２）記載のセラミックス
基板の製造方法であって、上記（３）に記載されたガラ
ス粉末と結晶粉末の他に、Ａｌ2 Ｏ3 結晶粉末及び／又
は３Ａｌ2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2結晶粉末を添加、混合し、
８５０℃以上１０００℃未満の温度範囲で焼成するの
で、前記焼成により気孔率を減少させてち密化すること
ができ、より優れた機械的強度を有する他、前記した種
々の優れた特性を有するセラミックス基板が製造され
る。また、上記（３）に記載の製造方法と同様に、析出
するコージェライトの核となり得る結晶粉末を予め骨材
として添加してあるので、核生成のための熱処理時間が
不用になり、従来の結晶化ガラス基板材料に比較して生
産性を大きく向上させることができる。
【図１】実施例３３において得られた焼結体のＸ線回折
強度のデータのチャートを示したグラフである。
強度のデータのチャートを示したグラフである。
【図２】実施例３３における焼成前の原料粉末のＸ線回
折強度のデータのチャートを示したグラフである。
折強度のデータのチャートを示したグラフである。
【図３】実施例３３で得られたセラミックス基板を破断
して、その一部をＴＥＭを用いて観察し、得られたＴＥ
Ｍ写真をスケッチしたものである。
して、その一部をＴＥＭを用いて観察し、得られたＴＥ
Ｍ写真をスケッチしたものである。
１１ アルミナ骨材 １２ 石英骨材 １３ コージェライト骨材 １４ 析出コージェライト １５ ガラス層
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラスと結晶とからなるセラミックス基
板において、前記ガラスとしてＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属
を示す）を、前記結晶として２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・
５ＳｉＯ2 をそれぞれ主に含有し、さらにＳｉＯ2 ガラ
ス及び／又はＳｉＯ2 結晶を含有していることを特徴と
するセラミックス基板。 - 【請求項２】 ガラスと結晶とからなるセラミックス基
板において、請求項１に記載されたガラスと結晶の他
に、結晶としてＡｌ2 Ｏ3 及び／又は３Ａｌ2Ｏ3 ・２
ＳｉＯ2 を含有していることを特徴とするセラミックス
基板。 - 【請求項３】 ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ
3 及びＲ2 Ｏ（Ｒはアルカリ金属を示す）から構成され
たガラス粉末と、２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2
結晶粉末と、ＳｉＯ2 ガラス粉末及び／又はＳｉＯ2 結
晶粉末とを混合して８５０℃以上１０００℃未満の温度
範囲で焼成することを特徴とする請求項１記載のセラミ
ックス基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載されたガラス粉末と結晶
粉末の他に、Ａｌ2Ｏ3 結晶粉末及び／又は３Ａｌ2 Ｏ3
・２ＳｉＯ2 結晶粉末を添加、混合し、８５０℃以上
１０００℃未満の温度範囲で焼成することを特徴とする
請求項２記載のセラミックス基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25988493A JPH07118035A (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | セラミックス基板およびその製造方法 |
| US08/219,549 US5498580A (en) | 1993-03-30 | 1994-03-29 | Ceramic substrate and a method for producing the same |
| DE4411127A DE4411127A1 (de) | 1993-03-30 | 1994-03-30 | Keramisches Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25988493A JPH07118035A (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | セラミックス基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07118035A true JPH07118035A (ja) | 1995-05-09 |
Family
ID=17340282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25988493A Pending JPH07118035A (ja) | 1993-03-30 | 1993-10-18 | セラミックス基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005042426A2 (de) * | 2003-10-28 | 2005-05-12 | Inocermic Gesellschaft für innovative Keramik mbH | Anodisch mit silizium bondbare glas-keramik (ltcc) |
-
1993
- 1993-10-18 JP JP25988493A patent/JPH07118035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005042426A2 (de) * | 2003-10-28 | 2005-05-12 | Inocermic Gesellschaft für innovative Keramik mbH | Anodisch mit silizium bondbare glas-keramik (ltcc) |
| WO2005042426A3 (de) * | 2003-10-28 | 2005-06-09 | Inocermic Ges Fuer Innovative | Anodisch mit silizium bondbare glas-keramik (ltcc) |
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