JPH07115109A - Flip chip bonding method and device thereof - Google Patents
Flip chip bonding method and device thereofInfo
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- JPH07115109A JPH07115109A JP28185093A JP28185093A JPH07115109A JP H07115109 A JPH07115109 A JP H07115109A JP 28185093 A JP28185093 A JP 28185093A JP 28185093 A JP28185093 A JP 28185093A JP H07115109 A JPH07115109 A JP H07115109A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は集積回路装置の実装分
野、特に半導体チップを金属バンプを介して回路基板に
フリップチップ接続するためのフリップチップボンディ
ング方法及び装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of mounting integrated circuit devices, and more particularly to a flip chip bonding method and device for flip chip connecting a semiconductor chip to a circuit board via metal bumps.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、受動素子や能動素子等（チップと
称する）と、該チップを実装する回路基板とを金属突起
物（バンプと称する）を介して接続するためにフリップ
チップボンディング方法並びにフリップチップボンディ
ング装置（接続用搭載機と称する）が使用されている。
この接続用搭載機により狭ピッチのフリップチップをボ
ンディングしたときの信頼性はバンプのサイズ、高さ、
基板側のパットサイズ、高さ及びバンプの酸化膜の成長
具合等のバラツキによって大きく左右されている。2. Description of the Related Art In recent years, a flip chip bonding method and a flip chip bonding method for connecting a passive element, an active element, etc. (referred to as a chip) and a circuit board on which the chip is mounted via a metal projection (referred to as a bump). A chip bonding device (referred to as a mounting machine for connection) is used.
The reliability when bonding a narrow pitch flip chip by this mounting machine for connection is bump size, height,
It is largely influenced by variations in the pad size and height on the substrate side and the degree of growth of the oxide film on the bumps.
【０００３】従来のフリップチップボンディング方法並
びに接続用搭載機において、一方ではボンディングツー
ルに加熱、加圧、超音波振動および上下動の制御機能を
与え、他方ではボンディングステージに加熱と平行度の
制御機能を与えている。すなわち、ボンディングツール
のみが超音波振動機能を備え、かつ冷却機能を含む温度
プロファイル制御機能は全く備わっていない。In the conventional flip chip bonding method and connection mounting machine, on the one hand, a bonding tool is provided with a control function of heating, pressurization, ultrasonic vibration and vertical movement, and on the other hand, a bonding stage is provided with a control function of heating and parallelism. Is giving. That is, only the bonding tool has the ultrasonic vibration function and does not have the temperature profile control function including the cooling function at all.
【０００４】図５は従来のフリップチップボンディング
装置（接続用搭載機）の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a conventional flip chip bonding apparatus (mounting machine for connection).
【０００５】例えば、図５に示す特開昭６３ー２８８０
３１号に記載の接続用搭載機において、半導体チップ２
１のアルミニウム電極２２上にスパッタリング、メッ
キ、フォトリソグラフィ技術等により金バンプ２６を形
成する。次に、金バンプ２６を形成した半導体チップ２
１を超音波ホーンの先端部に取り付けられた吸着溝２７
を持つボンディングツール２８によって吸着した後、２
０〜３００℃に加熱されたボンディングテーブル２９に
置かれた配線基板３０を位置合わせして、ボンディング
ツール２８に圧力と超音波とを付加して配線基板３０の
電極部３１と半導体チップ２１の金バンプ２６とをボン
ディングしている。For example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-2880 shown in FIG.
In the mounting machine for connection described in No. 31, the semiconductor chip 2
Gold bumps 26 are formed on one aluminum electrode 22 by sputtering, plating, photolithography, or the like. Next, the semiconductor chip 2 on which the gold bumps 26 are formed
1 is a suction groove 27 attached to the tip of the ultrasonic horn.
After being adsorbed by the bonding tool 28 having
The wiring board 30 placed on the bonding table 29 heated to 0 to 300 ° C. is aligned, pressure and ultrasonic waves are applied to the bonding tool 28, and the electrode portion 31 of the wiring board 30 and the gold of the semiconductor chip 21 are aligned. The bumps 26 are bonded.
【０００６】特開平３ー８５７４１号や特開平２ー８６
１３５号によれば、ボンディングステージ上にバンプ付
チップを固定し、ボンディングツール部に配線基板を吸
着させ、ボンディングツール部の加熱・超音波振動機能
によりバンプと配線基板を接続している。JP-A-3-85741 and JP-A-2-861
According to No. 135, a chip with bumps is fixed on a bonding stage, a wiring board is attracted to a bonding tool section, and the bump and the wiring board are connected by a heating / ultrasonic vibration function of the bonding tool section.
【０００７】特開昭６４ー６１９２３号によれば、ボン
ディングツール部にバンプ付チップを吸着し、ボンディ
ングツール部の加熱・超音波振動機能によりバンプと基
板を接続している。According to Japanese Patent Laid-Open No. 64-61923, a chip with bumps is adsorbed on a bonding tool portion, and the bump and the substrate are connected by the heating / ultrasonic vibration function of the bonding tool portion.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このような従来の接続
用搭載機はボンディングツール部のみに超音波振動機能
を持たせているので、接続（ボンディング）の信頼性を
得るためには１０ワット以上の大きな超音波振動が必要
であった。このため、１５０μｍ以下の狭ピッチ接続の
場合、チップに対する横振動により位置ずれを発生する
という問題点があった。さらに、狭ピッチ化に伴うバン
プの小型化によりバンプにストレスが加わり、接続の信
頼性を劣化させるという問題点があった。Since such a conventional mounting machine for connection has an ultrasonic vibration function only in the bonding tool portion, it is necessary to obtain a reliability of the connection (bonding) of 10 watts or more. A large ultrasonic vibration was required. For this reason, in the case of a narrow pitch connection of 150 μm or less, there is a problem that a displacement occurs due to lateral vibration with respect to the chip. Further, there is a problem that the bumps are miniaturized due to the narrow pitch, and stress is applied to the bumps, which deteriorates the connection reliability.
【０００９】また、従来の接続用搭載機は加熱機能のみ
を有し、冷却機能を有していない。さらに、それに伴う
加熱・冷却温度プロファイル制御機能も有していない。
このため、チップと回路基板とをバンプを介してフリッ
プチップ接続する場合において、接続するバンプに長時
間熱ストレスが加わり、接続の信頼性を低下させるとい
う問題があった。さらに、一つの回路基板に多数のチッ
プを実装する場合、搭載するチップの間隔が狭くなるほ
ど、最初に搭載されたチップが他のチップの搭載時の熱
の影響を受けて余計に熱ストレスが加わり、接続の信頼
性を低下させるという問題点があった。Further, the conventional mounting machine for connection has only a heating function and not a cooling function. Furthermore, it does not have the heating / cooling temperature profile control function accompanying it.
Therefore, when the chip and the circuit board are flip-chip connected via bumps, thermal stress is applied to the connected bumps for a long period of time, which lowers the reliability of the connection. Furthermore, when mounting a large number of chips on a single circuit board, the closer the mounted chips are, the more heat stress is applied to the first mounted chip due to the influence of heat when mounting other chips. However, there was a problem that the reliability of the connection was lowered.
【００１０】本発明は上述の点にかんがみてなされたも
ので、合理的な作業により信頼性の高い精密な良質のボ
ンディングを常に歩留まり良く確実に得ることができる
フリップチップボンディング方法及び装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and provides a flip chip bonding method and apparatus which can always obtain reliable and precise high quality bonding with a good yield by a rational operation. The purpose is to
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は半導体チップと、該チップを実装する回路
基板とをバンプを介してフリップチップ接続する方法で
あって、前記チップを固定するボンディングツールと該
チップを実装する回路基板を固定するボンディングステ
ージが、チップと回路基板との接続部に対し、それぞれ
加熱・冷却温度プロファイル制御及び超音波振動を行う
ことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a method of flip-chip connecting a semiconductor chip and a circuit board on which the chip is mounted via bumps, and fixing the chip. The bonding tool and the bonding stage for fixing the circuit board on which the chip is mounted perform heating / cooling temperature profile control and ultrasonic vibration on the connection portion between the chip and the circuit board, respectively.
【００１２】また、本発明は半導体チップと、該チップ
を実装する回路基板とをバンプを介して接続するフリッ
プチップボンディング装置であって、先端部にチップを
固定するボンディングツールと、回路基板を固定するボ
ンディングステージと、前記ボンディングツールを加圧
する加圧装置と、前記ボンディングツールに加熱・冷却
温度プロファイル制御機能及び超音波振動機能をそれぞ
れ付与する装置と、前記ボンディングステージに加熱・
冷却温度プロファイル制御機能及び超音波振動機能をそ
れぞれ付与する装置とを具備することを特徴とする。Further, the present invention is a flip chip bonding apparatus for connecting a semiconductor chip and a circuit board on which the chip is mounted via bumps, wherein a bonding tool for fixing the chip to the tip and a circuit board are fixed. Bonding stage, a pressurizing device that pressurizes the bonding tool, a device that applies a heating / cooling temperature profile control function and an ultrasonic vibration function to the bonding tool, and a heating / heating device for the bonding stage.
It is characterized by comprising a device for respectively providing a cooling temperature profile control function and an ultrasonic vibration function.
【００１３】[0013]
（１）チップの固定部であるボンディングツールと回路
基板の固定部であるボンディングステージとに超音波振
動機能を設けたことにより、ボンディングツールおよび
ボンディングステージのそれぞれにおいて、５ワット以
下の超音波振動出力で確実な接続作業が実施できるので
バンプを低ストレスで接続でき、かつチップに対する横
振動が小さくなるので１５０μｍ以下の狭ピッチ接続の
場合にも位置ずれを発生しない。 （２）ボンディングツールとボンディングステージの両
方に加熱・冷却温度プロファイル制御機能を設けたこと
により、バンプ材料に合致した理想的な加熱・冷却カー
ブを確保できる。さらに、マルチチップの搭載において
も、１チップずつ接続時に加熱・冷却できるので、接続
の信頼性が向上すると同時に他のチップへ悪影響を与え
ない。(1) The ultrasonic vibration output of 5 watts or less is provided in each of the bonding tool and the bonding stage by providing the ultrasonic vibration function in the bonding tool that is the fixed part of the chip and the bonding stage that is the fixed part of the circuit board. Therefore, the bumps can be connected with low stress, and the lateral vibration with respect to the chip is reduced, so that the positional deviation does not occur even in the case of the narrow pitch connection of 150 μm or less. (2) Since the heating / cooling temperature profile control function is provided in both the bonding tool and the bonding stage, an ideal heating / cooling curve that matches the bump material can be secured. Furthermore, even when mounting multiple chips, since heating / cooling can be performed at the time of connecting one chip at a time, the reliability of the connection is improved and at the same time, other chips are not adversely affected.
【００１４】[0014]
【実施例】本発明を図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described with reference to the drawings.
【００１５】図１は本発明のフリップチップボンディン
グ装置の概略構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic structure of a flip chip bonding apparatus of the present invention.
【００１６】半導体集積回路を形成したチップ１上のア
ルミニウムまたは金等でできたパッドメタル２に金属バ
ンプ３を形成し接続用搭載機のボンディングツール６に
固定する。同様に、金属パッドメタル５を形成した回路
基板４を接続用搭載機のボンディングステージ７に固定
する。その後、位置合わせを実施し、加圧装置１０で加
圧する。接続用搭載機のボンディングツール６およびボ
ンディングステージ７にそれぞれ設けられた加熱・冷却
温度プロファイル制御装置１１、１２および超音波振動
装置１３、１４により接続作業を実施する。この作業を
繰り返してマルチチップの実装が完了する。A metal bump 3 is formed on a pad metal 2 made of aluminum or gold on a chip 1 on which a semiconductor integrated circuit is formed and fixed to a bonding tool 6 of a mounting machine for connection. Similarly, the circuit board 4 on which the metal pad metal 5 is formed is fixed to the bonding stage 7 of the mounting machine for connection. After that, the alignment is performed, and the pressure is applied by the pressure device 10. The connection work is performed by the heating / cooling temperature profile control devices 11 and 12 and the ultrasonic vibration devices 13 and 14 provided on the bonding tool 6 and the bonding stage 7 of the mounting machine for connection. By repeating this operation, the multi-chip mounting is completed.
【００１７】次に本発明のフリップチップボンディング
方法と従来のフリップチップボンディング方法によるテ
ストの結果について説明する。金属バンプに組成比とし
てＰｂ／Ｓｎが３７／６３ｗｔ％と９５／５ｗｔ％の半
田を使用して、バンプピッチが２００μｍ、１５０μ
ｍ、１２０μｍ、１００μｍで、バンプ数が２００個の
テストチップを用いてフリップチップ接続を行った。そ
の結果は次のようである。Next, the test results of the flip chip bonding method of the present invention and the conventional flip chip bonding method will be described. Solder having a composition ratio of Pb / Sn of 37/63 wt% and 95/5 wt% is used for the metal bump, and the bump pitch is 200 μm and 150 μm.
Flip chip connection was performed using test chips having m, 120 μm, and 100 μm and 200 bumps. The result is as follows.
【００１８】従来のフリップチップボンディング方法 ２００μｍのバンプピッチに対しては良好な１００％の
接続が達成されたが、１５０μｍ、１２０μｍ、１００
μｍではそれぞれ５％、２０％、６０％の位置ずれ及び
バンプ間ショート不良が発生した。Conventional Flip Chip Bonding Method Good 100% connection was achieved for a bump pitch of 200 μm, but 150 μm, 120 μm, 100
At μm, misalignment of 5%, 20%, and 60% and short-circuit defects between bumps occurred.
【００１９】本発明のフリップチップボンディング方法 Ｐｂ／Ｓｎが３７／６３ｗｔ％と９５／５ｗｔ％の半田
のそれぞれに対して、接続温度プロファイルとして図３
と図４に示す加熱・冷却カーブを使用して接続作業を実
施する。すなわち、予熱時間を２〜３分長くし、溶融時
間を１５秒程度の短時間実施してから急冷する。これに
より低い熱ストレスで結晶粒子を細かくして強い接続強
度で信頼性を向上した接続ができる。また、この時図２
に示すように金属バンプの酸化物８と基板パッドメタル
の酸化物９はボンディングツール６及びボンディングス
テージ７の超音波振動機能により破壊され、新生面どう
しの接続部分（図２にＡで示す）が得られる。超音波は
ボンディングツール６及びボンディングステージ７に超
音波出力５ワット、出力振幅１〜３０マイクロインチと
低い値で作用する。その結果１００％の良好な接続が得
られた。Flip Chip Bonding Method of the Present Invention FIG. 3 shows a connection temperature profile for solders having Pb / Sn of 37/63 wt% and 95/5 wt%.
And the heating / cooling curve shown in Fig. 4 is used to perform the connection work. That is, the preheating time is lengthened by 2 to 3 minutes, the melting time is carried out for a short time of about 15 seconds, and then the material is rapidly cooled. As a result, the crystal grains can be made finer with a low heat stress, and a connection with a high connection strength and improved reliability can be made. Also, at this time,
As shown in FIG. 3, the oxide 8 of the metal bump and the oxide 9 of the substrate pad metal are destroyed by the ultrasonic vibration function of the bonding tool 6 and the bonding stage 7, and a connection portion between new surfaces (shown by A in FIG. 2) is obtained. To be The ultrasonic wave acts on the bonding tool 6 and the bonding stage 7 with a low ultrasonic output of 5 watts and an output amplitude of 1 to 30 micro inches. As a result, 100% good connection was obtained.
【００２０】図２は本発明のフリップチップボンディン
グ方法により接続した半導体チップと回路基板の接続部
の拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a connecting portion between a semiconductor chip and a circuit board which are connected by the flip chip bonding method of the present invention.
【００２１】図３は金属バンプとしてＰｂ／Ｓｎが３７
／６３ｗｔ％の半田を使用して本発明のフリップチップ
ボンディング方法を実施した時の温度分布特性を示すグ
ラフである。In FIG. 3, Pb / Sn is 37 as a metal bump.
7 is a graph showing temperature distribution characteristics when the flip-chip bonding method of the present invention is performed using / 63 wt% solder.
【００２２】図４は金属バンプとしてＰｂ／Ｓｎが９５
／５ｗｔ％の半田を使用して本発明のフリップチップボ
ンディング方法を実施した時の温度分布特性を示すグラ
フである。In FIG. 4, Pb / Sn is 95 as a metal bump.
It is a graph which shows the temperature distribution characteristic at the time of implementing the flip-chip bonding method of this invention using / 5 wt% solder.
【００２３】上記実施例は特定組成の半田について説明
したが、本発明のフリップチップボンディング方法はＡ
ｕ、Ａｌ等いかなる金属材料にも同様に実施できる。ま
た、フリップチップ接続雰囲気は大気中か窒素、アルゴ
ン等の不活性雰囲気中あるいは炭酸ガスや水素等の還元
雰囲気中でも実施できる。Although the above embodiments have described solders having a specific composition, the flip chip bonding method of the present invention is
Any metal material such as u and Al can be similarly used. Further, the flip chip connection atmosphere can be carried out in the air, an inert atmosphere such as nitrogen or argon, or a reducing atmosphere such as carbon dioxide or hydrogen.
【００２４】[0024]
【発明の効果】上述のように、本発明のフリップチップ
ボンディング方法及び装置はボンディングツールとボン
ディングステージとの両方に加熱・冷却温度プロファイ
ル制御機能と超音波振動機能を付与しているので次のよ
うな優れた効果が得られる。 （１）５ワット以下の小さな超音波振動出力で低ストレ
スのバンプ接続が実施できる。さらに、チップに対する
横振動が小さいので１５０μｍピッチ以下の狭ピッチ接
続が実現できる。 （２）フリップチップ接続時にバンプ材料に合致した理
想的な加熱・冷却カーブを確保できるので、接続バンプ
の低熱ストレス化が実現でき、接続の信頼性が向上する （３）マルチチップの搭載においても、１チップずつ加
熱・冷却できるので、接続の信頼性が向上すると同時に
他のチップの接続時の熱の影響を受けない。 （４）マルチチップモジュールにおいて従来の仮接続工
程なしに１チップずつ確実に接続できるので、１工程分
の設備を省略できる。 （５）超音波振動機能により接続面メタル（バンプと基
板パッド）の酸化膜の除去が可能となり、そのため従来
必要であった工程と設備を省略できる。As described above, the flip-chip bonding method and apparatus of the present invention provides the heating / cooling temperature profile control function and the ultrasonic vibration function to both the bonding tool and the bonding stage. The excellent effect is obtained. (1) Bump connection with low stress can be performed with a small ultrasonic vibration output of 5 watts or less. Further, since the lateral vibration with respect to the chip is small, a narrow pitch connection of 150 μm pitch or less can be realized. (2) Since the ideal heating / cooling curve that matches the bump material can be secured during flip-chip connection, low thermal stress of the connection bump can be realized and the connection reliability can be improved. (3) Also in multi-chip mounting Since each chip can be heated / cooled one by one, the reliability of the connection is improved, and at the same time, it is not affected by heat when connecting other chips. (4) In the multi-chip module, the chips can be surely connected one by one without the conventional temporary connecting step, so that the equipment for one step can be omitted. (5) The ultrasonic vibration function makes it possible to remove the oxide film on the connection surface metal (bump and substrate pad), so that the steps and equipment conventionally required can be omitted.
【図１】本発明のフリップチップボンディング装置の概
略構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a flip chip bonding apparatus of the present invention.
【図２】本発明のフリップチップボンディング方法によ
り接続した半導体チップと回路基板の接続部の拡大断面
図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a connecting portion between a semiconductor chip and a circuit board connected by the flip chip bonding method of the present invention.
【図３】金属バンプとしてＰｂ／Ｓｎが３７／６３ｗｔ
％の半田を使用して本発明のフリップチップボンディン
グ方法を実施した時の温度分布特性を示すグラフであ
る。FIG. 3 Pb / Sn is 37/63 wt as a metal bump
5 is a graph showing the temperature distribution characteristics when the flip chip bonding method of the present invention is carried out by using the solder of 10%.
【図４】金属バンプとしてＰｂ／Ｓｎが９５／５ｗｔ％
の半田を使用して本発明のフリップチップボンディング
方法を実施した時の温度分布特性を示すグラフである。FIG. 4 Pb / Sn is 95/5 wt% as a metal bump
6 is a graph showing the temperature distribution characteristics when the flip chip bonding method of the present invention is performed using the solder of FIG.
【図５】従来のフリップチップボンディング装置の断面
図である。FIG. 5 is a sectional view of a conventional flip chip bonding apparatus.
１ チップ ２ パッドメタル ３ 金属バンプ ４ 回路基板 ５ 金属パッドメタル ６ ボンディングツール ７ ボンディングステージ ８ 金属バンプの酸化物 ９ 基板パッドメタルの酸化物 １０ 加圧装置 １１ 加熱・冷却温度プロファイル制御装置 １２ 加熱・冷却温度プロファイル制御装置 １３ 超音波振動装置 １４ 超音波振動装置 1 Chip 2 Pad Metal 3 Metal Bump 4 Circuit Board 5 Metal Pad Metal 6 Bonding Tool 7 Bonding Stage 8 Oxide of Metal Bump 9 Substrate Pad Metal Oxide 10 Pressurizing Device 11 Heating / Cooling Temperature Profile Controller 12 Heating / Cooling Temperature profile control device 13 Ultrasonic vibration device 14 Ultrasonic vibration device
Claims (2)
路基板とをバンプを介してフリップチップ接続する方法
であって、前記チップを固定するボンディングツールと
該チップを実装する回路基板を固定するボンディングス
テージが、チップと回路基板との接続部に対し、それぞ
れ加熱・冷却温度プロファイル制御及び超音波振動を行
うことを特徴とするフリップチップボンディング方法。1. A method of flip-chip connecting a semiconductor chip and a circuit board on which the chip is mounted via bumps, which comprises a bonding tool for fixing the chip and a bonding for fixing the circuit board on which the chip is mounted. A flip-chip bonding method characterized in that a stage performs heating / cooling temperature profile control and ultrasonic vibration on a connection portion between a chip and a circuit board, respectively.
路基板とをバンプを介して接続するフリップチップボン
ディング装置であって、先端部にチップを固定するボン
ディングツールと、回路基板を固定するボンディングス
テージと、前記ボンディングツールを加圧する加圧装置
と、前記ボンディングツールに加熱・冷却温度プロファ
イル制御機能及び超音波振動機能をそれぞれ付与する装
置と、前記ボンディングステージに加熱・冷却温度プロ
ファイル制御機能及び超音波振動機能をそれぞれ付与す
る装置とを具備することを特徴とするフリップチップボ
ンディング装置。2. A flip chip bonding apparatus for connecting a semiconductor chip and a circuit board on which the chip is mounted via bumps, wherein a bonding tool for fixing the chip to a tip portion and a bonding stage for fixing the circuit board. A pressurizing device for pressurizing the bonding tool, a device for imparting a heating / cooling temperature profile control function and an ultrasonic vibration function to the bonding tool, and a heating / cooling temperature profile control function and ultrasonic waves for the bonding stage. A flip-chip bonding apparatus comprising: a device for imparting a vibration function.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28185093A JPH07115109A (en) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | Flip chip bonding method and device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28185093A JPH07115109A (en) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | Flip chip bonding method and device thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115109A true JPH07115109A (en) | 1995-05-02 |
Family
ID=17644877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28185093A Pending JPH07115109A (en) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | Flip chip bonding method and device thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115109A (en) |
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