JP2000349099A - Method of bonding with solder and manufacture of semiconductor device - Google Patents
Method of bonding with solder and manufacture of semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をリー
ドフレームやセラミックスパッケージなどのダイボンデ
ィング部に、はんだを用いて固着するはんだ接合方法と
半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder bonding method for fixing a semiconductor element to a die bonding portion such as a lead frame or a ceramic package using solder and a method for manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程でのダイボンディ
ングは、ウエハをダイシングにより個々に分割したチッ
プをワイヤボンディングによりパッケージに配線するの
に先立って、チップをパッケージの所定位置にフェイス
アップ（上向き）で固定している。フェイスダウン（下
向き）で接続するワイヤレスボンディングでは不必要な
工程であるが、リードフレームやセラミックパッケージ
等の基板に直接固定するのでチップの放熱性が優れてい
るという大きな特徴もある。2. Description of the Related Art Die bonding in the process of manufacturing a semiconductor device involves placing a chip face up (upward) at a predetermined position of a package prior to wiring a chip obtained by dividing a wafer by dicing into a package by wire bonding. It is fixed with. Wireless bonding for face-down (downward) connection is an unnecessary step, but it has a great feature that the chip has excellent heat dissipation because it is directly fixed to a substrate such as a lead frame or ceramic package.
【０００３】ダイボンディングには、Ａｕ−Ｓｉ共晶合
金法やはんだ接着法や導電性樹脂接着法が主として用い
られている。[0003] For die bonding, an Au-Si eutectic alloy method, a solder bonding method, or a conductive resin bonding method is mainly used.
【０００４】はんだ接着法は、接着剤としてはんだを用
いるもので、通常、酸化防止雰囲気内で、加熱したヒー
トブロック上に、リードフレームやセラミックスパッケ
ージ等を載置し、これらのダイボンディング部にはんだ
を溶融させ、そこに、半導体チップ吸着用のコレットで
半導体チップを吸着し、この半導体チップを溶融はんだ
の上に接触させつつ、コレットを振動させることでチッ
プをスクラブしている。このスクラブ動作は、半導体チ
ップへのはんだの濡れをよくする効果がある。このスク
ラブ後に、コレットの吸着を解除して半導体チップから
コレットを離した後に、半導体チップが搭載されたリー
ドフレームや、セラミックスパッケージなどをヒートブ
ロックから取り除くことで、はんだ接合部を冷却して固
着させるものである。In the solder bonding method, a solder is used as an adhesive. Usually, a lead frame, a ceramic package, or the like is placed on a heated heat block in an antioxidant atmosphere, and the solder is attached to these die bonding portions. Is melted, the semiconductor chip is sucked to the semiconductor chip by a semiconductor chip sucking collet, and the chip is scrubbed by vibrating the collet while bringing the semiconductor chip into contact with the molten solder. This scrub operation has the effect of improving the wetting of the solder to the semiconductor chip. After the scrub, the collet is released from the semiconductor chip by releasing the collet, and then the lead frame on which the semiconductor chip is mounted, the ceramic package, and the like are removed from the heat block to cool and fix the solder joint. Things.
【０００５】なお、これらに関連する技術は、例えば、
特開平４−１６３９２５号公報に記載されている。[0005] Incidentally, the technology related to these, for example,
It is described in JP-A-4-163925.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
技術では、はんだが溶融した状態で半導体チップをコレ
ットから離した後に、はんだが溶融した状態で、半導体
チップを保持しているリードフレーム等をヒートブロッ
クから取り除いているが、はんだが所定温度で冷却する
までは、はんだは固着しない。However, in the above-mentioned technique, after the semiconductor chip is separated from the collet in a state where the solder is melted, the lead frame or the like holding the semiconductor chip is heated in a state where the solder is melted. Although removed from the block, the solder does not stick until the solder has cooled to a predetermined temperature.
【０００７】したがって、このような方法だと、位置決
めした半導体チップがはんだが固着するまでにずれてし
まったりする恐れがある。また、特に、複数のチップを
を同時に搭載する場合には、先に搭載した半導体チップ
の位置が、次の半導体チップを搭載する際に影響を受け
て、ずらされてしまうという問題が生じる場合が発生す
る。Therefore, according to such a method, there is a possibility that the positioned semiconductor chip is displaced until the solder is fixed. In particular, when a plurality of chips are mounted at the same time, there is a case where the position of a previously mounted semiconductor chip is affected by the mounting of the next semiconductor chip and is shifted. appear.
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、半導体チップをリードフレームやセラミッ
クスパッケージなどのダイボンディング部にはんだを用
いてダイボンディングする際に、位置ずれせずに正確に
固着する、はんだ接合方法と半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and it is possible to accurately position a semiconductor chip without displacement when bonding a semiconductor chip to a die bonding portion of a lead frame or a ceramic package using solder. It is an object of the present invention to provide a solder bonding method and a method for manufacturing a semiconductor device, which are fixed.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、部品とはんだを擦り合せてなじませる工程
と、前記部品を前記はんだ側に相対的に変位させ前記は
んだの厚さを薄くする工程とを具備することを特徴とす
るはんだ接合方法である。According to the first aspect of the present invention, there is provided a step of rubbing a part and a solder to make the part fit together, and displacing the part relatively to the solder side to reduce the thickness of the solder. And a step of thinning.
【００１０】また請求項２の発明による手段によれば、
半導体チップをはんだでダイに接合する工程を有する半
導体装置の製造方法であって、前記半導体チップで前記
ダイ上のはんだを擦る工程と、前記半導体チツプを相対
的に変位させて前記はんだの温度が下がりやすくなるよ
うに前記はんだの厚さを薄くし固着する工程とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。According to the second aspect of the present invention,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: bonding a semiconductor chip to a die with solder, the method comprising: rubbing the solder on the die with the semiconductor chip; and relatively displacing the semiconductor chip to reduce the temperature of the solder. A step of reducing the thickness of the solder so that the solder is easily lowered, and fixing the solder.
【００１１】また請求項３の発明による手段によれば、
前記半導体チップは、裏面にメタライズ処理が施されて
いることを特徴とする半導体装置の製造方法である。According to the third aspect of the present invention,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor chip has a metallized surface on a back surface.
【００１２】また請求項４の発明による手段によれば、
前記はんだは、前記半導体装置の裏面にメタライズされ
ている金属成分を組成内に取込むと融点が上昇するもの
であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。Further, according to the means of the present invention,
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that the melting point of the solder increases when a metal component metallized on the back surface of the semiconductor device is incorporated into the composition.
【００１３】また請求項５の発明による手段によれば、
前記半導体チップの裏面にメタライズされている金属の
組成は、その中にはＡｕが含まれていることを特徴とす
る半導体装置の製造方法である。According to the invention of claim 5,
The composition of a metal metallized on the back surface of the semiconductor chip includes Au in the metallized metal composition.
【００１４】また請求項６の発明による手段によれば、
前記はんだの組成は、Ｐｂ−Ｓｎ系であることを特徴と
する半導体装置の製造方法である。Further, according to the means of the present invention,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the composition of the solder is a Pb-Sn type.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１６】図１は本発明に係るダイボンディング装置
の実施の形態を示す概略構成図である。図１に示すダイ
ボンディング装置は、主として、半導体チップ１を保持
するボンディングツールであるコレット２と、基板３を
保持するボンディングステージ４と、コレット２を昇降
自在に支持するツール駆動系５と、ボンディングステー
ジ４を水平移動自在に支持するステージ駆動系６と、コ
レット２を水平方向に微動させるためのスクラブ機能部
７とから構成されている。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention. The die bonding apparatus shown in FIG. 1 mainly includes a collet 2 as a bonding tool for holding a semiconductor chip 1, a bonding stage 4 for holding a substrate 3, a tool drive system 5 for supporting the collet 2 so as to be able to move up and down, and a bonding apparatus. It comprises a stage drive system 6 that supports the stage 4 so as to be movable horizontally, and a scrub function unit 7 for finely moving the collet 2 in the horizontal direction.
【００１７】コレット２は、そのツール先端部（図中下
端部）に図示せぬ真空吸着部を有し、この真空吸着部に
て半導体チップ１をフェースアップ、つまり電極形成面
が上向きになるように保持するものである。またコレッ
ト２には、図示せぬボンディング荷重を検知するための
ロードセルが内蔵されている。The collet 2 has a vacuum suction portion (not shown) at a tool tip portion (lower end portion in the drawing), and the semiconductor chip 1 is face-up by the vacuum suction portion, that is, the electrode forming surface faces upward. Is to be held. The collet 2 has a built-in load cell for detecting a bonding load (not shown).
【００１８】ボンディングステージ４は、そのステージ
上部に図示せぬ真空吸着部とヒータブロックを有し、こ
の真空吸着部にて基板３のチップ実装面側が上向きにな
るよう、基板３を半導体チップ１と対向する状態で保持
するものである。The bonding stage 4 has a vacuum suction part and a heater block (not shown) on the upper part of the stage, and the substrate 3 is connected to the semiconductor chip 1 so that the chip mounting surface of the substrate 3 faces upward at the vacuum suction part. It is held in an opposed state.
【００１９】ヒータブロックの温度は、この上面にセッ
トされるセラミックスパッケージのダイボンディンク面
の温度が使用するはんだの融点より数度高くなるように
設定されている。The temperature of the heater block is set so that the temperature of the die bonding surface of the ceramic package set on the upper surface is several degrees higher than the melting point of the solder used.
【００２０】ツール駆動系５は、駆動源となるサーボモ
ータ８と、このサーボモータ８を制御するコントロ−ラ
８Ａと、サーボモータ７とコレット２とを連結する連結
機構９等から成るもので、駆動対象となるコレット２を
Ｚ方向（垂直方向）に移動可能に支持している。The tool drive system 5 includes a servo motor 8 as a drive source, a controller 8A for controlling the servo motor 8, a connecting mechanism 9 for connecting the servo motor 7 and the collet 2, and the like. The collet 2 to be driven is supported movably in the Z direction (vertical direction).
【００２１】ステージ移動系６は、駆動源となるサーボ
モータ１０と、このサーボモータ１０を制御するコント
ローラ１１と、サーボモータ１０とボンディングステー
ジ４との間を連結する連結機構１２等から成るもので、
駆動対象となるボンディングステージ４をＸＹ方向（水
平方向）に移動可能に支持している。The stage moving system 6 includes a servo motor 10 serving as a driving source, a controller 11 for controlling the servo motor 10, a connecting mechanism 12 for connecting the servo motor 10 and the bonding stage 4, and the like. ,
The bonding stage 4 to be driven is movably supported in the XY directions (horizontal direction).
【００２２】スクラブ機能部７は、コレット２をＸＹ方
向（水平方向）に微動させるもので、例えば上述したツ
ール駆動系５とは独立したかたちでコレット２のみをＸ
Ｙ方向に微動させる駆動系により構成される。The scrub function unit 7 finely moves the collet 2 in the X and Y directions (horizontal direction). For example, only the collet 2 is moved independently of the above-mentioned tool driving system 5 in the X direction.
It is composed of a drive system for fine movement in the Y direction.
【００２３】このスクラブ機能部７によトるスクラブ
量、スクラブスピード、スクラブ回数等については、ス
テージ移動方向となるＸ，Ｙ方向ごとに、その駆動系の
動作制御プログラムを変更することで任意に設定できる
構成になっている。また、スクラブ機能部７は、他のボ
ンディングパラメータから独立しているため、スクラブ
動作を開始するタイミングや、その時のボンディング条
件（温度，荷重等）についても任意に設定できる構成に
なっている。The amount of scrub, the scrub speed, the number of scrubs, and the like by the scrub function unit 7 can be arbitrarily changed by changing the operation control program of the drive system for each of the X and Y directions as the stage moving direction. It can be set. Further, since the scrubbing function unit 7 is independent of other bonding parameters, the timing at which the scrubbing operation is started and the bonding conditions (temperature, load, etc.) at that time can be arbitrarily set.
【００２４】また、図には示さないが、コレットの側方
には、はんだに酸化を防止するために溶融したはんだに
３００℃に加熱されたＮ２ガスを吹き付けるノズルが設
けられており、ボンディング面は酸化防止雰囲気に覆わ
れるようになっている。Although not shown in the figure, a nozzle for blowing an N 2 gas heated to 300 ° C. to the molten solder to prevent oxidation of the solder is provided on the side of the collet, and the bonding is carried out. The surface is covered with an antioxidant atmosphere.
【００２５】続いて、これらの構成によるダイボンディ
ング装置の動作について説明する。Next, the operation of the die bonding apparatus having these configurations will be described.
【００２６】先ず、コレット２の先端部に電極形成面側
を上向きにして裏面にＡｕ等のメタライズ処理が施され
た半導体チップ１を吸着させる。First, the semiconductor chip 1 which has been subjected to a metallization treatment such as Au is attracted to the back surface of the collet 2 with the electrode forming surface facing upward at the tip of the collet 2.
【００２７】一方、ヒートブロックにより３３０℃に加
熱されたボンディングステージ４上にチップ実装面側を
上向きにしてボンディング部に図示しないはんだ箔を載
置したセラミックスサブマウントの基板３を吸着固定さ
せ所定時間加熱する。それにより基板３のダイボンディ
ング部の表面に溶融したはんだが形成される。On the other hand, the substrate 3 of the ceramic submount having the solder foil (not shown) mounted on the bonding portion with the chip mounting surface facing upward on the bonding stage 4 heated to 330 ° C. by the heat block is attracted and fixed for a predetermined time. Heat. As a result, molten solder is formed on the surface of the die bonding portion of the substrate 3.
【００２８】次に、サーボモータ１０を駆動しつつ、半
導体チツプ１と基板３のボンディング位置との位置合わ
せを行った後、サーボモータ７の駆動によりコレット２
を下降させる。その際に、ノズルから３００℃に加熱さ
れたＮ２ガスを４ｌ／ｍｉｎでダイボンディング部に吹
き付ける。Next, the semiconductor chip 1 and the bonding position of the substrate 3 are aligned while the servomotor 10 is driven, and then the collet 2 is driven by the servomotor 7.
Is lowered. At this time, N2 gas heated to 300 ° C. is blown from the nozzle at a rate of 4 l / min to the die bonding portion.
【００２９】以下、接合工程について図２（ａ）〜
（ｂ）により説明する。図２（ａ）に示すように、セラ
ミックスサブマウントの基板３上の所定位置で溶融した
はんだ１５の上に半導体チップ１を吸着したコレット２
を移動させる。更にコレット２を下降させて、図２
（ｂ）に示すように、溶融したはんだ３に半導体チップ
１を接触させ、接触した位置で、コレット２を左右に５
〜１０秒間往復振動させることによってスクラブを行っ
て、半導体チップ１の表面にはんだ３をなじませる様に
はんだ３を塗り広げる。Hereinafter, the joining process will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2A, a collet 2 having a semiconductor chip 1 adsorbed on a solder 15 melted at a predetermined position on a substrate 3 of a ceramic submount.
To move. The collet 2 is further lowered, and FIG.
As shown in (b), the semiconductor chip 1 is brought into contact with the molten solder 3, and the collet 2 is moved left and right at the contact position by 5 mm.
Scrubbing is performed by reciprocating vibration for 10 seconds to spread the solder 3 on the surface of the semiconductor chip 1 so that the solder 3 is applied.
【００３０】続いて、図２（ｃ）に示すように、スクラ
ブ終了後に、再度、コレット２を微少量下降させ、さら
にはんだ３の膜厚が薄くなるように、半導体チップ１を
押し付けてしばらく保持する。この際のはんだ３の膜厚
を１μｍ程度にする。Subsequently, as shown in FIG. 2C, after the scrub is completed, the collet 2 is lowered again by a small amount, and the semiconductor chip 1 is pressed and held for a while so that the thickness of the solder 3 becomes thinner. I do. At this time, the thickness of the solder 3 is set to about 1 μm.
【００３１】その後に、図２（ｄ）に示すように、コレ
ット２の真空引きを解除し、上昇させて半導体チップ１
からコレット２を離す。Thereafter, as shown in FIG. 2 (d), the evacuation of the collet 2 is released and the collet 2 is raised to raise the semiconductor chip 1.
Release collet 2 from.
【００３２】上述の各工程により、特に、スクラブ終了
後に、再度、コレット２を微少量下降させて溶融したは
んだ３に半導体チップ１を押し付けてしばらく保持す
る。このとき、はんだ３の膜厚を１μｍ程度である。こ
れにより、はんだ３の熱容量が非常に小さくなり、はん
だ３が有していた熱が周囲に放出され、特に周囲の温度
調整を要することなく固体化する。これにより接合が完
了する。In each of the above-described steps, especially after the end of the scrub, the semiconductor chip 1 is pressed down onto the molten solder 3 by slightly lowering the collet 2 again and held for a while. At this time, the thickness of the solder 3 is about 1 μm. Thereby, the heat capacity of the solder 3 becomes very small, and the heat of the solder 3 is released to the surroundings, and the solder 3 is solidified without any need for adjusting the surrounding temperature. This completes the joining.
【００３３】さて、半導体チップ１には、予め裏面にめ
っきや真空蒸着で、はんだ３になじみやすいＮｉ−Ａｕ
膜、Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｕ膜やＣｒ−Ａｕ膜等がメタライズ
処理されているので、それらの膜の中からＡｕがはんだ
３の膜の中に入ってはんだ３の組成比が変わる。このは
んだ３の組成比の変化により、はんだ３の融点が上昇す
る。それ以前には、はんだ３が溶融状態になっていた温
度でもはんだ３が固体化しやすくなり、さらに固着させ
やすくする。On the semiconductor chip 1, Ni-Au which is easily compatible with the solder 3 is plated or vacuum-deposited on the back surface in advance.
Since the film, the Ti—Ni—Au film, the Cr—Au film, and the like have been metallized, Au enters the solder 3 from among those films, and the composition ratio of the solder 3 changes. Due to the change in the composition ratio of the solder 3, the melting point of the solder 3 increases. Before that, even at the temperature at which the solder 3 was in a molten state, the solder 3 is easily solidified and further easily fixed.
【００３４】例えば、半導体素子の裏面にＡｕがメッキ
されていて、Ｓｕ−Ｐｂ系の共晶はんだ３ではんだ３付
けをする場合は、半導体素子裏面のＡｕがはんだ３内に
拡散していき、はんだ３の組成比が変化する（相対的な
Ｓｎの割合が減る）。その結果、はんだ３の融点が上昇
してはんだ３が固着しやすくなる。For example, when Au is plated on the back surface of the semiconductor element and the solder 3 is attached with the eutectic solder 3 of the Su—Pb system, the Au on the back surface of the semiconductor element diffuses into the solder 3, The composition ratio of the solder 3 changes (relative ratio of Sn decreases). As a result, the melting point of the solder 3 increases, and the solder 3 is easily fixed.
【００３５】また、図３（ａ）〜（ｂ）は半導体チップ
１に反りがある場合の変形例の説明で、各工程について
は、上述の図２（ａ）〜（ｄ）の工程と同様であるが、
この場合は、はんだ３による接合と同時に半導体チップ
１´の反りを矯正できる作用も得られる。すなわち、上
記した実施例のように本発明によれば、コレット２の先
端で半導体チップを押し付けることにより接合を行うこ
とが出来るが、このコレット２の先端の形状を任意に設
定すことによって、半導体チッブの接合されるときの形
状を規制することが出来る。FIGS. 3 (a) and 3 (b) illustrate a modified example in which the semiconductor chip 1 is warped. Each step is the same as that in FIGS. 2 (a) to 2 (d). In Although,
In this case, an effect of correcting the warpage of the semiconductor chip 1 ′ at the same time as the joining by the solder 3 is obtained. That is, according to the present invention as in the above-described embodiment, the bonding can be performed by pressing the semiconductor chip with the tip of the collet 2, but by setting the shape of the tip of the collet 2 arbitrarily, The shape at the time of joining the chips can be regulated.
【００３６】たとえば、図３（ａ）に示すコレット２の
先端は、ボンディングステージ４上に載置された基板３
がなす面と略平行な平面である。このコレット２により
基板３上に盛られたはんだ１５に押し付けられる半導体
チップははんだ１５側に凸になるように沿っているが、
コレツト２の平面部が押し付けられることにより、この
コレット２の先端形状に倣って、反りが矯正される。図
３（ｂ）に示すように、チップが矯正された状態で急速
にはんだ１５が冷却作用を生じて固化するから、反りが
矯正された状態が保持される。For example, the tip of the collet 2 shown in FIG.
Is a plane substantially parallel to the plane formed by Although the semiconductor chip pressed against the solder 15 mounted on the substrate 3 by the collet 2 extends along the solder 15 side,
When the flat portion of the collet 2 is pressed, the warp is corrected according to the shape of the tip of the collet 2. As shown in FIG. 3B, in a state where the chip is straightened, the solder 15 rapidly generates a cooling action and solidifies, so that the warped straightened state is maintained.
【００３７】反りがあると、半導体チップ上の入出力端
子の位置が変わってしまう難点があったが、それを矯正
することによって、設計に忠実に素子を製造することが
容易になった。Although there was a problem that the position of the input / output terminal on the semiconductor chip was changed due to the warpage, by correcting this, it became easy to manufacture the element faithfully in the design.
【００３８】また、コレット２で半導体チップ１を押し
付けたときに、はんだ１５を固着させることができるの
で、基板３の上に複数の半導体チップ１を搭載している
場合でも、隣接するお互いの半導体チップ１のはんだ１
５による接合工程が影響することがなく、正確な位置を
決め精度が得られる。したがって、特に、基板３の上に
高精度なマルチチップを搭載する際のボンディングでも
正確な位置を決め精度が得られて好適である。When the semiconductor chip 1 is pressed by the collet 2, the solder 15 can be fixed, so that even when a plurality of semiconductor chips 1 are mounted on the substrate 3, adjacent semiconductor chips 1 Solder 1 for chip 1
5 does not affect the bonding position, and the precise position is determined and the accuracy is obtained. Therefore, it is preferable that the accurate position can be determined and the accuracy can be obtained particularly in bonding when mounting a high-precision multichip on the substrate 3.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置のダイボン
ディングで、はんだ接合の際に、半導体チップをはんだ
接合した基板を、載置しているヒータブロックから外さ
なくてもはんだを固着することができ、高精度の位置決
めのボンディングを行うことができる。According to the present invention, in the die bonding of a semiconductor device, the solder is fixed without removing the substrate on which the semiconductor chip is soldered from the heater block on which the semiconductor chip is mounted in the solder bonding. And high-precision positioning bonding can be performed.
【図１】本発明に係るダイボンディング装置の実施の形
態を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るダイボンディン
グ装置の接合工程についての説明図。FIGS. 2A to 2D are explanatory views illustrating a bonding step of a die bonding apparatus according to the present invention.
【図３】（ａ）〜（ｂ）は本発明に係るダイボンディン
グ装置の変形例の接合工程についての説明図。FIGS. 3A and 3B are explanatory views illustrating a bonding step of a modified example of the die bonding apparatus according to the present invention.
１…半導体装置、２…コレット、３…基板、４…ボンデ
ィングステージ、７…スクラブ機能部、１５…はんだDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 2 ... Collet, 3 ... Substrate, 4 ... Bonding stage, 7 ... Scrub function part, 15 ... Solder
Claims (6)
程と、前記部品を前記はんだ側に相対的に変位させ前記
はんだの厚さを薄くする工程とを具備することを特徴と
するはんだ接合方法。1. A solder joining method comprising: a step of rubbing a component and a solder to make it fit together; and a step of relatively displacing the component toward the solder to reduce the thickness of the solder. .
工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導
体チップで前記ダイ上のはんだを擦る工程と、前記半導
体チツプを相対的に変位させて前記はんだの温度が下が
りやすくなるように前記はんだの厚さを薄くし固着する
工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方
法。2. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: joining a semiconductor chip to a die with solder; rubbing the solder on the die with the semiconductor chip; and displacing the semiconductor chip relatively. Thinning and fixing the solder so that the temperature of the solder is easily lowered.
処理が施されていることを特徴とする請求項２記載の半
導体装置の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the semiconductor chip has a metallized surface on a back surface.
メタライズされている金属成分を組成内に取込むと融点
が上昇するものであることを特徴とする請求項２記載の
半導体装置の製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the melting point of the solder increases when a metal component metallized on the back surface of the semiconductor device is incorporated into the composition. .
れている金属の組成は、その中にはＡｕが含まれている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方
法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the composition of the metal metallized on the back surface of the semiconductor chip includes Au therein.
ることを特徴とする請求項２乃至５記載の半導体装置の
製造方法。6. The method according to claim 2, wherein a composition of the solder is Pb—Sn.
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1999
- 1999-06-07 JP JP15957999A patent/JP2000349099A/en active Pending
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