JPH07106215A - 半導体製造装置における障害処理方法 - Google Patents
半導体製造装置における障害処理方法Info
- Publication number
- JPH07106215A JPH07106215A JP25339793A JP25339793A JPH07106215A JP H07106215 A JPH07106215 A JP H07106215A JP 25339793 A JP25339793 A JP 25339793A JP 25339793 A JP25339793 A JP 25339793A JP H07106215 A JPH07106215 A JP H07106215A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- film forming
- failure
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 異常，障害発生時に稼動率を低下させること
なく、最大限稼動率を重視した障害処理を安全に、不良
基板の発生を少なくして容易に構築する。 【構成】 複数の処理工程を有し、セントラルコントロ
ーラにより総括的に制御される複数第のローカルコント
ローラにより複数の制御機器を制御し、これらの制御機
器により一方向に基板搬送処理を行い、多くの障害事項
をその重度から複数段階のレベルに分けておき、異常，
障害が発生した場合、セントラルコントローラ及び各ロ
ーカルコントローラのプログラムに従い、発生した障害
事項とエラーパターンテーブル上の内容を比べ、一致し
たレベルの障害処理を実行することを特徴とする。
なく、最大限稼動率を重視した障害処理を安全に、不良
基板の発生を少なくして容易に構築する。 【構成】 複数の処理工程を有し、セントラルコントロ
ーラにより総括的に制御される複数第のローカルコント
ローラにより複数の制御機器を制御し、これらの制御機
器により一方向に基板搬送処理を行い、多くの障害事項
をその重度から複数段階のレベルに分けておき、異常，
障害が発生した場合、セントラルコントローラ及び各ロ
ーカルコントローラのプログラムに従い、発生した障害
事項とエラーパターンテーブル上の内容を比べ、一致し
たレベルの障害処理を実行することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＣＤ（Liquid Crystal
Display）装置等、半導体装置の製造装置、特に１枚ず
つ処理を行う枚葉式半導体製造装置における障害処理方
法に関するものである。
Display）装置等、半導体装置の製造装置、特に１枚ず
つ処理を行う枚葉式半導体製造装置における障害処理方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来のインライン型半導体製造装
置の１例の構成を示す斜視図である。この従来の装置
は、所謂インライン方式の搬送形態を有し、垂直な基板
保持プレート１の両面にＬＣＤ用の基板２をそれぞれ４
枚、計８枚の基板を保持させ、基板保持プレート１をロ
ーダ部３，予熱槽４，成膜槽５，冷却槽６を経て、アン
ローダ部７迄移動させ、前記成膜槽５に於いて基板２に
単層膜を積層するものである。
置の１例の構成を示す斜視図である。この従来の装置
は、所謂インライン方式の搬送形態を有し、垂直な基板
保持プレート１の両面にＬＣＤ用の基板２をそれぞれ４
枚、計８枚の基板を保持させ、基板保持プレート１をロ
ーダ部３，予熱槽４，成膜槽５，冷却槽６を経て、アン
ローダ部７迄移動させ、前記成膜槽５に於いて基板２に
単層膜を積層するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来例は、基板保持プ
レート１が半導体製造装置を一方向に通過する構成であ
り、その為専有床面積が大きくなり、双基板２を垂直姿
勢で２段に保持するので、装置の高さが高くなり、この
為作業者による基板の交換作業は容易でなく、作業者に
大きな負担がかかると共に、上記従来例では単層膜生成
装置であるので、複数層の膜を生成する場合は成膜条件
を変え複数回の成膜を必要とし、装置外での基板の運搬
は人手に頼っていたので、パーティクルにより基板が汚
染されるという課題があった。又、近年では顧客要求が
多様化しているが、複数枚を同時に成膜し、且つ単層膜
を生成している従来の装置では多様化した顧客要求への
対応が難しいという課題があった。前記多様化した顧客
要求の対応に適合するものとして、枚葉式の半導体製造
装置が具体化されているが、この枚葉式の半導体製造装
置では基板を１枚ずつ処理する為、処理内容の自由度が
大幅に増すが、一方では基板の搬送が複雑化するので搬
送の能率が装置の稼動率に大きく影響し、或いは１枚の
基板に対して複数の処理工程を運搬して行う場合は、或
る処理工程で事故が発生した場合の対策が稼動率に大き
く影響することになる。
レート１が半導体製造装置を一方向に通過する構成であ
り、その為専有床面積が大きくなり、双基板２を垂直姿
勢で２段に保持するので、装置の高さが高くなり、この
為作業者による基板の交換作業は容易でなく、作業者に
大きな負担がかかると共に、上記従来例では単層膜生成
装置であるので、複数層の膜を生成する場合は成膜条件
を変え複数回の成膜を必要とし、装置外での基板の運搬
は人手に頼っていたので、パーティクルにより基板が汚
染されるという課題があった。又、近年では顧客要求が
多様化しているが、複数枚を同時に成膜し、且つ単層膜
を生成している従来の装置では多様化した顧客要求への
対応が難しいという課題があった。前記多様化した顧客
要求の対応に適合するものとして、枚葉式の半導体製造
装置が具体化されているが、この枚葉式の半導体製造装
置では基板を１枚ずつ処理する為、処理内容の自由度が
大幅に増すが、一方では基板の搬送が複雑化するので搬
送の能率が装置の稼動率に大きく影響し、或いは１枚の
基板に対して複数の処理工程を運搬して行う場合は、或
る処理工程で事故が発生した場合の対策が稼動率に大き
く影響することになる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる実情に鑑
み、搬送能率，稼動率を大幅に向上させた基板搬送処理
の事故発生時に稼動率を低下させることなく、不良基板
の発生を抑制し、また顧客の安全基準などの仕様を容易
に反映させ、また変更が容易に行えるような障害処理方
法を提供しようとするものである。即ち、本発明方法は
複数の処理工程を有し、セントラルコントローラにより
総括的に制御される複数台のローカルコントローラによ
り複数の制御機器を制御し、これらの制御機器により一
方向に基板搬送処理がなされる半導体製造装置における
障害処理方法において、異常，障害が発生した場合、セ
ントラルコントローラでその異常，障害を分析し、各ロ
ーカルコントローラにより安全処理を図ると共に、不良
基板の発生を抑制するように基板搬送処理を障害内容毎
に制御することを特徴とする。又、複数の処理工程を有
し、セントラルコントローラにより総括的に制御される
複数台のローカルコントローラにより複数の制御機器を
制御し、これらの制御機器により一方向に基板搬送処理
がなされる半導体製造装置における障害処理方法におい
て、多くの障害事項をセントラルコントローラと各ロー
カルコントローラでそれぞれその重度から複数段階のレ
ベルに分けておき、異常，障害が発生した場合、セント
ラルコントローラ及び各ローカルコントローラのプログ
ラムに従い、発生した障害事項とエラーパターンテーブ
ル上の内容を比べ、一致したレベルの障害処理を実行す
ることを特徴とする。
み、搬送能率，稼動率を大幅に向上させた基板搬送処理
の事故発生時に稼動率を低下させることなく、不良基板
の発生を抑制し、また顧客の安全基準などの仕様を容易
に反映させ、また変更が容易に行えるような障害処理方
法を提供しようとするものである。即ち、本発明方法は
複数の処理工程を有し、セントラルコントローラにより
総括的に制御される複数台のローカルコントローラによ
り複数の制御機器を制御し、これらの制御機器により一
方向に基板搬送処理がなされる半導体製造装置における
障害処理方法において、異常，障害が発生した場合、セ
ントラルコントローラでその異常，障害を分析し、各ロ
ーカルコントローラにより安全処理を図ると共に、不良
基板の発生を抑制するように基板搬送処理を障害内容毎
に制御することを特徴とする。又、複数の処理工程を有
し、セントラルコントローラにより総括的に制御される
複数台のローカルコントローラにより複数の制御機器を
制御し、これらの制御機器により一方向に基板搬送処理
がなされる半導体製造装置における障害処理方法におい
て、多くの障害事項をセントラルコントローラと各ロー
カルコントローラでそれぞれその重度から複数段階のレ
ベルに分けておき、異常，障害が発生した場合、セント
ラルコントローラ及び各ローカルコントローラのプログ
ラムに従い、発生した障害事項とエラーパターンテーブ
ル上の内容を比べ、一致したレベルの障害処理を実行す
ることを特徴とする。
【０００５】
【実施例】図１は本発明方法を実施する枚葉式半導体製
造装置の１例を示す説明図である。図１において、ロー
ド側カセットスタンド８に第１搬送室９が連設され、該
第１搬送室９にはゲートバルブ１０を介してロード側基
板予備室１１が連設され、更にロード側基板予備室１１
にはゲートバルブ１２を介して第２搬送室１３が連設さ
れている。第２運搬室１３にはゲートバルブ１４を介し
て予備加熱室１５が連設されている。又、第２搬送室１
３には第１成膜室１７，第３搬送室１８，第２成膜室１
９，第４搬送室２０、更に第３成膜室２１が順次ゲート
バルブ１６，２２，２３，２４，２５を介して連設さ
れ、前記第４搬送室２０にはゲートバルブ３５を介して
基板冷却室を兼ねるアンロード側基板予備室２６が連設
され、更にゲートバルブ２７を介して第５搬送室２８、
該第５搬送室２８にアンロード側カセットスタンド２９
が連設されている。
造装置の１例を示す説明図である。図１において、ロー
ド側カセットスタンド８に第１搬送室９が連設され、該
第１搬送室９にはゲートバルブ１０を介してロード側基
板予備室１１が連設され、更にロード側基板予備室１１
にはゲートバルブ１２を介して第２搬送室１３が連設さ
れている。第２運搬室１３にはゲートバルブ１４を介し
て予備加熱室１５が連設されている。又、第２搬送室１
３には第１成膜室１７，第３搬送室１８，第２成膜室１
９，第４搬送室２０、更に第３成膜室２１が順次ゲート
バルブ１６，２２，２３，２４，２５を介して連設さ
れ、前記第４搬送室２０にはゲートバルブ３５を介して
基板冷却室を兼ねるアンロード側基板予備室２６が連設
され、更にゲートバルブ２７を介して第５搬送室２８、
該第５搬送室２８にアンロード側カセットスタンド２９
が連設されている。
【０００６】カセットスタンド８，２９は基板が装填さ
れた基板カセットを授受可能であり、第１搬送室９の搬
送装置との協働により、基板を１枚ずつロード側基板予
備室１１に搬送可能となっており、又第２搬送室１３の
搬送装置はロード側基板予備室１１の基板を予備加熱室
１５に搬送し、また、該予備加熱室１５の基板を第１成
膜室１７に搬送する。更に、第３搬送室１８の搬送装置
は第１成膜室１７から第２成膜室１９へ基板を搬送し、
第４搬送室２０の搬送装置は第２成膜室１９から第３成
膜室２１へ、或いは第３成膜室２１からアンロード側基
板予備室２６へ基板を搬送し、第５搬送室２８の搬送装
置はアンロード側基板予備室２６からアンロード側カセ
ットスタンド２９へ基板を搬送するようになっている。
又、第１搬送室９、第２搬送室１３、第３搬送室１８、
第４搬送室２０、第５搬送室２８の搬送装置はそれぞれ
独立して基板を搬送可能となっている。
れた基板カセットを授受可能であり、第１搬送室９の搬
送装置との協働により、基板を１枚ずつロード側基板予
備室１１に搬送可能となっており、又第２搬送室１３の
搬送装置はロード側基板予備室１１の基板を予備加熱室
１５に搬送し、また、該予備加熱室１５の基板を第１成
膜室１７に搬送する。更に、第３搬送室１８の搬送装置
は第１成膜室１７から第２成膜室１９へ基板を搬送し、
第４搬送室２０の搬送装置は第２成膜室１９から第３成
膜室２１へ、或いは第３成膜室２１からアンロード側基
板予備室２６へ基板を搬送し、第５搬送室２８の搬送装
置はアンロード側基板予備室２６からアンロード側カセ
ットスタンド２９へ基板を搬送するようになっている。
又、第１搬送室９、第２搬送室１３、第３搬送室１８、
第４搬送室２０、第５搬送室２８の搬送装置はそれぞれ
独立して基板を搬送可能となっている。
【０００７】図２は本発明における制御部の１例を示す
説明図、図３は本発明における制御部のコントロールユ
ニットとローカルコントローラの構成を示す正面図であ
る。制御部は、セントラルコントローラ３０と複数の、
例えば３つのローカルコントローラ３１1 〜３１3 と複
数の例えば３つの制御機器３２Ａ〜３２Ｃからなり、セ
ントラルコントローラ３０はオペレーションユニット３
０Ａとコントロールユニット３０Ｂからなる。オペレー
ションユニット３０Ａとコントロールユニット３０Ｂは
シリアル回線で接続され、セントラルコントローラ３０
とローカルコントローラ３１1 〜３１3 はＬＡＮ（Loca
l Area Network）で接続され、コントローラ３０Ｂ、３
１1 〜３１3 間で高速のデータ転送を可能にしている。
オペレーションユニット３０Ａは装置全体のオペレーシ
ョンを一括して行い、コントロールユニット３０Ｂはロ
ーカルコントローラ３１1 〜３１3 を総括的に制御して
いる。基板有無詳細情報、制御機器動作完了およびコン
トロールユニット３０Ｂからローカルコントローラ３１
1 〜３１3 への制御機器動作命令などのデータは通信制
御による自動転送により、ＬＡＮを通じてコントロール
ユニット３０Ｂ、ローカルコントローラ３１1 〜３１3
の所定の記憶部であるデータメモリに登録される。その
データリンクを図４に示し、斜線部分は自ノードの送信
エリア、白抜部分は他ノードの受信エリアを示す。
説明図、図３は本発明における制御部のコントロールユ
ニットとローカルコントローラの構成を示す正面図であ
る。制御部は、セントラルコントローラ３０と複数の、
例えば３つのローカルコントローラ３１1 〜３１3 と複
数の例えば３つの制御機器３２Ａ〜３２Ｃからなり、セ
ントラルコントローラ３０はオペレーションユニット３
０Ａとコントロールユニット３０Ｂからなる。オペレー
ションユニット３０Ａとコントロールユニット３０Ｂは
シリアル回線で接続され、セントラルコントローラ３０
とローカルコントローラ３１1 〜３１3 はＬＡＮ（Loca
l Area Network）で接続され、コントローラ３０Ｂ、３
１1 〜３１3 間で高速のデータ転送を可能にしている。
オペレーションユニット３０Ａは装置全体のオペレーシ
ョンを一括して行い、コントロールユニット３０Ｂはロ
ーカルコントローラ３１1 〜３１3 を総括的に制御して
いる。基板有無詳細情報、制御機器動作完了およびコン
トロールユニット３０Ｂからローカルコントローラ３１
1 〜３１3 への制御機器動作命令などのデータは通信制
御による自動転送により、ＬＡＮを通じてコントロール
ユニット３０Ｂ、ローカルコントローラ３１1 〜３１3
の所定の記憶部であるデータメモリに登録される。その
データリンクを図４に示し、斜線部分は自ノードの送信
エリア、白抜部分は他ノードの受信エリアを示す。
【０００８】ローカルコントローラ３１1 〜３１3 はそ
れぞれに付随した複数の制御機器３２Ａ1 〜３２Ｃ1 、
３２Ａ2 〜３２Ｃ2 、３２Ａ3 〜３２Ｃ3 を制御し、ロ
ーカルコントローラ３１1 〜３１3 における複数の制御
機器間の一連の動作のインターロックを相互に行う。例
えば成膜室から成膜室へ基板搬送するときに、コントロ
ールユニット３０Ｂの命令を受け、真空状態あるいは室
温度安定状態を検知し、そのデータを例えばローカルコ
ントローラ３１1 の自ノードのデータメモリに記入す
る。データは自動転送によりコントロールユニット３０
Ｂおよび他のローカルコントローラ３１2 ，３１3 のデ
ータメモリに記入される。前記成膜室等を制御している
ローカルコントローラ３１1 にコントロールユニット３
０Ｂからの命令を受け、一時的に記憶動作した後、セン
サ等により許容範囲に収まっているか判定し、ゲートバ
ルブを開け移載機により基板搬送が行われる。ゲートバ
ルブ開閉，基板授受等の検知データをデータメモリに記
入し、動作確認が行われる。
れぞれに付随した複数の制御機器３２Ａ1 〜３２Ｃ1 、
３２Ａ2 〜３２Ｃ2 、３２Ａ3 〜３２Ｃ3 を制御し、ロ
ーカルコントローラ３１1 〜３１3 における複数の制御
機器間の一連の動作のインターロックを相互に行う。例
えば成膜室から成膜室へ基板搬送するときに、コントロ
ールユニット３０Ｂの命令を受け、真空状態あるいは室
温度安定状態を検知し、そのデータを例えばローカルコ
ントローラ３１1 の自ノードのデータメモリに記入す
る。データは自動転送によりコントロールユニット３０
Ｂおよび他のローカルコントローラ３１2 ，３１3 のデ
ータメモリに記入される。前記成膜室等を制御している
ローカルコントローラ３１1 にコントロールユニット３
０Ｂからの命令を受け、一時的に記憶動作した後、セン
サ等により許容範囲に収まっているか判定し、ゲートバ
ルブを開け移載機により基板搬送が行われる。ゲートバ
ルブ開閉，基板授受等の検知データをデータメモリに記
入し、動作確認が行われる。
【０００９】この作業分担は障害処理にも適用され、障
害発生時、障害事項に関連する制御機器を含むローカル
コントローラ３１1 〜３１3 においてフェールセーフ思
想に基づく障害処理が実行され、コントロールユニット
３０Ｂで障害内容を分析するよう構成し、稼動率の低下
を防ぎ、不良基板の発生を抑制するように基板の搬送を
障害内容毎に制御する。表１，表２に示す如く、コント
ロールユニット３０Ｂ，ローカルコントローラ３１1 〜
３１3 での障害処理は、その重度からレベル分けされて
おり、コントロールユニット３０Ｂでは４段階、ローカ
ルコントローラ３１1 〜３１3 では３段階と複数に分類
されている。
害発生時、障害事項に関連する制御機器を含むローカル
コントローラ３１1 〜３１3 においてフェールセーフ思
想に基づく障害処理が実行され、コントロールユニット
３０Ｂで障害内容を分析するよう構成し、稼動率の低下
を防ぎ、不良基板の発生を抑制するように基板の搬送を
障害内容毎に制御する。表１，表２に示す如く、コント
ロールユニット３０Ｂ，ローカルコントローラ３１1 〜
３１3 での障害処理は、その重度からレベル分けされて
おり、コントロールユニット３０Ｂでは４段階、ローカ
ルコントローラ３１1 〜３１3 では３段階と複数に分類
されている。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】障害事項は、装置全体で数多く存在し（回
線障害，動作障害，電源断情報，基板不正滞留etc.）そ
の項目の１つ１つはエラー用データメモリに記入され、
データリンクにより確認できる。コントロールユニット
３０Ｂ及び各ローカルコントローラ３１1 〜３１3 はプ
ログラムにより、障害事項と、エラーパターンテーブル
上の内容と比べ一致したレベルの障害処理を実行する。
コントロールユニット３０Ｂでの障害処理レベルとロー
カルコントローラ３１ 1 〜３１3 での障害処理レベルを
それぞれ別々に指定することとし、その指定はコントロ
ールユニット３０Ｂの主記憶装置にて行い、設定変更を
行えるものとしている。また同様に、各ローカルコント
ローラ３１1 〜３１3 のエラーパターンテーブルの内容
も設定変更がコントロールユニット３０Ｂにて行える。
線障害，動作障害，電源断情報，基板不正滞留etc.）そ
の項目の１つ１つはエラー用データメモリに記入され、
データリンクにより確認できる。コントロールユニット
３０Ｂ及び各ローカルコントローラ３１1 〜３１3 はプ
ログラムにより、障害事項と、エラーパターンテーブル
上の内容と比べ一致したレベルの障害処理を実行する。
コントロールユニット３０Ｂでの障害処理レベルとロー
カルコントローラ３１ 1 〜３１3 での障害処理レベルを
それぞれ別々に指定することとし、その指定はコントロ
ールユニット３０Ｂの主記憶装置にて行い、設定変更を
行えるものとしている。また同様に、各ローカルコント
ローラ３１1 〜３１3 のエラーパターンテーブルの内容
も設定変更がコントロールユニット３０Ｂにて行える。
【００１３】次に本発明による障害処理例について説明
する。 〔処理例１〕図１に示すように、第１，第２成膜室１
７，１９内でそれぞれ基板３３2 ，３３1 が成膜処理さ
れている時にゲートバルブ２２が機械的な要因により開
放動作障害になった時、同障害発生時の障害処理指定を
参照し、コントロールユニット３０Ｂでの障害レベル
２、ローカルコントローラ３１1 〜３１3 での障害処理
レベルが１であるとすると、ローカルコントローラ３１
1 〜３１3 では障害処理レベル１の処理を実行し、動作
不可とし障害終了とする。コントロールユニット３０Ｂ
ではカセットスタンド８から新たな基板の搬入を停止
し、第１成膜室１７内の基板３３2 は該第１成膜室１７
内で停止し、第２成膜室１９内の基板３３1 は第２，第
３成膜室１９，２１で成膜処理を施されながら最終的に
カセットスタンド２９のカセットにアンロードされるこ
とになる。
する。 〔処理例１〕図１に示すように、第１，第２成膜室１
７，１９内でそれぞれ基板３３2 ，３３1 が成膜処理さ
れている時にゲートバルブ２２が機械的な要因により開
放動作障害になった時、同障害発生時の障害処理指定を
参照し、コントロールユニット３０Ｂでの障害レベル
２、ローカルコントローラ３１1 〜３１3 での障害処理
レベルが１であるとすると、ローカルコントローラ３１
1 〜３１3 では障害処理レベル１の処理を実行し、動作
不可とし障害終了とする。コントロールユニット３０Ｂ
ではカセットスタンド８から新たな基板の搬入を停止
し、第１成膜室１７内の基板３３2 は該第１成膜室１７
内で停止し、第２成膜室１９内の基板３３1 は第２，第
３成膜室１９，２１で成膜処理を施されながら最終的に
カセットスタンド２９のカセットにアンロードされるこ
とになる。
【００１４】〔処理例２〕図５にコントロールユニット
３０Ｂ、各ローカルコントローラ３１1 〜３１3での障
害レベルが０，１の場合の１例を示す。基板の膜処理，
搬送の動作は、センサ等により動作完了が確認される。
又、同時に各センサ間の検知の時間（処理時間）を設定
しており、設定時間，許容時間内に動作しているか各ロ
ーカルコントローラ３１1 〜３１3 内のプログラムによ
り監視されている。カセットスタンド８に、基板が装填
された基板カセットを載せ、１枚ずつ搬送装置により搬
送され連続で膜処理が施される。図５では第１成膜室１
７内でしかるべき処理を受けるが、基板３３1 は第１成
膜室１７内で次のような方法で基板の授受及び膜処理を
行う。まず、ゲートバルブ１６を開け第２搬送室１３の
搬送装置により基板３３1 を導入する。電極上の昇降可
能なピン（図示せず）が上昇し、第２搬送室１３の搬送
装置のアーム上から、ピン先端上に基板３３1 を乗せ
る。その後、第２搬送室１３の搬送装置のアームを待避
させ、基板３３1 を乗せたピンを下降させ基板載置電極
上に基板３３1 を配置する。次にゲートバルブ１６を閉
め、反応ガス導入系，排気系，高周波印加系により、基
板３３1 にしかるべき膜処理を施した後、排気系（真空
ポンプバルブ等）により第１成膜室１７内を所定の真空
圧にする。その後、ゲートバルブ２２を開け、基板３３
1 を乗せたピンを上昇させる。第３搬送室１８の搬送装
置のアーム上に基板を乗せた後、第２成膜室１９へ基板
を搬送する。なお、成膜室内での処理時間は電極上の昇
降可能なピンのピン先端上に基板を乗せ、昇降動作をセ
ンサにより検知しており、該処理時間はプログラムによ
り設定時間内に動作しているかどうか監視されている。
３０Ｂ、各ローカルコントローラ３１1 〜３１3での障
害レベルが０，１の場合の１例を示す。基板の膜処理，
搬送の動作は、センサ等により動作完了が確認される。
又、同時に各センサ間の検知の時間（処理時間）を設定
しており、設定時間，許容時間内に動作しているか各ロ
ーカルコントローラ３１1 〜３１3 内のプログラムによ
り監視されている。カセットスタンド８に、基板が装填
された基板カセットを載せ、１枚ずつ搬送装置により搬
送され連続で膜処理が施される。図５では第１成膜室１
７内でしかるべき処理を受けるが、基板３３1 は第１成
膜室１７内で次のような方法で基板の授受及び膜処理を
行う。まず、ゲートバルブ１６を開け第２搬送室１３の
搬送装置により基板３３1 を導入する。電極上の昇降可
能なピン（図示せず）が上昇し、第２搬送室１３の搬送
装置のアーム上から、ピン先端上に基板３３1 を乗せ
る。その後、第２搬送室１３の搬送装置のアームを待避
させ、基板３３1 を乗せたピンを下降させ基板載置電極
上に基板３３1 を配置する。次にゲートバルブ１６を閉
め、反応ガス導入系，排気系，高周波印加系により、基
板３３1 にしかるべき膜処理を施した後、排気系（真空
ポンプバルブ等）により第１成膜室１７内を所定の真空
圧にする。その後、ゲートバルブ２２を開け、基板３３
1 を乗せたピンを上昇させる。第３搬送室１８の搬送装
置のアーム上に基板を乗せた後、第２成膜室１９へ基板
を搬送する。なお、成膜室内での処理時間は電極上の昇
降可能なピンのピン先端上に基板を乗せ、昇降動作をセ
ンサにより検知しており、該処理時間はプログラムによ
り設定時間内に動作しているかどうか監視されている。
【００１５】設定時間内に動作しない具体例としては、
第１成膜室１７の排気系の排気管内（図示せず）に反応
生成物が付着し、排気能力が著しく低下するため、第１
成膜室１７内を所定の真空圧にするのに正常な場合と比
べて時間がかかり、設定時間を超過する場合がある。こ
の“ピンダウン時間オーバー”は、障害レベルチェック
プログラムにより、ローカルコントローラ３１1 〜３１
3 の障害処理レベル０と判断し、このレベルと具体的障
害内容をエラーテーブル３１1 に書き込む。通信制御に
よりコントロールユニット３０Ｂのエラーテーブル３１
1 に自動転送される。随時、障害レベルチェックプログ
ラムにより、エラーテーブルはチェックされており、エ
ラーパターンテーブル３０Ｂと照合し、障害処理レベル
０と判断し、このレベルと障害内容をエラーテーブルに
記入し、その処理内容をオペレーションユニット３０Ａ
にエラーメッセージあるいは警告表示器にエラー信号を
送出する。又、コントロールユニット３０Ｂのエラーテ
ーブルに書き込まれた具体的障害内容と発生時間はエラ
ーデータロギング機能により編集，登録する。
第１成膜室１７の排気系の排気管内（図示せず）に反応
生成物が付着し、排気能力が著しく低下するため、第１
成膜室１７内を所定の真空圧にするのに正常な場合と比
べて時間がかかり、設定時間を超過する場合がある。こ
の“ピンダウン時間オーバー”は、障害レベルチェック
プログラムにより、ローカルコントローラ３１1 〜３１
3 の障害処理レベル０と判断し、このレベルと具体的障
害内容をエラーテーブル３１1 に書き込む。通信制御に
よりコントロールユニット３０Ｂのエラーテーブル３１
1 に自動転送される。随時、障害レベルチェックプログ
ラムにより、エラーテーブルはチェックされており、エ
ラーパターンテーブル３０Ｂと照合し、障害処理レベル
０と判断し、このレベルと障害内容をエラーテーブルに
記入し、その処理内容をオペレーションユニット３０Ａ
にエラーメッセージあるいは警告表示器にエラー信号を
送出する。又、コントロールユニット３０Ｂのエラーテ
ーブルに書き込まれた具体的障害内容と発生時間はエラ
ーデータロギング機能により編集，登録する。
【００１６】この場合、図５（Ａ）に示すように第１成
膜室１７で基板３３1 が成膜処理中に予備加熱室１５で
次の基板３３2 が予熱処理されており、これらの基板３
３1，３３2 は第１成膜室１７内の排気時間オーバーで
も、図５（Ｂ）に示すように第１成膜室１７の基板３３
1 は第３搬送室１８の搬送装置により第２成膜室１９
に、予備加熱室１５の予熱された基板３３2 は第２搬送
室１３の搬送装置により第１成膜室１７にそれぞれ搬送
されて成膜処理される。次に図５（Ｃ）に示すように第
２成膜室１９の基板３３1 は第４搬送室２０の搬送装置
により第３成膜室２１に、第１成膜室１７の基板３３2
は第３搬送室１８の搬送装置により第２成膜室１９に搬
送されて成膜処理され、次いで図５（Ｄ）に示すように
第３成膜室２１の基板３３1 は第４搬送室２０の搬送装
置によりアンロード側基板予備室２６に搬送されてアン
ロードの準備に入り、第２成膜室１９の基板３３2 は同
じ搬送装置により第３成膜室２１に搬送されて成膜処理
される。そして図５（Ｅ）に示すようにアンロード側基
板予備室２６の基板３３1 は第５搬送室２８の搬送装置
２８によりカセットスタンド２９のカセットにアンロー
ドされ、第３成膜室２１の基板３３2 はアンロード側基
板予備室２６に搬送された後，図５（Ｆ）に示すように
カセットスタンド２９のカセットにアンロードされるこ
とになる。
膜室１７で基板３３1 が成膜処理中に予備加熱室１５で
次の基板３３2 が予熱処理されており、これらの基板３
３1，３３2 は第１成膜室１７内の排気時間オーバーで
も、図５（Ｂ）に示すように第１成膜室１７の基板３３
1 は第３搬送室１８の搬送装置により第２成膜室１９
に、予備加熱室１５の予熱された基板３３2 は第２搬送
室１３の搬送装置により第１成膜室１７にそれぞれ搬送
されて成膜処理される。次に図５（Ｃ）に示すように第
２成膜室１９の基板３３1 は第４搬送室２０の搬送装置
により第３成膜室２１に、第１成膜室１７の基板３３2
は第３搬送室１８の搬送装置により第２成膜室１９に搬
送されて成膜処理され、次いで図５（Ｄ）に示すように
第３成膜室２１の基板３３1 は第４搬送室２０の搬送装
置によりアンロード側基板予備室２６に搬送されてアン
ロードの準備に入り、第２成膜室１９の基板３３2 は同
じ搬送装置により第３成膜室２１に搬送されて成膜処理
される。そして図５（Ｅ）に示すようにアンロード側基
板予備室２６の基板３３1 は第５搬送室２８の搬送装置
２８によりカセットスタンド２９のカセットにアンロー
ドされ、第３成膜室２１の基板３３2 はアンロード側基
板予備室２６に搬送された後，図５（Ｆ）に示すように
カセットスタンド２９のカセットにアンロードされるこ
とになる。
【００１７】〔処理例３〕また、図６のように排気系に
取り付けられている真空センサ（図示せず）により真空
圧を検知しており、排気能力が低下し、設定時間，許容
時間を超過した場合には、エラーパターンテーブル３０
Ｂと照合し、障害処理レベル１と判断し、“カセットス
タンド８から新たな基板の投入を停止”をローカルコン
トローラ３１1 〜３１3 に指示する。図６（Ａ）に示す
ように第１成膜室１７の基板３３1 は成膜処理され、予
備加熱室１５の基板３３2 は予熱され、ロード側基板予
備室１１の基板３３3 は待機状態にある。そして図６
（Ｂ）に示すように第１成膜室１７の基板３３1 は第２
成膜室１９に、予備加熱室１５の基板３３2 は第１成膜
室１７に搬送されて成膜処理され、ロード側基板予備室
１１の基板３３3 は予備加熱室１５に搬送されて予熱さ
れている最中に、第１成膜室１７の排気能力が低下した
ことが検知された場合、ロード側基板予備室１１へは基
板の搬入はない。次に図６（Ｃ）に示すように第２成膜
室１９の基板３３1 は第３成膜室２１に、第１成膜室１
７の基板３３2 は第２成膜室１９に、予備加熱室１５の
基板３３3 は第１成膜室１７に搬送されて成膜処理さ
れ、次いで図６（Ｄ）に示すように第３成膜室２１の基
板３３ 1 はアンロード側基板予備室２６に搬送されてア
ンロードの準備に入り、第２，第１成膜室１９，１７の
基板３３2 ，３３1 はそれぞれ第３，第２成膜室２１，
１９に搬送されて成膜処理される。しかる後、図６
（Ｅ）に示すようにアンロード側基板予備室２６の基板
３３1 はカセットスタンド２９のカセットアンロードさ
れ、第３成膜室２１の基板３３2 はアンロード側基板予
備室２６に搬送されてアンロードの準備に入り、第２成
膜室１９の基板３３2 は第３成膜室２１に搬送されて成
膜処理される。次いで図６（Ｆ）に示すようにアンロー
ド側基板予備室２６の基板３３2 はカセットスタンド２
９のカセットにアンロードされ、第３成膜室２１の基板
３３3 はアンロード側基板予備室２６に搬送されてアン
ロードの準備に入った後、図６（Ｇ）に示すようにカセ
ットスタンド２９のカセットにアンロードされる。しか
る後、基板処理停止となる。
取り付けられている真空センサ（図示せず）により真空
圧を検知しており、排気能力が低下し、設定時間，許容
時間を超過した場合には、エラーパターンテーブル３０
Ｂと照合し、障害処理レベル１と判断し、“カセットス
タンド８から新たな基板の投入を停止”をローカルコン
トローラ３１1 〜３１3 に指示する。図６（Ａ）に示す
ように第１成膜室１７の基板３３1 は成膜処理され、予
備加熱室１５の基板３３2 は予熱され、ロード側基板予
備室１１の基板３３3 は待機状態にある。そして図６
（Ｂ）に示すように第１成膜室１７の基板３３1 は第２
成膜室１９に、予備加熱室１５の基板３３2 は第１成膜
室１７に搬送されて成膜処理され、ロード側基板予備室
１１の基板３３3 は予備加熱室１５に搬送されて予熱さ
れている最中に、第１成膜室１７の排気能力が低下した
ことが検知された場合、ロード側基板予備室１１へは基
板の搬入はない。次に図６（Ｃ）に示すように第２成膜
室１９の基板３３1 は第３成膜室２１に、第１成膜室１
７の基板３３2 は第２成膜室１９に、予備加熱室１５の
基板３３3 は第１成膜室１７に搬送されて成膜処理さ
れ、次いで図６（Ｄ）に示すように第３成膜室２１の基
板３３ 1 はアンロード側基板予備室２６に搬送されてア
ンロードの準備に入り、第２，第１成膜室１９，１７の
基板３３2 ，３３1 はそれぞれ第３，第２成膜室２１，
１９に搬送されて成膜処理される。しかる後、図６
（Ｅ）に示すようにアンロード側基板予備室２６の基板
３３1 はカセットスタンド２９のカセットアンロードさ
れ、第３成膜室２１の基板３３2 はアンロード側基板予
備室２６に搬送されてアンロードの準備に入り、第２成
膜室１９の基板３３2 は第３成膜室２１に搬送されて成
膜処理される。次いで図６（Ｆ）に示すようにアンロー
ド側基板予備室２６の基板３３2 はカセットスタンド２
９のカセットにアンロードされ、第３成膜室２１の基板
３３3 はアンロード側基板予備室２６に搬送されてアン
ロードの準備に入った後、図６（Ｇ）に示すようにカセ
ットスタンド２９のカセットにアンロードされる。しか
る後、基板処理停止となる。
【００１８】〔処理例４〕次に図７にコントロールユニ
ット３０Ｂでの障害処理レベルが２の場合の１例を示
す。各成膜室には、搬送室間と遮断するため、ゲートバ
ルブを設けており、該ゲートバルブにも開閉動作確認用
のセンサ（図示せず）が設けられている。カセットスタ
ンド８に基板が装填された基板カセットを乗せ、１枚ず
つ搬送装置により搬送され連続で膜処理が施される。図
６では第２成膜室１９内でしかるべき処理を受けるが、
成膜室内での基板の授受は処理例２の障害処理レベル
０，１の場合と同様である。第２成膜室１９内で基板が
しかるべき膜処理を施している最中に、ゲートバルブ２
３が開閉動作確認用センサにより動作不良と検知した場
合、そのゲートバルブ２３を制御しているローカルコン
トローラに検知信号を入力し、障害レベルチェックプロ
グラムにより、ローカルコントローラの障害処理レベル
１と判断し、現在進行中の処理は継続処理終了にて停止
する等の処理を行う。レベルと具体的障害内容をローカ
ルコントローラ３１2 のエラーテーブルに書き込み、通
信制御（データリンク）により自動転送され、コントロ
ールユニット３０Ｂのエラーテーブル３１2 に表され
る。障害レベルチェックプログラムによりエラーパター
ンテーブル３０と照合し、障害処理レベル２と判断し、
その処理内容“カセットスタンド８から新たな基板の投
入停止，障害発生箇所から下流は搬送，成膜をも継続、
上流は搬送成膜とも停止”を各ローカルコントローラに
指示する。
ット３０Ｂでの障害処理レベルが２の場合の１例を示
す。各成膜室には、搬送室間と遮断するため、ゲートバ
ルブを設けており、該ゲートバルブにも開閉動作確認用
のセンサ（図示せず）が設けられている。カセットスタ
ンド８に基板が装填された基板カセットを乗せ、１枚ず
つ搬送装置により搬送され連続で膜処理が施される。図
６では第２成膜室１９内でしかるべき処理を受けるが、
成膜室内での基板の授受は処理例２の障害処理レベル
０，１の場合と同様である。第２成膜室１９内で基板が
しかるべき膜処理を施している最中に、ゲートバルブ２
３が開閉動作確認用センサにより動作不良と検知した場
合、そのゲートバルブ２３を制御しているローカルコン
トローラに検知信号を入力し、障害レベルチェックプロ
グラムにより、ローカルコントローラの障害処理レベル
１と判断し、現在進行中の処理は継続処理終了にて停止
する等の処理を行う。レベルと具体的障害内容をローカ
ルコントローラ３１2 のエラーテーブルに書き込み、通
信制御（データリンク）により自動転送され、コントロ
ールユニット３０Ｂのエラーテーブル３１2 に表され
る。障害レベルチェックプログラムによりエラーパター
ンテーブル３０と照合し、障害処理レベル２と判断し、
その処理内容“カセットスタンド８から新たな基板の投
入停止，障害発生箇所から下流は搬送，成膜をも継続、
上流は搬送成膜とも停止”を各ローカルコントローラに
指示する。
【００１９】即ち、図７（Ａ）に示すように第１成膜室
１７で成膜処理された基板３３1 、予備加熱室１５で予
熱された基板３３2 及びロード側基板予備室１１の基板
３３ 3 がそれぞれ図７（Ｂ）に示すように第２成膜室１
９、第１成膜室１７及び予備加熱室１５に搬送されて成
膜処理及び予熱処理される。この最中に図７（Ｃ）に示
すようにゲートバルブ２３の動作不良障害が発生した場
合、図７（Ｄ）に示すようにカセットスタンド８からロ
ード側基板予備室１１への基板搬入が中止されると共に
第１成膜室１７の基板３３2 及び予備加熱室１５の基板
３３3 は以後、そのまま室に止まり、第２成膜室１９の
基板３３1 のみが以後の処理を受けることになる。図７
（Ｄ）では基板３３1 が第２成膜室１９から第３成膜室
２１に搬送されて成膜処理された後、図７（Ｅ），
（Ｆ）に示すようにアンロード側基板予備室２６を経て
カセットスタンド２９のカセットにアンロードされる。
しかる後は基板処理停止となる。
１７で成膜処理された基板３３1 、予備加熱室１５で予
熱された基板３３2 及びロード側基板予備室１１の基板
３３ 3 がそれぞれ図７（Ｂ）に示すように第２成膜室１
９、第１成膜室１７及び予備加熱室１５に搬送されて成
膜処理及び予熱処理される。この最中に図７（Ｃ）に示
すようにゲートバルブ２３の動作不良障害が発生した場
合、図７（Ｄ）に示すようにカセットスタンド８からロ
ード側基板予備室１１への基板搬入が中止されると共に
第１成膜室１７の基板３３2 及び予備加熱室１５の基板
３３3 は以後、そのまま室に止まり、第２成膜室１９の
基板３３1 のみが以後の処理を受けることになる。図７
（Ｄ）では基板３３1 が第２成膜室１９から第３成膜室
２１に搬送されて成膜処理された後、図７（Ｅ），
（Ｆ）に示すようにアンロード側基板予備室２６を経て
カセットスタンド２９のカセットにアンロードされる。
しかる後は基板処理停止となる。
【００２０】〔処理例５〕次に図８にコントロールユニ
ット３０Ｂでの障害処理レベルが３の場合の１例を示
す。各室内には各基板処理に適した装置が設置してお
り、その装置を制御する制御機器が設けられている。複
数の制御機器は１つのローカルコントローラからの指示
に従い制御機器を動作させる。例えば、ローカルコント
ローラ３１1 は、カセットスタンド８から第１成膜室１
７までを制御可能とする。基板が搬送装置により１枚ず
つ搬送され連続で膜処理が施されている状態で、ローカ
ルコントローラ３１1 がダウンした場合、通信制御によ
りコントロールユニット３０Ｂはダウン障害発生を検知
し、障害内容をエラーテーブル３１1 に書き込み、障害
レベルチェックプログラムにより、エラーパターンテー
ブルと照合し障害処理レベル３と判断し、その処理内容
“現在の単一動作終了時点にて停止”を各ローカルコン
トローラに指示すると同時に、各室内の装置の動作チェ
ックおよびポジション設定動作等（イニシャルモード）
へ移る。この場合、図８（Ａ）に示すように第１成膜室
１７、予備加熱室１５及びロード側基板予備室１１に基
板３３1 ，３３2 ，３３3 が搬入されていて、処理中に
ローカルコントローラ３１1 がダウンすると図８（Ｂ）
に示すように各室の基板３３1 〜３３3 はそのまま止ま
り、以後の基板処理停止となる。
ット３０Ｂでの障害処理レベルが３の場合の１例を示
す。各室内には各基板処理に適した装置が設置してお
り、その装置を制御する制御機器が設けられている。複
数の制御機器は１つのローカルコントローラからの指示
に従い制御機器を動作させる。例えば、ローカルコント
ローラ３１1 は、カセットスタンド８から第１成膜室１
７までを制御可能とする。基板が搬送装置により１枚ず
つ搬送され連続で膜処理が施されている状態で、ローカ
ルコントローラ３１1 がダウンした場合、通信制御によ
りコントロールユニット３０Ｂはダウン障害発生を検知
し、障害内容をエラーテーブル３１1 に書き込み、障害
レベルチェックプログラムにより、エラーパターンテー
ブルと照合し障害処理レベル３と判断し、その処理内容
“現在の単一動作終了時点にて停止”を各ローカルコン
トローラに指示すると同時に、各室内の装置の動作チェ
ックおよびポジション設定動作等（イニシャルモード）
へ移る。この場合、図８（Ａ）に示すように第１成膜室
１７、予備加熱室１５及びロード側基板予備室１１に基
板３３1 ，３３2 ，３３3 が搬入されていて、処理中に
ローカルコントローラ３１1 がダウンすると図８（Ｂ）
に示すように各室の基板３３1 〜３３3 はそのまま止ま
り、以後の基板処理停止となる。
【００２１】尚、上記実施例は成膜室が３組であった
が、２組でも、或いは４組以上であっても同様に実施可
能であることは言う迄もなく、成膜室等のユニットの配
列も上記実施例に限定されるものでないことも勿論であ
るとともに、障害処理レベルの数も表１，２に限定され
るものではない。また、通信制御においてもＬＡＮに限
定するものではない。
が、２組でも、或いは４組以上であっても同様に実施可
能であることは言う迄もなく、成膜室等のユニットの配
列も上記実施例に限定されるものでないことも勿論であ
るとともに、障害処理レベルの数も表１，２に限定され
るものではない。また、通信制御においてもＬＡＮに限
定するものではない。
【００２２】
【発明の効果】上述の説明より明らかなように本考案に
よれば、搬送能率，稼動率を大幅に向上させた基板搬送
処理において、異常，障害発生時に稼動率を低下させる
ことなく最大限稼動率を重視した障害処理を安全に不良
基板の発生を少なくして容易に構築することができる。
また、変更も容易であり、顧客別の安全基準にも容易に
準拠でき、複雑な障害処理を簡潔に実行でき、視認性，
保守性に優れるという効果を奏する。
よれば、搬送能率，稼動率を大幅に向上させた基板搬送
処理において、異常，障害発生時に稼動率を低下させる
ことなく最大限稼動率を重視した障害処理を安全に不良
基板の発生を少なくして容易に構築することができる。
また、変更も容易であり、顧客別の安全基準にも容易に
準拠でき、複雑な障害処理を簡潔に実行でき、視認性，
保守性に優れるという効果を奏する。
【図１】本発明方法を実施する枚葉式半導体製造装置の
１例を示す説明図である。
１例を示す説明図である。
【図２】本発明における制御部の１例を示す説明図であ
る。
る。
【図３】本発明におけるコントロールユニットとローカ
ルコントローラの構成を示す正面図である。
ルコントローラの構成を示す正面図である。
【図４】本発明におけるコントロールユニットとローカ
ルコントローラのデータメモリにデータを自動転送によ
り記憶する状態の説明図である。
ルコントローラのデータメモリにデータを自動転送によ
り記憶する状態の説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明方法による処理例２の
説明図である。
説明図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明方法による処理例３の
説明図である。
説明図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明方法による処理例４の
説明図である。
説明図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は本発明方法による処理例５の
説明図である。
説明図である。
【図９】従来のインライン型半導体製造装置の１例の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
８ カセットスタンド ９ 第１搬送室 １０ ゲートバルブ １１ ロード側基板予備室 １２ ゲートバルブ １３ 第２搬送室 １４ ゲートバルブ １５ 予備加熱室 １６ ゲートバルブ １７ 第１成膜室 １８ 第３搬送室 １９ 第２成膜室 ２０ 第４搬送室 ２１ 第３成膜室 ２２，２３，２４，２５ ゲートバルブ ２６ アンロード側基板予備室 ２７ ゲートバルブ ２８ 第５搬送室 ２９ カセットスタンド ３０ セントラルコントローラ ３０Ａ オペレーションユニット ３０Ｂ コントロールユニット ３１1 〜３１3 ローラルコントローラ ３２Ａ〜３２Ｃ 制御機器 ３３1 〜３３3 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の処理工程を有し、セントラルコン
トローラにより総括的に制御される複数台のローカルコ
ントローラにより複数の制御機器を制御し、これらの制
御機器により一方向に基板搬送処理がなされる半導体製
造装置における障害処理方法において、異常，障害が発
生した場合、セントラルコントローラでその異常，障害
を分析し、各ローカルコントローラにより安全処理を図
ると共に、不良基板の発生を抑制するように基板搬送処
理を障害内容毎に制御することを特徴とする半導体製造
装置における障害処理方法。 - 【請求項２】 多くの障害事項をセントラルコントロー
ラと各ローカルコントローラでそれぞれその重度から複
数段階のレベルに分けておき、異常，障害が発生した場
合、セントラルコントローラ及び各ローカルコントロー
ラのプログラムに従い、発生した障害事項とエラーパタ
ーンテーブル上の内容を比べ、一致したレベルの障害処
理を実行することを特徴とする請求項１の半導体製造装
置における障害処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25339793A JPH07106215A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 半導体製造装置における障害処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25339793A JPH07106215A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 半導体製造装置における障害処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106215A true JPH07106215A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17250808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25339793A Pending JPH07106215A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | 半導体製造装置における障害処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106215A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270164A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
| JP2000299365A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置 |
| JP2005294863A (ja) * | 2005-05-30 | 2005-10-20 | Murata Mach Ltd | 光データ伝送装置 |
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-
1993
- 1993-10-08 JP JP25339793A patent/JPH07106215A/ja active Pending
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| JP4494523B2 (ja) * | 2007-11-09 | 2010-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン型ウェハ搬送装置および基板搬送方法 |
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